專利名稱：高散熱性發(fā)光二極管裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管裝置，特別是涉及一種高散熱性發(fā) 光二極管裝置。背景技術：
一般高功率發(fā)光二極管雖具有高亮度而具有可取代一般燈泡 10的優(yōu)勢，但在提高流通電流以增加亮度的同時，卻也產(chǎn)生了大量的 熱能。故高功率發(fā)光二極管除了亮度的提升之外，伴隨著散熱的問 題也是業(yè)者亟欲突破的瓶頸。
圖1為臺灣申請案號第093107060號的一種高功率發(fā)光二極管 封裝結構9，其包含一電路板基材91、 一散熱導體94、 一發(fā)光晶粒
15 96及一鏡片(透光層)99。電路板基材91上設置有一正電極92及 一負電極93，發(fā)光晶粒96是設置于散熱導體94的一凸塊碗杯95 內(nèi)，而散熱導體94再結合于電路板基材91下方，發(fā)光晶粒96上 的導電電極97、 98與電路板基材91上的正、負電極區(qū)92、 93再 以導線相接。此種發(fā)光二極管封裝結構9主要是利用將發(fā)光晶粒96
20直接設置于導熱性較佳的散熱導體94之內(nèi)，以期將發(fā)光晶粒96的 熱能迅速導出，且為避免二電極區(qū)92、 93與散熱導體94接觸而造 成短路，必須采用電路板基材91為導熱性較差的絕緣材質。
但散熱問題除了材料本身的熱傳系數(shù)須考慮之外，散熱材料與 外界接觸的面積大小亦為影響因素之一?；仡^觀察此種封裝結構9
25的設計，雖然散熱導體94下方可直接與外界接觸而進行熱交換， 但散熱導體94上方卻受到電路板基材91覆蓋，所以，由散熱導體
94上方導出的熱能勢必要再經(jīng)過導熱性較差的電路板基材91以及 兩電極區(qū)92、 93方能散出，相較于散熱導體94下方可直接與外界 進行熱交換，電路板基材91確實成為散熱導體94上方熱量散出的 障礙，影響了整體的散熱效率，尤其是靜態(tài)下的熱交換主要是借由 5 熱氣上升以達到散熱功效，而此種封裝結構9由于受到電路板基材 91的阻礙，使得熱量無法往上傳導，也使得其熱交換功效較小，故 此種封裝結構9的設計仍有其美中不足之處。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是在提供一種完全使用例如金屬或陶瓷等高導 io熱性材質進行封裝以提升散熱效率，并且也不致于發(fā)生短路現(xiàn)象的 高散熱性發(fā)光二極管裝置。
本發(fā)明高散熱性發(fā)光二極管裝置包含一散熱座、兩導接端子及 一發(fā)光二極管晶粒。散熱座包括一由例如金屬或陶瓷的高導熱性材 質一體成型的本體。發(fā)光二極管晶粒設置于本體內(nèi)，兩導接端子伸 15 入該本體內(nèi)與該發(fā)光晶粒導接，且當該本體材質為金屬時，各導接 端子外對應于本體的部分覆設有一絕緣層，避免該導接端子與該金 屬材質的本體接觸而造成短路。本發(fā)明高散熱性發(fā)光二極管裝置 中，該本體的材質可為銅或鋁。
本發(fā)明高散熱性發(fā)光二極管裝置中，該本體的材質可選自由氮 20 化鋁(A1N)、氧化鈹(BeO)及碳化硅(SiC)等高導熱性陶瓷材料 所構成的群組。
本發(fā)明的有益效果在于，將散熱座的本體采用一體成型的高散 熱性(如金屬或高導熱性的陶瓷材料)材質，使得發(fā)光二極管晶粒 所產(chǎn)生的熱能可更快散出本體外，避免發(fā)光二極管晶粒長期處于悶 25熱狀態(tài)，且由于本體直接與外界空氣有大面積的接觸，本體導出的 熱能也可更有效的與外界空氣進行熱交換而迅速帶走熱能，以提升
整個發(fā)光二極管裝置的散熱效能，進而延長發(fā)光晶粒的使用壽命。

圖l是一立體分解圖，說明一種習知高功率發(fā)光二極管封裝結
構；
5 圖2是一分解圖，說明本發(fā)明高散熱性發(fā)光二極管裝置的第一
較佳實施例，但圖中未包含透光層；
圖3是本發(fā)明第一較佳實施例的組合圖； 圖4是本發(fā)明第一較佳實施例的剖視圖5是一分解圖，說明本發(fā)明高散熱性發(fā)光二極管裝置的第二 10較佳實施例的一散熱座及二導接端子；
圖6是本發(fā)明第二較佳實施例的組合圖； 圖7是本發(fā)明第二較佳實施例的剖視圖8是一分解圖，說明本發(fā)明高散熱性發(fā)光二極管裝置的第三 較佳實施例的一散熱座及二導接端子； 15 圖9是本發(fā)明第三較佳實施例的組合圖1 0是本發(fā)明第三較佳實施例的剖視圖l1是本發(fā)明高散熱性發(fā)光二極管裝置第四較佳實施例的 立體圖，但圖中未包含透光層；以及
圖l2是本發(fā)明第四較佳實施例的剖視圖。 20具體實施方式
下面結合附圖及實施例對本發(fā)明進行詳細說明
參閱圖2—圖4，本發(fā)明高散熱性發(fā)光二極管裝置l的第一較 佳實施例包含一散熱座2、 一發(fā)光二極管晶粒3、兩導接端子4及 一透光層6。
25 散熱座2包括一金屬材質一體成型的本體21、設置在本體21
的一凹穴22及兩端子容置槽23。其中，凹穴22是由本體21頂部
表面往下凹陷形成，其包括一低于本體21頂部表面的內(nèi)底面221、 一連接于內(nèi)底面221與本體21頂部表面之間的內(nèi)環(huán)壁面222，內(nèi)底 面221及內(nèi)環(huán)壁面222圍繞界定出一大致呈截頭倒錐狀的凹穴空 間，用以供填充透光材料而形成該透光層6。兩端子容置槽23是分 5 別由本體21兩相反側的外表面往內(nèi)橫向凹陷而連通至凹穴空間， 且本實施例中，每一端子容置槽23末端位在凹穴22內(nèi)，且是從凹 穴22的內(nèi)底面221凹陷形成。
本發(fā)明的散熱座2可以鋁擠成型的方式成型出鋁質的本體21 后，再利用其它如CNC中心加工機、雷射切割等機械加工方式加工
io 出凹穴22及端子容置槽23，或者是以金屬射出、鑄造的方式直接 成型出具有凹穴22及端子容置槽23的本體21，或者是以CNC中心 加工機、雷射切割等直接加工出本體21的外型及凹穴22、端子容 置槽23。該本體21的材質也可選擇采用銅、鋁或硅基板。
兩導接端子4為高導電性的金屬片，每一導接端子4具有一第
15 —橫向段41、 一由第一橫向段41 一端往下延伸的一縱向段42、 一 由縱向段42底端往遠離第一橫向段41的方向延伸的第二橫向段 43，以及一第一導接部44、 一第二導接部45。每一導接端子4外 包覆有一絕緣層24。本實施例中，是以沖壓的方式?jīng)_出導接端子4 的外型后，再以射出成型方式于導接端子4外包覆一層塑料層而構
20 成上述的絕緣層24，絕緣層24是包覆在第一橫向段41與縱向段 42夕卜，且第一橫向段41鄰近末端處的頂面外露出絕緣層24而構成 上述的第一導接部44，本實施例中，第二橫向段43未受絕緣層24 包覆而構成上述的第二導接部45。
絕緣層24作用是在于當導接端子4置入端子容置槽23時，由
25于散熱座2是金屬材質，故需避免與端子4直接接觸而造成短路， 因此，該絕緣層24包覆的范圍是視當導接端子4置入散熱座2時
將會與散熱座2的本體21接觸的范圍而定。
絕緣層24除了上述以射出成形的方式形成之外，也可以采用 以下的方式
一、以塑料套直接套覆在導接端子4外。 5 二、采用陶瓷、玻璃纖維等絕緣材質包覆。
三、 對導接端子4置入端子容置槽23時將與本體21接觸的部 分進行陽極處理以使導接端子4的表層氧化而產(chǎn)生絕緣效果。
四、 于導接端子4外表面涂上散熱絕緣膠以形成上述的絕緣層24。
io 五、以樹脂模壓的方式包覆于導接端子4外形成上述的絕緣層
24等等。
兩導接端子4是以其第一橫向段41分別由散熱座2的兩側相 向伸入兩端子容置槽23內(nèi)，使兩第一導接部44均位在凹穴22內(nèi)， 而縱向段42及第二橫向段43則是位在散熱座2外，以待封裝后第
15二導接部45可焊設在電路板上(圖未示)。本實施例中，導接端子 4是以緊配合的方式插置在端子容置槽23內(nèi)，但也可以在導接端子 4或端子容置槽23涂上上述的散熱絕緣膠，如此一來，散熱絕緣膠 既可構成絕緣層24，也可使導接端子4膠合在端子容置槽23內(nèi)。 發(fā)光二極管晶粒3是設置在凹穴22的內(nèi)底面221并且位于兩
20 端子容置槽23之間，且發(fā)光二極管晶粒3的上表面設有兩電極接 點31，分別供兩金屬導線200以打線方式(Wire Bonding)與兩導 接端子4的第一導接部44導接。
透光層6是以模壓(Molding)或點膠的方式填充在本體21凹 穴22內(nèi)，其材質可為環(huán)氧樹脂、硅膠或玻璃，且透光層6的頂部
25 可如圖3呈平頂狀而與本體21的頂部表面切齊，而如果是以模壓 的方式形成透光層6的結構，其頂部也可呈圓頂狀，以達到視角15
度一120度的效果。而凹穴22的內(nèi)環(huán)壁面222也可進一步涂布一反 射層(圖未示)，用以增加光線的反射并集中二極管發(fā)光晶粒3的 光線。
如上所述，本發(fā)明借由本體21 —體成型的結構，不但省去習 5知的阻礙散熱的絕緣電路板基材，且該整體為金屬材質的散熱座2 可朝四面八方散熱(例如朝上可經(jīng)本體21頂部表面及內(nèi)頂面221 散熱)，所以，當發(fā)光二極管晶粒3通電發(fā)亮時，其所產(chǎn)生的熱量 便可較迅速地透過本體21導出，使整個發(fā)光二極管裝置1具備較 佳的散熱功效，且由于導接端子4與散熱座2本體21接觸的部分 io都以絕緣層24 (或陶瓷等絕緣材料)包覆，所以也不會發(fā)生導接端 子4的金屬片與散熱座2本體21接觸而造成短路的現(xiàn)象。
參閱圖5—圖7，為本發(fā)明發(fā)光二極管裝置1'的第二較佳實 施例，在第二較佳實施例中，發(fā)光二極管裝置l'包含一散熱座2'、 兩導接端子4'以及一陶瓷基板5、 一焊設在陶瓷基板5上的發(fā)光 15 二極管晶粒3'，而與第一較佳實施例不同的地方是在于導接端子 4'與散熱座2'本體21'上端子容置槽23'的結構、以及發(fā)光二 極管晶粒3'與導接端子4'的打線位置。
在第二較佳實施例中，兩端子容置槽23'分別位在本體21' 的底部兩側，每一端子容置槽23'包括一由本體21'的外表面往 20內(nèi)延伸的橫向槽段231'，及一由橫向槽段231，的內(nèi)端往上貫穿 內(nèi)底面221'的縱向槽段232'，且橫向槽段231'是由本體21， 的底部表面凹陷形成。
每一導接端子4'包括一橫向段46及一由橫向段46—端往上 延伸的縱向段47，絕緣層24'是包覆在縱向段47以及橫向段46 25外，且橫向段46靠近自由端的末段并未受絕緣層24，包覆。第一 導接部44'是位在縱向段47自由端的端面，第二導接部45'則是
橫向段46未受絕緣層24'包覆的末段。
兩導接端子4'是由散熱座2'底部往上容置在兩端子容置槽 23'內(nèi)，使得二縱向段47分別伸入二端子容置槽23'的縱向槽段 232'內(nèi)，兩橫向段46是分別位在兩端子容置槽23'的橫向槽段 5231 ，，并且縱向段47頂端的第一導接部44，外露于凹穴22，的 內(nèi)底面221'。
本實施例中所使用的發(fā)光二極管晶粒3'其上下表面分別設置 有一電極接點31'，且陶瓷基板5上設有一導電區(qū)51，發(fā)光二極 管晶粒3'下表面的電極接點31'是透過焊錫或銀膠焊設在陶瓷基
io 板5的導電區(qū)51，導電區(qū)51再透過金屬導線200與鄰近的第一導 接部44'導接，發(fā)光二極管晶粒3'上表面的電極接點31'是透過 金屬導線200與另一導接端子4'的第一導接部44'導接。
基于熱傳考慮，本實施例所使用的陶瓷基板5的厚度要越薄越 好，而其材質則可選擇熱傳性較佳的材質，如氮化鋁(A1N)或上
15層有電路導通的硅材基板。另外，與第一較佳實施例相同的，絕緣 層24'可以是射出成型的塑料層或者是陽極處理形成的氧化層或 者是以塑料套包覆的方式等等。
參閱圖8 —圖1 0 ，為本發(fā)明發(fā)光二極管裝置1"的第三較佳 實施例，在第三較佳實施例中，發(fā)光二極管裝置1"包含一散熱座
2021"、兩導接端子4"以及一陶瓷基板5'、一焊設在陶瓷基板5' 上的發(fā)光二極管晶粒3"，與第二較佳實施例不同的地方是在于導 接端子4"以及端子容置槽23"的結構，以及發(fā)光二極管晶粒3" 與二導接端子4"的打線位置。
在第三較佳實施例中，每一端子容置槽23"包括一由凹穴22"
25 的內(nèi)底面221"凹陷的第一橫向槽段233", —由本體21"頂部表 面凹陷的第二橫向槽段231"，及一由內(nèi)環(huán)壁面222"凹陷并且連
接第一橫向槽段233"及第二橫向槽段231"的斜向槽段232"。
每一導接端子4"包括一第一橫向段50、由第一橫向段50 — 端往遠離第一橫向段50的方向斜上延伸的斜向段49，及一由斜向 段49自由端往遠離第一橫向段50的方向延伸的第二橫向段48。 5 第一橫向段50末段頂面部分未受絕緣層24"包覆而構成第一導接部44"，第二橫向段48凸出本體21"的末段同樣未受絕緣層 24"包覆而構成第二導接部45"。兩導接端子4"是由散熱座2" 頂部往下分別容置于二端子容置槽23"內(nèi)，其中，第一橫向段50 對應容置在第一橫向槽段233"內(nèi)，第二橫向段48對應容置在第二 io橫向槽段231"內(nèi)，斜向段49則是對應容置在斜向槽段232"內(nèi)。 本實施例中，陶瓷基板5'頂面設有兩不相連通的導電區(qū)51'， 而所使用的發(fā)光二極管晶粒3"其兩電極接點31"是分別位在底部 兩側，發(fā)光二極管晶粒3"的兩電極接點31"是分別以焊錫或銀膠 焊設在陶瓷基板5'的兩導電區(qū)51'內(nèi)，兩導電區(qū)51'再分別透過 15金屬導線200導接到兩導接端子4"的第一導接部44"。
參閱圖1 1 、圖1 2 ，為本發(fā)明發(fā)光二極管裝置l'"的第四 較佳實施例，與前三個實施例不同之處在于，該散熱座2，"的本 體21"'是采用高導熱性的陶瓷材質制成，該陶瓷材質是選自氮化 鋁(A1N)、氧化鈹(Be0)及碳化硅(SiC)所構成的群組。該凹穴 20 2 2'''是大概呈矩形凹陷并且縱向斷面呈梯形。除此之外，在本實 施例中，由于本體21"'采用陶瓷材料的關系，兩導接端子4''' 外層并未包覆有如前述實施例的絕緣層24 (如圖4所示)，而是直 接容置在端子容置槽23'''內(nèi)。
本實施例是借由本體21'"選用高導熱性的陶瓷材料，再配合 25與外界大面積的直接接觸而可達到快速散熱的效果。
補充幾點說明的是，前述第二較佳實施例與第三較佳實施例中
發(fā)光二極管晶粒3' 、 3"設置的方式以及導接端子4' 、 4"的結 構態(tài)樣也可以應用在第四較佳實施例中。再者，本發(fā)明的散熱座2 本體21也可與其它型式的散熱設計如散熱鰭片或散熱器等結合使 用，其中，本體21可設置螺孔而利用螺絲與其它散熱器結合，達 5到更大的散熱效果。
因此，如上述內(nèi)容所示，本發(fā)明將散熱座2的本體采用一體成 型的金屬或高導熱性陶瓷材質，由于本體21直接與外界空氣有大 面積的接觸，使得由本體21導出的熱能更有效的與外界空氣進行 熱交換而迅速帶走熱能，以提升整個發(fā)光二極管裝置1的散熱效能， io 進而延長發(fā)光晶粒3的使用壽命，且當本體21材質為金屬時，不 論導接端子4是由本體21的兩側、底部或頂部裝設到散熱座2，其 外面包覆的絕緣層24也可避免金屬片直接與本體21接觸而造成短 路。
權利要求
1.一種高散熱性發(fā)光二極管裝置，包含一散熱座、一發(fā)光二極管晶粒以及兩導接端子；該散熱座包括一凹穴以及兩端子容置槽；該發(fā)光二極管晶粒設置在該凹穴；各該導接端子具有一第一導接部及一第二導接部，該兩導接端子分別伸入該兩端子容置槽，使該第一導接部位于該凹穴內(nèi)與該發(fā)光二極管晶粒導接，該第二導接部外露于該散熱座外，其特征在于該散熱座還包括一本體，該本體為一體成型的高導熱性材質，該凹穴由該本體頂部凹陷形成，該兩端子容置槽分別由該本體的兩側外表面連通至該凹穴。
2. 如權利要求l所述的高散熱性發(fā)光二極管裝置，其特征在于 該本體為金屬材質或硅基板制成，且各該導接端子外覆設有一絕緣 層，各該導接端子的該第一導接部與該第二導接部均外露出該絕緣層。
3. 如權利要求2所述的高散熱性發(fā)光二極管裝置，其特征在于 各該導接端子包括一伸入容置于該端子容置槽內(nèi)的第一橫向段，該 絕緣層包覆于該第一橫向段外，且該第一橫向段伸入該凹穴內(nèi)的末 段頂面部分外露出該絕緣層而構成該第一導接部。
4.如權利要求3所述的高散熱性發(fā)光二極管裝置，其特征在于該兩端子容置槽是由該本體兩相反側外表面往內(nèi)凹陷連通至該凹 穴，各該導接端子還包括一由該第一橫向段一端往下延伸而位于該 本體外的縱向段，以及一由該縱向段底端往遠離該第一橫向段的方 向延伸的第二橫向段，該第二導接部位于該第二橫向段。
5.如權利要求4所述的高散熱性發(fā)光二極管裝置，其特征在于該縱向段外也包覆有該絕緣層。
6.如權利要求3所述的高散熱性發(fā)光二極管裝置，其特征在于 該凹穴包括一低于該本體頂部表面的內(nèi)底面及一連接該本體頂部 表面與該內(nèi)底面的內(nèi)環(huán)壁面，各該端子容置槽至少部分由該凹穴的 內(nèi)底面凹陷形成。
7.如權利要求6所述的高散熱性發(fā)光二極管裝置，其特征在于各該端子容置槽包括一由該內(nèi)底面凹陷的第一橫向槽段、 一由該本 體頂部表面凹陷的第二橫向槽段以及一連接該第一橫向槽段與該 第二橫向槽段的斜向槽段；各該導接端子還包括一由該第一橫向段 斜上延伸的斜向段以及一由該斜向段自由端往遠離該第一橫向段 10的方向延伸的第二橫向段，該斜向段是容置于該斜向槽段，該第二 橫向段容置于該第二橫向槽段而末段凸出該本體外，該絕緣層還包 覆于該斜向段及該第二橫向段，該第二橫向段凸出該本體外的末段 未受該絕緣層包覆而構成該第二導接部。
8. 如權利要求6所述的高散熱性發(fā)光二極管裝置，其特征在于 各該端子容置槽包括一凹陷形成于該本體底部表面的橫向槽段，及一由該橫向槽段內(nèi)端往上貫穿該凹穴內(nèi)底面的縱向槽段；該第一橫向段位于該橫向槽段內(nèi)且一端凸出該本體而構成該第二導接部，各 該導接端子還包括一由該第一橫向段一端往上延伸而伸入該縱向 槽段的縱向段，該縱向段頂端端面外露出該內(nèi)底面而構成該第一導接部；該絕緣層還包覆于該縱向段的外周面。
9. 如權利要求2所述的高散熱性發(fā)光二極管裝置，其特征在于 該絕緣層為射出成型包覆于所述導接端子外的塑料層。
10. 如權利要求2所述的高散熱性發(fā)光二極管裝置，其特征在 于該絕緣層為于該導接端子外表面進行陽極處理而形成的氧化層25 。
11. 如權利要求2所述的高散熱性發(fā)光二極管裝置，其特征在 于該絕緣層為模壓成形包覆于該導接端子外的樹脂材質。
12. 如權利要求2所述的高散熱性發(fā)光二極管裝置，其特征在 于該本體的材質為銅或鋁。
13. 如權利要求l所述的高散熱性發(fā)光二極管裝置，其特征在于該本體的材質為高導熱性陶瓷材料。
14. 如權利要求13所述的高散熱性發(fā)光二極管裝置，其特征在 于該本體的材質是選自氮化鋁、氧化鈹及碳化硅所構成的群組。
15. 如權利要求6所述的高散熱性發(fā)光二極管裝置，其特征在于該高散熱性發(fā)光二極管裝置還包含兩金屬導線，且該發(fā)光二極 管晶粒設置于該內(nèi)底面上并位于該兩端子容置槽之間，該發(fā)光二極管晶粒上表面設置有兩電極接點，該兩電極接點分別通過該兩金屬 導線與該兩導接端子的第一導接部導接。
16. 如權利要求6所述的高散熱性發(fā)光二極管裝置，其特征在于該高散熱性發(fā)光二極管裝置還包含一陶瓷基板及兩金屬導線， 該陶瓷基板設置于該內(nèi)底面，且該陶瓷基板上表面設有一導電區(qū)， 該發(fā)光二極管晶粒上、下表面各設有一電極接點，該發(fā)光二極管晶 粒下表面電極接點焊設于該導電區(qū)，該發(fā)光二極管晶粒上表面電極 接點通過其中一金屬導線與其中一導接端子的第一導接部導接，該 陶瓷基板的導電區(qū)通過另一金屬導線與另一導接端子的第一導接部導接。
17. 如權利要求6所述的高散熱性發(fā)光二極管裝置，其特征在于該高散熱性發(fā)光二極管裝置還包含一陶瓷基板及兩金屬導線， 該陶瓷基板設置于該內(nèi)底面，且該陶瓷基板上表面設有兩不相連通 的導電區(qū)，該發(fā)光二極管晶粒下表面設有兩電極接點，該兩電極接 25點分別焊設于該兩導電區(qū)，該兩導電區(qū)分別通過該兩金屬導線與該 兩導接端子的第一導接部導接。
18. 如權利要求13所述的高散熱性發(fā)光二極管裝置，其特征在于該高散熱性發(fā)光二極管裝置還包含兩金屬導線，且該發(fā)光二極 管晶粒設置于該凹穴內(nèi)并位于該兩端子容置槽之間，該發(fā)光二極管 晶粒上表面設置有兩電極接點，該兩電極接點分別通過該兩金屬導 5線與該兩導接端子的第一導接部導接。
19. 如權利要求13所述的高散熱性發(fā)光二極管裝置，其特征在于該高散熱性發(fā)光二極管裝置還包含一陶瓷基板及兩金屬導線， 該陶瓷基板設置于該凹穴內(nèi)，且該陶瓷基板上表面設有一導電區(qū)， 該發(fā)光二極管晶粒上、下表面各設有一電極接點，該發(fā)光二極管晶 粒下表面電極接點焊設于該導電區(qū)，該發(fā)光二極管晶粒上表面電極 接點通過其中一金屬導線與其中一導接端子的第一導接部導接，該 陶瓷基板的導電區(qū)通過另一金屬導線與另一導接端子的第一導接 部導接。
20. 如權利要求13所述的高散熱性發(fā)光二極管裝置，其特征在于該高散熱性發(fā)光二極管裝置還包含一陶瓷基板及兩金屬導線，該陶瓷基板設置于該凹穴內(nèi)，且該陶瓷基板上表面設有兩不相連通 的導電區(qū)，該發(fā)光二極管晶粒下表面設有兩電極接點，該兩電極接 點分別焊設于該兩導電區(qū)，該兩導電區(qū)分別通過該兩金屬導線與該 兩導接端子的第一導接部導接。
21.如權利要求l所述的高散熱性發(fā)光二極管裝置，其特征在于該高散熱性發(fā)光二極管裝置還包含一填充于該凹穴內(nèi)的透光層
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高散熱性發(fā)光二極管裝置，包含一散熱座、兩導接端子及一發(fā)光二極管晶粒。散熱座包括一由如金屬或陶瓷的高導熱性材質一體成型的本體。發(fā)光二極管晶粒設置于本體內(nèi)，兩導接端子伸入該本體內(nèi)與該發(fā)光晶粒導接，且各導接端子外對應于本體的部分視本體的材質而選擇性的覆設有一絕緣層，避免該導接端子與金屬材質的本體接觸而造成短路。本發(fā)明借由采用選擇高導熱性的金屬或陶瓷材料一體成型的散熱座本體，以提高整個發(fā)光二極管裝置的散熱功效。
文檔編號H01L23/34GK101369617SQ20071014119
公開日2009年2月18日 申請日期2007年8月13日 優(yōu)先權日2007年8月13日
發(fā)明者張銘利, 曾慶霖 申請人:佰鴻工業(yè)股份有限公司