專利名稱：一種導電材料改進的電源插頭、插座、接插件的導電體的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種電源插頭、插件、接插件導電材料的改進。
背景技術：
現(xiàn)有電源插頭、插座、接插件一般用銅制成，因銅具有良好的導電 性和低發(fā)熱，而作為插頭、插座和接插件除要求導電性外，都要有一 定的強度要求和易加工性能，因此，作為插頭等使用的銅材一般要加
入鋅等其它物質以增加強度和改善加工性能，插頭等常用62黃銅或 59黃銅，而不能用純度高的紫銅，但作為銅的生產(chǎn)產(chǎn)品卻要求銅板 純度高，實際上在材料企業(yè)要求生產(chǎn)高純度銅，要求達到99.9%以上， 而在使用的電器企業(yè)，還要將純銅加入其它物質成為純度不高的黃 銅，再制作成各種電器用銅。由于近年來銅材料大幅上漲，因此，插 頭、插座等銅接插件成本極大地提高。在生產(chǎn)中，黃銅制成插頭的工 藝一般用切削方法，廢銅削回收，以降低生產(chǎn)成本。這一方法靠回收 切削料節(jié)約有限；高純度紫銅生產(chǎn)，低純度黃銅使用的矛盾，是其成 本高的重要因素，而應成為其降低成本的主要途徑。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的對電源插頭、插座的結構改進，并使其能與銅材的生 產(chǎn)中電解或電積結合起來，直接將電解銅結合到插頭、插座的基板上 來。一種電源插頭導電體，包括一柱形鋼質基體，在基體的外表面鍍 上一鎳防護層，再將該件作為濕法電解銅生產(chǎn)中的陰極，經(jīng)電解或電 積工藝在基體的外表面上鍍銅。
或者采用不銹鋼基體，在柱形不銹鋼的基體上直接鍍銅，即成為插 頭的導電體。
所述的導電體的一端略大，為插頭的接觸端，另一端有一凸起， 為導電的焊接端。所述的凸起可以采用鐓制工藝完成。
所述電解銅鍍層厚度為柱體截面的10-30%，最好為20%。 所述的插頭導電體，還進一步包括將鍍銅的基體，經(jīng)表面整形處理。 所述的濕法電解或電積銅生產(chǎn)中的陰極為一旋轉框架，插頭基體插入 框架內旋轉電鍍，實現(xiàn)外表面鍍層均勻。
一種電源插座、接插件的導電體，包括一不銹鋼平基板，將 不銹鋼基板作為濕法電解銅生產(chǎn)的陰極，經(jīng)電解或電積工藝在基體的 導電面單面或雙面鍍銅，再將此鍍銅板折彎異形處理成為插座導電體 或接插件的導電體。
或者為一不銹鋼插座、接插件的異形基板，將其不銹鋼基板作 為濕法電解銅生產(chǎn)的陰極，經(jīng)電解或電積工藝在基體的導電面單面或 雙，面鍍銅，再將此鍍銅異形件經(jīng)表面處理成為插座導電體或接插件 的導電體。
所述電解銅鍍層厚度為基板的10-30%,最好為20%。
所述的銅電積法生產(chǎn)工藝是一種從混合類型銅礦床中提取金 屬銅的方法，它是以硫化銅礦或和氧化銅礦為原料，分別將其破碎成合格碎礦，將氧化銅合格礦直接用細菌堆浸，而將氧化銅合格礦先進 行洗滌篩分，再分別對礦泥、礦砂進行攪拌浸出和堆浸，對浸出液進 行萃取，再對萃取后的負載有機相依次進行常規(guī)的反萃、電積，可獲
得高純度陰極銅。本發(fā)明將插頭、插座、接插件的導電體改變?yōu)殇摶?體和銅材二部分構成，并且鋼質基體與銅的結合直接在銅的濕法生產(chǎn) 中進行，節(jié)省了再電鍍工藝。
銅和鐵結合時，銅占截面積18%時，可以達到黃銅的導電率， 而黃銅的含銅量卻高達59o/o-62%。本發(fā)明在插頭、插座導電基體上 的導電銅純度高，其導電性、發(fā)熱溫度均優(yōu)于傳統(tǒng)的黃銅導電體，而 且導電體的機械性能也優(yōu)于傳統(tǒng)的黃銅，如插座導電板的基本為不銹 鋼的，因此，其彈性非常好，單面鍍銅，銅材料省。本發(fā)明所用方法 將鋼或不銹鋼基體鍍上20%，其導電性、溫升都優(yōu)于黃銅，其成本也 顯著降低，特別是將鍍銅工藝與濕法銅的生產(chǎn)結合起來，避免了重復 電鍍或電積，效率大為提高。


圖1為三腳插頭示意圖；圖2為二腳插頭示意圖3為方形插頭導電體剖視圖；圖4為本發(fā)明圓柱形插頭剖視
圖；圖5為本發(fā)明插頭導電體立體圖6為插座示意圖；圖7為本發(fā)明插座導電體剖視具體實施例方式
實施例1:
如圖1、 2所示，本發(fā)明插頭的導電體可以制成二腳插頭，也可以制成三腳插頭，插頭包括插頭本體(1)及插頭導電體(2),插頭導 電體主體為鋼質基體(3),外表面鍍銅(4)，其銅層厚度為柱體截面 的10-30%,最好為20%,插頭導電體立體構造如圖5所示，其前端 有一凸起(5),其與插座連接導電；其另一端也有一凸環(huán)(6)用于 與導線焊接及與其它件的連接。
取直徑2.8111111,長40mm的本發(fā)明濕法電積銅的鋼基體，其中 銅層厚度為柱體截面20%，其電性能與黃銅插頭導電體的電性能比 較，
電阻 接觸電阻 溫度(室溫24.2度)
黃銅 0.485毫歐 1.6毫歐 29.5度
鍍銅 0.422毫歐 1.2毫歐 29.1度
顯然，本發(fā)明具有顯著的優(yōu)越性。 實施例2:
插座結構如圖6所示，其包括插座本體(7),及導電夾片(8)， 導電夾片8固定在本體上，并與導線連接，導電夾片(8)本體為不 銹鋼基體(8.1),在其與插頭接觸面鍍有銅(8.2),其厚度為的10-30%, 由于不銹鋼彈性好，因此，其與現(xiàn)有的黃銅插座性能有極大的提高。
權利要求
1、一種電源插頭導電體，其特征在于包括一柱形鋼質基體，在基體的外表面鍍上一鎳防護層，或是一柱形不銹鋼基體，再將該件作為濕法電解銅生產(chǎn)中的陰極，經(jīng)電解或電積工藝在基體的外表面上鍍銅，即成為插頭。
2、 根據(jù)權利l所述的電源插頭導電體，其特征在于所述的導電體的 一端略大，為插頭的接觸端，另一端有一凸起，為導電的焊接端。
3、 根據(jù)權利2所述的電源插頭導電體，其特征在于所述的導電體所 述的凸起可以采用鐓制工藝完成。
4、 根據(jù)權利l或2或3所述的電源插頭導電體，其特征在于所述的 導電體所述電解銅鍍層厚度為柱體截面的10-30%。
5、 根據(jù)權利4所述的電源插頭導電體，其特征在于所述的導電體所 述電解銅鍍層厚度為柱體截面的為20%。
6、 根據(jù)權利1或2或3或5所述的一種電源插頭導電體，其特征在 于所述的插頭導電體，還進一步包括將鍍過銅的基體，再進行表面整 形處理。
7、 根據(jù)權利1或2或3或5所述的一種電源插頭導電體，所述的濕 法電解或電積銅生產(chǎn)中的陰極為一旋轉框架，插頭基體插入框架內旋 轉電鍍，實現(xiàn)外表面鍍層均勻。
8、 根據(jù)權利1所述的一種電源插頭導電體，其特征在于所述的銅電積法生產(chǎn)工藝是- -種從混合類型銅礦床中提取金屬銅的方法，它是以硫化銅礦或和氧化銅礦為原料，分別將其破碎成合格碎礦，將氧化銅 合格礦直接用細菌堆浸，而將氧化銅合格礦先進行洗滌篩分，再分別 對礦泥、礦砂進行攪拌浸出和堆浸，對浸出液進行萃取，再對萃取后 的負載有機相依次進行常規(guī)的反萃、電積，獲得高純度陰極銅。
9、 一種電源插座、接插件的導電體，其特征在于其包括一不銹鋼平 基板，將不銹鋼基板作為濕法電解銅生產(chǎn)的陰極，經(jīng)電解或電積工藝 在基體的導電面單面或雙面鍍銅，再將此鍍銅板折彎異形處理成為插 座導電體或接插件的導電體。
10、 一種電源插座、接插件的導電體，其特征在于包括一不銹鋼插座、 接插件的異形基板，將不銹鋼基板作為濕法電解銅生產(chǎn)的陰極，經(jīng)電 解或電積工藝在基體的導電面單面或雙，面鍍銅，再將此鍍銅表面處 理成為插座導電體或接插件的導電體。
11、 根據(jù)權利9或10所述的電源插座、接插件導電體，其特征在于 所述電解銅鍍層厚度為基板的10-30%。
12、 根據(jù)權利9或10所述的電源插座、接插件導電體，其特征在于所述的銅電積法生產(chǎn)工藝是-一種從混合類型銅礦床中提取金屬銅，它 是以硫化銅礦或和氧化銅礦為原料，分別將其破碎成合格碎礦，將氧 化銅合格礦直接用細菌堆浸，而將氧化銅合格礦先進行洗滌篩分，再 分別對礦泥、礦砂進行攪拌浸出和堆浸，對浸出液進行萃取，再對萃 取后的負載有機相依次進行常規(guī)的反萃、電積，可獲得高純度陰極銅。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電源插頭、插座、接插件導電體，其包括一鋼質基體，在基體的外表面鍍上一鎳防護層，再將該件作為濕法電解銅生產(chǎn)中的陰極，經(jīng)電解或電積工藝在基體的外表面上鍍銅。所述電解銅鍍層厚度為柱體截面的10-30％。所述的銅電積法生產(chǎn)工藝是一種從混合類型銅礦床中提取金屬銅，它是以硫化銅礦或和氧化銅礦為原料，用細菌堆浸，而將氧化銅合格礦先進行洗滌篩分，再分別對礦泥、礦砂進行攪拌浸出和堆浸，對浸出液進行萃取，再對萃取后的負載有機相依次進行常規(guī)的反萃、電積，可獲得高純度陰極銅。本發(fā)明將插頭、插座、接插件的導電體改變?yōu)殇摶w和銅材二部分構成，并且鋼質基體與銅的結合直接在銅的濕法生產(chǎn)中進行，節(jié)省了再電鍍工藝。
文檔編號H01R13/03GK101453071SQ20071000991
公開日2009年6月10日 申請日期2007年11月28日 優(yōu)先權日2007年11月28日
發(fā)明者李世煌 申請人:李世煌