專利名稱：電容支撐結(jié)構(gòu)、電容器結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(以下簡(jiǎn)稱DRAM)存儲(chǔ)電容的制作領(lǐng)域，尤 其涉及DRAM溝槽式存儲(chǔ)電容一圓柱形電容的制作領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著集成電路的發(fā)展，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)密度不斷增大而尺寸不斷縮 小，亦即降低存儲(chǔ)器單元的整體面積。DRAM存儲(chǔ)單元(Memory cell)主要是 由一金屬氧化物半導(dǎo)體(Metal oxide semiconductor, MOS )晶體管串聯(lián)一電容 器(capacitor)所構(gòu)成。存儲(chǔ)單元通過(guò)晶體管實(shí)現(xiàn)電容器的充電和放電達(dá)到數(shù)據(jù) 輸入或輸出的目的。
目前DRAM存儲(chǔ)單元的電容器包括堆疊電容(Stack capacitor)和溝槽電容 (deep trench capacitor)兩種。隨著DRAM的發(fā)展，溝槽電容在DRAM存儲(chǔ)單 元中應(yīng)用得越來(lái)越廣泛。通常，這種溝槽電容也稱作為圓柱形電容器。傳統(tǒng)的 DRAM圓柱形電^l板的制作結(jié)構(gòu)請(qǐng)參閱圖1至圖2所示橫截面示意圖。
參閱圖1，半導(dǎo)體基底1內(nèi)已制作好DRAM存儲(chǔ)單元的MOS器件，半導(dǎo)體 基底1上形成有層間絕緣層2。層間絕緣層2覆蓋與半導(dǎo)體基底1內(nèi)器件導(dǎo)電性 連接的位線21;層間絕緣層2內(nèi)開有貫通整個(gè)層間絕緣層2的接觸孔3;接觸 孔3內(nèi)填充有電容導(dǎo)電塞31以實(shí)現(xiàn)后續(xù)制作的電容極板與半導(dǎo)體基底1內(nèi)器件 的導(dǎo)電性連接。在制作好電容導(dǎo)電塞31的層間絕緣層2的表面形成阻擋層4， 在所述阻擋層4的表面形成模具介質(zhì)層5,貫通模具介質(zhì)層5及阻擋層4開有電 容槽51。該電容槽51的尺寸大于接觸孔3的尺寸，且對(duì)準(zhǔn)接觸孔3，使接觸孔 3內(nèi)電容導(dǎo)電塞31表面剛好曝露出來(lái)。在所述電容槽51側(cè)壁及底部形成圓柱形 電容極板6。目前電容極板層6常用材料為多晶硅，該多晶硅上還采用半球型晶 粒(Hemispherical grained: HSG)工藝在多晶硅表面生長(zhǎng)半球型多晶硅顆粒， 以增大圓柱形電容極板6的表面積。圖1所示的電容極板6為圓柱形電容器下極板與下極板之間 的介質(zhì)層。為較簡(jiǎn)單描述傳統(tǒng)制作圓柱形電容器存在的問(wèn)題，因此并沒在圖中 示意出圓柱形電容器的上極板及上極板與下極板之間的介質(zhì)層。當(dāng)電^ft51中 圓柱形電容器制作完畢，需去除剩余的模具介質(zhì)層5，請(qǐng)參閱圖2。
為增大DRAM單位面積存儲(chǔ)量，單位面積內(nèi)制作的電容器越多越好。然而 單位面積制作的越多就會(huì)導(dǎo)致圓柱形電容器的底面積越小。為降低圓柱形底面 積減小帶來(lái)圓柱形電容器容量的減小，可通過(guò)增高圓柱形電容器高度來(lái)提高圓 柱形電容器容量。從圖2中可看出，當(dāng)去除模具介質(zhì)層5之后，制作的圓柱形 電容器極板佇立于層間絕緣層2的表面，類似于底面積較小且較高的圓柱筒放 在地面上的情況，這樣制作出的圓柱形電容極板容易出現(xiàn)倒塌的問(wèn)題。請(qǐng)參閱 圖3拍攝的圓柱形電容器掃描電子顯微鏡(SEM)照片圖，如圖3這張圓柱形 電容器俯視圖中所示，Dl的位置應(yīng)該有制作好的圓柱形電容器，由于倒塌因此 本應(yīng)有制作的圓柱形電容器的位置卻沒有。還有可能出現(xiàn)傾斜的圓柱形電容器， 該圓柱形電容器并未倒塌，但是其傾斜使得制作的圓柱形電容器發(fā)生錯(cuò)位的缺 陷，如圖3中D2所示。
DRAM中圓柱形電容器的倒塌或錯(cuò)位，使得制作的存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)電容器 失效。隨著DRAM存儲(chǔ)單元面積的進(jìn)一步縮小，電容器容量進(jìn)一步提高，為增 大電容器的極板面積，圓柱形電^板會(huì)做得越高。若按如圖2所示的傳統(tǒng)圓 柱形電容器的制作結(jié)構(gòu)，高的圓柱形電容極板倒塌的問(wèn)題會(huì)更加嚴(yán)重，從而導(dǎo) 致高的圓柱形電容極板的制作難以實(shí)現(xiàn)，成為阻礙DRAM發(fā)展的瓶頸。
綜上所述，傳統(tǒng)DRAM中電容器的結(jié)構(gòu)存在的電^f及板易坍塌的問(wèn)題嚴(yán)重 降低了制作的DRAM存儲(chǔ)單元的良率，甚至?xí)?dǎo)致DRAM失效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供電容支撐結(jié)構(gòu)、電容器結(jié)構(gòu)及其制作方法 用于解決傳統(tǒng)DRAM存儲(chǔ)單元中去除模具介質(zhì)層后，電容易倒塌的問(wèn)題。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的電容支撐結(jié)構(gòu)，電容支撐結(jié)構(gòu)位于DRAM 的層間絕緣層上；電容支撐結(jié)構(gòu)包括依次位于層間絕緣層上的第一阻擋層，中 間介質(zhì)層和第二阻擋層；貫通所述第二阻擋層，中間介質(zhì)層和第一阻擋層的電容溝槽，所述電容溝槽內(nèi)用于形成電容器極板。
本發(fā)明的電容支撐結(jié)構(gòu)通過(guò)第 一 阻擋層、中間介質(zhì)層及第二阻擋層握住電
容溝槽內(nèi)的電容器電容極板，有效解決傳統(tǒng)DRAM中制作的電容極板在去掉才莫 具層后易倒塌的問(wèn)題。
本發(fā)明還提供了一種電容器結(jié)構(gòu)，它包括電容支撐結(jié)構(gòu)以及電容器極板， 所述電容支撐結(jié)構(gòu)位于半導(dǎo)體基底上的層間絕緣層表面，包括依次位于層間絕 緣層上的第一阻擋層，中間介質(zhì)層和第二阻擋層以及貫通所述第二阻擋層，中 間介質(zhì)層和第一阻擋層的電容溝槽；電容器極板覆蓋電容溝槽的側(cè)壁和底部， 且高于電容溝槽表面。
本發(fā)明還提供了以上所述電容器結(jié)構(gòu)的制作方法，它包括以下步驟a、在 半導(dǎo)體基底上的層間絕緣層表面形成第一阻擋層；b、在第一阻擋層表面形成 中間介質(zhì)層；c、在所述中間介質(zhì)層上形成第二阻擋層；d、在所述第二阻擋層 表面形成才莫具層；e、形成貫通^^莫具層、第二阻擋層、中間介質(zhì)層和第一阻擋層 的電容溝槽；f、在電容溝槽的側(cè)壁和底部形成電容極板；g、去除模具層。
本發(fā)明的一種電容器結(jié)構(gòu)及其制作方法，通過(guò)制作"三明治"結(jié)構(gòu)的電容 支撐結(jié)構(gòu)握住預(yù)制作在電容溝槽內(nèi)的電容極板，解決去除模具層后電容溝槽內(nèi) 電容極板易倒塌的問(wèn)題。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的電容支撐結(jié)構(gòu)、電容器結(jié)構(gòu)及其制 作方法作進(jìn)一步詳細(xì)具體的描述。
圖1 圖2是傳統(tǒng)DRAM存儲(chǔ)單元的電容極板制作示意圖。 圖3是傳統(tǒng)方法制作出的電容俯視SEM圖。 圖4是本發(fā)明的電容支撐結(jié)構(gòu)示意圖。 圖5是本發(fā)明的電容器結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6 圖8是圖5所示本發(fā)明電容器結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。
圖9 圖10是圖8所示電狄板制作示意圖。
圖ll是本發(fā)明具有電容支撐結(jié)構(gòu)的電容俯視SEM圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的電容支撐結(jié)構(gòu)的實(shí)施例1，請(qǐng)參閱圖4，本發(fā)明的電容支撐結(jié)構(gòu)位 于DRAM的層間絕緣層2上。所述的層間絕緣層可以直接位于半導(dǎo)體基底表面， 也可以是多層集成電路中的其它介質(zhì)層。如圖4所示，層間絕緣層2直接位于 半導(dǎo)體基底l上，覆蓋與半導(dǎo)體基底l內(nèi)器件導(dǎo)電性連接的位線21;層間絕緣 層2內(nèi)開有貫通整個(gè)層間絕緣層2的接觸孔3;接觸孔3內(nèi)填充有電容導(dǎo)電塞 31以實(shí)現(xiàn)后續(xù)制作的電容極板與半導(dǎo)體基底1內(nèi)器件的導(dǎo)電性連接。電容導(dǎo)電 塞31的另一端連接到半導(dǎo)體基底表面或其他導(dǎo)電層，在圖4中并未示意出。
請(qǐng)參閱圖4，實(shí)施例1的電容支撐結(jié)構(gòu)包4舌依次位于層間絕緣層2上的第一 阻擋層41，中間介質(zhì)層7和第二阻擋層42。第一阻擋層41位于層間絕緣層2 表面。本發(fā)明電容支撐結(jié)構(gòu)的實(shí)施例中，第一阻擋層41和第二阻擋層42材料 均為氮化硅材料。氮化硅是目前半導(dǎo)體制作中用作阻擋層材料十分普遍的一種 材料，為與目前制作半導(dǎo)體制作工藝兼容，降低電容支撐結(jié)構(gòu)的制作成本，因 此，第一阻擋層41和第二阻擋層42材料均選用氮化硅。第一阻擋層41和第二 阻擋層42采用化學(xué)氣相沉積法沉積形成?；瘜W(xué)氣相沉積法種類較多，例如低壓、 常壓化學(xué)氣相沉積法、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積法和原子層化學(xué)氣相沉積法等。 考慮到各化學(xué)氣相法的沉積效率和對(duì)材料的適應(yīng)性，本實(shí)施例中第一阻擋層41 和第二阻擋層42采用低壓化學(xué)氣相沉積法或等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法形成。
中間介質(zhì)層7的材料可選擇為非摻雜氧化硅，或正硅酸四乙酯等。摻硼摻 磷氧化硅材料在DRAM中制作工藝較為成熟，為提高與DRAM制作工藝的兼 容程度和資源利用效率，因此，本實(shí)施例中中間介質(zhì)層優(yōu)選為摻硼摻磷氧化硅。 為保證形成的摻硼摻磷氧化硅的中間介質(zhì)層致密和均勻，本實(shí)施例中形成摻硼 摻磷氧化硅的中間介質(zhì)層采用低壓化學(xué)氣相沉積法或等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 法。
如圖4所示的電容支撐結(jié)構(gòu)還具有貫通第二阻擋層42，中間介質(zhì)層7和第 一阻擋層41的電容溝槽9。電容溝槽9開在層間絕緣層2內(nèi)設(shè)置有互連結(jié)構(gòu)， 即接觸孔3,電容溝槽位置與與接觸孔3的位置對(duì)應(yīng)，且尺寸相對(duì)接觸孔3要大， 以實(shí)現(xiàn)后續(xù)制作在電容溝槽中的電容極板與接觸孔3內(nèi)的導(dǎo)電塞31的電性連 接。該特征是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的，因此不在這作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。電容溝槽9用于制作電容器極板。
請(qǐng)參閱圖5所示的電容器結(jié)構(gòu)，該電容器結(jié)構(gòu)作為本發(fā)明的實(shí)施例2。該電 容器結(jié)構(gòu)包括圖4所示電容支撐結(jié)構(gòu)以及電容器極板6。電容支撐結(jié)構(gòu)位于半導(dǎo) 體基底1上的層間絕緣層2表面，包括依次位于層間絕緣層2上的第一阻擋層 41，中間介質(zhì)層7和第二阻擋層42以及貫通所述第二阻擋層42，中間介質(zhì)層7 和第一阻擋層41的電容溝槽；電容器極板6覆蓋電容溝槽9的側(cè)壁和底部，且 高于電容溝槽9表面。第一阻擋層和第二阻擋層材料均選用半導(dǎo)體工藝中常用 作阻擋層的材料一氮化硅。中間介質(zhì)層優(yōu)選為DRAM制作工藝中常用材料摻硼 摻磷氧化硅。
對(duì)比圖2和圖5所示制作的結(jié)構(gòu)，圖5所示本發(fā)明的電容支撐結(jié)構(gòu)通過(guò)第 一阻擋層41 、中間介質(zhì)層7和第二阻擋層42可握住電容溝槽9中的電容極板6， 解決圖2所示傳統(tǒng)制作的電容器的電容極板6易倒塌的問(wèn)題。
形成的中間介質(zhì)層7的厚度，將決定整個(gè)第一阻擋層41、中間介質(zhì)層7和 第二阻擋層42形成的"三明治"電容支撐結(jié)構(gòu)的高度。中間介質(zhì)層7的厚度可 依據(jù)制作的電^f及板6的高度進(jìn)行調(diào)解。若制作的電^^及板6的高度較高，將 中間介質(zhì)7的厚度制作得較厚，這樣使得形成的電容支撐結(jié)構(gòu)將電容溝槽9內(nèi) 的電容極板6握住得更為牢固，防止電容極板6倒塌。因此，該電容支撐結(jié)構(gòu) 應(yīng)用十分靈活，可根據(jù)DRAM存儲(chǔ)單元中電容器極板制作的高度調(diào)節(jié)"三明治" 電容支撐結(jié)構(gòu)的高度，達(dá)到固定電容極板的目的，解決傳統(tǒng)制作方法中電容極 板易倒塌的問(wèn)題。
本發(fā)明還提供了一種如實(shí)施例2所示的電容器結(jié)構(gòu)的制作方法一實(shí)施例3。 本實(shí)施例3電容支撐結(jié)構(gòu)的制作方法包括以下步驟請(qǐng)參閱圖6，步驟a、在半 導(dǎo)體基底1表面的層間絕緣層2表面形成第一阻擋層41。圖6所示的半導(dǎo)體基 底及位線絕緣層2內(nèi)所包含的結(jié)構(gòu)，在以上實(shí)施例1中已有說(shuō)明，由于和實(shí)施 例l中相同，因此不在這重復(fù)的進(jìn)行描述。步驟b、在第一阻擋層41表面形成 中間介質(zhì)層7;步驟c、在中間介質(zhì)層7上形成第二阻擋層42。以上三個(gè)步驟請(qǐng) 參閱圖6，在層間絕緣層2表面已形成實(shí)施例2中的電容支撐結(jié)構(gòu)的"三明治，， 三介質(zhì)層第一阻擋層41、中間介質(zhì)層7和第二阻擋層42。本實(shí)施例中第一阻 擋層41和第二阻擋層42的材料均為氮化硅。同樣，考慮到各化學(xué)氣相法的沉積效率和對(duì)材料的適應(yīng)性，本實(shí)施例中氮化硅阻擋層41/42采用低壓化學(xué)氣相沉 積法或等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法形成。
本實(shí)施例的制作方法還包括步驟d，請(qǐng)參閱圖6，在第二阻擋層42表面形 成模具層8。步驟d形成預(yù)設(shè)厚度的模具層8，便于步驟e所開電容溝槽9深度 達(dá)到預(yù)制作在溝槽內(nèi)的電容極板高度要求。該方法還包括步驟e，請(qǐng)參閱圖7， 貫通模具層8、第二阻擋層42、中間介質(zhì)層7和第一阻擋層41形成電容溝槽9。 步驟e形成電容溝槽9是采用干法蝕刻所述模具層、第二阻擋層、中間介質(zhì)層 和第一阻擋層形成。干法蝕刻的各向異性較好，蝕刻選擇性可進(jìn)行人為控制。 因此，該方法形成電容溝槽9制作簡(jiǎn)單且效率高。完成步驟e之后，就完成了 預(yù)制作電容器的制作模具。
如圖8所示，步驟f:在步驟e完成的電容器制作模具的電容溝槽的側(cè)壁及 底部形成電容極板6。形成的電容極板的材料與傳統(tǒng)電容極板材料相同，均為多 晶硅，且多晶硅電容極板表面制作有半球型多晶硅晶粒(HSG),用于增大電容 極板表面積，提高制作的電容器的容量。根據(jù)目前的工藝制作基礎(chǔ)，并非一步 就能完成電容器下極板的制作。請(qǐng)參閱9和圖IO分步形成圖8所示步驟f電容 極板示意圖，電容下極板的制作包括圖9所示形成電容極板步驟，在圖7所示 的電容極板制作模具的表面形成具有半球型多晶硅晶粒的多晶硅極板。該電容 極板的形成方法是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的，因此不在這作進(jìn)一步的說(shuō)明。電 容下極板的制作還包括化學(xué)機(jī)械拋光步驟去除圖9所示電容溝槽以外的多晶硅 電極板，保留電容溝槽內(nèi)側(cè)壁及底部的多晶硅電極板。該化學(xué)機(jī)械拋光步驟， 請(qǐng)參閱圖IO,在圖9形成好電極板的結(jié)構(gòu)表面填充光阻10,化學(xué)機(jī)械拋光去除 模具層8表面以上的電極板6和光阻10,然后去除電容溝槽內(nèi)的光阻10，形成 圖8所示電^f及板6。
在電容器極板形成之后進(jìn)行步驟g:去除模具層。去除多余的模具層8便于 后期制作過(guò)程中能有效利用DRAM器件的空間。去除圖8所示的模具層8之后 的結(jié)構(gòu)形成如圖5所示電容器結(jié)構(gòu)示意圖。為方1更利用濕法蝕刻去除剩余4莫具 層，中間介質(zhì)層7材料不宜與模具層8材料相同，避免濕法去除模具層的同時(shí)， 去除中間介質(zhì)層，降低本發(fā)明的效果。因此，本實(shí)施例中模具層優(yōu)選材料為正 硅酸四乙酯(Tetrathoxysilane: TEOS)，中間介質(zhì)層優(yōu)選材料為摻磷摻硼氧化硅。TEOS可用濕法蝕刻干凈地去除，且不影響摻磷摻硼氧化硅的中間介質(zhì)層。摻磷 摻硼氧化硅材料是DRAM制作中運(yùn)用的十分成熟的一種材料。針對(duì)于該材料， 采用低壓化學(xué)氣相沉積法或等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法形成的摻磷摻硼氧化硅 中間介質(zhì)層不但制作效率高且質(zhì)地好。電容溝槽9內(nèi)實(shí)際上還有電容器介質(zhì)層 制作及電容器另一極板制作，由于不涉及本發(fā)明要披露的重點(diǎn)，因此沒作相應(yīng) 描述。
具有電容支撐結(jié)構(gòu)的實(shí)施例3所制作出的電容器結(jié)構(gòu)俯一見SEM照片，請(qǐng)參 閱圖11,對(duì)比圖3和圖ll看出，圖11所示本發(fā)明帶有電容支撐結(jié)構(gòu)的電容器 的排列相對(duì)圖3要更為規(guī)則，未出現(xiàn)如圖3所示電容倒塌或傾斜的問(wèn)題。"三明 治"電容支撐結(jié)構(gòu)握住電容溝槽內(nèi)電容極板，對(duì)電容溝槽內(nèi)電容極板起支撐作 用，從而解決傳統(tǒng)制作的溝槽電容器易出現(xiàn)電容極板倒塌的問(wèn)題。
10
權(quán)利要求
1、一種電容支撐結(jié)構(gòu)，位于半導(dǎo)體基底上的層間絕緣層表面，其特征在于，所述電容支撐結(jié)構(gòu)包括依次位于層間絕緣層上的第一阻擋層，中間介質(zhì)層和第二阻擋層；貫通所述第二阻擋層，中間介質(zhì)層和第一阻擋層的電容溝槽，所述電容溝槽內(nèi)用于形成電容器極板。
2、 如權(quán)利要求l所述的電容支撐結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述層間絕緣層內(nèi)設(shè)置有 互連結(jié)構(gòu)，電容溝槽位置與互連結(jié)構(gòu)的位置對(duì)應(yīng)。
3、 如權(quán)利要求l所述的電容支撐結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一阻擋層和第二阻 擋層材料均為氮化硅。
4、 如權(quán)利要求l所述的電容支撐結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述中間介質(zhì)層為摻硼摻 磷氧化硅。
5、 如權(quán)利要求l所述的電容支撐結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電容溝槽采用干法蝕 刻所述第二阻擋層、中間介質(zhì)層和第一阻擋層形成。
6、 一種電容器結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括電容支撐結(jié)構(gòu)以及電容器極板，所述電 容支撐結(jié)構(gòu)位于半導(dǎo)體基底上的層間絕緣層表面，包括依次位于層間絕緣層上 的第一阻擋層，中間介質(zhì)層和第二阻擋層以及貫通所述第二阻擋層，中間介質(zhì) 層和第一阻擋層的電容溝槽；電容器極板覆蓋電容溝槽的側(cè)壁和底部，且高于 電容溝槽表面。
7、 如權(quán)利要求6所述的電容器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述層間絕緣層內(nèi)設(shè)置有互 連結(jié)構(gòu)，電容溝槽位置與互連結(jié)構(gòu)的位置對(duì)應(yīng)。
8、 如權(quán)利要求6所述的電容器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一阻擋層和第二阻擋 層材料均為氮化硅。
9、 如權(quán)利要求6所述的電容器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述中間介質(zhì)層為摻硼摻磷 氧化硅。
10、 一種電容器結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，它包括以下步驟a、在半導(dǎo)體 基底上的層間絕緣層表面形成第一阻擋層；b、在第一阻擋層表面形成中間介 質(zhì)層；c、在所述中間介質(zhì)層上形成第二阻擋層；d、在所述第二阻擋層表面形 成模具層；e、形成貫通模具層、第二阻擋層、中間介質(zhì)層和第一阻擋層的電容溝槽；f、在電容溝槽的側(cè)壁和底部形成電容極板，所述電容器極板高于電容溝 槽表面；g、去除模具層。
11、 如權(quán)利要求IO所述的電容器結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述層間絕緣 層內(nèi)設(shè)置有互連結(jié)構(gòu)，電容溝槽位置與互連結(jié)構(gòu)的位置對(duì)應(yīng)。
12、 如權(quán)利要求10所述的電容器結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述中間介質(zhì) 層材料與所述模具層材料相異。
13、 如權(quán)利要求12所述的電容器結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述中間介質(zhì) 層為摻磷摻硼氧化硅，所述模具層為正硅酸四乙酯。
14、 如權(quán)利要求IO所述的電容器結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟e形 成的電容溝槽是采用干法蝕刻所述模具層、第二阻擋層、中間介質(zhì)層和第一阻 擋層形成。
15、 如權(quán)利要求IO所述的電容器結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述形成的第 一阻擋層和第二阻擋層材料均為氮化硅。
16、 如權(quán)利要求IO所述的電容極板制作方法，其特征在于，所述步驟f形成的 電容極板的材料為多晶硅，所述多晶硅電容極板表面制作有半球型多晶硅晶粒。
17、 如權(quán)利要求16所述的電容極板制作方法，其特征在于，所述步驟f包括形 成電容極板步驟和化學(xué)機(jī)械拋光步驟；在所述步驟e形成的具有電容溝槽的結(jié) 構(gòu)表面形成具有半球形多晶硅晶粒的多晶硅電極板；化學(xué)機(jī)械拋光去除電容溝 槽以外的多晶硅電極板，保留電容溝槽側(cè)壁及底部形成的多晶硅電極板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電容支撐結(jié)構(gòu)、電容器結(jié)構(gòu)及其制作方法，用于解決傳統(tǒng)DRAM存儲(chǔ)單元電容器電容極板易倒塌問(wèn)題。該電容支撐結(jié)構(gòu)包括依次位于層間絕緣層上的第一阻擋層，中間介質(zhì)層和第二阻擋層；貫通所述第二阻擋層，中間介質(zhì)層和第一阻擋層的電容溝槽，該電容溝槽內(nèi)用于形成電容器。電容器極板位于電容溝槽側(cè)壁和底部，且高于電容溝槽表面。該電容支撐結(jié)構(gòu)握住電容溝槽中的電容器極板，對(duì)電容器極板可起到支撐作用，從而可有效解決傳統(tǒng)電容器極板在去除模具層后，電容器極板易倒塌的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01L27/108GK101651142SQ200810041708
公開日2010年2月17日 申請(qǐng)日期2008年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月14日
發(fā)明者坤 彭, 陳曉軍, 韓啟成 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司