專利名稱：顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示器及其制造方法，該顯示器具有有機(jī)電致發(fā)光元件，每 個(gè)有機(jī)電致發(fā)光元件包括有機(jī)發(fā)光層。
背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光元件是一種發(fā)光元件，采用有機(jī)材料的電致發(fā)光(下文中由EL表示)，包括在下電極和上電極之間由有機(jī)材料組成的發(fā)光層等，并且 通過低電壓DC驅(qū)動(dòng)可以以高亮度發(fā)光。近些年，在制造采用有機(jī)EL元件的全色顯示器中，作為形成有機(jī)層圖案的技術(shù)，轉(zhuǎn)移方法引起了人們的關(guān)注。特別是，接觸轉(zhuǎn)移方法使得在形成 在作為轉(zhuǎn)移起點(diǎn)的施主膜上的多層結(jié)構(gòu)的有機(jī)層被原樣保持的狀態(tài)下，有機(jī)層^皮轉(zhuǎn)移到4爭移目的基4反(transfer-destination substrate )。因此，該方法<吏得制造顯示器的步驟簡化。在接觸轉(zhuǎn)移方法中，首先，其上事先沉積有有機(jī)層的施主膜與其上事先 圖案化有下電極的基板緊密接觸。隨后，僅在對應(yīng)于將形成有機(jī)層的部分的 區(qū)域照射激光。這引起只有照射了激光的部分有機(jī)層選擇性地從施主膜轉(zhuǎn)移 到基板上的下電極上。已經(jīng)提出一種用于接觸轉(zhuǎn)移方法的結(jié)構(gòu)，以防止由于施主膜和基板之間 不充分的緊密接觸所引起的轉(zhuǎn)移問題，即使在凹入和凸起存在于其上要轉(zhuǎn)移 有機(jī)層的基板表面上時(shí)。具體地講，在該結(jié)構(gòu)中，凹入和凸起的錐角設(shè)定為 40?；蚋?，并且凹入和凸起的臺(tái)階高度設(shè)定到3000A或更小，以防止這些 問題(參考日本專利公開2005-165324號(特別是0013和0016段))。發(fā)明內(nèi)容作為用于驅(qū)動(dòng)采用有機(jī)EL元件的顯示器的系統(tǒng)，可以采用簡單矩陣系 統(tǒng)和有源矩陣系統(tǒng)。當(dāng)像素的數(shù)量很大時(shí)，有源矩陣系統(tǒng)更合適。優(yōu)選的是有源矩陣顯示器具有從基板相對側(cè)提取光的所謂頂面光提取
結(jié)構(gòu)(下文中稱為頂發(fā)射結(jié)構(gòu))，以便保證有機(jī)EL元件高的開口率。在頂發(fā) 射顯示器中，上電極由透明或半導(dǎo)體透明材料形成。然而，由透明或半透明 材料形成的上電極具有高電阻。因此，在上電極中產(chǎn)生電壓梯度，因此在其 中導(dǎo)致電壓降，其明顯地使顯示性能變劣。對應(yīng)對該問題，提出了一種結(jié)構(gòu)， 其中用于上電極的輔助電極提供在各自的像素中，以防止電壓降。然而，當(dāng)上述的接觸轉(zhuǎn)移方法應(yīng)用于制造提供有輔助電極的顯示器時(shí)， 如果激光照射位置產(chǎn)生錯(cuò)誤，則有機(jī)層也將轉(zhuǎn)移到輔助電極上，這將引起在 上電極和輔助電極之間的接觸失敗。這排除了有效防止電壓降，并且因此難 于增強(qiáng)顯示性能。作為防止該問題的對策， 一種方法會(huì)是適合的，其中下電極和輔助電極 彼此的位置相距足夠遠(yuǎn)，從而激光照射區(qū)域?qū)⒉慌c輔助電極重疊。然而，該 方法對像素布局施加了嚴(yán)格的限制，并且導(dǎo)致低的開口率。需要本發(fā)明提供一種方法，其中通過接觸轉(zhuǎn)移方法在下電極上形成有機(jī) 層，可以防止在輔助電極上形成有機(jī)層，并且不會(huì)降低像素的開率。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造顯示器的方法中，依次執(zhí)行下述步驟。首先， 制備基板和施主膜，在該基板上形成有多個(gè)下電極和多個(gè)輔助電極，在該施 主膜上形成有發(fā)光功能層。隨后，設(shè)置基板和施主膜，使得發(fā)光功能層與下 電極接觸，并且不與輔助電極接觸。在這種狀態(tài)下，用能量射束照射施主膜， 由此發(fā)光功能層選擇性地轉(zhuǎn)移到下電極上。之后，上電極形成來形成發(fā)光元 件。發(fā)光功能層夾置在上電極和下電極之間，上電極連接到輔助電極。在該制造方法中，即使產(chǎn)生能量射束照射區(qū)域的位置錯(cuò)誤，發(fā)光功能層 也不會(huì)轉(zhuǎn)移到輔助電極上，這是因?yàn)樵谑┲髂ず瓦B接孔底部的輔助電極之間 提供有間隙。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造方法中所使用的施主膜的一種構(gòu)造實(shí)例的主要部分的剖面圖；圖2A至2F是示出根據(jù)本發(fā)明第 一 實(shí)施例的制造方法步驟的剖面圖； 圖3是示出在本發(fā)明實(shí)施例中下電極和輔助電極布局的一個(gè)實(shí)例的平面圖；圖4A至4F是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的制造方法步驟的剖面圖； 圖5A至5F是示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的制造方法步驟的剖面圖； 圖6A至6F是示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的制造方法步驟的剖面圖； 圖7A至7F是示出根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的制造方法步驟的剖面圖； 圖8A至8C是示出本發(fā)明實(shí)施例的修改實(shí)例步驟的剖面圖；和 圖9是示出在無源矩陣顯示器中下電極、輔助電極和上電極布局的一個(gè) 實(shí)例的平面圖。
具體實(shí)施方式
下面將根據(jù)附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。 〈施主膜〉在采用有機(jī)EL元件作為其發(fā)光元件的顯示器的制造中，圖l所示的施 主膜用于形成有機(jī)EL元件的有機(jī)層。在該施主膜l中，有機(jī)層(即發(fā)光功 能層)5作為轉(zhuǎn)移目標(biāo)與光熱轉(zhuǎn)換層3和保護(hù)層4 一起提供在基膜2上。1 )基膜2作為基膜2，可以采用透明聚合膜。透明聚合物的實(shí)例包括但不限于聚 碳酸酯、聚對苯二曱酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)、聚酯、聚丙烯 酸酯(polyacryl)、聚環(huán)氧樹脂(polyepoxy)、聚乙烯、聚苯乙烯和聚醚石風(fēng)。 優(yōu)選基膜2的膜厚度約為10至600|im,更優(yōu)選厚度約為50至200pm。2) 光熱轉(zhuǎn)換層3光熱轉(zhuǎn)換層3是一種具有有效地吸收光并且產(chǎn)生熱的功能的膜。該膜的 實(shí)例包括但不限于鋁膜、包括鋁的氧化物/氮化物的金屬膜和在聚合物材料中 通過分散碳黑、石墨和紅外線染料等獲得的膜。3) 保護(hù)層4保護(hù)層4設(shè)置在光熱轉(zhuǎn)換層3和有機(jī)層5之間，其作為轉(zhuǎn)移層，并且防 止光熱轉(zhuǎn)換層3對有機(jī)層5的污染。保護(hù)層4的材料的實(shí)例包括但不限于聚 -cx-甲基苯乙烯(poly-a-methylstyrene )。保護(hù)層4還可以具有幫助分隔有機(jī) 層5的功能和控制光熱轉(zhuǎn)換層3產(chǎn)生熱量的功能。保護(hù)層4根據(jù)需要而提供。盡管在圖中未示出，但是根據(jù)需要?dú)怏w產(chǎn)生層還可以提供在保護(hù)層4上。 氣體產(chǎn)生層吸收光和熱以通過分解反應(yīng)產(chǎn)生和排;故氣體(例如氮?dú)?用于有 效轉(zhuǎn)移。其材料的實(shí)例包括季戊四醇四硝酸酯(pentaerythritol tetranitrate )、
三硝基曱苯(trinitrotoluene )。然而，本發(fā)明對其不作具體限定。 4)有機(jī)層5有機(jī)層5可以具有單層結(jié)構(gòu)，或者可以具有多層結(jié)構(gòu)。對于有機(jī)層5重 要的是，根據(jù)采用施主膜所制造的有機(jī)EL元件所需的特性來設(shè)計(jì)其層結(jié)構(gòu)。 有機(jī)層5結(jié)構(gòu)的實(shí)例包括下述的單層結(jié)構(gòu)和多層結(jié)構(gòu)。 (1 )有機(jī)發(fā)光層(2) 電子傳輸層(3) 空穴傳輸層/有機(jī)發(fā)光層(4) 有機(jī)發(fā)光層/電子傳輸層(5) 空穴傳輸層/有機(jī)發(fā)光層/電子傳輸層(6) 空穴注入層/空穴傳輸層/有機(jī)發(fā)光層/電子傳輸層(7 )空穴注入層/空穴傳輸層/有機(jī)發(fā)光層/阻擋層/電子傳輸層 在這些結(jié)構(gòu)(1)至(7)中的每一層可以是單層或可以是多層結(jié)構(gòu)。在 一些情況下，多層結(jié)構(gòu)(3 )至(7 )根據(jù)有機(jī)EL元件的構(gòu)造可以具有顛倒 的層堆疊次序。在(1)至(7)的結(jié)構(gòu)中的每一層可以由現(xiàn)有的方法沉積。 例如，有機(jī)發(fā)光層可以通過干法工藝?yán)缯婵照舭l(fā)、電子束(EB)、分子束 外延(MBE)或?yàn)R射直接沉積有機(jī)發(fā)光材料而形成。然而，本發(fā)明對此不作 具體限定。圖1示出了作為一個(gè)實(shí)例的有機(jī)層5，其具有通過倒置結(jié)構(gòu)(6)所獲得 的結(jié)構(gòu)。具體地講，有機(jī)層5具有這樣的一種結(jié)構(gòu)，其中從基膜側(cè)依次沉積 的電子傳輸層5a、有機(jī)發(fā)光層5b、空穴傳輸層5c和空穴注入層5d。在制造全色彩顯示器的情況下，為了在基板上形成紅、綠和藍(lán)發(fā)光色彩 的有機(jī)EL元件，準(zhǔn)備了對應(yīng)于這些發(fā)光色彩的三種施主膜1。在這些施主 膜l中，至少有機(jī)發(fā)光層5b具有不同的構(gòu)造，每個(gè)通過使用對于其各個(gè)發(fā) 光色彩特有的發(fā)光材料形成。作為一個(gè)具體的實(shí)例，在用于形成藍(lán)有機(jī)EL元件所使用的施主膜1中， 蒸鍍Alq3[三(8-羥基喹啉)鋁(III)]，膜厚度為20nm,作為電子傳輸層 5a,其也用作發(fā)光層。在電子傳輸層5a上，通過蒸鍍來沉積材料層，以作 為有機(jī)發(fā)光層5b。例如，該材料層的厚度約為25nm，并且起于對作為電子 轉(zhuǎn)移主體材料的AND ( 二萘基蒽(anthracene dinaphtyl))摻雜作為藍(lán)發(fā)光客 體材料的2.5wt。/o的4,4，-二[2-(4-(N, N-二苯胺)苯基)乙烯基]聯(lián)苯
(4,4，-bis[2-{4-(N, N陽diphenylamino)phenyl〉vinyl]biphenyl (DPAVBi))。隨后， 作為空穴傳輸層5c,蒸鍍a-NPD[4,4-二(N-l-萘基-N-苯氨基)聯(lián)苯](a-NPD [4，4-bis(N-l-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl]),薄膜厚度為30nm,最后蒸 鍍膜厚為10nm的空穴注入層5d， m-MTDATA[4,4,4-三(3-甲基苯基苯氨基) 三苯胺(m-MTDATA[4,4，4-tris(3 -methylphenylphenylamino)triphenylamine)。 <第一實(shí)施例>圖2A至2F是說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的采用具有上述一個(gè)結(jié)構(gòu)實(shí)例 的制造方法步驟的剖面圖。這些步驟的剖面圖對應(yīng)于顯示區(qū)中的一個(gè)^象素的剖面。首先參照圖2A,包括在像素電路中的薄膜晶體管Tr、電容元件和電阻 元件(未示出)形成在由例如光透明材料組成的基板10上。隨后，沉積覆 蓋這些元件(圖中的薄膜晶體管Tr)的第一絕緣膜12。此外，在第一絕緣 膜12上適當(dāng)形成連接到晶體管Tr的源極電極互連14s和漏極電極互連14d， 以及連"^姿到這些互連14s和14d的信號線、電源線等。此后，第二絕緣膜16以覆蓋這些互連的方式形成在第一絕緣膜12上。 在本實(shí)例中，該第二絕緣膜16形成為平坦絕緣膜，其例如由有機(jī)絕緣材料 形成，比如聚酰亞胺或光致抗蝕劑，或者由無機(jī)絕緣材料形成，比如玻璃上 硅(SOG)。在該第二絕緣膜16中，形成到達(dá)漏極電極互連14d的連接孔16a。隨后，有機(jī)EL元件的下電極18形成在形成為平坦絕緣膜的第二絕緣膜 16的平坦表面上。如圖3的布局圖所示，例如，下電才及18在顯示區(qū)中形成 為矩陣作為像素電極，其每一個(gè)用于各自的像素，并且每個(gè)下電極18通過 連接孔16a連接到漏極電極互連14d。在本實(shí)例中，下電極18用作陽極電極。如果在本實(shí)例中要制造的顯示 器是頂發(fā)射顯示器，則下電極18采用對可見光高反射性的材料形成。相反， 如果該顯示器為透射性顯示器，則下電極18采用對可見光透明的材料形成。當(dāng)顯示器為頂發(fā)射型時(shí)，用作陽極電極的下電極18采用任何下面對可 見光具有高反射性的導(dǎo)體材料或者任何這些材料的合金形成銀(Ag)、鋁 (Al)、鉻(Cr)、鐵(Fe)、鈷(Co )、鎳(Ni)、銅(Cu)、鉭(Ta)、鵠(W)、 鉑(Pt)和金(Au )。當(dāng)顯示器為透射型顯示器而下電極用作陽極電極時(shí)，下電極18采用對 可見光提供高透射性的導(dǎo)體材料形成，例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化
物(IZO)。當(dāng)有機(jī)EL元件是頂發(fā)射元件而下電極18用作陰極電極時(shí)，下電極18 采用小功函導(dǎo)電材料中對于可見光具有高反射率的材料形成，例如鋁(Al)、 銦(In)和鎂(Mg)-銀(Ag)合金。當(dāng)有機(jī)EL元件是透射型元件而下電 極18用作陰極電極時(shí)，下電極18采用小功函并對可見光提供高透射率的導(dǎo) 電材料形成。在第二絕緣膜(平坦絕緣膜)16上，形成輔助電極20,使其保持與下 電極18隔離。該輔助電極20可以提供顯示區(qū)中的公共電壓。如圖3的布局 圖所示，例如，在以矩陣排列的下電極18之間，輔助電極20成行和列地提供。特別是在第一實(shí)施例中，重要的是輔助電極20的膜厚度設(shè)定成小于下 電極的厚度。優(yōu)選滿足關(guān)系式t2^tl+約500 nm,其中tl和t2分別表示輔助 電極20和下電極18的膜厚度。該關(guān)系式使得下電極18的表面位置高于輔 助電4及20的位置。輔助電極20的形成步驟可以不同于下電極18的單獨(dú)的形成步驟。或者， 其可以在相同的步驟中形成，然后其膜厚度可以通過蝕刻調(diào)整，以僅減小輔 助電極20的厚度。接下來參照圖2B，形成第三絕緣膜22,從而覆蓋下電極18和輔助電極 20。第三絕緣膜22形成為例如由有機(jī)絕緣材料或者無機(jī)絕緣材料組成的平 坦絕緣膜，有機(jī)絕緣材料比如為聚酰亞胺或光致抗蝕劑，無機(jī)絕緣材料比如 為SOG。因此，第三絕緣膜22在輔助電極20上的厚度大于在下電極18上 的厚度。隨后，在第三絕緣膜22中，形成寬泛暴露下電極18的中心部分而覆蓋 其周邊邊緣的開口 22a和達(dá)到輔助電極20的連接孔22b。因此，在輔助電極 20上的連接孔22b的深度大于在下電極18上的開口 22a的深度。在該孔形 成步驟中，優(yōu)選進(jìn)行蝕刻，設(shè)定蝕刻條件使得開口 22a側(cè)壁的錐角為30°或 更小。接下來參照圖2C,施主膜1設(shè)置在基板10的其上形成有下電極18的 一個(gè)表面?zhèn)?。具體地講，具有圖1所示的構(gòu)造的施主膜1的有機(jī)層側(cè)與基板 10的下電極側(cè)進(jìn)行緊密接觸。此時(shí)，間隙d提供在有機(jī)層5和暴露在連接孔 22b的底部的輔助電極20之間，其中連接孔22b比開口 22a更深。另 一方面，
有機(jī)層5與暴露在開口 22a的底部的下電極18進(jìn)行緊密接觸，其中開口 22a 比連才妄孑L 22b淺。在該狀態(tài)下，從施主膜側(cè)照射能量射束例如激光h到對應(yīng)于所選的像素 下電極18的部分。例如，在用于紅有機(jī)EL元件的施主膜1與基板10緊密 接觸的情況下，只有對應(yīng)于紅像素中所形成的下電極18的區(qū)域選擇性地照 射激光h。因此，施主膜1上的有機(jī)層5被選擇性地轉(zhuǎn)移到下電極18上。用作激光h的光是波長允許施主膜1的光熱轉(zhuǎn)換層(見圖1)的材料充 分吸收該光的光。例如，當(dāng)光熱轉(zhuǎn)換層由包含碳黑的聚合物形成時(shí)，例如半 導(dǎo)體CW激光源用于發(fā)射波長為800nm的紅外線激光， >(人而引起施主膜1 的光熱轉(zhuǎn)換層(見圖1)吸收激光h，而在其中所產(chǎn)生的熱用于將沉積在施 主膜1上的有機(jī)層5轉(zhuǎn)移到基板10上。在接觸轉(zhuǎn)移中，重要的是用激光h照射的區(qū)域被設(shè)計(jì)成使得激光h將被 發(fā)射到對應(yīng)于經(jīng)開口 22a所暴露的整個(gè)下電極18的有效區(qū)域，并且由此在 所選定像素區(qū)中的下電極18的暴露面將完全由有機(jī)層5覆蓋。因此，當(dāng)激 光發(fā)射設(shè)備包括精確對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)時(shí)，具有適當(dāng)調(diào)整的斑直徑的激光被沿著基板 IO上的對準(zhǔn)標(biāo)記(例如下電極18)發(fā)射。此外，也可以使用掩模，其具有對應(yīng)于激光h要照射的部分的孔。在這 種情況下，掩模(未示出)設(shè)置在施主膜1上，而發(fā)射斑直徑大于孔的直徑 的激光。這使得激光h經(jīng)掩模的孔被精確地發(fā)射到必需的區(qū)域上。在采用掩模的情況下，寬泛的區(qū)域(例如整個(gè)面)可以統(tǒng)一用激光照射。 這使得在很短的時(shí)間里用激光h照射預(yù)定的區(qū)域。接下來參照圖2D，施主膜1與基板10分離。在紅像素的下電極18上 形成有機(jī)層5。之后，通過采用用于綠有機(jī)EL元件的施主膜1,進(jìn)行圖2C和2D的步 驟，以在形成于綠像素中的下電極18上選擇性地形成用于發(fā)綠光的有機(jī)層 5。另外，通過采用用于藍(lán)有機(jī)EL元件的施主膜1，進(jìn)行圖2C和2D的步 驟，以在形成于藍(lán)像素中的下電極18上選擇性地形成用于發(fā)藍(lán)光的有機(jī)層隨后，如圖2E所示，對各個(gè)像素共用的上電極30形成在基板10上的 整個(gè)顯示區(qū)域上。上電極30連接到輔助電極20。上電極30與下電沖及18由 有機(jī)層5和第三絕緣膜22隔離。在本實(shí)例中，因?yàn)橄码姌O18形成為陽極電極，所以上電極30形成為陰極電極。當(dāng)要制造的顯示器為頂發(fā)射顯示器時(shí)，上電極30采用對可見光透 明或半透明的材料形成。當(dāng)顯示器為透射性顯示器時(shí)，上電極30采用對可 見光具有高反射率的材料形成。當(dāng)顯示器為頂發(fā)射顯示器時(shí)，優(yōu)選用作陰電極的上電極30由小功函的 材料形成，從而電子可以被有效地注入有機(jī)層5。此外，為了促進(jìn)電子注入， 上電極30可以具有多層結(jié)構(gòu)，包括例如氟化鋰薄膜的無機(jī)薄膜。在本實(shí)例 中，提供高透射率的金屬薄膜，用作上電極30，優(yōu)選該透射率為30%或更 高。例如，Mg-Ag合金膜通過共濺射形成，膜厚度為14nm。當(dāng)顯示器為透射型顯示器時(shí)，用作陰極電極的上電極30釆用具有小功 函和對于可見光的高反射率的導(dǎo)電材料形成。采用沉積方法執(zhí)行上電極30的形成，在該沉積方法中沉積粒子的能量 很低，以至于對于下面的層沒有影響，這例如蒸鍍或者化學(xué)氣相沉積(CVD)。 此外，優(yōu)選在形成有機(jī)層5后，以與形成有機(jī)層5相同的設(shè)備進(jìn)行上電極30 的形成，從而不將有機(jī)層5暴露于大氣，以防止有機(jī)層5由于大氣中的水而 劣化。通過上面描述的步驟，在下電極18和上電極30之間夾置有有機(jī)層5的 有機(jī)電致發(fā)光元件EL形成在基板10上，對應(yīng)于各自的開口 22a。對于有機(jī) 電致發(fā)光元件EL，上電極30連接到輔助電極20,這防止了電壓降。接下來參照圖2F，絕緣或者導(dǎo)電保護(hù)膜32設(shè)置在上電極30上。采用 沉積方法設(shè)置保護(hù)層32，在該沉積方法中沉積粒子的能量很低，以至于對下 面的層沒有影響，這例如蒸鍍或者化學(xué)氣相沉積(CVD)。此外，在形成上 電極30后，以用于形成上電極的相同的設(shè)備進(jìn)行保護(hù)膜32的形成，而不將 上電極30暴露到大氣。這防止了有機(jī)層5由于大氣中的水和氧而引起劣化。保護(hù)膜32采用低滲水性和低吸水性的材料形成足夠大的膜厚度，以便 防止水達(dá)到有機(jī)層5。然而，當(dāng)顯示器為頂發(fā)射型顯示器時(shí)，該保護(hù)膜32 通過采用允許有機(jī)層5所產(chǎn)生的光通過的材料形成。在本實(shí)例中，保護(hù)膜32釆用絕緣材料形成。對于這樣的保護(hù)膜32,優(yōu) 選可以采用無機(jī)非晶體絕緣材料形成，例如非晶硅(a-Si)、非晶碳化硅 (a-SiC)、非晶氮化硅(a-Si卜xNx)或者非晶碳(a-C)。這樣的無機(jī)非晶體 絕緣材料不包括晶粒，并因此具有低的滲水性。
例如，在形成由非晶氮化硅組成的保護(hù)膜32的情況下，由CVD形成膜 厚度為2至3pm。在該膜的沉積中，希望沉積溫度被設(shè)定為室溫，以便防止 由于有機(jī)層5的劣化而引起亮度降低，并且沉積條件被設(shè)定成可以最小化膜 應(yīng)力以防止保護(hù)膜32的分離。在采用導(dǎo)電材料形成保護(hù)膜32的情況下，采用透明導(dǎo)電材料，例如ITO 或IZO。在形成保護(hù)膜32后，相對基板36根據(jù)需要用UV固化樹脂34固定在 保護(hù)膜32上，從而完成顯示器38。 <第二實(shí)施例>圖4A至4F是說明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例采用具有上述一種構(gòu)造實(shí)例的 施主膜的制造方法步驟的剖面圖。這些步驟剖面圖對應(yīng)于顯示器中 一個(gè)像素 的剖面。在第二實(shí)施例中，對與第一實(shí)施例相同的部件給出相同的標(biāo)號，并 且省略其重復(fù)的描述。首先參照圖4A,包括在像素電路中的元件例如薄膜晶體管Tr形成在基 板10上，并且這些元件由第一絕緣膜12覆蓋。在第一絕緣膜12上，適當(dāng) 形成連接到薄膜晶體管Tr的源極電極互連14s和漏極電極互連14d,以及形 成連接到這些互連14s和14d的信號線和電源線等。隨后，以覆蓋這些互連的方式在第一絕緣膜12上形成第二絕緣膜16。 優(yōu)選該第二絕緣膜16形成為平坦絕緣膜。在第二絕緣膜16中，形成達(dá)到漏 才及電極互連14d的連4妄孔16a。隨后，有機(jī)EL元件的下電極18和輔助電極40形成在形成為平坦絕緣 膜的第二絕緣膜16的平坦表面上。如圖3所示的布置圖中，下電極18作為 像素電極在顯示區(qū)域中形成為矩陣，其每一個(gè)都用于各自的一個(gè)像素，并且 每個(gè)下電極18經(jīng)連接孔16連接到漏極電極互連14d。輔助電極40可以提供 有顯示區(qū)中的公共電壓，并且成行和列地提供在排列成矩陣的下電極18之 間。下電極18和輔助電極40可以以相同的步驟形成。接下來參照圖4B,第三絕緣膜22以覆蓋下電極18和輔助電極40的方 式形成。第三絕緣膜22形成為平坦絕緣膜，例如由有機(jī)絕緣材料比如聚酰 亞胺或光致抗蝕劑組成，由或者無機(jī)絕緣材料比如SOG組成。隨后，在第三絕緣膜22中，形成暴露下電極18的開口 22a和到達(dá)輔助 電極40的連接孔22b。第二實(shí)施例的特征是，增加了開口22a的尺寸，從而
也暴露了下電極18的側(cè)壁，以減少連接孔22b的孔尺寸與開口 22a的孔尺 寸的比率。在上述的步驟后，類似于第一實(shí)施例進(jìn)行圖4C至4F所示的步驟。 首先參照圖4C，施主膜1設(shè)置在基板10的一個(gè)表面?zhèn)壬?，其上形成?下電極18。具體地講，具有圖1所述構(gòu)造的施主膜1的有機(jī)層側(cè)與基板10 的下電極側(cè)進(jìn)行緊密接觸。此時(shí)，有機(jī)層5與暴露在增大尺寸的開口 22a底 部的下電極18進(jìn)行緊密接觸。另一方面，間隙d提供在有機(jī)層5和暴露在 連接孔22b底部的輔助電極40之間，連接孔22b的孔尺寸比相對于開口 22a 尺寸的增加而充分增加。在這種狀態(tài)下，用能量射束例如激光h從施主膜側(cè)照射對應(yīng)于所選像素 的下電極18的部分。由此，在施主膜1上的有機(jī)層5被選擇性地轉(zhuǎn)移到下 電極18上。接下來參照圖4D，施主膜1與基板10分離。此后，通過重復(fù)圖4C至4D的步驟，對于剩余的每種色彩的有機(jī)層5 選擇性地形成在各個(gè)色彩的像素中的下電極18上。隨后，如圖4E所示，各像素公共的上電極30形成在基板10上的整個(gè) 顯示區(qū)域上。上電極30連接到輔助電極40。此后，如圖4F所示，絕緣或者導(dǎo)電保護(hù)膜32提供在上電極30上。此 外，相對基板36根據(jù)需要用UV固化樹脂34固定在保護(hù)膜32上，從而完 成了顯示器38a。<第三實(shí)施例>圖5A至5F是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例釆用具有上述一種構(gòu)造實(shí)例的施主 膜的制造方法步驟的剖面圖。這些步驟的剖面圖對應(yīng)于顯示區(qū)中 一個(gè)像素的 剖面。在第三實(shí)施例中，對與第二實(shí)施例相同的部件給出相同的標(biāo)號，并且 省略其重復(fù)描述。首先參照圖5A,包括在像素電路中的元件例如薄膜晶體管Tr形成在基 板10上，并且第一絕緣膜12覆蓋這些元件。在第一絕緣膜12上，適當(dāng)形 成連接到薄膜晶體管Tr的源極電極互連14s和漏極電才及互連14d，以及形成 連接到這些互連14s和14d的信號線和電源線等。隨后，類似于第二實(shí)施例，第二絕緣膜16形成在第一絕纟彖膜12上，并 且提供到達(dá)漏極電極互連14d的連接孔16a,隨后在第二絕緣膜16的平坦表
面上形成有機(jī)EL元件的下電極18和輔助電極40。接下來參照圖5B，以覆蓋下電極18和輔助電極40的方式形成第三絕 緣膜22。第三絕緣膜22形成為平坦絕緣膜，由例如有機(jī)絕緣材料比如聚酰 亞胺或光致抗蝕劑組成，或者由無機(jī)絕緣材料比如SOG組成。隨后，在第三絕緣膜22中，形成寬泛暴露下電極18中心部分而覆蓋其 周邊邊緣的開口 22a和到達(dá)輔助電極40的連接孔22b。第三實(shí)施例的特征是， 開口 22a和連接孔22b形成，以使得開口 22a側(cè)壁的錐角01 (優(yōu)選錐角91 等于或小于30。)小于連接孔22b側(cè)壁的錐角02。采用抗蝕劑圖案通過例如兩次蝕刻進(jìn)行該開口 22a和連接孔22b的形 成。具體地講，在第三絕緣膜22上形成具有對應(yīng)于錐角為91的開口22a的 孔的第一抗蝕劑圖案。隨后，從第一抗蝕劑圖案的上面對第三絕緣膜22和 第一抗蝕劑圖案進(jìn)行蝕刻，從而錐角為01的開口 22a形成在第三絕緣膜22 中。同樣，通過采用第二抗蝕劑圖案進(jìn)行蝕刻，錐角為02的連接孔22b形 成在第三絕緣膜22中。根據(jù)暴露量等在形成抗蝕劑時(shí)可以調(diào)整提供在第一和第二抗蝕劑圖案 中的孔的錐角。在上述的步驟之后，類似于第一實(shí)施例進(jìn)行圖5C至5F所示的步驟。 首先參照圖5C,施主膜1設(shè)置在基板10的其上形成有下電極18的一 個(gè)表面?zhèn)?。具體地講，具有圖1所述構(gòu)造的施主膜1的有機(jī)層側(cè)與基板10 的下電極側(cè)進(jìn)行緊密接觸。此時(shí)，間隙d提供在有機(jī)層5和暴露在連接孔22b 的底部的輔助電極40之間，連接孔22b的側(cè)壁錐角02大于開口 22a的側(cè)壁 錐角01。另一方面，有機(jī)層5與暴露在開口 22a底部的下電極18進(jìn)行緊密 -接觸，開口 22a的側(cè)壁錐角91小于連4妻孔22b的側(cè)壁錐角62。在該狀態(tài)下，用能量射束例如激光h從施主膜側(cè)照射到對應(yīng)于所選擇像 素的下電極18的部分。由此，在施主膜1上的有機(jī)層5選擇性地轉(zhuǎn)移到下 電極18上。隨后，如圖5D所示，施主膜1與基板10分離。此后，通過重復(fù)圖5C和5D的步驟，對于每個(gè)剩余色彩的有機(jī)層5選 擇性地形成在下電極18上，而該下電極18形成在每一個(gè)色彩的像素中。隨后，如圖5E所示，對于各像素公共的上電極30形成在基板10上的 整個(gè)顯示區(qū)域。上電極30連接到輔助電極40,在有機(jī)層5轉(zhuǎn)移后其也被暴 々 膝。通過上電極30的形成，在基板IO上對應(yīng)于各自開口 22a形成有機(jī)電致 發(fā)光元件EL，其中有機(jī)層5夾置在下電極18和上電極30之間。對于有機(jī) 電致發(fā)光元件EL,上電極30連接到輔助電極40，這防止電壓降。在上電極30形成后，如圖5F所示，絕緣或?qū)щ姳Ｗo(hù)膜32提供在上電 極30上。此外，相對基板36根據(jù)需要用UV固化樹脂固定在保護(hù)膜32上， 從而完成顯示器38b。上述第一、第二和第三實(shí)施例可以適當(dāng)?shù)乇舜私M合，并且該組合可以增 強(qiáng)這些實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)?！吹谒膶?shí)施例〉圖6A至6F是說明根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例采用具有上述一個(gè)構(gòu)造實(shí)例施 主膜的制造方法步驟的剖面圖。這些步驟的剖面圖對應(yīng)于顯示區(qū)域中 一個(gè)像 素的剖面。在第四實(shí)施例中，對與第一實(shí)施例相同的部件給出相同的標(biāo)號， 并且省略其重復(fù)的描述。首先參照圖6A,包括在像素電路中的元件例如薄膜晶體管Tr形成在基 板10上，并且這些元件由第一絕緣膜12覆蓋。在第一絕緣膜12上，適當(dāng) 形成連接到薄膜晶體管Tr的源極電極互連14s和漏極電極互連14d，以及形 成連接到這些互連14s和14d的信號線和電源線等。第四實(shí)施例的特征是，輔助電極50采用與任何上述元件和互連相同的 層形成。類似于第一實(shí)施例，輔助電極50提供有在顯示區(qū)域中的公共電壓。 如圖3所示的布局圖中，例如，輔助電極50成行和列地提供在接下來的步 驟中將要形成的電極18之間。盡管在附圖所示結(jié)構(gòu)中輔助電極50采用與源 極電極互連14s和漏極電極互連14d相同的層形成，但是輔助電極50可以 采用與另一個(gè)互連(未示出)相同的層形成。在形成包括輔助電極50的互連后，第二絕緣膜16以覆蓋這些互連的形 式形成在第一絕緣膜12上。該第二絕緣膜16可以形成為類似于附圖所示的 平坦絕緣膜，或者可以形成為具有基本上相同的膜厚度。在第二絕緣膜16中，形成達(dá)到漏極電極互連14d的連接孔16a。此時(shí)， 同時(shí)形成達(dá)到輔助電極50的連接孔16b。接下來參照圖6B,在第二絕緣膜16上，形成連接到漏極電極互連14d 的下電極18，以便下電極18成矩形地設(shè)置在顯示區(qū)域中。這使得要設(shè)置的 下電極18的表面高于輔助電極50的表面。如圖3所示的布局圖中，下電極18設(shè)置在成行和列地提供的輔助電極50之間。在上述的步驟后，類似于第一實(shí)施例進(jìn)行圖6C至6F所示步驟。 具體地講，首先參照圖6C,施主膜1設(shè)置在基板10的其上形成有下電極18的一個(gè)表面上。具體地講，帶有圖1所述構(gòu)造的施主膜1的有機(jī)層側(cè)與基板10的下電極側(cè)進(jìn)行緊密接觸。此時(shí)，間隙d提供在有機(jī)層5和暴露在連接孔16b底部的輔助電極50之間。另一方面，有機(jī)層5與形成在第二絕緣膜16的表面上的下電極18進(jìn)行緊密接觸。在該狀態(tài)下，用能量射束例如激光h從施主膜側(cè)照射對應(yīng)于所選擇像素的下電極18的部分。由此，在施主膜1上的有機(jī)層5選擇性地轉(zhuǎn)移到下電極18上。接下來參照圖6D，施主膜1與基板10分離。此后，通過重復(fù)附圖6C和6D的步驟，對于每個(gè)剩余色彩的有機(jī)層5 選擇性地形成在下電極18上，而該下電極18形成在每一個(gè)色彩的像素中。隨后，如圖6E所示，對各像素公共的上電極30形成在基板10上的整 個(gè)顯示區(qū)域上。上電才及30連接到輔助電才及50上。此后，如圖6F所示，絕緣或?qū)щ姳Ｗo(hù)膜32提供在上電極30上。此外， 相對基板36根據(jù)需要用UV固化樹脂34固定在保護(hù)膜32上，從而完成顯 示器52。第四實(shí)施例可以與第 一 實(shí)施例組合，并且該組合可以增強(qiáng)實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)。<第五實(shí)施例>圖7A至7F是說明根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例采用具有上述一個(gè)構(gòu)造實(shí)例的 施主膜的制造方法步驟的剖面圖。這些步驟的剖面圖對應(yīng)于顯示區(qū)域中的一 個(gè)像素的剖面。在第五實(shí)施例中，對與第一實(shí)施例相同的部件給出相同的標(biāo) 號，并且省略其重復(fù)的描述。首先參照圖7A,包括在像素電路中的元件例如薄膜晶體管Tr形成在基 板10上，并且這些元件由第一絕緣膜12覆蓋。在第一絕緣膜12上，適當(dāng) 形成連接到薄膜晶體管Tr的源極電極互連14s和漏極電極互連14d，以及形 成連接到這些互連14s和14d的信號線和電源線等。類似于第四實(shí)施例，第五實(shí)施例的特征也是輔助電極50通過采用與上
述元件和互連相同的層形成。在形成包括輔助電極50的互連后，第二絕緣膜16以覆蓋這些互連的形式形成在第一絕緣膜12上。此外，形成達(dá)到漏極電極互連14d的連接孔16a。 該第二絕緣膜16可以形成為類似附圖所示的平坦絕緣膜，或者可以形成為 具有基本上均勻的膜厚度。在達(dá)到漏極電極互連14d的連接孔16a提供在第二絕緣膜16中后，每 一個(gè)都連接到漏極電極互連14d的下電極18形成在第二絕緣膜16上，從而 成矩陣地設(shè)置在顯示區(qū)域中。這使得下電極18的表面定位成高于輔助電極 50的表面。如圖3所示的布置圖中，下電極18設(shè)置在成行和列地設(shè)置的輔 助電才及50之間。接下來參照圖7B，第三絕緣膜22以覆蓋下電極18的形式形成。該第 三絕緣膜22可以類似附圖所示形成為平坦絕緣膜，或者可以形成為具有基 本上均勻的膜厚度。通過上述的步驟，下電極18由第三絕緣膜22覆蓋，而 輔助電極50由第二絕緣膜16和第三絕緣膜22覆蓋。因此，在輔助電極50 上絕緣層的膜厚度大于下電極18上絕緣層的膜厚度。隨后，在第三絕緣膜22中，形成寬泛地暴露下電極18的中心部分而覆 蓋其周邊邊緣的開口 22a。此外，達(dá)到輔助電極50的連接孔22b，形成在第三 絕緣膜22和第二絕緣膜16中。因此，在輔助電極50上連接孔22b，的深度 大于在下電極18上開口 22a的深度。在孔形成步驟中，優(yōu)選執(zhí)行蝕刻，該 蝕刻的條件設(shè)定成開口 22a側(cè)壁的錐角小于30?；蚋?。在上述步驟之后，類似于第一實(shí)施例進(jìn)行圖7C至7F所述的步驟。首先參照圖7C，施主膜1設(shè)置在基板10的其上形成有下電極18的一 個(gè)表面?zhèn)取Ｔ谑┲髂?上的有機(jī)層5與在基板10上的下電極18進(jìn)行緊密接 觸。此時(shí)，間隙d提供在有機(jī)層5和暴露在連接孔22b'底部的輔助電極50 之間，連接孔22b'比開口 22a深。另一方面，有機(jī)層5與暴露在開口 22a底 部的下電4及18緊密"l妻觸，開口 22a比連4妻孔22b'淺。在該狀態(tài)下，從施主膜側(cè)發(fā)射能量射束例如激光h。因此，在施主膜1 上的有機(jī)層5被選擇性地轉(zhuǎn)移到下電極18上。接下來參照圖7D，施主膜1與基板10分離。此后，通過重復(fù)圖7C和7D的步驟，對于每個(gè)剩余色彩的有機(jī)層5選 擇性地形成在下電極18上，該下電極18形成在每一個(gè)色彩的像素中。
隨后，如圖7E所示，對各像素公共的上電極30形成在基板10上的整 個(gè)顯示區(qū)域上。上電極30連接到輔助電極50。此后，如圖7F所示，絕緣或?qū)щ姳Ｗo(hù)膜32提供在上電極30上。此外， 相對基板36根據(jù)需要用UV固化樹脂固定在保護(hù)膜32上，從而完成顯示器 52a。第五實(shí)施例可以與第 一至第三實(shí)施例組合，并且該組合可以增強(qiáng)實(shí)施例 的優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)上述第一至第五實(shí)施例，在接觸轉(zhuǎn)移步驟中，在施主膜l與下電極 18進(jìn)行緊密接觸而間隙d提供在輔助電極和施主膜1之間的狀態(tài)下進(jìn)行激光 h的照射。因此，即使照射激光h的區(qū)域發(fā)生位置錯(cuò)誤，有機(jī)層5也不能轉(zhuǎn) 移到輔助電4l上。因此，可以實(shí)現(xiàn)有機(jī)電致發(fā)光元件EL的亮度和壽命的增強(qiáng)，并且因此 可以改善顯示器的現(xiàn)實(shí)性能。 <+多改實(shí)例>作為上述第一至第五實(shí)施例的一個(gè)修改實(shí)例，第四實(shí)施例的修改實(shí)例如 圖8A-8C所示。如圖8A所示，在覆蓋輔助電極50的第二絕緣膜16中可以 形成連接孔16b，以便可以暴露輔助電極50的側(cè)壁。就該特征，該修改實(shí)例 不同于上述的第一至第五實(shí)施例。在形成該連接孔16b后，進(jìn)行類似于第四實(shí)施例的工藝，從而如圖8B 所示有機(jī)電致發(fā)光元件EL形成。此后，如圖8C所示，相對基板36用保護(hù) 膜32和UV可固化樹脂34固定，從而完成顯示器52b。這樣的結(jié)構(gòu)也可以取得與第四實(shí)施例相同的優(yōu)點(diǎn)。該修改實(shí)例的概念可以應(yīng)用到第一至第三實(shí)施例和第五實(shí)施例，以及第 四實(shí)施例。此外，在開口 22a提供為類似第一至第三實(shí)施例和第五實(shí)施例所 示的開口的構(gòu)造中，下電極的整個(gè)表面可以通過開口 22a暴露，只要下電極 由通過轉(zhuǎn)移形成在下電極上的有機(jī)層與上電極隔離即可。上述各實(shí)施例(也包括修改實(shí)例)涉及有源矩陣顯示器的制造工藝。然 而，本發(fā)明的實(shí)施例也可以以類似的方式應(yīng)用到無源矩陣基板的制造，并且 可以取得相同的優(yōu)點(diǎn)。在無源矩陣顯示器中，如圖9所示的布局圖中，下電極71形成為在一 個(gè)方向上延伸，并且輔助電極72提供在這些下電極71中。該輔助電極72
提供為公共電極。此外，上電極73作為公共電極提供在下電極71和輔助電極72上。類似于有源矩陣顯示器，有機(jī)EL元件通過在彼此交叉和交疊的下 電極71和上電極73之間設(shè)置有機(jī)層而形成。另夕卜，類似于有源矩陣顯示器， 在上電極73交疊在輔助電極72上的部分上，上電極73通過連接孔連接到 輔助電才及72。在具有該構(gòu)造的無源矩陣顯示器的制造中，通過采用任何上述實(shí)施例到 形成下電極71和輔助電極72以及形成上電極73的步驟中，以形成有機(jī)EL 元件，可以取得與那些實(shí)施例相同的優(yōu)點(diǎn)。上述實(shí)施例不限于應(yīng)用于采用有機(jī)EL元件的顯示器。在制造顯示器中， 這些實(shí)施例可以寬泛地應(yīng)用來通過接觸轉(zhuǎn)移方法形成發(fā)光功能層，該顯示器 包括通過在上電極和下電極之間夾置發(fā)光功能層而獲得的發(fā)光元件，并具有 連接到上電極的輔助電極，而且這些實(shí)施例可以取得相同的優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，根據(jù)設(shè)計(jì)需要和其他因素，可以產(chǎn)生各種 修改、結(jié)合、部分結(jié)合和替換，只要它們在權(quán)利要求或其等同特征的范圍內(nèi)。本發(fā)明包含與2006年8月23日在日本專利局提交的日本專利申請 2006-226003號相關(guān)的主題，在此將其全文引用。
權(quán)利要求
1、一種制造顯示器的方法，所述方法包括步驟設(shè)置基板和施主膜，在該基板上形成有多個(gè)下電極和多個(gè)輔助電極，在該施主膜上形成有發(fā)光功能層，使得該發(fā)光功能層與該下電極接觸，并且不與該輔助電極接觸；用能量射束照射該施主膜，以選擇性地將發(fā)光功能層轉(zhuǎn)移到該下電極上；并且形成覆蓋該發(fā)光功能層和該輔助電極的上電極。
2、 一種制造顯示器的方法，所述方法包括步驟 在基板上形成多個(gè)下電極和多個(gè)輔助電極；在該基4反上形成絕緣膜，從而該下電4及和該輔助電才及由該絕緣膜覆蓋， 并且在該絕緣膜中形成暴露該下電極的第一開口和暴露該輔助電極的連接孔；設(shè)置該基板和其上形成有發(fā)光功能層的施主膜，使得該發(fā)光功能層與該下電才及4妄觸而不與該輔助電招j妄觸；用能量射束照射該施主膜，以選擇性地將該發(fā)光功能層轉(zhuǎn)移到該下電極 上；并且形成覆蓋該發(fā)光功能層和該連接孔的上電極。
3、 如權(quán)利要求2所述的制造顯示器的方法，其中 該絕緣膜形成來使得在該輔助電極上的該絕緣膜的膜厚度大于在該下電極上的該絕緣膜的膜厚度。
4、 如權(quán)利要求2所述的制造顯示器的方法，其中該開口和該連接孔形成來使得該連接孔的側(cè)壁的錐角大于該第一開口 的側(cè)壁的錐角。
5、 一種制造顯示器的方法，所述方法包括步驟 在基板之上形成輔助電極；形成覆蓋該輔助電極的絕緣膜，并且在該絕緣膜上形成下電極； 在該絕緣膜中形成達(dá)到該輔助電極的連接孔；設(shè)置該基板和其上形成有發(fā)光功能層的施主膜，使得該發(fā)光功能層與該 下電極4秦觸而不與該輔助電極接觸； 用能量射束照射該施主膜，以選擇性地將該發(fā)光功能層轉(zhuǎn)移到該下電極 上；并且形成覆蓋該發(fā)光功能層和該連接孔的上電極。
6、 如權(quán)利要求5所述的制造顯示器的方法，其中在該下電極形成之后并且在該連接孔形成之前，形成覆蓋該下電才及的上 絕緣膜，并且在該上絕緣膜形成后，暴露該下電極的開口形成在該上絕緣膜中，并且 達(dá)到該輔助電極且比該開口深的連接孔形成在該上絕緣膜和該絕緣膜中。
7、 一種顯示器，包括 多個(gè)下電極，形成在基板之上； 輔助電極，形成在該下電極之間；絕緣膜，形成在該基板之上，并且包括暴露該下電極的開口和達(dá)到該輔 助電極的連接孔；發(fā)光功能層，形成在通過該開口暴露的該下電極上；和上電才及，形成在該下電極之上并且通過該連接孔連接到該輔助電極，其中該連纟妄^L比該開口:;罙。
8、 一種顯示器，包括 多個(gè)下電極，形成在基板之上； 輔助電極，形成在該下電極之間；絕緣膜，提供在該基板之上，并且包括暴露該下電極的開口和達(dá)到該輔 助電極的連接孔；發(fā)光功能層，形成在通過該開口暴露的該下電極上；和上電極，形成在該下電極之上并且通過該連接孔連接到該輔助電極，其中該開口的尺寸大到足以暴露該下電極的側(cè)壁。
9、 一種顯示器，包括 多個(gè)下電極，形成在基板之上； 輔助電極，形成在該下電極之間；絕緣膜，形成在該基板之上，并且包括暴露該下電極的開口和達(dá)到該輔 助電極的連接孔； 發(fā)光功能層，形成在通過該開口暴露的該下電極上；和上電極，形成在該下電極之上并且通過該連接孔連接到該輔助電極，其 該連接孔的側(cè)壁的錐角大于該開口的側(cè)壁的錐角。
10、 一種顯示器，包括 輔助電極，形成在基板之上；絕緣膜，包括達(dá)到該輔助電極的連接孔，并且形成在該基板之上； 下電極，形成在該絕緣膜上； 發(fā)光功能層，形成在該下電極上；和上電極，形成在該下電極之上并且通過該連接孔連接到該輔助電極。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種制造顯示器的方法，該方法包括如下步驟設(shè)置基板和施主膜，在該基板上形成有多個(gè)下電極和多個(gè)輔助電極，在該施主膜上形成有發(fā)光功能層，使得發(fā)光功能層與該下電極接觸而不與輔助電極接觸；用能量射束照射施主膜，以選擇性地將發(fā)光功能層轉(zhuǎn)移到下電極上；并且形成覆蓋發(fā)光功能層和輔助電極的上電極。
文檔編號H01L27/32GK101131959SQ20071014276
公開日2008年2月27日 申請日期2007年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月23日
發(fā)明者松田英介 申請人:索尼株式會(huì)社