專利名稱：微型顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微型顯示器(micro-display)的制作方法，且特別是涉及可以避 免鏡面層(mirror layer)受到損害以及避免周邊電路(periphery circuit)氧化的一種 微型顯示器的制作方法。
背景技術(shù)：
近年來的液晶像素結(jié)構(gòu)已經(jīng)漸漸的廣泛應(yīng)用于日常生活上，如液晶電視、手提電 腦或桌上型電腦的液晶熒幕以及液晶投影機(jī)等。微型顯示器可以應(yīng)用于各類型顯示器，如 液晶顯示器或是有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。 —般來說，在微型顯示器產(chǎn)品中，通常會(huì)利用鋁(Al)來作為鏡面層的材料，以確
保鏡面層具有優(yōu)選的反射率。在微型顯示器的制作方法中，為了將鏡面層上的介電層移
除以暴露出鏡面層，傳統(tǒng)的技術(shù)是利用全面性蝕刻(blanket etch)或化學(xué)機(jī)械拋光法
(chemical mechanical polish, CMP)來移除鏡面層上的介電層。然而，在以全面性蝕刻
或化學(xué)機(jī)械拋光法移除鏡面層上的介電層時(shí)，不可避免地會(huì)將周邊電路上的介電層同時(shí)移
除，使得周邊電路暴露出來，因而造成周邊電路氧化等問題，并嚴(yán)重影響元件效能。 為了避免全面性蝕刻或化學(xué)機(jī)械拋光法造成周邊電路暴露而氧化的問題，通常會(huì)
利用光刻工藝與蝕刻工藝來移除鏡面層上的介電層。然而，在移除鏡面層上的介電層之后，
鏡面層會(huì)在后續(xù)去除光致抗蝕劑的過程中被去除光致抗蝕劑所使用的溶液侵蝕，造成鏡面
層的表面不平整，因而導(dǎo)致鏡面層的反射效果降低，并影響元件的可靠度。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種微型顯示器的制作方法，其可以避免鏡 面層受到損害以及避免周邊電路氧化。 本發(fā)明提出一種微型顯示器的制作方法，其是先提供具有像素區(qū)(pixelregion) 與周邊電路區(qū)(periphery region)的基底，其中像素區(qū)已形成有金屬反射層，且周邊電路 區(qū)已形成有周邊電路。然后，在基底上形成介電層，以覆蓋像素區(qū)與周邊電路區(qū)。接著，在 介電層上形成圖案化掩模層，此圖案化掩模層暴露出位于金屬反射層上方的介電層。而后， 以圖案化掩模層為掩模，移除暴露出的介電層的一部分。繼之，移除圖案化掩模層。之后， 移除部分介電層，以暴露出金屬反射層。 依照本發(fā)明實(shí)施例所述的微型顯示器的制作方法，上述的金屬反射層的材料例如 為鋁、金或銀。 依照本發(fā)明實(shí)施例所述的微型顯示器的制作方法，上述的移除暴露出的介電層的 一部分的方法例如為干式蝕刻法。 依照本發(fā)明實(shí)施例所述的微型顯示器的制作方法，上述的移除部分介電層以暴露 出金屬反射層的方法例如為進(jìn)行全面性蝕刻，直到暴露出金屬反射層。 依照本發(fā)明實(shí)施例所述的微型顯示器的制作方法，上述的圖案化掩模層的材料例如為光致抗蝕劑。 本發(fā)明先利用光刻工藝與蝕刻工藝移除金屬反射層上的一部分介電層，并保留一 部分的介電層在金屬反射層上，因此可以使金屬反射層在移除光致抗蝕劑的過程中避免與 移除光致抗蝕劑所使用的溶液接觸而受到損害，以及可以避免周邊電路在全面性蝕刻的過 程中被暴露出來而導(dǎo)致氧化的問題。 為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配 合所附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1A至圖1D為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的微型顯示器的制作方法的剖面示意 附圖標(biāo)記說明 100 102 104 108
金屬反射層 周邊電路 圖案化掩模層
101 :像素區(qū) 103 :周邊電路區(qū) 106 :介電層 110、112 :開口
具體實(shí)施例方式
圖1A至圖1D為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的微型顯示器的制作方法的剖面示意 圖。首先，請參照圖1A，提供具有像素區(qū)101與周邊電路區(qū)103的基底100，其中像素區(qū)101 已形成有金屬反射層102，且周邊電路區(qū)103已形成有周邊電路104。基底IOO例如為硅基 底。金屬反射層102的材料例如為鋁、金、銀或其他合適的金屬反射材料。金屬反射層102 是用來作為微型顯示器中的鏡面層。因此，當(dāng)光線入射至微型顯示器中時(shí)，金屬反射層102 可將光線反射回去。此外，在本實(shí)施例中，周邊電路區(qū)103例如是位于像素區(qū)101的一側(cè)。 在另一實(shí)施例中，周邊電路區(qū)103例如是圍繞像素區(qū)101，亦即周邊電路104圍繞金屬反射 層102。 然后，請繼續(xù)參照圖1A，在基底100上形成介電層106，以覆蓋像素區(qū)101與周邊 電路區(qū)103。介電層106的材料例如為氧化物。介電層106的形成方法例如為化學(xué)氣相沉 積法。 接著，請參照圖1B，在介電層106上形成圖案化掩模層108。圖案化掩模層108暴 露出位于金屬反射層102上方的介電層106，亦即后續(xù)欲暴露出金屬反射層102的區(qū)域。圖 案化掩模層108的材料例如為光致抗蝕劑。而后，以圖案化掩模層108為掩模，移除暴露出 的介電層106的一部分，以于介電層106中形成開口 110。移除暴露出的介電層106的一 部分的方法例如為干式蝕刻法。特別一提的是，可通過控制蝕刻介電層106的時(shí)間來控制 所形成的開口 110的深度，而開口 110的深度則可視實(shí)際需求而調(diào)整。重要的是，在此步驟 中，在移除部分介電層106而形成開口 110之后，金屬反射層102上仍必須要保留有介電層 106。 繼之，請參照圖1C，移除圖案化掩模層108。由于金屬反射層102上仍保留有介電 層106，因此在移除圖案化掩模層108的過程中，可以避免用來移除圖案化掩模層108所使用的溶液侵蝕金屬反射層102而造成損害，以保持金屬反射層102的表面平整性。
之后，請參照圖1D，移除部分介電層106而形成開口 112，以暴露出金屬反射層102。移除部分介電層106的方法例如為進(jìn)行全面性蝕刻，直到暴露出金屬反射層102。在此步驟中，由于開口 110中的介電層106的厚度小于其他位置的介電層106的厚度，因此在進(jìn)行全面性蝕刻而將開口 110中的介電層106移除之后，周邊電路104上方的介電層106并不會(huì)被整個(gè)移除而使得周邊電路104暴露出來。此外，由于介電層106仍覆蓋于周邊電路104上，因此可以避免周邊電路104氧化的問題。 綜上所述，本發(fā)明利用光刻工藝與蝕刻工藝先移除金屬反射層上的一部分介電層，然后再利用全面性蝕刻移除金屬反射層上剩余的介電層，因此可以避免在全面性蝕刻的過程中將周邊電路暴露出來，解決了周邊電路氧化的問題。 此外，由于光刻工藝與蝕刻工藝僅先移除了金屬反射層上的一部分介電層，使得金屬反射層上仍保留有一部分的介電層，因此在移除光致抗蝕劑的過程中金屬反射層并不會(huì)與移除光致抗蝕劑所使用的溶液接觸，避免了金屬反射層被溶液侵蝕的問題，并保持了金屬反射層的表面平整性。 雖然本發(fā)明已以實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域一般技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種微型顯示器的制作方法，包括提供基底，該基底具有像素區(qū)與周邊電路區(qū)，其中該像素區(qū)已形成有金屬反射層，且該周邊電路區(qū)已形成有周邊電路；于該基底上形成介電層，以覆蓋該像素區(qū)與該周邊電路區(qū)；于該介電層上形成圖案化掩模層，該圖案化掩模層暴露出位于該金屬反射層上方的該介電層；以該圖案化掩模層為掩模，移除暴露出的該介電層的一部分；移除該圖案化掩模層；以及移除部分該介電層，以暴露出該金屬反射層。
2. 如權(quán)利要求1所述的微型顯示器的制作方法，其中該金屬反射層的材料包括鋁、金 或銀。
3. 如權(quán)利要求1所述的微型顯示器的制作方法，其中移除暴露出的該介電層的一部分 的方法包括干式蝕刻法。
4. 如權(quán)利要求1所述的微型顯示器的制作方法，其中移除部分該介電層以暴露出該金 屬反射層的方法包括進(jìn)行全面性蝕刻，直到暴露出該金屬反射層。
5. 如權(quán)利要求1所述的微型顯示器的制作方法，其中該圖案化掩模層的材料為光致抗 蝕劑。
全文摘要
一種微型顯示器的制作方法，其是先提供具有像素區(qū)與周邊電路區(qū)的基底，其中像素區(qū)已形成有金屬反射層，且周邊電路區(qū)已形成有周邊電路。然后，在基底上形成介電層，以覆蓋像素區(qū)與周邊電路區(qū)。接著，在介電層上形成圖案化掩模層，此圖案化掩模層暴露出位于金屬反射層上方的介電層。而后，以圖案化掩模層為掩模，移除暴露出的介電層的一部分。繼之，移除圖案化掩模層。之后，移除部分介電層，以暴露出金屬反射層。
文檔編號(hào)H01L21/311GK101740497SQ20081017346
公開日2010年6月16日 申請日期2008年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月14日
發(fā)明者吳沂庭, 姜元升, 孫偉宸, 李政勛 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司