專利名稱：干式光阻剝除方法及設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例大致是涉及從基材(substrate)剝除光阻的方法與實(shí)施該 方法的設(shè)備。本發(fā)明的實(shí)施例也涉及注入離子與剝除光阻的系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
集成電路可包括超過(guò)一百萬(wàn)個(gè)微電子場(chǎng)效晶體管(例如，互補(bǔ)式金氧半導(dǎo) 體(complementary metal-oxide-semiconductor, CMOS)場(chǎng)效晶體管)形成在一基 材(例如，半導(dǎo)體晶片)上并合作在電路中執(zhí)行不同功能。電路制造中，光阻膠 (photoresist)可經(jīng)沉積、曝光與顯影以產(chǎn)生一掩膜(mask)來(lái)蝕刻下層。 為了產(chǎn)生集成電路，須將離子注入集成電路的不同部分。離子注入過(guò)程中， 晶片受到一束帶電離子(稱為摻雜物)的轟擊。注入可改變注入摻雜物的材料的 特性，主要是用來(lái)達(dá)成特定的電子性能。這些摻雜物是經(jīng)加速至可允許它們穿 透(g卩，注入)該膜至所需的深度的能量。注入過(guò)程中，離子可注入光阻層中并 導(dǎo)致堅(jiān)硬、外殼狀(crust-like;)層形成于光阻膠的表面。利用傳統(tǒng)的去膠工藝 (strippingprocess)難以移除該外殼層。再者，若未移除外殼層或下層光阻膠 的話，殘余的阻膠在接下來(lái)的工藝步驟會(huì)成為污染物。 因此，需要?jiǎng)兂?strip)光阻的改良方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明大致上包括一從基材剝除光阻的處理方法。本發(fā)明也包括將慘雜物 注入集成電路并接著在注入步驟中剝除存在的光阻的處理系統(tǒng)。可藉由將光阻 暴露在水蒸氣、以及氟氣與氧氣中至少一個(gè)和氫氣的等離子體形式而有效地剝 除光阻與外殼(若有的話)。接著可執(zhí)行退火。藉由在相同的處理系統(tǒng)中進(jìn)行注 入、剝除與退火，可減少氧化作用并提高基材產(chǎn)量。因?yàn)樽⑷胧覂?nèi)可能殘留--部分的摻雜物且該摻雜物可用于接下來(lái)的光阻注入而提高基材產(chǎn)量。殘留在注 入室內(nèi)的那部分摻雜物可減少執(zhí)行下一基材注入所需的時(shí)間。一實(shí)施例中，光阻剝除方法包括將其上具有光阻層的一基材置于腔室內(nèi)； 在遠(yuǎn)程等離子體源中從氟氣與氧氣中至少一個(gè)以及氫氣而形成一等離子體；將
來(lái)自遠(yuǎn)程等離子體源的等離子體與水蒸氣導(dǎo)入腔室內(nèi)；并從基材上剝除光阻。
另一實(shí)施例中，光阻剝除方法包括將一基材置于處理室中，該基材其上具
有一光阻層；將一或更多離子注入位于該光阻與該基材之間的一層；該注入在 該光阻層的至少一部分中形成一外殼層；在一遠(yuǎn)程等離子體源中點(diǎn)燃(igniting) 一等離子體并將該外殼層暴露于等離子體中；暴露該外殼層于水蒸氣中；并移 除該外殼層與光阻層。
另一實(shí)施例中，提供在相同的處理系統(tǒng)中注入、剝除與退火的處理系統(tǒng)。 處理系統(tǒng)的一處理室是適以執(zhí)行剝除處理，該剝除處理包括將光阻暴露于水蒸 氣與一等離子體(由氟氣與氧氣中至少一個(gè)以及氫氣所形成)。比起傳統(tǒng)丄藝較 有利的是，可減少基材的氧化并提高基材的產(chǎn)量。
另一實(shí)施例中，提出一種注入的處理系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括一傳送室；-注入 室，耦接至該傳送室； 一剝除室，耦接至該傳送室； 一退火室，耦接至該傳送 室； 一工廠接合部(factory interface),耦接至該傳送室；以及--或更多個(gè)前開(kāi) 式整合盒(Front Opening Unified Pod, FOUP)，耦接至工/ '接合部。


為了詳細(xì)地了解本發(fā)明上述的特征，本發(fā)明更明確的描述(簡(jiǎn)短地總結(jié)于 上)可參照許多實(shí)施例(某些描述于附圖中)。然而，由于本發(fā)明容許其它等效的 實(shí)施例，可以理解附圖僅描述本發(fā)明的典型實(shí)施例且因此不應(yīng)視為本發(fā)明范圍 的限制。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的剝除室的剖面圖。 圖2是具有外殼層形成于其上的一結(jié)構(gòu)的剖面圖。 圖3是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的剝除處理流程圖。 圖4是根據(jù)本發(fā)明的處理系統(tǒng)的概略平面圖。 圖5是可執(zhí)行在圖4中根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的不同處理的流程圖。 為了加速理解，可使用相同的附圖標(biāo)記代表圖式共有的相同組件?？梢岳?解可有利地將一實(shí)施例的組件與特征并入其它實(shí)施例中而不需進(jìn)一歩列舉。 然而，需要注意附圖僅描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例，由于本發(fā)明容許其它等效的實(shí)施例，因此不視為對(duì)本發(fā)明的范圍的限制-主要附圖標(biāo)記說(shuō)明
腦
104 畫(huà) 112 116 120 124 128 132 136 140 144 148 152 162 168 196 200 204 208
歩驟:
反應(yīng)室102處理室 基材底座 控制器 第二部分 側(cè)壁 噴頭
反應(yīng)容積 氣體充填式燈泡 導(dǎo)管 排出口 支持系統(tǒng) 氣體面板 射頻產(chǎn)生器 應(yīng)用器 等離子體 入口
106 110 114 118 122 126 130 134 138 142 146 150 160
遠(yuǎn)程等離子體源 第一部分
蓋件
混合容積 基材
嵌入式電阻加熱器 來(lái)源 節(jié)流閥
遠(yuǎn)程等離子體室 電源
調(diào)諧組件 接地參考點(diǎn) 166 導(dǎo)官 170 開(kāi)口
198
偏壓功率源(bias power source) 工件 202基材
光阻層 206外殼部分
膜堆棧 300、 500過(guò)程;
傳送:
電極
400 處理系統(tǒng) 402
404A、 404B、 404C 處理室
406機(jī)器裝置 408前開(kāi)式整合盒
410負(fù)載鎖定室 412工廠接合部
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明大致上包括從位于基材上的膜堆棧剝除光阻的處理方法。木發(fā)明也包括將一摻雜物注入膜堆棧的一層中并隨后剝除位于膜堆棧上的光阻層的處 理系統(tǒng)。當(dāng)將高濃度的摻雜物注入光阻內(nèi)時(shí)，可在光阻層上形成一外殼層。因 為光阻在注入過(guò)程中喪失氫而形成外殼層。光阻層表面喪失氫可促進(jìn)碳的鍵結(jié) 而產(chǎn)生堅(jiān)硬、石墨狀外殼?？衫盟魵馀c一等離子體(由氟氣與氧氣的至少 一個(gè)以及氫氣所形成)從基材上有效地剝除光阻(包括外殼)。接著可退火處理經(jīng) 剝除的膜堆棧。藉由在單一處理系統(tǒng)進(jìn)行注入、剝除與退火處理，可避免膜堆 棧的氧化并同時(shí)提供高的基材產(chǎn)量。注入室內(nèi)可能殘留一部分的摻雜物且該摻 雜物可用于接下來(lái)的光阻注入因而提高基材產(chǎn)量。殘留在注入室內(nèi)的那部分摻 雜物可減少執(zhí)行下一基材注入所需的時(shí)間。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的剝除室100的概略圖。適當(dāng)剝除室或灰化反 應(yīng)室的實(shí)例是詳細(xì)描述于2002年10月4日申請(qǐng)?zhí)?0/264,664的美國(guó)專利申請(qǐng) 案以及2005年7月29日申請(qǐng)?zhí)?1/192,989的美國(guó)專利申請(qǐng)案，在此以參考數(shù) 據(jù)的方式并入本文中。反應(yīng)室100的顯著特征簡(jiǎn)短地描述于下。
反應(yīng)室100包括一處理室102、 一遠(yuǎn)程等離子體源106與一控制器108。 處理室102通常為一真空容器，其包括-第一部分110與- -第二部分112。 一 實(shí)施例中，第一部分110包括一基材底座104、 一側(cè)壁116與-^真空泵114。 第二部分112包括一蓋件118與一氣體分配板(噴頭)120，該分配板界定一氣體 混合容積122與一反應(yīng)容積124。蓋件118與側(cè)壁116通常是由一金屬(例如， 鋁(A1)、不銹鋼等等)所形成并電性耦接于一接地參考點(diǎn)(groundreference) 160。
基材底座104支撐反應(yīng)容積124內(nèi)的一基材(晶片)。 一實(shí)施例中，基材底 座104可包括一輻射熱能來(lái)源(諸如，氣體充填式燈泡128以及嵌入式電阻加 熱器BO)與導(dǎo)管132。導(dǎo)管132經(jīng)由底座104的晶片支撐面中的溝槽(未顯示) 從來(lái)源134提供氣體(例如，氦)給基材126的背側(cè)。氣體可促進(jìn)支撐底座104 與晶片126之間的熱交換。底座104可包括一耦接于偏壓功率源196的電極 198以在處理期間對(duì)基材126進(jìn)行偏壓。
真空泵114是耦接至形成于處理室102的側(cè)壁116中的排出口 136。真 空泵114是用來(lái)在處理室102中維持所需的氣壓以及從處理室102排出處理后 氣體與其它揮發(fā)性化合物。 一實(shí)施例中，真空泵114包括一節(jié)流閥138以控制 處理室102中的氣壓。
處理室102也包括用以固定與釋放基材126、偵測(cè)處理終點(diǎn)、內(nèi)部檢測(cè)等等的傳統(tǒng)系統(tǒng)。上述的系統(tǒng)共同稱為支持系統(tǒng)140。
遠(yuǎn)程等離子體源106包括一電源146、 一氣體面板144與一遠(yuǎn)程等離子體 室142。 一實(shí)施例中，電源146包括一射頻(radio-frequency, RF)產(chǎn)生器148、 一調(diào)諧組件(tuning assembly)150與一應(yīng)用器(applicator)152。射頻產(chǎn)生器148 能夠在頻率約200 kHz至700 kHz下產(chǎn)生約200 W至5000 W。應(yīng)用器152是 感應(yīng)地耦接至遠(yuǎn)程等離子體室142并可能量化氣體面板144所提供的處理氣體 (或氣體混合物)以形成等離子體162，該等離子體是通過(guò)處理室內(nèi)的噴頭120 傳送至反應(yīng)容積124。 一實(shí)施例中，遠(yuǎn)程等離子體室142具有一環(huán)形(toroidal) 幾何形狀，可局限等離子體并促進(jìn)自由基形式的有效產(chǎn)生以及降低等離子體的 電子溫度。其它實(shí)施例中，遠(yuǎn)程等離子體源106可為一微波等離子體源。又其 它實(shí)施例中，反應(yīng)容積124內(nèi)形成的等離子體可通過(guò)感應(yīng)式或電容耦合加以形 成。
氣體面板144利用一導(dǎo)管166來(lái)傳送處理氣體至遠(yuǎn)程等離子體室142。氣 體面板144(或?qū)Ч?66)包括諸如質(zhì)量流量控制器與關(guān)閉閥等構(gòu)件(未顯示)以控 制供應(yīng)給等離子體室142的各個(gè)氣體的氣壓與流速。遠(yuǎn)程等離子體室142中， 處理氣體是經(jīng)離子化與解離以形成反應(yīng)種(reactiv'e species)。
反應(yīng)種是通過(guò)形成于蓋件118中的入U(xiǎn) 168導(dǎo)入混合容積122。為了使充 電等離子體對(duì)晶片126上的組件的傷害達(dá)到最小，在氣體通過(guò)噴頭120中復(fù)數(shù) 個(gè)開(kāi)口 170到達(dá)反應(yīng)容積124前，處理氣體的離子種大致上在混合容積122 內(nèi)受到中和。
圖2是一工件200的剖面圖，該工件包括其上具有膜堆棧208與光阻層 204的基材202。 一般顯示的膜堆棧208是指位于基材202與光阻層204之間 的一或多層。光阻層204可具有一外殼部分206。光阻層204在注入過(guò)程中暴 露于諸如磷、砷或硼的摻雜物因而在光阻層204上形成外殼部分。
注入處理會(huì)導(dǎo)致光阻表面損失氫。因?yàn)闅涞膿p失，形成碳-碳鍵結(jié)并造成 厚的碳化外殼層。對(duì)于非常高劑量的摻雜物(即，約lxl0,與相對(duì)低能量的注 入來(lái)說(shuō)，外殼層可能含有高濃度的摻雜物。 一實(shí)施例中，摻雜物包括硼。另一 實(shí)施例中，摻雜物包括砷。又另一實(shí)施例中，摻雜物包括磷。標(biāo)準(zhǔn)光阻的圖式 (representation)與外殼層的圖式顯示如下。因?yàn)橥鈿影ㄖT如硼、磷或砷的摻雜物，包含氧的傳統(tǒng)剝除方法的移除 不足以有效地移除外殼層206與光阻層204。
剝除過(guò)程
圖3是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的剝除過(guò)程300的流程圖。過(guò)程300藉由將 工件200導(dǎo)入腔室100而開(kāi)始于步驟302 。步驟304中，將剝除氣體導(dǎo)入遠(yuǎn) 程等離子體源142。歩驟306中，將等離子體由遠(yuǎn)程等離子體源142導(dǎo)入腔室 100。步驟308中，藉由剝除方式從工件200 h移除光阻i5 204，包括任何假 若存在的外殼層206。
剝除過(guò)程中，發(fā)生下列化學(xué)反應(yīng)
-CH2- + 303 "^302 + C02 + H20
-CH2 + 20H ^ C02 + 2H2
適當(dāng)?shù)膭兂龤怏w包括氫、臭氧、氧、氟與水蒸氣。 一實(shí)施例中，可提供氫、 氧、水蒸氣與氟。提供的氧的數(shù)量可能由于安全考慮而受到限制，且在一實(shí)施 例中，可通過(guò)使用足夠的氟而加以排除。
氫、氟與氧氣是由氣體面板提供給遠(yuǎn)程等離子體源。另一方面，可藉由遠(yuǎn) 程蒸發(fā)水分而產(chǎn)生水蒸氣并接著直接或藉由氣體面板搭配其它氣體而提供給 處理室。維持水蒸氣高于水的沸點(diǎn)。
一實(shí)施例中，可提供每分鐘約500 sccm至約10升的氫給腔室。另一實(shí)施 例中，所提供的氫的數(shù)量約每分鐘7升。對(duì)于水蒸氣來(lái)說(shuō)，可提供每分鐘約 50sccm至約5升的量給腔室。另一實(shí)施例中，可提供約90 sccm的水蒸氣給 腔室。又另-一實(shí)施例中，可提供350 sccm的水蒸氣給腔室。對(duì)于氟來(lái)說(shuō)，可提供約500 sccm的量給腔室。 一實(shí)施例中，可提供約250 sccm的氟給腔室。 對(duì)于氧來(lái)說(shuō)，可提供約0sccm至約500sccm的量給腔室。 一實(shí)施例中，可提 供200 sccm的氧給腔室。
可提供射頻功率給遠(yuǎn)程等離子體源以引發(fā)等離子體。射頻功率約5 kW。 為了開(kāi)始剝除而將等離子體提供給處理室。 一實(shí)施例中，壓力高達(dá)8Torr。另 一實(shí)施例中，壓力是約2Torr至約5Torr。基材溫度是約室溫至約350°C。另 一實(shí)施例中，溫度是約80'C至約20(TC。又另一實(shí)施例中，基材溫度可能為 120°C。又另一實(shí)施例中，基材溫度可能為220°C。若基材溫度高于約35(TC， 則開(kāi)始燃燒光阻。
一實(shí)施例中，可提供射頻偏壓給剝除室。射頻偏壓有助于打破經(jīng)注入的光 阻與外殼層。射頻偏壓可額外地提供一微蝕(soft etching)并有助于從基材移除 任何殘余物。射頻偏壓的強(qiáng)度越高，光阻與外殼移除將會(huì)越具侵略性。再者， 射頻偏壓越高，基材受損的幾率越高。
可使從基材剝除光阻與外殼層的處理?xiàng)l件達(dá)到最佳化以改善移除速率。舉 例來(lái)說(shuō)，較高劑量比例的注入(即，高于約lxl0,的外殼層相當(dāng)厚。藉由調(diào)整 氫、氟與水蒸氣的數(shù)量，可使光阻與外殼層的移除速率達(dá)到最佳。當(dāng)下面討論 有關(guān)硼注入光阻時(shí)，可預(yù)期砷注入光阻與磷注入光阻具有相似的結(jié)果。
實(shí)施例l
通過(guò)遠(yuǎn)程等離子體提供每分鐘7升的氫搭配90 sccm的水蒸氣給一處理室 以移除硼注入光阻。以每分鐘3000埃的速率移除硼注入光阻與外殼層。 實(shí)施例2
通過(guò)遠(yuǎn)程等離子體源提供每分鐘7升的氫搭配2900 sccm的水蒸氣給一處 理室以移除硼注入光阻。將基材維持在12(TC，且將腔室壓力維持在2 Torr。 以每分鐘300埃的速率移除硼注入光阻與外殼層。
實(shí)施例3
通過(guò)遠(yuǎn)程等離子體源提供250 sccm的CF4與5000 sccm的02搭配350 sccm
的水蒸氣給一處理室以移除硼注入光阻。將基材維持在22(TC。在60秒內(nèi)完 全移除硼注入光阻與外殼層。 比較實(shí)施例
將傳統(tǒng)的氧剝除方法用在具有含硼外殼層的光阻上。由于移除速率約每分鐘0埃的關(guān)系，該處理無(wú)法疑除光阻與外殼層。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的一處理系統(tǒng)400的概略平面圖。圖4所示的實(shí)施例中， 處理系統(tǒng)400包括一中心傳送室402，由三個(gè)處理室404A-C所包圍。工廠接 合部412藉由一負(fù)載鎖定^ 410耦接至傳送室402 。在工廠接合部412中配 置一或更多個(gè)前開(kāi)式整合盒408以儲(chǔ)存基材。將一機(jī)器裝置406配置于中心 傳送室402中以助于在處理室404A-C與負(fù)載鎖定室410之間傳送基材。可從 前開(kāi)式整合盒408通過(guò)負(fù)載鎖定室410將基材提供給系統(tǒng)400的處理室404A-C 且通過(guò)負(fù)載鎖定室410從系統(tǒng)400移除至前開(kāi)式整合盒408。
各個(gè)處理室404A-B是適以執(zhí)行基材處理中的不同步驟。舉例來(lái)說(shuō)，處理 室404A是將摻雜物注入工件的注入室。示范性的注入室為P3i 室，可從 Applied Materials, Inc(Santa Clara, Califomia)取得，詳述于2006年12月8日申 請(qǐng)?zhí)?1/608,357的美國(guó)專利案中，在此將其全文以參考數(shù)據(jù)并入本文中。n丁以 理解也可使用其它適當(dāng)?shù)淖⑷胧?，包括其它制造商生產(chǎn)的那些腔室。
腔室404B是適以作為一剝除室并是用來(lái)從工件上剝除光阻與外殼層。示 范性的剝除室404B是如圖1中所描述的反應(yīng)室100。也可從Applied Materials, Inc取得適當(dāng)?shù)臐袷絼兂??？梢岳斫庖部墒褂闷渌m當(dāng)?shù)淖⑷胧?，包括其?制造商生產(chǎn)的那些腔室。
處理室404C是一退火室，是用以對(duì)剝除之后的工件進(jìn)行退火處理。町以 應(yīng)用的示范性退火室是！^&31^6@快速熱處理室，可從Applied Materials, Inc 取得，其是詳述于美國(guó)專利編號(hào)7,018,941中，在此將其全文以參考數(shù)據(jù)并入 本文中?？梢岳斫庖部墒褂闷渌m當(dāng)?shù)淖⑷胧遥ㄆ渌圃焐躺a(chǎn)的那些腔 室。
藉由在單一處理工具中提供注入、剝除與退火室，可提高基材產(chǎn)量。首先 將摻雜物注入基材以處理基材。接著，從經(jīng)注入的基材上剝除光阻。最后，退 火處理經(jīng)剝除的基材。
將所有三個(gè)處理室404配置于相同的群組工具設(shè)備400也可提高產(chǎn)量與節(jié) 省金錢(qián)。藉由不打破處理步驟之間的真空，可維持真空并因此減少腔室運(yùn)轉(zhuǎn)之 間的停工期。再者，對(duì)于注入室來(lái)說(shuō)，當(dāng)下一基材進(jìn)行處理時(shí)，注入歩驟所需 的高達(dá)約30%的必須摻雜物已經(jīng)存在于注入室中。未使用的摻雜物可殘留于 注入室中并至少使注入室部分飽和。由于處理開(kāi)始的時(shí)間點(diǎn)上注入室中已經(jīng)具有摻雜物，可較快地處理光阻并提供較少的摻雜物氣體。
圖5是利用圖4的處理系統(tǒng)或其它適當(dāng)系統(tǒng)而執(zhí)行的過(guò)程500的流程圖。 過(guò)程500開(kāi)始于步驟502，其中是利用例如2006年12月8日申請(qǐng)?zhí)?1/608,357 ^J美國(guó)專利申請(qǐng)案所述的方法而在腔室404A中注入膜堆棧的一層。步驟504 中，利用方法300或其它適當(dāng)方法在腔室404B中剝除注入期間內(nèi)位于膜堆棧 上的光阻層。歩驟506中，如美國(guó)專利號(hào)7,018,941所述的退火處理經(jīng)剝除的 膜堆棧。
藉由利用氫、水蒸氣、氟與氧，可有效地且效率高地從基材剝除形成于其 上的光阻與外殼層。將一注入室與一或更多個(gè)退火室與剝除室并入單一群組工 具中可提高基材產(chǎn)量并減少花費(fèi)。
雖然上述是有關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施例，但可在不悖離本發(fā)明基本范圍的情況 下設(shè)計(jì)本發(fā)明其它與進(jìn)一步的實(shí)施例，其中本發(fā)明的范圍是由下述的權(quán)利要求 書(shū)所界定。
權(quán)利要求
1、一種光阻剝除方法，其至少包含將一其上具有一光阻層的基材置于一剝除室中；在一遠(yuǎn)程等離子體源中由氟氣與氧氣的至少一個(gè)以及氫氣形成一等離子體；將來(lái)自該遠(yuǎn)程等離子體源的等離子體與水蒸氣導(dǎo)入該室中；以及從該基材剝除該光阻。
2、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該光阻層在剝除前是暴露于一注入處理。
3、 如權(quán)利要求1所述的方法，還包括退火處理該經(jīng)剝除的基材。
4、 如權(quán)利要求1所述的方法，還包括將該具有該光阻的基材置于一注入室中，將離子注入位于該基材與該光阻層之間的一層中，并在該光阻上形成一外殼層；從該注入室傳送該基材；將該基材從該剝除室傳送至一退火室；以及退火處理該基材。
5、 如權(quán)利要求4所述的方法，其中該離子是選自下列所構(gòu)成的群組硼、磷、砷及其組合物。
6、 如權(quán)利要求4所述的方法，其中該外殼層包括由兩個(gè)碳-碳單鍵結(jié)合在一起的兩個(gè)芳香環(huán)。
7、 如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的方法，其中該剝除步驟包括將該光阻轉(zhuǎn)換成氧雙原子、二氧化碳、水與氫雙原子。
8、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該剝除步驟還包括以一射頻電流對(duì)該基材施加偏壓。
9、 一種光阻剝除方法，其至少包括將一基材置于一處理室中，其中該基材其上具有一光阻層；將一或更多離子注入位于該光阻層與該基材之間的一層中，該注入步驟可在該光阻層的至少一部分上形成一外殼層；在一遠(yuǎn)程等離子體源點(diǎn)燃(ignite)—等離子體并將該外殼層暴露于該等離子體中；將該外殼層暴露于水蒸氣中；以及移除該外殼層與該光阻層。
10、 如權(quán)利要求9所述的方法，其中該外殼層包括由兩個(gè)碳-碳單鍵結(jié)合在一起的兩個(gè)芳香環(huán)。
11、 如權(quán)利要求9所述的方法，其中該被注入的離子包括硼且該等離子體是藉由使氫氣流過(guò)該遠(yuǎn)程等離子體源而點(diǎn)燃。
12、 如權(quán)利要求11所述的方法，其中該水蒸氣的流速是介于約80 sccm至約100 sccm之間。
13、 如權(quán)利要求11所述的方法，其中該水蒸氣的流速是介于約2800 sccm至約3000 sccm之間。
14、 如權(quán)利要求9所述的方法，其中該被注入的離子包括硼且該等離子體是藉由使四氟化碳與氧流過(guò)該遠(yuǎn)程等離子體源而點(diǎn)燃。
15、 如權(quán)利要求14所述的方法，其中該四氟化碳的流速是介于約225 sccm至約275 sccm之間、該氧的流速是介于約4900 sccm至約5100 sccm之間且該水蒸氣的流速是介于約325 sccm至約375 sccm之間。
16、 如權(quán)利要求9所述的方法，其中該離子是選自下列所構(gòu)成的群組硼、 磷、砷及其組合物。
17、 如權(quán)利要求9所述的方法，其中該剝除步驟包括將該光阻轉(zhuǎn)換成氧雙 原子、二氧化碳、水與氫雙原子。
18、 如權(quán)利要求9所述的方法，還包括退火處理該基材。
19、 一種處理系統(tǒng)，其至少包括 一傳送室；一注入室，耦接至該傳送室； 一剝除室，耦接至該傳送室； -一退火室，耦接至該傳送室； 一工廠接合部，耦接至該傳送室；以及 -或更多個(gè)前開(kāi)式整合盒，耦接至工/ .接合部。
20、 如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中該剝除室包括一遠(yuǎn)程等離子體源與其稱接。
全文摘要
本發(fā)明提出一種從一基材剝除光阻的處理方法。本發(fā)明也提出一種將一摻雜物注入一膜堆棧的一層中、剝除該經(jīng)注入的膜堆棧以及退火處理該經(jīng)剝除的膜堆棧的處理系統(tǒng)。當(dāng)將高濃度的摻雜物注入一光阻層時(shí)，會(huì)在該光阻層表面上形成一不易移除的外殼層。本發(fā)明所述的方法可有效地移除表面具有上述的外殼層的光阻層。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101542693SQ200780044112
公開(kāi)日2009年9月23日 申請(qǐng)日期2007年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月11日
發(fā)明者塞奧-米·喬, 馬耶德·A·福阿德 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料股份有限公司