專(zhuān)利名稱(chēng)：背鍍晶片的切割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶片的切割方法，更具體地說(shuō)，涉及一種背鍍晶片的切割方法。
背景技術(shù)：
晶片的激光切割目前一般采用背面切割，正面裂片的方法。這種方法要求 襯底背面是拋光的，從背面可以看到正面的電極圖形，以便激光劃片機(jī)進(jìn)行對(duì)
點(diǎn)，即對(duì)準(zhǔn)位置。但是近年來(lái)出現(xiàn)了很多LED新工藝和新技術(shù)，旨在提高亮度， 比如背面粗化，正面粗化，背面鍍金屬膜等等。這些新工藝使襯底不再透明， 因而無(wú)法從背看見(jiàn)正面的圖像，不能用正常的方法進(jìn)行切割。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述不能正常切割的缺陷， 提供一種背鍍晶片的切割方法。
本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是構(gòu)造一種背鍍晶片的切割方
法，其特征在于，包括如下步驟 Al)磨片
A2)在晶片的切割道處貼保護(hù)膜； A3)蒸鍍；
A4)取下保護(hù)膜，進(jìn)行激光劃片。在本發(fā)明所述的背鍍晶片的切割方法中，所述保護(hù)膜為高溫膠帶。 在本發(fā)明所述的背鍍晶片的切割方法中，所述膠帶的寬度小于三條切割道 的寬度。
在本發(fā)明所述的背鍍晶片的切割方法中，所述膠帶貼在定位邊處。 在本發(fā)明所述的背鍍晶片的切割方法中，在所述步驟A4包括如下步驟 A4.1)取下保護(hù)膜；
A4.2)將保護(hù)膜部分的切割道在激光劃片機(jī)中對(duì)點(diǎn)，劃片。
在本發(fā)明所述的背鍍晶片的切割方法中，所述保護(hù)膜貼在定位邊處。
在本發(fā)明所述的背鍍晶片的切割方法中，在所述步驟A1中包括如下歩驟 AL1)減?。?br> A1.2)拋光。
在本發(fā)明所述的背鍍晶片的切割方法中，在所述步驟A4之后還包括如下
步驟
A5)裂片。
本發(fā)明的有益效果是，由于本發(fā)明的背鍍晶片的切割方法在蒸鍍前貼有保 護(hù)膜，切割時(shí)再撕掉保護(hù)膜，從背面切割同樣可以看到晶片的正面，提高了切 割的效率和準(zhǔn)確度。


下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，附圖中 圖1是本發(fā)明的背鍍晶片的切割方法流程圖； 圖2是晶片的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是保護(hù)膜的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是晶片貼上保護(hù)膜后的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖5是晶片蒸鍍后的結(jié)構(gòu)示意圖6是晶片蒸鍍完成后再取下保護(hù)膜的結(jié)構(gòu)式意圖。
具體實(shí)施例方式
結(jié)合圖l描述本發(fā)明的流程，本發(fā)明的背鍍晶片的切割方法。采用如下流 程，包括如下步驟
51) 磨片；
52) 在晶片的切割道處貼保護(hù)膜；
53) 蒸鍍；
54) 取下保護(hù)膜，進(jìn)行劃片和裂片。
在步驟S4中具體包括如下步驟，取下保護(hù)膜，將保護(hù)膜對(duì)應(yīng)的切割道部
分對(duì)點(diǎn)，只要一部分對(duì)應(yīng)好，其他部分都會(huì)對(duì)應(yīng)好。
如圖2所示，為晶片的結(jié)構(gòu)示意圖，其中晶片上的切割道l (網(wǎng)格形的切 割道清晰可見(jiàn)，切割道將晶片分割為多個(gè)小晶片)。圖3為保護(hù)膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
如圖4所示，為晶片貼上保護(hù)膜后的結(jié)構(gòu)示意圖，保護(hù)膜2盡量靠近定位 邊貼好，方便操作，并且保護(hù)膜2不要覆蓋太多的切割道，以減少管芯的浪費(fèi)。
如圖5所示，為晶片蒸鍍后的結(jié)構(gòu)示意圖，保護(hù)膜2以及晶片全都蒸鍍上 了一層。
如圖6所示，為晶片蒸鍍完成后再取下保護(hù)膜的結(jié)構(gòu)式意圖，保護(hù)膜2覆 蓋的部分切割道清晰可見(jiàn)。取下保護(hù)膜后，將露出的切割道部分進(jìn)行正常對(duì)點(diǎn) 即可。采用這樣的結(jié)構(gòu)使得晶片對(duì)應(yīng)的非常好，不會(huì)造成誤切的問(wèn)題。
權(quán)利要求
1、一種背鍍晶片的切割方法，其特征在于，包括如下步驟A1)磨片；A2)在晶片的切割道處貼保護(hù)膜；A3)蒸鍍；A4)取下保護(hù)膜，進(jìn)行激光劃片。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的背鍍晶片的切割方法，其特征在于，所述保護(hù)膜為高溫膠帶。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的背鍍晶片的切割方法，其特征在于，所述膠帶的寬度小于三條切割道的寬度。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的背鍍晶片的切割方法，其特征在于，所述膠帶貼在所述晶片的定位邊處。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的背鍍晶片的切割方法，其特征在于，在所述步驟A4包括如下步驟A4.1)取下保護(hù)膜；A4.2)將保護(hù)膜部分的切割道在激光劃片機(jī)中對(duì)點(diǎn)，劃片。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的背鍍晶片的切割方法，其特征在于，所述保護(hù)膜 貼在定位邊處。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的背鍍晶片的切割方法，其特征在于，在所述步驟 Al中包括如下步驟Al.l減?。籄1.2拋光。
8、根據(jù)權(quán)利要求1所述的背鍍晶片的切割方法，其特征在于，在所述步驟A4之后還包括如下步驟A5裂片。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種背鍍晶片的切割方法，包括如下步驟A1)磨片；A2)在晶片的切割道處貼保護(hù)膜；A3)蒸鍍；A4)取下保護(hù)膜，進(jìn)行激光劃片。由于本發(fā)明的背鍍晶片的切割方法在蒸鍍前貼有保護(hù)膜，切割時(shí)再撕掉保護(hù)膜，從背面切割同樣可以看到晶片的正面，提高了切割的效率和準(zhǔn)確度。
文檔編號(hào)H01L21/78GK101471289SQ200710186128
公開(kāi)日2009年7月1日 申請(qǐng)日期2007年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月27日
發(fā)明者丁玉輝 申請(qǐng)人:深圳市方大國(guó)科光電技術(shù)有限公司