專利名稱：：光電轉(zhuǎn)換裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及光電轉(zhuǎn)換裝置及其制造方法，特別涉及使用硅作為發(fā)電層的薄膜硅疊層型太陽(yáng)電池。
背景技術(shù)：
：以前，作為太陽(yáng)電池等的光電轉(zhuǎn)換裝置，已知有硅類薄膜光電轉(zhuǎn)換裝置。這種光電轉(zhuǎn)換裝置一般是在基板上依次層疊第一透明電極、硅類半導(dǎo)體層(光電轉(zhuǎn)換層)、第二透明電極和背面電極膜。半導(dǎo)體層具有由p型、i型和n型的半導(dǎo)體村料形成的pin結(jié)。在光電轉(zhuǎn)換裝置為太陽(yáng)電池的情況下，這個(gè)pin結(jié)作為能量轉(zhuǎn)換部，將太陽(yáng)光的光能轉(zhuǎn)換成電能。這樣，光電轉(zhuǎn)換層為一層的光電轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)被稱為單層結(jié)構(gòu)。此外，為了提高光電轉(zhuǎn)換裝置的光電轉(zhuǎn)換效率，存在一種重復(fù)使用多個(gè)由帶隙不同的半導(dǎo)體構(gòu)成的光電轉(zhuǎn)換層的方法。這種重復(fù)使用多個(gè)光電轉(zhuǎn)換層的光電轉(zhuǎn)換裝置被稱為多結(jié)型光電轉(zhuǎn)換裝置，兩段重疊吸收波帶不同的光電轉(zhuǎn)換層的結(jié)構(gòu)被稱為串聯(lián)結(jié)構(gòu)，三段重疊的結(jié)構(gòu)被稱為三重結(jié)構(gòu)。采取串聯(lián)結(jié)構(gòu)的光電轉(zhuǎn)換裝置為例時(shí)，作為太陽(yáng)光入射側(cè)的光電轉(zhuǎn)換層(以下也稱為"頂部單元，，)，使用吸收短波長(zhǎng)的光的非結(jié)晶(非結(jié)晶)硅。此外，.為了吸收沒(méi)有被頂部單元吸收的光，作為與太陽(yáng)光入射側(cè)相反側(cè)的光電轉(zhuǎn)換層(以下也稱為"底部單元，，)，可以使用吸收長(zhǎng)波長(zhǎng)的光的微結(jié)晶硅等的結(jié)晶硅類半導(dǎo)體。在使用這種光電轉(zhuǎn)換裝置的太陽(yáng)電池中，存在以下技術(shù)課題(1)。(l)高效率化如何在能量轉(zhuǎn)換部有效地吸入太陽(yáng)光，如何提高轉(zhuǎn)換為電能的效率。作為上述技術(shù)課題(1)的高效率化，盡管目標(biāo)是獲得12%以上的發(fā)電效率，但是以往，例如在串聯(lián)型太陽(yáng)電池中為了獲得12%以上的發(fā)電效率，需要2pm以上的底部單元膜厚。另外，為了提高發(fā)電效率，正在研究底部單元的厚膜化(3nm以上)。此外，為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)課題(1)的高效率化，正在研究提高含有第一透明電極的基板的模糊(4乂)率。以往，一般要考慮的是，增大含有第一透明電極的基板的模糊率時(shí)，盡管提高因入射光的光散射導(dǎo)致的光封閉效應(yīng)、并增大發(fā)電電流，但是由于含有第一透明電極的基板表面的大的凹凸的影響等導(dǎo)致開(kāi)放電壓和形狀因子大幅度下降，因此作為電池不被優(yōu)選。為了解決這個(gè)問(wèn)題，提供如下方案作為所述碁板和第一透明電極，使用帶透明導(dǎo)電性氧化物基體，其結(jié)構(gòu)(雙紋理結(jié)構(gòu))為在玻璃基板上，有因不連續(xù)的多個(gè)山部產(chǎn)生的微小凹凸(紋理結(jié)構(gòu))和填埋在此山部間的多個(gè)平坦部，該山部和該平坦部的外表面具有微小的多個(gè)凹凸(紋理結(jié)構(gòu))(參照專利文獻(xiàn)l、專利文獻(xiàn)2)。專利文獻(xiàn)1和2的帶透明導(dǎo)電性氧化物基體在太陽(yáng)光的全波長(zhǎng)區(qū)域上具有良好的光散射性能，在專利文獻(xiàn)2中，在其實(shí)施例中公開(kāi)了，用其制作的非晶硅太陽(yáng)電池大體上維持開(kāi)放電壓和形狀因子并能提高光電轉(zhuǎn)換效率。專利文獻(xiàn)1國(guó)際公開(kāi)第03/036657A1號(hào)^>報(bào)專利文獻(xiàn)2特開(kāi)2005-347490號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容為了將使用光電轉(zhuǎn)換裝置的太陽(yáng)電池實(shí)用化，除了所述技術(shù)課題(1)之外，還存在以下技術(shù)課題(2)。(2)生產(chǎn)性提高如何可以使成為生產(chǎn)性的瓶頸的結(jié)晶硅類光電轉(zhuǎn)換層中的i層薄膜化。為了將太陽(yáng)電池的制造時(shí)間速度控制在構(gòu)成底部單元等的結(jié)晶硅類光電轉(zhuǎn)換層中的i層的制膜時(shí)間，從上述技術(shù)課題(2)的生產(chǎn)性的點(diǎn)出發(fā)，使結(jié)晶硅類光電轉(zhuǎn)換層中的i層的膜厚的薄膜化是非常有效的。然而，例如在串聯(lián)型太陽(yáng)電池中使底部單元的膜厚比2pm更薄膜化時(shí)，則發(fā)電電流顯著降低，因此發(fā)電效率顯著降低。為此，即使太陽(yáng)電池的制造時(shí)間花費(fèi)長(zhǎng)時(shí)間，也能適用2pm以上的底部單元膜厚。這樣，所述技術(shù)課題(1)和(2)存在互相折衷選擇的關(guān)系。所述專利文獻(xiàn)l中公開(kāi)的技術(shù)，沒(méi)有特別考慮由光的吸收波長(zhǎng)特性不同的結(jié)晶硅類半導(dǎo)體構(gòu)成的光電轉(zhuǎn)換層的發(fā)電效率，此外，也沒(méi)有研究提高太陽(yáng)電池的生產(chǎn)性。因此，關(guān)于具有由結(jié)晶硅類半導(dǎo)體構(gòu)成的光電轉(zhuǎn)換層的太陽(yáng)電池，雖然特別地由于入射光的吸收波長(zhǎng)區(qū)域在長(zhǎng)波長(zhǎng)一側(cè)不同，而需要使因透明電極的凹凸引起的光封閉形狀不同，但是考慮到結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的膜厚薄膜化，未確立凹凸形狀適當(dāng)化，依然期待一種可以兼顧發(fā)電效率的高效率化(解決技術(shù)課題(1))和提高太陽(yáng)電池的生產(chǎn)性(解決技術(shù)課題(2))的技術(shù)。此外，如果如專利文獻(xiàn)1那樣使用大凹凸和小凹凸混合存在的帶透明導(dǎo)電性氧化物膜基板制作太陽(yáng)電池，則與只由大凹凸結(jié)構(gòu)構(gòu)成、使用提高模糊率的帶透明導(dǎo)電性氧化物基板的情況相比，雖然可以減小開(kāi)放電壓和形狀因子的降低，但同樣可認(rèn)識(shí)開(kāi)放電壓和形狀因子的降低。
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述事情做出本發(fā)明，本發(fā)明的目的是提供一種光電轉(zhuǎn)換裝置及其制造方法，可以兼顧高的光電轉(zhuǎn)換效率和高的生產(chǎn)性。此外，本發(fā)明目的在于，提供一種光電轉(zhuǎn)換裝置以及這種光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，在使用通過(guò)混合存在大小凹凸的形狀而提高模糊率的帶透明電極基板的光電轉(zhuǎn)換裝置中，一面抑制開(kāi)放電壓和形狀因子的下降、一面實(shí)現(xiàn)高的光電轉(zhuǎn)換效率。為了解決上述課題，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置采用以下手段。即，本發(fā)明第一實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置，其至少具有在透明絕緣性基板上設(shè)置透明電極層而形成的帶透明電極基板、在該帶透明電極基板的透明電極層一側(cè)依次形成的主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層以及背面電極層，其中，所述帶透明電極基板的表面為混合存在大小凹凸的形狀，并且光"i普模糊(、4乂)率在550nm以上800nm以下的波長(zhǎng)時(shí)為20%以上，所述光電轉(zhuǎn)換層的膜厚為1.2pm以上2pm以下，并且喇曼比為3.0以上8.0以下。在所述第一實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置中，通過(guò)使結(jié)晶硅類光電轉(zhuǎn)換層的喇曼比為3.0以上8.0以下，可以獲得用非晶硅適當(dāng)?shù)靥畛渚w的粒界的光電轉(zhuǎn)換裝置。由此，由于可以抑制晶界的電流泄漏，因此可以獲得抑制開(kāi)放電壓(Voc)和形狀因子(FF)降低的光電轉(zhuǎn)換裝置。在使用所述帶透明電極基板的情況下，由于容易產(chǎn)生由基板的凹凸引起的缺陷多的晶界，因此由晶界的非晶硅進(jìn)行的填充特別有效。此外，通過(guò)形成主要具有膜厚為1.2pm以上2pm以下的所述結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層，即使具有主要結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層的i層的膜厚為薄膜，也可以制造產(chǎn)生高的發(fā)電電流的光電轉(zhuǎn)換裝置，并且可以降低膜厚部分的缺陷數(shù)量，此外，由于因膜厚方向的電位梯度大所以使得產(chǎn)生的電荷很難被缺陷捕獲，因此可以制造抑制了開(kāi)放電壓(Voc)和形狀因子(FF)的下降的光電轉(zhuǎn)換裝置。因此，可以制造同時(shí)實(shí)現(xiàn)薄膜化和高效率化的光電轉(zhuǎn)換裝置，而且，由于通過(guò)使結(jié)晶硅類i層薄膜化，可以縮短由這種制膜速度控制而進(jìn)行的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造時(shí)間，提高光電轉(zhuǎn)換裝置的生產(chǎn)性。一般，所謂模糊率，是指用模糊計(jì)測(cè)量的、波長(zhǎng)為約550nm的光的模糊率。盡管波長(zhǎng)550nm的模糊率高時(shí)、波長(zhǎng)550nm左右的光經(jīng)常被散射，但長(zhǎng)波長(zhǎng)光，如果該波長(zhǎng)的模糊率高，則也經(jīng)常被散射，該波長(zhǎng)的模糊率如果低，則就難以被散射。已有的一層凹凸(紋理結(jié)構(gòu))結(jié)構(gòu)的情況下，波長(zhǎng)550nm的模糊率即使為30%,波長(zhǎng)800nm的光鐠模糊率為5%以下，因希望用結(jié)晶硅類光電轉(zhuǎn)換層封閉光的700-900nrn的波長(zhǎng)域的光的散射增強(qiáng)而使光封閉不完全。此外，在350nm以下的波長(zhǎng)域，由于所述透明電極基板的透射率變小，因此不能正確測(cè)量模糊率。因此，用使用特定波長(zhǎng)的光測(cè)量的光鐠模糊率來(lái)定義550nm以上800nm以下的波長(zhǎng)的模糊率，通過(guò)使其為光譜模糊率為20%以上、更優(yōu)選為30%以上，就能增強(qiáng)強(qiáng)烈受到被結(jié)晶硅類光電轉(zhuǎn)換層光封閉的影響的700-900nm的波長(zhǎng)域的光的散射、光封閉，可以增大發(fā)電電;危。在所述第一實(shí)施方式所述的光電轉(zhuǎn)換裝置中，可以在所述帶透明電極基板與主要具有所述結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層之間，形成主要具有非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，由于在主要具有非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層中進(jìn)行太陽(yáng)光的短波長(zhǎng)側(cè)成分的光電轉(zhuǎn)換，在主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層中進(jìn)行太陽(yáng)光的長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)成分的光電轉(zhuǎn)換，因此可以構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換效率更高的光電轉(zhuǎn)換裝置。在所述第一實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置中，可以在主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層與主要具有所述結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層之間，形成中間接觸層。通過(guò)構(gòu)成中間接觸層，可以使主要具有非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層薄膜化，并改善惡化率，另一方面，降低向主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層入射的光，并降低電流值。因此，基于以非晶硅類半導(dǎo)體為主的光電轉(zhuǎn)換層的惡化率改善和以結(jié)晶硅類半導(dǎo)體為主的光電轉(zhuǎn)換層的發(fā)電電流的降4氐的相對(duì)關(guān)系，中間接觸層的膜厚優(yōu)選在90nm以下，更優(yōu)選在50nm以上70nm以下。此外，作為中間接觸層，用ZnO系膜(例如GZO膜)形成，ZnO系單膜的光吸收率更優(yōu)選在義=450nm以上1000nm以下的范圍內(nèi)小于1%。由于一旦損壞中間接觸層的透明性，向以結(jié)晶硅類半導(dǎo)體為主的光電轉(zhuǎn)換層入射的光就會(huì)降低，發(fā)電電流降低，因此相對(duì)于波長(zhǎng)為450nm以上1OOOnm以下的波長(zhǎng)區(qū)域，優(yōu)選大體上是透明的。在才艮據(jù)所述第一實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置中，所述帶透明電極基板的透明電才及層表面由多個(gè)山部和多個(gè)平坦部構(gòu)成，該山部和該平坦部的表面連續(xù)具有多個(gè)微小的凸部，優(yōu)選所述山部的在所述基板面垂直方向的高度為0.4nm以上0.7pm以下，基板面10pm角中的所述山部的凄t量為15以上50以下，所述多個(gè)微小的凸部的底面直徑為O.lpm以上0.3|am以下，高度/底面直徑的比為0.7以上1.2以下。根據(jù)所述第一實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置，由于應(yīng)用具有所述特性的帶透明電極基板，所以即使作為主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層(例如串聯(lián)型太陽(yáng)電池的底部單元)的i層的膜厚例如為1.5pm的薄膜，也會(huì)產(chǎn)生高的發(fā)電電流。并且，通過(guò)使主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層的i層薄膜化，還可以抑制開(kāi)放電壓(Voc)和形狀因子(FF)的降低。即，通過(guò)將主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層做成薄膜，就可以降低膜厚部分的缺陷數(shù)量，此外，由于膜厚方向的電位梯度大，所以產(chǎn)生電荷難以被缺陷捕獲。因此，可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換裝置的薄膜化和高效率化。另外，由于通過(guò)使結(jié)晶硅類光電轉(zhuǎn)換層中的i層薄膜化，可以縮短由這個(gè)層的制膜時(shí)間進(jìn)行的速度控制的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造時(shí)間，因此根據(jù)所述第一實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置提高了生產(chǎn)性。作為已有技術(shù)中開(kāi)放電壓和形狀因子下降的原因之一，推定為是因?yàn)閺耐该麟姌O的谷的部分在光電轉(zhuǎn)換層的膜厚方向上產(chǎn)生膜生長(zhǎng)相之間的不連續(xù)的邊界(這個(gè)邊界^^皮稱為"異相")，成為載流子再結(jié)合中心。推定這個(gè)異相，在從基底的各個(gè)面進(jìn)行制膜.生長(zhǎng)硅膜時(shí)，撞擊此生長(zhǎng)面，撞擊面成為晶格的缺陷或微細(xì)的間隙，成為載流子再結(jié)合引起損失的原因。此外，通過(guò)光電轉(zhuǎn)換層的斷面方向的透射顯微4竟分析，可以檢測(cè)這種光電轉(zhuǎn)換層的膜厚方向的異相。按倍率8萬(wàn)倍以上、在長(zhǎng)度100pm的范圍內(nèi)觀察光電轉(zhuǎn)換層，識(shí)認(rèn)龜裂時(shí)存在異相，即使為一個(gè)貫通的異相，也能夠在識(shí)認(rèn)時(shí)判斷為存在貫通的異相。為了抑制這個(gè)異相的發(fā)生自體，不是單純地使透明導(dǎo)電性氧化物基板的凹凸大型化，使大的凹凸和小的凹凸混合存在是有效的。但是，即使在使用所述透明電極的情況下，例如以制膜速度為lnm/sec以上的高速制膜時(shí)，也難以完全地抑制異相的發(fā)生，在異相發(fā)生的抑制中存在形成光電轉(zhuǎn)換層的制膜條件選擇方面的限制。因此，本發(fā)明人得到以下知識(shí)在特別地以高速制膜的情況下，即使產(chǎn)生異相也可以遮斷貫通光電轉(zhuǎn)換層的異相。因此，本發(fā)明人得到以下認(rèn)識(shí)如果能抑制這個(gè)異相，或者，即使不能完全抑制卻能遮斷貫通光電轉(zhuǎn)換層的異相，則可以抑制開(kāi)放電壓降低、形狀因子降低?；谶@個(gè)認(rèn)識(shí)，為了解決上述課題，4艮據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置和根據(jù)第三實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法采用以下手段。即，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置，其至少具有:在透明絕緣性基板上設(shè)置透明電極層而形成的帶透明電極基板、在該帶透明電極基板的透明電極層一側(cè)依次形成的主要具有非結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層以及背面電極層，所述帶透明電極基板的表面為混合存在大小凹凸的形狀，并且光i普才莫糊率在550nm以上800nm以下的波長(zhǎng)時(shí)為20%以上，特別優(yōu)選在30%以上，在所述主要具有非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層中，設(shè)置遮斷從該光電轉(zhuǎn)換層的透明電極層側(cè)表面貫通背面電極層側(cè)表面的異相(膜生長(zhǎng)相之間的不連續(xù)的邊界)的層(被稱為異相遮斷層)，或者在所述基板與主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層之間，設(shè)置異相防止層，用于防止從該光電轉(zhuǎn)換層的透明電極層側(cè)表面貫通到背面電極層側(cè)表面的異相的形成。才艮據(jù)第二實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置，由于可以遮斷或防止從主要具有非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層的透明電極層側(cè)表面貫通到背面電極層側(cè)表面的異相，因此可以抑制由這種異相產(chǎn)生的電流泄漏，抑制開(kāi)放電壓降低、形狀因子降低。此外，根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，在透明絕緣性的基板上形成透明電極層制作帶透明電極基板，在該帶透明電極基板的透明電極層一側(cè)上至少依次形成主要具有非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層以及背面電極層，其中，所述帶透明電極基板的表面連續(xù)具有多個(gè)凸部，在主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層中，形成遮斷從該光電轉(zhuǎn)換層的透明電極側(cè)表面貫通到背面電極層側(cè)表面的異相的異相遮斷層，或者在所述透明電極層的形成與主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層形成之間，形成防止從該光電轉(zhuǎn)換層的透明電極層側(cè)表面貫通到背面電極側(cè)表面的異相的形成的異相防止層。根據(jù)第三實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，由于遮斷或防止從主要具有非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層的透明電極層側(cè)表面貫通到背面電極層側(cè)表面的異相，因此可以制造抑制由這種異相產(chǎn)生的電流泄漏、抑制開(kāi)^t電壓降低、形狀因子降低的光電轉(zhuǎn)換裝置。在根據(jù)所述第二實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置和根據(jù)第三實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法中，設(shè)主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層是依次形成p層、i層、n層而構(gòu)成的層，設(shè)所述異相遮斷層在所述i層的一部分中，與p層、n層或者i層的其他部分相比，為以更4氐速度進(jìn)行制膜的層。通過(guò)低速制膜，可以增大在制膜面表面的制膜粒子的擴(kuò)散、移動(dòng)時(shí)間，在更穩(wěn)定的側(cè)面上淀積形成低缺陷的層即形成異相少的層。此外，由于低速制膜的層是i層的一部分并且4艮薄，因此低速制膜的制膜時(shí)間所花費(fèi)的處理時(shí)間對(duì)總體生產(chǎn)時(shí)間造成的影響變少，可以維持生產(chǎn)性不變而形成異相少的層?；蛘?設(shè)主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層為通過(guò)依次形成p層、i層、n層而構(gòu)成的層，設(shè)所述n層的一部分或總體為非結(jié)晶的層，所述n層可以具有所述異相遮斷層的功能。而且，作為非結(jié)晶，在用喇曼光譜分析進(jìn)行分析時(shí)，不能完全檢測(cè)出Si結(jié)晶的峰值，在制膜條件下，在降低氬氣/硅烷氣體稀釋率的方向或者在降低RF功率的方向上可以獲得Si結(jié)晶的峰值。在疊層膜中僅再表面(再表面)為非結(jié)晶膜的情況下，用喇曼光譜分析常檢測(cè)出基底的Si結(jié)晶膜的峰值，在玻璃基板或帶有透明電極的玻璃基板上，只形成單一條件的膜并實(shí)施喇曼光譜分析，判斷Si結(jié)晶峰值的有無(wú)。非結(jié)晶的膜，由于缺陷被氫終端(終端)，所以與結(jié)晶相比，由于缺陷難以連續(xù)，難以產(chǎn)生異相，因此具有遮斷異相的功能?；蛘?，設(shè)主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層為依次形成p層、i層、n層而構(gòu)成的層，通過(guò)使所述n層的至少一部分為在200Pa以上的壓力下進(jìn)行制膜的層，所述n層就可以具有異相遮斷層的功能。在高壓下制膜時(shí)，由于促進(jìn)制膜的原料氣體的氣相中的沖撞擴(kuò)散，使原料氣體容易到達(dá)基底的凹部，所以在凹部中也均勻地制膜，因此認(rèn)為在缺陷上也能均勻地形成良好的膜，即可以抑制異相。或者，可以設(shè)所述異相防止層為圓滑化所述凸部的所述透明電極層。所述凸部的圓滑化，指的是關(guān)于通過(guò)連續(xù)形成凸部而在凸部的邊界生成谷部，盡管通常用于按照全為平面的組合的谷的底為清晰的線狀，但是為了沒(méi)有這個(gè)線而使底面圓滑化，'例如，具有像斷勺(77。一:/力y卜)的形狀。可以對(duì)所述透明電極層表面實(shí)施離子處理形成所述異相防止層。所謂離子處理，例如，是在真空中用氬離子照射的離子蝕刻，通過(guò)原子級(jí)的蝕刻、再附著就能控制透明電極的表面形狀。通過(guò)調(diào)整離子蝕刻的離子照射角度和離子能量，特別地對(duì)透明電極的凹凸蝕刻除去斜面部的原子，就可以使其再附著在谷部的底面，結(jié)果是可以使銳利的谷形狀圓滑化。在根據(jù)所述第二實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置和根據(jù)第三實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法中，所述帶透明電極基板優(yōu)選在550nm以上800nm以下的波長(zhǎng)中光傳模糊率在20%以上。所述光譜模糊率特別優(yōu)選在30%以上。如上所述，在已有的凹凸(紋理結(jié)構(gòu))結(jié)構(gòu)的情況下，波長(zhǎng)550nm的光語(yǔ)模糊率即使為30%,波長(zhǎng)800nm的光語(yǔ)模糊率也在5。/。以下，因希望用結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層封閉光的700~900nm的波長(zhǎng)區(qū)域的光的散射增強(qiáng)而使得光封閉不完全。因此，根據(jù)所述第二實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置和根據(jù)笫三實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法中，使凹凸大型化，即使相對(duì)于長(zhǎng)波長(zhǎng)光也能成為高的模糊率。此外，在350nm以下的波長(zhǎng)域，由于所述透明電極的透射率變小，所以無(wú)法使用模糊計(jì)測(cè)量光鐠模糊率。因此，通過(guò)使在550nm以上800nm以下的波長(zhǎng)的光譜;漠糊率在20%以上，優(yōu)選在30%以上，就可以增強(qiáng)強(qiáng)烈受到被結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層光封閉的影響的700900nm的波長(zhǎng)域的光散射、光封閉效應(yīng)，從而可以增大發(fā)電電流。在根據(jù)所述第二實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置和根據(jù)第三實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法中，可以在主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層與所述背面電極之間，形成主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層。通過(guò)這種構(gòu)成，由于在主要具有非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層中進(jìn)行太陽(yáng)光的短波長(zhǎng)側(cè)成分的光電轉(zhuǎn)換，在主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層中進(jìn)行太陽(yáng)光的長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)成分的光電轉(zhuǎn)換，因此可以構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換效率更高的光電轉(zhuǎn)換裝置。此外，主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層不限于結(jié)晶硅類半導(dǎo)體，即使主要具有結(jié)晶或非晶硅類半導(dǎo)體、結(jié)晶或非晶硅鍺系半導(dǎo)體也可獲得同等效果。此外，還可以與主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層進(jìn)一步層疊第三光電轉(zhuǎn)換層，成為三層結(jié)構(gòu)以上的光電轉(zhuǎn)換裝置。這種情況下，主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層和第三光電轉(zhuǎn)換層可以是主要具有結(jié)晶或非晶石圭類半導(dǎo)體、結(jié)晶或非晶硅鍺系半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層，為了按照主要具有非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層、主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層、第三光電轉(zhuǎn)換層的順序增大向長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)成分的吸收，也可以設(shè)定各光電轉(zhuǎn)換層的材料、膜質(zhì)和膜厚。根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種兼顧高的光電轉(zhuǎn)換效率和高的生產(chǎn)性的光電轉(zhuǎn)換裝置及其制造方法。本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置可以很好地適用于太陽(yáng)電池。此外，根據(jù)本發(fā)明，在采用表面為混合存在大小凹凸的形狀、且光鐠模糊率在550nm以上800nm以下的波長(zhǎng)時(shí)為20%以上，特別優(yōu)選在30%以上的帶透明電極基板的光電轉(zhuǎn)換裝置中，可以抑制開(kāi)放電壓和形狀因子的低下，并實(shí)現(xiàn)高的光電轉(zhuǎn)換效率。此外，還可以提供這種優(yōu)良的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法。本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置可以很好地適用于太陽(yáng)電池。-此外，即使光電轉(zhuǎn)換層薄膜化，也可以獲得高的光電轉(zhuǎn)換效率。通過(guò)薄膜化，盡管發(fā)電電流多少有些下降，但是能大幅度地改善相對(duì)于已有的基板因薄膜化而導(dǎo)致發(fā)電電流下降。此外，通過(guò)薄膜化，可以提高開(kāi)放電壓和形狀因子。因?yàn)橥ㄟ^(guò)薄膜化而使光電轉(zhuǎn)換層薄膜化，就能以膜厚相當(dāng)部分降低在光電轉(zhuǎn)換層中所含的缺陷，以及通過(guò)擴(kuò)大相對(duì)于在光電轉(zhuǎn)換層內(nèi)產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)的電位梯度，就可以降低生成電荷的再結(jié)合(因缺陷導(dǎo)致的消減)概率。從生產(chǎn)性的觀點(diǎn)考慮，薄膜化的優(yōu)點(diǎn)是大的?？梢钥s短每個(gè)光電轉(zhuǎn)換裝置的生產(chǎn)時(shí)間，還可以降低生產(chǎn)裝置的制膜室內(nèi)部的維護(hù)頻率，結(jié)果是，可以使每單位時(shí)間或每個(gè)裝置的生產(chǎn)量增大到薄膜化的膜厚的比率以上。因此，如果考慮到生產(chǎn)，可以說(shuō)在光電轉(zhuǎn)換效率的提高以上，生產(chǎn)性提高的優(yōu)1點(diǎn)大。圖l是表示本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)的概括圖。圖2是表示在本發(fā)明第一實(shí)施方式中使用的帶透明電極基板的形狀和結(jié)構(gòu)的一部分切除的剖面圖。圖3是圖2所示的山部112的放大圖。圖4(a)-圖4(e)是表示本發(fā)明的太陽(yáng)電池面板的制造方法的實(shí)施方式的一部分的概括圖。圖5(a)T圖5(c)是表示本發(fā)明的太陽(yáng)電池面板的制造方法的實(shí)施方式的一部分的概括圖。圖6(a)-圖6(b)是表示本發(fā)明的太陽(yáng)電池面板的制造方法的實(shí)施方式的一部分的概括圖。圖7(a)-圖7(d)是表示本發(fā)明的太陽(yáng)電池面板的制造方法的實(shí)施方式的一部分的概括圖。圖8是在本發(fā)明第二實(shí)施方式的離子處理前的帶透明電極基板的透明電極表面的電子顯微鏡照片。圖9是在本發(fā)明第二實(shí)施方式的離子處理后的帶透明電極基板的透明電極表面的電子顯微鏡照片。圖10是使用本發(fā)明第二實(shí)施方式的帶透明電極基板制作出的串聯(lián)型太陽(yáng)電池的剖面的透射型電子顯纟敬鏡照片。圖11是使用本發(fā)明第二實(shí)施方式的帶透明電極基板制作出的串聯(lián)型太陽(yáng)電池的剖面的透射型電子顯微鏡照片。如實(shí)施例7所示，設(shè)非結(jié)晶Si-i層的制膜后期為相位遮斷層，抑制貫通非結(jié)晶Si層的異相。圖12是表示在實(shí)施例11的串聯(lián)型太陽(yáng)電池中的、底部單元的n層制膜后的喇曼比和太陽(yáng)電池特性的關(guān)系的圖。符號(hào)說(shuō)明1基板2透明電極層3光電轉(zhuǎn)換層4背面電極層6太陽(yáng)電池模塊90光電轉(zhuǎn)換裝置91第一單元層(頂層)92第二單元層(底層)93中間接觸層110帶透明電極基板111基板112山部114透明電極115小山部116連續(xù)層117凸部Ha山部的高度Pa山部間的平均間隔He小山部的Hc的高度Pc小山部間的平均間隔Hb凸部的高度Pb凸部間的間隔15絕緣溝21背板23輸出電纜50太陽(yáng)電池面+反具體實(shí)施方式第一實(shí)施方式下面參照本發(fā)明的第一實(shí)施方式。首先，介紹通過(guò)本實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法制造的光電轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)。圖l是表示本實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)的^f既括圖。光電轉(zhuǎn)換裝置卯是硅類太陽(yáng)電池，包括基板l、透明電極層2、作為太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換層3的第一單元層(頂層)91和第二單元層(底層)92、以及背面電極層4。在本實(shí)施方式中，第一單元層91是主要具有非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層，第二單元層是主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層。優(yōu)選第二單元層92的膜厚在1.2pm以上2.(Him以下，并且第二單元層92的喇曼比為3.0以上8.0以下。更優(yōu)選喇曼比為3.5以上8.0以下，進(jìn)一步優(yōu)選為5.0以上7.5以下。通過(guò)使第二單元層92的喇曼比為3.0以上8.0以下，可以獲得用非晶硅適當(dāng)?shù)靥畛渚w的粒界的光電轉(zhuǎn)換裝置，由于可以抑制晶界的電流泄漏，因此可以獲得抑制開(kāi)放電壓(Voc)和形狀因子(FF)降低的光電轉(zhuǎn)換裝置。這里，"喇曼比，，指的是喇曼光語(yǔ)評(píng)價(jià)中520cm-l的結(jié)晶Si的強(qiáng)度和480cm-l的非結(jié)晶Si的強(qiáng)度的比(結(jié)晶Si的強(qiáng)度/非結(jié)晶Si的強(qiáng)度)(以下相同)。作為喇曼比的測(cè)量方法，將光電轉(zhuǎn)換裝置的背面電極用過(guò)氧化氫水等的溶劑進(jìn)行溶劑除去作為試件。首先，從第二單元層92的膜面?zhèn)日丈錅y(cè)量用光。作為測(cè)量用光，使用激光單色，例如，可以適當(dāng)?shù)厥褂肶AG激光器的光的2倍波(波長(zhǎng)532nm)。從第二單元層92的膜面?zhèn)壬淙霚y(cè)量用光時(shí)，盡管觀測(cè)到喇曼散射，但測(cè)量用光和散射光的一部分在第二單元層92中被吸收。因此，例如，在將YAG激光器的光的2倍波作為測(cè)量用光的情況下，可以獲得距入射面O.lpm的深度的信息。此外，在第二單元層92與背面電極層4之間形成第二透明電極層的情況下，由于能將第二透明電極層的喇曼峰值作為背景相抵，因此即使不用稀鹽酸等的溶劑對(duì)第二透明電極層進(jìn)行溶劑除去也可以。如上所述，喇曼比評(píng)價(jià)光電轉(zhuǎn)換層i層(實(shí)質(zhì)上是真性層)，在一般使用的激光波長(zhǎng)532nm中，根據(jù)0.1pm的侵入深度，就成了評(píng)價(jià)距表面約0.1(xm的膜的結(jié)晶化率。在本實(shí)施方式中，盡管直接含義是第二單元層92的i層制膜后的喇曼比在3.0以上8.0以下，但是由于即使在最外表面上對(duì)n層進(jìn)行制膜，n層的膜厚也薄到0.03pm左右，所以根據(jù)來(lái)自i層的信息是受支配的，以及一般的n層的結(jié)晶性也為2~10，即使在n層制膜后測(cè)量含有n層的喇曼比也與n層制膜前的值相近。因此，笫二單元層92的喇曼比優(yōu)選在3.0以上8.0以下的范圍。此外，喇曼比在制膜中根據(jù)制膜裝置結(jié)構(gòu)等在基板1上產(chǎn)生分布。例如，存在制膜時(shí)因基板l的表面上的原料氣體組成變化而導(dǎo)致的局部的喇曼比分布，以及因等離子體、溫度分布而導(dǎo)致的整體的喇曼比分布。為此，在評(píng)價(jià)的基板1上作為極力整體平均值評(píng)價(jià)。例如，如果是lm角以上的基板尺寸，則優(yōu)選在均等區(qū)分的至少10個(gè)部位以上的區(qū)域進(jìn)行測(cè)量，并用這個(gè)平均值進(jìn)行評(píng)價(jià)。所謂喇曼比為3.0以上8.0以下的值是與一般促進(jìn)結(jié)晶化的結(jié)晶硅的值相比，含有更多非晶硅的值。特別是，在使用像雙紋理結(jié)構(gòu)基板那樣的高模糊基板的情況下，由于由基板的凹凸引起的晶界的缺陷的產(chǎn)生，因此用非晶硅適當(dāng)?shù)靥畛淞＝缡呛苤匾?。喇曼比?yōu)選為3.0以上的理由是，為了使在結(jié)晶硅部產(chǎn)生的電荷能導(dǎo)通在斷面方向上連接的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，這是由于使大部分的結(jié)晶結(jié)構(gòu)在膜厚方向連續(xù)所必需的喇曼比在3.0以上，通過(guò)斷面觀察可以確認(rèn)這一點(diǎn)。喇曼比優(yōu)選在8.0以下的理由是，為了抑制不發(fā)生使柱狀結(jié)晶的粒界成為電流泄漏點(diǎn)的電壓，優(yōu)選用非結(jié)晶填充晶界，這是由于試驗(yàn)證明在這種情況下喇曼比應(yīng)該在8.0以下。而且，這里，"硅類"指的是包含硅(Si)、碳化硅(SiC)和硅鍺(SiGe)的統(tǒng)稱。此外，"結(jié)晶硅類，，指的是非晶硅類、即非晶硅類以外的硅類，包含微結(jié)晶硅、多結(jié)晶硅類。在第一單元層91與第二單元層92之間，可以設(shè)置由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的中間接觸層93(但是，本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置不限于設(shè)置中間接觸層93)。在設(shè)置中間接觸層93的情況下，入射太陽(yáng)光的一部分被這個(gè)中間接觸層93反射，并再次入射第一單元(頂層)91。由此，在第一單元層(頂部單元)91中的發(fā)電電流增加。因此，即使第一單元層91的膜厚變薄，也可以獲得與沒(méi)有層疊中間接觸層93的情況相同的發(fā)電電流。因此，通過(guò)使第一單元層91的非晶硅類半導(dǎo)體的膜厚變薄，可以抑制該第一單元層91中的光惡化，可以提高作為光電轉(zhuǎn)換裝置整體的穩(wěn)定化效率。通過(guò)使中間接觸層93的膜厚變厚，可以增加第一單元層91即非晶硅類半導(dǎo)體的發(fā)電電流。此時(shí)，由中間接觸層93反射的太陽(yáng)光的波長(zhǎng)中的第二單元層92中的發(fā)電電流減少。實(shí)際上，在第二單元層92即結(jié)晶硅類半導(dǎo)體中，與第一單元層91即非晶硅類半導(dǎo)體相比，也可以通過(guò)長(zhǎng)波長(zhǎng)區(qū)域的太陽(yáng)光進(jìn)行向電能的轉(zhuǎn)換。因此，必須通過(guò)使中間接觸層93的膜厚最佳化，來(lái)抑制根據(jù)中間接觸層93的第二單元層92即結(jié)晶硅類半導(dǎo)體所需吸收的長(zhǎng)波長(zhǎng)區(qū)域的太陽(yáng)光的吸收率。從根據(jù)本實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的中間接觸層93的膜厚、與第二單元層92中波長(zhǎng)800nrn(與太陽(yáng)光的長(zhǎng)波長(zhǎng)區(qū)域相對(duì)應(yīng))的量子效率(入射中賦予發(fā)電的比例)的關(guān)系出發(fā)，如果中間接觸層93的膜厚變厚，則在中間接觸層93的長(zhǎng)波長(zhǎng)區(qū)域的太陽(yáng)光的反射率也會(huì)增大，入射到第二單元層92的光量減少。中間接觸層93優(yōu)選在光吸收率為A=450nm以上1000nm以下的范圍內(nèi)小于1%,相對(duì)于這個(gè)波長(zhǎng)區(qū)域，優(yōu)選是大致透明的。另一方面，在中間接觸層93的膜厚變厚時(shí)，在中間接觸層93與背面電極層4之間光的封閉的效果會(huì)增大。因此，入射到第二單元層92的光吸收率增大。相對(duì)于波長(zhǎng)800nm的太陽(yáng)光，第二單元層92中的光封閉效率有效作用(量子效率可以維持在一定值)的中間接觸層93的膜厚為100nm以下。如上所述，考慮第一單元層91和第二單元層92的發(fā)電電流平衡，最佳的中間接觸層93的膜厚值在實(shí)驗(yàn)的為90nm以下，更優(yōu)選為50nm以上70nm以下。由此，實(shí)現(xiàn)了具有更高穩(wěn)定化效率的光電轉(zhuǎn)換裝置。接著，使用圖2和圖3詳細(xì)說(shuō)明在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置中使用的、形成了透明電極的透明絕緣性基板(以下也稱為"帶透明電極基板，，)的形狀和結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置及其制造方法被這些圖所示情況所限定。圖2是表示在本實(shí)施方式中使用的帶透明電極基板的形狀和結(jié)構(gòu)的一部分切除的剖面圖，圖3是圖2所示的山部112的擴(kuò)大圖。如圖2所示，在本實(shí)施方式中使用的帶透明電極基板IIO結(jié)構(gòu)為，在基板111上具有不連續(xù)多個(gè)山部112的巨大凹凸(紋理結(jié)構(gòu))以及填埋該山部間的多個(gè)平坦部113,該山部112和該平坦部113的外表面具有孩i小的多個(gè)凹凸(紋理結(jié)構(gòu))。下面將這種具有2個(gè)凹凸的結(jié)構(gòu)稱為雙紋理結(jié)構(gòu)。此外，在本實(shí)施方式中，如圖2所示，透明電才及114伊乙選由第一氧化物構(gòu)成的不連續(xù)小山部115和由形成在其上的第二氧化物構(gòu)成的連續(xù)層并且即在該連續(xù)層的表面上連續(xù)具有多個(gè)4敬小的凸部的連續(xù)層116構(gòu)成。小山部115的密度在基板111面的每10pm角時(shí)為15以上50以下，優(yōu)選在20以上45以下。這個(gè)小山部115之間的平均間距Pc相當(dāng)于1.0^im以上3Hm以下。由第二氧化物構(gòu)成的連續(xù)層116被連續(xù)地形成在小山部115上和不形成小山部115的部分的玻璃基才反111上。在本實(shí)施方式中，上述山部112的平均高度Ha(距平坦部上的微小凸部的頂部的高度的平均值)為0.4(rni以上0.7|am以下，優(yōu)選為0.5pm以上0.6nm以下。此外，相鄰的上述山部之間的平坦部的距離(以下也簡(jiǎn)稱為"山部間的間隔，，)Wa優(yōu)選在直線上為(Him以上1.5(im以下，更優(yōu)選為0pm以上l.Oum以下，最優(yōu)選為0.1pm以上0.4pm以下(哪個(gè)山部112都不連續(xù))。在本實(shí)間的間隔Wa為Opm以上1.5fim以下可以指的是沒(méi)有平坦部也是可以的。而且，在沒(méi)有平坦部的情況下，即使不與上述山部相鄰，使用上述附近的平坦部也可以測(cè)量Ha,或者可以通過(guò)進(jìn)行剖面的顯微鏡觀察，來(lái)測(cè)量Ha。此外，上述山部112的密度為與小山部115的密度相同的值，在基板111面的每10pm角為15以上50以下，優(yōu)選為20以上45以下。這個(gè)山部112之間的平均間距Pa相當(dāng)于1.Opm以上3以下在本實(shí)施方式中，上述小山部115的高度He為與上述山部的高度Ha相同的值，即，0.4^im以上0.7jxm以下，更優(yōu)選在0.5|im以上0.6[im以下。在本實(shí)施方式中，如圖3所示，山部112和平坦部113的表面，即，由第二氧化物構(gòu)成的連續(xù)層116的表面具有多個(gè)微小的凸部117。多個(gè)微小的凸部的底面直徑為0.1pm以上0.3pm以下，高度/底面直徑的比為0.7以上1.2以下。此外，示出了微小的凸部的連續(xù)層在整個(gè)表面上存在微小凸部的狀況，即使在一部分中存在微小凸部缺損的區(qū)域，也可以看作是連續(xù)的狀況。此外，在圖3中，上述小山部115上的連續(xù)層116的厚度Hd(含微小的凸部)優(yōu)選為0.5|im以上1.0pm以下，更優(yōu)選在0.5pm以上0.7pm以下。同樣，上述玻璃基板111上的連續(xù)層116的厚度He(包含^f敖小的凸部)優(yōu)選在0.5jam以上1.0pm以下，更優(yōu)選為0.5|xm以上0.7|mi以下。在本實(shí)施方式中，通過(guò)^f吏上述山部112和上述平坦部113的外表面成為比這種山部的凹凸(巨大的凹凸)更小的凹凸(微小凹凸)，可以使短波長(zhǎng)的光很強(qiáng)地散射，從而可以整體上使寬的區(qū)域的光有效地散射。即，因?yàn)橛纱蟮陌纪辜瓷讲磕軌蚴归L(zhǎng)波長(zhǎng)的光散射，從小的凹凸表面開(kāi)始能夠使短波長(zhǎng)的光散射，所以可以整體上達(dá)到高的光散射性。特別是，在本實(shí)施方式中，通過(guò)控制山部112的高度和密度，使長(zhǎng)波長(zhǎng)的光的散射最佳化，實(shí)現(xiàn)了由結(jié)晶硅類半導(dǎo)體構(gòu)成的光電轉(zhuǎn)換層的發(fā)電效率的提高以及制膜時(shí)間的縮短。所述帶透明電極基板110中的這種表面性狀，例如，可以通過(guò)以下所示的方法來(lái)確^人。(1)表面形狀的分析用掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察膜表面的凸部，由得到顯微鏡照片，可以測(cè)量凸部的底面直徑。此外，利用SEM、原子間力顯孩M竟(AFM)觀察膜表面的凹凸形狀，并且得到顯纟敫#;照片，可以分析膜表面的凹凸形和凸部的高度。(2)表面被覆率的測(cè)量用SEM照片測(cè)量向由第一氧化物構(gòu)成的小山部的基板上的被覆率，可以用小山部占據(jù)基板上的面積除以基板的該被覆面整體的面積的值作為表面被覆率，進(jìn)行評(píng)價(jià)。此外，質(zhì)量膜厚表示的是相對(duì)于處于基板上的一定面積中的不連續(xù)的金屬氧化物，利用熒光X射線裝置檢查與該金屬氧化物的金屬量成比例的檢測(cè)量，與在另外制備的基板上連續(xù)并且膜厚已知的同種金屬氧化物中的熒光X射線裝置的檢測(cè)量相比較，將不連續(xù)的氧化物的體積假定為連續(xù)的所得到的膜厚。此外，具有這種形狀和結(jié)構(gòu)的帶透明電極基板110,在整個(gè)基板上，在550nm以上800nm以下的波長(zhǎng)中的光譜模糊率為30%以上，優(yōu)選為40%以上。這里，"光語(yǔ)模糊率，，表示透射光中散射成分的比例。光語(yǔ)模糊率依賴于波長(zhǎng)，假設(shè)光語(yǔ)模糊率為Hz(勺，全透射率為Ttotal。)，透射光的直行成分為Tdirect(A),透射光的散射成分為Tdiffuse。)，則下述等式所示的關(guān)系式成立o■Ttotal(A)=Tdirect(義)+Tdiffuse(義)Hz(義)=Tdiffose(A)/Ttotal(義)x1OO[%]下面詳細(xì)介紹滿足上述本實(shí)施方式的帶透明電極基板的形狀和結(jié)構(gòu)以及特性的基板(透明基板)、第一氧化物和第二氧化物。<基板(透明基板)>在本實(shí)施方式的帶透明電極基板中使用的基板不必是平面的板狀的，也可以是曲面、異型狀的。作為這種基板，優(yōu)選至少其表面是與后述的第一氧化物不同的材料，具體地說(shuō)，可以列舉玻璃基板、陶瓷基板、塑料基板、金屬基板等，以及在這些基板表面上施加氧化硅膜、氧化鋁膜、氧化鋯膜、氧化鈦膜等堿性阻擋層的等。其中，優(yōu)選透光性好的透明基板，從強(qiáng)度和耐特性的觀點(diǎn)考慮，玻璃基板或者施加了堿性阻擋層的玻璃基板是優(yōu)選的。此外，這種基板，在光電轉(zhuǎn)換層的主要吸收波長(zhǎng)區(qū)域即550nm以上800nm以下的波長(zhǎng)區(qū)域中，優(yōu)選具有高透射率、例如80%以上的透射率，希望是充分絕緣、并且化學(xué)的、物理的耐久性高。作為上述玻璃基板，具體地說(shuō)，例如，可以使用由無(wú)色透明的堿石灰硅酸鹽玻璃、鋁硅酸鹽玻璃、棚酸鹽玻璃、鋰鋁硅酸鹽玻璃、石英玻璃、硼硅酸玻璃基板、無(wú)堿玻璃基板、其他各種玻璃構(gòu)成的透明玻璃板。此外，在使用本實(shí)施方式的帶透明電極基板作為太陽(yáng)電池用基板的情況下，從強(qiáng)度和透射率方面考慮，玻璃基板的厚度為0.2mm以上6.0mm以下是優(yōu)選的。而且，在由蘇打石灰硅酸鹽玻璃等的含鈉的玻璃構(gòu)成的玻璃基板或者由含有低堿的玻璃構(gòu)成的玻璃基板的情況下，為了使從玻璃向在其上面形成的透明導(dǎo)電膜的堿成分的擴(kuò)散最小，優(yōu)選使用施加上述堿性阻擋層的玻璃基板。此外，在玻璃基板的表面上，還可以具有用于減輕玻璃基板的表面和在其上設(shè)置的層的折射率的差異的層。<第一氧化物>構(gòu)成本實(shí)施方式的帶透明電極基板的透明電極膜的第一氧化物如果在可視光區(qū)域內(nèi)是高透明的氧化物就不特別地限定，作為其具體例子，可以列舉Ti02、Sn02、ln203、ZnO、CdO、Cdln204、CdSn03、Mgln204、CdGa204、Galn。3、InGaZn04、Cd2Sb207、Cd2Ge04、CuA102、CuGa02、SrCu202、A1203等。其中，優(yōu)選使用從由Ti02、Sn02及含有氟的Sn02構(gòu)成的組中選擇的至少一種。在本實(shí)施方式中，形成小山部這樣的第一氧化物的折射率在波長(zhǎng)400nm以上800nm以下，為1.8以上2.2以下，更優(yōu)選為1.9以上2.1以下。示出作為第一氧化物的形成方法的一個(gè)例子。將上述的帶堿性阻擋層玻璃基板在帶式傳送爐中加熱到520°C，將四氯化錫、水、氯化氬氣體同時(shí)吹到玻璃基板上，形成氧化錫核。此時(shí)，預(yù)先加熱四氯化錫、水，使氮?dú)夥序v并被移送，與氯化氫氣體同時(shí)移送，從而吹向玻璃基板。形成氧化錫核之后，通過(guò)將四氯化錫和水同時(shí)吹向玻璃基板，形成第一氧化物即Sn02。此時(shí)，四氯化錫、水被預(yù)先加熱，并使氮?dú)夥序v，從而被吹向玻璃基壽反。而且，如上所述，由于由這種第一氧化物構(gòu)成的小山部是不連續(xù)的突起物，即不是連續(xù)膜，所以未覆蓋在該突起物上的透明基板的部分，必然因這種小山部而導(dǎo)致入射光的吸收損失為零，可以增加向光電轉(zhuǎn)換層的入射光量。這些小山部是提高長(zhǎng)波長(zhǎng)光的光語(yǔ)模糊率(提高光的散射度)的部分，為了抑制自由電子的吸收，成為高透明度，優(yōu)選無(wú)電氣導(dǎo)電性。因此，在使用Sn02作為上述第一氧化物的情況下，只由Sn02構(gòu)成，或者即使含有氟的情況下，優(yōu)選氟相對(duì)于Sn02的含量為0.01mol%以下，更優(yōu)選含量為0,005molc/o以下。<第二氧化物〉構(gòu)成本實(shí)施方式的帶透明電極基板的透明電極膜的第二氧化物必需是在可見(jiàn)光區(qū)域內(nèi)是透明的，并且是具有導(dǎo)電性的透明導(dǎo)電氧化物，作為其具體例子，可列舉Sn02、ZnO、111203等，可以同時(shí)使用兩種以上，此外，優(yōu)選含有用于發(fā)現(xiàn)導(dǎo)電性的摻雜劑。其中，Sn02優(yōu)選作為摻雜劑的氟或銻相對(duì)于Sn02含量為O.Olmol%以上4mo1%以下。ZnO優(yōu)選作為摻雜劑的從硼、Al和Ga構(gòu)成的組中選擇的至少一種相對(duì)于ZnO含量為0.02mol%以上5mol%以下。111203優(yōu)選作為摻雜劑的Sn相對(duì)于ln203含量為0.02mol%以上4mol%以下。而且，使用這種摻雜劑的摻雜可以用卣化氫進(jìn)行。作為這種氯化氫，具體地說(shuō)，可以列舉例如HF、HBr等。在本實(shí)施方式中，形成連續(xù)層的第二氧化物的折射率在波長(zhǎng)400nm以上800nm以下時(shí)，優(yōu)選為1.8以上2.2以下，更優(yōu)選為1.9以上2.1以下。此外，通過(guò)使用含有氟的Sn02作為上述第二氧化物，提高了導(dǎo)電電子密度。作為在太陽(yáng)電池中使用的基板，導(dǎo)電電子密度優(yōu)選為5xl0"cm-s以上4xl0^cm-s以下，更優(yōu)選為lxl(^cm-s以上2xl0"cm-s以下。如果導(dǎo)電電子密度在這個(gè)范圍內(nèi)，則由于由第二氧化物構(gòu)成的連續(xù)層的光吸收量少，高透明并且相對(duì)于活性氫種具有的高耐久性，所以即使通過(guò)形成薄膜硅類太陽(yáng)電池時(shí)，一般使用的氫等離子體照射，也不會(huì)損傷透明性，因此優(yōu)選。作為上述的第一氧化物和第二氧化物，可以使用相同的氧化物，在本實(shí)施方式中，優(yōu)選都使用Sn02。另外，第一氧化物和第二氧化物的折射率優(yōu)選為同等程度，具體地說(shuō)，優(yōu)選為1.8以上2,2以下。如果第一氧化物和第二氧化物的折射率都在這個(gè)范圍內(nèi)，則能控制第一氧化物和第二氧化物的界面上的光的反射，不使透射率降低，因此進(jìn)行優(yōu)選。此外，在本實(shí)施方式中，在由上述第一氧化物構(gòu)成的小山部與由上述第二氧化物構(gòu)成的連續(xù)層之間，該第一氧化物和該第二氧化物優(yōu)選含有由組成不同的氧化物構(gòu)成的氧化物層(以下簡(jiǎn)稱為"不同的氧化物層，，)。通過(guò)具有這種不同的氧化物層，在由第二氧化物構(gòu)成的連續(xù)層的表面上容易形成多個(gè)微小的凸部，可以容易形成具有山部和平坦部的結(jié)構(gòu)。此外，在具有這種不同氧化物層的多層結(jié)構(gòu)的透明電極膜中，必須減輕各層界面處的反射，使向后述的光電轉(zhuǎn)換層的入射光量最大。即，希望盡可能地減輕在玻璃基4反、由第一氧化物構(gòu)成的小山部、不同氧化物層、由第二氧化物構(gòu)成的連續(xù)層的各界面處的光反射。為此，希望第一氧化物、不同的氧化物以及第二氧化物的折射率盡可能地接近，或者折射率離散的情況下，希望不同的氧化物層盡可能薄些。作為這種不同的氧化物，具體地說(shuō)，例如，可以列舉,人由Si、Sn、Al、Zr和Ti構(gòu)成的組中選擇的一種以上的原子的氧化物，其中優(yōu)選以Si的氧化物作為主要成分。此外，上述不同的氧化物，由于必須具有高的透光性，因此更優(yōu)選是非結(jié)晶性的Si02。而且，不同的氧化物層的膜厚優(yōu)選為2nm以上40nm以下，更優(yōu)選為10nm以上30nm以下。如上所述，盡管本實(shí)施方式的帶透明電極基板由多個(gè)山部與填埋在其之間的多個(gè)平坦部構(gòu)成，該山部和外平坦部的表面上連續(xù)地具有多個(gè)微小的凸部，但優(yōu)選從基板上直到山部的頂部(含有微小的凸部)的高度為0.8pm以上3.0pm以下，更優(yōu)選為0.8pm以上l.Opm以下。希望多個(gè)微小的凸部的底面直徑為O.lpm以上0.3fxm以下，高度/底面直徑的比為0.7以上1.2以下。此外，膜整體的薄膜電阻優(yōu)選為8Q/口以上20Q/口以下，更優(yōu)選為8Q/口以上12Q/口以下，在用浸液法進(jìn)行測(cè)量的情況下，在550nm時(shí)的透射率(透明性)優(yōu)選為80%以上90%以下，更優(yōu)選為85%以上90%以下。此外，在光電轉(zhuǎn)換裝置的透明電極中使用由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的本實(shí)施方式的帶透明電極基板時(shí)，經(jīng)過(guò)基板入射的光通過(guò)透明電極折射、散射而入射到光電轉(zhuǎn)換部中，歷經(jīng)長(zhǎng)距離從光電轉(zhuǎn)換部中通過(guò)。結(jié)果是，大多的光^皮光電轉(zhuǎn)換部吸收，達(dá)到提高光電轉(zhuǎn)換效率的效果。特別是，在太陽(yáng)電池中使用的情況下，由于不降低開(kāi)放電壓和曲線因子就可以維持高短路電流，因此可以提高光電轉(zhuǎn)換效率。下面介紹本實(shí)施方式的太陽(yáng)電池面板的制造方法。這里，以在作為基板1的玻璃基板上依次層疊作為太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換層3的主要具有非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層和主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層為例進(jìn)行說(shuō)明。圖4~圖7是表示本實(shí)施方式的太陽(yáng)電池面板的制造方法的概括圖。(1)圖4(a):作為基板1，使用堿浮法玻璃基板(1.4mxl.lmx板厚4mm)。為了防止基板端面破損，優(yōu)選進(jìn)行角部倒角、R倒角加工。(2)圖4(b):基于所述實(shí)施方式，在基板l上對(duì)透明電極層2進(jìn)行制膜，形成帶透明電極基板。作為透明電極層2，除了透明電極膜之外，還可以在基板l與透明電極膜之間形成堿性阻擋膜(圖中未示出)。堿性阻擋膜，按50nm以上150nm以下、用熱CVD裝置、在500°C溫度下對(duì)氧化硅膜(Si02)進(jìn)行制膜處理。(3)圖4(c):之后，將基板1設(shè)置在X-Y工作臺(tái)上，如圖中的箭頭所示，從透明電極膜的膜面?zhèn)壬淙隮AG激光的第一高諧波(1064nm)。調(diào)整激光功率以使加工速度適當(dāng)，向相對(duì)于發(fā)電單元5的串聯(lián)連續(xù)方向垂直的方向相對(duì)移動(dòng)基板1和激光，將透明電極膜激光蝕刻為寬約6mm以上12mm以下的短格柵狀以l更形成溝槽10。(4)圖4(d):利用等離子體CVD裝置，在減壓氣氛30Pa以上150Pa以下、基板溫度約200°C、等離子體RF發(fā)生頻率13MHz以上100MHz以下的條件下，作為光電轉(zhuǎn)換層3的第一單元層(頂層)91,依次制成由非晶硅類薄膜構(gòu)成的p層膜/i層膜/n層膜。第一單元層91將SiHU氣體和H2氣體作為主原料在透明導(dǎo)電層2上進(jìn)行制膜。從太陽(yáng)光入射的側(cè)依次層疊p層、i層和n層。在本實(shí)施方式中，第一單元層91的p層是利用RF等離子體使SiH4、H2、CH4、B2H6氣體反應(yīng)生成的、非結(jié)晶的B摻雜SiC膜，膜厚優(yōu)選為4nm以上16nrn以下。第一單元層91的i層是RF等離子體使Si02和112反應(yīng)生成的、非結(jié)晶Si膜，膜厚優(yōu)選為100nm以上400nm以下。第一單元層91的n層是RF等離子體使SiH4、H2、PH3氣體反應(yīng)生成的、含有結(jié)晶成分Si膜，n層單膜的喇曼比為2以上，膜厚優(yōu)選為10nm以上80nm以下。而且，這里的"喇曼比"指的是喇曼光語(yǔ)評(píng)價(jià)中520cm"的結(jié)晶Si的強(qiáng)度和480cm"的非結(jié)晶Si的強(qiáng)度的比(結(jié)晶Si強(qiáng)度/非結(jié)晶Si強(qiáng)度)(以下相同)。此外，為了抑制所述p層(SiC膜)和i層(Si膜)的界面處的頻帶不匹配，作為緩沖層(圖中省略)，帶隙;也可以插入中間的物質(zhì)。接著，在第一單元層91上，利用等離子體CVD裝置，在減壓氣氛3kPa以下、基板溫度約200°C、等離子體RF發(fā)生頻率40MHz以上200MHz以下的條件下，依次制膜作為第二單元層(底部層)92的由微結(jié)晶硅薄膜構(gòu)成的微結(jié)晶p層膜/微結(jié)晶i層膜/微結(jié)晶n層膜。在本實(shí)施方式中第二單元層92的p層是利用RF等離子體使SiH4、H2、B2H6氣體反應(yīng)生成的、含有結(jié)晶成分的Si膜，p層單膜的喇曼比為2以上，膜厚優(yōu)選為10nm以上60nm以下。第二單元層92的i層是利用RF等離子體使SiH4和H2反應(yīng)生成的、含有結(jié)晶成分的Si膜，將這個(gè)i層在L5pm膜厚上層疊時(shí)的喇曼比為3.0以上8.0以下，膜厚優(yōu)選為1200nm以上2000nm以下。更優(yōu)選地，喇曼比為3.5以上8.0以下，進(jìn)一步優(yōu)選為5.0以上8.0以下。為了能^f吏在結(jié)晶硅部產(chǎn)生的電荷導(dǎo)通在斷面方向上連接的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，為了大部分的結(jié)晶結(jié)構(gòu)在膜厚方向連續(xù)所必需喇曼比為3.0以上，來(lái)決定喇曼比的下限值，這通過(guò)斷面觀察可以確認(rèn)。此外，為了抑制柱狀結(jié)晶的粒界成為發(fā)生電流泄漏點(diǎn)、不產(chǎn)生電壓，優(yōu)選用非結(jié)晶填充晶界，喇曼比的上P艮值實(shí)驗(yàn)求得喇曼比為8.0以下。第二單元層92的n層是利用RF等離子體使SiH4、H2、PH3氣體反應(yīng)生成的、含有結(jié)晶成分的Si膜，n層單膜的喇曼比為2以上，膜厚優(yōu)選為10nm以上80nm以下。每當(dāng)用等離子體CVD法形成微結(jié)晶硅薄膜時(shí)，特別是微結(jié)晶i層膜時(shí)，優(yōu)選等離子體放電電極和基板1的表面之間的距離d為3mm以上10mm以下。小于3mm的情況下，基于對(duì)應(yīng)大型基板的制膜室內(nèi)的各構(gòu)成設(shè)備精度，難以保持距離d—定，并且有可能過(guò)近而放電不穩(wěn)定。大于10mm的情況下，難以獲得足夠的制膜速度(lnm/s以上)，同時(shí)等離子體的均勻性下P條，因離子沖擊使得膜質(zhì)下降。第二單元層92的i層優(yōu)選在RF頻率40MHz以上200MHz以下、氣體壓力為0.5kPa以上3kPa以上、制膜速度lnm/s以上3nm/s以下的條件下進(jìn)行制膜，在本實(shí)施方式中，是在RF頻率為60MHz、氣體壓力為1.6kPa、制膜速度為2nm/s的條件下進(jìn)行的制膜。以為了構(gòu)成用于在第一單元層91與第二單元層92之間獲取電流匹配性的半反射膜為目的，作為中間接觸層93，可以通過(guò)濺射裝置制成并設(shè)置膜厚Onm以上90nm以下的ZnO系膜(例如GZO(摻雜Ga的ZnO)膜)。這個(gè)中間接觸層93優(yōu)選ZnO單膜中的光吸收率在義=450nm以上1000nm以下范圍內(nèi)時(shí)小于1%。(5)圖4(e)將基板1設(shè)置在X-Y工作臺(tái)上，如圖中的箭頭所示，從光電轉(zhuǎn)換層3的膜面?zhèn)壬淙爰す舛O管激勵(lì)YAG激光的第二高諧波(532nm)。脈沖振蕩作為10kHz以上20kHz以下，調(diào)整激光功率以使加工速度適當(dāng)，以透明導(dǎo)電層2的激光蝕刻線的約100nm以上150nm以下的橫側(cè)為目標(biāo)，進(jìn)行激光蝕刻，以便形成溝槽ll。盡管激光蝕刻線的位置不反轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)也沒(méi)有問(wèn)題，但是考慮到定位的公差，還是以所述數(shù)值為目標(biāo)。(6)圖5(a)作為背面電極層4，利用濺射裝置在減壓氣氛中、約150。C溫度下對(duì)Ag膜依次制膜。在本實(shí)施方式中，背面電極層4是將Ag膜制成膜厚150nm以上，并且以降低n層和背面電極層4的接觸電阻和提高光反射為目的，利用濺射裝置在光電轉(zhuǎn)換層3與背面電極層4之間制造設(shè)置膜厚10nm以上的ZnO系膜(例如GZO(摻雜Ga的ZnO)膜)。(7)圖5(b)將基板1設(shè)置在X-Y工作臺(tái)上，如圖中的箭頭所示，從基板1側(cè)射入激光二極管激勵(lì)YAG激光的第二高次諧波(532nm)。激光被光電轉(zhuǎn)換層3吸收，利用此時(shí)發(fā)生的高的氣體蒸氣壓爆裂并除去背面電極層4。脈沖振蕩作為lkHz以上10kHz以下，調(diào)整激光功率以使加工速度適當(dāng)，以透明導(dǎo)電層2的激光蝕刻線的約250|am以上400pm以下的橫側(cè)為目標(biāo)，進(jìn)行激光蝕刻，以便形成溝槽12。盡管激光蝕刻線的位置不反轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)也沒(méi)有問(wèn)題，但是考慮到定位公差，還是以所述數(shù)值為目標(biāo)。(8)圖5(c)區(qū)分發(fā)電區(qū)域，除去在基板端周邊的膜端部中因激光蝕刻造成的串聯(lián)連接部分容易短路的影響。將基板1設(shè)置在X-Y工作臺(tái)上，從基板1側(cè)射入激光二極管激勵(lì)YAG激光的第二高諧波(532nrn)。激光被透明導(dǎo)電層2和光電轉(zhuǎn)換層3吸收，利用此時(shí)發(fā)生的高的氣體蒸氣壓爆裂背面電極層4，除去背面電極層4/光電轉(zhuǎn)換層3/透明導(dǎo)電層2。脈沖振蕩作為lkHz以上10kHz以下，調(diào)整激光功率以使加工速度適當(dāng)，激光蝕刻距基板1的端部5mm以上15mm以下的位置，以便形成X方向絕緣溝槽15。此時(shí)，由于Y方向絕緣溝槽在后續(xù)工序中進(jìn)行基板1周圍區(qū)域的膜面研磨除去處理，因此沒(méi)有必要設(shè)置。由于通過(guò)^吏絕緣溝槽15在距離基板1的端部為5mm以上10mm以下的位置終止蝕刻，在抑制從太陽(yáng)電池面板端部向太陽(yáng)電池模塊6內(nèi)部浸入的外部濕氣上呈現(xiàn)有效的效果，所以是優(yōu)選的。(9)圖6(a)為了確保經(jīng)過(guò)后續(xù)工序的EVA等的與背板的健在的粘合、密封面，由于基板1周邊(周圍區(qū)域14)的疊層膜存在階梯，并且容易剝離，因此除去該膜。首先，在距離基板的端部5mm以上20mm以下的部分，在比所述的圖5(c)工序中設(shè)置的絕緣溝槽15更靠向基板端側(cè)的背面電極層4/光電轉(zhuǎn)換層3/透明導(dǎo)電層2中，使用砂輪研磨、噴砂研磨等進(jìn)行除去。對(duì)基板l進(jìn)行清洗處理，除去研磨屑和砂粒。(10)圖6(b)端子箱安裝部分在背板上設(shè)有開(kāi)口貫通孔，取出集電板。在這個(gè)開(kāi)口貫通孔部分上設(shè)置多層絕緣材料，從而抑制來(lái)自外部的濕氣浸入。進(jìn)行如下的處理，使用銅箔從串聯(lián)排列的一端的太陽(yáng)電池發(fā)電單元5和另一端的太陽(yáng)電池發(fā)電單元5進(jìn)行集電，從太陽(yáng)電池面板背面?zhèn)鹊亩俗酉洳糠秩〕鲭娏?。為了防止銅箔與各部分的短路，配置比銅箔寬度更寬的絕緣板。將集電用銅箔等配置在規(guī)定位置之后，覆蓋太陽(yáng)電池模塊6的整體，為了不從基板1突出來(lái)配置用EVA(乙烯-醋酸乙烯酯共聚物)等制成的填充材料板。在EVA上，設(shè)置防水效果高的背板21。背板21在本實(shí)施方式中由PTE板/AL箔/PET板的三層結(jié)構(gòu)構(gòu)成以使其防水防濕效果高。將配置在規(guī)定位置的EVA配置到背板21上，對(duì)EVA—面通過(guò)層壓裝置在減壓氣氛中進(jìn)行內(nèi)部脫氣并且在約150°C溫度下加壓，一面交聯(lián)而使EVA密接。(11)圖7(a)在太陽(yáng)電池模塊6的背側(cè)24上用粘接劑安裝端子箱。(12)圖7(b)用焊料等連接銅箔和端子箱的輸出電纜23,用密封劑(接合劑)填充端子箱內(nèi)部進(jìn)行密封。由此完成了太陽(yáng)電池面板50。(13)圖7(c)對(duì)直到圖7(b)工序形成的太陽(yáng)電池面板50進(jìn)行發(fā)電4全查，以及進(jìn)行規(guī)定性能試驗(yàn)。發(fā)電檢查使用AM1.5、全天日照基準(zhǔn)太陽(yáng)光(1000W/m2)的太陽(yáng)模擬器進(jìn)行。(14)圖7(d)在發(fā)電檢查(圖7(c))前后，進(jìn)行外觀檢查為主的規(guī)定的性能檢查。作為上述實(shí)施方式中的太陽(yáng)電池，說(shuō)明了有關(guān)使用作為頂部單元具有非結(jié)晶(非結(jié)晶)硅光電轉(zhuǎn)換層、作為底部單元具有結(jié)晶(微結(jié)晶)硅類光電轉(zhuǎn)換層的串聯(lián)型太陽(yáng)電池的情形，但是本發(fā)明不限于這個(gè)例子。例如，作為光電轉(zhuǎn)換層僅具有以微結(jié)晶硅為首的結(jié)晶硅類光電轉(zhuǎn)換層的單一型太陽(yáng)電池，除了所述頂部單元和所述底部單元之外再設(shè)置一層或兩層以上其他光電轉(zhuǎn)換層的多結(jié)型太陽(yáng)電池那樣的其他種類的薄膜太陽(yáng)電池也同樣適用。比4交例1:作為帶透明電極基板，使用不形成由不連續(xù)的多個(gè)山部形成的巨大凹凸(紋理結(jié)構(gòu))、具有微小的多個(gè)凹凸(紋理結(jié)構(gòu))的、一層的紋理結(jié)構(gòu)的構(gòu)造。多個(gè)微小的凸部的底面直徑為0.2~0.3|im,凸部的高度為0.1~0.2(xm,高度/底面直徑的比為0.7-1.0。光譜才莫糊率在波長(zhǎng)550nm時(shí)為20%，在波長(zhǎng)800nm時(shí)為4。/。。除了使用一層的紋理結(jié)構(gòu)的帶透明電極基板以外，按照本發(fā)明的所述實(shí)施方式制作串聯(lián)型太陽(yáng)電池。在帶透明電極基板上形成的各層中，頂部單元p層是膜厚8nm、頂部單元n層是膜厚40nm、底部單元p層是膜厚30nm、底部單元n層是膜厚30nm、背面電極的ZnO層是膜厚80nm、背面電極的Ag層是膜厚300nm,在各比較例與實(shí)施例是相同的。本例的頂部單元i層、底部單元i層的膜厚按表l所示，不形成中間接觸層。得到的太陽(yáng)電池的電池性能在表2中示出。相對(duì)于頂部單元i層的膜厚300nm,底部單元i層的膜厚設(shè)定為2pm的本例的太陽(yáng)電池的發(fā)電效率初期值僅為12.0%。而且，考慮到作為基板上的太陽(yáng)電池構(gòu)成的區(qū)域中的膜厚分布，此時(shí)的底部單元i層的膜厚用其平均值進(jìn)行評(píng)價(jià)。而且，表2中，電池性能評(píng)價(jià)項(xiàng)目即Isc、Voc、FF、Eff分別表示短路電流、開(kāi)放電壓、形狀因子、發(fā)電效率(初期值)。Isc的(a-Si/c-Si)是從光譜靈敏度求得的a-Si(非結(jié)晶)頂部單元的Isc和c-Si(結(jié)晶系)底部單元的Isc。串聯(lián)的Isc利用頂部單元Isc和底部單元Isc中的低的一個(gè)進(jìn)行速度控制。本實(shí)施例和比較例是底部單元速度控制，關(guān)見(jiàn)定底部單元的Isc為串聯(lián)的Isc。此外，表2所示的比較例和實(shí)施例中，電池性能評(píng)價(jià)結(jié)果用以比較例1為1的相對(duì)值進(jìn)行的記載。本結(jié)果盡管記載了惡化前的初期值，但認(rèn)為惡化率在本試驗(yàn)范圍內(nèi)是同等的，如果用相對(duì)值表示，則惡化后也是相等的。比4交例2:除了利用表1所示的膜厚形成頂部單元i層、中間接觸層、底部單元i層之外，按照與所述比較例l相同的方法制作串聯(lián)型太陽(yáng)電池。得到的太陽(yáng)電池的電池性能如表2所示。與頂部單元i層的膜厚250nm和ZnO中間接觸層的膜厚50nm相比，底部單元i層的膜厚設(shè)定為2pm的本例的太陽(yáng)電池的發(fā)電效率初期值僅為12.0%。比4交例3:除了利用表l所示的膜厚形成頂部單元i層、底部單元i層之外，按照與所述比較例1相同的方法制作串聯(lián)型太陽(yáng)電池。得到的太陽(yáng)電池的電池性能如表2所示。與頂部單元i層的膜厚300nm相比，底部單元i層的膜厚設(shè)定為1.5|im的本例的太陽(yáng)電池的發(fā)電效率初期值降低到10.8%。這是因?yàn)榘l(fā)電電流大幅度下降，可知在比較例中使用的基板中，如果底部單元膜厚不是2pm則不能獲得所希望的電流。實(shí)施例1:按照本發(fā)明的所述實(shí)施方式，制作串聯(lián)型太陽(yáng)電池。作為帶透明電極基板，適用層疊具有不連續(xù)的小山部和多個(gè)微小的凸部的層狀Sn02的雙紋理結(jié)構(gòu)的基板(山部的高度為500nm、山部的密度為在lO^im角上為30個(gè))。本例的頂部單元i層、底部單元i層的膜厚如表1中所示，不形成中間接觸層。得到的太陽(yáng)電池的電池性能如表2所示。相比于頂部單元i層的膜厚300nm,底部單元i層的膜厚設(shè)定為2pm的本例的太陽(yáng)電池的發(fā)電效率初期值可以提高到13.3%。這是底部單元的電流大幅度增大的效果。本發(fā)明中，利用雙紋理結(jié)構(gòu)的透明電極，通過(guò)形成山部的大的凹凸(巨大的凹凸)、和比其小的凹凸物(微小的凹凸物)，利用作為大凹凸的山部可以使長(zhǎng)波長(zhǎng)的光發(fā)生散射，從小的凹凸表面開(kāi)始能夠使短波長(zhǎng)的光發(fā)生散射。因此，作為透明電極整體，可以在寬的波長(zhǎng)區(qū)域的光中達(dá)到高的光散射性。此外，由于存在山部的大的凹凸，因此在直到太陽(yáng)電池層的背面電極都產(chǎn)生大的凹凸形狀。由此，由于來(lái)自背面電極的反射光在太陽(yáng)電池層內(nèi)被有效地散射，因此可以大幅度地增大底部單元的電流。特別是，在本發(fā)明中，由于控制透明電極的山部的高度和密度而使太陽(yáng)電池層的膜厚最佳化，因此使長(zhǎng)波長(zhǎng)的光的散射最佳化，提高了由結(jié)晶硅類半導(dǎo)體構(gòu)成的光電轉(zhuǎn)換層的發(fā)電效率。實(shí)施例2:除了頂部單元i層、底部單元i層是利用表1所示的膜厚形成之外，按照與所述實(shí)施例相同的方法制作實(shí)施例2(1)的串聯(lián)型太陽(yáng)電池。得到的太陽(yáng)電池的電池性能如表2所示。相比于頂部單元i層的膜厚300nm，底部單元i層的膜厚設(shè)定為1.5|im的本例的太陽(yáng)電池的發(fā)電效率初期值為12.8%，可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)相對(duì)于比較例1的效率提高以及底部單元膜厚的25%薄膜化。通過(guò)適用本實(shí)施方式的帶透明電極基板，根據(jù)與實(shí)施例1中記載的相同的效果，即使底部單元薄膜化也可以得到高的發(fā)電電流，由于能使底部單元薄膜化，所以可以提高Voc和FF。此外，通過(guò)使底部單元i層薄膜化，由于底部單元i層變厚，所以能夠大幅度縮短由其制膜時(shí)間速度控制的光電轉(zhuǎn)換裝置的制作時(shí)間。由此，可以以與高速制膜相乘效果提高光電轉(zhuǎn)換裝置的生產(chǎn)性。此外，為了調(diào)查電池性能的底部單元i層膜厚依賴性，改變所述實(shí)施例2(1)的底部單元i層的膜厚，制作實(shí)施例2(2)~實(shí)施例2(5)的串聯(lián)型太陽(yáng)電池。各實(shí)施例中的底部單元i層的膜厚如表l所示。此外，各實(shí)施例的太陽(yáng)電池的電池性能如表2所示。在實(shí)施例2中，底部單元i層的膜厚在1.2pm以上2.4(xm以下的范圍內(nèi)，獲得與比較例1的底部單元i層膜厚為2pm的情況同等以上的效率。底部單元i層的膜厚更優(yōu)選范圍在1.5nm以上2pm以下。是因?yàn)槟芤种平档?能夠提高Voc和FF。實(shí)施例3:除了頂部單元i層、中間接觸層、底部單元i層是利用表1所示的膜厚形成之外，按照與所述實(shí)施例2(1)相同的方法制作串聯(lián)型太陽(yáng)電池。得到的太陽(yáng)電池的電池性能示于表2中。相比于頂部單元i層的膜厚250nm和ZnO中間接觸層的膜厚500nm,底部單元i層的膜厚設(shè)定為1.5(im的本例的太陽(yáng)電池的發(fā)電效率初期值僅為12.8%?？梢酝瑫r(shí)達(dá)到效率提高和底部單元薄膜化。實(shí)施例4:除了將帶透明電極基板的山部的高度改變?yōu)楸韑所示的值之外，按照與實(shí)施例2(1)相同的方法制作實(shí)施例4(1)~實(shí)施例4(5)的串聯(lián)型太陽(yáng)電池，調(diào)查山部的高度和電池性能的關(guān)系。得到的太陽(yáng)電池的電池性能如表2所示。山部的高度為0.4pm以上0.7(xm以下是合適的。這是因?yàn)樯讲康母叨葹?.4pm以上可得到高的發(fā)電電流，如果超過(guò)0.7|im,則Voc和FF會(huì)顯著下降。實(shí)施例5:除了將帶透明電極基板的山部的密度改變?yōu)楸?所示的值之外，按照與實(shí)施例2(1)相同的方法制作實(shí)施例5(1)~實(shí)施例5(6)的串聯(lián)型太陽(yáng)電池，調(diào)查山部的密度和電池性能的關(guān)系。得到的太陽(yáng)電池的電池性能如表2所示。山部的密度在10pm角內(nèi)為15個(gè)以上50個(gè)以下時(shí)，可獲得與在比較例1的i層膜厚2(im的情況同等以上的效率。更優(yōu)選范圍是在10nm角內(nèi)為20個(gè)以上45個(gè)以下。如果密度過(guò)低則Jsc(電流密度)下降，如果密度過(guò)高則Jsc飽和，Voc和FF降低，從而效率降低。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>表2表2<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>第二實(shí)施方式下面介紹本發(fā)明的第二實(shí)施方式。在本實(shí)施方式中，希望帶透明電極基板混合存在大型的凹凸和小型的凹凸，利用小型的凹凸(微小的凹凸)和大型的凹凸(巨大的凹凸)，可以混合存在間距為O.lnm到1.2jmi、高度為O.lpm到l.O(am的凹凸。利用間距為0.8pm以上的大的凹凸，能使800nm以上的長(zhǎng)波長(zhǎng)的光擴(kuò)散、封閉，利用間距0.3pm以下的小的凹凸可以使500nrn以下的短波長(zhǎng)的光也有效地散射而被利用。即，由于能利用大的凹凸可以使長(zhǎng)波長(zhǎng)的光散射，從小的凹凸表面開(kāi)始能夠使短波長(zhǎng)的光散射，因此作為整體，可以實(shí)現(xiàn)高的光散射性。此外，光i瞽模糊率在550nrn以上800nrn以下的波長(zhǎng)時(shí)為20%以上。在本實(shí)施方式中，帶透明電極基板，與第一實(shí)施方式相同，帶透明電極基板的大型的凹凸(巨大的凹凸)的山部112的平均高度Ha(距平坦部上的微小的凸部的頂部的高度的平均值)為0.4nm以上0.7pm以下，更優(yōu)選在0.5fim以上0.6pm以下。山部的密度在基板111面的每一10pm角為15以上50以下，這個(gè)平均間距Pa相當(dāng)于1.0pm以上3pm以下。另一方面，小型的凹凸(:微小的凹凸)的孩￡小的多個(gè)的凸部的底面直徑為0.1pm以上0.3pm以下，高度/底面直徑的比為0.7以上1.2以下。所述帶透明電極基板中的這種表面性狀例如可以通過(guò)對(duì)在所述第一實(shí)施方式中說(shuō)明的表面形狀進(jìn)行分析來(lái)確認(rèn)。此外，具有這種形狀和結(jié)構(gòu)的帶透明電極基板在基板整體中，優(yōu)選在550nm以上800nm以下的波長(zhǎng)中的光譜模糊率為20%以上，優(yōu)選在30%以上。這里，"光語(yǔ)模糊率"的定義按照上述第一實(shí)施方式所說(shuō)明的。下面，由于滿足上述的本實(shí)施方式的帶透明電極基板的形狀和結(jié)構(gòu)以及特性的基板(透明基板)和氧化物與分別在所述第一實(shí)施方式中說(shuō)明的基板和第一氧化物相同，因此省略其詳細(xì)說(shuō)明。希望本實(shí)施方式的,透明電極基板混合存在大型的凹凸和小型的凹凸，混合存在間距為O.l(im到1.2pm、高度為O.ljxm到l.O(xm的凹凸。利用間距為0.8pm以上的大的凹凸，能使800nm以上的長(zhǎng)波長(zhǎng)的光擴(kuò)散、封閉，利用間距0.3pm以下的小的凹凸可以使500nm以下的短波長(zhǎng)的光也有效地散射而被利用。此外，膜整體的薄膜電阻優(yōu)選為8Q/口以上20Q/口以下，更優(yōu)選為8Q/口以上12Q/口以下，在用浸液法進(jìn)行測(cè)量的情況下，550nm中的透射率(透明性)優(yōu)選為80%以上90°/。以下，更優(yōu)選為85%以上卯％以下。此外，在將本實(shí)施方式的帶透明電極基板用作光電轉(zhuǎn)換裝置的透明電極時(shí)，經(jīng)基板入射的光被透明基板折射、散射并入射到光電轉(zhuǎn)換部，跨過(guò)長(zhǎng)的距離從光電轉(zhuǎn)換部中通過(guò)。結(jié)杲是，大量的光在光電轉(zhuǎn)換部中被吸收，起到了提高光電轉(zhuǎn)換效率的效果。特別是，在太陽(yáng)電池中使用的情況下，由于不降低開(kāi)放電壓和曲線因子就能高高地維持短路電流，因此提高了光電轉(zhuǎn)換效率。由于通過(guò)本實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法制作的光電轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)以及太陽(yáng)電池面板的制造方法，除了設(shè)置后述的異相遮斷層或異相防止層以外與所述第一實(shí)施方式相同，因此參照在第一實(shí)施方式中使用的圖1和圖4到圖7。與所述第一實(shí)施方式共同的部件使用相同的參考符號(hào)，并省略詳細(xì)說(shuō)明。在本實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置中，為了遮斷或防止從由主要具有非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層構(gòu)成的第一單元層(頂層)91的透明電極層側(cè)表面貫通到背面電極層側(cè)表面的異相，通過(guò)在后述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法的實(shí)施方式所示的方法，在第一單元層(頂層)91中設(shè)置異相遮斷層(省略圖示)，或者，在基板1與第一單元層(頂層)91之間設(shè)置異相防止層(省略圖示)。也可以在第一單元層(頂層)91與由主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層構(gòu)成的第二單元層(底層)92之間，設(shè)置由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的中間接觸層93(但是，本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置不限于設(shè)置中間接觸層93)。在本實(shí)施方式的太陽(yáng)電池面板的制造方法中，首先，執(zhí)行與所述第一實(shí)施方式的圖4的(a)和(b)同樣的方法，形成透明電極基板。然后，對(duì)制膜的透明電極層2的表面進(jìn)行離子處理，可以形成本實(shí)施方式的異相防止層。離子處理例如可以是在真空中照射氬離子的離子蝕刻。作為離子處理中使用的裝置，可以列舉使用燈絲裂的離子源的離子銑裝置。在使用這種裝置進(jìn)行離子處理的情況下，例如將容器內(nèi)進(jìn)行真空排氣到大致'10"Pa臺(tái)、供給氬氣，，在5xl0—spa的條件下，產(chǎn)生Ar離子，在加速電壓lkV下進(jìn)行離子照射，從而就能進(jìn)行離子處理。優(yōu)選離子垂直照射帶透明電極基板的透明電極層2的表面上。照射時(shí)間例如可以為180sec左右。接著，利.用與所述第一實(shí)施方式的圖4(c)相同的方法進(jìn)行透明電極膜的激光蝕刻，然后，除了設(shè)置異相遮斷層或異相防止層之外執(zhí)行與圖4(d)相同的方法，形成光電轉(zhuǎn)換層3。作為光電轉(zhuǎn)換層3的第一單元層(頂層)91,依次形成由非晶硅類薄膜構(gòu)成的p層膜/i層膜/n層膜。從太陽(yáng)光入射的一側(cè)依次層疊p層、i層、n層。而且，在對(duì)第一單元層91制膜之前，為了防止異相的產(chǎn)生，特別優(yōu)選在真空容器中在10"Pa以下的壓力下，用加熱器將帶透明電4及基板預(yù)加熱到100°C以上的溫度(烘焙)。在本實(shí)施方式中，第一單元層91的p層是利用RF等離子體使SiH4、H2、CH4、B2He氣體反應(yīng)生成的、非結(jié)晶的摻雜B的SiC膜，優(yōu)選膜厚為4nm以上16nm以下。此外，在本實(shí)施方式中，第一單元層91的i層，作為標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)是非結(jié)晶Si膜，利用RF等離子體使SiH4和H2反應(yīng)生成。膜厚優(yōu)選為100nm以上400nm以下。作為標(biāo)準(zhǔn)的制膜條件，以1:5的比率供給SfflU和H2，并將壓力控制在600Pa,在60MHz的高頻0.15W/cm2下放電，可以對(duì)非結(jié)晶的i層進(jìn)行制膜。這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)制膜條件中制膜速度例如可以為1.1nm/s。作為本實(shí)施方式的異相遮斷層，也可以在第一單元層91的i層中，設(shè)置以.比標(biāo)準(zhǔn)制膜條件更低的功率制膜的層(例如，在i層制膜的初期制成的初期層，或者在i層制膜的后期制成的后期層)。制膜這樣的層的情況下，可以使高頻輸出為例如0.02W/cm2的低功率，以低速進(jìn)行制膜。制膜速度例如為0.2nm/s左右。初期層和后期層例如按60s(相當(dāng)于膜厚12nm)~120s(相當(dāng)于膜厚24nm)進(jìn)行制膜。設(shè)置了初期層或后期層的i層通過(guò)在等離子體放電中改變功率，被形成為連續(xù)膜。此外，在本實(shí)施方式中，第一單元層91(頂層)的n層，作為標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)為結(jié)晶(含有結(jié)晶成分)的Si膜，利用RF等離子體使SiH4、H2、PH3氣體反應(yīng)生成。這個(gè)n層單膜的喇曼比為2以上，膜厚優(yōu)選為10nm以上80nm以下。作為標(biāo)準(zhǔn)的制膜條件，以1:80:0.02的比率供給SiH4和H2和PH3，并將壓力控制在100Pa,設(shè)基板與電極之間的間隔為20mm，在60MHz的高頻0.3W/cn^放電，可以制成微結(jié)晶(結(jié)晶和非結(jié)晶混合存在的膜質(zhì))的n層膜。制膜速度可以為0.2nm/s。制膜速度例如可以為0.2nm/s。作為本實(shí)施方式的異相遮斷層，可以形成非結(jié)晶(不存在結(jié)晶成分)的n層。這種情況下，在所述結(jié)晶的n層之前制成非結(jié)晶的n層膜。這個(gè)非結(jié)晶n層是通過(guò)以下條件制成的以1:1:0.05的比率供給SiEU和H2和PH3,并將壓力控制在20Pa,設(shè)基板與電極之間的間隔為20mm,在0.04W/cm2下使60MHz的高頻放電。制膜速度例如可以為0.2nm/s左右。在層疊非結(jié)晶Si-n層和微結(jié)晶Si-n層時(shí)，一度停止放電，改變流量/壓力，穩(wěn)定后再次進(jìn)行放電。例如，在非結(jié)晶Si制膜條件下制膜15nm左右，然后在標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)晶制膜條件下制膜25nm左右。作為本實(shí)施方式的異相遮斷層，結(jié)晶(含有結(jié)晶成分)的n層可以按標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)膜條件在高壓下制膜。這種情況下，例如，以1:80:0.02的比率供給SiH4和H2和PH3，并將壓力控制在200Pa，基板與電極之間的間隔縮窄到標(biāo)準(zhǔn)條件的1/2即10mm,并在輸出0.1W/cm2下使60MHz高頻放電，可以制成微結(jié)晶Si(結(jié)晶和非結(jié)晶混合存在的膜質(zhì))的n層膜。在本實(shí)施方式中，可以在所述p層膜與i層膜之間設(shè)置用于提高界面特性的緩沖層(省略圖示)。作為緩沖層，由于帶隙插入中間的物質(zhì)，可以抑制在p層(SIC膜)和i層(Si膜)的界面處的頻帶不匹配問(wèn)題。在本實(shí)施方式中，相對(duì)于p層的制膜氣體(SiH4、H2、CH4、B2H6)，由于在i層中僅使用SiH4和H2，因此調(diào)整摻雜劑(B2H6)濃度和用于調(diào)整頻帶的CH4濃度。具體地說(shuō)，在p層制膜室中，停止B2He氣體的供給，B2H6的供給只為壁面吸附量，將CKU氣體的供給量調(diào)整到相對(duì)于p層的1/10~1/3,由此形成膜厚0.020.1pm的緩沖層。由此，進(jìn)行p層及i層和原子擴(kuò)散的結(jié)果，成為膜厚方向的炭含有率和帶能結(jié)構(gòu)平滑變化的狀態(tài)，提高了p層和i層的界面特性。接著，在第一單元層(頂層)91上，按照與所述第一實(shí)施方式相同的方法、制膜條件，依次制膜由微結(jié)晶硅薄膜構(gòu)成的微結(jié)晶p層膜/微結(jié)晶i層膜/微結(jié)晶n層膜，并形成與所述第一實(shí)施方式相同的第二單元層(底層)92。與所述第一實(shí)施方式相同，為了形成用于獲取第一單元層(頂層)91與第二單元層(底層)92之間的電流匹配性的半反射膜，作為中間接觸層93,可以通過(guò)濺射裝置制膜并設(shè)置膜厚0nm以上90nm以下、更優(yōu)選為5nm以上50nm以下的ZnO系膜(例如GZO(摻雜Ga的ZnO)膜)。優(yōu)選這個(gè)中間接觸層93在ZnO單膜的光吸收率在A=450nm以上1000nm以下的范圍內(nèi)時(shí)小于1%。形成第二單元層92之后，通過(guò)與第一實(shí)施方式中圖4(e)到圖7(b)相同的方法完成太陽(yáng)電池面板50。然后，利用與第一實(shí)施方式中的圖7(c)和(d)相同的方法，進(jìn)行以發(fā)電檢查和規(guī)定的性能試驗(yàn)以及外觀檢查為首的規(guī)定的性能檢查。作為上述實(shí)施方式中的太陽(yáng)電池，盡管使用具有作為頂部單元的非晶硅類光電轉(zhuǎn)換層、具有作為底部單元的結(jié)晶(微結(jié)晶)硅類光電轉(zhuǎn)換層的串聯(lián)型太陽(yáng)電池進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明不限于該例。例如，作為光電轉(zhuǎn)換層只具有非晶硅類光電轉(zhuǎn)換層的單型太陽(yáng)電池、以及除了所述頂部單元和所述底部單元之外還設(shè)置一層或兩層以上其他光電轉(zhuǎn)換層的多結(jié)型太陽(yáng)電池那樣的其他種類的薄膜太陽(yáng)電池也同樣可以適用。參考例1:作為帶透明電極基板，使用只有微細(xì)凹凸的基板。微細(xì)凹凸的凸部的高度為O.lpm以上0.2|mi以下，間距為0.1pm以上0.3pm以下，凸部的高度和底面直徑的比為0.7~1.0,波長(zhǎng)550nm的光謙模糊率為20%,800nm的光i普模糊率為3%。除了帶透明電極基板不同之外，按本發(fā)明的所述實(shí)施方式中的標(biāo)準(zhǔn)制膜條件制作串聯(lián)型太陽(yáng)電池。在帶透明電極基板上形成的各層中，頂部單元p層的膜厚為8nm,頂部單元n層的膜厚為40nm，底部單元p層的膜厚為30nm,底部單元n層的膜厚為30nm，背面電極的ZnO層的膜厚為80nm，背面電極的Ag層的膜厚為300nm,在各參考例、比較例和實(shí)施例中通用。本例的頂部單元i層、頂部單元n層的膜厚以及制膜條件按表3所示，不形成中間接觸層。而且，表3中記載的各參考例、比較例和實(shí)施例的"制膜條件，，如下。頂部單元i層的標(biāo)準(zhǔn)制膜條件以1:5的比率供給SiH4和H2,將壓力控制在600Pa,在輸出0.15W/cm2下使60MHz的高頻放電，制成非結(jié)晶i層膜。制膜速度為l.lnm/s。頂部單元i層的初期層或后期層的低速制膜條件只改變標(biāo)準(zhǔn)條件和高頻輸出，為0.02W/cm2。制膜速度為0.2nm/s。通過(guò)在等離子體放電中改變功率使與才艮據(jù)標(biāo)準(zhǔn)制膜條件的膜的層疊成為連續(xù)膜。頂部單元n層的標(biāo)準(zhǔn)制膜條件以1:80:0.02的比率供給SiH4和H2和PH3,將壓力控制在100Pa,設(shè)基板與電極之間的間隔為7mm，在輸出0.3W/cn^下使60MHz的高頻放電，制成微結(jié)晶(結(jié)晶和非結(jié)晶混合存在的膜質(zhì))的n層膜。制膜速度為0.2nm/s。頂部單元n層的非結(jié)晶Si制膜條件以1:1:0.05的比率供給SiEU和H2和PH3，將壓力控制在20Pa,設(shè)基板與電極之間的間隔為7mm,在輸出0.04W/cm2下使60MHz的高頻放電，制成非結(jié)晶Si(不存在結(jié)晶成分)的n層膜。制膜速度為0.2nm/s。層疊非結(jié)晶Si-n層和^f敖結(jié)晶Si-n層時(shí)，一度停止放電，改變流量/壓力，穩(wěn)定后再度放電。頂部單元n層的高壓制膜條件以1:80:0.02的比率供給SiELj和H2和PH3，將壓力控制在200Pa，將基板與電極之間的間隔縮窄到標(biāo)準(zhǔn)條件的1/2即10mm,在輸出0.3W/cm2下使60MHz的高頻放電，制成微結(jié)晶Si(結(jié)晶和非結(jié)晶混合存在的膜質(zhì))的n層膜。在參考例1中得到的太陽(yáng)電池的電池性能示于表4中。相對(duì)于頂部單元i層的膜厚300nm，底部單元i層的膜厚設(shè)定為2pm的本例的太陽(yáng)電池的發(fā)電效率(初期值)僅為12%。而且，表4中，作為電池性能評(píng)價(jià)項(xiàng)目的Isc、Voc、FF、Eff分別表示短路電流、開(kāi)放電壓、形狀因子、發(fā)電效率(初期值)。此外，在表4中所示的參考例、比較例和實(shí)施例中，電池性能評(píng)價(jià)結(jié)果用以參考例l作為1的相對(duì)值進(jìn)行了記載。本結(jié)果盡管記載了惡化前的初期值，但認(rèn)為惡化率在本試驗(yàn)的范圍內(nèi)同等，如杲用相對(duì)值表示，則惡化后也相等。參考例2:除了頂部單元i層、底部單元i層是以表3所示的膜厚形成之外，按照與所述參考例l相同的方法制作串聯(lián)型太陽(yáng)電池。待到的太陽(yáng)電池的電池性能示于表4中。相對(duì)于頂部單元i層的膜厚300nm，將底部單元i層的膜厚設(shè)定為1.5|im的本例的太陽(yáng)電池的發(fā)電效率降低到10.8%。可知這是由于發(fā)電電流大幅度下降，在參考例中使用的基板中，如果底部單元膜厚不為2pm，則不會(huì)得到所希望的電流。比4交例4:根據(jù)本發(fā)明的所述實(shí)施例中標(biāo)準(zhǔn)的制膜條件制作串聯(lián)型太陽(yáng)電池。作為帶透明電極基板，與實(shí)施例6相同使用混合存在大小的凹凸的基板。本例的頂部單元i層、頂部單元n層的膜厚及制膜條件按照表3中所示，不形成中間接觸層。即，將頂部單元i層在制膜速度Unm/s下制成300nm膜厚，將頂部單元層n層在成為混合存在結(jié)晶和非結(jié)晶的^t結(jié)晶的條件下制成40nm膜厚。底部單元i層的膜后為L(zhǎng)5nm。得到的太陽(yáng)電池的電池性能示于表4中。如圖4所示，本例的太陽(yáng)電池，雖然增大了電流，但降低了開(kāi)放電壓和形狀因子，發(fā)電效率初期值比參考例1的底部單元i層膜厚為2pm的情況更降低。調(diào)研檢測(cè)比較例4的太陽(yáng)電池中開(kāi)放電壓和形狀因子降低的原因。使用混合存在大小凹凸的帶透明電極基板制作的串聯(lián)型太陽(yáng)電池的剖面的透射型電子顯微鏡照片示于圖10中。這個(gè)電子顯微鏡照片中，看到在透明電極的谷的部分(用點(diǎn)線圍成的部分)將頂部單元上下貫通的線。由于在基底的相鄰的面上制膜、生長(zhǎng)的膜生長(zhǎng)相間的不連續(xù)的邊界被視為線狀，所以將其稱為異相，認(rèn)為載流子再結(jié)合中心集中，相當(dāng)于電流泄漏部位。產(chǎn)生這個(gè)異相的情況下，開(kāi)放電壓和形狀因子降低。因此，本發(fā)明人考慮到抑制這種異相，或者即使不能完全抑制，如果可以遮斷從透明電極到中間接觸層或底部單元貫通頂部單元的異相，則認(rèn)為可抑制開(kāi)放電壓降低，形狀因子降低。實(shí)施例6~實(shí)施例9:除了頂部單元i層、頂部單元n層的膜厚和制膜條件按照表3中所示的之外，按與所述比較例4相同的方法制作實(shí)施例6-實(shí)施例9的串聯(lián)型太陽(yáng)電池。得到的太陽(yáng)電池的電池性能示于表4中。在實(shí)施例6中，通過(guò)僅制膜初期(與p層的界面)以低功率制成頂部單元的非結(jié)晶Si-i層膜，可以抑制開(kāi)放電壓降低、形狀因子降低、提高太陽(yáng)電池性能。認(rèn)為這是因?yàn)橛梅墙Y(jié)晶Si-i層的初期層遮斷貫通頂部單元的異相，可以抑制電流泄漏?？傻玫剿^底部單元是膜厚為1.5pm的薄膜、發(fā)電效率初期值13.0%的高效率，在生產(chǎn)性和效率提高兩方面是非常大的成果。在實(shí)施例7中，通過(guò)僅制膜后期(與n層的界面)以^f氐功率制成頂部單元的非結(jié)晶Si-i層膜，可以抑制開(kāi)放電壓降低、形狀因子降低、提高太陽(yáng)電池性能。認(rèn)為這是因?yàn)橛梅墙Y(jié)晶Si-i層的后期層遮斷貫通頂部單元的異相，可以抑制電流泄漏。即使在實(shí)施例7中，可得到所謂底部單元是膜厚為1.5pm的薄膜、發(fā)電效率初期值13.0%的高效率，在生產(chǎn)性和效率提高兩方面是非常大的成果。在實(shí)施例8中，按標(biāo)準(zhǔn)制膜條件使只頂部單元n層的制膜后期進(jìn)行制膜而成為結(jié)晶，制膜初期的層為非結(jié)晶，就可以抑制開(kāi)放電壓降低、形狀因子降低，并提高太陽(yáng)電池性能。能夠推斷如下這是由于頂部單元n層中作為非結(jié)晶的初期層在與i層的界面掩埋異相，因此遮斷貫通頂部單元的異相，可抑制電流泄漏。用底部單元膜厚1.5|am的薄膜可得到發(fā)電效率初期值13.2%是因?yàn)楂@得與實(shí)施例6、實(shí)施例7相同的異相遮斷效果，另外還得到n層的界面改善效果。實(shí)施例9中，通過(guò)在200Pa的高壓下制成頂部單元n層膜形成微結(jié)晶膜，就能抑制開(kāi)放電壓降低、形狀因子降低，提高太陽(yáng)電池性能。而且，實(shí)施例9中，頂部單元n層的制膜時(shí)的壓力為400Pa的情況也可獲得相同的效果。認(rèn)為這是因?yàn)橥ㄟ^(guò)在高壓下制膜就容易使頂部單元n層附著在i層的界面的谷部分，由jth遮斷貫通頂部單元的異相，可以抑制電流泄漏。表3和表4<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>實(shí)施例0:除了對(duì)帶透明電極基板的透明電極表面進(jìn)行離子處理之外，按與所述比較例4相同的方法制作實(shí)施例10的串聯(lián)型太陽(yáng)電池。離子處理是通過(guò)在真空中的氬離子照射的離子蝕刻，作為裝置，采用使用燈絲型離子源的離子銑裝置。將容器內(nèi)真空排氣到lO,a臺(tái)、供給氬氣體，在5xl0,a的條件下，產(chǎn)生Ar離子，在加速電壓lkV下照射離子，進(jìn)行離子處理。對(duì)帶透明電極基板的透明電極表面垂直地照射離子，照射時(shí)間為180sec。圖8是離子處理前的帶透明電極基板的透明電極表面的電子顯微鏡照片(倍率5萬(wàn)倍)，圖9是離子處理后的帶透明電極基板的透明電極表面的電子顯微鏡照片(倍率5萬(wàn)倍)。得到的太陽(yáng)電池的電池性能示于表4中。表4中，作為電池性能評(píng)價(jià)項(xiàng)目的Isc、Voc、FF、Eff分別表示短路電流、開(kāi)放電壓、形狀因子、發(fā)電效率。Isc的(a-Si/c-Si)是由光傳靈敏度求得的a-Si(非結(jié)晶)頂部單元的Isc以及c-Si(結(jié)晶系)底部單元的Isc。在實(shí)施例10中，通過(guò)所述離子處理可以抑制開(kāi)放電壓降低、形狀因子降低，提高太陽(yáng)電池性能。認(rèn)為這是由于通過(guò)離子處理使基板的凹形狀變圓滑、抑制了頂部單元中的異相的形成，可以抑制電流泄漏。在實(shí)施例1-10中，底部單元i層制膜條件固定，底部單元n層制膜后的喇曼比如表1所示，在5.0~7.0之間。實(shí)施例11:除了將底部單元i層的H2/SiH4稀釋比變?yōu)楸?所示的那樣之外，按與實(shí)施例1相同的方法制作實(shí)施例11(1)~實(shí)施例11(6)的串聯(lián)型太陽(yáng)電池，調(diào)查底部單元的n層制膜后的喇曼比和太陽(yáng)電池特性的關(guān)系。結(jié)果示于表12中。而且，表5和圖12中，H2稀釋比以及電池性能結(jié)果是以比較例1為l的情況下的相對(duì)值。本結(jié)果盡管記載了惡化前的初期值，但是考慮到惡化率在本試驗(yàn)的范圍內(nèi)是同等的，如果用相對(duì)值表示，則惡化后也同等。如表5和圖12可知，在n層制膜后的喇曼比來(lái)看為3.0以上8.0以下時(shí)，即便與比較例l相比，也提高了太陽(yáng)電池性能。這是因?yàn)樵诶鹊陀?.0時(shí)，一方面Voc提高、另一方面Isc明顯降低，推定為非結(jié)晶成分過(guò)多、產(chǎn)生電阻損耗。喇曼比大于8.0時(shí)，由于Voc和FF大大降低，則認(rèn)為因電流泄漏而產(chǎn)生電壓損失，假定晶界的電流泄漏。在第二單元層中，由于存在適當(dāng)?shù)姆墙Y(jié)晶相，所以使結(jié)晶硅的粒界中存在的缺陷為非活性，由此，認(rèn)為有助于抑制Isc的降低。此外，在圖12中，在H2稀釋比0.9下，緩和Eff的上升，在H2稀釋比1.1下，P條低Eff。如圖實(shí)施例11(3)~實(shí)施例11(5)所示，H2稀釋比為0.9以上1.1以下的Eff值，可以得到相對(duì)比較例1的1.1倍以上的性能。因此，從H2稀釋比與電池性能之間的相關(guān)關(guān)系考慮，喇曼比在實(shí)驗(yàn)中為5.0以上7.5以下是最佳值。表5表5<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>以上根據(jù)實(shí)施例6實(shí)施例11,即使適用提高了光譜模糊率的帶透明電極基板，也可以抑制開(kāi)放電壓和形狀因子的降低，用薄的底部單元，可以制作兼?zhèn)涓咝屎透呱a(chǎn)性的串聯(lián)型太陽(yáng)電池。此外，由于在低功率下對(duì)頂部單元(非結(jié)晶Si層)整體制膜時(shí)，制膜速度顯著降低，因?yàn)樯a(chǎn)性惡化。但是，如果像上述實(shí)施例6、實(shí)施例7那樣，僅以低速制作初期或后期的20%左右的膜厚，則可以極力抑制生產(chǎn)性的惡化，可以以高生產(chǎn)效率制造太陽(yáng)電池。此外，在像實(shí)施例9那樣，改善n層的制膜條件的情況下，生產(chǎn)性的惡化完全不存在，因此可以以高生產(chǎn)效率制造太陽(yáng)電池。權(quán)利要求1、一種光電轉(zhuǎn)換裝置，其至少具有在透明絕緣性基板上設(shè)置透明電極層而形成的帶透明電極基板、在該帶透明電極基板的透明電極層一側(cè)依次形成的主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層以及背面電極層，其中，所述帶透明電極基板其表面為混合存在大小凹凸的形狀，并且光譜模糊率在550nm以上800nm以下的波長(zhǎng)時(shí)為20％以上，主要具有所述結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層的膜厚為1.2μm以上2μm以下，且喇曼比為3.0以上8.0以下。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換裝置，其中在所述帶透明電極基板與主要具有所述結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層之間，具有主要具有非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的光電轉(zhuǎn)換裝置，其中在主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層與主要具有所述結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層之間，具有中間接觸層。4、根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換裝置，其中所述帶透明電極基板的透明電極層表面具有多個(gè)山部和多個(gè)平坦部，該山部和該平坦部的表面連續(xù)具有多個(gè)微小的凸部，所述山部的所述基+反面垂直方向上的高度為0.4pm以上0.7pm以下，在基板面10pm角中的所述山部的數(shù)量為15以上50以下，所述多個(gè)微小的凸部的底面直徑為0.1(am以上0.3pm以下，高度/底面直徑的比為0.7以上1.2以下。5、一種光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，在透明絕緣性基板上形成透明電極層，制作帶透明電極基板，在該帶透明電極基板的透明電極層一側(cè)上至少依次形成主要具有非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層以及背面電極層；其中，所述帶透明電極基板的表面為混合存在大小凹凸的形狀，并且光譜模糊率在550nm以上800nm以下的波長(zhǎng)時(shí)為20%以上，在主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層中，形成遮斷從該光電轉(zhuǎn)換層的透明電極層側(cè)表面貫通背面電極層側(cè)表面的異相的異相遮斷層。6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其中在主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層的形成中，依次形成p層、i層、n層，在所述i層的形成中，通過(guò)以比該i層的其他部分低的速度進(jìn)行制膜，形成所述異相遮斷層。7、根據(jù)權(quán)利要求5所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其中在主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層的形成中，依次形成p層、i層、n層，在所述n層的形成中，通過(guò)至少在其一部分中形成非結(jié)晶的層，形成所述異相遮斷層。8、根據(jù)權(quán)利要求5所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其中在主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層的形成中，依次形成p層、i層、n層，在所述n層的形成中，通過(guò)在200Pa以上的壓力下至少制膜其一部分，形成所述異相遮斷層。9、一種光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，在透明絕緣性基板上形成透明電極層，制作帶透明電極基板，在該帶透明電極基板的透明電極層一側(cè)上至少依次形成主要具有非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層以及背面電極層，該光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法特征在于，所述帶透明電極基板的表面為混合存在大小凹凸的形狀，并且光譜模糊率在550nm以上800nm以下的波長(zhǎng)時(shí)為20%以上，在所述透明電極層的形成與所述光電轉(zhuǎn)換層的形成之間，形成防止從該光電轉(zhuǎn)換層的透明電極層側(cè)表面貫通背面電極層側(cè)表面的異相的形成的異相防止層。10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其中對(duì)所述透明電極層的凸部進(jìn)行圓滑化，從而形成所述異相防止層。11、根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其中對(duì)所述透明電極層表面實(shí)施離子處理，從而形成所述異相防止層。12、根據(jù)權(quán)利要求5-11中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其中在主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層與所述背面電極之間，形成主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層。13、一種光電轉(zhuǎn)換裝置，其至少具有:在透明絕緣性基板上設(shè)置透明電極層而形成的帶透明電極基板、在該帶透明電極基板的透明電極層一側(cè)依次形成的主要具有非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層以及背面電極層，其中所述帶透明電極基板其表面為混合存在大小凹凸的形狀，并且光譜模糊率在550nm以上800nm以下的波長(zhǎng)時(shí)為20%以上，在主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層中，設(shè)置遮斷從該光電轉(zhuǎn)換層的透明電極層側(cè)表面貫通背面電極層側(cè)表面的異相的異相遮斷層。14、根據(jù)權(quán)利要求2或13所述的光電轉(zhuǎn)換裝置，其中在主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層中，依次形成p層、i層、n層，主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層的n層由主要具有非晶硅類半導(dǎo)體的層和主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的層形成。15、根據(jù)權(quán)利要求2、13或14所述的光電轉(zhuǎn)換裝置，其中在主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層的p層與i層之間設(shè)有緩沖層。16、根據(jù)權(quán)利要求13所述的光電轉(zhuǎn)換裝置，其中在主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層與所述背面電極層之間包括主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層。17、根據(jù)權(quán)利要求16所述的光電轉(zhuǎn)換裝置，其中主要具有所述結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層的膜厚為1.2(om以上2(im以下，并且喇曼比為3.0以上8.0以下。18、根據(jù)權(quán)利要求13所述的光電轉(zhuǎn)換裝置，其中在主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層與所述背面電極之間，包括主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體、結(jié)晶或非晶硅鍺系半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層。19、根據(jù)權(quán)利要求13所述的光電轉(zhuǎn)換裝置，其中在主要具有所述非晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層與所述背面電極之間，包括多個(gè)主要具有結(jié)晶或非晶硅類半導(dǎo)體、結(jié)晶或非晶硅鍺系半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層。全文摘要一種光電轉(zhuǎn)換裝置及其制造方法，其兼容高的光電轉(zhuǎn)換效率和高的生產(chǎn)性，該光電轉(zhuǎn)換裝置(90)至少具有在透明絕緣性基板(1)上設(shè)置透明電極層(2)而形成的帶透明電極基板、以及在該帶透明電極基板的透明電極層(2)一側(cè)上依次形成的主要具有結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層(92)以及背面電極層(4)，其中所述帶透明電極基板的透明電極層(2)的表面為混合存在大小凹凸的形狀，并且光譜模糊率在550nm以上800nm以下的波長(zhǎng)時(shí)為20％以上，主要具有所述結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換層的膜厚為1.2μm以上2μm以下，喇曼比為3.0以上8.0以下。文檔編號(hào)H01L31/04GK101627478SQ20078003237公開(kāi)日2010年1月13日申請(qǐng)日期2007年8月6日優(yōu)先權(quán)日2007年2月16日發(fā)明者中野要治,山內(nèi)康弘,山口賢剛,竹內(nèi)良昭申請(qǐng)人:三菱重工業(yè)株式會(huì)社