專利名稱：：應(yīng)用含有雜環(huán)的芳胺衍生物的有機(jī)電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及應(yīng)用含有雜環(huán)的芳胺衍生物的有機(jī)電致發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
：有機(jī)電致發(fā)光元件(以下有時(shí)把電致發(fā)光簡寫為EL)為一種自發(fā)發(fā)光元件，原理是在施加電場時(shí)，熒光物質(zhì)通過從陽極注入的空穴和從陰極注入的電子的復(fù)合能發(fā)光。自從意斯特曼'科達(dá)刻(一一7卜7乂〕夕、、、乂夕)社的C.W.Tang等人報(bào)導(dǎo)了層疊型元件的低壓驅(qū)動有機(jī)EL元件(非專利文獻(xiàn)1等)以來，有關(guān)把有機(jī)材料作為結(jié)構(gòu)材料的有機(jī)EL元件的研究方興未艾。Tang等人將三(8-喹啉酚根)合鋁用于發(fā)光層，將三苯基二胺衍生物用于空穴輸送層。作為層壓結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢，可列舉提高將空穴注入發(fā)光層的效率，提高通過阻斷并復(fù)合從陰極注入的電子形成激子的生成效率，并可將發(fā)光層中形成的激子封閉起來。作為這種例子的有機(jī)EL元件的元件結(jié)構(gòu)，熟知的是空穴輸送(注入)層、電子輸送發(fā)光層的兩層型結(jié)構(gòu)或者空穴輸送(注入)層、發(fā)光層、電子輸送(注入)層的三層型結(jié)構(gòu)等。在這種層壓型元件中，為了提高注入的空穴和電子的復(fù)合效率，對元件結(jié)構(gòu)及形成方法進(jìn)行了研究。以往，作為用于有機(jī)EL元件的空穴注入材料，已知專利文獻(xiàn)1和2中表示的具有苯二胺結(jié)構(gòu)的材料，并且可以廣泛使用。另外，就空穴輸送材料而言，可以使用專利文獻(xiàn)3和4中記載的含有聯(lián)苯胺結(jié)構(gòu)的芳胺系材料。另一方面，在專利文獻(xiàn)5—7中公開了含有咔唑的芳胺系化合物。另外，將這樣的材料用于空穴輸送材料時(shí)，雖然具有這種提高發(fā)光效率的特性，但是同時(shí)具有大幅度地提高驅(qū)動電壓，以及元件壽命變得非常短的缺點(diǎn)。另外，在專利文獻(xiàn)8中，為了有效地將空穴由陽極注入發(fā)光層，公開了一種階段性地應(yīng)用設(shè)定了電離勢的二層以上的空穴輸送層的元件。但是，就專利文獻(xiàn)8中記載的材料而言，發(fā)光效率、壽命都不充分。專利文獻(xiàn)l:日本特開平8-291115號公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開2000—309566號公報(bào)專利文獻(xiàn)3:美國專利5061569號說明書專利文獻(xiàn)4:日本特開2001—273978號公報(bào)專利文獻(xiàn)5:美國專利6242115號說明書專利文獻(xiàn)6:日本特開2000_302756號公報(bào)專利文獻(xiàn)7:日本特開平11-144873號公報(bào)專利文獻(xiàn)8:日本特開平6-314594號公報(bào)非專利文獻(xiàn)1:C.W.Tang，S.A.Vanslyke，AppliedPhysicsLetters,51，913(1987)本發(fā)明的目的是提供電壓低、效率高、壽命長的有機(jī)EL元件。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明，可提供以下的有機(jī)EL元件。1.一種有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，其具有陽極和陰極、位于在上述所述陽極和上述所述陰極間的至少具有由有機(jī)化合物組成的發(fā)光層、以及位于在上述所述陽極和上述所述發(fā)光層間的空穴注入、輸送區(qū)域中的兩個(gè)以上的層，其中位于上述所述空穴注入、輸送區(qū)域的層中的與發(fā)光層相接的層含有下述式(1)所示的化合物，位于上述所述空穴注入、輸送區(qū)域的層中的、陽極和與發(fā)光層相接的層之間的層含有下述式(2)所示的胺衍生物，Z——h—N\Ar2(1)7式(1)中，Z是取代或未取代的含氮雜環(huán)基，L,是l一4個(gè)可以具有取代基的二價(jià)芳香族基結(jié)合形成的連接基，Ar,和Ar2各自獨(dú)立地是可以具有取代基的芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基，式(2)中，L2是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)10—40的亞芳基，Ar3Ar6分別是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6—60的芳香族烴環(huán)基或者取代或未取代的環(huán)原子數(shù)6—60的芳香族雜環(huán)基。2.上述1記載的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中上述胺衍生物是下述式(3)表示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>(式中，Ai"3Ar6分別是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6—60的芳香族烴環(huán)基或者取代或未取代的環(huán)原子數(shù)6—60的芳香族雜環(huán)基，Ra是取代基，n表示2—4的整數(shù)。)3.上述2記載的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中上述胺衍生物是下述式(4)表示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>(式中，R,和R2分別是取代基，彼此可以通過連接形成飽和或不飽和的環(huán)，Ar7Ar^分別是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6—60的芳香族烴環(huán)基或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6—60的芳香族雜環(huán)基。)4.上述3記載的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中式(4)中的Ar7Ar,。的至少一個(gè)是取代或未取代的聯(lián)苯基。5.上述2記載的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中上述胺衍生物是下述式(5)表示的化合物。(式中，R3Rs分別是取代基，彼此可以通過連接形成飽和或不飽和的環(huán)。，Ai^Ar,4分別表示取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6—60的芳香族烴環(huán)基、或者取代或未取代的環(huán)原子數(shù)6—60的芳香族雜環(huán)基。)6.上述5記載的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中式(5)中的A^Ar,4的至少一個(gè)是取代或未取代的聯(lián)苯基。7.上述1一6任何一項(xiàng)記載的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中上述式(1)表示的化合物是下述式(6)表示的化合物。Ar16(6)(式中，Cz是取代或未取代的咔唑基，U是l一4個(gè)可以具有取代基的二價(jià)芳香族基結(jié)合形成的連接基，A"和Ar,s各自獨(dú)立地是可以具有取代基的芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基。)8.上述1一7任何一項(xiàng)記載的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中上述式(1)表示的化合物是下述式(7)表示的化合物。(式中，Ab和Ar,8各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基，R6Ru各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、烷基、芳烷基、烯基、氰基、氨基、?；?、烷氧基羰基、羧基、垸氧基、芳氧基、垸基磺酰基、羥基、酰胺基、芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基，這些基團(tuán)都可以再被取代，。另外，R6R,3中相鄰的基團(tuán)之間也可以形成環(huán)。，U表示l一4個(gè)可以具有取代基的二價(jià)芳香族基結(jié)合形成的連接基。)9.上述8記載的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中式(7)表示的化合物是下述式(8)表示的化合物。(式中，Arl7和ArI8各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基，R6L各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、烷基、芳垸基、烯基、氰基、氨基、?；⑼檠趸驶?、羧基、烷氧基、芳氧基、垸基磺?；?、羥基、酰胺基、芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基，這些基團(tuán)都可以再被取代，。另外，R6R,5中相鄰的基團(tuán)之間也可以形成環(huán)。)10.上述1—9任何一項(xiàng)記載的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，位于所述空穴注入、輸送區(qū)域的層中的與陽極接觸相接的層是含有受體材料的層。11.上述1一10任何一項(xiàng)記載的有機(jī)電致發(fā)光元件，其進(jìn)行藍(lán)色發(fā)光。應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)時(shí)，可以通過使用具有特別結(jié)構(gòu)的材料，實(shí)現(xiàn)電壓低、效率高、壽命長的有機(jī)EL元件。附圖的簡單說明圖1是表示本發(fā)明有機(jī)EL元件一個(gè)實(shí)施方式的概略剖面圖。圖2是表示本發(fā)明有機(jī)EL元件另一個(gè)實(shí)施方式的概略剖面圖。具體實(shí)施例方式本發(fā)明的有機(jī)EL元件在陽極和陰極間具有至少由有機(jī)化合物組成的發(fā)光層。進(jìn)而，在陽極和發(fā)光層間的空穴注入、輸送區(qū)域中具有兩個(gè)以上的層。圖1是表示本發(fā)明有機(jī)EL元件一個(gè)實(shí)施方式的概略剖面圖。在有機(jī)EL元件中，在基板(圖中沒有示出)上按順序?qū)盈B有陽極10、空穴注入層20、空穴輸送層30、發(fā)光層40、電子輸送層50、電子注入層60、陰極70。本發(fā)明中，作為位于空穴注入、輸送區(qū)域的層的空穴注入層20和空穴輸送層30滿足以下的條件(A)、(B)。(A)與發(fā)光層相接的層(空穴輸送層30)含有下述式(1)表示的化合物。/。Z~h—N、Ar2(i)(B)在陽極和與發(fā)光層相接的層之間的層(空穴注入層20)含有下述式(2)表示的胺衍生物。通過在空穴注入、輸送區(qū)域中在規(guī)定的位置設(shè)置含有特定的化合物的層，不會使元件的驅(qū)動電壓高電壓化，進(jìn)行形成發(fā)光效率高且壽命長的元件。這通常認(rèn)為是由于將上述式(1)的化合物和式(2)的胺衍生物組合使用時(shí)，可保持式(1)的化合物中特有的、使元件高效化的性質(zhì)，另外，空穴變得特別易于流動，進(jìn)而格外增加了注入發(fā)光層的空穴。還認(rèn)為是由于妨礙了電子由式(1)化合物的層到達(dá)式(2)衍生物的層。式(1)中，z是取代或未取代的含氮雜環(huán)基。優(yōu)選列舉吡咯、咪唑、吡唑、三唑、噁二唑、吡啶、吡嗪、三嗪、嘧啶、咔唑、氮雜咔唑、二氮雜咔唑、吲哚、苯并咪唑、咪唑并吡啶、吲哚嗪等。更優(yōu)選咪唑、咔唑、吲哚、吲哚嗪(indolisine)、咪唑并吡啶、吡啶、嘧啶、三嗪。作為Z的取代基，是氫原子、鹵原子(氟原子、氯原子、溴原子或者碘原子)、烷基(例如甲基、乙基等碳原子數(shù)1一6的直鏈或支鏈垸基；環(huán)戊基、環(huán)己基等碳原子數(shù)5—8的環(huán)垸基)、芳垸基(例如芐基、苯乙基等碳原子數(shù)7—13的芳垸基)、烯基(例如乙烯基、烯丙基等碳原子數(shù)2—7的直鏈或支鏈烯基)、氰基、氨基、特別是叔胺基(例如二乙基氨基、二異丙基氨基等具有碳原子數(shù)2—20的直鏈或支鏈垸基的二烷基氨基；二苯基氨基、苯基萘基氨基等二芳基氨基；甲基苯基氨基等碳原子數(shù)7—20的芳基垸基氨基等)、酰基(例如乙?；⒈；?、苯甲?；?、萘甲?；群刑荚訑?shù)1—20的直鏈、支鏈或環(huán)狀烴基部分的?；?、烷氧基羰基(例如甲氧基羰基、乙氧基羰基等碳原子數(shù)2—7的直鏈或支鏈的垸氧基羰基)、羧基、垸氧基(例如甲氧基、乙氧基等碳原子數(shù)1一6的直鏈或支鏈的烷氧基)、芳氧基(例如苯氧基、芐氧基等碳原子數(shù)6—10的芳氧基)、垸基磺酰基(例如甲基磺?；⒁一酋；⒈酋；⒍』酋；⒓夯酋；忍荚訑?shù)1一6的烷基磺?；?、羥基、酰胺基(例如甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基等碳原子數(shù)2—7的烷基酰胺基；芐基酰胺基、二芐基酰胺基等芳基酰胺基等)、芳香族烴環(huán)基(例如苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基等由苯環(huán)的單環(huán)或2—4個(gè)稠環(huán)組成的芳香族烴環(huán)基)、或者芳香族雜環(huán)基(例如咔唑基、吡啶基、三嗪基、吡嗪基、喹曙、啉基、噻嗯基等由五或六元環(huán)的單環(huán)或2—3個(gè)稠環(huán)組成的芳香族雜環(huán)基)。作為z的取代基，更優(yōu)選列舉氫原子、鹵原子、垸基、垸氧基、芳香族烴環(huán)基、芳香族雜環(huán)基。上述的取代基還可以再具有取代基，作為該取代基可列舉鹵原子(氟原子、氯原子、溴原子或者碘原子)、垸基(例如甲基、乙基等碳原子數(shù)l一6的直鏈或支鏈烷基)、烯基(例如乙烯基、烯丙基等碳原子數(shù)1一6的直鏈或支鏈烯基)、烷氧基羰基(例如甲氧基羰基、乙氧基羰基等碳原子數(shù)1一6的直鏈或支鏈的垸氧基羰基)、烷氧基(例如甲氧基、乙氧基等碳原子數(shù)1一6的直鏈或支鏈的烷氧基)、芳氧基(例如苯氧基、芐氧基等碳原子數(shù)6—10的芳氧基)、二烷基氨基(例如二乙基氨基、二異丙基氨基等具有碳原子數(shù)2—20的直鏈或支鏈烷基的二垸基氨基)、二芳基氨基(二苯基氨基、苯基萘基氨基等二芳基氨基)、芳香族烴環(huán)基(例如苯基等芳香族烴環(huán)基)、或者芳香族雜環(huán)基(例如噻嗯基、吡啶基等由五或六元環(huán)的單環(huán)組成的芳香族雜環(huán)基)、?；?例如乙?；⒈；荚訑?shù)l一6的直鏈或支鏈?；?、鹵代垸基(例如三氟甲基等碳原子數(shù)1一6的直鏈或支鏈的鹵代烷基)、氰基等。其中，更優(yōu)選鹵原子、烷氧基、芳香族烴環(huán)基。式(1)中，L,是l一4個(gè)可以具有取代基的二價(jià)芳香族基結(jié)合形成的連接基。更優(yōu)選由—Ar1'——Ar2—Ar3—一Ar4—Ar5—Ar6—或者—Ar7'—A,—Ar9'—Ar10'—表示，Ar''、Ar2'、Ar3'、Ar4'、Ar6'、Ar7^BAr'。'也可以被取代，13表示由5—6元的芳香族環(huán)的單環(huán)或者2—5個(gè)稠環(huán)組成的二價(jià)基，Ar5'、AZ和Ar9'也可以被取代，表示由5—6元的芳香族環(huán)的單環(huán)或者2—5個(gè)稠環(huán)組成的二價(jià)基，或者一NAr"'—(其中，Ar"'表示可以具有取代基的一價(jià)的芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基)。作為Ar、Ar2'、Ar3'、Ar4'、Ar6>、Ar'和Ar'。'，具體地可列舉亞苯基、亞萘基、亞蒽基、亞菲基、亞芘基、亞茈基等二價(jià)的芳香族烴環(huán)基、亞吡啶基、亞三嗪基、亞吡嗪基、亞喹卩惡啉基、亞噻嗯基、亞嗯二唑基等二價(jià)的芳香族雜環(huán)基。Ar5'、A'和八!"9'是由作為八!~1'等上述的基代表的二價(jià)的芳香族基，或者一NAr"'—(其中，Ar"'表示可以具有取代基的一價(jià)的芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基)表示的二價(jià)的芳基氨基。作為Ar"'，可列舉例如五或六元環(huán)的芳香族基，例如苯基、萘基、蒽基、菲基、噻嗯基、吡啶基、咔唑基等，它們可以具有取代基。作為L,的最小的連接基的Ar"，優(yōu)選3個(gè)稠環(huán)以上的，以便提高化合物的剛性、由此引起的耐熱性。作為A'、Ar3'、Ar4'、Ar6'、Ar"和Ar1Q'，優(yōu)選單環(huán)或者2_3個(gè)稠環(huán)，更優(yōu)選單環(huán)或者兩個(gè)稠環(huán)。從提高耐熱性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選Ar5'、A/和Ar9'是芳香族環(huán)，從提高化合物的非晶性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選ArS'、A/和A'是一NAr11'—。通過使Ar、A一'和A'為一NAr"'—，可以微妙地使該化合物的發(fā)光波長進(jìn)行長波長化，可以容易地獲得所希望的發(fā)光波長。另外，優(yōu)選A'和A'—方是一NA,'—時(shí)，另一方是芳香族基。作為A'和至A,可以具有的取代基，可列舉例如與作為Z的取代基列舉的基相同的基。其中，特別優(yōu)選為烷基、垸氧基、芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基。作為Ar"'可以具有的取代基，可列舉例如與作為Z的取代基列舉的基相同的基。其中，特別優(yōu)選為芳基氨基或者苯基、萘基等芳香族烴環(huán)基、或者咔唑基等芳香族雜環(huán)基。式(1)中，Ar'和Ar2各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基。作為A—和Ar2的芳香族烴環(huán)基，可列舉例如由苯環(huán)的單環(huán)或者2—5個(gè)稠環(huán)組成的基，具體地可列舉苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、茈基等。作為芳香族雜環(huán)基，可列舉例如五或六元環(huán)的單環(huán)或者2—5個(gè)稠環(huán)，具體地可列舉吡啶基、三嗪基、吡嗪基、喹瞎啉基、噻嗯基等。作為芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基可以具有的取代基，可列舉例如烷基(例如甲基、乙基等碳原子數(shù)1一6的直鏈或支鏈烷基)、烯基(例如乙烯基、烯丙基等碳原子數(shù)1一6的直鏈或支鏈烯基)、烷氧基羰基(例如甲氧基羰基、乙氧基羰基等碳原子數(shù)l一6的直鏈或支鏈的烷氧基羰基)、烷氧基(例如甲氧基、乙氧基等碳原子數(shù)1一6的直鏈或支鏈的垸氧基)、芳氧基(例如苯氧基、萘氧基等碳原子數(shù)6—10的芳氧基)、芳烷基氧基(例如芐氧基等碳原子數(shù)7—13的芳氧基)、仲胺基或叔胺基(例如二乙基氨基、二異丙基氨基等具有碳原子數(shù)2—20的直鏈或支鏈烷基的二烷基氨基；二苯基氨基、苯基萘基氨基等二芳基氨基；甲基苯基氨基等碳原子數(shù)7—20的芳基垸基氨基等)、鹵原子(氟原子、氯原子、溴原子或者碘原子)、芳香族烴環(huán)基(例如苯基、萘基等碳原子數(shù)6—10的芳香族徑環(huán)基)、以及芳香族雜環(huán)基(例如噻嗯基、吡啶基等由五或六元環(huán)的單環(huán)組成的芳香族雜環(huán)基)等。其中，優(yōu)選烷基、垸氧基、烷基氨基、芳基氨基、芳基垸基氨基、鹵原子、芳香族烴環(huán)基、芳香族雜環(huán)基，特別優(yōu)選垸基、垸氧基、芳基氨基。當(dāng)Ar'和Ar2是如三聯(lián)苯基等那樣直接通過兩個(gè)以上的鍵連接的、含有3個(gè)以上芳香族基的結(jié)構(gòu)時(shí)，通常認(rèn)為恐怕會降低一皿r'Ar2表示的芳基氨基所具有的空穴輸送能力，以及降低化合物的Tg。因此，為了不損害本發(fā)明的化合物的特性，重要的是A和A都不是3個(gè)以上的芳香族基通過直接結(jié)合或者短的鏈狀連接基并列結(jié)合形成的基。式(1)表示的含氮雜環(huán)衍生物優(yōu)選為下述式(6)表示的咔唑衍生物。15Ar16(6)式(6)中，Cz是取代或未取代的咔唑基。作為Cz表示的咔唑基，可列舉l一咔唑基、2—昨唑基、3—咔唑基、4一咔唑基、N—咔唑基。優(yōu)選為2—咔唑基、3—咔唑基、N—咔唑基。這些咔唑基可以具有取代基，作為該取代基，可列舉與式(1)的Z等的取代基相同的基。式(6)中，L3是l一4個(gè)可以具有取代基的二價(jià)芳香族基結(jié)合形成的連接基。作為U選的基與式(1)的L,相同。式(6)中，Ar,5和Ar,6各自獨(dú)立地是可以具有取代基的芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基。作為Ai^和Ar!s優(yōu)選的基與式(1)的Ar,和Ar2相同。式(6)的咔唑衍生物優(yōu)選為含有下述式(7)表示的N—咔唑基的化合物。式中，Ar7和Ars各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基，Re-R,3各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、烷基、芳垸基、烯基、氰基、氨基、?；⑼檠趸驶?、羧基、垸氧基、芳氧基、垸基磺?；?、羥基、酰胺基、芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基，這些基團(tuán)都可以再被取代。另夕卜，R6R,3相鄰的基團(tuán)之間也可以形成環(huán)。U表示l一4個(gè)可以具有取代基的二價(jià)芳香族基結(jié)合形成的連接基。16式(7)中R6-R。的各個(gè)基的例子與上述Z的取代基相同。另外，R6-R"相鄰的基團(tuán)彼此也可以通過結(jié)合形成與N—咔唑基稠合形成的環(huán)。R6-R'3之中，相鄰的基團(tuán)彼此通過結(jié)合形成的環(huán)通常是5—8元環(huán)，但是優(yōu)選為5或6元環(huán)，更優(yōu)選為6元環(huán)。另外，該環(huán)可以是芳香族環(huán)也可以是非芳香族環(huán)，但是優(yōu)選為芳香族環(huán)。另外，雖然該環(huán)可以是芳香族環(huán)也可以是非芳香族環(huán)，但是優(yōu)選為芳香族烴環(huán)。式(7)的N—咔唑基中，作為R6-R'3的任何一個(gè)通過結(jié)合形成與N—咔唑基結(jié)合的稠環(huán)的例子，例如可列舉下述的化合物。R6-R'3特別優(yōu)選都是氫原子(即N—咔唑基是未取代的)的情況，或者一個(gè)以上基團(tuán)是甲基、苯基或者甲氧基的任何一個(gè)，且剩余的是氫原子的情況。如式(7)所示的化合物特別優(yōu)選為如下式(8)所示的化合物。式中，R6-R"的各個(gè)基的例子與上述Z的取代基相同。另外，也可以互相連接形成飽和或不飽和的環(huán)。Ar,9和Ar2。各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基，它們的例子與上述的A^相同。另外，還可以優(yōu)選使用下述式(9)表示的芴系化合物。Z1Z2(9)式中，X,表示未取代、或者可以被作為取代基的鹵原子、碳原子數(shù)1—10的烷基、碳原子數(shù)1—IO的垸氧基、或者碳原子數(shù)6—10的芳基單取代或多取代的N—咔唑基，未取代、或者可以被作為取代基的鹵原子、碳原子數(shù)1一10的烷基、碳原子數(shù)1一10的烷氧基、或者碳原子數(shù)6—10的芳基單取代或多取代的N—吩瞎、嗪基，或者未取代、或者可以被作為取代基的鹵原子、碳原子數(shù)1一10的烷基、碳原子數(shù)1一10的烷氧基、或者碳原子數(shù)6—10的芳基單取代或多取代的N—酚噻嗪基；X2表示未取代、或者可以被作為取代基的鹵原子、碳原子數(shù)1一10的烷基、碳原子數(shù)I一IO的垸氧基、或者碳原子數(shù)6—IO的芳基單取代或多取代的N—咔唑基，未取代、或者可以被作為取代基的鹵原子、碳原子數(shù)1一10的垸基、碳原子數(shù)1一10的烷氧基、或者碳原子數(shù)6—10的芳基單取代或多取代的N—吩P惡嗪基，或者未取代、或者可以被作為取代基的鹵原子、碳原子數(shù)1一10的垸基、碳原子數(shù)I一IO的烷氧基、或者碳原子數(shù)6—IO的芳基單取代或多取代的N—酚噻嗪基，或者一NA,'Ar"'(其中，Ar21'和A,'表示未取代、或者可以被作為取代基的鹵原子、烷基、垸氧基、或者芳基單取代或多取代的總碳原子數(shù)6—20的碳環(huán)式芳香族基或者總碳原子數(shù)3—20的雜環(huán)式芳香族基)。B!和B2表示氫原子，直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基，未取代、或者可以被作為取代基的鹵原子、垸基、垸氧基、或者芳基單取代或多取代的總碳原子數(shù)6—20的碳環(huán)式芳香族基或者總碳原子數(shù)3—20的雜環(huán)式芳香族基，或者未取代、或者可以被作為取代基的鹵原子、垸基、垸氧基、或者芳基單取代或多取代的芳烷基；Z,和Z2表示氫原子，鹵原子，直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基，直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷氧基，或者未取代、或者可以被作為取代基的鹵原子、烷基、垸氧基、或者芳基單取代或多取代的總碳原子數(shù)6—20的碳環(huán)式芳香族基或者總碳原子數(shù)3—20的雜環(huán)式芳香族18基。式(9)表示的化合物中，X,表示取代或未取代的N-咔唑基、取代或未取代的N-吩隨嗪基、或者取代或未取代的N-酚噻嗪基，優(yōu)選為未取代、或者可以被作為取代基的例如鹵原子、碳原子數(shù)i一io的烷基、碳原子數(shù)1一10的烷氧基、或者碳原子數(shù)6—10的芳基單取代或多取代的N—昨唑基、N-吩嗯嗪基、或者N-酚噻嗪基，更優(yōu)選為未取代、或者可以被鹵原子、碳原子數(shù)1一4的烷基、碳原子數(shù)1一4的烷氧基、或者碳原子數(shù)6—10的芳基單取代或多取代的N—咔唑基、N-吩瞎嗪基、或者N-酚噻嗪基，更優(yōu)選為未取代的N—咔唑基、未取代的N-吩嗨嗪基、或者未取代的N-酚噻嗪基。作為X,的取代或未取代的N-咔唑基、取代或未取代的N-吩嗯嗪基、或者取代或未取代的N-酚噻嗪基的具體例子，可列舉例如N—咔唑基、2—甲基一N—咔唑基、3—甲基一N—咔唑基、4一甲基一N—咔唑基、3—正丁基—N—咔唑基、3—正己基—N—咔唑基、3—正辛基一N—咔唑基、3—正癸基一N—咔唑基、3，6—二甲基一N—昨唑基、2—甲氧基一N—昨唑基、3—甲氧基一N—咔唑基、3—乙氧基一N—咔唑基、3—異丙氧基一N—咔唑基、3—正丁氧基一N—咔唑基、3—正辛氧基一N—咔唑基、3—正癸氧基一N—咔唑基、3—苯基一N—咔唑基、3—(4'一甲基苯基)—N—咔唑基、3—氯一N—咔唑基、N-吩噁嗪基、N-酚噻嗪基、2—甲基一N-酚噻嗪基等。通式(1)表示的化合物中，X2表示取代或未取代的N-咔唑基、取代或未取代的N-吩嗯嗪基、或者取代或未取代的N-酚噻嗪基、或者一嫩1~21、？2'(其中，Ar21'和Ar22'表示取代或未取代的芳基)。作為X2的取代或未取代的N-咔唑基、取代或未取代的N-吩卩惡嗪基、或者取代或未取代的N-酚噻嗪基的具體例子，可列舉例如作為X,的具體例列舉的取代或未取代的N-咔唑基、取代或未取代的N-吩嗯嗪基、取代或未取代的N-酚噻嗪基。一NA,'Ar22'中，A,'和Ar22'表示取代或未取代的芳基。另夕卜，所述的芳基表示例如苯基、萘基、蒽基等碳環(huán)式芳香族基、例如呋喃基、噻嗯基、吡啶基等雜環(huán)式芳香族基。Ar"'和Ar22'優(yōu)選為未取代、或者可以被作為取代基的例如鹵原子、烷基、垸氧基、或者芳基單取代或多取代的總碳原子數(shù)6—20的碳環(huán)式芳香族基或者總碳原子數(shù)3—20的雜環(huán)式芳香族基，更優(yōu)選為未取代、或者可以被鹵原子、碳原子數(shù)1一14的垸基、碳原子數(shù)l一14的烷氧基、或者碳原子數(shù)6—10的芳基單取代或多取代的總碳原子數(shù)6—20的碳環(huán)式芳香族基，更優(yōu)選為未取代、或者可以被鹵原子、碳原子數(shù)1—4的烷基、碳原子數(shù)1一4的垸氧基、或者碳原子數(shù)6—10的芳基單取代或多取代的總碳原子數(shù)6—16的碳環(huán)式芳香族基。作為A,'和Ar"的具體例，可列舉例如苯基、l一萘基、2—萘基、1一蒽基、2—蒽基、9一蒽基、4一喹啉基、4一吡啶基、3—吡啶基、2—吡啶基、3—呋喃基、2—呋喃基、3—噻嗯基、2—噻嗯基、2—嗨唑基、2—噻唑基、2—苯并螺唑基、2—苯并噻唑基、2—苯并咪唑基、4一甲基苯基、3—甲基苯基、2—甲基苯基、4一乙基苯基、3—乙基苯基、2—乙基苯基、4一正丙基苯基、4一異丙基苯基、2—異丙基苯基、4一正丁基苯基、4一異丁基苯基、4一仲丁基苯基、2—仲丁基苯基、4—叔丁基苯基、3—叔丁基苯基、2—叔丁基苯基、4一正戊基苯基、4一異戊基苯基、2—新戊基苯基、4一叔戊基苯基、4一正己基苯基、4一(2'—乙基丁基)苯基、4一正庚基苯基、4一正辛基苯基、4一(2'—乙基己基)苯基、4一叔辛基苯基、4一正癸基苯基、4一正十二烷基苯基、4一正十四垸基苯基、4一環(huán)戊基苯基、4一環(huán)己基苯基、4一(4，一甲基環(huán)己基)苯基、4—(4'一叔丁基環(huán)己基)苯基、3—環(huán)己基苯基、2—環(huán)己基苯基、4一乙基一1一萘基、6_正丁基一2—萘基、2，4一二甲基苯基、2，5—二甲基苯基、3，4一二甲基苯基、3，5—二甲基苯基、2，6—二甲基苯基、2，4—二乙基苯基、2，3，5—三甲基苯基、2，3，6—三甲基苯基、3，4，5—三甲基苯基、2，6—二乙基苯基、2，5—二異丙基苯基、2，6—二丁丙基苯基、2，4一二叔丁基苯基、2，5—二叔丁基苯基、4，6—二叔丁基一2—甲基苯基、5—叔丁基一2—甲基苯基、4一叔丁基一2，6—二甲基苯基、4一甲氧基苯基、3—甲氧基苯基、2—甲氧基苯基、4—乙氧基苯基、3—乙氧基苯基、2—乙氧基苯基、4一正丙氧基苯基、3—正丙氧基苯基、4一異丙氧基苯基、2—異丙氧基苯基、4一正丁氧基苯基、4一異丁氧基苯基、2—仲丁氧基苯基、4一正戊氧基苯基、4一異戊氧基苯基、2—異戊氧基苯基、4—新戊氧基苯基、2—新戊氧基苯基、4—正己氧基苯基、2—(2'一乙基丁基)氧基苯基、4一正辛氧基苯基、4一正癸氧基苯基、4一正十二烷氧基苯基、4一正十四烷氧基苯基、4一環(huán)己氧基苯基、2—環(huán)己氧基苯基、2—甲氧基—1—萘基、4一甲氧基一l一萘基、4—正丁氧基一l一萘基、5—乙氧基一1一萘基、6—甲氧基一2—萘基、6—乙氧基一2—萘基、6—正丁氧基一2—萘基、6—正己氧基一2—萘基、7—甲氧基一2—萘基、7—正丁氧基一2—萘基、2—甲基一4—甲氧基苯基、2—甲基一5—甲氧基苯基、3—甲基一5—甲氧基苯基、3—乙基一5—甲氧基苯基、2—甲氧基一4一甲基苯基、3—甲氧基一4一甲基苯基、2，4一二甲氧基苯基、2,5—二甲氧基苯基、2，6—二甲氧基苯基、3，4一二甲氧基苯基、3，5—二甲氧基苯基、3，5—二乙氧基苯基、3，5—二正丁氧基苯基、2—甲氧基一4一乙氧基苯基、2—甲氧基一6—乙氧基苯基、3，4，5—三甲氧基苯基、4—苯基苯基、3—苯基苯基、2—苯基苯基、4一(4'一甲基苯基)苯基、4一(3，一甲基苯基)苯基、4一(4'一甲氧基苯基)苯基、4一(4，一正丁氧基苯基)苯基、2—(2'—甲氧基苯基)苯基、4一(4'一氯苯基)苯基、3—甲基一4一苯基苯基、3—甲氧基一4一苯基苯基、4一氟苯基、3—氟苯基、2—氟苯基、4一氯苯基、3—氯苯基、2—氯苯基、4一溴苯基、2—溴苯基、4一氯一l一萘基、4—氯一2—萘基、6—溴一2—萘基、2，3—二氟苯基、2，4一二氟苯基、2,5—二氟苯基、2，6—二氟苯基、3，4一二氟苯基、3，5—二氟苯基、2，3—二氯苯基、2，4一二氯苯基、2，5—二氯苯基、3，4一二氯苯基、3，5—二氯苯基、2，5—二溴苯基、2，4，6—三氯苯基、2，4一二氯一1—萘基、1，6—二氯一2—萘基、2—氟一4一甲基苯基、2—氟一5—甲基苯基、3—氟—2—甲基苯基、3—氟一4一甲基苯基、2—甲基一4一氟苯基、2—甲基一5—氟苯基、3—甲基一4一氟苯基、2—氯一4一甲基苯基、2—氯一5—甲基苯基、2—氯一6—甲基苯基、2—甲基一3—氯苯基、2—甲基一4一氯苯基、3—甲基一4一氯苯基、2—氯一4，6—二甲基苯基、2—甲氧基一4—氟苯基、2—氟一4一甲氧基苯基、2—氟一4一乙氧基苯基、2—氟一6—甲氧基苯基、3—氟一4一乙氧基苯基、3—氯一4一甲氧基苯基、2—甲氧基一5—氯苯基、3—甲氧基一6—氯苯基、5—氯一2，4一二甲氧基苯基等，但是并不限于這些。式(9)表示的化合物中，B,和B2表示氫原子，直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的芳烷基，優(yōu)選表示氫原子、碳原子數(shù)1一16的直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基、碳原子數(shù)4一16的取代或未取代的芳基、或者碳原子數(shù)5—16的取代或未取代的芳烷基，更優(yōu)選表示氫原子、碳原子數(shù)l一8的直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基、碳原子數(shù)6—12的取代或未取代的芳基、或者碳原子數(shù)7—12的取代或未取代的芳烷基。更優(yōu)選B,和B2表示碳原子數(shù)l一8的直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基，碳原子數(shù)6—10的碳環(huán)式芳香族基，或者碳原子數(shù)7—10的碳環(huán)式芳垸基。另外，作為B,和B2的取代或未取代的芳基的具體例，可列舉例如作為Ai",和Ar2的具體例列舉的取代或未取代的芳基。作為B,和Bz的直鏈、支鏈或者環(huán)狀的垸基的具體例，可列舉例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、新戊基、叔戊基、環(huán)戊基、正己基、2—乙基丁基、3，3—二甲基丁基、環(huán)己基、正庚基、環(huán)己基甲基、正辛基、叔辛基、2—乙基己基、正壬基、正癸基、正十二烷基、正十四烷基、正十六垸基等，但是并不限于這些。另外，作為Bi和B2的取代或未取代的芳烷基的具體例，可列舉例如芐基、苯乙基、a-甲基芐基、a,ci-二甲基芐基、l一萘基甲基、2—萘基甲基、糠基、2—甲基芐基、3—甲基芐基、4一甲基芐基、4一乙基芐基、4一異丙基芐基、4一叔丁基芐基、4一正己基芐基、4一壬基芐基、3，4一二甲基芐基、3—甲氧基芐基、4一甲氧基芐基、4一乙氧基芐基、4一正丁氧基芐基、4—正己氧基芐基、4一壬氧基芐基、4一氟芐基、3—氟芐基、2—氯芐基、4一氯芐基等芳烷基等，但是并不限于這些。Z,和Z2表示氫原子，鹵原子，直鏈、支鏈或者環(huán)狀的垸基，直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷氧基，或者取代或未取代的芳基，優(yōu)選表示氫原子、鹵原子、碳原子數(shù)1一16的直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基、碳原子數(shù)1一16的直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷氧基、或者碳原子數(shù)4一20的取代或未取代的芳基，更優(yōu)選表示氫原子、鹵原子、碳原子數(shù)l一8的直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基、碳原子數(shù)1一8的直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷氧基、或者碳原子數(shù)6—12的取代或未取代的芳基，進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子。另外，作為B,和B2的直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基的具體例，可列舉例22如作為B,和B2的具體例列舉的直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷基的具體例。此外，作為Z,和Z2的取代或未取代的芳基的具體例，可列舉例如作為A,'和Ar22'的具體例列舉的取代或未取代的芳基。作為Zi和Z2的鹵原子、直鏈、支鏈或者環(huán)狀的烷氧基的具體例，可列舉例如氟原子、氯原子、溴原子等鹵原子，例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、正戊氧基、異戊氧基、新戊氧基、環(huán)戊氧基、正己氧基、2—乙基丁氧基、3，3—二甲基丁氧基、環(huán)己氧基、正庚氧基、環(huán)己基甲氧基、正辛氧基、2—乙基己氧基、正壬氧基、正癸氧基、正十二烷氧基、正十四烷氧基、正十六垸氧基等垸氧基。作為上述式(9)表示的化合物的具體例，可列舉例如下述的化合物(序號1一100)，但是本發(fā)明并不限于這些。列舉化合物1.7—(N，一咔唑基)一N，N—二苯基一9H—芴一2—胺2.7—(N，一咔唑基)一N—苯基一N—(4'一甲基苯基)一9—甲基一9H—芴一2—胺3.7—(N，一咔唑基)一N，N—苯基一9，9—二甲基一9H—芴一2—胺4.7—(N，一咔唑基)一N—苯基一N—(3'—甲基苯基)一9，9—二甲基—9HU—胺5.7—(N，一咔唑基)一N—苯基一N—(4，一甲基苯基)一9,9—二甲基一9H—芴一2—胺6.7—(N，一咔唑基)一N—苯基一N—(4'一乙基苯基)一9，9一二甲基一9H—芴一2—胺7.7—(N，一咔唑基)一N—苯基—N—(4，_叔丁基苯基)一9，9一二甲基一9H—芴一2—胺8.7—(N，一咔唑基)一N—苯基一N—(3，，4，一二甲基苯基)一9，9一二甲基一9H—芴一2—胺9.7—(N，一咔唑基)一N—苯基一N—(3，，5，一二甲基苯基)一9，9—二甲基一9H—芴一2—胺10.7—(N，一咔唑基)一N，N—二(3，一甲基苯基)一9，9一二甲基一9HU—胺11.7—(N，一咔唑基)基一9H—芴一2—胺12.7—(N，一咔唑基)基一9H—芴一2—胺13.7—(N，一咔唑基)一二甲基一9H—芴一2—胺14.7—(N，一咔唑基)—二甲基一9H—芴一2—胺15.7—(N，一咔唑基)一二甲基一9H—芴一2—胺16.7—(N，一咔唑基)9一二甲基一卵一芴一2—胺17.7—(N，一咔唑基)甲基一9H—芴一2—胺18.7—(N，一咔唑基)苯基)一9，9一二甲基一9H—19.7—(N，一咔唑基)苯基)一9，9一二甲基一9H—20.7—(N，一咔唑基)甲基一9H—芴一2—胺21.7—(N，一咔唑基)甲基一9H-莉一2—胺22.7—(N，一咔唑基)二甲基一9H—芴一2—胺23.7—(N，一咔唑基)基一9H—芴—2—胺24.7—(N，一咔唑基)基一9H—芴一2—胺25.7—(N，一咔唑基)一N—"，■一9，9一二甲基一9H—芴一2—胺一N，N—二(4'一甲基苯基)一9，9—二甲一N，N—二(4'一乙基苯基)一9，9一二甲一N—苯基一N—(3'—甲氧基苯基)_9，9一N—苯基一N—(4'一甲氧基苯基)_9，9一N—苯基一N—(4，—乙氧基苯基)一9，9一N—苯基一N—(4'一正丁氧基苯基)一9，一N，N—二(4'一甲氧基苯基)一9，9一二—N—(3'—甲基苯基)一N—(4"一甲氧基芴一2—胺一N—(4'一甲基苯基)一N—(4"一甲氧基芴一2—胺一N—苯基一N—(3，—氟苯基)一9，9一二—N—苯基一N—(4，一氯苯基)一9，9一二—N—苯基一N—(4，一苯基苯基)一9，9一—N—苯基一N—(r一萘基)一9，9一二甲一N—苯基一N—(2，一萘基)一9，9—二甲甲基苯基)一N—(2"—萘基)26.7—(N，一咔唑基)一N—苯基一N—(2，—呋喃基)一9，9一二甲基一9H—芴一2—胺27.7—(N，一咔唑基)一N—苯基一N—(2'—噻嗯基)一9，9一二甲基一9H—芴一2—胺28.7—(N，一咔唑基)一N，N—二苯基一4—氟一9，9一二甲基一9H一苑一2—胺29.7—(N，一咔唑基)一N，N—二苯基一3—甲氧基一9，9一二甲基一9H—苑一2—胺30.7—(N，一咔唑基)一N，N—二苯基一4一苯基一9，9一二甲基一9H—芴一2—胺31.7—(3，一甲基一N，一咔唑基)一N，N—二苯基一9，9一二甲基一9H—苑—2—胺32.7—(3，一甲氧基一N，一咔唑基)一N，N—二苯基一9，9一二甲基一9H—芴一2—胺33.7—(3'—氯一N，一昨唑基)一N，N—二苯基一9，9一二甲基一9H一芴一2—胺34.2，7—二(N—咔唑基)一9，9一二甲基一9H—芴35.7—(N，一吩嗯嗪基)一N，N—二苯基一9，9一二甲基一9H—芴—2—胺36.7—(N，一吩聰嗪基)一N，N—二(4'一甲基苯基)一9，9一二甲基一9H—莉一2—胺37.2，7—二(N—吩P惡嗪基)一9，9一二甲基一9H—芴38.7—(N，一酚噻嗪基)—N，N—二苯基一9，9一二甲基一9H—芴—2—胺39.7—(N，一酚噻嗪基)一N—苯基一N—(3'—甲基苯基)一9，9一二甲基一9H—芴一2—胺40.7—(N，一酚噻嗪基)一N—苯基一N—(4'一甲基苯基)一9，9一二甲基一9H—芴一2—胺41.7—(N，一酚噻嗪基)一N，N—二(4'一甲基苯基)_9，9_二甲基一9H—芴一2—胺42.7—(N，一酚噻嗪基)一N—苯基一N—(4'一甲氧基苯基)一9，9一二甲基一9H—笏一2—胺43.7—(N，一酚噻嗪基)一N—苯基一N—(2'—萘基)一9，9一二甲基一9H—芴一2—胺44.2，7—二(N—酚噻嗪基)一9，9一二甲基一9H—芴45.7—(N，一咔唑基)一N，N—二苯基一9，9一二乙基一9H—苑一2—胺46.7—(N，一咔唑基)二乙基一9H—芴一2—胺47.7—(N，一咔唑基)基一9H—芴—2—胺48.7—(N，一咔唑基)一二乙基一9H—芴一2—胺49.7—(N，一咔唑基)9H—芴一2—胺50.7—(N'—咔唑基)胺51.7—(N，一咔唑基)一2—胺52.7—(N，一咔唑基)二正丙基一9H—芴一2—胺53.7—(N，一咔挫基)—N—苯基一N—(4'—甲基苯基)一9，9_一N，N—二(4'一甲基苯基)一9，9一二乙一N—苯基一N—(3'—甲氧基苯基)一9，9—N，N—二苯基一4一甲基—9，9一二乙基一—N，N—二苯基一9一異丙基一9H—芴一2——N，N—二苯基一9，9一二正丙基一9H—芴—N—苯基一N—(4'—甲基苯基)一9，9—_N—苯基一N—(4'一甲氧基苯基)一9，9一二正丙基一9H—芴一2—胺54.2，7—二(N—咔唑基)一9，9一二正丙基一9H—芴55.2，7—二(N—吩嗨嗪基)一9，9一二正丙基—9H—芴56.7—(N，一咔唑基)—N，N—二苯基一9，9一二正丁基—9H—芴一2-胺57.7—(N，一咔唑基)一N，N—二(4，一甲基苯基)一9，9—二正丁基一9H—芴一2—胺58.2，7—二(N，—咔唑基)一9，9一二正丁基一9H—芴2659.7—(N,一咔唑基)-匿N--苯基-一N—(4'一甲氧基苯基)一9，9一二正戊基一9H—芴一2—胺60.7—(N，一吩嚼嗪基)一N—-苯基一N-_(3'—甲氧基苯基)一9，9—二正戊基--9H--芴一2—胺61.7—(N,—咔唑基)--N，N-—二.(4".一甲氧基苯基)一9，9—二正戊基一9H—藥一2—胺62.2，7_:二(N，一咔唑基)一-9，9一二:正戊基一9H—芴63.7—(N,—咔唑基)--N，N-.苯基-一9，9—二正己基—9H—荷一2—胺64.7_(N，一昨唑基)--N,N.—二二(4，--甲基苯基)一9，9—二正己基一9H—芴一2--胺65.7—(N，一咔唑基)_-N，N-—二.苯基-—9一環(huán)己基一9H—荷一2—胺66.7—(N，—昨唑基)--N，N-.苯基--9，9一二正辛基一9H—芴—2-胺67.7—(N，—吩嚼嗪基)一N，N—-二(4'一甲基苯基)一9，9一二辛基一9H—芴—2--胺68.7—(N，一咔唑基)_-N，N-—二.苯基--9_甲基_9—乙基一9H—芴一2—胺69.7_(N，一咔唑基)--N，N-——.苯基--9一甲基一9一正丙基一9H—芴一2—胺70.7—(N,一酚噻嗪基)一N，N—二苯基一9一甲基一9一正丙基一9H—芴一2—胺71.7—(N,一咔唑基)一-N，N-—二.苯基--9—乙基一9—正己基一9H—芴—2—胺72.7—(N，—咔唑基)--N，N-.苯基--9—乙基—9—環(huán)己基一卵一芴一2—胺73,7—(N，—咔唑基)--N，N-_~■.苯基-一9一芐基—9H—芴一2—胺74.7_(N，一咔唑基)_-N，N-_.苯基-一9，9—二節(jié)基一9H—芴—2—胺2775.7—(N，一咔唑基)一N，N—二苯基一9，9—二(4'一甲基芐基)—9H—芴一2—胺76.7—(N，一咔唑基)_N，N—二苯基一9，9一二(4'—甲氧基芐基)—9H—芴_2—胺77.7—(N，一咔唑基)一N—苯基一N—(4，—甲基苯基)一9，9一二芐基一9H—芴一2—胺78.7—(N，一咔唑基)基—9H—芴一2—胺79.7—(N，一昨唑基)一二芐基一9H—芴一2—胺80.7—(N，一咔唑基)二芐基一9H—芴—2—胺81.7—(N，—咔唑基)-N，N—二(4'一甲基苯基)一9，9—二節(jié)-N—苯基一N—(4，一甲氧基苯基)一9，9卞_苯基—N—(4'一苯基苯基)—9，9—-N—苯基—N—(2'—萘基)一9，9一二節(jié)基一9H—芴一2—胺82.7—(N，—吩嗨嗪基)一N—苯基—N—(4'一甲基苯基)一9，9一二芐基—9H—芴一2—胺83.7—(N，一酚噻嗪基)_N，N—二(4，一甲基苯基)一9，9一二芐基一9H—芴一2—胺84.2，7—二(N—咔唑基)一9，9—二芐基一9H—芴85.2，7—二(N—咔唑基)一9，9一二(4，一甲基芐基)一9H—芴86.2—(N—咔唑基)一7_(N，一酚噻嗪基)一9，9一二芐基一9H—芴87.7—(N，—咔唑基)一N，N—二苯基一9一甲基一9一芐基—9H—芴—2—胺88.7—(N，一吩卩惡嗪基)一N，N—二苯基一9一乙基一9一芐基一9H—芴—2—胺89.7—(N，一咔唑基)一N，N—二苯基一9，9—二苯基一9H—芴—2-胺90.7—(N，一昨唑基)一N—苯基一N—(4'—甲基苯基)一9，9—二苯基一9H—芴—2—胺91.7—(N，一咔唑基)一N，N—二(4'一甲基苯基)一9，9—二苯基一9H—芴一2—胺92.7—(N，一咔唑基)—N—苯基一N—(3，一甲基苯基)一9，9一二(4"一甲基苯基)一9H—芴一2—胺93.7—(N，一咔唑基)一N—苯基一N—(3，一甲基苯基)一9，9一二(4"一甲氧基苯基)一9H—芴一2—胺94.7—(N，一吩螺嗪基)一N，N—二(4'一甲基苯基)一9，9_二苯基一9H—芴一2—胺95.7—(N，一酚噻嗪基)一N，N—二苯基一9，9一二苯基一9H—芴一2—胺96.2，7—二(N，一咔唑基)一9，9一二(4'一甲基苯基)一9H—芴97.2—(N—咔唑基)一7—(N，一吩嗯嗪基)一9，9一二苯基一9H一荷98.2—(N—吩嚼嗪基)一7—(N，一酚噻嗪基)_9，9一二苯基一9H—荷99.7—(N，一咔唑基)一N—苯基一N—(4，一甲基苯基)一9一甲基一9一苯基一9H—芴一2—胺100.7—(N，一咔唑基)一N，N—二苯基一9一乙基一9一苯基一9H—芴一2—胺下面示出了可以在本發(fā)明中使用的含氮雜環(huán)衍生物的具體例。29<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>A—58A—59A—60A—64A—65式(2)中，L2是取代或未取代的碳原子數(shù)10—40的亞芳基。優(yōu)選列舉亞聯(lián)苯基、亞三聯(lián)苯基、亞四聯(lián)苯基、亞萘基、亞蒽基、亞菲基、亞窟基、亞芘基、亞芴基、2，6—二苯基萘一4'，4"一烯基、2—苯基萘一2，4，一烯基、l一苯基萘—1，4'一烯基、2，7—二苯基亞芴基一4'，4"—烯基、亞藥基、9，10—二苯基亞蒽基一4'，4"一烯基、6，12—二苯基亞蓆基一4，，4"一烯基等。更優(yōu)選亞聯(lián)苯基、亞三聯(lián)苯基、亞芴基、2—苯基萘一2，4'一烯基、1一苯基萘一l，4，—烯基、6，12—二苯基亞蓆基一4，，4"—烯基。式(2)的Ai"3Ar6分別表示取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6—60的芳香族烴環(huán)基、或者取代或未取代的環(huán)原子數(shù)6—60的芳香族雜環(huán)基。式(2)的Ar3Are中，取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6—60的芳香族烴環(huán)基與式(1)的AnAr2例子相同。另外，作為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)6—60的芳香族雜環(huán)基可列舉例如五或六元環(huán)的單環(huán)或2—5個(gè)稠環(huán)，具體地可列舉吡啶基、三嗪基、吡嗪基、喹嗨啉基、噻嗯基。34式(2)的衍生物優(yōu)選為下述式(3)表示的化合物。式(3)中，Ar3Are與式(2)的Ar3Are相同。式(3)中，Ra表示取代基。Ra的具體例與上述式(1)的Z等的取代基相同。n表示2—4的整數(shù)。優(yōu)選為2和3。式(2)表示的胺衍生物更優(yōu)選為下述式(4)或(5)表示的化合物。式中，R,—Rs是取代基，具體例與式(3)的Ra相同。Ri和R2與R3—Rs互相可以通過連接形成飽和或不飽和的環(huán)。式中，Ar7Ar,4分別是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6—60的芳香族烴環(huán)基、或者取代或未取代的環(huán)原子數(shù)6—60的芳香族雜環(huán)基。Ar7Ar14的具體例可列舉與式(1)的Ar，Ar2相同的例子。作為Ar7Ar,4的取代基、Ri—Rs優(yōu)選列舉與式(1)的Z等的取代基相同的基。另外，作為R"R2彼此通過結(jié)合形成取代或未取代的環(huán)的例子，可列舉下面的結(jié)構(gòu)。另外，R3—R5通過結(jié)合形成環(huán)的情況也相同。優(yōu)選為下述結(jié)構(gòu)此外，式(4)的ArAru)的至少一個(gè)、以及式(5)的Ar『Ar"的至少一個(gè)優(yōu)選為取代或未取代的聯(lián)苯基。作為取代或未取代的聯(lián)苯基，可列舉2—聯(lián)苯基、3—聯(lián)苯基、4一聯(lián)苯基、對一三聯(lián)苯基、間一三聯(lián)苯基、鄰一三聯(lián)苯基、4'一甲基一聯(lián)苯基一4一基、4'一叔丁基一聯(lián)苯基一4一基、4，一(l一萘基)一聯(lián)苯基一4—基、4，一(2—萘基)一聯(lián)苯基一4一基、2—芴基、9，9一二甲基一2—芴基等。優(yōu)選為3—聯(lián)苯基、4一聯(lián)苯基、對一三聯(lián)苯基、間一三聯(lián)苯基、9，9—二甲基一2—芴基。在該取代或未取代的聯(lián)苯基末端還可以取代芳基氨基。下面示出了可以在本發(fā)明中使用的胺衍生物的具體例。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage38</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage39</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage40</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula>本發(fā)明的有機(jī)EL元件中，位于空穴注入、輸送區(qū)域的層的與陽極相接的層優(yōu)選為含有受體材料的層。圖2是表示本發(fā)明有機(jī)EL元件另一個(gè)實(shí)施方式的概略剖面圖。圖2的有機(jī)EL元件除了在陽極10和空穴注入層20之間具有含有受體材料的層之外，與圖1的有機(jī)EL元件相同。如圖2所示，通過按照與陽極10相接的方式設(shè)置含有受體材料的層80，進(jìn)行低電壓化。下面，對在含有受體材料的層80中含有的受體進(jìn)行說明。受體是易還原性的有機(jī)化合物。化合物的還原容易程度可以通過還原電位進(jìn)行測量。本發(fā)明中以飽和甘滎(SCE)電極為參考電極的還原電位中，優(yōu)選具有一0.8V以上，特別優(yōu)選具有大于四氰基醌二甲烷(TCNQ)的還原電位的值的化合物。之外易還原性的有機(jī)化合物，優(yōu)選為具有吸電子性取代基的有機(jī)化合物。具體地講，是醌型衍生物、吡嗪衍生物、芳基甲硼垸衍生物、酰亞胺衍生物。作為醌型衍生物，包括醌二甲烷衍生物、硫代吡喃二氧化物衍生物、噻噸二氧化物衍生物和醌衍生物。例如，作為醌型衍生物，優(yōu)選列舉下述式(la)_(li)中所示的化合物。更優(yōu)選為(la)、(lb)中所示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula>(lh)式(la)—(lh)中，R'—R48分別是氫、鹵素、氟代垸基、氰基、烷氧基、垸基或者芳基。優(yōu)選為氫、氰基。作為W—R48的鹵素，優(yōu)選為氟、氯。作為R'—R"的氟代烷基，優(yōu)選為三氟甲基、五氟乙基。作為R'—lT的烷氧基，優(yōu)選為甲氧基、乙氧基、異丙氧基、叔丁氧基。作為R'—R48的烷基，優(yōu)選為甲基、乙基、丙基、異丙基、叔丁基、環(huán)己基。作為R'—R"的芳基，優(yōu)選為苯基、萘基。式(la)—(lh)中，X是吸電子基，是下述式(j)一(p)結(jié)構(gòu)的任何一種。優(yōu)選為(j)、(k)、(1)的結(jié)構(gòu)。43(式中，1^一1^2分別是氫、氟代烷基、垸基、芳基或者雜環(huán)，f和R"可以形成環(huán)。)『一R52的氟代烷基、烷基、芳基與R1—R48相同。作為R49—R52的雜環(huán)，優(yōu)選為下述式所示的取代基。當(dāng)R5。和R5'形成環(huán)時(shí)，X優(yōu)選為下述式所示的取代基。(式中，r、R52'分別是甲基、乙基、丙基、叔丁基。)式(la)—(lh)中，Y是一N、或者一CH二。作為醌型衍生物的具體例，可列舉下面的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula>式(2)中，Ar3,—Ar33分別是具有吸電子基的芳基或者雜環(huán)。作為Ar31—Ar33表示的具有吸電子基的芳基，優(yōu)選為五氟苯基七氟萘基、五氟苯基o作為ArM—Ar33表示的具有吸電子基的雜環(huán)，優(yōu)選為喹啉環(huán)、喹瞎啉環(huán)、吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)。作為芳基甲硼垸衍生物的具體例，可列舉下面的化合物。作為芳基甲硼烷衍生物，優(yōu)選為在芳基上具有至少一個(gè)氟作為取代基的化合物，特別優(yōu)選為三e—(五氟萘基)甲硼烷(PNB)。作為硫代吡喃二氧化物衍生物，可列舉下述式(3a)所示的化合物，作為噻噸二氧化物衍生物，可列舉下述式(3b)所示的化合物。(3a)(3b)式(3a)和式(3b)中，R53—R64分別是氫、鹵素、氟代烷基、氰基、垸氧基、垸基或者芳基。優(yōu)選為氫、氰基。式(3a)和式(3b)中，X表示吸電子基且與式(la)—(li)的X相同。優(yōu)選為(i)、(j)、(k)的結(jié)構(gòu)。尺53—尺64表示的鹵素、氟代烷基、烷基和芳基與R'—R48相同。式(3a)所示的硫代吡喃二氧化物衍生物、式(3b)所示的噻噸二氧化物衍生物的具體例如下所示。46(式中，tBu是叔丁基。)作為酰亞胺衍生物優(yōu)選為萘四羧酸二酰亞胺化合物和苯均四酸二酰亞胺化合物。另外，還可以使用在特許3571977號中公開的下述式(4a)表示的含氮雜環(huán)衍生物。N—R121(式中，R"—R"6分別表示取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的雜環(huán)基的任何一種。其中，IT一R咖可以相同或不同。另外，R"禾BR122、R123|PR124、R'25禾卩R126、R"'禾口R126、R'22和R123、R'24和R"5可以形成稠環(huán)。)另外，還可以使用美國公開2004/0113547中記載的下述式(4b)的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage48</formula>(4b)(式中，R13'—R!36是取代基，優(yōu)選為氰基、硝基、磺?；Ⅳ驶?、三氟甲基、鹵素等吸電子基。)式(4b)的化合物的具體例如下所示。另外，下述式中Me表示甲基，Ph表示苯基。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage49</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage50</formula>還可列舉下述式(5a)所示的化合物。(5a)式中，R8'—R88選自氫、取代或未取代的垸基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)、鹵素、氰基、硝基、酯基、酰胺基、垸氧基、取代或未取代的苯氧基和氨基，可以相同或不同。另外，R8'—R"之中相鄰的基可以分別互相通過結(jié)合形成環(huán)結(jié)構(gòu)。另外，r一x84分別獨(dú)立地是碳或氮原子，n是0以上的整數(shù)。式(5a)的化合物的具體例如下所示。NCCNNCCN下面示出了本發(fā)明中使用的有機(jī)EL元件的代表結(jié)構(gòu)例。當(dāng)然，本發(fā)明并不限于此。(1)陽極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極(2)陽極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/陰極(圖l)(3)陽極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/絕緣層/陰極(4)陽極/絕緣層/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電52子注入層/絕緣層/陰極(5)陽極/含有受體的層/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/陰極(圖2)另外，發(fā)光層發(fā)出的光可以從陽極側(cè)和陰極側(cè)的一方、或者從兩側(cè)取出。另外，有機(jī)EL元件可以在陽極一陰極間具有空腔(cavity)結(jié)構(gòu)，即，可以具有在陽極一陰極間使發(fā)光層發(fā)出的光進(jìn)行反射的結(jié)構(gòu)。例如，陰極使用半透過半反射材料構(gòu)成，是具有陽極的光反射面的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，在陽極側(cè)的光反射面和陰極側(cè)的光反射面之間進(jìn)行多重干涉的發(fā)光從陰極側(cè)取出。陽極側(cè)的光反射面和陰極側(cè)的光反射面之間的光學(xué)距離根據(jù)取出的光的波長進(jìn)行規(guī)定，按照滿足該光學(xué)距離的方式設(shè)定各層的膜厚。特別是在上面發(fā)光型(不通過支撐基板在元件外部取出發(fā)光)的有機(jī)EL元件中，通過積極地利用該空腔結(jié)構(gòu)，可以改善向外部的光輸出效率和控制發(fā)光光譜。下面，對構(gòu)成本發(fā)明有機(jī)EL元件的各部件進(jìn)行說明。(基板)本發(fā)明的有機(jī)EL元件在透光性基板上制作。其中所述的透光性基板是支撐有機(jī)EL元件的基板，優(yōu)選在400-700nm的可見光區(qū)內(nèi)的光透過率為50。/0以上的平滑的基板。具體地，可列舉玻璃板、聚合物板。作為玻璃板，特別列舉鈉玻璃、含鋇和鍶的玻璃、鉛玻璃、硅鋁酸鹽玻璃、硼硅酸鹽玻璃、硼硅酸鋇玻璃、石英等。另外，作為聚合物玻璃板，可列舉聚碳酸酯、丙烯酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚醚硫化物、聚砜等。還有，就從基板的相反側(cè)取出光的上部發(fā)射型的元件而言，基板未必需要透光性。(陽極)有機(jī)EL元件的陽極具有將空穴注入空穴輸送層或注入發(fā)光層的作用，有效的是具有4.5eV以上功函數(shù)的。作為用于本發(fā)明的陽極材料的具體例子，可以單獨(dú)或混合的狀態(tài)使用例如鋁(Al)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)的金屬及其合金以及它們的金屬53和合金的氧化物等、或者氧化錫(Sn02)和銻(Sb)的合金、IT0(氧化銦錫)、InZnO(氧化銦鋅)、氧化鋅(Zn0)和鋁(Al)的合金、以及它們的金屬和合金的氧化物等。從陽極取出來自發(fā)光層的發(fā)光時(shí)，陽極對于發(fā)光的透過率優(yōu)選大于io%。另一方面，從陰極取出來自發(fā)光層的發(fā)光時(shí)，優(yōu)選陽極是反射性電極。此時(shí)，陽極可以是光反射性優(yōu)異的第l層和在其上部設(shè)置的具有光透過性的同時(shí)功函數(shù)大的第2層的層疊結(jié)構(gòu)。例如，第l層由以鋁為主成分的合金組成。其副成分可以含有至少一種功函數(shù)比作為主成分的鋁相對較小的元素。作為這樣的副成分，優(yōu)選為鑭系元素系列元素。鑭系元素系列元素的功函數(shù)雖然不大，但是含有這些元素時(shí)陽極的穩(wěn)定性提高，而且還滿足了陽極的空穴注入性。另外，作為副成分，除了鑭系元素系列元素以外，還可以包括硅(Si)、銅(Cu)等元素。構(gòu)成第l層的鋁合金層中的副成分的含量，例如，如果是使鋁穩(wěn)定的Nd、Ti等，優(yōu)選總計(jì)為約10wt^以下。由此，可以邊維持鋁合金層中的反射率，邊穩(wěn)定地保持有機(jī)電致發(fā)光元件的制造工藝中鋁合金層，進(jìn)而還可以獲得加工精度和化學(xué)穩(wěn)定性。另外，還可以改善陽極的導(dǎo)電性和與基板的粘合性。第2層可列舉由鋁合金的氧化物、鉬的氧化物、鋯的氧化物、鉻的氧化物、和鉭的氧化物的至少一種組成的層。在這里，例如，當(dāng)?shù)?層是含有鑭系元素系元素作為副成分的鋁合金的氧化物層(含有自然氧化膜)時(shí)，由于鑭系元素系元素的透過率高，所以含有它的第2層的透過率良好。因此，在第l層的表面上，可以維持高反射率。另外，第2層也可以是IT0和IZO等的透明導(dǎo)電層。這些導(dǎo)電層可以改善陽極的電子注入特性。另外，在與陽極的基板相接的一側(cè)上，可以設(shè)置用于提高陽極和基板之間粘合性的導(dǎo)電層。作為這樣的導(dǎo)電層，可列舉IT0和IZ0等的透明導(dǎo)電層。當(dāng)利用有機(jī)EL元件構(gòu)成的顯示裝置的驅(qū)動方式是有源矩陣方式時(shí)，在每個(gè)象素上進(jìn)行圖案形成，在與基板上設(shè)置的驅(qū)動用的薄膜晶體管連接的狀態(tài)下設(shè)置陽極。另外，此時(shí)，在陽極上，設(shè)置絕緣膜，按照從該絕緣膜開口部分露出各個(gè)象素的陽極表面的方式構(gòu)成。陽極可以通過將上述電極物質(zhì)采用蒸鍍法或?yàn)R射法等方法形成薄膜來制備。優(yōu)選陽極的片材電阻率為數(shù)百Q(mào)/口以下。陽極的膜厚根據(jù)材料，通常選擇為10nm-1,，優(yōu)選10-200nm。(發(fā)光層).有機(jī)EL元件的發(fā)光層同時(shí)具有以下的作用(1)注入作用當(dāng)施加電場時(shí)，可以從陽極或空穴注入、輸送層注入空穴，從陰極或電子注入、輸送層注入電子的作用；(2)傳輸作用在電場力的作用下，傳輸已注入的電荷(電子和空穴)的作用；禾口(3)發(fā)光作用提供電子和空穴復(fù)合的場，并通過復(fù)合發(fā)光的作用。還有，可以在注入空穴的容易程度和注入電子的容易程度方面存在區(qū)別，另外，也可以在用空穴和電子的遷移率表示的輸送能力方面存在大小之分，但是無論哪一方都優(yōu)選傳輸電荷。作為形成發(fā)光層的方法，可適宜使用例如蒸鍍法、旋涂法、LB法等公知的方法。發(fā)光層特別優(yōu)選為分子沉積薄膜。其中所述分子沉積薄膜是由氣相狀態(tài)的材料化合物沉積形成的薄膜，或者由溶液狀態(tài)或液相狀態(tài)的材料化合物進(jìn)行固體化形成的薄膜，通常該分子沉積薄膜與由LB法形成的薄膜(分子累積膜)可以根據(jù)凝集結(jié)構(gòu)和高次結(jié)構(gòu)的差異或由結(jié)構(gòu)引起的功能差異進(jìn)行區(qū)分。另外，還可以如特開昭57—51781號公報(bào)所公開的那樣，通過將樹脂等粘合劑和材料化合物溶解于溶劑中形成溶液，隨后將其用旋涂法等進(jìn)行薄膜化，形成發(fā)光層。用于發(fā)光層的材料可以使用作為壽命長的發(fā)光材料公知的材料，但是可以把通式(I)表示的材料用作發(fā)光材料。式中，Ar'是環(huán)碳原子數(shù)6—50的芳香族環(huán)或者環(huán)原子數(shù)5—50的雜芳香族環(huán)。具體地，可列舉苯環(huán)、萘環(huán)、蒽環(huán)、聯(lián)苯環(huán)、奧環(huán)、苊環(huán)、藥環(huán)、菲環(huán)、螢蒽環(huán)、醋菲烯(7iT7工于y只y1/>0環(huán)、三亞苯環(huán)、芘環(huán)、窟環(huán)、苯并蒽環(huán)、并四苯環(huán)、匹環(huán)、茈環(huán)、戊芬環(huán)、并五苯環(huán)、四亞苯環(huán)、己芬環(huán)、并六苯環(huán)、紅玉省環(huán)、暈苯環(huán)、三亞萘基、吡咯環(huán)、吲哚環(huán)、咔唑環(huán)、咪唑環(huán)、苯并咪唑環(huán)、螺二唑環(huán)、三唑環(huán)、吡嗪環(huán)、喹瞎啉環(huán)、喹啉環(huán)、嘧啶環(huán)、三嗪環(huán)、噻吩環(huán)、苯并噻吩環(huán)、噻蒽(^7^7環(huán)、呋喃環(huán)、苯并呋喃環(huán)、吡唑環(huán)、吡嗪環(huán)、噠嗪環(huán)、吲哚嗪環(huán)、喹唑啉環(huán)、菲繞啉環(huán)、噻咯(silole)環(huán)、苯并噻咯環(huán)等。優(yōu)選列舉苯環(huán)、萘環(huán)、蒽環(huán)、苊環(huán)、芴環(huán)、菲環(huán)、螢蒽環(huán)、三亞苯環(huán)、芘環(huán)、窟環(huán)、苯并蒽環(huán)、茈環(huán)。X'是取代基。具體地是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳香族雜環(huán)基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為150的垸基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為150的烷氧基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為150的芳烷基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的羧基、取代或未取代的苯乙烯基、鹵素基、氰基、硝基、羥基等。作為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基的例子，可列舉苯基、l一萘基、2—萘基、l一蒽基、2—蒽基、9一蒽基、1—菲基、2—菲基、3一菲基、4一菲基、9一菲基、l一并四苯基、2—并四苯基、9一并四苯基、l一芘基、2—芘基、4一芘基、2—聯(lián)苯基、3—聯(lián)苯基、4一聯(lián)苯基、對聯(lián)三苯一4一基、對聯(lián)三苯一3—基、對聯(lián)三苯一2—基、間聯(lián)三苯一4一基、間聯(lián)三苯一3—基、間聯(lián)三苯一2—基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對叔丁基苯基、對(2—苯基丙基)苯基、3—甲基一2—萘基、4一甲基一l一萘基、4一甲基一1一蒽基、4，一甲基聯(lián)苯基、4，，一叔丁基一對三聯(lián)苯一4一基、2—芴基、9，9一二甲基一2—芴基、3—熒蒽基等。優(yōu)選列舉苯基、l一萘基、2—萘基、9—菲基、l一并四苯基、2—并四苯基、9—并四苯基、l一芘基、2—芘基、4一芘基、2—聯(lián)苯基、3—聯(lián)苯基、4一聯(lián)苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對叔丁基苯基、2—芴基、9，9—二甲基一2—芴基、3—熒蒽基等。作為取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳香族雜環(huán)基的例子，可列舉l一吡咯基、2—吡咯基、3—吡咯基、吡嗪基、2—吡啶基、3—吡啶基、4一吡啶基、l一吲哚基、2—吲哚基、3—吲哚基、4一吲哚基、5—吲哚基、6—吲哚基、7—吲哚基、l一異吲哚基、2—異吲哚基、3—異吲哚基、4一異吲哚基、5—異吲哚基、6—異吲哚基、7—異吲哚基、2_呋喃基、3—呋喃基、2—苯并呋喃基、3—苯并呋喃基、4—苯并呋喃基、5—苯并呋喃基、6—苯并呋喃基、7—苯并呋喃基、l一異苯并呋喃基、3—異苯并呋喃基、4一異苯并呋喃基、5—異苯并呋喃基、6—異苯并呋喃基、7一異苯并呋喃基、喹啉基、3—喹啉基、4一喹啉基、5—喹啉基、6—喹啉基、7—喹啉基、8—喹啉基、l一異喹啉基、3—異喹啉基、4一異喹啉基、5—異喹啉基、6—異喹啉基、7—異喹啉基、8—異喹啉基、2—喹喔啉基、5—喹喔啉基、6—喹喔啉基、1—咔唑基、2—咔唑基、3—咔唑基、4一咔唑基、9一咔唑基、l一菲啶基、2—菲啶基、3—菲啶基、4一菲啶基、6—菲啶基、7—菲啶基、8—菲啶基、9一菲啶基、IO—菲啶基、l一吖啶基、2—吖卩定基、3—吖啶基、4一吖啶基、9一吖啶基、1，7—菲繞啉一2—基、1，7—菲繞啉一3—基、1，7—菲繞啉一4—基、1，7—菲繞啉一5—基、1，7—菲繞啉一6—基、1，7—菲繞啉一8—基、1,7—菲繞啉一9一基、1，7一菲繞啉一10—基、1，8—菲繞啉一2—基、1，8—菲繞啉一3—基、1，8—菲繞啉一4一基、1，8—菲繞啉一5—基、1，8—菲繞啉一6—基、1，8—菲繞啉一7—基、1，8—菲繞啉一9一基、1，8—菲繞啉一IO—基、1，9—菲繞啉一2—基、1，9—菲繞啉一3—基、1，9—菲繞啉一4一基、1，9—菲繞啉一5—基、1，9—菲繞啉一6—基、1，9_菲繞啉—7—基、1，9一菲繞啉一8—基、1，9—菲繞啉一10—基、1，IO—菲繞啉一2—基、1，10—菲繞啉一3—基、1，10—菲繞啉一4一基、1，10—菲繞啉一5—基、2，9一菲繞啉一1一基、2，9一菲繞啉一3—基、2，9一菲繞啉一4一基、2，9一菲繞啉一5—基、2，9—菲繞啉一6—基、2，9—菲繞啉一7—基、2，9一菲繞啉一8—基、2，9一菲繞啉一10—基、2，8—菲繞啉一1一基、2，857一菲繞啉一3—基、2，8—菲繞啉—4一基、2，8—菲繞啉一5—基、2，8一菲繞啉一6—基、2，8—菲繞啉一7—基、2，8—菲繞啉一9一基、2，8一菲繞啉一IO—基、2，7—菲繞啉一1—基、2，7—菲繞啉一3—基、2，7一菲繞啉一4—基、2，7—菲繞啉一5—基、2，7—菲繞啉一6—基、2，7一菲繞啉一8—基、2，7—菲繞啉一9一基、2，7—菲繞啉一10—基、l一吩嗪基、2—吩嗪基、l一吩噻嗪基、2—吩噻嗪基、3—吩噻嗪基、4一吩噻嗪基、IO—吩噻嗪基、1_吩嗯嗪基、2—吩嗯嗪基、3—吩卩惡嗪基、4—吩瞎、嗪基、IO—吩聰嗪基、2—瞎唑基、4一嚼、唑基、5—嗯唑基、2—嗯二唑基、5—噁二唑基、3—呋咱基、2—噻嗯基、3—噻嗯基、2—甲基吡咯一1—基、2—甲基吡咯一3—基、2—甲基吡咯一4一基、2—甲基吡咯一5一基、3—甲基吡咯一1一基、3—甲基吡咯一2—基、3—甲基吡咯一4—基、3—甲基吡咯一5—基、2—叔丁基吡咯一4一基、3—(2—苯基丙基)吡咯一1_基、2—甲基一1一吲哚基、4一甲基一1一吲哚基、2—甲基一3—吲哚基、4—甲基一3—吲哚基、2—叔丁基一1—吲哚基、4一叔丁基—l一吲哚基、2—叔丁基一3—吲哚基、4一叔丁基一3—吲哚基等。作為取代或者未取代的碳原子數(shù)為150的垸基的例子，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥甲基、l一羥乙基、2—羥乙基、2—羥基異丁基、1，2—二羥基乙基、1，3—二羥基異丙基、2，3—二羥基叔丁基、1，2，3—三羥基丙基、氯甲基、l一氯乙基、2—氯乙基、2—氯異丁基、1，2—二氯乙基、1，3—二氯異丙基、2，3—二氯叔丁基、1，2，3—三氯丙基、溴甲基、l一溴乙基、2—溴乙基、2—溴異丁基、1，2—二溴乙基、1，3—二溴異丙基、2，3—二溴叔丁基、1，2，3—三溴丙基、碘甲基、l一碘乙基、2—碘乙基、2—碘異丁基、1，2—二碘乙基、1，3—二碘異丙基、2，3—二碘叔丁基、1，2，3—三碘丙基、氨基甲基、l一氨基乙基、2—氨基乙基、2—氨基異丁基、1，2—二氨基乙基、1，3—二氨基異丙基、2，3—二氨基叔丁基、1，2，3—三氨基丙基、氰基甲基、l一氰基乙基、2—氰基乙基、2—氰基異丁基、1，2—二氰基乙基、1，3—二氰基異丙基、2，3—二氰基叔丁基、1，2，3—三氰基丙基、硝基甲基、l一硝基乙基、2—硝基乙基、2—硝基異丁基、1，2—二硝基乙基、1，3—二硝基異丙基、2，3—二硝基叔丁基、1，2，3—三硝基丙基、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、4一甲基環(huán)己基、l一金剛垸基、2—金剛烷基、l一降冰片基、2_降冰片基等。作為取代或者未取代的碳原子數(shù)為150的烷氧基是用一OY表示的基，作為Y的例子，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥甲基、l一羥乙基、2—羥乙基、2—羥基異丁基、1，2—二羥基乙基、1，3—二羥基異丙基、2，3—二羥基叔丁基、1，2，3—三羥基丙基、氯甲基、l一氯乙基、2—氯乙基、2—氯異丁基、1，2—二氯乙基、1，3—二氯異丙基、2，3—二氯叔丁基、1，2，3—三氯丙基、溴甲基、l一溴乙基、2—溴乙基、2—溴異丁基、1，2—二溴乙基、1，3—二溴異丙基、2，3—二溴叔丁基、1，2，3—三溴丙基、碘甲基、l一碘乙基、2—碘乙基、2—碘異丁基、1，2一二碘乙基、1，3—二碘異丙基、2，3—二碘叔丁基、1，2，3—三碘丙基、氨基甲基、l一氨基乙基、2—氨基乙基、2—氨基異丁基、1，2—二氨基乙基、1，3—二氯基異丙基、2，3—二氨基叔丁基、1，2，3—三氨基丙基、氰基甲基、l一氰基乙基、2—氰基乙基、2—氰基異丁基、1，2一二氰基乙基、1，3—二氰基異丙基、2，3—二氰基叔丁基、1，2，3—三氰基丙基、硝基甲基、l一硝基乙基、2—硝基乙基、2—硝基異丁基、1，2—二硝基乙基、1，3—二硝基異丙基、2，3—二硝基叔丁基、1，2，3_三硝基丙基等。作為取代或者未取代的碳原子數(shù)為150的芳垸基的例子，可列舉芐基、l一苯基乙基、2—苯基乙基、l一苯基異丙基、2—苯基異丙基、苯基叔丁基、a—萘基甲基、l一a—萘基乙基、2—a—萘基乙基、1—ct一萘基異丙基、2—a—萘基異丙基、P—萘基甲基、l一e—萘基乙基、2一P—萘基乙基、1一P—萘基異丙基、2—P—萘基異丙基、l一吡咯基甲基、2—(l一吡咯基)乙基、對甲基芐基、間甲基芐基、鄰甲基芐基、對氯芐基、間氯芐基、鄰氯芐基、對溴芐基、間溴芐基、鄰溴芐基、對碘芐基、間碘芐基、鄰碘芐基、對羥基芐基、間羥基芐基、鄰羥基芐基、對氮基節(jié)基、間氨基節(jié)基、鄰氨基芐基、對硝基芐基、間硝基芐基、鄰硝基芐基、對氰基芐基、間氰基芐基、鄰氰基芐基、l一羥基一2—苯基異丙基、1—氯一2—苯基異丙基等。作為取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基可表示為一0Y'，作為Y鄰例子，可列舉苯基、l一萘基、2—萘基、l一蒽基、2—蒽基、9一蒽基、l一菲基、2—菲基、3—菲基、4一菲基、9_菲基、l一并四苯基、2一并四苯基、9一并四苯基、l一芘基、2—芘基、4一芘基、2—聯(lián)苯基、3一聯(lián)苯基、4一聯(lián)苯基、對聯(lián)三苯一4一基、對聯(lián)三苯一3—基、對聯(lián)三苯一2—基、間聯(lián)三苯一4一基、間聯(lián)三苯一3—基、間聯(lián)三苯一2—基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、鄰叔丁基苯基、對(2—苯基丙基)苯基、3一甲基一2—萘基、4一甲基一1一萘基、4_甲基一l一蒽基、4'一甲基聯(lián)苯基、4"一叔丁基一對三聯(lián)苯一4一基、2—吡咯基、3—吡咯基、吡嗪基、2一吡啶基、3—吡啶基、4一吡啶基、2—吲哚基、3—吲哚基、4一吲哚基、5—吲哚基、6—吲哚基、7—吲哚基、l一異吲哚基、2—異吲哚基、3—異吲哚基、4一異吲哚基、5—異吲哚基、6—異吲哚基、7—異吲哚基、2—昧喃基、3—呋喃基、2—苯并呋喃基、3—苯并呋喃基、4一苯并呋喃基、5—苯并呋喃基、6—苯并呋喃基、7—苯并呋喃基、l一異苯并呋喃基、3一異苯并呋喃基、4一異苯并呋喃基、5—異苯并呋喃基、6—異苯并呋喃基、7—異苯并呋喃基、2—喹啉基、3—喹啉基、4一喹啉基、5—喹啉基、6—喹啉基、7—喹啉基、8—喹啉基、l一異喹啉基、3—異喹啉基、4一異喹啉基、5—異喹啉基、6—異喹啉基、7—異喹啉基、8—異喹啉基、2—喹喔啉基、5—喹喔啉基、6—喹喔啉基、l一咔唑基、2—咔唑基、3—咔唑基、4一咔唑基、l一菲啶基、2—菲啶基、3—菲啶基、4一菲啶基、6—菲啶基、7—菲啶基、8—菲啶基、9一菲啶基、IO—菲啶基、l一吖啶基、2—吖啶基、3—吖啶基、4一吖啶基、9—吖啶基、1，7—菲繞啉一2—基、1，7—菲繞啉一3—基、1，7—菲繞啉一4一基、1，7—菲繞啉一5—基、1，7—菲繞啉一6—基、1，7—菲繞啉一8—基、1，7—菲繞啉一9一基、1，7一菲繞啉一10—基、1，8—菲繞啉一2—基、1，8—菲繞啉一3—基、1，8一菲繞啉一4一基、1，8—菲繞啉一5—基、1，8—菲繞啉一6—基、1，8一菲繞啉一7—基、1，8—菲繞啉一9一基、1，8—菲繞啉—IO—基、1，9一菲繞啉一2—基、1，9一菲繞啉一3—基、1，9一菲繞啉一4一基、1，9一菲繞啉一5—基、1，9一菲繞啉一6—基、1，9—菲繞啉一7—基、1，960一菲繞啉一8—基、1，9一菲繞啉一10—基、1，10—菲繞啉—2—基、1，10—菲繞啉一3—基、1，10—菲繞啉一4一基、1，10—菲繞啉一5—基、2，9—菲繞啉—l一基、2，9一菲繞啉一3—基、2，9一菲繞啉一4一基、2，9一菲繞啉一5—基、2，9一菲繞啉一6—基、2，9一菲繞啉一7—基、2，9一菲繞啉一8—基、2，9一菲繞啉一10—基、2，8—菲繞啉一1一基、2，8一菲繞啉一3—基、2，8—菲繞啉一4一基、2，8—菲繞啉一5—基、2，8—菲繞啉一6—基、2，8—菲繞啉一7—基、2，8—菲繞啉一9一基、2，8一菲繞啉一10—基、2，7—菲繞啉一1—基、2，7—菲繞啉一3—基、2，7一菲繞啉一4一基、2，7—菲繞啉一5—基、2，7—菲繞啉一6—基、2，7一菲繞啉一8—基、2，7—菲繞啉一9—基、2，7—菲繞啉一10—基、l一吩嗪基、2—吩嗪基、l一吩噻嗪基、2—吩噻嗪基、3—吩噻嗪基、4一吩噻嗪基、IO—吩噻嗪基、l一吩嗯嗪基、2—吩嗯嗪基、3—吩聰嗪基、4一吩嗨嗪基、10—吩瞎、嗪基、2—嗯唑基、4一嗯唑基、5—瞎、唑基、2—嚼、二唑基、5—聰二唑基、3—呋咱基、2—噻嗯基、3—噻嗯基、2—甲基吡咯一1一基、2—甲基吡咯一3—基、2—甲基吡咯一4一基、2—甲基吡咯一5一基、3—甲基吡咯一l一基、3—甲基吡咯一2—基、3—甲基吡咯一4一基、3—甲基吡咯一5—基、2—叔丁基吡咯一4一基、3—(2—苯基丙基)吡咯一1一基、2—甲基一1一吲哚基、4一甲基一1一吲哚基、2—甲基3—吲哚基、4一甲基一3—吲哚基、2—叔丁基一1一吲哚基、4一叔丁基一1一吲哚基、2—叔丁基一3—吲哚基、4一叔丁基一3—吲哚基等。作為取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基可表示為一SY"，作為Y"的例子，可列舉苯基、l一萘基、2—萘基、l一蒽基、2—蒽基、9一蒽基、l一菲基、2—菲基、3—菲基、4一菲基、9一菲基、l一并四苯基、2—并四苯基、9一并四苯基、l一芘基、2—芘基、4一芘基、2—聯(lián)苯基、3—聯(lián)苯基、4一聯(lián)苯基、對聯(lián)三苯一4一基、對聯(lián)三苯一3—基、對聯(lián)三苯一2—基、間聯(lián)三苯一4一基、間聯(lián)三苯一3—基、間聯(lián)三苯一2—基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、鄰叔丁基苯基、對(2—苯基丙基)苯基、3一甲基一2—萘基、4—甲基一l一萘基、4一甲基一1一蒽基、4'一甲基聯(lián)苯基、4"一叔丁基一對三聯(lián)苯一4一基、2—吡咯基、3—吡咯基、吡嗪基、2一吡啶基、3—吡啶基、4—吡啶基、2—吲哚基、3—吲哚基、4一吲哚基、5—吲哚基、6—吲哚基、7—吲哚基、l一異吲哚基、2—異吲哚基、3—異吲哚基、4一異吲哚基、5—異吲哚基、6—異吲哚基、7—異吲哚基、2_呋喃基、3—呋喃基、2—苯并呋喃基、3—苯并呋喃基、4—苯并呋喃基、5—苯并呋喃基、6—苯并呋喃基、7—苯并呋喃基、l一異苯并呋喃基、3一異苯并呋喃基、4一異苯并呋喃基、5—異苯并呋喃基、6—異苯并呋喃基、7—異苯并呋喃基、2—喹啉基、3—喹啉基、4一喹啉基、5—喹啉基、6—喹啉基、7—喹啉基、8—喹啉基、l一異喹啉基、3—異喹啉基、4—異喹啉基、5—異喹啉基、6—異喹啉基、7—異喹啉基、8—異喹啉基、2—喹喔啉基、5—喹喔啉基、6—喹喔啉基、l一咔唑基、2—咔唑基、3—咔唑基、4一咔唑基、l一菲啶基、2—菲啶基、3—菲啶基、4一菲啶基、6—菲啶基、7—菲啶基、8—菲啶基、9一菲啶基、IO—菲啶基、l一吖啶基、2—吖啶基、3—吖啶基、4一吖啶基、9一吖啶基、1，7—菲繞啉一2—基、1，7—菲繞啉一3—基、1，7—菲繞啉一4—基、1，7—菲繞啉一5—基、1，7—菲繞啉一6—基、1，7—菲繞啉一8—基、1，7_菲繞啉_9_基、1，7一菲繞啉一10—基、1，8—菲繞啉一2—基、1，8—菲繞啉一3—基、1，8一菲繞啉一4一基、1，8—菲繞啉一5—基、1，8—菲繞啉一6—基、1，8一菲繞啉一7—基、1，8—菲繞啉一9一基、1，8—菲繞啉一10—基、1，9一菲繞啉一2—基、1，9一菲繞啉一3—基、1，9一菲繞啉一4一基、1，9—菲繞啉_5—基、1，9一菲繞啉一6—基、1，9一菲繞啉一7—基、1，9一菲繞啉一8—基、1，9一菲繞啉一10—基、1，10—菲繞啉一2—基、1，10—菲繞啉一3—基、1，10—菲繞啉—4一基、1，10—菲繞啉_5_基、2，9—菲繞啉-—1-一基、2，9--菲繞啉-—3-_基、2，9—-菲繞啉--4—-基、2，9一菲繞啉--5—-基、2，9—-菲繞啉--6—.基、2，9—菲繞啉一-7—-基、2，9一菲繞啉--8—-基、2,9—-菲繞啉--10--基、2，8--菲繞啉--l一-基、2，8—菲繞啉--3—-基、2，8--菲繞啉--4—基、2，8—菲繞啉--5—-基、2，8一菲繞啉-—6一-基、2，8--菲繞啉--7—基、2，8—菲繞啉一-9—-基、2，8一菲繞啉-10-一基、2，7--菲繞啉-一l--基、2，7—-菲繞啉-墨3--基、2，7一菲繞啉--4—-基、2，7-_菲繞啉--5—基、2,7—菲繞啉一-6—-基、2，7—菲繞啉_-8—-基、2，7--菲繞啉--9—-基、2，7—-菲繞啉-10.一基、1一吩嗪基、2—吩嗪基、l一吩噻嗪基、2—吩噻嗪基、3—吩噻嗪基、4一吩噻嗪基、IO—吩噻嗪基、l一吩嗨嗪基、2—吩嗯嗪基、3—吩嗯嗪基、4一吩嚼、嗪基、IO—吩嗨嗪基、2—瞎、唑基、4—噁唑基、5—嚼、唑基、2_嚼二唑基、5—隨、二唑基、3—呋咱基、2—噻嗯基、3—噻嗯基、2—甲基吡咯一1一基、2—甲基吡咯一3—基、2—甲基吡咯—4一基、2—甲基吡咯一5一基、3—甲基吡咯一1一基、3—甲基吡咯一2—基、3—甲基吡咯一4一基、3—甲基吡咯一5—基、2—叔丁基吡咯一4一基、3—(2—苯基丙基)吡咯一1一基、2—甲基一1_吲哚基、4一甲基一l一吲哚基、2—甲基一3—吲哚基、4一甲基一3—吲哚基、2—叔丁基一1一吲哚基、4一叔丁基一1一吲哚基、2—叔丁基一3—吲哚基、4一叔丁基一3—吲哚基等。作為取代或者未取代的碳原子數(shù)為150的羧基可表示為一C00Z'，作為Z，的例子，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥甲基、l一羥乙基、2一羥乙基、2—羥基異丁基、1，2—二羥基乙基、1，3—二羥基異丙基、2，3—二羥基叔丁基、1，2，3—三羥基丙基、氯甲基、l一氯乙基、2_氯乙基、2—氯異丁基、1，2—二氯乙基、1，3—二氯異丙基、2，3—二氯叔丁基、1，2，3—三氯丙基、溴甲基、l一溴乙基、2—溴乙基、2—溴異丁基、1，2—二溴乙基、1，3—二溴異丙基、2，3—二溴叔丁基、1，2，3一三溴丙基、碘甲基、1—碘乙基、2—碘乙基、2—碘異丁基、1，2—二碘乙基、1，3—二碘異丙基、2，3—二碘叔丁基、1，2，3—三碘丙基、氨基甲基、l一氨基乙基、2—氨基乙基、2—氨基異丁基、1，2—二氨基乙基、1，3—二氨基異丙基、2，3—二氨基叔丁基、1，2，3—三氨基丙基、氰基甲基、l一氰基乙基、2—氰基乙基、2—氰基異丁基、1，2—二氰基乙基、1，3—二氰基異丙基、2，3—二氰基叔丁基、1，2，3—三氰基丙基、硝基甲基、l一硝基乙基、2—硝基乙基、2—硝基異丁基、1，2一二硝基乙基、1，3—二硝基異丙基、2，3—二硝基叔丁基、1，2，3—三硝基丙基等。作為取代或者未取代的苯乙烯基的例子，可列舉2—苯基一1一乙烯基、2，2—二苯基一1一乙烯基、1，2，2—三苯基一1一乙烯基等。作為鹵素基的例子，可列舉氟、氯、溴、碘等。m是l一5的整數(shù)，n是0—6的整數(shù)。m優(yōu)選為l一2，n優(yōu)選為0—4。還有，m》2時(shí)，()內(nèi)的Ar'分別可以相同或不同。另外，n^2時(shí)，()內(nèi)的X'分別可以相同或不同。作為用于發(fā)光層的材料，更優(yōu)選列舉以下表示的蒽衍生物。A1—L一A2(II)(式中，A1和A2分別表示取代或未取代單苯基蒽基或者取代或未取代二苯基蒽基，它們彼此相同或不同，L表示單鍵或者二價(jià)的連接基。)還可列舉通式(III)表示的蒽衍生物。A3—An—A4(III)(式中，An表示取代或未取代的二價(jià)的蒽殘基，A3和A4分別表示取代或未取代的一價(jià)的稠合芳香族環(huán)基或者取代或未取代的碳原子數(shù)12以上的非稠合環(huán)系芳基，它們彼此相同或不同。)作為式(II)表示的蒽衍生物，可優(yōu)選列舉例如下述式(II一a)表示的蒽衍生物。(式中，R"—R自分別獨(dú)立地表示氫原子、垸基、環(huán)烷基、可以取代的芳基、烷氧基、芳氧基、烷基氨基、芳基氨基或者可以取代的雜環(huán)基，a和b分別表示l一5的整數(shù)，它們?yōu)?以上時(shí)，R"彼此或者R92彼此分別可以相同或不同。另外，R，皮此或者R92彼此也可以結(jié)合形成環(huán)，R"和R94、1^95和1^、R97和R98、R"和R，也可以互相結(jié)合形成環(huán)。L"表示單鍵或者一0—、一S—、一N(R)—(R是烷基或者可以取代的芳基)或者亞芳基。)或者可以優(yōu)選列舉下述式(n—b)表示的蒽衍生物。(I1一b)(式中，R""—R'w分別獨(dú)立地表示氫原子、垸基、環(huán)烷基、可以取代的芳基、烷氧基、芳氧基、烷基氨基、芳基氨基或者可以取代的雜環(huán)基，c，d，e和f分別表示l一5的整數(shù)，它們?yōu)?以上時(shí)，IT彼此、IT彼此、R'o6彼此或者IT彼此分別可以相同或不同，另外，『彼此、『2彼此、『彼此或者R"7彼此也可以結(jié)合形成環(huán)，R"3和R1。4、IT8和『也可以互相結(jié)合形成環(huán)。L"表示單鍵或者一O—、一S—、一N(R)—(R是烷基或者可以取代的芳基)或者亞芳基。)式(n—a)和(II一b)中，作為R9'—IT內(nèi)的垸基優(yōu)選列舉碳原子數(shù)l一6的垸基，作為環(huán)垸基優(yōu)選列舉碳原子數(shù)3—6的環(huán)烷基，作為芳基優(yōu)選列舉碳原子數(shù)5—18的芳基，作為烷氧基優(yōu)選列舉碳原子數(shù)1一6的烷氧基，作為芳氧基優(yōu)選列舉碳原子數(shù)5—18的芳氧基，作為芳基氨基優(yōu)選列舉碳原子數(shù)5—16的芳基取代的氨基，作為雜環(huán)基優(yōu)選列舉三唑基、瞎、二唑基、喹嚼啉基、呋喃基和噻嗯基等。另夕卜，作為l/和L"內(nèi)的一N(R)—中的R表示的垸基，優(yōu)選碳原子數(shù)l一6的垸基，作為芳基，優(yōu)選碳原子數(shù)5—18的芳基。作為可以與后述的摻雜劑一起用于發(fā)光層的基質(zhì)材料，優(yōu)選下述(i)一(ix)表示的化合物。下述通式(i)表示的非對稱蒽。65(式中，Ar為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為1050的稠合芳香族基。Ar，為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基。X1-X3是分別獨(dú)立地是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳香族雜環(huán)基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為150的烷基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為150的垸氧基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為650的芳垸基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或者未取代的環(huán)碳原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷氧基羰基、羧基、鹵原子、氰基、硝基、羥基。a、b和c分別為04的整數(shù)。n為13的整數(shù)。另外，當(dāng)n是2以上時(shí)，內(nèi)可以相同或不同。)下述通式(ii)表示的非對稱單蒽衍生物。R1R8(ii)(式中，Ar'和A彼此獨(dú)立，為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基，m和n分別是l一4的整數(shù)。其中，當(dāng)m二『1且A和A在苯環(huán)的結(jié)合位置是左右對稱型時(shí)，A和A不相同，當(dāng)m或者n是2—4的整數(shù)時(shí)，m和n是不同的整數(shù)。66R'IT彼此獨(dú)立，是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳香族雜環(huán)基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為150的垸基、取代或者未取代的環(huán)垸基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為150的垸氧基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為650的芳垸基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷氧基羰基、取代或者未取代的甲硅烷基、羧基、鹵原子、氰基、硝基、羥基。)下述通式(iii)表示的非對稱芘衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage67</formula>式中，Ar和Ar，分別獨(dú)立地表示取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6—50的芳基。L和L，分別獨(dú)立地表示取代或未取代的亞苯基、取代或未取代的亞萘基、取代或未取代的亞芴基或者取代或未取代的亞二苯并硅雜環(huán)戊二m是0—2的整數(shù)，n是l一4的整數(shù)，s是0—2的整數(shù)，t是0—4的整數(shù)。另外，L和Ar結(jié)合在芘的l一5位的任何一個(gè)上，L，或者Ar，結(jié)合在芘的6—10位的任何一個(gè)上。但是，n+t為偶數(shù)時(shí)，Ar，Ar，，L，L，滿足下述(1)或(2)。(1)Ar^Ar，和/或L^L，(其中^表示是不同的結(jié)構(gòu)基。)(2)Ar-Ar，且L二L，時(shí)(2—1)m^s和/或n^t，或者(2—2)m=s且n二t時(shí)，(2—2—1)L和L，、或者芘分別結(jié)合在Ar和Ar，上的不同的結(jié)合位置上，或者(2—2—2)L禾QL'、或者芘在Ar和Ar'上的相同的結(jié)合位置上結(jié)合時(shí)，L和L，、或者Ar和Ar，在芘上的取代位置不是1位和6位、或者2位和7位的情況。下述通式(iv)表示的非對稱蒽衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage68</formula>式中，A'和AM皮此獨(dú)立，為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為1020的稠合芳香族環(huán)基。Ar'和Ar2彼此獨(dú)立，為氫原子、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基。R'『彼此獨(dú)立，是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳香族雜環(huán)基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為150的垸基、取代或者未取代的環(huán)垸基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為150的烷氧基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為650的芳垸基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷氧基羰基、取代或者未取代的甲硅垸基、羧基、鹵原子、氰基、硝基或者羥基。Ar'、Ar2、R9和f分別可以是多個(gè)，相鄰的基團(tuán)彼此可以形成飽和或者不飽和的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。蒽的9位和10位上結(jié)合相對于在該蒽上所示出的X-Y軸為對稱型的基團(tuán)的情況不存在。在發(fā)光層中還可添加少量熒光性化合物作為摻雜劑，從而可以提高發(fā)光性能。這樣的摻雜劑可以分別使用作為壽命長的發(fā)光材料公知的物質(zhì)，但是希望使用式(VI)表示的材料作為發(fā)光材料的摻雜劑材料。(IV)式中，A,—Ar43是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6—50的芳香族基，取代或未取代的苯乙烯基。作為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6—50的芳香族基，可列舉苯基、1_萘基、2—萘基、l一蒽基、2—蒽基、9一蒽基、l一菲基、2—菲基、3_菲基、4一菲基、9_菲基、1—并四苯基、2—并四苯基、9一并四苯基、1一芘基、2—芘基、4一芘基、2—聯(lián)苯基、3—聯(lián)苯基、4一聯(lián)苯基、對聯(lián)三苯一4一基、對聯(lián)三苯一3—基、對聯(lián)三苯一2—基、間聯(lián)三苯一4一基、間聯(lián)三苯一3—基、間聯(lián)三苯一2—基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對叔丁基苯基、對(2—苯基丙基)苯基、3—甲基一2—萘基、4一甲基一l一萘基、4一甲基一1一蒽基、4'一甲基聯(lián)苯基、4"一叔丁基一對三聯(lián)苯一4一基、2—芴基、9，9一二甲基一2—芴基、3—熒蒽基等。優(yōu)選列舉苯基、l一萘基、2—萘基、9一菲基、l一并四苯基、2—并四苯基、9一并四苯基、l一芘基、2—芘基、4一芘基、2—聯(lián)苯基、3—聯(lián)苯基、4一聯(lián)苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對叔丁基苯基、2—芴基、9，9—二甲基一2—芴基、3—熒蒽基等。作為取代或未取代的苯乙烯基，可列舉2—苯基一1一乙烯基、2，2—二苯基一l一乙烯基、1，2，2—三苯基一l一乙烯基等。p是l—4的整數(shù)。69還有，p^2時(shí)，(VI)內(nèi)的Ar42、Ar43分別可以相同或不同。(空穴注入、輸送層)空穴注入、輸送層是幫助空穴注入發(fā)光層，輸送至發(fā)光區(qū)的層，空穴遷移率高，并且電離能通常小于5.5eV。作為這樣的空穴輸送層，優(yōu)選在更低的電場強(qiáng)度下將空穴輸送至發(fā)光層的材料，進(jìn)一步優(yōu)選例如在施加104106V/cm的電場時(shí)，其空穴的遷移率至少為10—4cm2/V'S的材料。本發(fā)明中，空穴注入層、空穴輸送層可以分別是多層。本發(fā)明的元件結(jié)構(gòu)中使用的上述式(1)和式(2)的化合物可以單獨(dú)形成空穴注入層、輸送層，也可以與其它材料混合使用。作為與本發(fā)明的元件結(jié)構(gòu)中使用的上述式(1)和式(2)的化合物混合形成空穴注入、輸送層的材料，只要是具有上述優(yōu)選的性質(zhì)的材料，就沒有特別限制，可以從現(xiàn)有光傳導(dǎo)材料中作為空穴的電荷輸送材料常用的材料和有機(jī)EL元件的空穴注入層中使用的公知的材料中選擇任意的材料來使用。另外，除了芳香族胺衍生物層、含氮雜環(huán)衍生物層以外，還可以是構(gòu)成空穴輸送區(qū)域的層，形成這些層的材料可以如上所述從公知的材料中選擇任意的材料來使用。作為芳香族胺衍生物通常認(rèn)為是下述式表示的化合物。(A,—Ar62、A,—Ar53、八1~54—厶]:56分別表示取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基、或者環(huán)原子數(shù)為550的雜芳香族基，a—c、p—r分別是0—3的整數(shù)，Ar"和Ar58、A,和Ar6°、Ar"和A,可以彼此互相連接形成飽和或不飽和的環(huán)。)(Ar"—Ar74分別表示取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基、或者環(huán)原子數(shù)為550的雜芳香族基，L'2是連接基，并且表示單鍵、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基、或者環(huán)原子數(shù)為550的雜芳香族基x是0—5的整數(shù)，Ar72—A,分別可以彼此互相連接形成飽和或不飽和的環(huán)。)作為具體例，可列舉例如三唑衍生物(參閱美國專利3，112，197號說明書等)、嚼二唑衍生物(參閱美國專利3，189，447號說明書等)、咪唑衍生物(參閱特公昭37-16096號公報(bào)等)、多芳基鏈垸烴衍生物(參閱美國專利3，615，402號說明書、同第3，820，989號說明書、同第3,542，544號說明書、特公昭45-555號公報(bào)、同51-10983號公報(bào)、特開昭51-93224號公報(bào)、同55-17105號公報(bào)、同56-4148號公報(bào)、同55-108667號公報(bào)、同55-156953號公報(bào)、同56-36656號公報(bào)等)、吡唑啉衍生物及吡唑啉一5—酮衍生物(參閱美國專利第3，180，729號說明書、同第4,278，746號說明書、特開昭55-88064號公報(bào)、同55-88065號公報(bào)、同49-105537號公報(bào)、同55-51086號公報(bào)、同56-80051號公報(bào)、同56-88141號公報(bào)、同57-45545號公報(bào)、同54-112637號公報(bào)、同55-74546號公報(bào)等)、苯二胺衍生物(參閱美國專利第3，615，404號說明書、特公昭51-10105號公報(bào)、同46-3712號公報(bào)、同47-25336號公報(bào)、同54-119925號公報(bào)等)、芳胺衍生物(參閱美國專利第3，567,450號說明書、同第3，240，597號說明書、同第3，658，520號說明書、同第4，232，103號說明書、同第4，175，961號71說明書、同第4，012,376號說明書、特公昭49-35702號公報(bào)、同39-27577號公報(bào)、特開昭55-144250號公報(bào)、同56-119132號公報(bào)、同56-22437號公報(bào)、西獨(dú)專利第1，110，518號說明書等)、氨基取代査耳酮衍生物(參閱美國專利第3，526，501號說明書等)、卩惡唑衍生物(美國專利第3，257，203號說明書等中公開的物質(zhì))、苯乙烯蒽衍生物(參閱特開昭56-46234號公報(bào)等)、9-芴酮衍生物(參閱特開昭54-110837號公報(bào)等)、腙衍生物(參閱美國專利第3，717，462號說明書、特開昭54-59143號公報(bào)、同55-52063號公報(bào)、同55-52064號公報(bào)、同55-46760號公報(bào)、同57-11350號公報(bào)、同57-148749號公報(bào)、特開平2-311591號公報(bào)等)、芪衍生物(參閱特開昭61-210363號公報(bào)、同第61-228451號公報(bào)、同61-14642號公報(bào)、同61-72255號公報(bào)、同62-47646號公報(bào)、同62-36674號公報(bào)、同62-10652號公報(bào)、同62-30255號公報(bào)、同60-93455號公報(bào)、同60-174749號公報(bào)、同60-175052號公報(bào)等)、硅氨烷衍生物(美國專利第4,950,950號說明書)、聚硅垸類(特開平2-204996號公報(bào))、苯胺類共聚物(特開平2-282263號公報(bào))、導(dǎo)電性高分子低聚物(特別是噻吩低聚物)等。作為空穴注入層的材料可以使用上述的物質(zhì)，但是優(yōu)選使用卟啉化合物(特開昭63-295695號公報(bào)等公開的物質(zhì))、芳香族叔胺化合物及苯乙烯胺化合物(參閱美國專利第4，127，412號說明書、特開昭53-27033號公報(bào)、同54-58445號公報(bào)、同55-79450號公報(bào)、同55-144250號公報(bào)、同56-119132號公報(bào)、同61-295558號公報(bào)、同61-98353號公報(bào)、同63-295695號公報(bào)等)，特別優(yōu)選使用芳香族叔胺化合物。還可以例舉美國專利第5,061，569號所述的分子內(nèi)具有2個(gè)稠合芳香環(huán)的，例如4，4'-二(N-(l-萘基)-N-苯胺基)聯(lián)苯(以下縮寫為NPD)，還有特開平4-308688號公報(bào)所述的3個(gè)三苯胺單元連結(jié)成了星爆(starburst)型的4，4，，4"-三(N-(3-甲苯基)-N-苯胺基)三苯胺(以下縮寫為MTDATA)等。另外，還可以使用特許3571977號中公開的下述式表示的含氮雜環(huán)衍生物。(式中，I^一R'26分別表示取代或未取代的垸基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的雜環(huán)基的任何一種。其中，R121一R'26可以相同或不同。另夕卜，R^和R122、R"3禾卩R124、R'25禾卩R'26、R"禾卩R126、R'22禾BR'23、R'24和R'25可以形成稠環(huán)。)另外，還可以使用美國公開2004/0113547中記載的下述式化合物。(式中，R"'—R^是取代基，優(yōu)選為氰基、硝基、磺酰基、羰基、三氟甲基、鹵素等吸電子基。)如這些材料所代表的那樣，受體材料也可以用作空穴注入材料。它們的具體例如上所述。另外，除了作為發(fā)光層材料所示過的所述芳香族二亞甲基類化合物以外，p型Si、p型SiC等無機(jī)化合物也可以用作空穴注入層的材料。空穴注入、輸送層可以通過將上述的化合物用例如真空蒸鍍法、旋涂法、澆注法、LB法等公知的方法進(jìn)行薄膜化形成。作為空穴注入、輸送層的膜厚沒有特別限制，通常為5nm—5um。該空穴注入、輸送層在空穴輸送區(qū)含有本發(fā)明的化合物時(shí)，可以由上述材料的一種或兩種以上構(gòu)成的一層而構(gòu)成，或者輸送空穴注入、輸送層也可以是將由其它化合物構(gòu)成的空穴注入、輸送層層疊而成的。另外，也可以形成有機(jī)半導(dǎo)體層。該層是幫助向發(fā)光層的空穴注入或電子注入的層，適宜使用具有10—'"S/cm以上的電導(dǎo)率的物質(zhì)。作為這樣的有機(jī)半導(dǎo)體層的材料，可以使用含噻吩低聚物、特開平8-193191號公報(bào)所述的含芳胺低聚物等導(dǎo)電性低聚物，含芳胺一胺型樹枝狀高分子(7U一A7S卜'u7—)等導(dǎo)電性樹枝狀高分子等。(電子注入、輸送層)電子注入層是幫助電子向發(fā)光層注入的層，電子遷移率大，另外，粘著改善層是由該電子注入層中與陰極的粘著性特別好的材料組成的層。作為用于電子注入層的材料，8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物和噁二唑衍生物適宜。作為上述8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物具體例子，可以使用含有8-羥基喹啉(一般為8-羥基喹啉或8-羥基喹啉)的螯合物的金屬螯合8-羥基喹啉化合物。例如，可以使用在發(fā)光材料項(xiàng)目中記載的Alq作為電子注入層。另一方面，作為曙二唑衍生物，可列舉用下述通式表示的電子傳遞化合物。(式中，Ar81，Ar82Ar83，Ar85，Ar86，Ar"分別表示取代或未取代的芳基，分別可以相同或不同。另外，Ar84，Ar87，A,表示取代或未取代的亞芳基，分別可以相同或不同。)N—NN一N74在此，作為芳基，可列舉苯基、聯(lián)苯基、蒽基、茈基、芘基。另外，作為亞芳基，可列舉亞苯基、亞萘基、亞聯(lián)苯基、亞蒽基、亞茈基、亞芘基等。另外，作為取代基可列舉碳原子數(shù)110的垸基、碳原子數(shù)110的烷氧基或氰基等。該電子傳遞化合物優(yōu)選薄膜形成性的物質(zhì)。作為上述電子傳遞性化合物的具體例，可以例舉下述物質(zhì)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage75</formula>另外，作為用于電子注入層的材料，可以使用下述式(A)、(B)表示的含氮雜環(huán)衍生物。用下述式表示的含氮雜環(huán)衍生物(A)(B)(式(A)和(B)中，A21A23分別獨(dú)立地是氮原子或碳原子。A,是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為660的芳基、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的雜芳基，A是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為660的芳基、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的雜芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為120的垸基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)為120的垸氧基、或者它們的二價(jià)基。其中，A,和A2的任意一方為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為1060的稠環(huán)基、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的單雜稠環(huán)基、或者它們的二價(jià)基。Ar23是取代或未取代的碳原子數(shù)為660的芳基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)為360的雜亞芳基。L'1、L'2和L'3分別獨(dú)立地是單鍵、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為660的亞芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的雜亞芳基或者取代或未取代的亞芴基。R"為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為660的芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的雜芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為120的垸基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)為120的垸氧基，n為05的整數(shù)，在n為2以上的情況下，多個(gè)R8'可以相同或不同，此外，相鄰的多個(gè)R"基彼此可以結(jié)合，形成碳環(huán)式脂肪族環(huán)或碳環(huán)式芳香族環(huán)。R82為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為660的芳基、取代或未76取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的雜芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為120的烷基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)為120的烷氧基、或者一L"一Ar21—Ar22。)用下述式表示的含氮雜環(huán)衍生物HAr—L14—Ar24—Ar25(C)(式中，HAr是可以具有取代基的碳原子數(shù)為340的含氮雜環(huán)，L14是單鍵、可以具有取代基的碳原子數(shù)為660的亞芳基、可以具有取代基的碳原子數(shù)為360的雜亞芳基或可以具有取代基的亞芴基，A,是可以具有取代基的碳原子數(shù)為660的2價(jià)芳香族烴基，A,是可以具有取代基的碳原子數(shù)為660的芳基、或可以具有取代基的碳原子數(shù)為360的雜芳基。)用下述式表示的硅雜環(huán)戊二烯衍生物0786X"丫''(D)(式中，X"和Y"相互獨(dú)立，是碳原子數(shù)為16的飽和或不飽和的烴基、烷氧基、烯氧基、炔氧基、羥基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)，或者X"和丫11相結(jié)合而形成飽和或不飽和的環(huán)的結(jié)構(gòu)，R85R88分別獨(dú)立，表示氫原子、鹵原子、取代或未取代的碳原子數(shù)為16的烷基、烷氧基、芳氧基、全氟代垸基、全氟代烷氧基、氨基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、偶氮基、垸基羰基氧基、芳基羰基氧基、垸氧基羰基氧基、芳氧基羰基氧基、亞磺?；⒒酋；被酋；?^7二A)、甲硅烷基、氨基甲?；?、芳基、雜環(huán)基、烯基、炔基、硝基、甲?；?、亞硝基、甲酰氧基、異氰基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基、異硫氰酸酯基或者氰基或者相鄰時(shí)的取代或者未取代的環(huán)進(jìn)行稠合形成的結(jié)構(gòu)。)用下述式表示的硼烷衍生物77(式中，R9'R98和Z2分別獨(dú)立，表示氫原子、飽和或不飽和的烴基、芳香族基、雜環(huán)基、取代氨基、取代氧硼基、烷氧基或芳氧基，X12、Y12和z'分別獨(dú)立，表示飽和或不飽和的烴基、芳香族基、雜環(huán)基、取代氨基、烷氧基或芳氧基，Z'和Z2的取代基可以相互結(jié)合而形成稠環(huán)，n表示l3的整數(shù)，當(dāng)n為2以上時(shí)，Z,可以不同。其中，不包括n是1且X12、Y'2和R92是甲基并且R98是氫原子或取代氧硼基的情況；和n為3且Z'為甲基的情況。)式中，Q'和Q2分別獨(dú)立，表示用下述通式(G)表示的配位基，L15表示鹵原子、取代或者未取代的烷基、取代或者未取代的環(huán)烷基、取代或者未取代的芳基、取代或者未取代的雜環(huán)基、或者用一OR'(R'是氫原子、取代或者未取代的垸基、取代或者未取代的環(huán)垸基、取代或者未取代的芳基、取代或者未取代的雜環(huán)基。)或一0—Ga—Q3(Q4)(Q3和04與Q1和Q2同義。)表示的配位基。(G)(式中，環(huán)A24和A25是可以具有取代基的已相互稠合的六員芳環(huán)結(jié)構(gòu)。)這種金屬配位化合物，作為n型半導(dǎo)體的性質(zhì)較強(qiáng)，電子注入能力大。進(jìn)而，形成配位化合物時(shí)的生成能量也低，所以已形成的金屬配位化合物的金屬和配位基的鍵合性也變得牢固，作為發(fā)光材料的熒光量子效率也會增大。如果列舉形成上述通式(G)的配位基的環(huán),和A25的取代基的具體例子，有氯、溴、碘、氟等鹵原子；甲基、乙基、丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、硬脂基、三氯甲基等取代或者未取代的垸基；苯基、萘基、3—甲基苯基、3—甲氧基苯基、3—氟苯基、3—三氯甲基苯基、3—三氟甲基苯基、3—硝基苯基等取代或者未取代的芳基；甲氧基、正丁氧基、叔丁氧基、三氯甲氧基、三氟乙氧基、五氟丙氧基、2，2，3，3—四氟丙氧基、1，1，1，3，3，3—六氟一2—丙氧基、6_(全氟乙基)己氧基等取代或者未取代的烷氧基；苯氧基、對硝基苯氧基、對叔丁基苯氧基、3—氟苯氧基、五氟苯基、3—三氟甲基苯氧基等取代或者未取代的芳氧基；甲硫基、乙硫基、叔丁基硫基、己基硫基、辛基硫基、三氟甲基硫基等取代或者未取代的垸硫基；苯硫基、對硝基苯硫基、對叔丁基苯硫基、3—氟苯硫基、五氟苯硫基、3—三氟甲基苯硫基等取代或者未取代的芳硫基；氰基、硝基、氨基、甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、二苯基氨基等單或二取代氨基；雙(乙酰氧基甲基)氨基、雙(乙酰氧基乙基)氨基、雙(乙酰氧基丙基)氨基、雙(乙酰氧基丁基)氨基等酰基氨基；羥基，甲硅烷氧基，酰基，甲基氨基甲?；⒍谆被柞；⒁一被柞；?、二乙基氨基甲酰基、丙基氨基甲?；?、丁基氨基甲?；⒈交被柞；热〈蛭慈〈?9的氨基甲?；霍人峄?，磺酸基，亞氨基，環(huán)戊垸基、環(huán)己基等環(huán)烷基；苯基、萘基、聯(lián)苯基、蒽基、菲基、芴基、芘基等芳基；吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、吲哚基、喹啉基、吖啶基、吡咯垸基、二嗯烷基、哌啶基、嗎啉烷基(morpholidinyl)基、哌嗪基、三嗪基(triathinyl)基、咔唑基、呋喃基、苯硫基、嚼唑基、螺二唑基、苯并嚼、唑基、噻唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、吡喃基(puranyl)基等雜環(huán)基等。另外，以上的取代基之間也可以通過結(jié)合進(jìn)一步形成六員芳環(huán)或者雜環(huán)。此外，也可以是含有該含氮雜環(huán)基或者含氮雜環(huán)衍生物的高分子化合物。作為本發(fā)明的優(yōu)選形式，有在輸送電子的區(qū)域或者陰極和有機(jī)層的界面區(qū)域含有還原性摻雜劑的元件。在這里，所謂的還原性摻雜劑是指可以將電子輸送性化合物還原的物質(zhì)。因而，只要是具有一定的還原性的物質(zhì)都可以，可使用各種各樣的物質(zhì)，例如，可以適當(dāng)?shù)厥褂眠x自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬的氧化物、堿金屬的鹵化物、堿土金屬的氧化物、堿土金屬的鹵化物、稀土金屬的氧化物、稀土金屬的鹵化物、堿金屬的有機(jī)絡(luò)合物、堿土金屬的有機(jī)絡(luò)合物和稀土金屬的有機(jī)絡(luò)合物的至少一種物質(zhì)。另外，更加具體地講，作為優(yōu)選的還原性摻雜劑，可列舉選自Na(功函數(shù)2.36eV)、K(功函數(shù):2.28eV)、Rb(功函數(shù):2.16eV)及Cs(功函數(shù):1.95eV)的至少一種堿金屬、和選自Ca(功函數(shù)2.9eV)、Sr(功函數(shù)2.02.5eV)及Ba(功函數(shù)2.52eV)的至少一種堿土金屬，特別優(yōu)選功函數(shù)為2.9eV以下的物質(zhì)。這些物質(zhì)中，更優(yōu)選的還原性摻雜劑為選自由K、Rb及Cs構(gòu)成的一組中的至少一種堿金屬，進(jìn)一步優(yōu)選Rb或Cs，最優(yōu)選為Cs。這些堿金屬的還原能力特別高，通過向電子注入?yún)^(qū)域的比較少量的添加，可以提高有機(jī)EL元件中的發(fā)光亮度和延長其壽命。另外，作為功函數(shù)為2.9eV以下的還原性摻雜劑，也優(yōu)選這些兩種以上的堿金屬的組合，特別優(yōu)選包含Cs的組合，例如Cs和Na、Cs和K、Cs和Rb或Cs和Na和K的組合。通過包含Cs進(jìn)行組合，可以有效地發(fā)揮其還原能力，通過向電子注入?yún)^(qū)域的添加，可以提高有機(jī)EL元件中的發(fā)光亮度和延長其壽命。本發(fā)明中可以在陰極和有機(jī)層之間進(jìn)一步設(shè)置由絕緣體和半導(dǎo)體構(gòu)成的電子注入層。此時(shí)，可以有效地防止電流的泄漏，提高電子注入性。作為這樣的絕緣體，優(yōu)選使用由堿金屬硫?qū)倩衔铩A土金屬硫?qū)倩衔?、堿金屬的鹵化物及堿土金屬的鹵化物構(gòu)成的一組中的至少一種金屬化合物。電子注入層只要是由這些堿金屬硫?qū)倩衔锏葮?gòu)成的，就可以進(jìn)一步提高電子注入性，故優(yōu)選。具體來講，作為優(yōu)選的堿金屬硫?qū)倩衔?，可列舉例如Li20、Li0、Na2S、Na2Se及NaO，作為優(yōu)選的堿土金屬硫?qū)倩衔铮闪信e例如CaO、BaO、SrO、BeO、BaS及CaSe。另外，作為優(yōu)選的堿金屬的鹵化物，可列舉例如LiF、NaF、KF、LiCl、KC1及NaCl等。另外，作為優(yōu)選的堿土金屬的鹵化物，可列舉例如CaF2、BaF2、SrF2、MgR及BeF2等氟化物和氟化物以外的鹵化物。另外，構(gòu)成電子輸送層的半導(dǎo)體，可列舉例如包含Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及Zn的至少一種元素的氧化物、氮化物或氧化氮化物等的單獨(dú)一種或兩種以上的組合。另外，構(gòu)成電子輸送層的無機(jī)化合物，優(yōu)選微結(jié)晶或非晶質(zhì)的絕緣性薄膜。電子輸送層只要是由這些絕緣性薄膜構(gòu)成的，由于可以形成更均勻的薄膜，因此，可以減少黑點(diǎn)等圖像缺陷。另外，作為這樣的無機(jī)化合物，可列舉例如上述的堿金屬硫?qū)倩衔?、堿土金屬硫?qū)倩衔铩A金屬的鹵化物及堿土金屬的鹵化物等。(陰極)作為陰極，使用功函數(shù)小的(4eV以下)金屬、合金、電傳導(dǎo)性化合物或這些的混合物作為電極物質(zhì)。作為這種電極物質(zhì)的具體例子，可列舉鈉、鈉-鉀合金、鎂、鋰、鎂-銀合金、鋁/氧化鋁、鋁-鋰合金、銦、稀土金屬等。該陰極可以通過將這些電極物質(zhì)用蒸鍍法和濺射法等方法形成薄膜來制備。其中，當(dāng)從陰極觀察發(fā)光層發(fā)光時(shí)，優(yōu)選陰極的光透過率大于10%。還優(yōu)選陰極的片材電阻率為數(shù)百Q(mào)/口以下，膜厚通常為5nm-l,，優(yōu)選50-200nm。(絕緣層)由于對超薄薄膜施加電場，有機(jī)EL元件易因漏電和短路而產(chǎn)生象素缺陷。為了防止形成這些缺陷，優(yōu)選在電極對之間插入絕緣薄膜層。作為用于絕緣層的材料，可列舉例如氧化鋁、氟化鋰、氧化鋰、氟化銫、氧化銫、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氟化銫、碳酸銫、氮化鋁、二氧化鈦、氧化硅、氧化鍺、氮化硅、氮化硼、氧化鉬、氧化釕和氧化釩等。還可使用它們的混合物和層疊材料。(有機(jī)EL元件的制作例)通過用上述列舉的材料和形成方法形成陽極、發(fā)光層、根據(jù)需要的空穴注入層以及根據(jù)需要的電子注入層，進(jìn)而形成陰極，可以制作有機(jī)EL元件。也可采用從陰極到陽極、與上述相反的順序，制作有機(jī)EL元件。下面，記載了在透光性基板上依次設(shè)置陽極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL元件的制作例。首先，在合適的透光性基板上采用蒸鍍法或?yàn)R射法等方法形成由陽極材料組成的薄膜，使得所形成的薄膜厚度為lpm以下，優(yōu)選為10-200nm，從而制作陽極。接著，在該陽極上設(shè)置由上述式(2)的化合物組成的空穴注入層?？刹捎萌缟纤龅恼婵照翦兎ā⑿糠?、澆鑄法、LB法等方法形成空穴注入層，但是從易得到均勻的薄膜，且難以形成針孔等觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選用真空蒸鍍法形成。當(dāng)采用真空蒸鍍法形成空穴注入層時(shí)，該蒸鍍條件根據(jù)使用的化合物(空穴注入層的材料)、作為目標(biāo)的空穴注入層的晶體結(jié)構(gòu)和復(fù)合結(jié)構(gòu)等的不同而不同，但通常優(yōu)選適當(dāng)?shù)卦谝韵路秶鷥?nèi)選擇蒸鍍源的溫度50-450°C、真空度1CT7-1(T托、蒸鍍速率O.01-50nm/s、基板溫度50。C至30(TC、膜厚5nm-5,。在該空穴注入層上形成由上述式(1)的化合物組成的空穴輸送層。形成方法和條件與形成空穴注入層的情況相同。隨后，在空穴輸送層上設(shè)置發(fā)光層，所述發(fā)光層的形成也可以通過使用所希望的有機(jī)發(fā)光材料采用真空蒸鍍法、濺射法、旋涂法、澆注法等方法將有機(jī)發(fā)光材料薄膜化來制備，但是從易得到均勻的薄膜，且難以形成針孔等觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選用真空蒸鍍法形成。當(dāng)采用真空蒸鍍法形成發(fā)光層時(shí)，該蒸鍍條件根據(jù)使用的化合物的不同而不同，通?？蛇x擇與空穴注入層相同的條件范圍。接著，在該發(fā)光層上設(shè)置電子注入層。與空穴注入層和發(fā)光層相同，因?yàn)楸仨氁玫骄鶆虻谋∧?，因此?yōu)選采用真空蒸鍍法形成所述電子注入層。蒸鍍條件可選擇與空穴注入層、發(fā)光層相同的條件范圍。最后，可以層疊陰極，獲得有機(jī)EL元件。陰極由金屬構(gòu)成，可采用蒸鍍法、濺射法形成。但是，為了使底層的有機(jī)物層免于制膜時(shí)的損傷，優(yōu)選使用真空蒸鍍法。至今，可以記載的有機(jī)EL元件的制作優(yōu)選在一次抽真空之后，連續(xù)地從陽極至陰極制備。還有，本發(fā)明的有機(jī)EL元件的各層的形成方法沒有特別限定?？墒褂靡酝恼婵照翦兎ā⑿糠ǖ刃纬煞椒?。可采用以下公知的方法形成用于本發(fā)明有機(jī)EL元件的包含上述式(1)表示的化合物的有機(jī)薄膜層，所述方法為真空蒸鍍法、分子束蒸鍍法(MBE法)或者溶解于溶劑的溶液的浸涂法、旋涂法、澆鑄法、棒涂法、輥涂法等涂敷法。本發(fā)明的有機(jī)EL元件的各有機(jī)層的膜厚沒有特別限定，通常膜厚過薄時(shí)，易產(chǎn)生針孔等缺陷，相反過厚時(shí)，需要施加高電壓，導(dǎo)致效率下降，因此通常優(yōu)選膜厚為數(shù)nm-lpm。另外，當(dāng)向有機(jī)EL元件施加直流電壓時(shí)，通過使陽極的極性為正極，使陰極的極性為負(fù)極，施加5-40V電壓時(shí)，可以觀察到發(fā)光。另外，以相反的極性即使施加電壓也不會流過電流，且根本不發(fā)光。此外，施加交流電壓時(shí)，僅在陽極的極性為正，而陰極的極性為負(fù)時(shí)，才觀察到均勻的發(fā)光。施加的交流電的波形可以是任意的。實(shí)施例下面，對本發(fā)明以實(shí)施例為基礎(chǔ)進(jìn)行詳細(xì)說明，但是只要不超出本發(fā)明的宗旨，就不限于以下的實(shí)施例。實(shí)施例1將25腿X75mmX1.lmm厚的帶有ITO透明電極(陽極)的玻璃基板(^83、乂夕社制)在異丙醇中進(jìn)行超聲波洗滌5分鐘，然后進(jìn)行UV臭氧洗滌30分鐘。將洗滌后的帶有透明電極線路的玻璃基板裝著在真空蒸鍍裝置的基板架上，首先在形成透明電極線路一側(cè)的表面上按照覆蓋上述透明電極的方式使膜厚60nm的下述式所示的化合物B—1作為空穴注入層成膜。在該B—1膜成膜后，在該B—l膜上使作為空穴輸送層的膜厚20mn的下述式所示的A—IO成膜。另外，在該A—10膜上，按照膜厚40nm將下述式所示的蒽衍生物AN—1和苯乙烯胺衍生物D—1以40:2的膜厚比成膜，形成藍(lán)色系發(fā)光層。在該膜上，將作為電子輸送層的膜厚20nm的下述式所示的Alq蒸鍍成膜。然后，使作為電子注入層的LiF以膜厚lnm成膜。在該LiF膜上蒸鍍150nm金屬Al，形成金屬陰極，從而形成有機(jī)EL元件。AN一D—A1qA—10實(shí)施例2除了在實(shí)施例1中，使用下述式所示的化合物A—2代替化合物A-IO作為空穴輸送層以外，與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。84<formula>formulaseeoriginaldocumentpage85</formula>實(shí)施例3除了在實(shí)施例1中，使用下述式所示的化合物A—6代替化合物A-10作為空穴輸送層以外，與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。除了在實(shí)施例1中:IO作為空穴輸送層以外，A一6使用下述式所示的化合物A—9代替化合物A-與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。A一9實(shí)施例5除了在實(shí)施例1中，IO作為空穴輸送層以外,使用下述式所示的化合物A—11代替化合物A-與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage86</formula>實(shí)施例6除了在實(shí)施例1中，使用下述式所示的化合物A—15代替化合物A—10作為空穴輸送層以外，與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage86</formula>實(shí)施例7除了在實(shí)施例1中，使用下述式所示的化合物A—25代替化合物A—10作為空穴輸送層以外，與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。A一25實(shí)施例8除了在實(shí)施例1中，使用下述式所示的化合物A—26代替化合物A—IO作為空穴輸送層以外，與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。A—26實(shí)施例9除了在實(shí)施例1中，使用下述式所示的化合物A—28代替化合物A—IO作為空穴輸送層以外，與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。A—28實(shí)施例10除了在實(shí)施例1中，使用下述式所示的化合物A—29代替化合物A—IO作為空穴輸送層以外，與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。A—29實(shí)施例11除了在實(shí)施例1中，使用下述式所示的化合物B—5代替化合物B—1作為空穴注入層以外，與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。87<formula>formulaseeoriginaldocumentpage88</formula>實(shí)施例12除了在實(shí)施例1中，使用下述式所示的化合物B—7代替化合物B—1作為空穴注入層以外，與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。實(shí)施例13除了在實(shí)施例1中，使用下述式所示的化合物B—8代替化合物B—1作為空穴注入層以外，與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。\_/B—8實(shí)施例14除了在實(shí)施例1中，使用下述式所示的化合物B—12代替化合物B—1作為空穴注入層以外，與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。B—12實(shí)施例15除了在實(shí)施例1中，使用下述式所示的化合物B—25代替化合物B—1作為空穴注入層以外，與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。B—25實(shí)施例16除了在實(shí)施例1中，使用下述式所示的化合物B—27代替化合物B—1作為空穴注入層以外，與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。B—27實(shí)施例17除了在實(shí)施例1中，使用下述式所示的化合物B—33代替化合物B—1作為空穴注入層以外，與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。B—33實(shí)施例18除了在實(shí)施例1中，使用下述式所示的化合物B—39代替化合物B—1作為空穴注入層以外，與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。比較例1除了在實(shí)施例l中，使用下述式所示的化合物(E—l)代替化合物A一10作為空穴輸送層以外，與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。E—比較例2除了在實(shí)施例1中，使用下述式所示的E—2代替化合物B—1作為空穴注入層、使用化合物B—l代替化合物A—IO作為空穴輸送層以外，與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。90比較例3除了在實(shí)施例1中，使用化合物E—2代替化合物B—l作為空穴注入層以外，與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。比較例4除了在實(shí)施例1中，使用下述式所示的化合物(E—3)代替化合物B一l作為空穴注入層以外，與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。比較例5除了在實(shí)施例1中，把由化合物B—1組成的空穴注入層的膜厚設(shè)定為80nm，不形成空穴輸送層以外，與實(shí)施例1相同地制作有機(jī)EL元件。比較例6除了在比較例5中，使用化合物A_10代替化合物B—1作為空穴注入層以外，與比較例5相同地制作有機(jī)EL元件。比較例7除了在比較例5中，使用化合物B—39代替化合物B—1作為空穴注入層以外，與比較例5相同地制作有機(jī)EL元件。實(shí)施例1一18和比較例l一7的元件性能結(jié)果示于表1中。91表l<table>tableseeoriginaldocumentpage92</column></row><table>實(shí)施例19將25鵬X75mmX1.l腿厚的帶有IT0透明電極(陽極)的玻璃基板(^才7亍^:y夕社制)在異丙醇中進(jìn)行超聲波洗滌5分鐘，然后進(jìn)行UV臭氧洗滌30分鐘。將洗滌后的帶有透明電極線路的玻璃基板裝著在真空蒸鍍裝置的基板架上，首先在形成透明電極線路一側(cè)的表面上按照覆蓋上述透明電極的方式使膜厚10nm的下述式所示的受體化合物C一1作為空穴注入層成膜。在該C一1膜成膜后，在該C一1膜上使作為空穴輸送層(1)的膜厚50nm的B—1成膜。在該B—1膜成膜后，在該B-1膜上使作為空穴輸送層(2)的膜厚20nm的A—10成膜。另外，在該A—10膜上，按照膜厚40nm將AN—l和D—l以40:2的膜厚比成膜，形成藍(lán)色系發(fā)光層。在該膜上，將作為電子輸送層的膜厚20nm的Alq蒸鍍成膜。然后，使作為電子注入層的LiF以膜厚lnm成膜。在該LiF膜上蒸鍍150nm金屬Al，形成金屬陰極，從而形成有機(jī)EL元件。c一實(shí)施例20除了在實(shí)施例19中，使用下述式所示的化合物C一2代替化合物C一l作為空穴注入層以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。C一2實(shí)施例21除了在實(shí)施例19中，使用化合物A—2代替化合物A—10作為空穴輸送層(2)以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。實(shí)施例2293除了在實(shí)施例19中，使用化合物A—6代替化合物A—IO作為空穴輸送層(2)以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。實(shí)施例23除了在實(shí)施例19中，使用化合物A—9代替化合物A—10作為空穴輸送層(2)以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。實(shí)施例24除了在實(shí)施例19中，使用化合物A—11代替化合物A—10作為空穴輸送層(2)以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。實(shí)施例25除了在實(shí)施例19中，使用化合物A—15代替化合物A—IO作為空穴輸送層(2)以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。實(shí)施例26除了在實(shí)施例19中，使用化合物A—25代替化合物A—IO作為空穴輸送層(2)以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。實(shí)施例27除了在實(shí)施例19中，使用化合物A—26代替化合物A—IO作為空穴輸送層(2)以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。實(shí)施例28除了在實(shí)施例19中，使用化合物A—28代替化合物A—IO作為空穴輸送層(2)以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。實(shí)施例29除了在實(shí)施例19中，使用化合物A—29代替化合物A—IO作為空穴輸送層(2)以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。實(shí)施例30除了在實(shí)施例19中，使用下述式的化合物(B—2)代替化合物B—1作為空穴輸送層(1)以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。94實(shí)施例31除了在實(shí)施例19中，使用化合物B—5代替化合物B—l作為空穴輸送層(1)以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。實(shí)施例32除了在實(shí)施例19中，使用化合物B—7代替化合物B—l作為空穴輸送層(1)以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。實(shí)施例33除了在實(shí)施例19中，使用化合物B—8代替化合物B—l作為空穴輸送層(1)以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。實(shí)施例34除了在實(shí)施例19中，使用化合物B—12代替化合物B—1作為空穴輸送層(1)以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。實(shí)施例35除了在實(shí)施例19中，使用化合物B—25代替化合物B—1作為空穴輸送層(1)以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。實(shí)施例36除了在實(shí)施例19中，使用化合物B—33代替化合物B—1作為空穴輸送層(1)以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。實(shí)施例37除了在實(shí)施例19中，使用化合物B—39代替化合物B—1作為空穴輸送層(1)以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。比較例8除了在實(shí)施例19中，使用化合物E—2代替化合物B—l作為空穴輸送層(1)以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。比較例9除了在實(shí)施例19中，使用化合物E—3代替化合物B—l作為空穴輸送層(1)以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。比較例10除了在實(shí)施例19中，使用化合物E—3代替化合物B—l作為空穴輸送層(1)、使用B—1代替A—IO作為空穴輸送層(2)以外，與實(shí)施例19相同地制作有機(jī)EL元件。比較例11將25腿X75ramX1.lmm厚的帶有IT0透明電極(陽極)的玻璃基板(-才7于—:y夕社制)在異丙醇中進(jìn)行超聲波洗滌5分鐘，然后進(jìn)行UV臭氧洗滌30分鐘。將洗滌后的帶有透明電極線路的玻璃基板裝著在真空蒸鍍裝置的基板架上，首先在形成透明電極線路一側(cè)的表面上按照覆蓋上述透明電極的方式使膜厚60nm的受體化合物C一l作為空穴注入層成膜。在C一l膜成膜后，在該C一l膜上使作為空穴輸送層的膜厚20nm的A—IO成膜。另外，在該A—10膜上，按照膜厚40nm將AN—l和D—l以40:2的膜厚比成膜，形成藍(lán)色系發(fā)光層。在該膜上，將作為電子輸送層的膜厚20nm的Alq蒸鍍成膜。然后，使作為電子注入層的LiF以膜厚lnm成膜。在該LiF膜上蒸鍍150nm金屬Al，形成金屬陰極，從而形成有機(jī)EL元件。比較例12除了在比較例11中，使用化合物B—1代替化合物A—10作為空穴輸送層以外，與比較例11相同地制作有機(jī)EL元件。比較例13除了在比較例11中，使用化合物B—39代替化合物A—10作為空穴輸送層以外，與比較例11相同地制作有機(jī)EL元件。實(shí)施例19一37和比較例8—13的元件性能結(jié)果示于表2中。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage97</column></row><table>如比較例6那樣，化合物A—IO以單層形成空穴輸送層時(shí)，與比較例4的B—1相比，雖然效率高，但是同時(shí)驅(qū)動電壓也高，壽命也短。從表3的物性值考慮時(shí)，由于A—10的空穴遷移率非常小，所以進(jìn)行厚膜化時(shí)電壓升高。另外，一般認(rèn)為是由于注入發(fā)光層的空穴量變少，同時(shí)電子到達(dá)空穴輸送層，空穴輸送材料劣化，進(jìn)而壽命變短。A—IO與B一l相比電子親和力僅小一點(diǎn)點(diǎn)，電子阻擋性大，所以效率變高。如比較例3，4那樣插入空穴注入層時(shí)，雖然電壓比以單層使用A—10的情況還低，但是電壓比以往結(jié)構(gòu)的比較例1還高。一般認(rèn)為由于化合物E—2的空穴遷移率不足，所以低電壓化不足。另一方面，在實(shí)施例1一18中，實(shí)現(xiàn)了電壓不高時(shí)的高的發(fā)光效率和長壽命。一般認(rèn)為在空穴注入層中使用B—1時(shí)，由于B—1具有高的遷移率，所以電壓不高。另外，由比較例l的結(jié)果可知，使用化合物E—1時(shí)，電壓高、壽命短。由此可知，階段性地設(shè)定以往可以使用的空穴輸送材料的電離勢水平并不一定在元件的低電壓、高效率、長壽命方面顯示出效果。本發(fā)明的有機(jī)EL元件的元件結(jié)構(gòu)中，通過使用特定的材料體系，可形成空穴特別易于流動的結(jié)構(gòu)，并且注入發(fā)光層的空穴變得格外多。另外，可以阻礙電子到達(dá)空穴輸送層，壽命變長。此外，可以維持A—IO特有的高效率的性質(zhì)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)低電壓、長壽命。一般認(rèn)為上述的趨勢即使使用各個(gè)周邊化合物也相同。此外，即使在陽極的界面上使用受體材料也可獲得相同的趨勢。通過使用受體材料，可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低電壓化。工業(yè)上的可利用性本發(fā)明的有機(jī)EL元件可以用作以藍(lán)色為首的各色有機(jī)EL用材料，適用于各種顯示元件、顯示器、背景燈、照明光源、標(biāo)識、看板、室內(nèi)裝飾等領(lǐng)域，特別適用于彩色顯示器的顯示元件。權(quán)利要求1.一種有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，其具有陽極和陰極、位于所述陽極和所述陰極間的至少由有機(jī)化合物組成的發(fā)光層、以及位于所述陽極和所述發(fā)光層間的空穴注入、輸送區(qū)域的兩個(gè)以上的層，其中位于所述空穴注入、輸送區(qū)域的層中的與發(fā)光層相接的層含有下述式(1)所示的化合物，位于所述空穴注入、輸送區(qū)域的層中的、陽極和與發(fā)光層相接的層之間的層含有下述式(2)所示的胺衍生物，式(1)中，Z是取代或未取代的含氮雜環(huán)基，L1是1—4個(gè)可以具有取代基的二價(jià)芳香族基結(jié)合形成的連接基，Ar1和Ar2各自獨(dú)立地是可以具有取代基的芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基，式(2)中，L2是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)10—40的亞芳基，Ar3～Ar6分別是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6—60的芳香族烴環(huán)基或者取代或未取代的環(huán)原子數(shù)6—60的芳香族雜環(huán)基。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中所述胺衍生物是如下述式(3)所示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>式(3)中，Ar3Ar6分別是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6—60的芳香族烴環(huán)基或者取代或未取代的環(huán)原子數(shù)6—60的芳香族雜環(huán)基，&是取代基，n表示2—4的整數(shù)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中所述胺衍生物是如下述式(4)所示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>式(4)中，R,和R2分別是取代基，彼此可以通過連接形成飽和或不飽和的環(huán)，Ar7Aru)分別是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6—60的芳香族烴環(huán)基或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6—60的芳香族雜環(huán)基。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中式(4)中的Ar7Ar,。的至少一個(gè)是取代或未取代的聯(lián)苯基。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中所述胺衍生物是如下述式(5)所示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>式(5)中，R3Rs分別是取代基，彼此可以通過連接形成飽和或不飽和的環(huán)，ArnAr,4分別表示取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6—60的芳香族烴環(huán)基、或者取代或未取代的環(huán)原子數(shù)6—60的芳香族雜環(huán)基。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中式(5)中的ArAr14的至少一個(gè)是取代或未取代的聯(lián)苯基。7.根據(jù)權(quán)利要求1一6中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中所述式(1)所示的化合物是如下述式(6)所示的化合物，式(6)中，Cz是取代或未取代的咔唑基，U是l一4個(gè)可以具有取代基的二價(jià)芳香族基結(jié)合形成的連接基，Ar,5和Ar,6各自獨(dú)立地是可以具有取代基的芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基。8.根據(jù)權(quán)利要求1—7中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中所述式(1)所示的化合物是如下述式(7)所示的化合物，式(7)中，Ar,7和Arw各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基，R6Rn各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、烷基、芳垸基、烯基、氰基、氨基、?；?、烷氧基羰基、羧基、烷氧基、芳氧基、垸基磺酰基、羥基、酰胺基、芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基，這些基團(tuán)都可以再被取代，另外，R6Ru中相鄰的基團(tuán)之間也可以形成環(huán)，L,表示1—4個(gè)可以具有取代基的二價(jià)芳香族基結(jié)合形成的連接基。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中式(7)所示的化合物是如下述式(8)所示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>(8)式(8)中，Arv和Ar^各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基，R6R,5各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、烷基、芳垸基、烯基、氰基、氨基、?；?、垸氧基羰基、羧基、烷氧基、芳氧基、烷基磺酰基、羥基、酰胺基、芳香族烴環(huán)基或者芳香族雜環(huán)基，這些基團(tuán)都可以再被取代，另外，R6R,5中相鄰的基團(tuán)之間也可以形成環(huán)。10.根據(jù)權(quán)利要求l一9中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，位于所述空穴注入、輸送區(qū)域的層中的與陽極相接的層是含有受體材料的層。11.根據(jù)權(quán)利要求i一io中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其進(jìn)行藍(lán)色發(fā)光。全文摘要一種有機(jī)電致發(fā)光元件，其具有陽極和陰極、位于所述陽極和所述陰極間的至少由有機(jī)化合物組成的發(fā)光層、以及位于所述陽極和所述發(fā)光層間的空穴注入、輸送區(qū)域的兩個(gè)以上的層，其中，位于所述空穴注入、輸送區(qū)域的層中的與發(fā)光層相接的層含有上述式(1)所示的化合物，位于所述空穴注入、輸送區(qū)域的層中的、陽極和與發(fā)光層相接的層之間的層含有上述式(2)所示的胺衍生物。文檔編號H01L51/50GK101473464SQ20078002294公開日2009年7月1日申請日期2007年6月19日優(yōu)先權(quán)日2006年6月22日發(fā)明者中村明史,吉永禎彥,松波成行,河村昌宏,神戶江美子,鬼島靖典申請人:出光興產(chǎn)株式會社;索尼公司