專利名稱：一種制作高亮度半導體錐形激光器/放大器的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體光電子技術領域，尤其是指一種制作高亮度錐 形半導體激光器/放大器的方法。
背景技術：
高亮度的激光光源在非線性的光學倍頻和自由空間通信等方面有
著廣泛的應用。采用共振泄露波耦合的單片列陣(monolithic array)激 光器，雖然其光束質量因子僅為衍射極限的1.7倍，但是在連續(xù)工作時， 最大輸出功率為1W左右，而且其制作工藝非常復雜。
普通的脊波導激光器由于條寬只有幾個微米，光束質量較好，但 是最大出光功率也只能達到幾百毫瓦，導致亮度小于lxl0SWcm、r—1。 使用寬條結構雖然能夠取得大的功率，但由于條寬太大，容易出現(xiàn)模 式不穩(wěn)，光絲等現(xiàn)象，導致了光束質量較差，而且亮度只有 lxl07Wcm-V'。
具有錐形增益區(qū)和脊型波導的錐形激光器或放大器(是激光器還 是放大器取決于腔面膜)，結合了脊形波導激光器和寬條激光器兩者的 優(yōu)點，保證了器件具有良好的光束質量和具有較大的輸出功率。

發(fā)明內容
(一) 要解決的技術問題 本發(fā)明的主要目的在于提供一種高亮度半導體激光器及放大器的
制作方法，以得到具有高的輸出功率，且光束質量較好的器件，并簡 化制作工藝，降低成本，實現(xiàn)批量生產(chǎn)。
(二) 技術方案
為達到上述目的，本發(fā)明提供了一種制作高亮度半導體錐形激光器/放大器的方法，該方法包括
步驟1、在外延片P面上淀積介質保護材料，利用設計好的喇叭形 光刻版，采用標準的光刻工藝進行第一次光刻，把光刻版上的圖形轉 移到光刻膠上，以光刻膠作為掩膜，腐蝕沒有光刻膠保護的介質保護 材料，保留有光刻膠保護的介質保護材料；該保留的介質保護材料類
似喇叭形狀，包括直的模式控制區(qū)和錐形增益區(qū)；
步驟2、去膠清洗，重新甩上一層光刻膠，采用標準的光刻工藝進 行二次光刻，把光刻版上的圖形轉移到光刻膠上，然后顯影，堅膜， 用光刻膠作為掩膜保護錐形增益區(qū)，用介質材料作為掩膜保護脊形模 式控制區(qū)；
步驟3、采用干法刻蝕或濕法腐蝕步驟2中沒有光刻膠或介質材料 保護的歐姆接觸層7和部分P面限制層6，腐蝕出脊形模式控制區(qū)臺面；
步驟4、去膠后，用介質保護材料作為掩膜，采用甲醇磷酸雙 氧水體積比為3:1:1的腐蝕液腐蝕沒有介質材料保護的歐姆接觸層7， 腐蝕出錐形增益區(qū)臺面；
步驟5、采用配比為氫氟酸氟化胺水二3ml :6g :10ml的腐蝕液， 腐蝕剩余介質材料，清洗后重新淀積介質保護材料；
.步驟6、采用標準光刻工藝形成掩膜，采用配比為氫氟酸氟化胺
水二3ml :6g :10ml的腐蝕液腐蝕脊形模式控制區(qū)和錐形區(qū)上的介質保 護材料，開出電流注入窗口；
步驟7、清洗干凈后，在外延片正面濺射或蒸發(fā)金屬，制作P面電
極；
步驟8、減薄、拋光外延片背面的N型GaAs襯底1，并蒸發(fā)N
電極，然后進行合金化處理；
步驟9、利用激光劃片機把制備的芯片劃成巴條；
步驟10、對所述巴條進行腔面鍍膜；
步驟ll、把鍍好腔面膜的巴條切割成單個的管芯；
步驟12、 P面向下燒結在熱沉上，并進行N面電極引線。
上述方案中，步驟l中所述外延片由下至上依次包括N型GaAs
襯底l、 N面限制層2、 N面波導層3、量子阱/量子點有源區(qū)4、 P面波導層5、 P面限制層6和歐姆接觸層7;所述N面限制層2為N型慘
雜，所述N面波導層3為非故意摻雜，所述P面波導層5為非故意摻 雜，所述P面限制層6為P型摻雜，所述歐姆接觸層7采用重摻雜的 GaAs材料。
上述方案中，步驟1中所述介質保護材料采用Si02、 SiNx、 Zr02 或加2。
上述方案中，步驟1中所述進行第一次光刻時采用的版圖類似喇 叭形狀，采用配比為氫氟酸氟化胺水二3ml :6g :10ml的腐蝕液腐 蝕沒有光刻膠保護的介質保護材料，最后形成的有光刻膠保護的介質 保護材料類似喇叭形狀，包括直的模式控制區(qū)a和錐形增益區(qū)b。
上述方案中，步驟3中所述刻蝕采用感應耦合等離子體ICP干法 刻蝕方法，或采用濕法腐蝕方法，采用濕法腐蝕方法時采用甲醇磷
酸雙氧水體積比為3: 1: l的腐蝕液，在冰點下進行；步驟3中所
述在刻蝕或腐蝕非介質保護材料的部分時，P面限制層6并不全部刻蝕掉。
上述方案中，步驟5中所述重新淀積的介質保護材料為Si02、SiNx、 Zr。2或Ti02。
上述方案中，步驟7中所述P面電極采用濺射時為金屬Ti/Pt/Au， 采用蒸發(fā)時為金屬Au/Zn/Au或Cr/Au。
上述方案中，步驟8中所述合金化處理的條件為在氮氣和氫氣 保護下，在45(TC下合金1分鐘。
上述方案中，步驟10中所述進行腔面鍍膜時，對于激光器而言， 前腔面鍍反射率為1%至5%的增透膜，后腔面鍍反射率為95%至99 %的高反膜；對于放大器而言，前后腔面均鍍上反射率為1%至5%的 增透膜。
上述方案中，步驟12中所述P面向下燒結在熱沉上是采用In或 AuSn作為焊料燒結在熱沉上，熱沉材料為銅、金剛石或透明立方氮化(三)有益效果 從上述技術方案可以看出，本發(fā)明具有以下有益效果
1、 本發(fā)明提供的這種高亮度半導體激光器及放大器的制作方法， 由于結合了寬條激光器和窄條激光器的優(yōu)點，所以能夠得到具有高的 輸出功率，且光束質量較好的器件。同時，由于其制作工藝簡單、易 重復、成本低，容易實現(xiàn)批量生產(chǎn)。
2、 本發(fā)明提供的這種高亮度半導體激光器及放大器的制作方法， 由于具有錐形增益區(qū)，其輸出腔面面積較大，所以增加了器件發(fā)生災 變形光學損傷的極限。
3、 本發(fā)明提供的這種高亮度半導體激光器及放大器的制作方法， 由于具有錐形增益區(qū)和脊形模式控制區(qū)，所以器件輸出光束的光束質 量因子接近衍射極限。
4、 本發(fā)明提供的這種高亮度半導體激光器及放大器的制作方法， 由于結合了寬條激光器和窄條激光器的工藝制作，而脊形波導激光器 和寬接觸激光器的工藝制作非常成熟，所以其制作工藝簡單，重復性 高，容易產(chǎn)業(yè)化。


圖1是本發(fā)明提供的錐形激光器外延片結構示意圖。
圖2是第一次光刻形成圖形的俯視圖。 圖3是本發(fā)明使用干法刻蝕形成脊形區(qū)的掃描電鏡圖。 圖4是本發(fā)明提供的錐形激光器在脊型區(qū)和錐形增益區(qū)交界處的 掃描電鏡圖。
圖5是制作出脊形模式控制區(qū)和錐形增益區(qū)臺面后芯片的俯視圖。 圖6是本發(fā)明提供的制作高亮度半導體激光器及放大器的方法流 程圖。
圖7是依照本發(fā)明實施例制作高亮度半導體激光器及放大器的工 藝流程圖；其中，
圖7 (I)是淀積介質保護材料；
圖7 (II)是一次光刻，形成直的模式控制區(qū)a和錐形增益區(qū)b;圖7 (III)是二次光刻，光刻膠作掩模保護好錐形增益區(qū)；
圖7 (IV)是干法刻蝕或濕法腐蝕出脊形模式控制區(qū)臺面；
圖7 (V)是去膠后，腐蝕出錐形增益區(qū)臺面；
圖7 (VI)是重新淀積介質保護材料；
圖7 (VII)是光刻工藝形成掩膜，制作電流注入窗口；
圖7 (VIII)是制作P面電極。
圖中，l為N型GaAs襯底；2為N面限制層；3為N面波導層， 4為量子阱/量子點有源區(qū)，5為P面波導層，6為P面限制層；7為 GaAs歐姆接觸層，a為脊形模式控制區(qū)，b為錐形增益區(qū)，c為激光器 的前腔面，d為激光器的后腔面。
具體實施例方式
為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結合具 體實施例，并參照附圖，對本發(fā)明進一步詳細說明。
本發(fā)明提供的制作高亮度半導體激光器及放大器的方法，主要思 想就是要結合寬條激光器和窄條激光器的優(yōu)點，能夠實現(xiàn)高的輸出功 率，且光束質量較好，同時其制作簡單，容易重復，且成本低。
具體制作過程如下采用的外延片結構如圖1所示，首先在該外
延片表面采用PECVD方法淀積介質材料如Si02，第一次光刻腐蝕掉 沒有光刻膠保護的絕緣層材料，該版圖類似喇叭形狀，包括直的模式 控制區(qū)a和錐形增益區(qū)b，如圖2所示，然后進行二次光刻，使用光刻 膠做掩膜保護錐形增益區(qū)，使用介質材料保護脊形模式控制區(qū)，采用 感應耦合等離子體(ICP)等干法刻蝕方法或濕法腐蝕制作脊形模式控 制臺面，其刻蝕或腐蝕深度停留到P面限制層6，并剩余一部分P面 限制層，腐蝕后的管芯的橫截面如圖3所示；去膠后，接著用介質膜 作為保護，腐蝕掉錐形增益區(qū)外的GaAs歐姆接觸層7，制作錐形增益 區(qū)臺面；形成脊型區(qū)和錐形增益區(qū)交界處的俯視如圖4所示；這時形 成的圖形的俯視圖如圖5所示；然后腐蝕剩余介質材料，清洗后重新 淀積介質保護材料；采用標準光刻工藝形成掩膜，制作電流注入窗口， 這是第3次光刻，接著制作P面電極，P面電極可以采用濺射Ti/Pt/Au，或蒸發(fā)Au/Zn/Au、 Cr/Au等金屬；減薄、拋光N型GaA襯底l，蒸發(fā) N電極，然后進行合金化處理；然后利用激光劃片機把制備的芯片劃 層巴條；接著對巴條進行腔面鍍膜；然后把鍍好腔面膜的巴條切割成 單個的管芯；最后P面向下燒結在熱沉上，并進行N面電極引線。
再參照圖1，該外延片結構由金屬化學有機氣相沉積方法或分子束 外延方法生長得到，由下至上依次包括N型GaAs襯底l、 N面限制 層2、 N面波導層3、量子阱/量子點有源區(qū)4、 P面波導層5、 P面限 制層6和歐姆接觸層7;所述N面限制層2為N型摻雜，所述N面波 導層3為非故意摻雜，所述P面波導層5為非故意摻雜，所述P面限 制層6為P型摻雜，所述歐姆接觸層7采用重摻雜的GaAs材料。
圖6示出了本發(fā)明提供的制作高亮度半導體激光器及放大器的方
法流程圖，該方法包括
步驟601:在外延片P面上淀積介質保護材料，利用設計好的喇叭 形光刻版，采用標準的光刻工藝進行第一次光刻，以光刻膠作為掩膜， 腐蝕沒有光刻膠保護的介質保護材料，保留有光刻膠保護的介質保護 材料；該保留的介質保護材料類似喇叭形狀，包括直的模式控制區(qū)和 錐形增益區(qū)；
在本步驟中，所述介質保護材料采用Si02、 SiNx、 Zr02或Ti02等， 所述進行第一次光刻時采用的版圖類似喇叭形狀，采用配比為氫氟酸 (3ml):氟化胺(6g):水(10ml)的腐蝕液腐蝕沒有光刻膠保護的介質保
護材料，保留的有光刻膠保護的介質保護材料類似喇叭形狀，包括直 的模式控制區(qū)a和錐形增益區(qū)b。
步驟602:去膠清洗，重新甩上一層光刻膠，采用標準的光刻工藝 進行二次光刻，把光刻版上的圖形轉移到光刻膠上，然后顯影，堅膜， 用光刻膠作為掩膜保護好錐形增益區(qū)，用介質材料作為掩膜保護好脊 形模式控制區(qū)；
步驟603:采用干法刻蝕或濕法腐蝕步驟2中沒有光刻膠或介質材 料保護的歐姆接觸層7和部分P面限制層6，腐蝕出脊形模式控制區(qū)臺 面；在本步驟中，所述刻蝕釆用感應耦合等離子體(ICP)干法刻蝕方法， 或采用濕法腐蝕方法，采用濕法腐蝕方法時采用體積配比為甲醇磷 酸雙氧水=3: 1: 1的腐蝕液，在冰點下進行；所述在刻蝕或腐蝕非 介質保護材料的部分時，P面限制層6并不全部刻蝕掉。
步驟604:去膠后，用介質保護材料作為保護，對錐形增益區(qū)使用 體積比甲醇磷酸雙氧水=3: 1: 1的腐蝕液腐蝕歐姆接觸層7，制 作錐形增益區(qū)臺面。
步驟605:采用配比為氫氟酸3ml:氟化胺6g:水10ml的腐蝕液， 腐蝕剩余介質材料，清洗后重新淀積介質保護材料；
在本步驟中，所述重新淀積的介質保護材料為Si02、 SiNx、 Zr02
或Ti。2。
步驟606:采用標準光刻工藝形成掩膜，采用配比為氫氟酸3ml: 氟化胺6g:水10ml的腐蝕液腐蝕脊形模式控制區(qū)和錐形區(qū)上的介質保 護材料，開出電流注入窗口。
步驟607:清洗干凈后，在外延片正面濺射或蒸發(fā)金屬，制作P 面電極；
在本步驟中，所述P面電極采用濺射時為金屬Ti/Pt/Au，采用蒸發(fā) 時為金屬Au/Zn/Au或Cr/Au。
步驟608:減薄、拋光外延片背面的N型GaAs襯底l，并蒸發(fā)N 電極，然后進行合金化處理；
在本步驟中，所述合金化處理的條件為在氮氣和氫氣保護下， 在45(TC下合金1分鐘。
步驟609:利用激光劃片機把制備的芯片劃成巴條。
步驟610:對所述巴條進行腔面鍍膜；
在本步驟中，所述進行腔面鍍膜時，對于激光器而言，前腔面鍍 反射率為1%至5%的增透膜，后腔面鍍反射率為95%至99%的高反 膜；對于放大器而言，前后腔面均鍍上反射率為1%至5%的增透膜。 步驟611:把鍍好腔面膜的巴條切割成單個的管芯； 步驟612: P面向下燒結在熱沉上，并進行N面電極引線，完成高 亮度半導體錐形激光器/放大器的制作。在本步驟中，所述P面向下燒結在熱沉上是采用In或AuSn作為 焊料燒結在熱沉上，熱沉材料可以為銅、金剛石，透明立方氮化硼(T —cBN)等熱導率很高的材料。
實施例
下面以GaAs/AlGaAs量子阱錐形激光器的制作為例對本發(fā)明進行 進一步的說明，但不構成對本發(fā)明的限制。
圖7示出了依照本發(fā)明實施例制作高亮度半導體激光器及放大器 的工藝流程圖，該制作工藝包括如下步驟
1) 、在外延片P面上采用PECVD方法淀積介質保護材料，介質 保護層可以采用Si02、 SiNx、 Zr02、 Ti02等，如圖7 (I);
2) 、利用設計好的光刻版，采用標準的光刻工藝進行第一次光刻， 以光刻膠作為掩膜，腐蝕沒有光刻膠保護的介質保護材料，該保留的 介質保護材料類似喇叭形狀，包括直的模式控制區(qū)和錐形增益區(qū)；利 用光刻膠作為掩膜，采用配比為氫氟酸(3ml):氟化胺(6g):水(10ml) 的腐蝕液腐蝕掉沒有光刻膠保護的介質材料，如圖7 (II);
3) 、去膠清洗，重新甩上一層光刻膠，采用標準的光刻工藝進行 二次光刻，把光刻版上的圖形轉移到光刻膠上，用光刻膠作為掩膜保 護錐形增益區(qū)，用介質材料作為掩膜保護脊形模式控制區(qū)，如圖7(III);
4) 、采用感應耦合等離子體(ICP)干法刻蝕方法刻蝕沒有光刻膠 或介質材料保護的歐姆接觸層7和部分P面限制層6，腐蝕出脊形模式
控制區(qū)臺面；也可以采用配比為甲醇(3):磷酸(1):雙氧水(1)
的腐蝕液，在冰點下進行濕法腐蝕來代替干法刻蝕，刻蝕或腐蝕深度
為1.4 1.6微米，具體深度與外延片結構相關，如圖7(IV);
5) 、制作錐形增益區(qū)去膠后，用介質保護材料作為保護，對錐
形增益區(qū)使用甲醇(3):磷酸(1):雙氧水(1)的腐蝕液腐蝕掉GaAs 歐姆接觸層7，通常歐姆接觸層7的厚度約為0.2微米，腐蝕后停留到 P面限制層6上，注意該腐蝕液同時也會腐蝕上步腐蝕模式控制區(qū)臺面 時暴露出的部分P面限制層6，所以在上一步刻蝕出脊形模式控制區(qū)臺 面時，其腐蝕深度要給這步留出0.2微米的余地，也就是說，如果最后脊形模式控制區(qū)的脊形臺深度要求為1.6微米，上一步驟中的腐蝕深度 只能腐蝕到1.4微米，如圖7 (V);
6) 、采用配比為氫氟酸(3ml):氟化胺(6g):水(10ml)的腐蝕 液，腐蝕剩余介質材料，清洗后重新淀積介質保護材料，如圖7 (VI);
7) 、采用標準光刻工藝形成掩膜，采用配比為氫氟酸(3ml):
氟化胺(6g):水(10ml)的腐蝕液腐蝕脊形模式控制區(qū)和錐形區(qū)上的介 質保護材料Si02，開出電流注入窗口，如圖7 (VII);
8) 、清洗干凈后，在P面上制作P面電極，P面電極可以采用濺 射Ti/Pt/Au，或蒸發(fā)Au/Zn/Au、 Cr/Au等金屬，如圖7 (VIII);
9) 、減薄、拋光N型GaA襯底l，蒸發(fā)N電極，然后進行合金化 處理；
10) 、利用激光劃片機把制備的芯片劃層巴條；
11) 、對巴條進行腔面鍍膜；對于激光器來說，前腔面c鍍反射率 為5%的增透膜，后腔面鍍反射率為95%的高反膜；
12) 、把鍍好腔面膜的巴條切割成單個的管芯；
13) 、 P面向下燒結在熱沉上，并進行N面電極引線。
以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術方案和有益效果 進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體 實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內， 所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍 之內。
權利要求
1、一種制作高亮度半導體錐形激光器/放大器的方法，其特征在于，該方法包括步驟1、在外延片P面上淀積介質保護材料，利用設計好的喇叭形光刻版，采用標準的光刻工藝進行第一次光刻，把光刻版上的圖形轉移到光刻膠上，以光刻膠作為掩膜，腐蝕沒有光刻膠保護的介質保護材料，保留有光刻膠保護的介質保護材料；該保留的介質保護材料類似喇叭形狀，包括直的模式控制區(qū)和錐形增益區(qū)；步驟2、去膠清洗，重新甩上一層光刻膠，采用標準的光刻工藝進行二次光刻，把光刻版上的圖形轉移到光刻膠上，然后顯影，堅膜，用光刻膠作為掩膜保護錐形增益區(qū)，用介質材料作為掩膜保護脊形模式控制區(qū)；步驟3、采用干法刻蝕或濕法腐蝕步驟2中沒有光刻膠或介質材料保護的歐姆接觸層(7)和部分P面限制層(6)，腐蝕出脊形模式控制區(qū)臺面；步驟4、去膠后，用介質保護材料作為掩膜，采用甲醇磷酸雙氧水體積比為311的腐蝕液腐蝕沒有介質材料保護的歐姆接觸層(7)，腐蝕出錐形增益區(qū)臺面；步驟5、采用配比為氫氟酸氟化胺水＝3ml:6g:10ml的腐蝕液，腐蝕剩余介質材料，清洗后重新淀積介質保護材料；步驟6、采用標準光刻工藝形成掩膜，采用配比為氫氟酸氟化胺水＝3ml:6g:10ml的腐蝕液腐蝕脊形模式控制區(qū)和錐形區(qū)上的介質保護材料，開出電流注入窗口；步驟7、清洗干凈后，在外延片正面濺射或蒸發(fā)金屬，制作P面電極；步驟8、減薄、拋光外延片背面的N型GaAs襯底(1)，并蒸發(fā)N電極，然后進行合金化處理；步驟9、利用激光劃片機把制備的芯片劃成巴條；步驟10、對所述巴條進行腔面鍍膜；步驟11、把鍍好腔面膜的巴條切割成單個的管芯；步驟12、P面向下燒結在熱沉上，并進行N面電極引線。
2、 根據(jù)權利要求1所述的制作高亮度半導體錐形激光器/放大器的方法，其特征在于，步驟1中所述外延片由下至上依次包括N型GaAs襯底(1)、 N面限制層(2)、 N面波導層(3)、量子 阱/量子點有源區(qū)(4)、 P面波導層(5)、 P面限制層(6)和歐姆接觸 層(7);所述N面限制層(2)為N型摻雜，所述N面波導層(3)為非故 意摻雜，所述P面波導層(5)為非故意摻雜，所述P面限制層(6) 為P型摻雜，所述歐姆接觸層(7)采用重摻雜的GaAs材料。
3、 根據(jù)權利要求1所述的制作高亮度半導體錐形激光器/放大器的 方法，其特征在于，步驟1中所述介質保護材料采用Si02、 SiNx、 Zr02或Ti。2。
4、 根據(jù)權利要求1所述的制作高亮度半導體錐形激光器/放大器的 方法，其特征在于，步驟1中所述進行第一次光刻時采用的版圖類似 喇叭形狀，采用配比為氫氟酸氟化胺水二3ml :6g:10ml的腐蝕液 腐蝕沒有光刻膠保護的介質保護材料，最后形成的有光刻膠保護的介 質保護材料類似喇叭形狀，包括直的模式控制區(qū)a和錐形增益區(qū)b。
5、 根據(jù)權利要求1所述的制作高亮度半導體錐形激光器/放大器的 方法，其特征在于，步驟3中所述刻蝕采用感應耦合等離子體ICP干 法刻蝕方法，或采用濕法腐蝕方法，采用濕法腐蝕方法時采用甲醇 磷酸雙氧水體積比為3: 1: 1的腐蝕液，在冰點下進行；步驟3中所述在刻蝕或腐蝕非介質保護材料的部分時，P面限制層 (6)并不全部刻蝕掉。
6、 根據(jù)權利要求1所述的制作高亮度半導體錐形激光器/放大器的 方法，其特征在于，步驟5中所述重新淀積的介質保護材料為Si02、 SiNx、 Zr02或Ti02。
7、 根據(jù)權利要求1所述的制作高亮度半導體錐形激光器/放大器的 方法，其特征在于，步驟7中所述P面電極采用濺射時為金屬Ti/Pt/Au， 采用蒸發(fā)時為金屬Au/Zn7 Au或Cr/Au。
8、 根據(jù)權利要求1所述的制作高亮度半導體錐形激光器/放大器的 方法，其特征在于，步驟8中所述合金化處理的條件為在氮氣和氫氣保護下，在45(TC下合金1分鐘。
9、 根據(jù)權利要求1所述的制作高亮度半導體錐形激光器/放大器的 方法，其特征在于，步驟10中所述進行腔面鍍膜時，對于激光器而言， 前腔面鍍反射率為1%至5%的增透膜，后腔面鍍反射率為95%至99 %的高反膜；對于放大器而言，前后腔面均鍍上反射率為1%至5%的 增透膜。
10、 根據(jù)權利要求1所述的制作高亮度半導體錐形激光器/放大器 的方法，其特征在于，步驟12中所述P面向下燒結在熱沉上是采用In 或AuSn作為焊料燒結在熱沉上，熱沉材料為銅、金剛石或透明立方氮 化硼。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種制作高亮度半導體錐形激光器/放大器的方法，包括在外延片P面上淀積介質保護材料，采用標準的光刻工藝進行第一次光刻；去膠清洗，采用標準的光刻工藝進行二次光刻；刻蝕或腐蝕制作脊形模式控制區(qū)臺面；用介質保護材料作掩膜制作錐形增益區(qū)臺面；腐蝕剩余介質材料，清洗后重新淀積介質保護材料；采用標準光刻工藝形成掩膜，腐蝕模式控制區(qū)和錐形區(qū)上的介質保護材料，開出電流注入窗口；在外延片正面濺射或蒸發(fā)金屬，制作P面電極；減薄、拋光外延片背面的N型GaAs襯底，蒸發(fā)N電極；利用激光劃片機把制備的芯片劃成巴條；對巴條進行腔面鍍膜；把鍍好腔面膜的巴條切割成單個的管芯；P面向下燒結在熱沉上，進行N面電極引線。
文檔編號H01S5/00GK101471534SQ20071030470
公開日2009年7月1日 申請日期2007年12月28日 優(yōu)先權日2007年12月28日
發(fā)明者曹玉蓮, 陳良惠 申請人:中國科學院半導體研究所