專利名稱：包括元件安裝表面被樹脂層涂覆的布線基板的半導體裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體裝置，尤其涉及一種構成薄型半導體封裝、封裝上封裝(package-on-package)結構、以及其中層疊半導體封裝和 半導體芯片的芯片上封裝(package-on-chip)結構的半導體裝置。
背景技術：
作為與倒裝芯片型半導體裝置相關的現(xiàn)有技術，在日本專利公開 No. 2006-108460、 2000-299414、 2000-260820、 5-283455、 2004-260138 以及"High Speed Characteristic Such That Instantaneous Chance Is Not Escaped "[在線][2006年7月 18日檢索]Internet <URL: http:〃www.canon-sales.co.ip/camera/ixyd/60/feature04.html> 中描述了 多種半導體裝置。在日本專利公開No.2006-108460中，描述了，在通過下填充樹脂 (underfill resin)密封在半導體芯片和布線基板之間的部分時，由于在 半導體元件和下填充樹脂和布線基板之間的熱膨脹系數的差異出現(xiàn)應 力，使得布線基板朝著半導體元件一側翹曲。而且，在上述文獻中， 帶狀彈性體被嵌入到倒裝芯片連接布線基板內，從而抑制翹曲。在日本專利公開的文獻No.2000-299414， 2000-260820中，描述了這樣一種結構，其中下填充材料填充在有機基板和半導體芯片之間的 間隙內，并且其側部由嵌縫(fillet)材料密封。而且，在日本專利公開 No.2000-299414中，在特定的條件下將下填充材料密封，因此使得施 加到芯片表面的應力均勻。因此，可以避免芯片剝離和斷裂。圖13是示出了與日本專利公開No.2000-299414、 2000-260820中
描述的裝置對應的半導體裝置的結構的截面圖。在圖13中，示出了下 填充材料和嵌縫材料而不作區(qū)分。在圖13所示的半導體裝置中，通過倒裝芯片焊接由凸塊電極 (bump electrode) 209將半導體芯片203連接到封裝基板201的芯片 安裝表面。在封裝基板201和半導體芯片203之間的區(qū)域及其側部上， 提供下填充樹脂205。在圖13中，除了上述文獻的結構以外，還示出 了設置在封裝基板201的芯片安裝表面的相反表面上的外部連接電極 211。在日本專利公開No. 5-283455中，描述了特定組分填充在芯片裝 置和載體之間的間隙中。此外，這種結構保證即使在過度加熱周期之 后也不會出現(xiàn)斷裂。在日本專利公開No. 2004-260138中，描述了一種半導體裝置，其 中圍繞半導體芯片的框形增強材料接合到安裝板上。根據上述文獻， 降低了在制造過程中由于熱/機械應力所導致的安裝板的翹曲，并且通 過該增強材料增加了強度。而且，"High Speed Characteristic Such That Instantaneous Chance Is Not Escaped"[在線][2006年7月18日檢索]Internet <URL: http:〃www.canon國sales.co.ip/camera/ixvd/60/feature04.html〉中^ _S——禾中 包括多芯片的封裝。在上述文獻中，考慮增厚基板從而抑制封裝的翹 曲。此外，作為與包括多芯片的封裝相關的現(xiàn)有技術，在"Successive Massproduction of Semiconductor Package (半導體封裝的連續(xù)大規(guī)模生 產)"[在線]2006年1月18日的Semiconductor Industrial Newspaper(半 導體產業(yè)新聞)，[2006年7月18日檢索]Internet <URL: http:〃www.semicon-news.co.jp/news/htm/snl673-j.htm〉中描述了 一種技
術。在上述文獻中，采用了一種線焊封裝的層疊結構。圖14 (A)和14 (B)是示出與在"Successive Massproduction of Semiconductor Package，，[在線]2006年1月18日的Semiconductor Industrial Newspaper,〖2006年7月 18 日檢索]Internet <URL: http:〃www.semicon陽news.co.jp/news/htm/sn 1673-j .htm〉中所述的裝置對應的半導體裝置的結構的截面圖。在圖14 (A)中，半導體芯片203安裝在封裝基板201上。而且， 半導體芯片203和封裝基板201通過焊線231連接。半導體芯片203 和焊線231由密封樹脂233密封，并且半導體芯片203整體嵌入到密 封樹脂233中。此外，在圖14(B)中，示出了這樣一種結構，其中通 過基板連接電極213，使半導體封裝215層疊在圖14 (A)的裝置的封 裝基板201的上部。這里，在試圖將一種半導體裝置應用于緊湊便攜式或者移動的電 子設備等(包括移動電話)中的情況下，需要實現(xiàn)半導體裝置整體的 薄形結構和小型化。但是，在上述傳統(tǒng)結構中，在實現(xiàn)封裝基板薄形結構的同時較滿 意地抑制其翹曲方面，仍有余地。通常，使用圖15 (C)所示的結構作為典型的封裝上封裝結構。 在圖15(C)中，附圖標記215表示半導體封裝，附圖標記213表示基 板連接電極。此外，附圖標記201表示封裝基板，附圖標記203表示半導體芯 片，附圖標記205表示下填充樹脂，附圖標記209表示凸塊電極，而 附圖標記211表示外部連接電極。
作為實現(xiàn)圖15 (C)的結構的典型方法，存在下述描述手段。首 先，在構成圖15 (B)所示的組件例如封裝基板201和半導體芯片203 等之后，通過基板連接電極213連接圖15 (A)所示的半導體封裝部 分。在這種情況下，例如，在圖15 (B)所示的結構中，封裝基板201 以凸狀翹曲，同時由于在半導體芯片203和封裝基板201之間的熱膨 脹系數差異而導致產生的封裝基板201張應力，或者由于在半導體芯 片203和下填充樹脂205之間的熱膨脹系數差異而導致產生的下填充 樹脂205的張應力，使得芯片安裝表面的位置上移。當這種凸部的翹曲較大時，這對圖15 (A)所示的半導體封裝部 分連接到封裝基板201形成障礙。考慮到上述情況，為了減少翹曲，傳統(tǒng)上采用一種加厚其上安裝 半導體芯片203的封裝基板201的方法等。通過基板連接電極213將 半導體封裝215層疊在其中以這種方式減小了翹曲的圖15(B)的結構 上，可以得到圖15 (C)所示的結構。但是采用加厚封裝基板201來作為抗翹曲的措施的方法，對于實 現(xiàn)半導體裝置整體的薄形結構是不利的。原因在于，由于封裝基板201 的翹曲量是由封裝基板201的剛性和半導體芯片203的剛性決定的， 因此將會增加對于封裝基板201的剛性起支配作用的基板的厚度。因 此，很難將這種加厚基板的方法應用于需要實現(xiàn)基板薄形結構本身的 領域中。而且，在層疊封裝的情況下，組件的附著高度變大。這對薄 形的實現(xiàn)構成了障礙。而且，作為抗封裝基板翹曲的措施，除了上述方法以外還存在一 種提供金屬支撐物的方法。在這種情況下，不能在提供有金屬支撐物 的部分上提供用來與半導體封裝215連接的基板連接電極213。因此，組件的面積變大，使得安裝密度變小。因此，這對于半導體裝置整體 的小型化構成了妨礙。而且，當為了保持足夠剛性以抑制翹曲而加厚 金屬支撐物時，裝置整體的厚度也會增加。此夕卜，在"Successive Massproduction of Semiconductor Package，，[在 線]2006年1月18日的Semiconductor Industrial Newspaper (半導體產 業(yè)新聞)，[2006 年 7 月 18 日檢索]Internet <URL: http:〃www.semicon-news.co.jp/news/htin/snl673-j.htm〉所描述的技術 中，如圖14 (A)和14 (B)所示，半導體芯片203嵌入到密封樹脂 233中。因此，這導致組件附著高度增加。而且，在半導體芯片上提供 相同數量的端子的情況下，由于通過焊線工藝來提供在半導體芯片和 封裝基板之間的電連接，因此與倒裝芯片連接的情況下相比，較大程 度地擴大了芯片的尺寸。因此，將會導致組件擴大。此外，在通過焊線工藝實現(xiàn)在封裝基板201和半導體芯片203之 間的電連接的情況下，除了附著高度增加的事實以外，與倒裝芯片結 構(圖13)相比，能夠設置在封裝基板201上的端子的數量變少了。 因此，在芯片上提供相同數量的端子的情況下，將會擴大芯片尺寸。 因此，妨礙了組件的小型化。另一方面，存在這樣一些情況，其中在僅實現(xiàn)基板的薄形結構的 情況下，對于翹曲產生的因素，例如在半導體芯片和基板之間的熱膨 脹系數差異以及液態(tài)樹脂的固化收縮率等，使得不能充分地保證基板 的剛性。因此，在完成裝置組裝之后，基板的元件安裝表面的面可能 凸狀翹曲，使得易于發(fā)生向上翹曲。而且，即使使用上述現(xiàn)有技術， 在組裝之后仍然不能滿足共面性的標準。存在對成品率降低的擔心?？紤]到上述原因，本申請的發(fā)明目的是提供一種半導體裝置，其 中在實現(xiàn)半導體封裝的薄形結構的同時抑制半導體基板的翹曲，從而 提高了制造的成品率
發(fā)明內容
根據上述發(fā)現(xiàn)，為了抑制半導體裝置的芯片安裝基板的翹曲，發(fā) 明人積極地進行研究。結果，他們發(fā)現(xiàn)，將樹脂設置在其上安裝半導 體芯片的布線基板的基本整個元件安裝表面上，而半導體芯片的相反 表面不涂覆該樹脂，由此使得能夠在實現(xiàn)該裝置整體薄形結構的同時， 顯著地降低布線基板的翹曲量。根據本發(fā)明，提供一種半導體裝置，其包括 第一布線基板；第一半導體元件，其通過倒裝芯片焊接安裝在第一布線基板的元 件安裝表面上；以及樹脂層，其基本上涂覆包括安裝了第一半導體元件的區(qū)域的第一 布線基板的整個元件安裝表面，其中第一半導體元件具有兩個相反表面， 一個表面面對第一布線 基板的元件安裝表面，而另一個表面沒有涂覆樹脂層。在本發(fā)明中，第一布線基板的元件安裝表面基本整個表面被樹脂 層涂覆。通過進行這種涂覆，可以在元件安裝表面的基本整個表面上 產生縮應力。在傳統(tǒng)半導體裝置的組裝過程中，會發(fā)生凸狀翹曲，同 時由于半導體芯片和布線基板之間的熱膨脹系數差異而導致出現(xiàn)的基 板縮應力，或者由于在半導體芯片和下填充樹脂之間的熱膨脹系數差 異而導致出現(xiàn)的收縮過程，元件安裝表面位置上移。相反，在本發(fā)明 中，通過上述縮應力，能夠在第一布線基板上產生凹狀翹曲，同時元 件安裝表面的位置上移。因此，消除了凸狀翹曲，從而改善了共面性。因此，根據本發(fā)明，在布線基板的厚度較薄的情況下，能夠可靠 地減少發(fā)生在樹脂基板上的翹曲。因此，可以提高制造成品率。而且， 當本發(fā)明的半導體裝置用于層疊封裝等時，也能夠提高在層疊過程中 的成品率。
在這種情況下，樹脂層基本上涂覆了元件安裝表面的整個表面的 事實涉及樹脂層延伸直至元件安裝表面的端部的事實。在電極和元件 被焊接到元件安裝表面的情況下，樹脂層可以涂覆除了這些焊接部分 之外的整個元件安裝表面。此外，該第一半導體元件可以是具有預定元件或者多個元件例如 晶體管等等的半導體芯片，并且在半導體芯片上還可以包括為了外部端子引出目的的布線元件。例如，第一半導體元件也可以是通過插入件(interposer)連接半導體芯片的半導體元件。在其中通過插入件連接半導體芯片的半導體元件的情況下，第一 半導體元件可以具有這樣的結構，其中通過插入件基板將其從凸塊電極連接到第一布線基板。在這種情況下，優(yōu)選插入件基板的厚度較薄。應當注意，其中相對于該方法和裝置改變和修改本發(fā)明的表述的 這些各個結構和實施例的任意組合可以與本發(fā)明的實施例同樣有效。如上所述，根據本發(fā)明，可以實現(xiàn)半導體裝置的薄形結構，并且 可以抑制其制造成品率的降低。


圖1是示出了第一實施例中的半導體裝置的結構的截面圖；圖2是示出了圖1中所示的半導體裝置的結構的平面圖；圖3是用于說明制造圖1中所示的半導體裝置的方法的截面圖；圖4是示出了第二實施例的半導體裝置的結構的截面圖；圖5是示出了圖4中所示的半導體裝置的結構的平面圖；圖6是用于說明制造圖4中所示的半導體裝置的方法的平面圖；圖7是示出了修改了的第二實施例中的半導體裝置的結構的截面圖8是示出了圖7中所示的半導體裝置的結構的平面圖；圖9是示出了第三實施例中的半導體裝置的結構的截面圖；圖IO是示出了圖9中所示的半導體裝置的結構的平面圖；圖11是示出了第四實施例中的半導體裝置的結構的截面圖；圖12是示出了修改了的第一實施例中的半導體裝置的結構的截面圖；圖13是示出了傳統(tǒng)半導體裝置的結構的截面圖； 圖14 (A)和14 (B)是示出了另一種傳統(tǒng)半導體裝置的結構的 截面圖；以及圖15 (A) 、 15 (B)和15 (C)是示出了典型的半導體裝置的結 構的截面圖。
具體實施方式
現(xiàn)在，參考

本發(fā)明的實施例。應當注意，在所有附圖中， 相同的附圖標記表示相同的組件，并且根據場合的需要省略對它們的 說明。(第一實施例)圖1是示出了本實施例的半導體裝置的結構的截面圖。此外，圖 2是示出了圖1中所示的半導體裝置100的結構的平面圖。在圖2中， 沒有示出凸塊電極109和外部連接電極111。圖1和2中所示的半導體裝置100包括第一布線基板(封裝基 板101);通過倒裝芯片焊接連接到封裝基板101的元件(芯片)安裝 表面上的第一半導體元件(第一半導體芯片103);以及樹脂層(下填 充樹脂105、外圍層107)，用于涂覆包括安裝第一半導體芯片103的 區(qū)域的封裝基板101的整個芯片安裝表面。封裝基板101是其上設置了預定布線結構和電極的布線基板。
由于從實際意義來說，封裝基板101的材料是樹脂，例如有機樹 脂等等，并且由具有絕緣特性的樹脂材料組成，因此從這種觀點也可 以說，封裝基板101是具有預定布線結構和電極的絕緣樹脂。而且，在使用有機樹脂基板作為封裝基板101的情況下，使該有機樹脂基板具有這樣的結構，其中例如在核心的兩個表面上以從基板的內側朝向外側排列的順序層疊合成層(built-up)(未示出)和阻焊 層(未示出)。更具體的，封裝基板101是從下側開始依次層疊阻焊層、合成層、核心、合成層和阻焊層的基板。例如，可以使用BT樹脂或環(huán)氧樹脂作為核心的樹脂成分。而且， 可以采用例如玻璃的核心基材料。并且，使合成層具有這樣的結構， 其包括例如通過電鍍或者蝕刻而形成的布線層、環(huán)氧樹脂和填充物等 等。根據半導體裝置100的設計，根據情況，可以確定層疊在核心的 各個表面上的合成層的數量。而且，例如可以使用光敏樹脂作為阻焊 層。更具體的，可以使用光敏環(huán)氧樹脂作為該光敏樹脂。此外，封裝基板101也可以是不帶核心的無核基板。并且，封裝 基板101可以為具有柔性的基板，例如帶狀基板等等。通過使用這種 基板，能夠可靠地實現(xiàn)封裝基板101的薄形結構。從實現(xiàn)整個基板的薄形結構的角度來說，封裝基板101的厚度優(yōu) 選為560 /mi (0.56mm)或更小，更優(yōu)選300 /rni或更小。而且，對于 封裝基板101的厚度的下限沒有特別限制，但是為了更可靠地獲得封 裝基板101的強度，使其為50ptm或更大。通過倒裝芯片焊接由凸塊電極109將第一半導體芯片103連接到 封裝基板101的芯片安裝表面上。第一半導體芯片103包括半導體襯 底例如硅襯底等，以及設置在元件安裝表面上的預定的半導體元件例 如晶體管等。
第一半導體芯片103的與封裝基板101面對的表面，除了形成凸 塊電極的區(qū)域以外，都被下填充樹脂105涂覆。而且，第一半導體芯 片103具有與封裝基板101面對的表面，以及沒有涂敷下填充樹脂105 以及外圍層107的相反表面。盡管對第一半導體芯片103的厚度沒有特別限制，但是可使其為 200 jum或更小。在本實施例和下述實施例中，通過舉例進行說明，以下述情況作 為示例，其中用于涂覆封裝基板101的芯片安裝表面的樹脂層包括第 一樹脂(下填充樹脂105)，其設置在安裝有第一半導體芯片103的區(qū) 域內；以及第二樹脂(外圍層107)，其設置在下填充樹脂105的外圍。 在這種情況下，基本上在整個芯片安裝表面上，樹脂層可以由同樣的 材料組成。下填充樹脂105填充在封裝基板101的芯片安裝表面和其上形成 有第一半導體芯片103的表面之間的區(qū)域內。在本實施例和下述實施 例中，說明了一種結構，其中從在封裝基板101和第一半導體芯片103 之間的區(qū)域向第一半導體芯片103側表面的一部分提供下填充樹脂 105。例如，可以采用環(huán)氧樹脂作為下填充樹脂105的材料。而且，從 進一步減少在組裝過程中發(fā)生翹曲的角度，優(yōu)選下填充樹脂105的材 料在從25T:到玻璃轉變溫度的溫度范圍之內的線性膨脹系數大于封裝 基板IOI的線性膨脹系數。而且，作為下填充樹脂105的材料特性，例如，在實踐的意義上， 玻璃轉變點溫度是7(TC或更高。此外，所希望的是，下填充樹脂105 的具有25'C或更高的玻璃轉變點溫度的熱膨脹系數是，例如，在從25 ppm廠C到35ppm廠C的范圍內。此外，所希望的是，下填充樹脂105的 在25'C或更高到玻璃轉變點溫度或以下的熱膨脹系數是，例如，在從 25 ppm/。C到35 ppmTC的范圍內。外圍層107是以與下填充樹脂105連續(xù)的方式設置在封裝基板101 的芯片安裝表面上的樹脂層。封裝基板101的芯片安裝表面的整個表 面被外圍層107或下填充樹脂105直接涂覆。以與封裝基板101基本 在整個芯片安裝表面上接觸的方式設置下填充樹脂105和外圍層107。從封裝基板101的芯片安裝區(qū)域的側向朝向封裝基板101的末端 部分的上部設置外圍層107。外圍層107朝向第一半導體芯片103的側 表面上升，以涂覆第一半導體芯片103的至少一部分側表面。在第一 半導體芯片103的側表面上的外圍層107的厚度是h2。半導體裝置100的側表面133包括封裝基板101的側表面，以及 在封裝基板101的側表面之上的外圍層的端面。在半導體裝置100的側表面133上，暴露了封裝基板101的側表面。應當注意，在封裝基板101的平面形狀為正方形或者矩形的情況 下，不言而喻，該表面包括四個面。而且，在半導體裝置100的側表 面133上，暴露了具有預定厚度的外圍層107的端面。而且，在側表面133上的外圍層107的端面部分的厚度hl達到這 樣一種程度，其使得可以在包括封裝基板101的端部的整個表面上確 實產生應力，并且在本實例中使其為10 Mm或更大，這是足夠的。而 且，半導體裝置100的側表面133是在制造過程中通過裂片等而形成 的截面。因此，側表面133為基本上共面的表面，并且封裝基板101 的側表面和外圍層107的側表面位于同一平面之內。 應當注意，盡管在這些表達的開頭部分采用封裝基板101的側表 面的表述，但是如果強調的是截面的意思而不是側表面的表述，那么 也可以釆用封裝基板101的端面的表述。在本實施例和下述實施例中，在半導體裝置100內包括下填充樹 脂105和外圍層107的樹脂層的厚度大于半導體裝置100的側表面的 厚度。特別是，本實施例中樹脂層即外圍層107的厚度，滿足關系式 h2>hl。而且，在從封裝基板101的端部直至第一半導體芯片103的側 表面的區(qū)域之內，外圍層107的厚度在封裝基板101的端部處最小， 而在與第一半導體芯片103的側表面接觸的表面處最大。外圍層107的厚度從封裝基板101的端部朝向第一半導體芯片103的側表面連續(xù) 增加。此外，h2小于從封裝基板101的芯片安裝表面直至第一半導體芯 片103的上表面(元件安裝表面的相反表面)的高度。當采用這種結 構時，能夠進一步可靠地防止由于提供了外圍層107而導致該裝置高 度的增加。外圍層107的材料可以與下填充樹脂105的材料相同，或者也可 以是與其不同的材料。而且，在下填充樹脂105和外圍層107由相同的材料組成的情況下，它們可以連續(xù)地整體地形成。這里，連續(xù)的整 體意味著它們作為一個連續(xù)體而整體模制。而且，優(yōu)選采用包括單個 部件但不包括連接件的結構。此外，從進一步減少在半導體期間100的組裝過程中產生的翹曲 的角度，優(yōu)選在從25。C到玻璃轉變溫度的溫度范圍之內下填充樹脂105 的材料的線性膨脹系數大于封裝基板101的線性膨脹系數。外部連接電極111被連接到，即被焊接到封裝基板101的芯片安
裝表面的相反表面。封裝基板101通過外部連接電極111連接到安裝 板，例如母板等。凸塊電極109和外部連接電極111都是凸塊電極。這些凸塊電極由例如金屬等導電材料構成。具體的，凸塊電極的材料可以為無鉛焊 料。此外，凸塊電極的材料可以是熔點高于無鉛焊料的高溫焊料或者金屬凸塊例如Au、 Cu、 Ni等。此外，作為多種凸塊電極109的實例， 可以使用焊料凸塊和Au凸塊兩者?，F(xiàn)在說明制造半導體裝置100的方法。首先，制備復合基板(multiple substrate)(未示出)和第一半導 體芯片103，該復合基板包括要安裝第一半導體芯片103的多個區(qū)域。 在復合基板的各個芯片安裝區(qū)域內，通過倒裝芯片焊接由多個凸塊電 極109將第一半導體芯片103連接到復合基板的各個芯片安裝區(qū)域。 因此，在將第一半導體芯片103的電路表面向基板側定位的狀態(tài)下， 通過使用凸塊電極109將封裝基板101和第一半導體芯片103電連接。接下來，通過使用例如毛細現(xiàn)象，在第一半導體芯片103和復合 基板之間的間隙內填充下填充樹脂105，以通過下填充樹脂105密封該 間隙。在該實例中，可以提前將下填充樹脂105送到復合基板的芯片 安裝表面的預定區(qū)域(各個芯片安裝區(qū)域)。而且，通過加熱來固化 下填充樹脂105。因此，獲得圖3所示的中間結構。在圖3的中間結構中，通過由于第一半導體芯片103和復合基板 之間的熱膨脹系數的差異而產生的復合基板的張應力，或者由于第一 半導體芯片103和下填充樹脂105之間的熱膨脹系數差異而導致產生 的下填充樹脂105的張應力，使得復合基板的芯片安裝表面?zhèn)瘸尸F(xiàn)出 凸狀翹曲。隨后，將構成外圍層107的樹脂送到除了復合基板的芯片安裝表 面的芯片安裝區(qū)域之外的整個區(qū)域上。此時，例如，滴下液態(tài)樹脂以 調節(jié)樹脂的供應量和表面張力，從而進行控制以使外圍層107的高度 維持關系式h2〉hl。此外，通過加熱固化外圍層107。外圍層107具有 如下的功能由于固化收縮而產生張應力以使整個封裝凹狀翹曲，同 時芯片安裝表面的位置向上。應當注意，在下填充樹脂105和外圍層107都由相同的材料組成 的情況下，可以一次傳送樹脂以與下填充一起形成外圍層107。此外，沿劃片道將復合基板切割成多個片以提供封裝基板101。 此時，具有預定厚度的外圍層107暴露于側表面，即半導體裝置100 的截面表面。而且，在封裝基板101的芯片安裝表面的相反表面上， 形成有悍料球等，作為用于與安裝板連接的多個外部連接電極111。應當注意，盡管以復合基板被分成片之后形成半導體球的情況為 例進行了說明，但可以共同地形成焊料球等，其后將它們切割成片。通過上述工序，可以獲得圖l和2所示的半導體裝置100。應當注意，盡管在上述描述中示出了使用復合基板的實例，但也 可以使用已預先分成片的封裝基板IOI。在這種情況下，可以在封裝基 板101的芯片安裝表面上形成外圍層107，之后將多個外部連接電極 lll連接到其相反表面上?，F(xiàn)在說明本實施例的優(yōu)點/效果。在本實施例中，包括下填充樹脂105或者外圍層107的樹脂層設 置在除了封裝基板101的芯片安裝表面的凸塊電極109的連接區(qū)域之 外的基本整個表面上。通過提供這種樹脂層，能夠在第一半導體芯片103的位置上移的情況下，通過樹脂的收縮力而使封裝基板101凹狀翹曲。因此，使得通常凸狀翹曲同時芯片安裝表面的位置上移的封裝的共面性得以改善。也即，在本實施例中，能夠在封裝基板101的整個 表面上，在與由于下填充樹脂105和外圍層107而發(fā)生在封裝基板101 上的翹曲方向相反的方向上產生縮應力。由此，可以消除或者減小發(fā) 生在封裝基板101上的翹曲。因此，可以提高封裝基板101的共面性。 因此可以提高封裝層疊工藝的層疊成品率。而且，在本實施例中，下填充樹脂105或外圍層107設置在布線 基板的整個元件安裝表面上，因而使得能夠抑制由于局部呈現(xiàn)出的雙 金屬效應的事實而導致的應力集中以及隨之而來的斷裂。另外，由于在半導體裝置100的側表面上存在具有預定厚度的外 圍層107，能夠進一步可靠地在使封裝基板101在封裝基板101的平面 內的方向上凹狀翹曲的方向上產生應力。另外，使外圍層107的高度具有如下關系h2〉hl，因此能夠提供 一種結構，其中在從封裝端面看去時隨著直到封裝端部的距離變大， 使封裝基板101凹狀翹曲的力變小。因此，能夠避免由于應力集中在 封裝端部或者其附近的部分處的事實而導致的在外圍層107和封裝基 板101之間剝離。因此，可以提高半導體裝置IOO的可靠性。此外，由于如果從封裝端面看時從芯片端到封裝端的距離變大， 則由于外圍層107封裝的剛性變低，所以能夠具有一種柔性結構以僅 僅吸收由于熱膨脹系數差異而導致的在基板法方向上的z位移的差。從上述事實來看，根據本實施例，可以提供與封裝上封裝相適應 的高可靠性的倒裝芯片BGA (球狀柵格陣列)結構。而且，在半導體裝置100中，由于第一半導體芯片103的元件安
裝表面的相反表面沒有涂覆樹脂，所以能夠使半導體裝置的整體厚度 變薄。而且，在本實施例中，通過倒裝芯片焊接將第一半導體芯片103連接到封裝基板101，因此與使用"Successive Massproduction of Semiconductor Package，，[在線]2006年1月18日的Semiconductor Industrial Newspaper(半導體產業(yè)新聞)，[2006年7月18日檢索]Internet <URL: http: 〃www. semicon-ne ws. co.j p/ne ws/htm/sn 1673 -j htm>的線輝結構相比，能夠抑制相對于i/o的增加而導致的芯片尺寸增加。如上所述，在本實施例中，由于能夠提高封裝基板101的共面性 而不增加封裝基板101的厚度，所以可以實現(xiàn)基板薄形結構的實現(xiàn)和元件薄形結構的實現(xiàn)之間的兼容。因此，這種半導體裝置也適于使用 在需要實現(xiàn)封裝整體的薄形結構和小型化的領域中，例如移動電話等。如圖12所示，在將第一半導體芯片103安裝到封裝基板101上時， 它可以通過插入件等，尤其是由硅基板組成的硅插入件137，倒裝芯片 連接。也即，硅插入件137通過凸塊電極109安裝在封裝基板101上， 并且第一半導體芯片103通過其它凸塊電極139等安裝在硅插入件137 上。從這點來看，可以說半導體裝置100不僅可以構成為半導體芯片 還可以構成為半導體封裝。這里，半導體芯片指的是在半導體襯底上通過導電材料布線將晶 體管、電阻器、電容器和/或二極管等形成電路的芯片。半導體封裝指 的是其中將用于外部端子引出目的的布線元件(例如插入件、布線基 板、引線框等)等加到半導體芯片的封裝，并且指包括具有保護外殼 (armor)例如模制保護外殼等的封裝和沒有保護外殼的封裝。這對于 本說明書的全部內容皆是如此。應當注意，由于上述說明的半導體芯片和半導體封裝都包括半導 體元件，所以中它們被共同指代的情況下，這種半導體封裝在本說明 書中被稱作半導體元件。因此在本實施例中，可以說半導體元件通過 倒裝芯片焊接連接到第一布線基板的元件安裝表面。將參考圖12給出額外的說明。硅插入件137包括穿過硅插入件和 內部布線層等的電極，并且用于連接端子等的重新布置等。此外，在本實例中，下填充樹脂105填充在硅插入件137和凸塊 電極109等之間，如圖12所示。在圖12中，填充在封裝基板101和硅插入件137之間的下填充樹 脂105，和填充在第一半導體芯片103和硅插入件137之間的下填充樹 脂144，可以是相同的材料或者是不同的材料。而且，與下填充樹脂 105類似，下填充樹脂144的材料可以是與外圍層107相同的材料，或 者是與其不同的材料。另外，示出了一種其中硅插入件137嵌入在外圍層107內的結構。 當采用這種結構時，可以進一步提高半導體裝置的制造穩(wěn)定性。應當 注意，對于在硅插入件137的芯片安裝表面上存在/不存在外圍層107 沒有特別限制，并且僅要求封裝基板101的整個元件安裝表面被樹脂 涂覆，而半導體芯片103的相反表面從外圍層107暴露。而且，如圖12所示，設置凸塊電極139使得，例如，它們比凸塊 電極109小，且其密度比凸塊電極109高。當未來半導體芯片的小型化繼續(xù)發(fā)展時，考慮到在試圖通過倒裝 芯片焊接而直接連接凸塊電極例如凸塊電極109等和第一半導體芯片 103的情況下，出現(xiàn)尺寸不匹配，并因此對于第一半導體芯片103而言 需要不必要的外部形狀尺寸，從而會浪費成本。但是，如圖12所示， 通過硅插入件137進行連接，封裝基板101的連接表面連接到以低密
度設置的凸塊電極109上，并且半導體芯片103的連接表面可以連接 到以高密度設置的凸塊電極139。因此，消除了尺寸不匹配，也具有解 決這類問題的能力。而且，盡管沒有特別收縮，但作為示例，可以使用具有約50 /mi 到200 /mi的適當厚度的插入件基板，并使用具有厚度約50 pm到200 /mi的半導體芯片，因而，使得能夠與上述問題一致。在下述實施例中，將主要說明與第一實施例的不同點。(第二實施例)圖4是示出了第二實施例的半導體裝置的結構的截面圖。此外， 圖5是示出了圖4所示的半導體裝置110的結構的平面圖。在圖5中， 沒有示出凸塊電極109和外部連接電極111。在基本結構方面，圖4和5所示的半導體裝置IIO與圖1所示的 半導體裝置100類似，但是與后者不同之處在于，用于封裝連接的多 個凸塊電極(基板連接電極113)嵌入在外圍層107內。此外，在第二實施例和其后的實施例的情況下，當然，與第一實 施例類似，第一半導體芯片103也可以通過插入件等安裝在封裝基板 上。但是，由于說明變得復雜，所以示出了不包括插入件等的情況。在基板連接電極的一部分嵌入在外圍層107內的狀態(tài)下，將基板 連接電極113連接到，也即焊接到，封裝基板101的芯片安裝表面。 基板連接電極113連接到設置在封裝基板101上的電極(未示出)。在基板連接電極113上，如下所述，安裝例如包括一個或多個半 導體芯片的半導體裝置、電子元件、絕緣基板例如有機基板等、和/或 布線基板的半導體裝置。在這種情況下，可以安裝多個半導體裝置或
電子元件。在封裝基板101的芯片安裝表面上，以圍繞芯片安裝區(qū)域的外圍 的方式，圍繞第一半導體芯片103的安裝區(qū)域設置多個基板連接電極103。盡管對基板連接電極113的平面配置沒有特別限制，但是使該平 面配置為如將在下面說明的圖6中所示的矩形柵格形狀。如下面參考圖7描述的，基板連接電極113是用于獲得到層疊在 第一半導體芯片103之上的封裝的電連接的電極。因此，從封裝基板 101的芯片安裝表面起的基板連接電極113的高度大于芯片安裝區(qū)域的 高度。也即，基板連接電極113的高度大于從封裝基板101的芯片安 裝表面直至第一半導體芯片103的元件形成表面的相反表面(上表面) 的高度。在這個實例中，可以使用前述的在第一實施例中作為凸塊電極109 或外部連接電極111的材料，來作為基板連接電極113的材料。此外，盡管對第一半導體芯片的功能沒有特別限制，但是該第一 半導體芯片可以由半導體芯片組成，該半導體芯片包括例如CPU (中 央處理單元)或邏輯電路并且作為功能部分，作為主要部分，即所謂 的控制便攜終端設備的功能或指令的邏輯部分。在這種情況下，通過 基板連接電極113連接的半導體芯片和具有例如存儲功能等的半導體 封裝可以連接起來?，F(xiàn)在說明制造半導體裝置110的方法?？梢宰裾罩圃彀雽w裝置 100的方法來制造半導體裝置110。圖6是用于說明制造圖4和5所示的半導體裝置110的方法的平 面圖。
如圖6所示，通過倒裝芯片焊接將多個第一半導體芯片103連接 到復合基板131的預定區(qū)域。此外，下填充樹脂105 (圖6中未示出) 填充在第一半導體芯片103和復合基板131之間的間隙內。之后，沿位于復合基板131的芯片安裝表面上的各個封裝基板101 的外圍安裝多個基板連接電極113。例如，在使基板連接電極113是焊 料凸塊的情況下，那些基板連接電極113可以通過回流工藝來形成。此外，將用作外圍層107的液態(tài)樹脂滴到復合基板131的芯片安 裝表面上，熱固化這種樹脂來形成外圍層107。在該實施例中，也調節(jié) 樹脂的供應量以便保持關系式h2〉hl。應當注意，在下填充樹脂105和外圍層107由相同的材料組成的 情況下，可以在安裝了第一半導體芯片103后提供液態(tài)樹脂從而通過 共同執(zhí)行的工藝來形成下填充樹脂105和外圍層107之后，形成基板 連接電極113而不提供下填充樹脂105。之后，與第一實施例類似，沿劃片道109切割復合基板131，以 便將其分割成各個封裝基板101，每個封裝基板具有側表面133。此外， 在每個封裝基板101的相反表面上形成外部連接電極111。通過上述工序，提供了圖4和5所示的半導體裝置110。應當注意，可以形成圖4和5所示的半導體裝置IIO之后進一步 在基板連接電極113的上部層疊半導體封裝或半導體芯片，即半導體 元件。圖7是示出了這種半導體裝置的結構的截面圖。此外，圖8是示 出圖7所示的半導體裝置的結構的平面圖。在圖8中，沒有示出封裝 基板IOI、凸塊電極109和外部連接電極111。 在圖7中，在圖4和5所示的半導體裝置110的基板連接電極113 上設置第二半導體元件(半導體封裝115)。半導體封裝115指的是其 中將用于外部端子引出的布線元件等，例如插入件、布線基板、引線 框等，加到前述半導體芯片的封裝，并且指的是包括具有保護外殼例 如模制保護外殼等的封裝或者沒有保護外殼的封裝。提供半導體封裝 115使得半導體封裝115面對封裝基板101的芯片安裝表面。此外，第 一半導體芯片103設置在封裝基板101和半導體封裝115之間。應當注意，盡管沒有示出，但是半導體芯片可以設置在基板連接 電極113上，替代前述的半導體封裝115。在本實施例中，在封裝基板101的芯片安裝表面上，提供有多個 基板連接電極113，其用作到層疊在其上部的半導體裝置的端子連接。 但是，在封裝基板101的芯片安裝表面上，基本上其整個表面，除了 基板連接電極113和凸塊電極109的連接部分之外，都被下填充樹脂 105和外圍層107涂覆。因此，在本實施例中，也可以提供與第一實施 例類似的優(yōu)點/效果。此外，在本實施例中，通過外圍層107的縮應力減少了封裝基板 101的翹曲。因此，可以提高在用于提供圖7所示的結構的封裝層疊過 程中的成品率。此外，在層疊之前將半導體裝，IIO (圖4和5)安裝 在安裝板上后提供封裝層疊結構(圖7)的情'況下，由于通過外圍層 107的縮應力減少了封裝基板101的翹曲量，所以用于提供圖7所示的 結構的層疊封裝的安裝過程變得容易。此外，也在本實施例中，提供對于外圍層107的高度滿足關系式 h2>hl的結構，使得隨著到封裝端的距離變大，在高度(厚度)方向的 變化量能夠變大。因此，能夠吸收基于在封裝層疊之后發(fā)生在上和下 封裝之間的熱膨脹系數差異而引起的位移差。因此可以實現(xiàn)在基板連
接電極113斷裂之前較長的壽命。此外，提供了對于外圍層107滿足關系式h2〉hl的結構，使得與 選擇關系式hl=h2的情況相比，從基板連接電極113的外圍層107暴 露的體積變得較大。因此，在層疊半導體封裝115中，用于連接的電 極的體積變大。因此，封裝層疊過程中的成品率得以提高。此外，在本實施例中，層疊在封裝基板101上的半導體封裝115 的附著高度不會受到提供外圍層107的影響。因此，不存在由于提供 外圍層107而導致的該裝置的整體高度的增加。因此，在實現(xiàn)該裝置 整體的小型化方面，提供了一種更合適的結構。(第三實施例)盡管在第二實施例中示出了半導體封裝115或半導體芯片，即半 導體元件，安裝在基板連接電極113的結構(圖7)，但也可以將任何 其它布線基板安裝在基板連接電極113上。在本實施例中，示出這種 結構的實例。圖9是示出本實施例的半導體裝置的結構的截面圖。圖9所示的半導體裝置在基本結構上與圖7所示的半導體裝置類 似，但是與后者的不同之處在于在基板連接電極113上提供第二布線 基板(插入件117)。提供用作第二布線基板的插入件117，使得插入件117面對封裝 基板101的芯片安裝表面。插入件117是用于電連接封裝基板101和 在插入件117之上的半導體元件或電子元件等的連接基板，并且其包 括基板和設置該基板內的穿透的電極結構。該基板可以被構成為絕緣 樹脂基板，例如有機樹脂，或者可以由具有絕緣特性的硅基板組成。
應當注意，這里所指的第二布線基板可以是這樣的基板，其包括 僅在基板表面層上的布線層和端子連接電極。此外，對插入件117的厚度沒有特別限制，但是從實現(xiàn)裝置整體薄形結構的角度，使其為200 /mi或更小。此外，從進一步充分確保插 入件117的強度的角度，使插入件117的厚度為50/mi或更大。此外，在圖9中，示出了插入件117和封裝基板101具有基本上 相同的形狀，并且第一半導體芯片103設置在插入件117和封裝基板 101之間的情況。然而，對插入件117的平面形狀和尺寸沒有特別限制。 此外，如這里所示的，插入件117和封裝基板101的平面形狀不限于 正方形，也可以是矩形。在圖9中，通過倒裝芯片焊接將第三半導體元件(第三半導體元 件122)連接到插入件117的上表面(即面對封裝基板101的表面)的 相反表面。盡管在本實施例中示出其中一個電子元件和兩個半導體芯 片安裝在插入件117的上表面上的實例，但是可以將任意數量和種類 的半導體芯片、半導體封裝或者電子元件，例如電容器、線圈和電阻 器等，安裝在插入件117上。盡管沒有作特別限制，但是典型地，使 用芯片狀的電子元件125。在本實例中，第二半導體元件121和第三半導體元件122通過多 個基板連接電極119安裝在插入件117的面對封裝基板101的表面的 相反表面上，即插入件117的上表面上。此外，電子元件125例如電 容器等通過焊料123等連接到插入件117的上表面。此外，根據半導體芯片的形狀或半導體封裝的形狀等，以需要的 形式提供第二和第三半導體元件121和122。這里，例如，第二半導體元件121可以由存儲器例如DRAM等構
成，而第三半導體元件122可以由非易失性存儲器例如閃存等構成。 此外，可以使用芯片電容器作為安裝在其間的電子元件125。在這種情 況下，第一半導體芯片103可以用作例如邏輯部分、CPU部分和/或與 便攜式終端設備的微型計算機類似的部分，并且插入件117上的存儲 部分可以按照情況要求而改變，因此使得能夠實現(xiàn)作為半導體裝置整 體的長期維護的功能。此外在本實施例中，由于與上述實施例類似，抑制了封裝基板IOI 的翹曲，所以在布線基板例如插入件117等層疊在基板連接電極113 上，并且預定半導體芯片或封裝進一步安裝在布線基板例如插入件117 等上的情況下，也能夠有效地抑制在層疊過程中的成品率的降低。應當注意，布線基板可以是其中在核心層的兩個表面上進行布線 的雙面布線基板，或者是薄形層疊布線基板等。此外，布線基板可以 是硅插入件等。布線基板的材料可以由金屬導電體、有機樹脂或硅等 構成。此外，盡管圖9中示出了其中第二半導體元件121 、電子元件125 和第三半導體元件122設置在相同的截面上的結構，但是這些組件的 平面配置可以是如圖IO所示的。圖10是示出本實施例的半導體裝置 的頂視圖。在圖10中，示出了在插入件117之上的一層或多層，并且 圖9中的元件的一部分或多個部分沒有示出。(第四實施例)盡管在上述實施例中，芯片安裝表面的相反表面是向安裝板的安 裝表面，向安裝板的安裝表面和芯片安裝表面可以互相相平。在本實 施例中，示出了這種結構的實例。圖11是示出本實施例的半導體裝置的結構的截面圖。在圖11中，封裝基板101的芯片安裝表面是面對其上安裝封裝基 板101的安裝板(未示出)的表面。第一半導體芯片103設置在封裝 基板101的向安裝板上的安裝表面上，并且第一半導體芯片103設置 在封裝基板101和安裝板(未示出)之間。此外，在封裝基板101的下表面即芯片安裝表面上，與第二實施 例(圖4)類似，提供第一半導體芯片103、下填充樹脂105、外圍層 107和凸塊電極109。應當注意，在圖4中的半導體裝置110中，用于 連接到半導體封裝115等的基板連接電極113設置在外圍層107內， 而在本實施例中，要連接到安裝板的外部連接電極135嵌入在外圍層 107內。封裝基板101通過外部連接電極135連接到安裝板(未示出)， 例如母板。外部連接電極135的高度大于從封裝基板101的芯片安裝表面直 至第一半導體芯片103的元件形成表面的背側(下表面)的高度。此外，在本實施例中，多個基板連接電極127設置在封裝基板101 的上表面上，即芯片安裝表面的背面，并且第二半導體元件121、電子 元件125和第三半導體元件122以它們在平面內線性設置的狀態(tài)安裝 在基板連接電極127上。此外，電子元件通過焊料123連接到封裝基 板IOI的安裝表面的背側。在本實施例中，由于抑制了封裝基板101的翹曲，所以也可以提 供與上述實施例類似的優(yōu)點/效果。應當注意，盡管圖11示出了其中第二半導體元件121、電子元件 125和第三半導體元件122設置在同一截面內的結構，但是在本實施例 中，第二半導體元件121、電子元件125和第三半導體元件122的平面 配置也可以以與第三實施例相同的方式如圖10中所示地布置。盡管已經參考附圖描述了本發(fā)明的實施例，但這些實施例是本發(fā) 明的示意性實施例，并且因此可以采用除了上述以外的各種結構。盡管在上述實施例中示出了例如其中用于涂覆封裝基板101的芯片安裝表面的樹脂層包括下填充樹脂105和外圍層107的情況，但是 該樹脂層可以由相同的材料構成。此外，外圍層107可以由一種樹脂 形成，或者可以由多種樹脂形成。此外，對設置在封裝基板101上的電極(未示出)和設置在第一 半導體芯片103上的電極(未示出)的連接方法沒有特別限制。例如， 這種連接方法可以由通過焊料的合金連接、Au和Au的金屬性連接、 Au和焊料的合金連接、基于金屬之間的接觸的連接以及通過導電粘結 劑連接電極的方法中的任一來實現(xiàn)。此外，電極之間的電連接方法可以通過例如熱處理來實現(xiàn)。此外， 可以組合使用加熱和加荷載，或者組合使用加熱、加荷載和超聲波。此外，盡管在上述實施例中主要示出了其中包括封裝基板101的 基板、以及包括第一半導體芯片103的半導體元件的平面形狀是正方 形的情況，但這些平面形狀不限于正方形，而是可以是矩形、其它方 形或者其它形狀。
權利要求
1. 一種半導體裝置，包括 第一布線基板；第一半導體元件，其通過倒裝芯片焊接安裝在該第一布線基板的 元件安裝表面上；以及樹脂層，其基本上涂覆了包括其中安裝該第一半導體元件的區(qū)域 的該第一布線基板的整個元件安裝表面，其中該第一半導體元件具有兩個相反的表面， 一個表面面對該第 一布線基板的元件安裝表面，另一個表面則沒有涂覆樹脂層。
2. 如權利要求l所述的半導體裝置，其中該第一布線基板的側表 面和具有預定厚度的該樹脂層暴露在該半導體裝置的側表面上。
3. 如權利要求2所述的半導體裝置，其中在該半導體裝置內的該 樹脂層的厚度比半導體裝置端部的厚度厚。
4. 如權利要求l所述的半導體裝置，其中該第一布線基板的材料 是樹脂。
5. 如權利要求l所述的半導體裝置，進一步包括設置在該第一布 線基板的元件安裝表面上的凸塊電極，凸塊電極設置在該第一半導體 元件的外圍，其中該凸塊電極的一部分嵌入在該樹脂層中。
6. 如權利要求5所述的半導體裝置，進一步包括 通過凸塊電極安裝在該第一布線基板的元件安裝表面上的第二半導體元件，其中該第一半導體元件設置在該第一布線基板和第二半導體元件 之間。
7. 如權利要求5所述的半導體裝置，進一步包括 第二布線基板，其通過凸塊電極安裝在該第一布線基板的元件安裝表面上，該第一半導體元件設置在該第一布線基板和第二布線基板 之間；以及第三半導體元件，其中該第二布線基板具有兩個相反的表面， 一個表面面對該第一 半導體元件，而另一個表面具有通過倒轉芯片焊接安裝在其上的第三 半導體元件。
8. 如權利要求5所述的半導體裝置，進一步包括 安裝板，其上安裝有該第一布線基板，其中該第一布線基板的元件安裝表面面對該安裝板，該凸塊電極 是連接到該安裝板的電極，并且該第一半導體元件設置在該第一布線 基板和安裝板之間。
9. 如權利要求1所述的半導體裝置，其中該第一半導體元件包括半導體芯片和插入件基板，并且該半 導體芯片通過該插入件基板連接在該第一布線基板的元件安裝表面 上。
10. 如權利要求l所述的半導體裝置， 其中該樹脂層包括第一樹脂，其設置在其中安裝該第一半導體元件的區(qū)域內；以及 第二樹脂，其設置在該第一樹脂的外圍。
11. 如權利要求1所述的半導體裝置，其中在該第一布線基板的 整個元件安裝表面上該樹脂層由相同的材料構成。
12. 如權利要求l所述的半導體裝置，其中該第一布線基板的厚度是0.56mm或更小。
13. 如權利要求l所述的半導體裝置，其中該樹脂層的熱膨脹系數比該第一布線基板的熱膨脹系數大。
14. 一種半導體裝置，包括布線基板，其具有芯片安裝區(qū)域和圍繞該芯片安裝區(qū)域的外圍區(qū)域；半導體芯片，其安裝在芯片安裝區(qū)域上；以及 外部樹脂，其涂覆該布線基板的外圍區(qū)域。
15. 如權利要求14所述的半導體裝置，進一步包括 插入在該半導體芯片和芯片安裝區(qū)域之間的下填充樹脂。
16. 如權利要求14所述的半導體裝置，其中該半導體芯片具有面 對芯片安裝區(qū)域的第一主表面和與該第一主表面相反的第二主表面， 該半導體芯片的第二主表面沒有涂覆外部樹脂。
17. 如權利要求14所述的半導體裝置，其中該外部樹脂以不均勻 的厚度涂覆該外圍區(qū)域。
18. 如權利要求17所述的半導體裝置，其中接近芯片安裝區(qū)域的 一部分外部樹脂的厚度比遠離芯片安裝區(qū)域的一部分外部樹脂的厚度 大。
全文摘要
在本發(fā)明的一個實施例中，提供了一種半導體裝置，其包括第一半導體元件，其通過倒裝芯片焊接安裝在第一布線基板的元件安裝表面上；以及樹脂層，其基本上涂覆了該第一布線基板的整個元件安裝表面。該第一半導體元件具有兩個相反表面。一個表面面對該第一布線基板的元件安裝表面，而另一個表面沒有涂覆樹脂層。
文檔編號H01L23/31GK101145545SQ20071015370
公開日2008年3月19日 申請日期2007年9月14日 優(yōu)先權日2006年9月14日
發(fā)明者豬俁輝司 申請人:恩益禧電子股份有限公司