專利名稱：陣列基板及其制造方法和具有陣列基板的顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陣列基板、包括陣列基板的顯示器件和制造陣列基板的方 法。更具體地，本發(fā)明涉及能夠減少線電阻和線缺陷發(fā)生的陣列基板、包括 這種陣列基板的顯示器件，以及制造這種陣列基板的簡(jiǎn)化方法。
背景技術(shù)：
平板顯示器件的陣列基板包括用于傳輸信號(hào)的各種各樣的線，其通過薄 膜沉積工藝形成。在平板顯示器件中，增加了線的長(zhǎng)度，且減少了線的厚度，因此增加了 線的電阻。此外，線與絕緣基板、絕緣層、氧氣等等化學(xué)反應(yīng)，因此線的電阻大大 增加。因此，圖像顯示質(zhì)量下降。而且，當(dāng)蝕刻金屬層來形成線時(shí)，金屬層的蝕刻均勻性可下降，其可惡 化線的蝕刻外形。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供了能夠降低線電阻和線缺陷發(fā)生的陣列基板。 本發(fā)明還提供了包括上述陣列基板的顯示器件。 本發(fā)明還提供了制造陣列基板的簡(jiǎn)化方法。本發(fā)明公開了一種陣列基板，包括開關(guān)元件、信號(hào)傳輸線、鈍化層和像 素電極。開關(guān)元件在絕緣基板上。信號(hào)傳輸線連接到開關(guān)元件，并且包括阻 擋層、導(dǎo)電線和氮化銅層。阻擋層在絕緣基板上。導(dǎo)電線在阻擋層上，并且 包括銅或者銅合金。氮化銅層覆蓋導(dǎo)電線。鈍化層覆蓋開關(guān)元件和信號(hào)傳輸 線，并且包括接觸孔，通過這個(gè)接觸孔，部分地露出開關(guān)元件的漏電極。像 素電極在絕緣基板上，并且通過接觸孔連接至開關(guān)元件的漏電極。本發(fā)明還公開了一種顯示器件，包括開關(guān)元件、信號(hào)傳輸線、像素電極、 鈍化層、液晶層、對(duì)立電極和對(duì)立絕緣基板。開關(guān)元件在絕緣基板上。信號(hào)
傳輸線連接到開關(guān)元件。信號(hào)傳輸線包括阻擋層、導(dǎo)電線和氮化銅層。阻擋 層在絕緣基板上。導(dǎo)電線在阻擋層上，并且包括銅或者銅合金。氮化銅層覆 蓋導(dǎo)電線。像素電極在絕緣基板上，并連接到開關(guān)元件的漏電極。鈍化層覆 蓋開關(guān)元件和信號(hào)傳輸線。液晶層在鈍化層上。對(duì)立電極在液晶層上，并面 對(duì)像素電極。對(duì)立絕緣基板在對(duì)立電極上，并面對(duì)絕緣基板。
本發(fā)明還公開了一種制造陣列基板的方法，提供如下。阻擋層形成在絕 緣基板上。4冊(cè)線和柵電極形成在阻擋層上。柵線包括銅或者銅合金，并且柵 電極連接到柵線。氮等離子體施加到柵線和柵電極。柵絕緣層沉積在絕緣基 板上以覆蓋柵線和柵電極。數(shù)據(jù)線、連接到數(shù)據(jù)線的源電極、與源電極隔開 的漏電極以及半導(dǎo)體圖案形成在柵絕緣層上。源電極連接到數(shù)據(jù)線，并且漏 電極與源電極隔開。半導(dǎo)體圖案在源電極和漏電極之間的柵電極上。
本發(fā)明公開了另一種制造陣列基板的方法，提供如下。柵線、柵電極和 柵絕緣層形成在絕緣基板上。柵電極連接到柵線。柵絕緣層覆蓋柵線和柵電 極。半導(dǎo)體圖案形成在相應(yīng)于柵電極的柵絕緣層上。數(shù)據(jù)線、源電極和漏電 極形成在柵絕緣層上。數(shù)據(jù)線包括銅或者銅合金。源電極連接到數(shù)據(jù)線。漏 電極與源電極關(guān)于半導(dǎo)體圖案隔開。氮化物等離子體施加到數(shù)據(jù)線、源電極 和漏電極。鈍化層沉積在柵絕緣層上以覆蓋半導(dǎo)體圖案、數(shù)據(jù)線、源電極和 漏電極。
本發(fā)明還公開了另一種制造陣列基板的方法，提供如下。第一阻擋層、 第一導(dǎo)電層和第一 氮化銅層順序地沉積在絕緣基板上。第 一導(dǎo)電層包括銅或 者銅合金。第一阻擋層、第一導(dǎo)電層和第一氮化銅層形成圖案，以形成4冊(cè)線 和連接到柵線的柵電極。柵絕緣層沉積在絕緣基板上以覆蓋柵線和柵電極。 數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和半導(dǎo)體圖案形成在柵絕緣層上。源電極連接到數(shù) 據(jù)線，并且漏電極與源電極隔開。半導(dǎo)體圖案在源電極和漏電極之間的柵電 極上。
本發(fā)明還公開了另一種制造陣列基板的方法，提供如下。阻擋層形成在 絕緣基板上。柵線和柵電極形成在阻擋層上。柵線包括銅或者銅合金，并且 柵電極連接到柵線。氬等離子體施加到柵線和柵電極。第一氣體混合物注入 到腔體內(nèi)，以在絕緣基板上形成第一柵絕緣層。第一氣體混合物包括硅烷氣、氮?dú)夂桶睔狻Ｔ诘谝粴怏w混合物中，硅烷氣的量在體積上不超過6.43。/。左右。 第二氣體混合物注入到腔體內(nèi)，以在絕緣基板上形成第二柵絕緣層。第二氣 體混合物包括硅烷氣、氮?dú)夂桶睔?。在第二氣體混合物中，硅烷氣的量在體積上不少于6.43%左右。第三氣體混合物注入到腔體內(nèi)，以在絕緣基板上形成第三柵絕緣層。第三氣體混合物包括硅烷氣、氮?dú)夂桶睔狻Ｔ诘谌龤怏w混合物中，硅烷氣的量在體積上不超過6.43%左右。數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極 和半導(dǎo)體圖案形成在第三柵絕緣層上。源電極連接到數(shù)據(jù)線，且漏電極與源電極隔開。半導(dǎo)體圖案在源電極和漏電極之間的柵電極上?？梢岳斫?，上述總的描述以及下面的詳細(xì)描述是示范性的和解釋性的， 并且旨在提供本發(fā)明權(quán)利要求的進(jìn)一步解釋。


隨后的附圖用來提供本發(fā)明進(jìn)一 步的理解，它們被結(jié)合進(jìn)說明書中并組 成說明書的一部分，說明本發(fā)明的示范性實(shí)施例，并與說明書一起來解釋本 發(fā)明的原理。圖1表示按照本發(fā)明一個(gè)示范性實(shí)施例的陣列基板的平面圖。圖2是沿圖1中I-I ，線的橫截面圖。圖3是表示圖2中'A，部分的放大橫截面圖。圖4是沿圖1中II - II ，線的橫截面圖。圖5、圖6、圖7、圖8、圖9、圖10、圖11、圖12、圖13、圖14、圖 15、圖16、圖17、圖18和圖19是表示制造圖1的陣列基板的方法的橫截面圖。圖20表示按照本發(fā)明另 一個(gè)示范性實(shí)施例的顯示器件的橫截面圖。 圖21表示按照本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的橫截面圖。 圖22、圖23、圖24、圖25和圖26表示制造圖21中所示的陣列基板的 方法的橫截面圖。圖27表示按照本發(fā)明另 一個(gè)示范性實(shí)施例的陣列基板的橫截面圖。 圖28表示按照本發(fā)明另 一個(gè)示范性實(shí)施例的陣列基板的橫截面圖。 圖29表示按照本發(fā)明另 一個(gè)示范性實(shí)施例的顯示器件的橫截面圖。
具體實(shí)施方式
在下文中，將參考附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖中表示了本發(fā)明的實(shí) 施例。然而，本發(fā)明可以以很多不同的形式體現(xiàn)，其不應(yīng)該解釋為限于在此
提出的實(shí)施例。而且，提供這些實(shí)施例以便本公開將徹底和完整，并將向本 領(lǐng)域技術(shù)人員完全傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清晰，層和區(qū)域的尺 寸和相對(duì)尺寸可能被夸大。可以理解，當(dāng)元件或者層被稱為在另一個(gè)元件或者層"上"、"連接到" 或者"耦合到"另一個(gè)元件或者層時(shí)，其可以直接在另一個(gè)元件或?qū)由稀⒅?接連接到或者直接耦合到另 一個(gè)元件或者層，或者可以存在介于中間的元件 或者層。相反，當(dāng)元件被稱為"直接"在另一個(gè)元件或者層"上"、"直接 連接到"或者"直接耦合到"另一元件或?qū)訒r(shí)，此處沒有介于中間的元件或 者層存在。全文中相同的數(shù)字指代相同的元件。如在此使用的，術(shù)語"和/ 或"包括一個(gè)或者多個(gè)相關(guān)列出項(xiàng)目的任何和所有結(jié)合?？梢岳斫?，雖然術(shù)語第一、第二和第三等等可以在此用于描述各種不同 元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不 應(yīng)該受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅一f又用于區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或 者部分與另一個(gè)區(qū)域、層或者部分。這樣，下面討論的第一元件、部件、區(qū) 域、層或者部分，可以稱之為第二元件、部件、區(qū)域、層或者部分，而沒有 脫離本發(fā)明的教導(dǎo)?？臻g相關(guān)術(shù)語，例如"下面"、"下方"、"下"、"上方"、"上"等等，可 以在此用于使說明書容易地描述在附圖中表示的一個(gè)元件或特征與另一個(gè) 元件或者特征的關(guān)系?？梢岳斫?，空間相關(guān)術(shù)語想要包含除了在圖中所繪的 方向之外的器件在使用中或者操作中的不同方向。例如，如果附圖中的器件 被翻轉(zhuǎn)，被描述為在其它元件或者特征"下方"或者"下面"的元件將在其 它元件或者特征"上方"。這樣，示范性的術(shù)語"下方"能夠包括上方和下 方兩種方向。另外，器件可以有其它取向(旋轉(zhuǎn)卯度或者在其它方向)以 及相應(yīng)解釋在此使用的空間相對(duì)描述符。此處使用的術(shù)語僅僅用于描述特殊實(shí)施例的目的，而不旨在限制本發(fā) 明。如在這里使用的單數(shù)形式"一"和"該"，也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非 上下文清楚地指示另外的意思?？梢赃M(jìn)一步理解，術(shù)語"包括"，當(dāng)用于說明書中時(shí)，表明指定特征、整體(integer)、步驟、操作、元件和/或部件的存 在，但是不排除一個(gè)或者多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和 /或它們的組的存在或者增加。在此參考橫截面圖描述的本發(fā)明的實(shí)施例是本發(fā)明理想化實(shí)施例(和中
間結(jié)構(gòu))的示意圖。因此，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖示 的形狀的變化。這樣，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)該解釋為限于在此說明的特殊的 區(qū)域形狀，而是包括例如產(chǎn)生于制造的形狀的偏差。例如，圖示為矩形的注 入?yún)^(qū)域，將典型地在其邊緣具有圓形的或者彎曲特征和/或注入濃度的梯度， 而不是從注入到非注入?yún)^(qū)域的二元變化。同樣地，由注入形成的埋入?yún)^(qū)域可 以導(dǎo)致在埋入?yún)^(qū)域和通過其發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中的 一些注入。這 樣，圖中表示的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，且它們的形狀不旨在表示器件區(qū)域 的真實(shí)形狀，并且不旨在限制本發(fā)明的范圍。除非另有限定，在此使用的所有的術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)與本發(fā) 明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解的具有相同的意思?？梢赃M(jìn)一步理解，這些術(shù) 語，例如那些在一般使用的詞典中限定的術(shù)語，應(yīng)該解釋為具有與它們?cè)谙?關(guān)技術(shù)背景下一致的意思，將不會(huì)解釋為理想化或過度正式的意義，除非在 這里如此界定。在下文中，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明。圖1表示按照本發(fā)明一個(gè)示范性實(shí)施例的陣列基板的平面圖。圖2是沿 圖1中I-I ，線的橫截面圖。圖3是表示圖2中'A，部分的放大橫截面圖。 圖4是沿圖1中II - II ，線的橫截面圖。參考圖1、圖2和圖4，陣列基板包括絕緣基板120、柵線131、數(shù)據(jù)線 133、柵絕緣層126、鈍化層116和像素電極112。可選擇地，陣列基板可以 包括多個(gè)柵線、多個(gè)數(shù)據(jù)線和多個(gè)像素電極。絕緣基板120可以包括傳輸光的透明玻璃。絕緣基板120可以不包括堿 離子。當(dāng)絕緣基板120包括堿離子，堿離子可以溶解在液晶層中(未示出) 且可以減小液晶層的電阻，其可以降低圖像顯示質(zhì)量以及密封劑(未示出) 和絕緣基板120之間的粘著強(qiáng)度。此外，可以惡化薄膜晶體管的特性。絕緣基板120還可以包括透光的高分子聚合物。可以包括在絕緣基板 120中的透光高分子聚合物的例子，包括三乙酰纖維素(TAC)、聚碳酸酯 (PC)、聚醚砜(PES)、聚對(duì)苯二曱酸乙二酯(PET)、聚乙烯萘鹽(PEN)、 聚乙蹄醇(PVA)、聚曱基丙烯酸曱酯(PMMA)、環(huán)烯烴聚合物(COP)以 及它們的組合。絕緣基板120可以是光各向同性?？蛇x擇地，絕緣基板120可以是光各向異性。
柵線131設(shè)置在絕緣基板120上。柵線131包括柵阻擋層131a、柵導(dǎo)電 層131b和柵氮化銅層131c。柵阻擋層131a設(shè)置在絕緣基板120上。柵阻擋層131a增加了柵線131 和絕緣基板120之間的粘著強(qiáng)度。可以用于柵阻擋層131a的阻擋材料的例 子包括鉬(Mo )、鉬-鈦(Mo-Ti)合金、鉬-鴒(Mo-W)合金、鉬-鉻(Mo-Cr) 合金、鉬-鈮(Mo-Nb)合金，以及它們的組合。氮化銅可以設(shè)置在柵阻擋層 131a的側(cè)表面上。柵導(dǎo)電層131b設(shè)置在柵阻擋層131a上。柵導(dǎo)電層131b可以包括銅或 者銅合金。當(dāng)柵導(dǎo)電層131b包括銅時(shí)，柵導(dǎo)電層131b的電阻是大約2.1pQcm 至大約2.3(iQcm。這樣，柵導(dǎo)電層131b的電阻比鋁層的小30%左右，鋁層 具有大約3.1fiQcm的電阻。此外，柵導(dǎo)電層131b具有比鋁層低的電遷移。柵氮化銅層131c設(shè)置在柵導(dǎo)電層131b的上表面和側(cè)表面上。柵氮化銅 層131c包括氮化銅。氮化物等離子體可以注入銅線內(nèi)以形成柵氮化銅層 131c?？梢宰⑷脬~線內(nèi)的氮化物等離子體的例子包括氨(NH3)等離子體、 氮(N2)等離子體，以及它們的組合。柵氮化銅層131c防止柵導(dǎo)電層131b的銅與例如氧和硅的雜質(zhì)混合。此 外，柵氮化銅層131c具有比柵導(dǎo)電層131b大的蝕刻耐受性，因此可以在例 如蝕刻工藝或者剝離工藝的隨后的工藝中保護(hù)柵導(dǎo)電層131b。薄膜晶體管155的柵電極118設(shè)置在絕緣基板120上。柵電極118可以 包括銅或者銅合金。柵電極118可以形成在與柵線131基本上相同的層上。 柵電極118包括柵阻擋圖案118a、柵導(dǎo)電圖案118b和柵氮化銅圖案118c。柵阻擋圖案118a設(shè)置在絕緣基板120上。4t阻擋圖案118a可以包括鉬 (Mo)、鉬-鈦(Mo-Ti)合金、鉬-鴒(Mo-W)合金、鉬-鉻(Mo-Cr)合金、 鉬-鈮(Mo-Nb)合金，以及它們的組合。例如，柵阻擋層圖案118a可以包 括與柵線131的柵阻擋層131a基本上相同的材料。柵導(dǎo)電圖案118b設(shè)置在柵阻擋圖案118a上。柵導(dǎo)電圖案118b可以包 括銅或者銅合金。例如，柵導(dǎo)電層118b可以包括與柵線131的柵導(dǎo)電層131b 基本上相同的材料。柵氮化銅圖案118c設(shè)置在柵導(dǎo)電圖案118b的上表面和側(cè)表面上。氮化 銅圖案118c可以包括氮化銅。例如，柵氮化銅圖案118c可以包括與柵線131 的柵氮化銅層131c基本上相同的材料。 柵絕緣層126設(shè)置在絕緣基板120上，以覆蓋柵線131和柵電極H8。參考圖3,柵絕緣層126包括第一柵絕緣層126a、第二柵絕緣層126b 和第三柵絕緣層126c。柵絕緣層126可以通過使用硅烷氣和氮化物混合物氣 體的化學(xué)氣相沉積(CVD)方法形成。化學(xué)氣相沉積方法可以是等離子體增 強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法。氮化物混合物氣體可以包括氮(N2)氣、 氨(NH3)氣，以及它們的組合。第一柵絕緣層126a設(shè)置在其上形成有柵線131和柵電極118的絕緣基 板120上。第一柵絕緣層126a可以包括低密度氮化硅，并且第一柵絕緣層 126a的密度可以是低的。第一氣體混合物中硅烷氣的量在體積上可以不超過 6.43%左右。硅原子可與氮原子在低密度氮化硅中牢固的結(jié)合。例如，可俘 獲電子的懸空鍵的數(shù)量在低密度氮化硅中可以減少，其可以降低沉積速度。 此外，低密度氮化硅的表面結(jié)構(gòu)可以是密集的，這使得其是好的電絕緣材料。第二柵絕緣層126b設(shè)置在第一柵絕緣層126a上，且可以包括高密度氮 化硅。第二柵絕緣層126b的密度可以比第一柵絕緣層126a的密度高。在第 二氣體混合物中硅烷氣體的量在體積上可不少于6.43%左右。第二氣體混合 物可以比第一氣體混合物包括更多的硅烷氣體。高密度氮化硅中硅原子可與 氮原子松散地結(jié)合。例如，在高密度氮化硅中的懸空鍵的數(shù)目可以增加，以 便可將電子俘獲在懸空鍵內(nèi)。高密度氮化硅的沉積速度可以比低密度氮化硅 的沉積速度快。此外，高密度氮化硅的表面結(jié)構(gòu)可以是松散的，和高密度氮 化硅可比低密度氮化硅的電絕緣性差。第三柵絕緣層126c設(shè)置在第二柵絕緣層126b上，且可以包括與第一柵 絕緣層126a基本上相同的低密度氮化硅。由于第三柵絕緣層126c包括與第 一柵絕緣層126a基本上相同的材料，將省略關(guān)于上面元件的任何進(jìn)一步的 解釋。當(dāng)?shù)谌龞沤^緣層126c包括低密度氮化硅，可以提高半導(dǎo)體圖案137 的非晶硅圖案137a的電特性。第一柵絕緣層126a的氮密度可比第二柵絕緣層126b的氮密度高，以便 柵線131和柵電極118中的銅原子可以不與硅原子結(jié)合。第二柵絕緣層126b 的沉積速度可比第一柵絕緣層126a快，因此減少了陣列基板的制造時(shí)間。 第三柵絕緣層126c可以具有更密集的結(jié)構(gòu)，且因此比第二柵絕緣層126b具 有更安全的電特性。這樣，第三柵絕緣層126c可以提高非晶硅圖案137a的 電特性。
再次參考圖1、圖2和圖4,薄膜晶體管155的半導(dǎo)體圖案137設(shè)置在 相應(yīng)于柵電極118的柵絕緣層126上。半導(dǎo)體圖案137包括非晶硅圖案137a 和n+非晶硅圖案137b。非晶硅圖案137a設(shè)置在相應(yīng)于柵電極118的柵絕緣層126上。非晶硅 圖案137a可包括下部非晶硅圖案(未示出)和上部非晶硅圖案(未示出)。 下部非晶硅圖案與上部非晶硅圖案相比，可在較高的溫度以較慢的速度沉 積，以便具有比上部非晶硅圖案更密集的結(jié)構(gòu)。當(dāng)電場(chǎng)施加在柵電極118和源電極117之間，在鄰近柵絕緣層126的下 部非晶硅圖案中形成了溝道。圖1、圖2、圖3和圖4中，下部非晶硅圖案 具有比上部非晶硅圖案更密集的結(jié)構(gòu)，且因此，在下部非晶硅圖案中俘獲電 子的懸空鍵的數(shù)目較少。這樣，可以提高半導(dǎo)體圖案137的電特性。此外， 上部非晶硅圖案的沉積速度可比下部非晶硅圖案的速度快，這可以減少制造 時(shí)間。n+非晶硅圖案137b包括第一圖案和第二圖案。第一和第二圖案在非晶 硅圖案137a上彼此隔開。數(shù)據(jù)線133設(shè)置在柵絕緣層126上。數(shù)據(jù)線133包括數(shù)據(jù)阻擋層133a、 數(shù)據(jù)導(dǎo)電層133b以及數(shù)據(jù)氮化銅層133c。數(shù)據(jù)阻擋層133a在柵絕緣層126、非晶硅圖案137a和n+非晶硅圖案 137b上。數(shù)據(jù)阻擋層133a防止柵絕緣層126的硅原子擴(kuò)散到數(shù)據(jù)導(dǎo)電層133b 中，這可以防止數(shù)據(jù)導(dǎo)電層133b的電阻增加?？砂ㄔ跀?shù)據(jù)阻擋層133a中 的導(dǎo)電材料的例子包括鉬(Mo)、鉬-鈦(Mo-Ti)合金、鉬-鴒(Mo-W)合 金、鉬-鉻(Mo-Cr)合金、鉬-鈮(Mo-Nb)合金，以及它們的組合。金屬 氮化物層可以形成在數(shù)據(jù)阻擋層133a的側(cè)表面上。數(shù)據(jù)導(dǎo)電層133b設(shè)置在數(shù)據(jù)阻擋層133a上。數(shù)據(jù)導(dǎo)電層133b可以包 括銅或者銅合金。例如，數(shù)據(jù)導(dǎo)電層133b可以包括與柵導(dǎo)電層131b基本相 同的材料。這樣，將省略關(guān)于上面元件的任何進(jìn)一步解釋。數(shù)據(jù)氮化銅層133c設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)電層133b的上表面和側(cè)表面上。數(shù)據(jù) 氮化銅層133c可以包括與柵氮化銅層131c基本上相同的氮化銅?？蛇x擇地， 數(shù)據(jù)氫化銅層可以形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)電層B3b的上表面和側(cè)表面上。薄膜晶體管155的源電極117設(shè)置在n+非晶硅圖案的第 一 圖案上。源電 極117可以包括銅或者銅合金。源電極117可以形成在與數(shù)據(jù)線133基本上 相同的層上。源電極117連接到數(shù)據(jù)線133,并且包括源阻擋圖案117a、源 導(dǎo)電圖案117b和源氮化銅圖案117c。源阻擋圖案117a設(shè)置在n+非晶硅圖案的第一圖案上。源阻擋圖案117a 可包括導(dǎo)電材料，例如鉬(Mo)、鉬-鈦(Mo-Ti)合金、鉬-鴒(Mo-W)合 金、鉬-鉻(Mo-Cr)合金、鉬-鈮(Mo-Nb)合金，以及它們的組合。例如， 源阻擋圖案117a可以包括與數(shù)據(jù)線133的數(shù)據(jù)阻擋層133a基本上相同的材 料。源導(dǎo)電圖案117b設(shè)置在源阻擋圖案117a上。源導(dǎo)電圖案117b可包括 銅或者銅合金。例如，源導(dǎo)電圖案117b可以包括與數(shù)據(jù)線133的數(shù)據(jù)導(dǎo)電 層133b基本上相同的材料。源氮化銅圖案117c設(shè)置在源導(dǎo)電圖案117b的上表面和側(cè)表面上。源氮 化銅圖案117c可以包括氮化銅。例如，源氮化銅圖案117c可以包括與數(shù)據(jù) 線133的數(shù)據(jù)氮化銅層133c基本上相同的材料。薄膜晶體管155的漏電極119設(shè)置在n+非晶硅圖案的第二圖案上。漏電 極119可以包括銅或者銅合金。例如，漏電極119可以形成在與數(shù)據(jù)線133 基本上相同的層上。漏電極119電連接到像素電極112,并且包括漏阻擋圖 案119a、漏導(dǎo)電圖案119b和漏氮化銅圖案119c。漏阻擋圖案119a在n+非晶硅圖案的第二圖案上。漏阻擋圖案119a可以 包括鉬(Mo)、鉬-鈦(Mo-Ti)合金、鉬-鴒(Mo-W)合金、鉬-鉻(Mo-Cr) 合金、鉬-鈮(Mo-Nb)合金，以及它們的組合。例如，漏阻擋圖案119a可 以包括與數(shù)據(jù)線133的數(shù)據(jù)阻擋層133a基本上相同的材料。漏導(dǎo)電圖案119b設(shè)置在漏阻擋圖案119a上。漏導(dǎo)電圖案119b可以包 括銅或者銅合金。例如，漏導(dǎo)電圖案119b可以包括與數(shù)據(jù)線133的數(shù)據(jù)導(dǎo) 電層133b基本上相同的材料。漏氮化銅圖案119c設(shè)置在漏導(dǎo)電圖案119b的上表面和側(cè)表面上。漏氮 化銅圖案119c可以包括氮化銅。例如，漏氮化銅圖案119c可以包括與數(shù)據(jù) 線133的數(shù)據(jù)氮化銅層133c基本上相同的材料。鈍化層U6設(shè)置在柵絕緣層126上以覆蓋半導(dǎo)體圖案137、數(shù)據(jù)線133、 源電極117和漏電極119。鈍化層116可以包括氮化硅?？蛇x擇地，鈍化層 116可以具有包括低密度氮化硅層和高密度氮化硅層的雙層結(jié)構(gòu)。鈍化層116 可以具有接觸孔151，通過此接觸孔部分地露出漏電4及119。
像素電極112設(shè)置在鈍化層116上，并通過接觸孔151連接到漏電極119 。 像素電極112可以包括透明導(dǎo)電材料?？砂ㄔ谙袼仉姌O112中的透明導(dǎo)電 材料的例子包括銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、非晶銦錫氧化物 (a-ITO )，以及它們的組合。按照?qǐng)D1、圖2、圖3和圖4所示的陣列基板，柵線131、柵電極118、 數(shù)據(jù)線133、源電極117和漏電極119分別包括柵氮化銅線131c、柵氮化銅 圖案118c、凄t據(jù)氮化銅線133c、源氮化銅圖案117c和漏氮化銅圖案119c, 從而降低柵線131、柵電極118、數(shù)據(jù)線133、源電極117和漏電極119缺陷 的發(fā)生。此外，柵絕緣層126可以具有三層結(jié)構(gòu)，這可以減少陣列基板的生 產(chǎn)時(shí)間，并提高陣列基板的非晶硅圖案137a的電特性。圖5、圖6、圖7、圖8、圖9、圖10、圖11、圖12、圖13、圖14、圖 15、圖16、圖17、圖18和圖19是表示制造圖l所示的陣列基板的方法的 橫截面圖。參考圖1和圖5，初^"阻擋層141和初;敗導(dǎo)電層142依次形成在絕緣基 板120上。氮化銅層(未示出)可通過濺射工藝形成在初柵導(dǎo)電層142上。 柵光刻膠膜143涂覆在初柵導(dǎo)電層142上。柵光刻膠膜143通過柵掩模171曝光。柵掩模171包括光阻斷部分171a 和透明部分171b。光阻斷部分171a相應(yīng)于一冊(cè)線131和4冊(cè)電極118。參考圖1和圖6，對(duì)曝光的柵光刻膠膜143進(jìn)行顯影，從而在初柵導(dǎo)電 層142上形成柵光刻膠圖案143a。參考圖1和圖7，利用柵光刻膠圖案143a作為蝕刻掩模部分地蝕刻初柵 導(dǎo)電層142和初柵阻擋層141，從而在絕緣基板120上形成柵阻擋層131a、 初柵導(dǎo)電層131d、柵阻擋圖案118a和初柵導(dǎo)電圖案118d。然后柵光刻膠圖 案143a從初柵導(dǎo)電層131d和初柵導(dǎo)電圖案118c移除。參考圖1和圖8，氮化物等離子體施加到絕緣基板120,在基板上形成 了初柵導(dǎo)電層131d、柵阻擋層131a、柵阻擋圖案118a和初柵導(dǎo)電圖案118d。 例如，氨氣和氮?dú)饪梢宰⑷肭惑w(未示出)內(nèi)，和不少于約300W的電力以 不少于大約20秒的時(shí)間周期可施加到氨氣和氮?dú)?。參考圖1和圖9,氮化物等離子體188a (圖8中所示)注入到初柵導(dǎo)電 層131d的上表面和側(cè)表面上，從而在柵阻擋層131a上形成柵導(dǎo)電層131b 和柵氮化銅層131c。此外，氮化物等離子體188a也注入到初柵導(dǎo)電圖案118d
的上表面和側(cè)表面上，從而在柵阻擋圖案118a上形成柵導(dǎo)電圖案118b和柵 氮化銅圖案118c。而且，氧化銅由氮化物等離子體118a轉(zhuǎn)化成氮化銅，該氧化銅可由氧 或者水汽形成在初柵導(dǎo)電層131d和初柵導(dǎo)電圖案118d的表面上。氮化銅具 有比氧化銅更好的電特性和制造特性。例如，氮化銅具有比氧化銅更小的電 阻和更大的機(jī)械強(qiáng)度。包括硅烷氣體和氮化物混合氣體的的氣體混合物可以注入到絕緣基板 120上，通過化學(xué)氣相沉積(CVD)方法在該基板上形成了柵電極118、柵 線131和柵絕緣層126 (圖2中所示)?？勺⑷氲浇^緣基板120上的氮化物混 合氣體的例子包括氮?dú)狻睔?，以及它們的組合。化學(xué)氣相沉積方法可以是 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法。圖10、圖11、圖12和圖13表示設(shè)置圖2中所示的柵絕緣層的方法的 橫截面圖。參考圖9和圖10，第一氣體混合物注射到腔體內(nèi)。硅烷氣體在第一氣體 混合物中的量在體積上可不多于大約6.43% 。電力施加到第一氣體混合物以 產(chǎn)生低密度氮化硅等離子體189a,其施加到絕緣基板U0上，在該基板上形 成了柵電極118和柵線131。這樣，包括低密度氮化硅的第一柵絕緣層126a (圖3中所示)，形成在絕緣基板120上，在該基板120上形成了柵電極118 和柵線131。例如，柵絕緣層126可以原位形成在腔體中，在腔體中氮化物 等離子體被施加到絕緣基板120。當(dāng)?shù)谝粴怏w混合物中用于形成第一柵絕緣層126a的硅烷氣體的量在體 積上不超過約6.43%時(shí)，可出現(xiàn)足夠的氮原子，用于在硅烷氣體中的硅原子 與該氮原子反應(yīng)，因此形成了氮化硅。這樣，第一柵絕緣層126a可以具有 密集結(jié)構(gòu)，并可以是好的電絕緣體。然而，第一柵絕緣層126a的沉積速度 可以被降低。當(dāng)在第一氣體混合物中用于設(shè)置第一柵絕緣層126a的硅烷氣體的量在 體積上多于6.43 %左右時(shí)，硅烷氣體中的一部分硅原子可不與氮原子反應(yīng)， 且因此，硅原子可與柵線131和柵電極118的銅原子反應(yīng)，形成了硅銅 (CuSi)。硅銅的硅原子可以與硅銅的銅原子分離，并可以注入到柵線131 和柵電極118中。當(dāng)硅原子注入到柵線131和柵電極118中，柵線131和柵 電極118的電阻可以大大地增加。然而，在圖9和圖10中，第一氣體混合 物中用于形成第一柵絕緣層126a的硅烷氣體的量在體積上不超過約6.43% , 且因此，柵氮化銅層131c和柵氮化銅圖案118c的氮化銅可不與硅原子反應(yīng)。在圖9和圖10中，在第一氣體混合物中用于形成第一柵絕緣層126a的 硅烷氣體的量在體積上大約是2.24%，且施加到腔體的電力大約為900W。 此外，第一柵絕緣層126a的厚度不少于IOA左右。參考圖9和圖11,用于形成第二柵絕緣層126b (圖3中所示)的第二 氣體混合物注入到腔體中。第二氣體混合物中的硅烷氣體的量在體積上不少 于6.43 %左右。電力施加到第二氣體混合物以產(chǎn)生高密度氮化硅等離子體 18%,且高密度氮化硅等離子體189b施加到第一柵絕緣層126a。這樣，包 括高密度氮化硅的第二柵絕緣層126b (如圖3中所示)，設(shè)置在第一柵絕緣 層126a上。例如，第一柵絕緣層126a和第二柵絕緣層126b可在原位置形 成在腔體內(nèi)。當(dāng)在第二氣體混合物中用于設(shè)置第二柵絕緣層126b的硅烷氣體的量在 體積上不少于大約6.43%時(shí)，硅烷氣體中的硅原子與氮化物混合氣體中的氮 原子可以沒有充分地反應(yīng)。這樣，第二柵絕緣層126b可以具有;^散的結(jié)構(gòu)， 并且第二柵絕緣層126b的絕緣特性可比第一柵絕緣層126a的差，從而第二 柵絕緣層126b具有比第一柵絕緣層126a較小的電阻。然而，第二柵絕緣層 126b的沉積速度可比第一柵絕緣層126a的沉積速度快。在圖9和圖11中，第一柵絕緣層126a可以阻擋硅原子來保護(hù)柵電極118 和柵線131,盡管在第二氣體混合物中用于形成第二柵絕緣層126b的硅烷氣 體的量在體積上可不少于6.43%左右。這樣，硅原子可以沒有被注入到柵線 131和柵電極118中。例如，在第二氣體混合物中用于形成第二柵絕緣層126b的硅烷氣體的 量在體積上可以為6,43%左右，且施加到腔體的電力可以大約為1200W。參考圖9和圖12，用于形成第三柵絕緣層126c (如圖3中所示)的第 三氣體混合物注入到腔體中。第三氣體混合物中的硅烷氣體的量在體積上不 超過約6.43°/。。電力施加到第三氣體混合物以產(chǎn)生低密度氮化硅等離子體 189c，其施加到第二柵絕緣層126b。這樣，包括低密度氮化硅的第三柵絕緣 層126c,形成在第二柵絕緣層126b上。當(dāng)?shù)谌龤怏w混合物中用于形成第三柵絕緣層126c的硅烷氣體的量在體 積上不超過6.43%左右時(shí)，第三柵絕緣層126c可以具有密集結(jié)構(gòu)，且可以
是好的電絕緣體。然而，第三柵絕緣層126c的沉積速度可以被降低。在圖9和圖12中，在第三氣體混合物中用于形成第三柵絕緣層126c的 硅烷氣體的量在體積上可以大約為2.24%,且施加給腔體的電力可以為 900W左右。參考圖13和圖14,包括第一柵絕緣層126a、第二柵絕緣層126b和第 三柵絕緣層126c的柵絕緣層126，形成在絕緣基板120上，在該基板上形成 有柵電極118和柵線131。參考圖15,下部非晶硅層(未示出)和上部非晶硅層(未示出)順序地 沉積在柵絕緣層126上。上部非晶硅層可比下部非晶硅層具有更杠^敎的結(jié)構(gòu)。下部非晶硅層可以低的電力和減少的速度沉積，以便下部非晶硅層可以 具有密集的結(jié)構(gòu)和好的電特性。上部非晶硅層可以高的電力和增加的速度沉 積，以便上部非晶硅層可以具有松散的結(jié)構(gòu)。例如，下部非晶硅層在電力為 150W左右可以形成，和上部非晶硅層在電力為300W左右可以形成。非晶 硅層沉積在柵絕緣層126上，并且包括下部非晶硅層和上部非晶硅層。然后，n+雜質(zhì)注入到非晶硅層的上部部分以形成n+非晶硅層(未示出)。n+非晶硅層和非晶硅層被部分地蝕刻以形成初n+非晶硅圖案137c和非 晶硅圖案137a。參考圖16,初數(shù)據(jù)阻擋層(未示出)和初數(shù)據(jù)導(dǎo)電層(未示出)順序地 形成在柵絕緣層126上。柵絕緣層126包括初n+非晶硅圖案137c和非晶硅 圖案137a?？蛇x擇地，氮化銅層(未示出)可以通過濺射工藝沉積在初數(shù)據(jù) 導(dǎo)電層上。數(shù)據(jù)光刻膠膜(未示出)形成在初數(shù)據(jù)導(dǎo)電層上。通過利用數(shù)據(jù)掩模(未示出)的光刻工藝部分地蝕刻初數(shù)據(jù)阻擋層和初 數(shù)據(jù)導(dǎo)電層，從而形成數(shù)據(jù)阻擋層133a、初數(shù)據(jù)導(dǎo)電層133d、源阻擋圖案 117a、初源導(dǎo)電圖案117d、漏阻擋圖案119a和初漏導(dǎo)電圖案119d。氮化物等離子體188b注入到包括初n+非晶硅圖案137c、非晶硅圖案 137a、數(shù)據(jù)阻擋層133a、初數(shù)據(jù)導(dǎo)電層133d、源阻擋圖案117a、初源導(dǎo)電 圖案117d、漏阻擋圖案119a和初漏導(dǎo)電圖案119d的柵絕緣層126上。參考圖16和圖17，氮化物等離子體188b注入到初數(shù)據(jù)導(dǎo)電層133d、 初源導(dǎo)電圖案117d和初漏導(dǎo)電圖案119d的上表面和側(cè)表面上，以形成數(shù)據(jù) 導(dǎo)電層133b、數(shù)據(jù)氮化銅層133c、源導(dǎo)電圖案117b、源氮化銅圖案117c、 漏導(dǎo)電圖案119b和漏氮化銅圖案119c。例如，氨氣和氮?dú)饪梢宰⑷氲角惑w內(nèi)(未示出)，并可施加約300W的電力給氨氣和氮?dú)獬掷m(xù)約20秒以上。參考圖17,插入在源電極117和漏電極119之間的初n+非晶硅圖案137c (圖16中所示)利用源電極117和漏電極119作為蝕刻掩模被部分地蝕刻， 以形成包括n+非晶硅圖案137b和非晶硅圖案137a的半導(dǎo)體圖案137。數(shù)據(jù)氮化銅層133c、源氮化銅圖案117c和漏氮化銅圖案119c可以分別 保護(hù)數(shù)據(jù)線133、源電極117和漏電極119不受用于蝕刻初n+非晶硅圖案 137c的蝕刻劑的影響。圖15、圖16和圖17中，半導(dǎo)體圖案137、數(shù)據(jù)線133、源電極117和 漏電極119利用兩個(gè)光掩模形成。可選擇地，半導(dǎo)體圖案、數(shù)據(jù)線、源電極 和漏電極可以使用 一 個(gè)光掩模形成。參考圖18,鈍化層116形成在柵絕緣層126上以覆蓋半導(dǎo)體圖案137、 數(shù)據(jù)線133 、源電極117和漏電極119 。例如，硅烷氣體和氮化物混合氣體 可以注入到柵絕緣層126上，且鈍化層116通過化學(xué)氣相沉積(CVD)方法 可以形成在柵絕緣層126上。如圖18所示，鈍化層116可以包括第一鈍化層(未示出)和第二鈍化 層(未示出)。第二鈍化層可設(shè)置在第一鈍化層上。第一鈍化層可以包括低密度氮化硅。形成第一鈍化層的低密度氮化硅的 方法與關(guān)于圖IO所述的基本相同。這樣，將省略關(guān)于上述元件的任何進(jìn)一 步的解釋。第二鈍化層可以包括高密度氮化硅。形成第二鈍化層的高密度氮化硅的 方法與關(guān)于圖11所述的基本相同。這樣，將省略關(guān)于上述元件的任何進(jìn)一 步的解釋。在圖18中，鈍化層116具有包括第一和第二鈍化層的雙層結(jié)構(gòu)?？蛇x 擇地，鈍化層可以具有單層結(jié)構(gòu)或者包括不少于三層的多層結(jié)構(gòu)。參考圖19,鈍化層116可以被部分地蝕刻以形成接觸孔151,通過該接 觸孔部分地露出漏電極119?？蛇x擇地，在像素電極112形成后，激光束可 以輻射到相應(yīng)于漏電極119的像素電極112上，以形成接觸孔151。連接到漏電極119的像素電極112形成在鈍化層116上，且接觸孔151 形成在鈍化層116中。按照制造圖4、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9、圖10、圖11、圖12、圖 13、圖14、圖15、圖16、圖17、圖18和圖19的顯示基板的方法，可以省略用于保護(hù)柵線131、柵電極118、數(shù)據(jù)線133、源電極117和漏電極119的 上部的附加保護(hù)層，因此，減少了顯示基板的制造時(shí)間。此外，氮化銅層可覆蓋數(shù)據(jù)線133、源電極117和漏電極119的側(cè)表面， 以保護(hù)數(shù)據(jù)線133、源電極117和漏電極119不受用于蝕刻初n+非晶硅圖案 137c的蝕刻劑的影響。例子1初柵導(dǎo)電圖案188d(圖8中所示)由氮化物等離子體或者氫等離子體處 理。具有多層結(jié)構(gòu)并且包括低密度氮化硅層和高密度氮化硅層的柵絕緣層沉 積在基板上。氮化物等離子體或者氫等離子體由大約600W的電力在約20 秒期間內(nèi)產(chǎn)成。約900W的電力施加到包括硅烷氣體和氮化物混合氣體的混 合氣體，且在氣體混合物中硅烷氣體的量在體積上約為2.24%。約1200W 的電力施加到包括硅烷氣體和氮化物混合氣體的氣體混合物，且在氣體混合 物中硅烷氣體的量在體積上約為6.43 % 。在氮化物等離子體處理后，當(dāng)形成第一低密度氮化硅層、高密度氮化硅 層和第二低密度氮化硅層時(shí)，柵線的電阻是大約2.1p。cm至2.3|Lincm。在氫等離子體處理后，當(dāng)形成第一低密度氮化硅層、高密度氮化硅層和 第二低密度氮化硅層時(shí)，柵線的電阻是大約2.5jiQcm至2.8)aQcm。在氮化物等離子體處理后，當(dāng)形成高密度氮化硅層和低密度氮化硅層 時(shí)，柵線的電阻是大約2.9|LiQcm至3.0^iQcm。在氫等離子體處理后，當(dāng)形成高密度氮化硅層和低密度氮化硅層時(shí)，柵 線的電阻是大約3.0|iQcm至3.1^Qcm。因此，在氮化物等離子體處理后，當(dāng)順序形成第一^^密度氮化硅層、高 密度氮化硅層和第二低密度氮化硅層時(shí)，柵線的電阻減到最小。圖20表示按照本發(fā)明另 一個(gè)示范性實(shí)施例的顯示器件的橫截面圖。參考圖20，顯示器件包括陣列基板180、對(duì)立基板170和液晶層108。 圖20的陣列基板180與圖1、圖2、圖3和圖4的基板相同。這樣，相同的 附圖標(biāo)記將用于指代相同或者相似的部件，且將省略任何關(guān)于上述元件的進(jìn) 一步解釋。對(duì)立基板170包括對(duì)立絕緣基板IOO、黑矩陣102b、彩色濾光片104和 公共電極106。對(duì)立基板170可以進(jìn)一步包括多個(gè)彩色濾光片。對(duì)立絕緣基板100包括透明絕緣材料。可包括在對(duì)立絕緣基板100中的
透明絕緣材料的例子，包括玻璃、石英和合成樹脂。例如，對(duì)立絕緣基板100 可以包括透明合成樹脂。黑矩陣102在對(duì)立絕緣基板100上以阻擋射入液晶不能控制的區(qū)域的 光。這樣，有可能提高顯示器件的對(duì)比度。彩色濾光片104處于在其上形成了黑矩陣102的對(duì)立絕緣基板100上， 以傳輸具有相應(yīng)顏色的波長(zhǎng)的彩色光。彩色濾光片104相應(yīng)于陣列基板180 的像素電極112。公共電極106處于在其上形成了黑矩陣102和彩色濾光片104的對(duì)立絕 緣基板100上。公共電極106包括透明導(dǎo)電材料。透明導(dǎo)電材料的例子包括 銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、非晶銦錫氧化物(a-ITO),以及它們的組合。在陣列基板180和對(duì)立基板170之間可以插入隔離物(未示出)，以保 持陣列基板180和對(duì)立基板170之間的距離。隔離物可以是粒狀隔離物、球 形隔離物或者柱狀隔離物。在陣列基板180和對(duì)立基板170之間插入液晶層108。當(dāng)在公共電極106 和像素電極112之間發(fā)生電壓差時(shí)，在公共電極106和像素電極112之間形 成了電場(chǎng)。液晶層108的液晶的取向響應(yīng)于形成在公共電極106和像素電極 112之間的電場(chǎng)而變化。這樣，改變了液晶層108的透光度，并顯示具有灰 度等級(jí)的圖像。密封劑(未示出)可以密封陣列基板180和對(duì)立基板170之間的液晶層108。相應(yīng)地，可以減少圖20的顯示器件的陣列基板180中缺陷的發(fā)生，且 可簡(jiǎn)化陣列基板180的制造工藝。這樣，可以提高顯示器件的圖像顯示質(zhì)量， 和可降低顯示器件的制造成本。圖21表示按照本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的橫截面圖。圖21的陣 列基板與圖1、圖2、圖3和圖4的基板，除了柵線、柵電極、數(shù)據(jù)線、源 電極和漏電極之外，基本相同。這樣，相同的附圖標(biāo)記將用于指代相同或者 相似的部件，將省略任何關(guān)于上述元件的進(jìn)一步解釋。參考圖21，柵線1131設(shè)置在絕緣基板120上，且包括柵阻擋層1131a、 柵導(dǎo)電層1131b和柵氮化銅層1131c。柵阻擋層1131a設(shè)置在絕緣基板120上。柵阻擋層1131a可以包括鉬
(Mo)、鉬-鈦(Mo-Ti)合金、鉬-鴒(Mo-W)合金、鉬-鉻(Mo-Cr)合金、 鉬-鈮(Mo-Nb)合金，以及它們的組合。柵阻擋層1131a可以提高柵線1131 和絕緣基板120之間的粘著強(qiáng)度。柵導(dǎo)電層1131bi殳置在4冊(cè)阻擋層1131a上。柵導(dǎo)電層1131b可以包括銅 或者銅合金。柵氮化銅層1131c設(shè)置在柵導(dǎo)電層1131b的上表面上。柵氮化銅層1131c 可以阻止柵導(dǎo)電層1131b的銅與4冊(cè)絕緣層126的硅結(jié)合。柵氮化銅層1131c 可以包括氮化銅。例如，柵氮化銅層1131c可以通過在氮?dú)夥罩械你~濺射工 藝形成。薄膜晶體管1155的柵電極1118在絕緣基板120上。柵電極1118與柵 線1131形成在基本相同的層上，并包括柵阻擋圖案1118a、柵導(dǎo)電圖案1118b 和柵氮化銅圖案1118c。柵阻擋圖案1118a設(shè)置在絕緣基板120上。柵阻擋圖案1118a可以包括 與柵線1131的柵阻擋層1131a基本相同的材料。柵導(dǎo)電圖案1118b設(shè)置在柵阻擋圖案1118a上。柵導(dǎo)電圖案1118b可以 包括銅或者銅合金。例如柵導(dǎo)電圖案1118b可以包括與柵線1131的柵導(dǎo)電 層1131b基本上相同的材料。柵氮化銅圖案1118c設(shè)置在柵導(dǎo)電圖案1118b的上表面上。柵氮化銅圖 案1118c可以包括氮化銅。例如，柵氮化銅圖案1118c可以包括與柵線1131 的柵氮化銅層1131c基本上相同的材料。數(shù)據(jù)線1133設(shè)置在柵絕緣層126上。數(shù)據(jù)線1133包括數(shù)據(jù)阻擋層1133a、 數(shù)據(jù)導(dǎo)電層1133b和數(shù)據(jù)氮化銅層1133c。數(shù)據(jù)阻擋層1133a設(shè)置在柵絕緣層126、非晶硅圖案137a以及n+非晶 硅圖案137b上。數(shù)據(jù)阻擋層1133a防止柵絕緣層126的硅原子擴(kuò)散進(jìn)數(shù)據(jù) 導(dǎo)電層1133b。數(shù)據(jù)導(dǎo)電層1133b設(shè)置在數(shù)據(jù)阻擋層1133a上。數(shù)據(jù)導(dǎo)電層1133b可以 包括銅或者銅合金。例如，數(shù)據(jù)導(dǎo)電層1133b可以包括與柵導(dǎo)電層1131b基 本相同的材料。這樣，將省略關(guān)于上述元件任何進(jìn)一步的解釋。數(shù)據(jù)氮化銅層1133c形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)電層1133b的上表面上。數(shù)據(jù)氮化銅 層1133c可以包括氮化銅。例如，數(shù)據(jù)氮化銅層1133c可以包括與柵氮化銅 層1131c基本相同的氮化銅。 薄膜晶體管1155的源電極1117在n+非晶硅圖案的第一圖案上。源電極 1117可以包括銅或者銅合金。例如，源電極1117可以形成在與數(shù)據(jù)線1133 基本相同的層上。源電極1117連接到數(shù)據(jù)線1133，并且包括源阻擋圖案 1117a、源導(dǎo)電圖案1117b和源氮化銅圖案1117c。源阻擋圖案1117a在n+非晶硅圖案的第一圖案上。源阻擋圖案1117a可 以包括與數(shù)據(jù)線1133的數(shù)據(jù)阻擋層1133a基本相同的材料。源導(dǎo)電圖案1117b設(shè)置在源阻擋圖案1117a上。源導(dǎo)電圖案1117b可以 包括銅或者銅合金。例如，源導(dǎo)電圖案1117b可以包括與數(shù)據(jù)線1133的數(shù) 據(jù)導(dǎo)電層1133b基本相同的材料。源氮化銅圖案1117c設(shè)置在源導(dǎo)電圖案1117b的上表面上。源氮化銅圖 案1117c可以包括氮化銅。例如，源氮化銅圖案1117c可以包括與數(shù)據(jù)線1133 的數(shù)據(jù)氮化銅層1133c基本相同的材料。薄膜晶體管1155的漏電極1119設(shè)置在n+非晶硅圖案的第二圖案上。漏 電極1119形成在與數(shù)據(jù)線1133基本相同的層上。漏電極1119連接到像素 電極1112，并且包括漏阻擋圖案1119a、漏導(dǎo)電圖案1119b和漏氮化銅圖案 1119c。漏阻擋圖案1119a設(shè)置在n+非晶硅圖案的第二圖案上。漏阻擋圖案 1119a可以包括與數(shù)據(jù)線1133的數(shù)據(jù)阻擋層1133a基本相同的材料。漏導(dǎo)電圖案1119b設(shè)置在漏阻擋圖案1119a上。漏導(dǎo)電圖案1119b可以 包括銅或者銅合金。例如，漏導(dǎo)電圖案1119b可以包括與數(shù)據(jù)線1133的數(shù) 據(jù)導(dǎo)電層1133b基本相同的材料。漏氮化銅圖案1119c設(shè)置在漏導(dǎo)電圖案1119b的上表面上，并可以包括 氮化銅。例如，漏氮化銅圖案1119c可以包括與數(shù)據(jù)線1133的數(shù)據(jù)氮化銅 層1133c基本相同的材料。圖22、圖23、圖24、圖25和圖26表示制造圖21中所示的陣列基板的 方法的^f黃截面圖。圖22、圖23、圖24、圖25和圖26的方法與圖5、圖6、 圖7、圖8、圖9、圖10、圖11、圖12、圖13、圖14、圖15、圖16、圖17、 圖18和圖19的方法除了關(guān)于形成柵線、柵電極、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極 的工藝之外，基本相同。這樣，相同的附圖標(biāo)記將用于指代相同或者相似的 元件，和將省略關(guān)于對(duì)上述元件進(jìn)一步的解釋。參考圖21和圖22，初^f阻擋層1141和初;嫩導(dǎo)電層1142順序形成在絕
緣基板120上。初氮化銅層1144通過賊射工藝沉積在初柵導(dǎo)電層1142上。 柵光刻膠膜1143涂覆在初柵氮化銅層1144上。柵光刻膠膜1143通過柵掩模1171曝光給紫外光。柵掩模1171包括光 阻擋部分1171a和透明部分1171b。光阻擋部分1171a阻擋一部分紫外光， 且紫外光的剩余部分通過透明部分1171b。光阻擋部分1171a相應(yīng)于柵線 1131和柵電極1118，且透明部分1171b相應(yīng)于陣列基板的剩余部分。參考圖23，利用顯影劑對(duì)曝光的柵光刻膠膜1143顯影，以在初柵氮化 銅層1144上形成柵光刻膠圖案1143a。利用柵光刻膠圖案1143a作為蝕刻掩模，初柵導(dǎo)電層1142、初柵阻擋層 1141和初柵氮化銅層1144被部分地蝕刻，以在絕緣基板120上形成柵線1131 和才冊(cè)電4及1118。柵線1131的柵氮化銅層1131c可以具有與柵導(dǎo)電層1131b的銅基本相 同的蝕刻率，因此提高了柵線1131的蝕刻均勻性。例如，當(dāng)在柵導(dǎo)電層上 具有與柵導(dǎo)電層不同的蝕刻率的鉬層(未示出)形成在柵導(dǎo)電層上，鉬層可 以被過蝕刻以便一部分柵導(dǎo)電層可以被露出。但是，在圖23中，柵氮化銅 層1131c具有與柵導(dǎo)電層1131b基本相同的蝕刻率，因此改進(jìn)了柵線1131 的蝕刻外形。柵光刻膠圖案1143a從柵線1131和柵電極1118移除。 參考圖24,柵絕緣層126形成在絕緣基板120上，以覆蓋柵線1131和 柵電極1118。非晶硅圖案137a形成在相應(yīng)于柵電極1118的柵絕緣層上。初n+非晶硅 圖案137c形成在非晶硅圖案137a上。參考圖25,初數(shù)據(jù)阻擋層(未示出)和初數(shù)據(jù)導(dǎo)電層(未示出)順序形 成在柵絕緣層126上，在該絕緣層上形成了非晶硅圖案137a和初n+非晶硅 圖案137c (如圖24中所示)。初數(shù)據(jù)氮化銅層(未示出)沉積在初數(shù)據(jù)導(dǎo)電 層上。例如，初數(shù)據(jù)氮化銅層可以通過濺射工藝沉積。數(shù)據(jù)光刻膠膜(未示 出)可以形成在初數(shù)據(jù)氮化銅層上。初數(shù)據(jù)阻擋層、初數(shù)據(jù)導(dǎo)電層和初數(shù)據(jù)氮化銅層通過利用數(shù)據(jù)掩模(未 示出)的光刻工藝部分地蝕刻，以在柵絕緣層126上形成數(shù)據(jù)線1133、源電 極1117和漏電極1119。可選擇地，氮化物等離子體可以注入到數(shù)據(jù)線1133、 源電極1117和漏電極1119中的每一個(gè)，以在數(shù)據(jù)線1133的數(shù)據(jù)導(dǎo)電層1133b 的一側(cè)表面、源電極1117的源導(dǎo)電圖案1117b的一側(cè)表面和漏電極1119的 漏導(dǎo)電圖案1119b的一側(cè)表面中的每一個(gè)上形成氮化銅層(未示出)。插入在源電極1117和漏電極1119之間的初n+非晶硅圖案137c (如圖 24中所示)，利用源電極1117和漏電極1119作為蝕刻掩模，被部分地蝕刻， 以i更非晶硅圖案137a部分地露出在源電才及1117和漏電4及1119之間。而且， 初n+非晶硅圖案137c被分成兩個(gè)彼此隔開且相應(yīng)于源電極1117和漏電極 1119的圖案。參考圖26,鈍化層116形成在柵絕緣層126上以覆蓋半導(dǎo)體圖案137、 數(shù)據(jù)線1133、源電極1117和漏電極1119。鈍化層116被部分地蝕刻以形成 接觸孔151,通過此接觸孔部分地露出漏電極1119。像素電極112通過接觸孔151連接到漏電極1119，并形成在具有接觸孔 151的鈍化層116上。按照?qǐng)D22、圖23、圖24、圖25和圖26的制造陣列基板的方法，柵線 1131、柵電極1118、數(shù)據(jù)線1133、源電極1117和漏電極1119中的每一個(gè)包 括與柵導(dǎo)電層1131b的銅具有基本相同蝕刻率的氮化銅層，這可以改進(jìn)柵線 1131、柵電極1118、數(shù)據(jù)線1133、源電極1117和漏電極1119的蝕刻外形。 這樣，可以降低陣列基板中的缺陷的發(fā)生。圖27是表示按照本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的橫截面圖。除了數(shù) 據(jù)線、源電極、和漏電極之外，圖27的陣列基板與圖21中的基本相同。這 樣，相同的附圖標(biāo)記將用于指代相同或者相似的部件，將省略關(guān)于上述元件 的進(jìn)一步解釋。參考圖27,數(shù)據(jù)線533包括數(shù)據(jù)阻擋層533a、數(shù)據(jù)導(dǎo)電層533b、數(shù)據(jù) 氮化銅層533c和側(cè)面氮化銅層533d。數(shù)據(jù)氮化銅層533c位于數(shù)據(jù)導(dǎo)電層533b的上表面上，以在隨后的工藝 中保護(hù)數(shù)據(jù)線533。隨后的工藝可以包括用來形成n+非晶硅圖案137b的刻 蝕工藝、清潔工藝和沉積工藝。側(cè)面氮化銅層533d設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)電層533b的側(cè)表面上，以在隨后的工 藝中保護(hù)數(shù)據(jù)線533。例如，側(cè)面氮化銅層533d在用于形成n+非晶硅圖案 137b的蝕刻工藝期間保護(hù)數(shù)據(jù)線533，以便數(shù)據(jù)線533可不被用于蝕刻初n+ 非晶硅圖案的蝕刻劑蝕刻。源電極517與數(shù)據(jù)線533形成在基本相同的層上。源電極517包括源阻
擋圖案517a、源導(dǎo)電圖案517b、源氮化銅圖案517c和第一側(cè)表面氮化銅圖 案517d。源氮化銅圖案517c設(shè)置在源導(dǎo)電圖案517b的上表面上。第 一側(cè)面氮化銅圖案517d設(shè)置在源導(dǎo)電圖案517b的側(cè)表面上，以在用于形成n+非晶硅圖案13 7 b的蝕刻工藝期間保護(hù)源電極517 。漏電極519與數(shù)據(jù)線533形成在基本相同的層上。漏電極519包括漏阻擋圖案519a、漏導(dǎo)電圖案519b、漏氮化銅圖案519c和第二側(cè)面氮化銅圖案519d。漏氮化銅圖案519c設(shè)置在漏導(dǎo)電圖案519b的上表面上。 第二側(cè)面氮化銅圖案519d設(shè)置在漏導(dǎo)電圖案519b的側(cè)表面上，以在用 于形成n+非晶硅圖案137b的蝕刻工藝期間保護(hù)源電極519。第二側(cè)面氮化 銅圖案519d在包括清潔工藝和沉積工藝的隨后的工藝中，可保護(hù)源電極 519。圖27的數(shù)據(jù)氮化銅層533c、源氮化銅圖案517c和漏氮化銅圖案519c 可以通過與關(guān)于圖25所述的基本相同的濺射工藝形成。圖27的側(cè)面氮化銅 層533d、第 一側(cè)面氮化銅圖案517d和第二側(cè)面氮化銅圖案519d可以利用關(guān) 于圖16所述的基本相同的氮化物等離子體形成?？蛇x擇地，數(shù)據(jù)線533、源 電極517和漏電極519的上表面和側(cè)表面的每一個(gè)可由氮化銅層覆蓋。相應(yīng)地，在圖27的陣列基板中，可以提高數(shù)據(jù)線533、源電極517和漏 電極519的蝕刻均勻性，這可以提高陣列基板的產(chǎn)量。圖28表示按照本發(fā)明另 一個(gè)示范性實(shí)施例的陣列基板的橫截面圖。參考圖28,陣列基板包括絕緣基板220、數(shù)據(jù)線233、柵線231、薄膜 晶體管255、柵絕緣層226、鈍化層216和像素電極212?？蛇x擇地，陣列基 板可以包括多個(gè)數(shù)據(jù)線、多個(gè)柵線、多個(gè)薄膜晶體管和多個(gè)像素電極。數(shù)據(jù)線233包括數(shù)據(jù)阻擋層233a、數(shù)據(jù)導(dǎo)電層233b和數(shù)據(jù)氮化銅層 233c。數(shù)據(jù)阻擋層233a設(shè)置在絕緣基板220上，和數(shù)據(jù)導(dǎo)電層233b設(shè)置在 數(shù)據(jù)阻擋層233a上。數(shù)據(jù)氮化銅層233c設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)電層233b的上表面 和側(cè)表面上。薄膜晶體管255的源電極217形成在與數(shù)據(jù)線233基本相同的層上，并 連接到數(shù)據(jù)線233。源電極217包括源阻擋圖案217a、源導(dǎo)電圖案217b和源氮化銅圖案217c。源氮化銅圖案217c設(shè)置在源導(dǎo)電圖案217b的上表面和側(cè)表面上。 薄膜晶體管255的漏電極219形成在與數(shù)據(jù)線233基本相同的層。漏電極219與源電極217隔開。漏電極219包括漏阻擋圖案219a、漏導(dǎo)電圖案219b和漏氮化銅圖案219c。漏氮化銅圖案219c設(shè)置在漏導(dǎo)電圖案219b的上表面和側(cè)表面上。 薄膜晶體管255的半導(dǎo)體圖案237插入在源電極217和漏電極219之間。半導(dǎo)體圖案237包括n+非晶硅圖案237b和非晶硅圖案237a。 n+非晶硅圖案237b包括在源電極217上的第一圖案和漏電極219上的第二圖案。非晶硅圖案237a設(shè)置在n+非晶硅圖案237b和源電極217與漏電極219之間的部分絕緣基板220上。柵絕緣層226設(shè)置在絕緣基板220上，并覆蓋數(shù)據(jù)線233、源電極217、 漏電極219以及半導(dǎo)體圖案237。柵絕緣層226和鈍化層216具有接觸孔251, 通過此接觸孔部分地露出漏電極219 。薄膜晶體管255的柵電極218設(shè)置在相應(yīng)于半導(dǎo)體圖案237的柵絕緣層 226上。柵電極218包括柵阻擋圖案218a、柵導(dǎo)電圖案218b和柵氮化銅圖 案218c。柵氮化銅圖案218c設(shè)置在柵導(dǎo)電圖案218b的上表面和側(cè)表面上。柵線231與柵電極218形成在基本相同的層上，并連接到柵電極218。柵線231包括柵阻擋層231a、柵導(dǎo)電層231b和柵氮化銅層231c。柵導(dǎo) 電層231b設(shè)置在柵阻擋層231a上，且柵氮化銅層231c設(shè)置在柵導(dǎo)電層231b 的上表面和側(cè)表面上。鈍化層216設(shè)置在柵絕緣層226上，以覆蓋柵電極218和柵線231。漏 電極219通過形成在鈍化層和柵絕緣層226中的接觸孔251被部分地露出。像素電極212設(shè)置在鈍化層216上。像素電極212通過形成在鈍化層216 中的接觸孔251連接到漏電極219。因此，在圖28的陣列基板中，可以減少在絕緣基板220上的數(shù)據(jù)線233 和柵絕緣層226上的柵線231的電阻，這可以提高顯示器件的圖像顯示質(zhì)量。圖29是表示按照本發(fā)明另 一個(gè)示范性實(shí)施例的顯示器件的橫截面圖。參考圖29，顯示器件包括絕緣基板320、黑矩陣302、柵線331、數(shù)據(jù) 線(未示出)、驅(qū)動(dòng)電壓線333、驅(qū)動(dòng)晶體管355、開關(guān)晶體管(未示出)、 柵絕緣層326、鈍化層316、彩色濾光片304、像素電極312、有機(jī)發(fā)光層308、 對(duì)立電極306和保護(hù)層305?？蛇x擇地，顯示器件可以包括多個(gè)柵線、多個(gè) 數(shù)據(jù)線、多個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓線、多個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管、多個(gè)開關(guān)晶體管、多個(gè)彩色濾 光片和多個(gè)像素電極。黑矩陣302形成在絕緣基板320上以阻擋光。黑矩陣302包括多個(gè)排列 在矩陣內(nèi)的開口 348。黑矩陣302的每一個(gè)開口 348可相應(yīng)于像素電極312。柵線331設(shè)置在黑矩陣302上,且包括柵阻擋層331a、柵導(dǎo)電層331b 和柵氮化銅層331c。柵導(dǎo)電層331b設(shè)置在柵阻擋層331a上。柵氮化銅層 331c設(shè)置在柵導(dǎo)電層331b的上表面和側(cè)表面上。柵線331連接到開關(guān)晶體 管的柵電極(未示出)。驅(qū)動(dòng)晶體管355的柵電極318與柵線331形成在基本相同的層上。柵電 極318連接到開關(guān)晶體管的漏電極(未示出)。柵電極318包括柵阻擋圖案 318a、柵導(dǎo)電圖案318b和柵氮化銅圖案318c。柵氮化銅圖案318c設(shè)置在柵 導(dǎo)電圖案318b的上表面和側(cè)表面上。柵絕緣層326設(shè)置在絕緣基板320上，在此絕緣基板上形成了黑矩陣 302、柵線331和柵電極318。在圖29中，柵絕緣層326包括由低密度氮化 硅制造的第一柵絕緣層、由高密度氮化硅制造的第二柵絕緣層和由低密度氮 化硅制造的第三柵絕緣層。驅(qū)動(dòng)晶體管355的半導(dǎo)體圖案337設(shè)置在相應(yīng)于柵電極318的柵絕緣層 326上。半導(dǎo)體圖案337包括非晶硅圖案337a和n+非晶硅圖案337b。驅(qū)動(dòng)電壓線333設(shè)置在柵絕緣層326上。驅(qū)動(dòng)電壓線333包括驅(qū)動(dòng)電壓 阻擋層333a、驅(qū)動(dòng)電壓導(dǎo)電層333b和驅(qū)動(dòng)電壓氮化銅層333c。驅(qū)動(dòng)電壓導(dǎo) 電層333b設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電壓阻擋層333a上，且驅(qū)動(dòng)電壓氮化銅層333c設(shè)置 在驅(qū)動(dòng)電壓導(dǎo)電層333b的上表面和側(cè)表面上。驅(qū)動(dòng)晶體管355的源電極317設(shè)置在半導(dǎo)體圖案337上。源電極317電 連接到驅(qū)動(dòng)電壓線333。源電極317包括源阻擋圖案317a、源導(dǎo)電圖案317b 和源氮化銅圖案317c。源氮化銅圖案317c設(shè)置在源導(dǎo)電圖案317b的上表面 和側(cè)表面上。驅(qū)動(dòng)晶體管355的漏電極319與半導(dǎo)體圖案337上的源電極317隔開。 漏電極319包括漏阻擋圖案319a、漏導(dǎo)電圖案319b和漏氮化銅圖案319c。 漏氮化銅圖案319c設(shè)置在漏導(dǎo)電圖案319b的上表面和側(cè)表面上。鈍化層316設(shè)置在柵絕緣層326上，以覆蓋驅(qū)動(dòng)晶體管355、開關(guān)晶體 管和驅(qū)動(dòng)電壓線333。 彩色濾光片304設(shè)置在鈍化層316上以傳輸具有相應(yīng)顏色的波長(zhǎng)的彩色 光。可選4奪地，可以在彩色濾光片304上形成覆蓋層(未示出)。鈍化層316 和彩色濾光片304具有接觸孔351,通過此接觸孔部分地露出驅(qū)動(dòng)晶體管355 的漏電極319。像素電極312設(shè)置在彩色濾光片304上，并通過接觸孔351連接到驅(qū)動(dòng) 晶體管355的漏電極319。像素電極312可以包括透明導(dǎo)電材料。 有機(jī)發(fā)光層308形成在彩色濾光片304上以覆蓋像素電極312。 對(duì)立電極306設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層308上，并可以包括金屬。 保護(hù)層305形成在對(duì)立電極306上以保護(hù)對(duì)立電極306。 當(dāng)電流流經(jīng)像素電極312和對(duì)立電極306之間的有機(jī)發(fā)光層308時(shí)，有 機(jī)發(fā)光層308產(chǎn)生光。由有機(jī)發(fā)光層308產(chǎn)生的光通過彩色濾光片304，因 此顯示圖像。因此，在圖29中的顯示器件中，可以減少柵線331、驅(qū)動(dòng)電壓線333 和數(shù)據(jù)線(未示出)的電阻，這可以提高顯示器件的圖像顯示質(zhì)量。此外， 經(jīng)由在源電極和漏電極317和319的側(cè)表面上形成的氮化銅圖案317c和 319c，可以增加源電極317和漏電極319的蝕刻抵抗性，這可以減少顯示器 件中的缺陷的發(fā)生。按照本發(fā)明，氮化銅圖案形成在導(dǎo)電圖案的上表面和側(cè)表面上，以便可 以省略用于保護(hù)銅線的附加保護(hù)層。這樣，可以降低陣列基板的制造時(shí)間和 制造成本。此外，通過濺射工藝形成的氮化銅圖案與導(dǎo)電圖案具有基本相同的蝕刻率，這可以改進(jìn)陣列基板導(dǎo)電圖案的蝕刻外形。而且，通過氮化物等離子體工藝形成的氮化銅圖案覆蓋導(dǎo)電圖案的側(cè)表面，以在蝕刻n+非晶硅圖案的蝕刻工藝中保護(hù)導(dǎo)電圖案。由于可以降低導(dǎo)電圖案的電阻，也可以提高顯示器件的圖像顯示質(zhì)量。 柵絕緣層也可以具有多層結(jié)構(gòu)以:提高半導(dǎo)體圖案的電特性。 本領(lǐng)域技術(shù)人員明白，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明做出不同的修改和變化。這樣，本發(fā)明旨在覆蓋在附加的權(quán)利要求和它們的等價(jià)物的范圍內(nèi)對(duì)本發(fā)明提供的修改和變化。
權(quán)利要求
1、一種陣列基板，包括在絕緣基板上的開關(guān)元件；連接到該開關(guān)元件的信號(hào)傳輸線，該信號(hào)傳輸線包括在該絕緣基板上的阻擋層；在該阻擋層上的導(dǎo)電線，該導(dǎo)電線包括銅或者銅合金；及覆蓋該導(dǎo)電線的氮化銅層；覆蓋該開關(guān)元件和該信號(hào)傳輸線的鈍化層，該鈍化層包括接觸孔，通過該接觸孔部分地露出該開關(guān)元件的漏電極；以及在該絕緣基板上的像素電極，該像素電極通過該接觸孔連接到該開關(guān)元件的該漏電極。
2、 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中該氮化銅層覆蓋該導(dǎo)電線的上表面。
3、 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中該氮化銅層覆蓋該導(dǎo)電線的上 表面禾p《則表面。
4、 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中該開關(guān)元件進(jìn)一步包括 在該絕緣基板上的柵電極； 在該柵電極上的柵絕緣層；在該柵絕緣層上連接到該漏電極的半導(dǎo)體圖案；以及 在該半導(dǎo)體圖案上與該漏電極分隔開的源電極。
5、 如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其中該信號(hào)傳輸線連接到該柵電極。
6、 如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其中該信號(hào)傳輸線連接到該源電極。
7、 如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其中該源電極包括 在該半導(dǎo)體圖案上的源阻擋圖案；在該源阻擋圖案上的源導(dǎo)電圖案，該源導(dǎo)電圖案包括銅或者銅合金；及 覆蓋該源導(dǎo)電圖案的上表面和側(cè)表面的源氮化銅圖案。
8、 如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其中該漏電極包括 在該半導(dǎo)體圖案上的漏阻擋圖案；在該漏阻擋圖案上的漏導(dǎo)電圖案，該漏導(dǎo)電圖案包括銅或者銅合金；以覆蓋該漏導(dǎo)電圖案的上表面和側(cè)表面的漏氮化銅圖案。
9、 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中該開關(guān)元件包括 在該絕緣基板上與該漏電極分隔開的源電極； 插入在該源電極和漏電極之間的半導(dǎo)體圖案； 覆蓋該源電極、漏電極和半導(dǎo)體圖案的柵絕緣層；以及 在該柵絕緣層上的柵電極，該柵電極相應(yīng)于該半導(dǎo)體圖案。
10、 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，進(jìn)一步包括 插入在該開關(guān)元件的該漏電極和像素電極之間的驅(qū)動(dòng)元件，以向該像素電極施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)；在該像素電極上的有機(jī)發(fā)光層；以及 在該有才幾發(fā)光層上的對(duì)立電極。
11、 一種顯示器件，包括 在絕緣基板上的開關(guān)元件；連接到該開關(guān)元件的信號(hào)傳輸線，該信號(hào)傳輸線包括 在該絕緣基板上的阻擋層；在該阻擋層上的導(dǎo)電線，該導(dǎo)電線包括銅或者銅合金；及覆蓋該導(dǎo)電線的氮化銅層； 在該絕緣基板上的像素電極，該像素電極連接到該開關(guān)元件的漏電極； 覆蓋該開關(guān)元件和信號(hào)傳輸線的鈍化層； 在該鈍化層上的液晶層；在該液晶層上的對(duì)立電極，該對(duì)立電極面對(duì)像素電極；以及 在該對(duì)立電極上的對(duì)立絕緣基板，該對(duì)立絕緣基板面對(duì)該絕緣基板。
12、 一種制造陣列基板的方法，包括 在絕緣基板上形成阻擋層；在該阻擋層上形成包括銅或者銅合金的柵線和連接到該柵線的柵電極； 在該柵線和柵電極上施加氮化物等離子體； 在該絕緣基板上沉積柵絕緣層以覆蓋該柵線和柵電極；以及 在該柵絕緣層上形成數(shù)據(jù)線、連接到該數(shù)據(jù)線的源電極、與該源電極分隔開的漏電極以及半導(dǎo)體圖案，該半導(dǎo)體圖案在該源電極和漏電極之間的該才冊(cè)電極上。
13、 如權(quán)利要求12所述的方法，其中在沉積了該柵絕緣層的相同的腔 體中原位置施加該氮化物等離子體。
14、 如權(quán)利要求13所述的方法，其中在氨氣環(huán)境中，以電力不少于300W 持續(xù)不少于20秒的時(shí)間施加氮化物等離子體。
15、 如權(quán)利要求13所述的方法，其中沉積該柵絕緣層包括 將包含硅烷氣體、氮?dú)夂桶睔獾牡谝粴怏w混合物注入腔體內(nèi)，以在該絕緣基板上形成第一柵絕緣層，在第一氣體混合物中硅烷氣體的量在體積上不 多于6.43 % ;將包含硅烷氣體、氮?dú)夂桶睔獾牡诙怏w混合物注入該腔體內(nèi)，以在該 絕緣基板上形成第二柵絕緣層，在第二氣體混合物中硅烷氣體的量在體積上 不少于6.43%;將包含硅烷氣體、氮?dú)夂桶睔獾牡谌龤怏w混合物注入該腔體內(nèi)，以在該 絕緣基板上形成第三柵絕緣層，在第三氣體混合物中硅烷氣體的量在體積上 不多于6.43%。
16、 如權(quán)利要求15所述的方法，其中第一柵絕緣層的厚度不少于IOA。
17、 一種制造陣列基板的方法，包括在絕緣基板上形成柵線、連接到該柵線的柵電極以及覆蓋該柵線和4冊(cè)電 極的柵絕緣層；在該柵絕緣層上相應(yīng)于該柵電極形成半導(dǎo)體圖案；在該柵絕緣層上形成包括銅或者銅合金的數(shù)據(jù)線、連接到該數(shù)據(jù)線的源 電極、以及關(guān)于該半導(dǎo)體圖案與該源電極分開的漏電極；在該數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極上施加氮化物等離子體；及在該柵絕緣層上沉積鈍化層，以覆蓋該半導(dǎo)體圖案、數(shù)據(jù)線、源電極和 漏電極。
18、 如權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步包括 在其上形成有該半導(dǎo)體圖案的該柵絕緣層上形成導(dǎo)電阻擋層。
19、 如權(quán)利要求18所述的方法，其中該導(dǎo)電阻擋層包括金屬或者合金。
20、 如權(quán)利要求17所述的方法，其中在該柵絕緣層上形成該半導(dǎo)體圖 案包括在該柵絕緣層上形成非晶硅層；以及 在該非晶硅層上形成n+非晶硅層。
21、 如權(quán)利要求20所述的方法，進(jìn)一步包括通過使用氮化物等離子體處理的該源電極和漏電極作為蝕刻掩模，部分地蝕刻該n+非晶硅層。
22、 一種用于制造陣列基板的方法，包括在絕緣基板上順序沉積第一阻擋層、包括銅或者銅合金的第一導(dǎo)電層、 以及第一氮化銅層；對(duì)第一阻擋層、第一導(dǎo)電層以及第一氮化銅層構(gòu)圖，以形成柵線和連接 到該柵線的4冊(cè)電極；在該絕緣基板上沉積柵絕緣層，以覆蓋該柵線和柵電極；以及在該柵絕緣層上形成數(shù)據(jù)線、連接到該數(shù)據(jù)線的源電極、與該源電極分 隔開的漏電極，以及半導(dǎo)體圖案，該半導(dǎo)體圖案在該源電極和漏電極之間的 該才冊(cè)電才及上。
23、 如權(quán)利要求22所述的方法，其中形成該數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極 和半導(dǎo)體圖案包括在該柵絕緣層上順序沉積第二阻擋層、包括銅或者銅合金的第二導(dǎo)電 層、以及第二氮化銅層；以及對(duì)第二阻擋層、第二導(dǎo)電層和第二氮化銅層構(gòu)圖。
24、 如權(quán)利要求23所述的方法，其中形成該數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極 和半導(dǎo)體圖案包括在該數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極上施加氮化物等離子體。
25、 一種制造陣列基板的方法，包括 在絕緣基板上形成阻擋層；在該阻擋層上形成包括銅或者銅合金的柵線以及連接到該柵線的柵電極；在該柵線和柵電極上施加氫等離子體；將包含硅烷氣體、氮?dú)夂桶睔獾牡谝粴怏w混合物注入腔體內(nèi)，以在該絕 緣基板上形成第一柵絕緣層，在第一氣體混合物中硅烷氣體的量在體積上不 多于6.43 % ;將包含硅烷氣體、氮?dú)夂桶睔獾牡诙怏w混合物注入該腔體內(nèi)，以在該 絕緣基板上形成第二柵絕緣層，在第二氣體混合物中硅烷氣體的量在體積上 不少于6.43 o/0;將包含硅烷氣體、氮?dú)夂桶睔獾牡谌龤怏w混合物注入該腔體內(nèi)，以在該 絕緣基板上形成第三柵絕緣層，在第三氣體混合物中硅烷氣體的量在體積上不多于6.43%;以及在第三柵絕緣層上形成數(shù)據(jù)線、連接到該數(shù)據(jù)線的源電極、與該源電極 分隔開的漏電極和半導(dǎo)體圖案，該半導(dǎo)體圖案在該源電極和漏電極之間的該 柵電極上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種陣列基板，包括開關(guān)元件、信號(hào)傳輸線、鈍化層和像素電極。開關(guān)元件設(shè)置在絕緣基板上。信號(hào)傳輸線連接到開關(guān)元件，并包括阻擋層、導(dǎo)電線和氮化銅層。阻擋層設(shè)置在絕緣基板上。導(dǎo)電線設(shè)置在阻擋層上，并且包括銅或者銅合金。氮化銅層覆蓋導(dǎo)電線。鈍化層覆蓋開關(guān)元件和信號(hào)傳輸線并具有接觸孔，通過該接觸孔部分地露出開關(guān)元件的漏電極。像素電極設(shè)置在絕緣基板上，并通過接觸孔連接到開關(guān)元件的漏電極。本發(fā)明還涉及具有陣列基板的顯示器件以及制造陣列基板的方法。
文檔編號(hào)H01L29/423GK101132011SQ200710152639
公開日2008年2月27日 申請(qǐng)日期2007年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月20日
發(fā)明者李制勛, 李殷國(guó), 鄭敞午, 金度賢 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社