專利名稱：光刻設(shè)備、透鏡干涉儀和裝置制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻設(shè)備、用于光刻設(shè)備的透鏡干涉儀以及制造裝置的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將想要的圖案施加到襯底(通常為襯底的目標(biāo)部分)上的機(jī)器。光刻設(shè)備可用于比如集成電路(IC)的制造。在那種情形下，可利用另外被稱為掩?；蚍謩澃宓膱D案形成裝置生成將在IC的單個(gè)層上形成的電路圖案。該圖案可被轉(zhuǎn)移到襯底(如硅片)上的目標(biāo)部分(如包含一個(gè)或若干管芯的部分)。圖案的轉(zhuǎn)移通常借助于在襯底上設(shè)置的輻射敏感材料層(光刻膠)上的成像。一般地，單個(gè)襯底將包含被連續(xù)圖案化的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。已知的光刻設(shè)備包括所謂的分檔器和掃描器，在分檔器中，通過(guò)同時(shí)使整個(gè)圖案曝光到目標(biāo)部分上而使每個(gè)目標(biāo)部分被照射；在掃描器中，通過(guò)輻射束沿著給定方向(“掃描方向”)掃描圖案并同時(shí)沿著與這個(gè)方向平行或反平行的方向掃描襯底而使每個(gè)目標(biāo)部分被照射。通過(guò)在襯底上壓印圖案也能將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移至襯底。
光刻投影工具正逐漸變得能夠在相對(duì)較高的數(shù)值光闌NA(NA＞1)處使圖案成像于層上。
由于成像過(guò)程的性質(zhì)，照射光束的偏振控制因此變得更為重要。正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的，光刻成像過(guò)程包含掩模圖案在襯底上的輻射敏感層上的曝光。典型地，在掩模處，衍射圖案通過(guò)照射到掩模上的照明光束與掩模圖案的相互作用來(lái)形成。衍射圖案各自通過(guò)投影系統(tǒng)并且接著作為衍射圖案的干涉圖案在襯底層上成像。在更高的數(shù)值光闌處，衍射圖案的干涉受構(gòu)成各自的衍射圖案的每一束光束中光偏振的影響。當(dāng)單獨(dú)的干涉光束的偏振矢量完全平行時(shí)達(dá)到最大干涉。如果光束的偏振矢量的方向不是平行的，干涉將變?nèi)?，這導(dǎo)致將要形成的圖像的對(duì)比度下降。還已知衍射光束的偏振態(tài)可能受掩模圖案的影響，尤其是作為掩模圖案間距的函數(shù)而受掩模圖案的影響，并且受投影系統(tǒng)的影響。

發(fā)明內(nèi)容
一種能夠獲得照射到襯底工作臺(tái)上的光束的偏振態(tài)信息的光刻設(shè)備是所期望的。
按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種光刻設(shè)備，其包含被配置成可調(diào)節(jié)輻射束的照明系統(tǒng)；被配置成可將輻射束的至少一部分作為投影輻射束來(lái)投射的投影系統(tǒng)；以及用于感測(cè)投影輻射束的波前狀態(tài)的透鏡干涉儀，其中透鏡干涉儀配有偏振元件以便能夠感測(cè)投影輻射束的偏振態(tài)。
此外，一種用于光刻設(shè)備的、能夠檢測(cè)照射到襯底工作臺(tái)上的光束的偏振態(tài)的傳感器是所期望的。
按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于光刻設(shè)備的透鏡干涉儀，所述光刻設(shè)備包含被配置成可調(diào)節(jié)輻射束的照明系統(tǒng)和被配置成可將輻射束的至少一部分作為投影輻射束來(lái)投射的投影系統(tǒng)；所述透鏡干涉儀被布置成用于感測(cè)輻射束的波前狀態(tài)，其中透鏡干涉儀配有偏振元件以便能夠感測(cè)輻射束的偏振態(tài)。
此外，一種用于制造裝置的方法是所期望的，其允許獲得照射到襯底工作臺(tái)上的光束的偏振態(tài)信息。
按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種裝置制造方法，該方法包含將輻射束的至少一部分作為投影輻射束來(lái)投射，設(shè)置透鏡干涉儀用于感測(cè)投影輻射束的波前狀態(tài)，以及為透鏡干涉儀裝配偏振元件以便能夠感測(cè)投影輻射束的偏振態(tài)。


現(xiàn)在將通過(guò)舉例的方式并參考所附示意圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，在附圖中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示對(duì)應(yīng)的部分，并且其中圖1描述了按照本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2描述了圖1的光刻設(shè)備的細(xì)節(jié)；圖3示意性描述了按照本發(fā)明實(shí)施例的測(cè)量系統(tǒng)；圖4示意性描述了用于依照本發(fā)明的透鏡干涉儀傳感器的光柵；圖5示意性描述了供依照本發(fā)明的透鏡干涉儀傳感器使用的透鏡干涉儀標(biāo)記器的第二實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
圖1示意性地描述了按照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備。該設(shè)備包含-照明系統(tǒng)(照明器)IL，其被配置成可調(diào)節(jié)輻射束B(niǎo)(如UV輻射或EUV輻射)；-支持體結(jié)構(gòu)(如掩模工作臺(tái))MT，其被構(gòu)造成可支持圖案形成裝置(如掩模)MA，并且與被配置成可依照某些參數(shù)將圖案形成裝置精確定位的第一定位裝置PM相連；-襯底工作臺(tái)(如晶片工作臺(tái))WT，其被構(gòu)造成可支持襯底(如光刻膠涂敷的晶片)W，并且與被配置成可依照某些參數(shù)將襯底精確定位的第二定位裝置PW相連；以及-投影系統(tǒng)(如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其被配置成可通過(guò)圖案形成裝置MA將傳遞給輻射束B(niǎo)的圖案投射到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包含一個(gè)或多個(gè)管芯)上。
照明系統(tǒng)可包括對(duì)輻射進(jìn)行定向、成形和/或控制的各種類型的光學(xué)元件，比如折射的、反射的、磁的、電磁的、靜電的或其它類型的光學(xué)元件、或者其中的任何組合。
支持體結(jié)構(gòu)支撐著圖案形成裝置(比如承載其重量)。支持體結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成裝置的方位、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及其它條件(例如，圖案形成裝置是否被保持在真空環(huán)境中)的方式支撐著圖案形成裝置。支持體結(jié)構(gòu)可使用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它的箝位技術(shù)來(lái)支撐圖案形成裝置。支持體結(jié)構(gòu)可以是比如根據(jù)需要而被固定或可移動(dòng)的框架或者工作臺(tái)。支持體結(jié)構(gòu)可確保圖案形成裝置位于比如相對(duì)投影系統(tǒng)來(lái)說(shuō)所期望的位置。在這里，術(shù)語(yǔ)“分劃板”或“掩?！钡娜魏斡梅杀徽J(rèn)為與更通用的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”是同義的。
這里所使用的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”應(yīng)當(dāng)被廣義地解釋為指可用來(lái)將圖案?jìng)鬟f到輻射束的橫截面上以便在襯底的目標(biāo)部分產(chǎn)生圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意的是比如如果圖案包括相移特征或所謂的輔助特征，則被傳遞給輻射束的圖案可以不是與襯底的目標(biāo)部分中想要的圖案精確對(duì)應(yīng)的。一般地，被傳遞給輻射束的圖案將與正在目標(biāo)部分中被生成的、裝置中的特定功能層(如集成電路)相對(duì)應(yīng)。
圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列和可編程LCD面板。掩模在光刻術(shù)領(lǐng)域中是眾所周知的并包括如二元的、交替的相移和被衰減的相移這樣的掩模類型以及各種混合掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例使用小反射鏡的矩陣布置，其中的每個(gè)反射鏡可以是獨(dú)立傾斜的，以便以不同的方向反射入射輻射束。傾斜的反射鏡在被反射鏡矩陣反射的輻射束中傳遞圖案。
這里所使用的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”應(yīng)當(dāng)被廣義地解釋為包含任何類型的投影系統(tǒng)，包括折射的、反射的、反射折射的、磁的、電磁的和靜電的光學(xué)系統(tǒng)、或者其中任何的組合，適于正被使用的曝光輻射或者適于其它因素(如浸液的使用或真空的使用)。在這里，術(shù)語(yǔ)“投影透鏡”的任何用法可被認(rèn)為與更通用的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”是同義的。
正如這里所描述的，設(shè)備是透射類型的(如使用透射掩模)。另一方面，設(shè)備還可以是反射類型的(如使用上面提到的可編程反射鏡陣列的類型，或使用反射掩模)。
光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或多個(gè)襯底工作臺(tái)(和/或兩個(gè)或多個(gè)掩模工作臺(tái))的類型的。在這種“多個(gè)臺(tái)”的機(jī)器中，附加的工作臺(tái)可被并行使用，或者可以在一個(gè)或多個(gè)工作臺(tái)上實(shí)施預(yù)備步驟而一個(gè)或多個(gè)另外的工作臺(tái)被用于曝光。
光刻設(shè)備還可以是下列類型的其中至少部分襯底可被具有相對(duì)較高折射率的液體(如水)所覆蓋，以便填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸液還可以用于光刻設(shè)備中的其它空間(例如掩模和投影系統(tǒng)之間的空間)。浸沒(méi)技術(shù)在增加投影系統(tǒng)的數(shù)值光闌的領(lǐng)域中是公知的。這里所使用的術(shù)語(yǔ)“浸沒(méi)”不意味著結(jié)構(gòu)(如襯底)必須被浸沒(méi)在液體中而是僅僅意味著在曝光期間液體位于投影系統(tǒng)和襯底之間。
參考圖1，照明器IL接收來(lái)自輻射源SO的輻射。該源和光刻設(shè)備可以是獨(dú)立的實(shí)體(比如，當(dāng)輻射源是一個(gè)受激準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這樣的情形下，不認(rèn)為源是構(gòu)成光刻設(shè)備的一部分，并且借助于包含比如適當(dāng)?shù)亩ㄏ蚍瓷溏R和/或光束擴(kuò)展器的光束輸送系統(tǒng)BD，將輻射束從源SO傳遞至照明器IL。在其它情形下，源可以是光刻設(shè)備的整體部分(比如，當(dāng)輻射源是水銀燈時(shí))。源SO和照明器IL(如果需要的話，可連同光束輸送系統(tǒng)BD)可被稱為輻射系統(tǒng)。
照明器IL可包含調(diào)節(jié)裝置AD，用于調(diào)節(jié)輻射束的角強(qiáng)度分布。一般地，在照明器的光瞳平面內(nèi)強(qiáng)度分布的至少外部和/或內(nèi)部徑向范圍(通常分別被稱為σ-外部和σ-內(nèi)部)可被調(diào)節(jié)。另外，照明器IL可包含各種其它的部件，如積分器IN和聚光器CO。照明器可用來(lái)調(diào)節(jié)輻射束，在其橫截面內(nèi)擁有希望得到的均一性和強(qiáng)度分布。
輻射束B(niǎo)入射到被支持體結(jié)構(gòu)(如掩模工作臺(tái)MT)支撐的圖案形成裝置(如掩模MA)上，并且通過(guò)圖案形成裝置被圖案化。已經(jīng)穿過(guò)掩模MA的輻射束B(niǎo)穿過(guò)使輻射束在襯底W的目標(biāo)部分C上聚焦的投影系統(tǒng)PS。借助于第二定位裝置PW和位置傳感器IF(如干涉裝置、線性編碼器或電容傳感器)，襯底工作臺(tái)WT可被精確地移動(dòng)，比如以便在輻射束B(niǎo)的路徑中定位不同的目標(biāo)部分C。類似地，第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器(圖1中沒(méi)有明確描述)可用來(lái)使掩模MA相對(duì)于輻射束B(niǎo)的路徑被精確定位，比如從掩模庫(kù)機(jī)械檢索之后或在掃描期間。一般地，借助于構(gòu)成第一定位裝置PM的部分的長(zhǎng)行程模塊(粗糙定位)和短行程模塊(精細(xì)定位)可實(shí)現(xiàn)掩模工作臺(tái)MT的移動(dòng)。類似地，利用構(gòu)成第二定位裝置PW的部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊可實(shí)現(xiàn)襯底工作臺(tái)WT的移動(dòng)。在分檔器的情形中(與掃描器相反)，掩模工作臺(tái)MT可以只和短行程致動(dòng)器相連接或者可以被固定。使用掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2，掩模MA和襯底W可以被調(diào)準(zhǔn)。盡管如圖所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用的目標(biāo)部分，但是可使它們位于目標(biāo)部分之間的空間(這些被稱為是劃線巷道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記)。類似地，在不止一個(gè)的管芯被設(shè)置在掩模MA上的情形下，可使掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位于管芯之間。
所描述的設(shè)備可用于下列模式中的至少一種1.在分檔模式中，掩模工作臺(tái)MT和襯底工作臺(tái)WT基本上保持不動(dòng)，而被傳遞給輻射束的整個(gè)圖案被同時(shí)投射在目標(biāo)部分C上(即單次靜態(tài)曝光)。接著，襯底工作臺(tái)WT在X和/或Y方向上被移動(dòng)，以使不同的目標(biāo)部分C可被曝光。在分檔模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單次靜態(tài)曝光中成像的目標(biāo)部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，掩模工作臺(tái)MT和襯底工作臺(tái)WT被同時(shí)掃描，而被傳遞給輻射束的圖案被投射在目標(biāo)部分C上(即單次動(dòng)態(tài)曝光)。襯底工作臺(tái)WT相對(duì)于掩模工作臺(tái)MT的速度和方向可通過(guò)投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確定。在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單次動(dòng)態(tài)曝光中目標(biāo)部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描移動(dòng)的長(zhǎng)度確定了目標(biāo)部分的高度(在掃描方向上)。
3.在另一個(gè)模式中，支撐可編程圖案形成裝置的掩模工作臺(tái)MT基本上保持不動(dòng)，襯底工作臺(tái)WT被移動(dòng)或被掃描，而被傳遞給輻射束的圖案被投射在目標(biāo)部分C上。在這種模式中，一般地，在掃描期間，使用脈沖輻射源并且在襯底工作臺(tái)WT每次移動(dòng)之后或者在連續(xù)輻射脈沖之間根據(jù)需要對(duì)可編程圖案形成裝置進(jìn)行更新?？梢院苋菀椎貙⑦@種操作模式應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(如上面提到的可編程反射鏡陣列的類型)的無(wú)掩模光刻術(shù)。
還可以使用上述模式的組合和/或變化或者是完全不同的模式。
圖2描述了圖1的光刻設(shè)備的一部分的細(xì)節(jié)。在圖2中，具有相同附圖標(biāo)記的實(shí)體指與前面圖形中示出的相同的實(shí)體。
在這個(gè)細(xì)節(jié)視圖中，示意性描述了輻射束B(niǎo)穿過(guò)投影透鏡系統(tǒng)PL之后的光程。在穿過(guò)投影透鏡系統(tǒng)PL之后，輻射束B(niǎo)聚焦，用于在襯底(層)上成像。被圍在會(huì)聚光束B(niǎo)的邊界之間的角度α直接與將要成像的結(jié)構(gòu)的間距相聯(lián)系；越小的間距對(duì)應(yīng)于越大的角度α并且在這里限度由投影系統(tǒng)的NA來(lái)確定。
在圖2中，示意性示出了分別在右邊界和左邊界處離開(kāi)投影系統(tǒng)PL的輻射束B(niǎo)的第一和第二子射束B(niǎo)1和B2中光的偏振模式。橫磁或TM偏振模式在圖形平面內(nèi)垂直于光的傳播方向。橫電或TE偏振模式垂直于圖形平面并且垂直于光的傳播方向。正如上面簡(jiǎn)要討論的，呈相對(duì)較大角度α的、第一子射束B(niǎo)1中光的TM偏振的方向不同于第二子射束B(niǎo)2中TM偏振的方向。圖像平面WT上子射束B(niǎo)1、B2的干涉將因此不是最大的。相反地，第一和第二子射束B(niǎo)1、B2的TE偏振模式針對(duì)每一個(gè)角度α都是平行的并且它們的干涉將是最大的，這導(dǎo)致了最大對(duì)比度。
技術(shù)人員將會(huì)意識(shí)到，對(duì)于最佳干涉和對(duì)比度來(lái)說(shuō)，(主要為)TE偏振輻射的使用是優(yōu)選的并且因此照明模式(即光瞳面上輻射束的強(qiáng)度分布和偏振分布)可以通過(guò)照明器IL來(lái)調(diào)節(jié)，以這樣的一種方式，即使得掩模圖案可以在相對(duì)較高的光闌處以相對(duì)較高的對(duì)比度成像。在這種情況下，希望照明模式具有針對(duì)給定的掩模圖案的適當(dāng)?shù)腡E偏振分布。
針對(duì)給定的掩模圖案，可以設(shè)計(jì)光瞳面上的最佳強(qiáng)度和偏振分布。在光刻設(shè)備中，照明器IL能夠依照該設(shè)計(jì)在光瞳面上產(chǎn)生強(qiáng)度和偏振分布。
值得注意的是，照明器IL產(chǎn)生的照明模式，尤其是偏振分布，受光束與掩模圖案相互作用的影響。
同樣，由于投影系統(tǒng)中每個(gè)透鏡表面上光的反射和透射的相互影響，與投影系統(tǒng)PL的相互作用對(duì)偏振分布產(chǎn)生影響。
與掩模圖案的相互作用可以在原處之外(即光刻設(shè)備外部)進(jìn)行分析，與投影系統(tǒng)PL的相互作用只能通過(guò)光瞳面上照明模式的原處特征來(lái)確定。
圖3示意性地描述了按照本發(fā)明實(shí)施例的測(cè)量系統(tǒng)。
在圖3中，具有相同附圖標(biāo)記的實(shí)體指與前面圖形中示出的相同的實(shí)體。
圖3中描述的測(cè)量系統(tǒng)常常被稱為透鏡干涉儀。值得注意的是，透鏡干涉儀本身在本領(lǐng)域中是已知的。WO 01/63233 A2和EP 1231517A1公開(kāi)了用于光刻設(shè)備的透鏡干涉儀。這種透鏡干涉儀基本上是用來(lái)測(cè)量透鏡像差的。這種透鏡干涉儀的通用實(shí)施例基于剪切干涉測(cè)量法的原理。Daniel Malacara的“Optical Shop Testing”(第二版)，ISBN0-471-52232-5給出了可用的透鏡干涉儀的綜述。一般地，可規(guī)定透鏡干涉儀在光瞳面上的單場(chǎng)點(diǎn)處通過(guò)測(cè)量輻射束的相位和透射來(lái)測(cè)量透鏡像差，而不用考慮實(shí)際的偏振態(tài)。
按照本發(fā)明，透鏡干涉儀配有偏振元件以便能夠感測(cè)光瞳面上輻射束的偏振態(tài)。
在圖3的測(cè)量系統(tǒng)中，示出的分劃板工作臺(tái)MT緊挨著分劃板MA，在分劃板層次上設(shè)有透鏡干涉儀光闌ML。
按照這個(gè)實(shí)施例，透鏡干涉儀光闌ML被定位于分劃板MA上。然而，將會(huì)了解，這個(gè)透鏡干涉儀光闌ML還可被定位于分劃板工作臺(tái)MT上。
按照該實(shí)施例的測(cè)量系統(tǒng)還包含襯底工作臺(tái)WT上的透鏡干涉儀標(biāo)記器IW2。
二維檢測(cè)器或檢測(cè)器陣列S被定位于透鏡干涉儀標(biāo)記器IW2之后(可看到相對(duì)于對(duì)準(zhǔn)射束AB的傳播方向)。透鏡干涉儀標(biāo)記器IW2基本上位于圖像平面層次上(即與襯底W相同的層次上)。
透鏡干涉儀光闌ML被布置成用于選擇輻射束B(niǎo)的一部分來(lái)穿過(guò)投影透鏡系統(tǒng)PL。
檢測(cè)器S被布置成用于檢測(cè)來(lái)自傳過(guò)投影系統(tǒng)的輻射的選擇部分的光，使其照射到透鏡干涉儀標(biāo)記器IW2上并且使之在此衍射。接著，使由此得到的衍射圖案在檢測(cè)器S的檢測(cè)平面上成像。
檢測(cè)器S的位置耦合至透鏡干涉儀光闌ML的位置，以這樣的一種方式，也就是使得檢測(cè)器S位于檢測(cè)器S層次上透鏡干涉儀光闌ML的投影圖像的位置處。
檢測(cè)器S可以是照相機(jī)或成像裝置，如電荷耦合裝置(CCD)檢測(cè)器或CMOS圖像檢測(cè)器?；旧希@種檢測(cè)器S測(cè)量照射輻射的強(qiáng)度。檢測(cè)器S被連接到圖像分析器裝置20，所布置的圖像分析器裝置20用來(lái)分析檢測(cè)器S俘獲的圖像。
由于襯底工作臺(tái)WT的體積約束，在透鏡干涉儀標(biāo)記器IW2和檢測(cè)器S之間直接實(shí)現(xiàn)具有足夠的消聲系數(shù)的偏振元件在實(shí)際當(dāng)中常常是不可能的。
同樣地，由于UV輻射作為輻射束B(niǎo)來(lái)使用導(dǎo)致傳輸這種類型輻射的雙折射材料的選擇受到限制。允許UV輻射透射的材料典型地表現(xiàn)出妨礙適當(dāng)較小的偏振元件的設(shè)計(jì)的光學(xué)特性。
在本發(fā)明中，可認(rèn)識(shí)到，偏振態(tài)可以通過(guò)將偏振元件并入透鏡干涉儀標(biāo)記器IW2來(lái)檢測(cè)。
圖4a、4b示意性描述了供依照本發(fā)明的透鏡干涉儀傳感器使用的透鏡干涉儀標(biāo)記器的實(shí)施例。
透鏡干涉儀標(biāo)記器IW2包含至少一個(gè)透射光柵結(jié)構(gòu)或光柵貼片GR。所述至少一個(gè)透射光柵結(jié)構(gòu)GR包含多個(gè)第一類型E1和第二類型E2的面積元，所述的多個(gè)第一類型E1和第二類型E2的面積元被布置成交錯(cuò)循環(huán)的序列并且具有彼此不同的透射比以便于衍射照射輻射束，并在檢測(cè)器S的檢測(cè)平面上生成輻射波前的空間相干分布。例如，第一類型的面積元E1涉及包含金屬層(如鉻)的面積元，它對(duì)于輻射來(lái)說(shuō)基本上是不透明的；第二類型的面積元E2涉及其他的面積元，它們是對(duì)于輻射來(lái)說(shuō)基本上透明的開(kāi)區(qū)域。
在圖4a、4b示出的實(shí)施例中，所述至少一個(gè)透射光柵結(jié)構(gòu)GR是在X方向和Y方向上伸展的二維棋盤(pán)結(jié)構(gòu)，其中Y方向垂直于X方向。然而，技術(shù)人員將會(huì)意識(shí)到，透射光柵結(jié)構(gòu)GR可具有另一種二維結(jié)構(gòu)。
透射光柵結(jié)構(gòu)GR的實(shí)施例(如圖4a和4b所示)具有在X和Y方向上的透射光柵間距(即E2開(kāi)區(qū)域和E1不透明區(qū)域的重復(fù)長(zhǎng)度)，所述透射光柵間距因?yàn)榧羟懈缮鏈y(cè)量而被優(yōu)化。典型地，透射光柵間距可以是大約5-20μm。
值得注意的是，典型地，X和Y方向與晶片工作臺(tái)或襯底工作臺(tái)WT的相互垂直的平移方向X、Y是一致的。
在本發(fā)明中，光柵貼片GR中的開(kāi)元E2配有子波長(zhǎng)光柵SWG，即子波長(zhǎng)的線和間隔的交錯(cuò)序列，其中線和間隔具有不同的用于照射輻射的透射性質(zhì)，其中的間距小于兩倍的照射輻射波長(zhǎng)。
例如，取決于照射輻射的實(shí)際波長(zhǎng)，子波長(zhǎng)光柵SWG可具有范圍為大約30至大約200nm的間距。
子波長(zhǎng)光柵SWG可以通過(guò)以相對(duì)較短波長(zhǎng)的方式使用光刻處理技術(shù)來(lái)制造，例如雙束浸沒(méi)干涉測(cè)量方法或電子束光刻術(shù)。
在圖4a中，開(kāi)元中子波長(zhǎng)光柵的線和間隔的間距(周期性)基本上指向X方向。在圖4b中，開(kāi)元中子波長(zhǎng)光柵的線和間隔的間距(周期性)基本上指向Y方向。
圖4a、4b所示的子波長(zhǎng)光柵SWG的每一個(gè)將充當(dāng)偏振濾光片。值得注意的是，對(duì)于具有X方向上線偏振的輻射和具有Y方向上線偏振的輻射來(lái)說(shuō)，具有指向給定方向(例如X方向)的間距的子波長(zhǎng)光柵SWG將具有不同的透射比。
值得注意的是，透射光柵結(jié)構(gòu)GR可包含一個(gè)或多個(gè)具有X方向上間距的子波長(zhǎng)光柵SWG與一個(gè)或多個(gè)具有Y方向上間距的子波長(zhǎng)光柵SWG的組合。
如上所述，檢測(cè)器S能夠測(cè)量投射到檢測(cè)器上的圖像的(二維)強(qiáng)度(分布)而不用考慮偏振態(tài)。
圖5示意性描述了供依照本發(fā)明的透鏡干涉儀傳感器使用的透鏡干涉儀標(biāo)記器的第二實(shí)施例。
為了確定照射輻射的偏振態(tài)和/或TM以及TE偏振輻射的分布，按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了包含多個(gè)光柵貼片的透鏡干涉儀標(biāo)記器IW2。第一組光柵貼片具有X方向上的間距；第二組光柵貼片具有Y方向上的間距。
在第一和第二組光柵貼片中，每個(gè)光柵貼片GR1、GR2、GR3、GR4、GR5、GR6包含一個(gè)或多個(gè)子波長(zhǎng)光柵SWG(在一個(gè)或多個(gè)開(kāi)區(qū)域E2上)。在每個(gè)光柵貼片內(nèi)，相對(duì)不透明的區(qū)域E1用陰影面積來(lái)表示。
在每個(gè)光柵貼片GR1、GR2、GR3、GR4、GR5、GR6內(nèi)，所有子波長(zhǎng)光柵SWG具有相同的預(yù)定間距。一個(gè)光柵貼片GR1、GR2、GR3、GR4、GR5、GR6中的子波長(zhǎng)光柵SWG的預(yù)定間距不同于多個(gè)光柵貼片GR1、GR2、GR3、GR4、GR5、GR6的任何其他一個(gè)中的任何子波長(zhǎng)光柵SWG的間距。
光柵貼片GR1、GR2、GR3、GR4、GR5、GR6可以任何想象得到的順序被布置在透鏡干涉儀標(biāo)記器上。每個(gè)獨(dú)立的光柵貼片GR1、GR2、GR3、GR4、GR5、GR6應(yīng)當(dāng)相對(duì)于其他光柵貼片來(lái)定位，以這樣的一種方式，也就是使得投影輻射束只可以與一個(gè)獨(dú)立的光柵發(fā)生相互作用。
因此，在這個(gè)實(shí)施例中，可以按如下方式進(jìn)行測(cè)量。具有特定的子波長(zhǎng)光柵SWG間距的光柵貼片GR選自多個(gè)光柵貼片并且被定位于檢測(cè)器S上方。
所選擇的光柵貼片具有比如大約200×200μm2的面積。
借助于透鏡干涉儀光闌ML，選擇輻射束的一部分。所選擇的輻射束部分被限制在比如大約200×200μm2的面積內(nèi)。
所選擇的輻射束部分傳過(guò)投影透鏡系統(tǒng)PL并且被投射到所選擇的具有特定間距的光柵貼片GR上。在經(jīng)過(guò)投影系統(tǒng)PL放大之后，投影的輻射束部分被限制在比如大約50×50μm2的面積內(nèi)。
投影的輻射束部分在所選擇的光柵貼片GR處衍射，并且檢測(cè)器S測(cè)量由照射到所選擇的光柵貼片GR上的投影輻射的透射產(chǎn)生的剪切干涉圖樣。
作為子波長(zhǎng)光柵SWG間距的函數(shù)，子波長(zhǎng)光柵SWG透射的輻射強(qiáng)度在TE偏振輻射的情況下變化比在TM偏振輻射的情況下相對(duì)更強(qiáng)。因此，照射到檢測(cè)器上的輻射中TM偏振和TE偏振輻射的比率的變化可以作為子波長(zhǎng)光柵間距的函數(shù)來(lái)觀察。
如上所述，被檢測(cè)器S測(cè)得的剪切干涉圖樣包含關(guān)于檢測(cè)器S的檢測(cè)平面上輻射波前的空間相干分布的信息。對(duì)于具有給定的子波長(zhǎng)光柵SWG間距的給定的光柵貼片來(lái)說(shuō)，被檢測(cè)器S測(cè)得的、照射到光柵貼片上的波前的透射強(qiáng)度是在X方向偏振的波前的透射強(qiáng)度和在Y方向偏振的波前的透射強(qiáng)度的組合，因?yàn)閷?duì)于具有一個(gè)方向上線偏振的輻射(比如X方向)和具有另外的垂直方向上線偏振的輻射(Y方向)來(lái)說(shuō)，子波長(zhǎng)光柵SWG將具有不同的透射比。典型地，依照方程1，測(cè)得的透射強(qiáng)度可以通過(guò)在X方向偏振的波前的透射強(qiáng)度和在Y方向偏振的波前的透射強(qiáng)度的加權(quán)平均來(lái)描述。
Wt＝Tx·Wx+Ty·Wy(1)其中Wx、Wy是照射到光柵貼片上并且分別在X和Y方向上偏振的輻射波前的強(qiáng)度；Tx、Ty是分別用于在X和Y方向上偏振的輻射波前的光柵貼片的透射系數(shù)；以及Wt是被檢測(cè)器S測(cè)得的輻射波前的透射強(qiáng)度。
正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的，可以若干種方式確定光柵的透射系數(shù)Tx、Ty，比如通過(guò)光柵參數(shù)的理論分析或者通過(guò)外部校準(zhǔn)。
相關(guān)的光柵參數(shù)可包含比如間距、光柵的間隔和線的各自寬度的比率、以及線和/或間隔的形狀/輪廓。
很顯然，為了通過(guò)上述方程確定在X方向上偏振的輻射波前Wx或在Y方向上偏振的輻射波前Wy，將分別需要在兩個(gè)不同光柵貼片上進(jìn)行測(cè)量，其中每一個(gè)具有不同的間距和/或用于在X和Y方向上偏振的輻射波前的不同的透射系數(shù)Tx、Ty。
在X和Y方向上偏振的輻射波前測(cè)定的分辨率和精度可以通過(guò)具有各自不同間距的多個(gè)光柵貼片上的測(cè)量來(lái)改進(jìn)。
值得注意的是，通過(guò)使用在給定方向上具有各自不同的間距的光柵貼片，透射系數(shù)Tx、Ty可以隨每個(gè)測(cè)量而變化。此外，可以通過(guò)具有給定的相同間距但是不同的間距方向的光柵貼片上的測(cè)量來(lái)改變Tx、Ty。
組合具有X方向或Y方向的間距的光柵貼片上的測(cè)量可以為透射系數(shù)Tx、Ty提供更動(dòng)態(tài)的范圍，這同樣可以改進(jìn)測(cè)量的分辨率。
因此，可以針對(duì)具有不同的子波長(zhǎng)光柵SWG間距的多個(gè)光柵貼片GR的每一個(gè)重復(fù)剪切干涉圖樣的測(cè)量。每個(gè)測(cè)得的剪切干涉圖樣可以作為子波長(zhǎng)光柵間距的函數(shù)來(lái)存儲(chǔ)。通過(guò)分析作為子波長(zhǎng)光柵間距和/或間距方向的函數(shù)的已測(cè)透射干涉圖樣的變化，可以確定照射到檢測(cè)器上的輻射中分別在X和Y方向上偏振的輻射波前的比率。
這樣，可以根據(jù)波前性質(zhì)和強(qiáng)度分布確定照射到透射光柵結(jié)構(gòu)上的輻射的TE和TM偏振分量。
通過(guò)將透鏡干涉儀光闌ML定位于各種位置上以及通過(guò)將檢測(cè)器S定位于投影平面內(nèi)的相關(guān)位置上，可以測(cè)量作為與透鏡干涉儀光闌ML的選擇位置相關(guān)聯(lián)的光瞳面內(nèi)場(chǎng)點(diǎn)位置的函數(shù)的投影射束的強(qiáng)度。
每個(gè)場(chǎng)點(diǎn)位置處投影射束的波前和角強(qiáng)度分布可以作為間距方向和間距大小的函數(shù)進(jìn)行測(cè)量。
因此，該方法允許為每個(gè)場(chǎng)點(diǎn)確定輻射束的TE和TM分量的全部光瞳面性質(zhì)。
盡管在這個(gè)說(shuō)明中具體提到了在IC制造中使用光刻設(shè)備，但是應(yīng)當(dāng)理解這里所描述的光刻設(shè)備還具有其它的應(yīng)用，例如，集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的制導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)和薄膜磁頭等的制造。技術(shù)人員將會(huì)意識(shí)到在這種可選用的應(yīng)用范圍中，這里的術(shù)語(yǔ)“晶片”或“管芯”的任何用法可被認(rèn)為分別與更通用的術(shù)語(yǔ)“襯底”或“目標(biāo)部分”是同義的。這里提到的襯底可在曝光以前或之后在比如涂膠顯影機(jī)(track)(一種通常將光刻膠層施加于襯底并顯影已曝光的光刻膠的工具)、計(jì)量工具和/或檢視工具中被處理。在可適用的地方，這里所公開(kāi)的內(nèi)容可適用于這種和其它的襯底處理工具。另外，例如為了制造多層IC，襯底可經(jīng)過(guò)不止一次的處理，以使這里所使用的術(shù)語(yǔ)襯底還可指已經(jīng)包含有多個(gè)已處理層的襯底。
盡管上面具體提到了本發(fā)明的實(shí)施例在光學(xué)光刻術(shù)的范圍中的使用，但是將會(huì)意識(shí)到本發(fā)明可用于其它的應(yīng)用(如壓印光刻術(shù))，并且在范圍允許的地方，本發(fā)明不限于光學(xué)光刻術(shù)。在壓印光刻術(shù)中，圖案形成裝置中的圖像限定在襯底上生成的圖案。圖案形成裝置的圖像可被壓入提供給襯底的光刻膠層，在襯底上通過(guò)應(yīng)用電磁輻射、加熱、加壓或其中的組合使光刻膠固化。在光刻膠被固化后，使圖案留在光刻膠上而將圖案形成裝置移離光刻膠。
這里所使用的術(shù)語(yǔ)“輻射”和“射束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(如具有大約365、355、248、193、157或126nm的波長(zhǎng))和極遠(yuǎn)紫外(EUV)輻射(如具有范圍為5-20nm的波長(zhǎng))、以及粒子束(如離子射束或電子射束)。
在范圍允許的地方，術(shù)語(yǔ)“透鏡”可指各種類型的光學(xué)部件的任何一種或組合，包括折射的、反射的、磁的、電磁的和靜電的光學(xué)部件。
雖然在上面對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例已經(jīng)進(jìn)行了描述，但是將會(huì)意識(shí)到可以與所述的不同的方式實(shí)施本發(fā)明。例如，本發(fā)明可采用描述上面公開(kāi)的方法的、包含有一個(gè)或多個(gè)機(jī)器可讀指令序列的計(jì)算機(jī)程序的形式，或者是將這樣的計(jì)算機(jī)程序存儲(chǔ)在其中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤(pán)或光盤(pán))。
上面的描述是用來(lái)說(shuō)明的而不是限制的。因而，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯而易見(jiàn)的是只要未背離下面所陳述的權(quán)利要求的范圍，可對(duì)所描述的本發(fā)明進(jìn)行修改。
權(quán)利要求
1.一種光刻設(shè)備，包含照明系統(tǒng)，其被配置成可調(diào)節(jié)輻射束；投影系統(tǒng)，被配置成可將所述輻射束的至少一部分作為投影輻射束來(lái)投射；以及透鏡干涉儀，用于感測(cè)所述投影輻射束的波前狀態(tài)，其中所述透鏡干涉儀配有偏振元件以便能夠感測(cè)所述投影輻射束的偏振態(tài)。
2.如權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述透鏡干涉儀包含透鏡干涉儀標(biāo)記器和檢測(cè)器，所述透鏡干涉儀標(biāo)記器包含所述偏振元件，所述檢測(cè)器被布置成用于接收所述偏振元件透射的被接收的投影射束的至少一部分。
3.如權(quán)利要求2所述的光刻設(shè)備，其中所述偏振元件是子波長(zhǎng)光柵，所述子波長(zhǎng)光柵包含子波長(zhǎng)的線和間隔的交錯(cuò)序列，其中的間距小于兩倍的所述投影射束的波長(zhǎng)。
4.如權(quán)利要求2或3所述的光刻設(shè)備，其中所述透鏡干涉儀標(biāo)記器包含至少一個(gè)光柵貼片，所述光柵貼片包含第一類型的多個(gè)面積元和第二類型的多個(gè)面積元，所述第一類型的多個(gè)面積元和第二類型的多個(gè)面積元被布置成交錯(cuò)循環(huán)的序列，所述第一類型的面積元對(duì)輻射來(lái)說(shuō)是相對(duì)不透明的，所述第二類型的面積元對(duì)輻射來(lái)說(shuō)是相對(duì)透明的，并且所述至少一個(gè)光柵貼片的第二類型的面積元各自配有所述偏振元件。
5.如權(quán)利要求3或4所述的光刻設(shè)備，其中所述子波長(zhǎng)光柵的間距在第一間距方向和第二間距方向的至少一個(gè)方向上伸展；所述第二間距方向垂直于所述第一間距方向。
6.如權(quán)利要求4或5所述的光刻設(shè)備，其中所述透鏡干涉儀標(biāo)記器包含多個(gè)光柵貼片，在每一個(gè)光柵貼片中，所述子波長(zhǎng)光柵的間距不同于其他光柵貼片中所述子波長(zhǎng)光柵的間距。
7.如權(quán)利要求6所述的光刻設(shè)備，其中所述子波長(zhǎng)光柵具有相同的間距方向。
8.如權(quán)利要求6所述的光刻設(shè)備，其中第一組的多個(gè)光柵貼片的每一個(gè)包含具有所述第一間距方向的子波長(zhǎng)光柵，以及第二組的多個(gè)光柵貼片的每一個(gè)包含具有所述第二間距方向的子波長(zhǎng)光柵。
9.如前面的權(quán)利要求1-8的任何一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中所述透鏡干涉儀包含透鏡干涉儀光闌，用于選擇所述輻射束的至少一部分作為所述投影輻射束，所述透鏡干涉儀光闌的位置與所述投影系統(tǒng)的光瞳面內(nèi)的場(chǎng)點(diǎn)位置相關(guān)聯(lián)。
10.如前面的權(quán)利要求2-9的任何一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中所述透鏡干涉儀標(biāo)記器被布置在所述光刻設(shè)備的襯底工作臺(tái)的表面上，所述檢測(cè)器相對(duì)于所述投影系統(tǒng)被布置在所述透鏡干涉儀標(biāo)記器之后，所述襯底工作臺(tái)被構(gòu)建成可支撐襯底并且所述投影系統(tǒng)被配置成可使所述投影輻射束投射到所述襯底工作臺(tái)上。
11.一種用于光刻設(shè)備的透鏡干涉儀，所述光刻設(shè)備包含被配置成可調(diào)節(jié)輻射束的照明系統(tǒng)和被配置成可將所述輻射束的至少一部分作為投影輻射束來(lái)投射的投影系統(tǒng)；所述透鏡干涉儀被布置成用于感測(cè)所述輻射束的波前狀態(tài)，其中所述透鏡干涉儀配有偏振元件以便能夠感測(cè)所述輻射束的偏振態(tài)。
12.如權(quán)利要求11所述的透鏡干涉儀，其中所述透鏡干涉儀包含透鏡干涉儀標(biāo)記器和檢測(cè)器，所述透鏡干涉儀標(biāo)記器包含偏振元件，所述檢測(cè)器被布置成用于接收所述偏振元件透射的被接收的投影射束的至少一部分。
13.如權(quán)利要求12所述的透鏡干涉儀，其中所述偏振元件是子波長(zhǎng)光柵，所述子波長(zhǎng)光柵包含子波長(zhǎng)的線和間隔的交錯(cuò)序列，其中的間距小于兩倍的所述投影輻射的波長(zhǎng)。
14.如權(quán)利要求12或13所述的透鏡干涉儀，其中所述透鏡干涉儀標(biāo)記器包含至少一個(gè)光柵貼片，所述光柵貼片包含第一類型的多個(gè)面積元和第二類型的多個(gè)面積元，所述第一類型的多個(gè)面積元和第二類型的多個(gè)面積元被布置成交錯(cuò)循環(huán)的序列，所述第一類型的面積元對(duì)輻射來(lái)說(shuō)是相對(duì)不透明的，所述第二類型的面積元對(duì)輻射來(lái)說(shuō)是相對(duì)透明的，并且所述至少一個(gè)光柵貼片的第二類型的面積元配有所述偏振元件。
15.如權(quán)利要求13或14所述的透鏡干涉儀，其中所述子波長(zhǎng)光柵的間距在第一間距方向和第二間距方向的至少一個(gè)方向上伸展；所述第二間距方向垂直于所述第一間距方向。
16.如權(quán)利要求14或15所述的透鏡干涉儀，其中所述透鏡干涉儀標(biāo)記器包含多個(gè)光柵貼片，在每一個(gè)光柵貼片中，所述子波長(zhǎng)光柵的間距不同于其他的光柵貼片中所述子波長(zhǎng)光柵的間距。
17.如權(quán)利要求16所述的透鏡干涉儀，其中所述子波長(zhǎng)光柵具有相同的間距方向。
18.如權(quán)利要求16所述的透鏡干涉儀，其中第一組的多個(gè)光柵貼片的每一個(gè)包含具有所述第一間距方向的子波長(zhǎng)光柵，以及第二組的多個(gè)光柵貼片的每一個(gè)包含具有所述第二間距方向的子波長(zhǎng)光柵。
19.如前面的權(quán)利要求11-18的任何一項(xiàng)所述的透鏡干涉儀，其中所述透鏡干涉儀包含透鏡干涉儀光闌，用于選擇所述輻射束的至少一部分作為所述投影輻射束，所述透鏡干涉儀光闌的位置與所述投影系統(tǒng)的光瞳面內(nèi)的場(chǎng)點(diǎn)位置相關(guān)聯(lián)。
20.一種裝置制造方法，所述方法包含將輻射束的至少一部分作為投影輻射束來(lái)投射、設(shè)置透鏡干涉儀用于感測(cè)所述投影輻射束的波前狀態(tài)、以及為所述透鏡干涉儀裝配偏振元件以便能夠感測(cè)所述投影輻射束的偏振態(tài)。
21.如權(quán)利要求20所述的裝置制造方法，其中感測(cè)所述投影輻射束的偏振態(tài)包含-在透鏡干涉儀標(biāo)記器的偏振元件上接收所述投影射束，-透射所述接收的投影射束的至少一部分作為穿過(guò)所述透鏡干涉儀標(biāo)記器的偏振元件的透射投影射束，以及-在檢測(cè)器上接收所述透射投影射束用于測(cè)量所述透射投影射束的強(qiáng)度。
22.如權(quán)利要求21所述的裝置制造方法，其中所述偏振元件是子波長(zhǎng)光柵，所述子波長(zhǎng)光柵包含子波長(zhǎng)的線和間隔的交錯(cuò)序列，其中的間距小于兩倍的所述投影射束的波長(zhǎng)。
23.如權(quán)利要求22所述的裝置制造方法，包含-為所述透鏡干涉儀標(biāo)記器裝配至少一個(gè)光柵貼片，所述光柵貼片包含第一類型的多個(gè)面積元和第二類型的多個(gè)面積元，所述第一類型的多個(gè)面積元和第二類型的多個(gè)面積元被布置成交錯(cuò)循環(huán)的序列，所述第一類型的面積元對(duì)輻射來(lái)說(shuō)是相對(duì)不透明的，所述第二類型的面積元對(duì)輻射來(lái)說(shuō)是相對(duì)透明的，以及-為所述至少一個(gè)光柵貼片的第二類型的面積元裝配所述偏振元件。
24.如權(quán)利要求22或23所述的裝置制造方法，包含-為所述透鏡干涉儀標(biāo)記器裝配多個(gè)光柵貼片；在每一個(gè)光柵貼片中，所述至少一個(gè)子波長(zhǎng)光柵的間距不同于其他光柵貼片中所述子波長(zhǎng)光柵的間距。
25.如權(quán)利要求24所述的裝置制造方法，包含-為所述多個(gè)光柵貼片的每一個(gè)中的至少一個(gè)子波長(zhǎng)光柵設(shè)置相同的間距方向。
26.如權(quán)利要求24所述的裝置制造方法，包含-為第一組的多個(gè)光柵貼片的每一個(gè)設(shè)置具有第一間距方向的子波長(zhǎng)光柵，以及-為第二組的多個(gè)光柵貼片的每一個(gè)設(shè)置具有第二間距方向的子波長(zhǎng)光柵；所述第二間距方向垂直于所述第一間距方向。
27.如前面的權(quán)利要求24-26的任何一項(xiàng)所述的裝置制造方法，包含-自具有第一間距的多個(gè)光柵貼片中選擇一個(gè)光柵貼片用于在所述透鏡干涉儀標(biāo)記器的偏振元件上接收所述投影射束；-通過(guò)所述檢測(cè)器測(cè)量透射投影射束的強(qiáng)度；-將測(cè)得的強(qiáng)度作為相對(duì)于所選擇的一個(gè)光柵貼片的第一間距的第一測(cè)量強(qiáng)度來(lái)存儲(chǔ)。
28.如權(quán)利要求27所述的裝置制造方法，包含-重復(fù)為至少一個(gè)第二間距選擇一個(gè)光柵貼片，并作為所選擇的一個(gè)光柵貼片的至少一個(gè)第二間距的函數(shù)進(jìn)行的測(cè)量和存儲(chǔ)。
29.如權(quán)利要求27或28所述的裝置制造方法，包含-分析相對(duì)于所述第一和至少一個(gè)第二間距的第一和至少一個(gè)第二測(cè)量強(qiáng)度的變化，所述第一間距具有的在所述第一和第二間距方向上偏振的輻射的透射的透射系數(shù)不同于所述至少一個(gè)第二間距的各自的透射系數(shù)。
30.如權(quán)利要求29所述的裝置制造方法，其中作為所述子波長(zhǎng)光柵的間距方向的函數(shù)來(lái)實(shí)施所述第一和至少一個(gè)第二測(cè)量強(qiáng)度的變化的分析。
31.如權(quán)利要求29或30所述的裝置制造方法，其中作為與投射所述輻射束的至少一部分相關(guān)聯(lián)的光瞳面內(nèi)場(chǎng)點(diǎn)位置的函數(shù)來(lái)實(shí)施所述第一和至少一個(gè)第二測(cè)量強(qiáng)度的變化的分析；所述方法包含-通過(guò)透鏡干涉儀光闌選擇所述輻射束的一部分，所述透鏡干涉儀光闌的位置與所述場(chǎng)點(diǎn)位置相關(guān)聯(lián)。
32.如前面的權(quán)利要求28-31的任何一項(xiàng)所述的裝置制造方法，其中所述方法還包含確定所述光瞳面內(nèi)每個(gè)場(chǎng)點(diǎn)的TE和TM偏振輻射的比率，以獲得每個(gè)場(chǎng)點(diǎn)的所述輻射束的TE和TM分量的光瞳面性質(zhì)。
全文摘要
一種光刻設(shè)備包含被配置成可調(diào)節(jié)輻射束的照明系統(tǒng)；被配置成可將輻射束的至少一部分作為投影輻射束來(lái)投射的投影系統(tǒng)；以及用于感測(cè)投影輻射束的波前狀態(tài)的透鏡干涉儀。透鏡干涉儀配有偏振元件以便能夠感測(cè)投影輻射束的偏振態(tài)。
文檔編號(hào)H01L21/027GK101055430SQ20071010180
公開(kāi)日2007年10月17日 申請(qǐng)日期2007年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月13日
發(fā)明者M·A·范德科克霍夫 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司