專利名稱：：有機(jī)電致發(fā)光元件的圖案化方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉M51向有機(jī)電致發(fā)光(下面稱為有機(jī)EL)元件照射紫外線來實施發(fā)光圖案形成的有機(jī)EL元件的圖案化方法。
背景技術(shù)：
：有機(jī)EL元件是以有機(jī)化合物作為發(fā)光材料的自發(fā)光型元件，因為其能高速度地發(fā)光，因此具有適于顯示動畫、元件結(jié)構(gòu)簡單、肖M吏顯示面板薄型化等特性。因為具有這樣優(yōu)良的特性，有機(jī)EL元^H乍為手機(jī)、車載顯示翻日常生活中正得到普及。以往，作為該有機(jī)EL的圖案化方法之一，〗柳M:掩模進(jìn)行的陰極層的分涂或^ffi抗蝕劑的絕緣化的方法。但是，這些方法存在的問題是由于掩模的偏移等產(chǎn)生陰極的圖案模糊，或者因為經(jīng)過濕式的光刻步驟，需要選擇對應(yīng)于有機(jī)發(fā)光材料的適當(dāng)?shù)姆璘等。要說明的是，這里所稱的"圖案'是指在元件面板上顯示的圖標(biāo)(icon)、字符、文字、圖樣、圖案、花紋等，"圖案化"是指使具有顯示這些圖案的功能。這樣的以往的圖案化方法難以應(yīng)對圖案的高精細(xì)化，因l!W更有效地圖案化方法正在進(jìn)行各種研究。例如在專利文獻(xiàn)1中，作為高精細(xì)地、有效i1^S行圖案化的方法，提出了向有機(jī)EL元件照射紫外線，將該照謝部分作為非發(fā)光區(qū)域的圖案化的方法。[專利文獻(xiàn)1]日本特許第2793373號公報，專利文獻(xiàn)1中記載的圖案化方法是在電極制作前或制作后向有機(jī)EL元件照射紫外線的方法，但是在面板形成后照射紫外線的情況下，透明和透明電極的紫外線iM:性不充分，得不到充分的紫外線照射效果，難以高效進(jìn)行高精細(xì)的圖案化。并且，該圖案化方法中，有機(jī)EL元件的紫外線照射部分是非發(fā)光區(qū)域，不會樹發(fā)光區(qū)域的對比度進(jìn)行控制。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是為了解決，技術(shù)問^M進(jìn)纟亍的，目的在于提f，機(jī)EL元件的圖案化方法，其是利用紫外線照謝的有機(jī)EL元件圖案化方法，能簡易且有效itt行高精細(xì)的圖案化，并且能控制基于發(fā)光亮度的對比度。本發(fā)明的有機(jī)EL元件的圖案化方法的特征在于，對于在一對對置電極(対向電極)間具有包含有機(jī)發(fā)光材料的有機(jī)層的有機(jī)EL元件，對上述有機(jī)層照射紫外線，改變該照射量，形成具有基于對應(yīng)于紫外線照射量的發(fā)光亮度的對比度的發(fā)光圖案。根據(jù)上述方法，能使發(fā)光圖案具有基于發(fā)光亮度的對比度，能簡便地制作設(shè)計性優(yōu)良的有機(jī)EL面板。戰(zhàn)有機(jī)EL元件的圖案化方法中，可以在形艦置電極前向有機(jī)層照謝紫外線，或者Jd^t置電極的至少一方，明電極，從該有機(jī)EL元件的透明電極側(cè)照射紫外線也可以。此外，，有機(jī)EL元件的圖案化方法中，伏選M置電極間施加偏壓的同時照射紫外線。根據(jù)該方法，育咖皿過紫外線照射圖案化時的亮度衰減速度，能簡便地有謀求圖案化的效率化。另外，上述有機(jī)層im含有下M^;(I)標(biāo)的多核型菲RM稱性物Z(Y)a……(I)[式中，Z是選自2價或3價的芳香族烴基、禾口2價或3價的雜環(huán)基中的2價或3價基團(tuán)，Y是化l表示的菲RM木基，n為2或3，WR5是分別3蚊:fctt自氫、織、烷氧基、芳基(可以被烷基取代)、芳氧基芳烷基(芳基部分可以被烷M(代)、烷基氨[化l]基芳基氨基、RCOO-(R選自烷基、芳基和芳烷基)、羧基、氨基、三氟甲基硝基卣素、氰基和XA(X魏自O(shè)、S、Se和Te中的元素，A是烷基或芳基)中的基團(tuán)]。通過添加這樣的多核型菲咯啉衍生物形成有機(jī)層，可以通過照射紫外線有效鵬行圖案化。特別是，上式(I)所示的多核型菲咯啉衍生物優(yōu)選為化2[化2]表示的化，(1,4-二(l,10-菲n^fr2-萄苯)(下面稱為DPB)。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL元件的圖案化方法，不需要以往的圖案化用的蒸鍍掩模的制作和設(shè)置、或光刻工序，可^ffl紫外線簡便itt行有機(jī)EL元件的具有對比度的圖案化。此外，根據(jù)本發(fā)明，在面板上形成有機(jī)EL元件后，也能實施任意的圖案化，因而有效率，能提高有機(jī)EL面板的生產(chǎn)性。進(jìn)而，可以制作只在發(fā)光時顯出具有對比度的圖案、設(shè)計性優(yōu)良的有機(jī)EL面板照明等。圖1是表示本發(fā)明有機(jī)EL元件的圖案化方法的一個例子的截面示意圖。具體實施方式下面更詳細(xì)i也說明本發(fā)明。本發(fā)明的有t幾EL元件的圖案化方法是將在一對對置電^及間具有包含有機(jī)發(fā)光材料的有機(jī)層的有機(jī)EL元件MM射紫外線進(jìn)行圖案化的方法，ffiil改變對±^有機(jī)層的紫外線照射量，來形成具有對比度的發(fā)光圖案。根據(jù)這樣的本發(fā)明的圖案化方法，可以不限于在有機(jī)EL元件的電極形成前，即使在有機(jī)EL面板形成后也可以實施具有對比度的任意圖案化，育^有效率地制作設(shè)計性優(yōu)良的有機(jī)EL面板照明等。如上所述，用于圖案化的紫外線照射能夠照射在有機(jī)層上即可，可以在對置電極形成前照射，或者也可以^J^t置電極的至少一方為透明電極，從該透明電極側(cè)照謝。此外，還可以在M31光固iM粘合齊瞎封有機(jī)層的同時進(jìn)行。在對置電極形成前照射紫外線時，因為不透過電極、基板向有機(jī)層照射紫外線，因此能增大其照射效果。另一方面，在面板上形成有機(jī)EL元件后照射紫外線時，容易操作，具有圖案化鵬變得更簡便的優(yōu)點。圖1是表示本發(fā)明有機(jī)EL元件的圖案化方法的一個例子的示意圖。其是表示在有機(jī)EL元件形成后實施圖案化的方法的圖。圖1所示的有機(jī)EL元件的結(jié)構(gòu)為在透明鎌2上依次層疊透明電極(陽極)3、包含有機(jī)發(fā)光材料的有機(jī)層4、陰極5，兩電極3、5配線連接。該有機(jī)EL元件中，透明繊2側(cè)為發(fā)光面，在該透明繊2上載置具有加工成規(guī)定圖案形狀的縫隙的紫外線遮光掩模1，從其上方照射紫外線。作為本發(fā)明中照射的紫外線的光源，可列舉高壓水銀燈、低壓7K銀燈、氫(氘)燈、稀有氣體(氤、氬、氦、氖等)放電燈、氮激光、準(zhǔn)針激光(例如XeCl、XeF、KrF、KiCl等)、氫激光、鹵素激光、各種可見-紅外激光的高次諧波(例如YAG激光的THG(三次諧波，ThirdHarmonicGeneration)光等)等。并且，紫外線的波長im40010nm的范圍。俛照射了該紫外線的有機(jī)EL元件發(fā)光時，不被戰(zhàn)掩模1M、暴露于紫外線照射的部分發(fā)光亮度降低。上述紫外線照射時，通過調(diào)整光強(qiáng)度或照射時間等，改變其照射量，由此對應(yīng)于紫外線照射量，有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度也發(fā)生變化。紫外線照射多，發(fā)光亮度驗減，紫外線照射量越少，發(fā)光亮度的衰減率越小。并且，紫外線照射量為0時，即未照射紫外線時，發(fā)光亮度最高。這樣，通過改變紫外線照射量，能形成具有基于發(fā)光亮度的對比度的發(fā)光圖案。J^&紫外線照射量的調(diào)節(jié)可以通51調(diào)^f模的紫外線遮光率來it行。并且，上述紫外線照射通過激光加工錢、i頓分檔器(7fy/。等的點照射，^f玩件在平面上移動，或者移動紫外線點等方法，謝亍任意的圖案化。此時，也可以通過調(diào)節(jié)紫外線點的光強(qiáng)度或照射時間等改變紫外線照射量，可以形成具有基于發(fā)光亮度的對比度的發(fā)光圖案。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以通過紫外線照射進(jìn)纟于圖案化，因此不需要目前以往必需的圖案化用蒸鍍掩模的制作和設(shè)置、或光刻步驟，能簡便:tikiS行圖案化。如上所述，根據(jù)本發(fā)明方法圖案化的有機(jī)EL元件在紫外線照射區(qū)域中，隨著紫外線照射的累積光量的增加，發(fā)光亮度衰減。即，可以f撥光亮度有強(qiáng)弱(對比度)，也可通過元件驅(qū)動電流的增減改變上m比度。此外，隨著亮度的衰減，元件高電壓化，沒有發(fā)現(xiàn)該亮度-電壓特性隨時間推移變化，是穩(wěn)定的。因而，通過禾擁上述現(xiàn)象，可以形成只在發(fā)光時具有對比度的圖案，這樣圖案化的有機(jī)EL元件特別適合于利用面發(fā)光待性的照明用途中。，本發(fā)明的圖案化方法也可以適用于具有有機(jī)EL元件的發(fā)光單元串連在電路上、這些發(fā)光單元同時發(fā)光的結(jié)構(gòu)的多光子元件。上述圖案化方法中，作為可以通過紫外線照射進(jìn)行圖案化的有機(jī)層，例如能列^IOTDPB等上式(I)所示的多核型菲咯啉衍生物作為電子輸送材料的有機(jī)層。添加上述多核型菲咯啉衍生物的有機(jī)層不會由于紫外線照射產(chǎn)生凹凸化等變形，并且即使不4頓強(qiáng)的紫外線激光，由紫外線照射引起的亮度降低效果也大，能有效i鵬行圖案化，因而劍趟的。，多核型菲咯啉衍生物的具體結(jié)構(gòu)式的例子如下所示。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>[化9]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>[化10]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>[化14]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>[化16]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>[化18]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>[化24]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>化[26]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula>[化27]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>[化29]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula>4,4，-二(l,10陽菲t^lfr2-基)麟DPBiltW，本發(fā)明的圖案化方法中，用圖1所示的方法照射紫外線時，在兩電極3、5間施加偏壓的同時進(jìn)行。M31施加偏壓，例如向含有三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)等由紫外線照射產(chǎn)生的亮度降低效果小、即亮度衰減鵬慢的有機(jī)材料的有機(jī)層照J(rèn)t紫外線時，也能加速亮度衰M^t。因而，只施加偏壓，就育^求利用紫外線照射形成發(fā)光圖案的效率化。適用本發(fā)明的圖案化方法的有機(jī)EL元件可以是在mil形成陽柳有機(jī)層/陰極，在有機(jī)層中包含利用有機(jī)發(fā)光材料的發(fā)光層，進(jìn)一步包含空穴注入層、空，送層、電子輸送層、電子注入層的多層結(jié)構(gòu)。以側(cè)作為發(fā)光面時，本發(fā)明的有機(jī)EL元件中使用的皿使用對可見光具有透光性的透明基板。^1率優(yōu)選為80%以上，85%以上，更,為90%以上。作為，透明基板，一般可使用BK7、BaKl、F2等光學(xué)玻璃、石英玻璃、無堿玻璃、硼硅酸玻璃、鋁硅酸玻璃等玻璃繊；PMMA等丙烯酸類樹脂、聚碳酸酯、聚igf黃酸酯(求U工一力以^水氺一卜)、聚苯乙烯、聚烯烴、環(huán)脂、，苯二甲酸乙二醇酯等聚酯等聚合物0從該透明繊側(cè)向有機(jī)層照射紫外線，實施圖案化處理時，因為不易吸收紫外線，tti^fOT石英玻璃、無堿玻璃等玻璃M。戰(zhàn)基板的厚度通常使用0.110mm左右的產(chǎn)品，但是考慮機(jī)械強(qiáng)度、重量等，雌為0.35畫，更雌為0.52廳。對于本發(fā)明的有機(jī)EL元件，為了獲得充分的發(fā)光亮度，或為了使紫外線充分照射到有機(jī)層上，j雄陽極和陰極的至少任何一方題明或半透明的。另外，本發(fā)明所稱的透明電極也包括半透明電極盼瞎況。陽極由功函數(shù)大(4eV以上)的金屬、合金、導(dǎo)電性化合物等構(gòu)成，通常是在±3^透明上形成陽極的透明電極。該透明電極一般使用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅、氧化鋅等金屬氧化物，特別腿吸性、導(dǎo)電性等角度考慮，雌艦no。為了確保透明性和導(dǎo)電性，該透明電極的膜厚，為80400nm，更，為100200nm。另一方面，和上述陽極相對的陰極由功函數(shù)小(4eV以下)的金屬、合金、導(dǎo)電性化合物構(gòu)成。例如可列舉鋁、鋁-鋰合金、筷銀合金等。，陰極的膜厚，為10500nm，更，為50200nm。上述陽極和陰極可以通過M法、離子鍍法、蒸鍍法等通常采用的方法成膜來形成。此外，本發(fā)明的有機(jī)EL元件的有機(jī)層中的空;7t注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、電子注入層所l頓的材料沒有特別限制，可以f頓公知的材料，低分子系或高分子系的均可。但是，戰(zhàn)有機(jī)層中必須包含以DPB為代表的上式(I)所示的多核型菲咯啉衍生物這樣的ffl31紫夕卜線照射可以圖案化的化合物。這些有機(jī)層的各層的形成也可以通過旋涂法、真空蒸鍍法等通常使用的各種劍莫方法鄉(xiāng)行。此外，，各層的膜厚也可以考慮各層相互的適應(yīng)性#要求的厚度等，根據(jù)適宜狀況來確定，但通常雌為5nm5Mm。下面具體說明本發(fā)明有機(jī)EL元件中有機(jī)層的構(gòu)成材料。作為形成，發(fā)光層的發(fā)光材料，例如可列舉9,10-二芳基蒽衍生物、芘、暈苯、二萘嵌苯、紅熒烯、1,1,4,4-四苯基丁二烯、三(8-羥基喹購鋁絡(luò)合物、三(4-甲基-8-羥基PM木)鋁船物、雙(8-羥基喹啉)鋅絡(luò)合物、三(4-甲基-5-三氟甲基-S-羥基喹購鋁絡(luò)合物、三(4-甲基-5-氰基-8-羥Mt木)鋁絡(luò)合物、雙(2-甲基-5-三氟甲基-S-羥基喹啉)[4-(4-氰基苯萄苯勒鋁絡(luò)合物、雙(2-甲基5-氰基-8-羥基喹啉)[4-(4-氰基苯基)苯酚]鋁鄉(xiāng)給物、三(8-羥M購fil各合物、雙[(8-對甲苯磺酰萄氨基喹啉]鋅絡(luò)合物或鎘絡(luò)合物、1,2,3,4-四苯基環(huán)戊二烯、聚-2,5-二庚氧基-對亞苯基亞乙烯基(求U—2,5—、2八:/于小才年、>—p—7工二k乂匕、、二P乂)^氐好系發(fā)光材料。此外，也可以{頓香豆素系熒光體、二萘嵌苯系熒光體、吡喃系熒光體、蒽酮系熒光體、口卜啉系熒光體、喹吖啶酮系熒光體、N,N'-二烷，代喹吖啶酮系熒光體、萘二甲M胺系熒光體、N,N，-二芳M(代口比咯并吡咯系熒光體等、或銥絡(luò)合物等磷光性發(fā)光體割氐分子系材料分散在聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯掛卡唑等高分子中得到的制品。另外，也可以是聚(2-癸氧基-l,4-亞苯基)(DO-PPP)、聚[2,5-雙-[2-(^,1^[-三乙基銨)乙氧基]-l,4-苯基-鄰-l,4-亞苯蜀二溴化物等PPP衍生物、聚[2-(2，-乙基己氧基)-5-甲氧基-l,4-亞苯基亞乙烯萄(MEH-PPV)、聚[5-甲氧基-(2-磺?；趸?7°口"乂*)廿A7才二卜》)國l,4-亞苯基亞乙烯基](MPS-PPV)、聚[2,5誦雙-(己氧基)-l，4-棘基-(l-氰基亞乙烯萄〗(CN-PPV)、聚(9,9-二辛,(PDAF)、聚螺荷等高好系材料。另外，也可以4頓PPV前體、PPP前體等高肝前體、其它已有的發(fā)光材料。作為形成空穴輸送層的空穴輸送材料，例如可使用銅酞菁、四(叔丁基)銅酞菁等金屬酞菁類或非金屬酞菁類、喹吖徒酮化合物、U-雙(4-二對甲苯基氨基苯基)環(huán)己烷、N,N，-二苯基-N,N，-雙(3-甲基苯基)-l,l，-聯(lián)苯4,4，-二胺、N,N，-二(l-萘蜀N,N'-二苯基-U'-聯(lián)苯4,4'-二胺等芳香胸安系低分子材料、聚苯胺、聚噻吩、聚乙烯基咔唑、聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)和聚苯乙烯磺酸的混合物等高好系材料、噻吩低聚物材料、其它已知的空;^r送材料。作為形成電子輸送層的電子輸送材料，適合^ffl，多核型菲咯啉衍生物，但是除此以外，例如可列舉2-(4-麟基)-5"(4-叔丁基苯基》l,3,4-喊二唑、瞎二唑衍生物、雙(io-羥基苯并[h]羥gniBt木)鈹絡(luò)^ti、三唑化合物等。戰(zhàn)空穴輸送材料可以是與空穴注入材料相同(共通)的材料，以一層構(gòu)成，此外也可以由不同種材料的組合等構(gòu)成，構(gòu)成為多層。上述電子輸送材料和電子注入材料的關(guān)系也一樣。并且，這些材料中也有兼具發(fā)光材料功能的材料。作為溶解或分散上述發(fā)光材料的溶劑，例如可以將甲苯、二甲苯、丙酮、己烷、甲乙酮、甲基異丁酮、環(huán)己酮、甲醇、乙醇、異丙醇、醋酸乙酯、醋酸丁酯、2-甲基-(叔丁萄苯、1,2,3,4-四甲基苯、戊基苯、l"-三乙基苯、環(huán)己基苯、1,3,5-三異丁基苯等#^蟲或混合使用。這些溶劑中根據(jù)需要也可以添加表面活性劑、抗氧化劑、粘度調(diào)節(jié)劑、紫外線吸收劑等。另外，作為溶解或分散空:^lr送離入材料、電Ttr送離入材料的髓iJ，例如可以將甲苯、二甲苯、丙酮、甲乙酮、甲基異丁酮、環(huán)己酮、甲醇、乙醇、異丙醇、醋酸乙酯、醋酸丁酯、7權(quán)等^^蟲{頓或混合{頓。[實施例]下面基于實施例來更具體地說明本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于下述實施例。[實施例i]制作具有下述結(jié)構(gòu)的lOmmxlOmm的有機(jī)EL元件，所述結(jié)構(gòu)為在厚度為0.7腿的玻璃繊上，在形成厚度150歸的ITO膜的透明電豐肚依次層疊厚度10nm的摻雜三氧化鉬的N,N，-二(蔡l-基)-N,N，-二苯基聯(lián)苯胺(a-NPD)膜作為空穴注入層、厚度21腦的a-NPD膜作為空雄送層、厚度30nm的包含三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)和化30[化30]^^的化合物2,3,6,7-四氫-U,7,7-四甲基-10-(噻P^2-基)-lH,5HaiH-[l]苯并吡喃酮(《>、/匕°5乂)[6,7,8國ij峰窿ll-酮(NKX-1595)的膜作為發(fā)光層、厚度32nm的DPB膜作為電子輸送層、厚度10nm的包含DPB和單(8-羥#)鋰絡(luò)合物(Liq)的膜作為電子注入層、厚度60nm的鋁膜作為背面電極(對置電極)。用具有直徑2mm開孔的紫外線遮光掩模覆蓋該有機(jī)EL元件的透明基板側(cè)，照射規(guī)定量紫外線(峰波長365nm，150mW/cm2)。接著，比較觀察以1.5J/cm2、7.5J/cm2、15.0J/cm2照射紫外線時和未照射時各元件的發(fā)光狀態(tài)。目視觀察的結(jié)果是，以1.5J/cm2照射紫外線時和未照射時元fj^個面發(fā)綠光，以7.5J/cm2、15.0J/cm2照射紫外線時，僅掩模開孔部分綠色發(fā)光暗。另外，不覆蓋掩模向與Jl^一樣制作的有機(jī)EL元件的齡面照謝紫外線，進(jìn)《豫外線照射下元件亮度衰繊暁度-電壓特性的刑介。表1中，作為亮度衰減的刑介結(jié)果，示出了元件紫外線照射后的亮度相對于未照射時的亮度的比例和累積光量的關(guān)系。[實施例2、3]使空雄送層的a-NPD膜的厚度為50nm(實施例2)、80nm(實施例3)，除此以外以與實施例1一樣的元件結(jié)構(gòu)制作有機(jī)EL元件。對各有機(jī)EL元件進(jìn)行和實施例1一樣的紫外線照射后的觀察和評價。目豐形見察的結(jié)果，以1.5J/cm2照射紫外線時和未照J(rèn)t時元件齡面發(fā)綠光，以7.5J/cm2、15.0J/cm2照射紫外線時，僅掩模開孔部分的綠色發(fā)光稍微暗，和實施例l比較，實施例2、3依次變暗。此外，紫外線照謝量為15.0J/cm2時，比7.5J/cr^時稍稍變暗。表1示出了亮度衰減的刑介結(jié)果。另外，對實施例2的元件照射紫外線，經(jīng)過60天后，進(jìn)行一樣的亮度-電壓特性的評價。[比較例l]4OTAlq3代替電子輸送層和電子注入層的DPB，除此以外以與實施例2同樣的元件結(jié)構(gòu)，制作有機(jī)EL元件。對該有機(jī)EL元件和實施例1一樣謝外線照射后的觀察和刑介。目視觀察的結(jié)果，和紫外線照射量無關(guān)，元件的旨面發(fā)綠光。表l中示出了亮度衰減的評價結(jié)果。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>根據(jù)，實施例13和比較例1中發(fā)光狀態(tài)的比較觀察和表1所示亮度衰減的評價結(jié)果，在電子輸送材料使用Alq3時(比較例l)，和紫外線照射的有無沒關(guān)系，發(fā)綠光，沒有發(fā)現(xiàn)亮度衰減。與此相對，〗細(xì)DPB作為輸送材料時(實施例13)也發(fā)綠光，但是隨著紫外線照射的累積光量的增加，紫外線照浙區(qū)域的亮度衰減。另外，對實施例13進(jìn)行比較，發(fā)現(xiàn)空穴輸送層(X-NPD膜厚的一方(實施例3)紫外線照J(rèn)寸產(chǎn)生的亮度衰減效果小。亮度-電壓特性的評價結(jié)果是，隨著紫外線照射的累積光量的增加，元件高電壓化。此時亮度-電流密度效率沒有變化。此外，電子輸送材糾柳DPB的元件(實施例2)在lkcd/m2亮度下電壓為4.2V，比4柳Alq3的元件(比較例l)的5.8V低。進(jìn)而，實施例2中從照射紫外線起經(jīng)過60天后的亮度-電壓特性的評價結(jié)果，發(fā)現(xiàn)其特性和剛照射紫外線后幾乎沒有變化，認(rèn)為利用紫外線照射形成圖案具有長期穩(wěn)定性。以上，電子輸送材料4柳DPB的有機(jī)EL元件可以控制基于對應(yīng)于紫外線照射量的發(fā)光亮度的對比度，由此確認(rèn)可以穩(wěn)定地實施圖案化。[實施例4〗f頓在比較例1中制作的元件，在該元件的電極間施加偏壓(+7.5V)的同時與實施例1一樣i艦齡面照射15.0J/cm2的紫外線，進(jìn)行亮度衰減的評價。結(jié)果，元件在紫外線照射后的亮度相對于未照射時的亮度的比例為83%。[比較例2]f頓和實施例4一樣的元件，不施加偏壓，禾咳施例4一樣ifem射紫外線，進(jìn)行亮度衰減的評價。結(jié)果，元件在紫外線照射后的亮度相對于未照射時的亮度的比例為95%。[實施例5]使空雄送層的a-NPD膜的厚度為41.5nm，電子輸送層的Alq3的厚度為71nm，除此以外以與比較例1一樣的元件結(jié)構(gòu)，制作有機(jī)EL元件。對該有機(jī)EL元件與實施例4一樣地照射紫外線，進(jìn)行亮度衰減的評價。結(jié)果，元件在紫外線照射后的亮度相對于未照射時的亮度的比例為92%。[比較例3]{頓和實施例5—樣的元件，不施加偏壓，禾口實施例4一樣地照射紫外線，進(jìn)行亮度衰減的微。結(jié)果，元件在紫外線照射后的亮度相對于未照射時的亮度的比例為100%。由實施例4、5和比較例2、3可知，照射紫外線時，M31在施加偏壓的同時進(jìn)行(實施例4、5)，在電子輸送層f頓僅照謝紫外線(比較例2、3)看不到亮度衰減的Alq3的元件中，也可以加速亮度衰減鵬。權(quán)利要求1、有機(jī)電致發(fā)光元件的圖案化方法，其特征在于，對于在一對對置電極間具有包含有機(jī)發(fā)光材料的有機(jī)層的有機(jī)電致發(fā)光元件，對上述有機(jī)層照射紫外線，改變該照射量，形成具有基于對應(yīng)于紫外線照射量的發(fā)光亮度的對比度的發(fā)光圖案。2、權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的圖案化方法，其特征在于，在上艦置電極形成前向有機(jī)層照射紫外線。3、權(quán)利要求l所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的圖案化方法，其特征在于，戰(zhàn)對置電極的至少一方是透明電極，從該有機(jī)電致發(fā)光元件的透明電極側(cè)照射紫外線。4、權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的圖案化方法，其特征在于，在上置電極間施加偏壓的同時照射紫外線。5、權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的圖案化方法，其特征在于，在上述有機(jī)層中包含下M式(I)表示的多核型菲t^t裕f生抓Z(U……(I)[式中，Z魏自2價或3價的芳香族烴基、和2價或3價的雜環(huán)基中的2價或3價基團(tuán)，Y是化l[化l]表示的菲RM木基，n為2或3，yR5是分別3蚊i鵬自氫、烷基、烷氧基、芳基(可以被烷基取代)、芳氧基、芳烷基(芳基部分可以被烷魏代)、烷基氨基芳基氨基RCOO-(R選自烷基、芳基和芳烷基)、羧基、氨基、三氟甲基硝基、鹵素、氰凝nXA(X是選自O(shè)、S、Se和Te中的元素，A是烷基或芳基)中的基6、權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的圖案化方法，其特征在于，上述有機(jī)層中包含下M^(I)^的多核型菲咯啉衍生物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>I)[式中，Z是選自2價或3價的芳香族烴基、和2價或3價的雜環(huán)基中的2價或3價基團(tuán)，Y是化l[化l]標(biāo)的菲f^t木基，n為2或3，WR5是分別3蚊iiM自氫、烷基、烷氧基、芳基(可以被烷基取代)、芳氧基芳烷基(芳基部分可以被烷S^代)、烷基氨基芳基氨基RCOO-(R選自烷基、芳基和芳烷基)、羧基、氨基三氟甲基硝基、鹵素、氰凝QXA(X魏自O(shè)、S、Se和Te中的元素，A是烷基或芳基)中的基團(tuán)]。7、權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的圖案化方法，其特征在于，在上述有機(jī)層中包含下M式(I)表示的多核型菲咯啉衍生抓<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>[式中，Z是選自2價或3價的芳香族烴基、禾口2價或3價的辦基中的2價或3價基團(tuán)，Y是化l[化l]表示的菲nM木基，n為2或3，^R5是分別3蚊i鵬自氫、烷基、烷氧基、芳基(可以被烷基取代)、芳氧基芳離(芳基部分可以被烷M(代)、烷基氨基芳基氨基、RCOO-(R選自烷基、芳基和芳烷基)、羧基、氨基、三氟甲基、硝基卣素、氰凝nXA(X趟自O(shè)、S、Se和Te中的元素，A是烷基或芳基)中的基團(tuán)]。8、權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的圖案化方法，其特征在于，在上述有機(jī)層中包含下M式(I)表示的多核型菲咯啉衍生物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>……(I)[式中，Z是選自2價或3價的芳香族烴基、和2價或3價的雜環(huán)基中的2價或3價基團(tuán)，Y是化l[化l]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>表示的菲n^木基，n為2或3，WR5是分別3tei鵬自氫、烷基、烷氧基、芳基(可以被烷M(代)、芳氧基、芳烷基(芳基部分可以被烷M(代)、烷基氨基芳基氨基RCOO-(R選自烷基、芳基和芳烷基)、羧基、氨基、三氟甲基硝基卣素、氰凝t!XA(X題自O(shè)、S、Se和Te中的元素，A是烷基或芳基)中的基團(tuán)]。9、權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的圖案化方法，其特征在于，上述式(I)表示的多核型菲nM木衍生物是化2[化2]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>g的化合物。10、權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的圖案化方法，其特征在于，上(I)g的多核型菲W^衍生物是化2[化2]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>表示的化像11、權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的圖案化方法，其特征在于，上述式(I)表示的多核型菲f^tt衍生物是化2[化2]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>g的化合物。12、權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的圖案化方法，其特征在于，上述式(I)表示的多核型菲nM裕性物是化2[化2]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>表示的化合物。全文摘要本發(fā)明提供有機(jī)電致發(fā)光元件的圖案化方法，其能簡易且有效率地進(jìn)行高精細(xì)的圖案化，并且能控制基于發(fā)光亮度的對比度。在一對對置電極間具有包含有機(jī)發(fā)光材料的有機(jī)層的有機(jī)電致發(fā)光元件中，對上述有機(jī)層照射紫外線，改變該照射量，形成具有基于對應(yīng)于紫外線照射量的發(fā)光亮度的對比度的發(fā)光圖案。文檔編號H01L51/56GK101232081SQ20071030777公開日2008年7月30日申請日期2007年11月29日優(yōu)先權(quán)日2006年11月29日發(fā)明者小田敦,河合崇申請人:財團(tuán)法人山形縣產(chǎn)業(yè)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)