專利名稱：薄膜晶體管基板及其制造方法、布線結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管基板及其制造方法，以及一種布線 結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前，液晶顯示器逐漸取代傳統(tǒng)陰極射線管(Cathode Ray Tube, CRT)顯示器，而且，由于液晶顯示器具有輕、薄、體積小等特點(diǎn)， 使其非常適合應(yīng)用于桌上型計算機(jī)、筆記本電腦、個人數(shù)字助理
(Personal Digital Assistant, PDA)、移動電話、電牙見和多種辦7>自動 化與視聽設(shè)備中。液晶面板是其主要元件， 一般包括一薄膜晶體管 基板、 一彩色濾光片基板和一夾于該薄膜晶體管基板與該彩色濾光 片基板之間的液晶層。
請參閱圖1，其是一種現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管基板的平面示意 圖。該薄膜晶體管基板10包括一顯示區(qū)11、 一邊框區(qū)12和一集成 電路區(qū)13。該顯示區(qū)11位于該薄膜晶體管基板10的中央位置。該 邊框區(qū)12位于該顯示區(qū)11的外圍。該集成電路區(qū)13位于該邊框區(qū) 12的下方。該邊框區(qū)12設(shè)置有多條金屬導(dǎo)線121，該集成電路區(qū) 13設(shè)置至少一驅(qū)動芯片131,該金屬導(dǎo)線121與該驅(qū)動芯片131的 引腳(未標(biāo)示)電連接。
請一并參閱圖2，其是圖1所示薄膜晶體管基板10區(qū)域A的放 大示意圖。該薄膜晶體管基板10還包括位于該顯示區(qū)11的多條柵 才及線111和多條數(shù)據(jù)線112，并由該多條柵才及線111和該多條數(shù)據(jù) 線112構(gòu)成的最小區(qū)域界定多個像素單元110。該邊框區(qū)12的金屬 導(dǎo)線121分別與該顯示區(qū)11的4冊極線111電連4妄，該驅(qū)動芯片131 輸出的驅(qū)動信號通過該金屬導(dǎo)線121傳送至該柵極線111。
請一并參閱圖3，其是圖2所示薄膜晶體管基板10沿III-III方向的剖面放大示意圖。該薄膜晶體管基板10進(jìn)一步包括一絕緣基底
101、 一柵極113、 一柵極絕緣層102、 一半導(dǎo)體層103、 一源極114、 一漏極115和一像素電極116。該柵極113設(shè)置在該顯示區(qū)11的絕 緣基底101上，該金屬導(dǎo)線121設(shè)置在該邊框區(qū)12的絕緣基底101 上。該柵極絕緣層102覆蓋該柵極113、該金屬導(dǎo)線121和該絕緣 基底101。該半導(dǎo)體層103設(shè)置在該片冊極113對應(yīng)的柵極絕緣層102 表面。該源極114和漏極115分別設(shè)置在該半導(dǎo)體層103表面及其 邊緣的柵極絕緣層102表面。該像素電極116設(shè)置在該像素單元110 對應(yīng)的柵極絕緣層101表面，并與該漏極115電連接。
然而，該薄膜晶體管基板10的金屬導(dǎo)線121受到微影刻蝕工藝 的分辨率和制造過程中環(huán)境污染微粒的尺寸限制，各金屬導(dǎo)線121 之間必須要有 一 定間隔以避免產(chǎn)生短路。該間隔一般與該金屬導(dǎo)線 121的寬度相當(dāng)。因此，該金屬導(dǎo)線121的布線結(jié)構(gòu)需要較大的面 積來實(shí)現(xiàn)，即在該薄膜晶體管基板10上必須預(yù)留足夠的邊框區(qū)12 以排布該金屬導(dǎo)線121，導(dǎo)致對于固定尺寸的薄膜晶體管基板IO無 法進(jìn)一步加大該顯示區(qū)11的尺寸。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管基板邊框?qū)挼膯栴}，有必要提供 一種窄邊框的薄膜晶體管基板。
為了解決現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管基板邊框?qū)挼膯栴}，有必要提供 一種窄邊框的薄膜晶體管基板的制造方法。
為了解決現(xiàn)有技術(shù)布線結(jié)構(gòu)占用面積大的問題，有必要提供一 種金屬導(dǎo)線的布線結(jié)構(gòu)及其制造方法。
為了解決現(xiàn)有技術(shù)布線結(jié)構(gòu)占用面積大的問題，有必要提供一 種金屬導(dǎo)線布線結(jié)構(gòu)的制造方法。
一種薄膜晶體管基板，其包括一絕緣基底、多條第一金屬導(dǎo)線、 多條第二金屬導(dǎo)線和多條驅(qū)動線。在該絕緣基底上界定一顯示區(qū)和 一邊框區(qū)，該邊框區(qū)位于該顯示區(qū)的外圍。該多條驅(qū)動線位于該顯 示區(qū)，該第 一金屬導(dǎo)線與該第二金屬導(dǎo)線位于該邊框區(qū)并與該驅(qū)動線相連接。該邊框區(qū)進(jìn)一步設(shè)置有多個絕緣墻，該多個絕緣墻等間 距排布，該第一金屬導(dǎo)線位于該絕緣墻上，該第二金屬導(dǎo)線位于該 絕緣墻之間的絕緣基底上。
一種薄膜晶體管基板的制造方法，其步驟包括提供一絕緣基 底，其包括一顯示區(qū)和一邊框區(qū)，該邊框區(qū)位于該顯示區(qū)的外圍； 在該絕緣基底上沉積一絕緣層；在該絕緣基底的邊框區(qū)形成多個絕 緣墻，該絕緣墻等間距排列；在該絕緣基底和該絕緣墻上沉積一第 一金屬層；在該絕緣基底的顯示區(qū)形成一柵極和一柵極線，且在該 邊框區(qū)一起形成一第一金屬導(dǎo)線和一第二金屬導(dǎo)線，該第一金屬導(dǎo) 線位于該絕緣墻表面，該第二金屬導(dǎo)線位于該絕緣墻間隔的絕緣基 底上。
一種薄膜晶體管基板的制造方法，其步驟包括提供 一 絕緣基 底，在該絕緣基底上定義一邊框區(qū)和一顯示區(qū)，該邊框區(qū)位于該顯 示區(qū)的外圍；在該絕緣基底上沉積一第一金屬層；形成一柵極和一 柵極線；在該柵極、該柵極線及其兩側(cè)的絕緣基底上沉積一柵極絕 緣層和一半導(dǎo)體層；形成一半導(dǎo)體層圖案和多個絕緣墻，該半導(dǎo)體 層圖案位于該柵極對應(yīng)的柵極絕緣層上，該絕緣墻位于該邊框區(qū)的 絕緣基底上；在該半導(dǎo)體層圖案、該絕緣墻、該柵極絕緣層和該絕 緣基底上沉積一第二金屬層；形成一源極、 一漏極、多條第一金屬 導(dǎo)線和第二金屬導(dǎo)線，該第一金屬導(dǎo)線位于該絕緣墻上，該第二金 屬導(dǎo)線位于該絕緣墻之間的絕緣基底上。
一種金屬導(dǎo)線的布線結(jié)構(gòu)，其包括一基底、多個絕緣墻、多條 第一金屬導(dǎo)線和多條第二金屬導(dǎo)線。該絕緣墻等間距排布在該基底 上，該第一金屬導(dǎo)線位于該絕緣墻上，該第二金屬導(dǎo)線位于該絕緣 墻之間的基底上。
一種布哉結(jié)構(gòu)的制造方法，其步驟包括提供一絕緣基底；在該 絕緣基底上沉積一絕緣層；利用一道掩膜工藝形成多個絕緣墻；在 該絕緣墻和該絕緣基底上沉積一金屬層，在該絕緣墻上形成一第一 金屬導(dǎo)線，在該絕緣墻間隔的絕緣基底上形成一第二金屬導(dǎo)線。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，上述薄膜晶體管基板邊框區(qū)的相鄰第一金屬導(dǎo)線與第二金屬導(dǎo)線在垂直于該絕緣基底方向以不同層設(shè)置方式實(shí) 現(xiàn)絕緣，而并非在水平方向上實(shí)現(xiàn)絕緣，可以大大減小該第一金屬 導(dǎo)線與該第二金屬導(dǎo)線在水平方向的間距。因此，布線結(jié)構(gòu)的面積 可減小，邊框區(qū)的寬度也可以減小。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管基板的平面示意圖。
圖2是圖1區(qū)域A的局部放大示意圖。 圖3是圖2沿線III -III的剖面示意圖。
圖4是本發(fā)明薄膜晶體管基板的第一實(shí)施方式的平面示意圖。 圖5是圖4區(qū)域B的局部放大示意圖。
圖6是圖5所示的薄膜晶體管基板沿線VI-VI的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7是圖5所示的薄膜晶體管基板沿線VII-VII的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖8是圖5所示的薄膜晶體管基板制造方法的流程圖。
圖9至圖15是圖5所示的薄膜晶體管基板的制造方法的各主
要步驟的示意圖。
圖16是本發(fā)明薄膜晶體管基板的第二實(shí)施方式的局部平面示意圖。
圖17是圖16所示的薄膜晶體管基板沿線XVII-XVII的剖面結(jié)構(gòu) 示意圖。
圖18是圖16所示的薄膜晶體管基板沿線xvni-xvni的剖面結(jié)構(gòu) 示意圖。
圖19是圖16所示的薄膜晶體管基板制造方法的流程圖。 圖20至圖25是圖16所示的薄膜晶體管基板的制造方法的各 主要步驟的示意圖。
具體實(shí)施例方式
請參閱圖4,其是本發(fā)明薄膜晶體管基板的第一實(shí)施方式的平
8面示意圖。該薄膜晶體管基板20包括一顯示區(qū)21、 一邊框區(qū)22和 一集成電路區(qū)23。該顯示區(qū)21位于該薄膜晶體管基板20的中央位 置。該邊框區(qū)22位于該顯示區(qū)21的外圍。該集成電路區(qū)23位于該 邊框區(qū)22的下方。該邊框區(qū)22設(shè)置有多條第 一金屬導(dǎo)線221和多 條第二金屬導(dǎo)線222,該第一金屬導(dǎo)線221與該第二金屬導(dǎo)線222 高低間隔排列分布并相互絕緣。該集成電路區(qū)23設(shè)置至少一驅(qū)動芯 片231。該第一金屬導(dǎo)線221和該第二金屬導(dǎo)線222分別與該驅(qū)動 芯片231的引腳(未標(biāo)示)電連接。
請一并參閱圖5，其是圖4所示該薄膜晶體管基板20的區(qū)域B 的放大示意圖。該薄膜晶體管基板20還包括位于該顯示區(qū)21的多 條4冊極線211和多條數(shù)據(jù)線212,并由該多條柵極線211和多條數(shù) 據(jù)線212構(gòu)成的最小區(qū)域界定多個像素單元210。該邊框區(qū)22的第 一金屬導(dǎo)線221通過一連接結(jié)構(gòu)223與該顯示區(qū)21的柵4及線211 相連接，該第二金屬導(dǎo)線222與該顯示區(qū)21的4冊極線211直接連接。 驅(qū)動信號通過該驅(qū)動芯片231輸出并經(jīng)由該第一金屬導(dǎo)線221和該 第二金屬導(dǎo)線222傳送到該柵極線211。
請一并參閱圖6，其是圖5所示的薄膜晶體管基板20沿VI-VI 方向的剖面放大示意圖。該薄膜晶體管基板20進(jìn)一步包括一絕緣基 底201、多個絕緣墻220、 一4冊極213、 一4冊才及絕緣層202、 一半導(dǎo) 體層圖案203、 一源極214、 一漏極215、 一鈍化層204、 一第一接 觸孔a和一像素電極216。該絕緣墻220設(shè)置在該邊框區(qū)22的絕緣 基底201上，該絕緣墻220為間隔的柱狀，且其寬度與其間距一致。 該第一金屬導(dǎo)線221設(shè)置在該絕緣墻220表面上，該第二金屬導(dǎo)線 222設(shè)置在該絕緣墻220間隔處的絕緣基底201上。該柵極213設(shè) 置在該顯示區(qū)21的絕緣基底201上。該柵極絕緣層202覆蓋該第一 金屬導(dǎo)線221、該第二金屬導(dǎo)線222、該4冊極213及該絕緣基底201。 該半導(dǎo)體層圖案203設(shè)置在該柵極213對應(yīng)的4冊極絕緣層202表面。 該源極214及漏極215分別設(shè)置在該半導(dǎo)體層圖案203表面及其邊 纟彖的柵極絕緣層202上。該鈍化層204覆蓋該邊框區(qū)22的柵極絕纟彖 層202 ，該顯示區(qū)21的源才及214 、漏才及215及其兩側(cè)的柵才及絕纟彖層 202，并在該漏極215處形成一第一接觸孔a。該像素電極216設(shè)置 在該顯示區(qū)21的4屯化層204表面上，并通過該第一接觸孔a與該漏
9極215電連接。
請一并參閱圖7，其是圖5所示的薄膜晶體管基板20沿vn-vn
方向的剖面放大示意圖。該薄膜晶體管基板20進(jìn)一步包括一第二接 觸孔b、 一第三接觸孔c和一透明導(dǎo)電連接層224,該第二接觸孔b、 該第三接觸孔c和該透明導(dǎo)電連接層224構(gòu)成該連接結(jié)構(gòu)223。該 第二接觸孔b貫穿該第一金屬導(dǎo)線221對應(yīng)的柵極絕緣層202和鈍 化層204,并使部分第一金屬導(dǎo)線221外露。該第二接觸孔c貫穿 該柵極線211對應(yīng)的柵極絕》彖層202和鈍化層204，并使部分4冊極 線211外露。該透明導(dǎo)電連接層224通過該第二接觸孔b和第三接 觸孔c將該第一金屬導(dǎo)線221與該4冊極線211電連接。
請一并參閱圖8至圖15。圖8是本發(fā)明薄膜晶體管基板20制 造方法的流程圖，圖9至圖15是該薄膜晶體管基板20的制造方法 的各主要步驟的示意圖。該薄膜晶體管基板20的制造方法的主要步 驟如下
(520) 形成絕緣墻220:
請一并參閱圖9，提供一絕緣基底201,該絕緣基底201可以是 玻璃、石英或者陶瓷等絕緣材料。在該絕緣基底201上沉積一有機(jī) 絕緣層(圖未示)。在第 一道掩膜工藝中，在該邊框區(qū)22形成該絕緣 墻220。該絕緣墻220的剖面為矩形圖案，兩個相鄰絕緣墻220的 間距與該絕緣墻220的寬度相等。
(521) 形成柵極213、柵極線211、第一金屬導(dǎo)線221和第二金 屬導(dǎo)線222:
請一并參閱圖10，在該絕緣基底201和該絕緣墻220上沉積一 第一金屬層(圖未示)。該第一金屬層的材料可為鋁系金屬、鉬、鉻、 鉭或銅。在第二道掩膜工藝中，分別在該邊框區(qū)22形成該第一金屬 導(dǎo)線221和該第二金屬導(dǎo)線222,在該顯示區(qū)21形成該柵才及213和 該才冊極線211。
該第一金屬導(dǎo)線221形成在該絕緣墻220上，該第二金屬導(dǎo)線 222形成在該絕緣墻220之間的絕緣基底201上并與該柵極線211 直接相連接(圖未示)。該絕緣墻220沿垂直于該絕緣基底201方向 的高度大于該第 一金屬層的厚度，使得該第一金屬導(dǎo)線221與該第 二金屬導(dǎo)線222處于不同層且相互絕緣。該第一金屬導(dǎo)線221與該第二金屬導(dǎo)線222在沿水平方向?yàn)闊o間隔排列結(jié)構(gòu)。
(522) 形成柵極絕緣層202:
請一并參閱圖11,在該絕緣基底201、該柵極213、該柵極線 211、該第一金屬導(dǎo)線221和該第二金屬導(dǎo)線222上，用化學(xué)氣相沉 積(Chemical Vapor Deposition, CVD)方法形成一柵才及絕緣層202,其 材料為氮化硅(SiNx)。
(523) 形成半導(dǎo)體層圖案203:
請一并參閱圖12，在該柵極絕緣層202上形成一半導(dǎo)體層(圖 未示)。在第三道掩膜工藝中，在該柵極213對應(yīng)的柵極絕緣層202 上形成一半導(dǎo)體層圖案203。
(524) 形成源極214和漏極215:
請一并參閱圖13，在該柵極絕緣層202和該半導(dǎo)體層圖案203 上沉積一第二金屬層(圖未示)。該第二金屬層的材料可為鉭、鋁合 金、鉬、鋁或鉬鴒合金。在第四道掩膜工藝中，在該半導(dǎo)體層圖案 203和其兩側(cè)的柵極絕緣層202表面形成一源極214和一漏極215。
(525) 形成鈍化層204和第一接觸孔a、第二接觸孔b、第三接 觸孑L c:
請一并參閱圖14,在該柵極絕緣層202、該源極214和該漏極 215上沉積一鈍化層204。該鈍化層204的材料為氧化硅或氮化硅。 在該鈍化層204上沉積一光致抗蝕劑層(圖未示)。以第五道掩膜對 準(zhǔn)該光致抗?fàn)T劑層曝光，其中該道掩膜為狹縫掩膜。顯影曝光后的 光致抗蝕劑層，再以該剩余光致抗蝕劑圖案為屏蔽對鈍化層204與 柵極絕緣層202進(jìn)行刻蝕，形成一第一接觸孔a、 一第二接觸孔b 和一第三接觸孔c。
(526) 形成像素電極216和透明導(dǎo)電連接層224: 請一并參閱圖15,在該鈍化層204上沉積一透明導(dǎo)電層(圖未
示)。透明導(dǎo)電層可以為氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)或氧化銦 鋅(Indium Zinc Oxide， IZO)。在第六道掩膜工藝中，在該顯示區(qū)21 形成一像素電極216,并在該連接結(jié)構(gòu)223處形成一透明導(dǎo)電連接 層224。該像素電極216通過該第 一接觸孔a與該漏極215電連接， 該透明導(dǎo)電連接層224通過該第二接觸孔b和第三接觸孔c將該第 一金屬導(dǎo)線221與該柵極線211電連接。200810065652.8
相較于現(xiàn)有技術(shù)，上述薄膜晶體管基板20的邊框區(qū)22的第一 金屬導(dǎo)線221與第二金屬導(dǎo)線222在垂直于該絕緣基底201方向以 不同層設(shè)置方式實(shí)現(xiàn)絕緣，使相鄰的第一金屬導(dǎo)線221與第二金屬 導(dǎo)線222在水平方向的間距為零，因此可將邊框區(qū)22的寬度減小一 半，以形成窄邊框的薄膜晶體管基板20。該薄膜晶體管基板20的 制造方法在原有制造薄膜晶體管的基礎(chǔ)的上多 一 道掩膜工藝形成該 絕緣墻220即可完成。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，該布線結(jié)構(gòu)的相鄰兩條導(dǎo)線在垂直于該基底 方向高低絕緣間隔設(shè)置，使其在水平方向的間距為零，因此可將其 需要的面積減小 一 半。該布線結(jié)構(gòu)的制造方法可通過一 道掩膜工藝 即可完成。
請參閱圖16，其是本發(fā)明薄膜晶體管基板的第二實(shí)施方式的部 分平面放大示意圖。請一并參閱圖17,其是圖16所示的薄膜晶體 管基板30沿X VII-X VII方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。該薄膜晶體管基板 30的結(jié)構(gòu)與該薄膜晶體管基板20的結(jié)構(gòu)相似，其區(qū)別主要在于邊 框區(qū)32的絕緣墻320的材料與柵極絕緣層302的材料相同，第 一金 屬導(dǎo)線321和第二金屬導(dǎo)線322的材料與源極314、漏極315的材 料相同。
請一并參閱圖18，其是圖16所示的薄膜晶體管基板30沿X VH1 -XVIII方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。該薄膜晶體管基板30的絕緣墻320 鄰近柵極線311的末端為平緩延伸下降的階梯狀，該第一金屬導(dǎo)線 321位于其表面并直接與該柵極線311電連接，較第一實(shí)施方式節(jié) 省一連接結(jié)構(gòu)。
請一并參閱圖19至圖25。圖19是本發(fā)明薄膜晶體管基板30 的制造方法流程圖，圖20至圖25是該薄膜晶體管基板30的制造方 法的各主要步驟的示意圖。該薄膜晶體管基板30的制造方法的主要 步驟如下
(530) 形成柵極313和柵極線311:
請一并參閱圖20,提供一絕緣基底301，在該絕緣基底301上 沉積一第一金屬層(圖未示)。在第一道掩膜工藝中，在該顯示區(qū)31 形成 一 對冊才及3 13和一 4冊才及線311。
(531) 形成柵極絕緣層302和半導(dǎo)體層303a:
12請一并參閱圖21，在該絕緣基底301、該柵極313和該棚-極線 311上沉積一柵極絕緣層302、 一半導(dǎo)體層303a和一光致抗蝕劑層 (圖未示)。
(532) 形成半導(dǎo)體層圖案303和絕緣墻320:
請一并參閱圖22,以一掩膜對該光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光后顯 影，形成一預(yù)定圖案，其中該道掩膜為狹縫掩膜(圖未示)。對該半 導(dǎo)體層303a和該柵極絕緣層302進(jìn)行刻蝕，進(jìn)而形成該半導(dǎo)體層圖 案303和該絕緣墻320,并移除該剩余光致抗蝕劑層。該絕緣墻320 的剖面為矩形圖案，兩相鄰絕緣墻220的間距與該絕緣墻220的寬 度相等。該絕緣墻320鄰近該柵極線311的末端為平緩延伸下降的 階梯狀，其沿垂直于該絕緣基底301方向的高度逐漸降低并沿絕緣 基底301的方向延伸至該柵極線311邊緣。
(533) 形成源極314、漏極315、第一金屬導(dǎo)線321和第二金屬 導(dǎo)線322:
請一并參閱圖23，在該半導(dǎo)體層圖案303及其兩側(cè)的柵極絕緣 層302、絕緣墻320和絕緣基底301上沉積一第二金屬層(圖未示)。 在第三道掩膜工藝中形成一源極314、 一漏極315、 一第一金屬導(dǎo)線 321和一第二金屬導(dǎo)線322。該第一金屬導(dǎo)線321位于該絕緣墻320 上，該第二金屬導(dǎo)線322形成在該絕緣墻320的間距的絕緣基底上。 該絕緣墻320沿垂直于該絕緣基底301方向的高度大于該第二金屬 導(dǎo)線322的厚度。該第一金屬導(dǎo)線位于該絕緣墻320的末端并與該 柵極線311直接連接，該第二金屬導(dǎo)線與該4冊極線311(圖未示)直接 連接。
(534) 形成鈍化層304和第一接觸孔d:
請一并參閱圖24,在該源極314、漏極315及其兩側(cè)的柵極絕 緣層302、該第一金屬導(dǎo)線321、該第二金屬導(dǎo)線322沉積一鈍化層 304。在第四道掩膜工藝中形成一第一接觸孔d。
(535) 形成像素電極316:
請一并參閱圖25，在該^M匕層304上沉積一透明導(dǎo)電層(圖未 示)。在第五道掩膜工藝中，在該顯示區(qū)31形成一像素電極316。 該像素電極316通過該第 一接觸孔d與該漏才及315電連接。
在該第二實(shí)施方式的制造方法中，該邊框區(qū)32的絕緣墻層與該
13顯示區(qū)31的柵極絕緣層302 —起形成，并在形成該半導(dǎo)體層圖案 303時一起形成該絕緣墻320及其平緩延伸下降階梯狀的末端。該 第一金屬導(dǎo)線321和該第二金屬導(dǎo)線322與該顯示區(qū)31的源極314 和漏極315 —起形成，并且該第一金屬導(dǎo)線321與該柵極線311直 接連接。該第二實(shí)施方式的制造方法比第 一 實(shí)施方式的制造方法少 一道掩膜工藝，減少工藝成本。
本發(fā)明薄膜晶體管基板也可以具有多種變更設(shè)計，如在該第一 實(shí)施方式中，該第一金屬導(dǎo)線221與該第二金屬導(dǎo)線222可與該源 極214和漏極215金屬層一起形成。該第一實(shí)施方式的薄膜晶體管 基板20的絕緣墻220的末端也可以為一平緩延伸下降階梯狀結(jié)構(gòu)， 使該第一金屬導(dǎo)線221與該4冊極線211直接電連接。該第一金屬導(dǎo) 線221和該第二金屬導(dǎo)線222也可以與除該柵極線211之外的凄t據(jù) 線212或公共線(圖未示)等驅(qū)動線電連接。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管基板，其包括一絕緣基底、多條第一金屬導(dǎo)線、多條第二金屬導(dǎo)線和多條驅(qū)動線，在該絕緣基底上界定一顯示區(qū)和一邊框區(qū)，該邊框區(qū)位于該顯示區(qū)的外圍，該多條驅(qū)動線位于該顯示區(qū)的絕緣基底上，該第一金屬導(dǎo)線與該第二金屬導(dǎo)線位于該邊框區(qū)并的絕緣基底上并與該驅(qū)動線相連接，其特征在于該邊框區(qū)進(jìn)一步設(shè)置有多個絕緣墻，該多個絕緣墻等間距排布，該第一金屬導(dǎo)線位于該絕緣墻上，該第二金屬導(dǎo)線位于該絕緣墻之間的絕緣基底上。
2. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于該驅(qū)動線 是柵極線，該薄膜晶體管基板進(jìn)一步包括一柵極絕緣層、 一鈍化層 和一連接結(jié)構(gòu)，該柵極絕緣層位于具有該柵極線、該第一金屬導(dǎo)線 和該第二金屬導(dǎo)線的絕緣基底上，該鈍化層位于該柵極絕緣層上， 該連接結(jié)構(gòu)包括兩個接觸孔和一透明導(dǎo)電連接層，其中 一接觸孔貫 穿該第一金屬導(dǎo)線對應(yīng)的柵極絕緣層和鈍化層，另 一接觸孔貫穿該 柵極線對應(yīng)的柵極絕緣層和鈍化層，該透明導(dǎo)電連接層通過這兩個 接觸孔將該第 一金屬導(dǎo)線與該柵極線電連接。
3. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于該絕緣墻 鄰近該驅(qū)動線的末端為平緩延伸下降的階梯狀，該第 一 金屬導(dǎo)線位 于其上直接與該驅(qū)動線電連接。
4. 一種薄膜晶體管基板的制造方法，其包括以下步驟提供一絕緣基底，其包括一顯示區(qū)和一邊框區(qū)，該邊框區(qū)位于 該顯示區(qū)的外圍；在該絕緣基底上沉積 一 絕緣層；在該絕緣基底的邊框區(qū)形成多個絕緣墻，該絕緣墻等間距排列； 在該絕緣基底和該絕緣墻上沉積 一 第 一金屬層； 在該絕緣基底的顯示區(qū)形成一柵極和一柵極線，同時在該邊框 區(qū)形成一第一金屬導(dǎo)線和一第二金屬導(dǎo)線，該第 一金屬導(dǎo)線位于該 絕緣墻表面，該第二金屬導(dǎo)線位于該絕緣墻之間的絕緣基底上。
5. 如權(quán)利要求4項(xiàng)所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于該薄膜晶體管極板的制造方法進(jìn) 一 步包括如下步驟在該第一金屬導(dǎo)線、第二金屬導(dǎo)線、柵極、柵極線和該柵極線兩側(cè)的絕緣基底上沉積 一 柵極絕緣層和 一 半導(dǎo)體層；在該柵極對應(yīng)的柵極絕緣層上形成 一 半導(dǎo)體層圖案；在該柵極絕緣層和該半導(dǎo)體層圖案上沉積一第二金屬層；分別在該半導(dǎo)體層圖案及其兩側(cè)的柵極絕緣層上形成 一 源極和一漏極；在該源極、漏極及其兩側(cè)的4冊極絕緣層上沉積一鈍化層；形成一第一接觸孔、 一第二接觸孔和一第三接觸孔，該第一接 觸孔貫穿該漏極對應(yīng)的鈍化層，該第二接觸孔貫穿該第 一金屬導(dǎo)線 對應(yīng)的柵極絕緣層和鈍化層，該第三接觸孔貫穿該柵極線對應(yīng)的柵 極絕緣層和鈍化層；在該鈍化層上沉積一透明導(dǎo)電金屬層；形成一像素電極和一透明導(dǎo)電連接層，該像素電極經(jīng)由該第一 才妄觸孔與該漏極電連接，該透明導(dǎo)電連接層經(jīng)由該第二接觸孔與該 第三接觸孔將該第 一金屬導(dǎo)線與該柵極線電連接。
6. —種薄膜晶體管基板的制造方法，其包括以下步驟提供一絕緣基底，其包括一邊框區(qū)和一顯示區(qū)，該邊框區(qū)位于 該顯示區(qū)的外圍；在該絕緣基底上沉積一第 一金屬層；形成一棚-極和一棚^及線；在該柵極、該柵才及線及其兩側(cè)的絕緣基底上沉積 一柵極絕緣層 和一半導(dǎo)體層；形成一半導(dǎo)體層圖案和多個絕緣墻，該半導(dǎo)體層圖案位于該柵 極對應(yīng)的柵極絕緣層上，該絕緣墻位于該邊框區(qū)的絕緣基底上；在該半導(dǎo)體層圖案、該絕緣墻、該柵極絕緣層和該絕緣基底上 沉積一第二金屬層；形成一源極、 一漏極、多條第一金屬導(dǎo)線和多條第二金屬導(dǎo)線， 該第 一金屬導(dǎo)線位于該絕緣墻上，該第二金屬導(dǎo)線位于該絕緣墻之 間的絕緣基底上。
7. 如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在 于該薄膜晶體管極板的制造方法進(jìn)一 步包括如下步驟在該第一金屬導(dǎo)線、該第二金屬導(dǎo)線、該源極、該漏極和該柵 極絕緣層上沉積 一 鈍化層；形成一第一接觸孔、 一第二接觸孔和一第三接觸孔，該第一接 觸孔、該第二接觸孔和該第三接觸孔分別貫穿該漏極、該第一金屬 導(dǎo)線和該柵極線對應(yīng)的鈍化層；在該鈍化層上沉積一透明導(dǎo)電金屬層；形成一像素電極和一透明導(dǎo)電連接層，該像素電極經(jīng)由該第一 接觸孔與該漏極電連接，該透明導(dǎo)電連接層經(jīng)由該第二接觸孔與該 第三接觸孔將該第一金屬導(dǎo)線與該柵極線電連接。
8. 如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在 于在形成該絕緣墻時，在該絕緣墻鄰近該柵極線末端形成 一 平緩延 伸下降的階梯狀結(jié)構(gòu)；在形成該第一金屬導(dǎo)線時，在該絕緣墻的末 端上的第 一金屬導(dǎo)線與該柵極線直接連接，并進(jìn)一步包括如下步驟 在該第一金屬導(dǎo)線、該第二金屬導(dǎo)線、該源極、該漏極和該柵極絕 緣層上沉積一鈍化層；形成一第一接觸孔；在該鈍化層上沉積一透 明導(dǎo)電金屬層；形成一像素電極，該像素電極經(jīng)由該第一接觸孔與 該漏4及電連4妄。
9. 一種布線結(jié)構(gòu)，其特征在于該布線結(jié)構(gòu)包括一基底、多個絕 緣墻、多條第一金屬導(dǎo)線和多條第二金屬導(dǎo)線，該絕緣墻等間距排 布于該基底上，該第一金屬導(dǎo)線位于該絕緣墻上，該第二金屬導(dǎo)線 位于該絕緣墻之間的基底上。
10. —種布線結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括以下步驟 提供一絕緣基底；在該絕緣基底上沉積 一 絕緣層； 利用 一道掩膜工藝形成多個絕緣墻；在該絕緣墻和該絕緣基底上沉積 一 金屬層，在該絕緣墻上形成 一第一金屬導(dǎo)線，在該絕緣墻之間的絕緣基底上形成一第二金屬導(dǎo)線。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管基板及其制造方法，以及一種布線結(jié)構(gòu)及其制造方法。該薄膜晶體管基板包括一絕緣基底、多條第一金屬導(dǎo)線、多條第二金屬導(dǎo)線和多條驅(qū)動線。在絕緣基底上界定一顯示區(qū)和一邊框區(qū)，邊框區(qū)位于該顯示區(qū)的外圍。多條驅(qū)動線位于顯示區(qū)，第一金屬導(dǎo)線與第二金屬導(dǎo)線位于邊框區(qū)并與驅(qū)動線相連接。邊框區(qū)進(jìn)一步設(shè)置有多個絕緣墻，該多個絕緣墻等間距排布，第一金屬導(dǎo)線位于絕緣墻上，第二金屬導(dǎo)線位于絕緣墻之間的絕緣基底上。該薄膜晶體管基板的邊框區(qū)的寬度窄，使顯示區(qū)的面積相應(yīng)較大。
文檔編號H01L27/12GK101494226SQ20081006565
公開日2009年7月29日 申請日期2008年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月25日
發(fā)明者陳文樺 申請人:群康科技(深圳)有限公司;群創(chuàng)光電股份有限公司