專利名稱：：電路裝置的制作方法電路裝置技術(shù)區(qū)域本發(fā)明涉及電路裝置，尤其涉及具有低阻抗的電路裝置。
背景技術(shù)：
：最近，LSI(LargeScaleIntegratedcircuit)等的數(shù)字電路技術(shù)不僅用于計算機及通信相關(guān)設(shè)備，還用于家用電器產(chǎn)品及車載用設(shè)備。并且，在LSI等中產(chǎn)生的高頻電流不停留在LSI附近，而是在印刷電路基板等安裝電路基板內(nèi)的大范圍內(nèi)分散，并與信號布線及接地線感應(yīng)耦合，而從信號電纜等中作為電磁波泄漏。在由數(shù)字電路替換現(xiàn)有的模擬電路的一部分的電路、及具有模擬輸入輸出的數(shù)字電路等的混合了模擬電路和數(shù)字電路的電路中，從數(shù)字電路到模擬電路的電磁干擾問題變得嚴(yán)重。作為該對策，從供電系統(tǒng)高頻分離作為高頻電流的產(chǎn)生源的LSI,即電源去耦合的方法有效。并且，作為使用該電源去耦合方法的噪聲濾波器已知有傳輸線路型噪聲濾波器(特開2004—80773號公報)。該傳輸線路型噪聲濾波器包括第1及第2導(dǎo)電體、電介質(zhì)層和第1及第2陽極。并且，第1及第2導(dǎo)電體分別由板狀形狀構(gòu)成，電介質(zhì)層配置在第1及第2導(dǎo)電體之間。第1陽極與第1導(dǎo)電體的長度方向中的一端連接，第2陽極與第1導(dǎo)電體長度方向中的另一端連接。第2導(dǎo)電體作用為連接基準(zhǔn)電位用的陰極。第1導(dǎo)電體、電介質(zhì)層及第2導(dǎo)電體構(gòu)成電容器。進一步，設(shè)置第l導(dǎo)電體的厚度，使其實質(zhì)上抑制通過流動第1導(dǎo)電體的電流的直流成分產(chǎn)生的溫度升高。并且，傳輸線路型噪聲濾波器連接在電源和LSI之間，來自電源的電流經(jīng)過由第1陽極、第1導(dǎo)電體及第2陽極構(gòu)成的路徑流向LSI，并且衰減在LSI中產(chǎn)生的交流電流。這樣，傳輸線路型噪聲濾波器是具有電容器的結(jié)構(gòu)，并將構(gòu)成電容器的兩個電極的第1及第2導(dǎo)電體用作傳輸線路的噪聲濾波器。專利文獻(xiàn)1:特開2004—80773號公報但是，傳輸線路型噪聲濾波器具有由(電感/電容)1/2表示的阻抗，而沒有采用減小電感的方法。而且，阻抗隨著頻率變高，而從電容支配的區(qū)域進入到電感支配的區(qū)域。結(jié)果，在現(xiàn)有的傳輸線路型噪聲濾波器中，有不能實現(xiàn)傳輸線路型噪聲濾波器的阻抗比通過原有的電感確定的阻抗低的問題。另外，有抑制CPU等的電負(fù)載電路產(chǎn)生的不需要的高頻電流向電源側(cè)泄漏變困難的問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明為解決該問題而作出，其目的是提供一種可通過電感的降低來減小阻抗的電路裝置。另外，本發(fā)明的另一目的是提供一種可以抑制由電負(fù)載電路產(chǎn)生的高頻電流向電源側(cè)泄漏的電路裝置。根據(jù)該發(fā)明，電路裝置包括電氣元件和電流控制部件。電氣元件連接在第1及第2端子之間。電流控制部件使從第1端子供給的第1電流的交流成分至少在電氣元件內(nèi)的導(dǎo)體板中流動，并且從第2端子接受作為第1電流的返回電流的第2電流，使該接受的第2電流的交流成分至少在電氣元件內(nèi)的導(dǎo)體板中流動。電氣元件包含n(n是正整數(shù))個第1導(dǎo)體板與m(m是正整數(shù))個第2導(dǎo)體板。n個第1導(dǎo)體板分別使第1電流的交流成分至少從第1端子側(cè)向第2端子側(cè)流動。m個的第2導(dǎo)體板與n個第1導(dǎo)體板交替層疊，分別使第2電流的交流成分至少從第2端子側(cè)向第1端子側(cè)流動。優(yōu)選電氣元件進一步包含第1及第2陽極電極與第1及第2陰極電極。第1陽極電極配置在第1端子側(cè)，與n個第1導(dǎo)體板的一端連接。第2陽極電極配置在第2端子側(cè)，與n個第l導(dǎo)體板的另一端連接。第1陰極電極配置在第1端子側(cè)，與m個第2導(dǎo)體板的—端連接。第2陰極電極配置在第2端子側(cè)，與m個第2導(dǎo)體板的另一端連接。并且，電流控制部件包含與第i及第2陰極電極連接，且具有比m個第2導(dǎo)體板的阻抗大的阻抗的第3導(dǎo)體板。優(yōu)選電氣元件進一步包含第1及第2陽極電極與第1及第2陰極電極。第1陽極電極配置在第1端子側(cè)，與n個第1導(dǎo)體板的一端連接。第2陽極電極配置在第2端子側(cè)，與n個第1導(dǎo)體板的另一端連接。第1陰極電極配置在第1端子側(cè)，與m個第2導(dǎo)體板的一端連接。第2陰極電極配置在第2端子側(cè)，與m個第2導(dǎo)體板的另一端連接。并且，電流控制部件通過趨膚效應(yīng)，使第1電流的交流成分在n個第1導(dǎo)體板中流動，并且使第1電流的直流成分從第1陽極電極向第2陽極電極流動。另外，根據(jù)本發(fā)明，電路裝置具有基板和電氣元件。將電氣元件配置在基板上，并連接在第1及第2端子之間。并且，電氣元件包含第1及第2陽極電極、第1及第2陰極電極、n(n是正整數(shù))個第1導(dǎo)體板與m(m是正整數(shù))個第2導(dǎo)體板。第1陽極電極配置在第1端子側(cè)。第2陽極電極配置在第2端子側(cè)。第1陰極電極配置在第1端子側(cè)。第2陰極電極配置在第2端子側(cè)。n個第l導(dǎo)體板與l及第2陽極電極連接。m個第2導(dǎo)體板與n個第1導(dǎo)體板交替層疊，并與第1及第2陰極電極連接?；灏?到第4導(dǎo)體部。第1導(dǎo)體部與第1陽極電極連接。第2導(dǎo)體部與第1導(dǎo)體部分離設(shè)置，并與第2陽極電極連接。第3導(dǎo)體部與第1陰極電極連接。第4導(dǎo)體部與第3導(dǎo)體部分離設(shè)置，并與第2陰極電極連接。進而，根據(jù)本發(fā)明，電路裝置包括基板和電氣元件。電氣元件配置在基板上，并與第l及第2端子間連接。并且，電氣元件包含第1及第2陽極電極、第1及第2陰極電極、n(n是正整數(shù))個第1導(dǎo)體板與m(m是正整數(shù))個第2導(dǎo)體板。第1陽極電極配置在第1端子側(cè)。第2陽極電極配置在第2端子側(cè)。第1陰極電極配置在第1端子側(cè)。第2陰極電極配置在第2端子側(cè)。n個第l導(dǎo)體板與第l及第2陽極電極連接。m個第2導(dǎo)體板與n個第1導(dǎo)體板交替層疊，并與第1及第2陰極電極連接?；灏?到第4導(dǎo)體部、第1及第2縫隙。第1導(dǎo)體部與第1陽極電極連接。第2導(dǎo)體部與第2陽極電極連接。第1縫隙設(shè)置在第1導(dǎo)體部和第2導(dǎo)體部之間。第3導(dǎo)體部與第1陰極電極連接。第4導(dǎo)體部與第2陰極電極連接。第2縫隙設(shè)置在第3導(dǎo)體部和第4導(dǎo)體部之間。優(yōu)選第1縫隙由與第2縫隙相同的縫隙構(gòu)成。進而，根據(jù)本發(fā)明，電路裝置包括電氣元件與第1導(dǎo)體板。電氣元件連接在第1及第2端子之間。第1導(dǎo)體板與電氣元件的兩端連接。電氣元件包含第1及第2陽極電極、第1及第2陰極電極、n(n是正整數(shù))個第2導(dǎo)體板與m(m是正整數(shù))個第3導(dǎo)體板。第1陽極電極配置在第1端子側(cè)。第2陽極電極配置在第2端子側(cè)。第1陰極電極配置在第1端子側(cè)。第2陰極電極配置在第2端子側(cè)。n個第2導(dǎo)體板與第1及第2陽極電極連接。m個第3導(dǎo)體板與n個第2導(dǎo)體板交替層疊，并與第1及第2陰極電極連接。并且，第1導(dǎo)體板連接在第1及第2陽極電極之間，同時，表面具有深度在最小深度以上的凹凸部。最小深度是比基于趨膚效應(yīng)的表皮深度ds淺，且在第1導(dǎo)體板的表面平坦的情況下抑制因趨膚效應(yīng)而在第1導(dǎo)體板的表面層上流動的電流的交流成分的深度。優(yōu)選第1導(dǎo)體板包含第1及第2連接部。第1連接部是與第1陽極電極的連接部。第2連接部是與第2陽極電極的連接部。第1及第2連接部具有比電氣元件的寬度寬的寬度。優(yōu)選第1導(dǎo)體板包含第1及第2連接部。第1連接部是與第1陽極電極的連接部。第2連接部是與第2陽極電極的連接部。第1及第2連接部具有沿電氣元件的寬度方向和/或電氣元件的長度方向延伸的延伸部。優(yōu)選將最小深度設(shè)置為由與電元件連接的電負(fù)載電路產(chǎn)生的交流電流成分中最高頻率確定的表皮深度淺，且可抑制因趨膚效應(yīng)而流過第1導(dǎo)體板的表面層的具有最高頻率的交流電流成分的深度。優(yōu)選凹凸部具有表皮深度以上的深度。優(yōu)選表皮深度是由最高頻率確定的表皮深度。優(yōu)選凹凸部具有表皮深度以上且最大深度以下的深度。最大深度在所述電負(fù)載電路是一個的情況下，根據(jù)使提供給1個電負(fù)載電路的直流電流在第1導(dǎo)體板中流動所需的第1導(dǎo)體板的截面積來確定，在將j(j是2以上的整數(shù))個電負(fù)載電路與電氣元件并聯(lián)連接的情況下，根據(jù)使提供給j個電負(fù)載電路的整體的直流電流在所述第1導(dǎo)體板中流動所需的所述第1導(dǎo)體板的截面積來確定。優(yōu)選表皮深度是通過電負(fù)載電路產(chǎn)生的交流電流成分的頻率中最低頻率下的表皮深度。本發(fā)明的電路裝置中，電流的交流成分流過電氣元件內(nèi)的導(dǎo)體板，電流的返回電流的交流成分流過電氣元件內(nèi)的其他導(dǎo)體板。結(jié)果，導(dǎo)體板與其他導(dǎo)體板產(chǎn)生磁耦合，從而使導(dǎo)體板的有效電感比導(dǎo)體板的自身電感小。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以減小電路裝置的阻抗?？梢詫⒎祷仉娏鞯慕涣鞒煞址忾]到電氣元件內(nèi)，可以抑制交流成分向電源側(cè)的泄漏。圖1是表示基于本發(fā)明的實施方式的電路裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖2是表示圖1所示的電氣元件的結(jié)構(gòu)的示意圖3是說明圖1所示的電介質(zhì)層及導(dǎo)體板的尺寸用的圖4是相鄰兩個導(dǎo)體板的俯視圖5是圖2所示的線V—V之間的電氣元件100的剖視圖6是圖2所示的線VI—VI之間的電氣元件100的剖視圖7是說明圖2所示的電氣元件的制造方法用的第1工序圖8是說明圖2所示的電氣元件的制造方法用的第2工序圖9是說明圖2所示的電氣元件的制造方法用第3的工序圖10是說明圖2所示的電氣元件的制造方法用的第4的工序圖11是說明圖2所示的電氣元件的制造方法用的第5的工序圖12是說明圖2所示的電氣元件的功能用的立體圖13是說明通過流過導(dǎo)線的電流產(chǎn)生的磁通密度用的圖14是說明在兩個導(dǎo)線間產(chǎn)生了磁干擾的情況下的有效電感用的圖15是說明圖2所示的電氣元件的電感變小的機構(gòu)用的第1概念圖16是說明圖2所示的電氣元件的電感變小的機構(gòu)用的第2概念圖17是表示圖2所示電氣元件的阻抗的頻率依賴性的圖18是表示圖2所示的電氣元件的使用狀態(tài)的概念圖19是表示圖1所示的基板結(jié)構(gòu)的立體圖20是詳細(xì)說明圖1所示的電路裝置用的立體圖21是圖20所示的線XXI—XXI之間的電路裝置的剖視圖；圖22是圖20所示的線XXI—XXI之間的電路裝置的剖視圖；圖23是表示圖20所示的電路裝置的阻抗的頻率依賴性的圖；圖24是表示圖20所示的兩個導(dǎo)體板之間的電分離度和頻率關(guān)系的圖25是表示圖1所示的基板結(jié)構(gòu)的另一立體圖26是表示圖l所示的基板結(jié)構(gòu)的又一立體圖27是表示圖l所示的基板結(jié)構(gòu)的另一立體圖28是表示圖1所示的基板結(jié)構(gòu)的又一立體圖29是表示圖1所示的基板結(jié)構(gòu)的另一立體圖30是表示圖1所示的基板的另一結(jié)構(gòu)的俯視圖31是表示圖1所示的基板的又一結(jié)構(gòu)的俯視圖32是表示圖1所示的基板的另一結(jié)構(gòu)的俯視圖33是表示圖1所示的基板的又一結(jié)構(gòu)的俯視圖34是使用了圖30到圖33分別表示的基板的電路裝置的阻抗與頻率的關(guān)系的圖35是表示圖1所示的基板的另一結(jié)構(gòu)的俯視圖36是使用圖35所示的基板來制作電路裝置的情況下的阻抗相對由3個縫隙構(gòu)成的縫隙長度的變化的圖37是表示圖1所示的基板的另一結(jié)構(gòu)的俯視圖38是表示圖37所示的縫隙長度和S21的關(guān)系的圖39是表示圖1所示的基板的另一結(jié)構(gòu)的俯視圖40是表示圖1所示的基板的又一結(jié)構(gòu)的俯視圖41是表示圖1所示的基板的另一結(jié)構(gòu)的俯視圖42是表示圖1所示的基板的又一結(jié)構(gòu)的俯視圖43是表示圖1所示的基板的另一結(jié)構(gòu)的俯視圖44是圖43所示的線XXXXIV—XXXXIV之間的基板的剖視圖45是表示基于實施方式1的電路裝置的另一結(jié)構(gòu)的示意圖46是相鄰的2個導(dǎo)體板的另一俯視圖47是表示圖45所示的電路裝置的阻抗的頻率依賴性的圖48是表示基于實施方式2的電路裝置的結(jié)構(gòu)的立體圖49是圖48所示的導(dǎo)體板的立體圖；圖50是圖49所示的導(dǎo)體板的長度方向上的剖視圖；圖51是說明圖50所示的凹凸面的深度范圍用的第1概念圖；圖52是說明圖50所示的凹凸面的深度范圍用的第2概念圖；圖53是表示電路裝置和CPU的連接模式的第1示意圖；圖54是表示電路裝置和CPU的連接模式的第2示意圖；圖55是表示基于實施方式2的電路裝置結(jié)構(gòu)的另一立體圖；圖56是表示基于實施方式2的電路裝置結(jié)構(gòu)的又一立體圖；圖57是表示基于實施方式2的電路裝置結(jié)構(gòu)的又一立體圖；圖58是表示基于實施方式2的電路裝置結(jié)構(gòu)的又一立體圖；圖59是表示基于實施方式2的電路裝置結(jié)構(gòu)的又一立體圖；圖60是表示基于實施方式2的電路裝置結(jié)構(gòu)的又一立體圖；圖61是表示基于實施方式2的電路裝置結(jié)構(gòu)的又一立體圖；圖62是表示基于實施方式2的電路裝置結(jié)構(gòu)的又一立體圖；圖63是表示基于實施方式2的電路裝置結(jié)構(gòu)的又一立體圖；圖64是表示基于實施方式2的電路裝置結(jié)構(gòu)的又一立體圖。具體實施例方式參照附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明的實施方式。另外，對圖中相同或相應(yīng)部分添加同一附圖標(biāo)記而不重復(fù)其說明。(實施方式1)圖1是表示基于本發(fā)明的實施方式1的電路裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。參照圖1，基于本發(fā)明的實施方式1的電路裝置101包括電氣元件100和基板200。電氣元件100配置在基板200的一主面201A上。圖2是表示圖1所示的電氣元件100的結(jié)構(gòu)的示意圖。參照圖2，電氣元件IOO包括電介質(zhì)層15、導(dǎo)體板11、12、2123、邊側(cè)陽極電極IOA、IOB、陽極電極10C、IOD、邊側(cè)陰極電極20A、20B、20C、20D與陰極電極20E、20F。依次層疊電介質(zhì)層15。導(dǎo)體板ll、12、2123分別由平板形狀構(gòu)成。并且，導(dǎo)體板21配置在電介質(zhì)層1、2之間，導(dǎo)體板ll配置在電介質(zhì)層2、3之間。導(dǎo)體板22配置在電介質(zhì)層3、4之間，導(dǎo)體板12配置在電介質(zhì)層4、5之間，導(dǎo)體板23配置在電介質(zhì)層5的一主面5A上。結(jié)果，電介質(zhì)層15分別支撐導(dǎo)體板21、11、22、12、23。邊側(cè)陽極電極IOA與導(dǎo)體板11、12—端連接，而形成在電氣元件100的側(cè)面100A(由電介質(zhì)層14的側(cè)面構(gòu)成的側(cè)面)上。邊側(cè)陽極電極10B與導(dǎo)體板ll、12的另一端連接，而形成在與電氣元件100的側(cè)面100A相對的側(cè)面100B(由電介質(zhì)層14的側(cè)面構(gòu)成的側(cè)面)上。結(jié)果，邊側(cè)陽極電極10B與邊側(cè)陽極電極10A相對配置。陽極電極10C配置在電氣元件100的底面100C上，與邊側(cè)陽極電極IOA連接。陽極電極10D配置在電氣元件100的底面100C上，與邊側(cè)陽極電極10B連接。邊側(cè)陰極電極20A在導(dǎo)體板2123的一端側(cè)與導(dǎo)體板2123連接，而配置在電氣元件100的正面100D。邊側(cè)陰極電極20B在導(dǎo)體板2123的一端側(cè)與導(dǎo)體板2123連接，而配置在與電氣元件100的正面100D相對的背面100E。由此，邊側(cè)陰極電極20B與邊側(cè)陰極電極20A相對配置。邊側(cè)陰極電極20C在導(dǎo)體板2123的另一端側(cè)與導(dǎo)體板2123連接，配置在電氣元件100的正面100D。邊側(cè)陰極電極20D在導(dǎo)體板2123的另一端側(cè)與導(dǎo)體板2123連接，配置在與電氣元件100的正面100D相對的背面100E。由此，邊側(cè)陰極電極20D與邊側(cè)陰極電極20C相對配置。陰極電極20E與邊側(cè)陰極電極20A、20B連接，配置在電氣元件100的底面100C。陰極電極20F與邊側(cè)陰極電極20C、20D連接，配置在電氣元件100的底面100C。這樣，電氣元件100由夾著電介質(zhì)層15交替配置導(dǎo)體板11、12、2123的結(jié)構(gòu)構(gòu)成，具有兩個陽極電極10C、10D和兩個陰極電極20E、20F。電介質(zhì)層15分別例如由鈦酸鋇(BaTi03)構(gòu)成，邊側(cè)陽極電極10A、10B、陽極電極10C、10D、導(dǎo)體板ll、12、2123、邊側(cè)陰極電極20A、20B、20C、20D及陰極電極20E、20F例如分別由鎳(Ni)構(gòu)成。圖3是說明圖l所示的電介質(zhì)層1、2及導(dǎo)體板11、21尺寸用的圖。參照圖3，電介質(zhì)層l、2分別在電流流過導(dǎo)體板11、21的方向DR1上具有長度L1，在與方向DR1正交的方向DR2上具有寬度W1，具有厚度D1。長度L1例如設(shè)為15mm，寬度Wl例如設(shè)為13mm，厚度Dl例如設(shè)為25|am。導(dǎo)體板11具有長度Ll及寬度W2。并且，將寬度W2設(shè)為例如1lmm。導(dǎo)體板21具有長度L2及寬度Wl。并且，將長度L2設(shè)為例如13mm。進一步，導(dǎo)體板ll、21分別具有例如10,2(Him范圍的膜厚。電介質(zhì)層35分別具有與圖3所示的電介質(zhì)層1、2相同的長度Ll、相同寬度W1及相同厚度D1。而且，導(dǎo)體板12具有與圖3所示的導(dǎo)體板ll相同的長度Ll、相同寬度W2及相同膜厚，導(dǎo)體板22、23分別具有與圖3所示的導(dǎo)體板21相同的長度L2、相同寬度Wl及相同膜厚。這樣，導(dǎo)體板11、12具有與導(dǎo)體板2123不同的長度及不同的寬度。這是為了防止與導(dǎo)體板11、12連接的邊側(cè)陽極電極IOA、IOB和與導(dǎo)體板2123連接的邊側(cè)陰極電極20A、20B、20C、20D短路。圖4是相鄰兩個導(dǎo)體板的俯視圖。參照圖4，若將導(dǎo)體板ll及導(dǎo)體板21投影到一個平面上，則導(dǎo)體板11和21具有重復(fù)部分20。而且，導(dǎo)體板11和導(dǎo)體板21的重復(fù)部分20具有長度L2及寬度W2。導(dǎo)體板11和導(dǎo)體板22的重復(fù)部分、導(dǎo)體板12和導(dǎo)體板22的重復(fù)部分及導(dǎo)體板12和導(dǎo)體板23的重復(fù)部分也具有與重復(fù)部分20相同的長度L2及相同的寬度W2。并且，實施方式1中，設(shè)置長度L2及寬度W2，使其為W2^L2。圖5是圖2所示的線V—V之間的電氣元件100的剖視圖。另外，圖6是圖2所示的線VI—VI之間的電氣元件100的剖視圖。參照圖5，導(dǎo)體板21與電介質(zhì)層1、2兩者接觸，導(dǎo)體板ll與電介質(zhì)層2、3兩者接觸。另外，導(dǎo)體板22與電介質(zhì)層3、4兩者接觸，導(dǎo)體板12與電介質(zhì)層4、5兩者接觸。進一步，導(dǎo)體板23與電介質(zhì)層5接觸。邊側(cè)陰極電極20C、20D不與導(dǎo)體板11、12連接，而與導(dǎo)體板2123連接。另外，陰極電極20F配置在電介質(zhì)層1的背面1A，與邊側(cè)陰極電極20C、20D連接(參照圖5)。邊側(cè)陽極電極IOA、10B不與導(dǎo)體板2123連接，而與導(dǎo)體板11、12連接。另外，陽極電極10C、IOD配置在電介質(zhì)層1背面1A，分別與邊側(cè)陽極電極10A、IOB連接(參照圖6)。結(jié)果，導(dǎo)體板21/電介質(zhì)層2/導(dǎo)體板11、導(dǎo)體板11/電介質(zhì)層3/導(dǎo)體板22、導(dǎo)體板22/電介質(zhì)層4/導(dǎo)體板12、及導(dǎo)體板12/電介質(zhì)層5/導(dǎo)體板23構(gòu)成在陽極電極IOC、10D和陰極電極20E、20F之間并聯(lián)連接的4個電容器。該情況下，各電容器的電極面積與相鄰兩個導(dǎo)體板的重復(fù)部分20(參照圖4)的面積相等。圖7到圖11分別是說明圖2所示的電氣元件100的制造方法用的第1到第5工序圖。參照圖7，在作為具有長度L1、寬度W1及厚度D1的電介質(zhì)層l(BaTi03)的生片的表面1B上，在具有長度L2及寬度Wl的區(qū)域上通過絲網(wǎng)印刷涂敷Ni膏，在電介質(zhì)層l表面lB上形成由Ni構(gòu)成的導(dǎo)體板21。同樣，制作由BaTi03構(gòu)成的電介質(zhì)層3、5，并在該制作好的電介質(zhì)層3、5上分別形成由Ni構(gòu)成的導(dǎo)體板22、23(參照圖7)。接著，在作為具有長度L1、寬度Wl及厚度Dl的電介質(zhì)層2(BaTi03)的生片的表面2A上，在具有長度Ll及寬度W2的區(qū)域上通過絲網(wǎng)印刷涂敷Ni膏，在電介質(zhì)層2表面2A上形成由Ni構(gòu)成的導(dǎo)體板11。同樣，制作由BaTi03構(gòu)成的電介質(zhì)層4，并在該制作好的電介質(zhì)層4上形成由Ni構(gòu)成的導(dǎo)體板12(參照圖8)。之后，依次層疊分別形成了導(dǎo)體板21、11、22、12、23的電介質(zhì)層l5的生片(參照圖9)。由此，交替層疊與陽極電極10C、10D連接的導(dǎo)體板ll、12及與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板2123。進一步，通過絲網(wǎng)印刷涂敷Ni膏，而形成邊側(cè)陽極電極10A、10B、陽極電極10C、10D、邊側(cè)陰極電極20A、20B、20C、20D及陰極電極20E、20F(參照圖10及圖11)。之后，將制作到圖11的元件以1350'C的燒成溫度燒成，完成電氣元件100?；蛘?，通過后點火(postfire)，還可將與內(nèi)部電極(導(dǎo)體板ll、12、2123)相比熔點低、導(dǎo)電率高的材料用于邊側(cè)電極(外部電極)。對于邊側(cè)電極(外部電極)，考慮焊料潤濕性等，并根據(jù)需要在燒成后通過M、Au、Su等，來進行鍍覆處理。此外，在電氣元件100的制作中，還有不使用生片而印刷電介質(zhì)的膏并使其干燥，在其上印刷導(dǎo)體，進一步印刷電介質(zhì)的膏，然后進行相同的工序，并加以層疊的方法。圖12是說明圖2所示的電氣元件100的功能用的立體圖。參照圖12，在電流流過電氣元件100的情況下，將陰極電極20E、20F與接地電位連接，按照使得在導(dǎo)體板ll、12中流動的電流與流過導(dǎo)體板2123的電流反向的方式使電流流過電氣元件100。例如，按照使得電流從陽極電極10C向陽極電極10D的方向流動的方式，使電流流過電氣元件100。由此，電流從陽極電極10C經(jīng)邊側(cè)陽極電極IOA流向?qū)w板11、12，沿箭頭30的方向流過導(dǎo)體板11、12，進一步，經(jīng)邊側(cè)陽極電極10B向陽極電極10D流動。另外，流過導(dǎo)體板ll、12的電流的返回電流從陰極電極20F經(jīng)邊側(cè)陰極電極20C、20D而流過導(dǎo)體板2123，在導(dǎo)體板2123中沿作為與箭頭30相反方向的箭頭40的方向流動，進一步，經(jīng)邊側(cè)陰極電極20A、20B流向陰極電極20E。這樣，流過導(dǎo)體板11、12的電流II和流過導(dǎo)體板2123的電流12為大小相等且方向相反的電流。圖13是說明通過流過導(dǎo)線的電流生成的磁通密度用的圖。另外，圖14是說明在兩個導(dǎo)線間產(chǎn)生磁干擾的情況下的有效電感用的圖。參照圖13，在無限長的直線導(dǎo)線中流過電流I時，在距導(dǎo)線為距離a的位置上存在的點P中產(chǎn)生的磁通密度B通過下述數(shù)學(xué)式1來表示。其中，^是真空的導(dǎo)磁率。數(shù)學(xué)式1<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage18</formula>另外，圖13所示的導(dǎo)線為2條，在彼此產(chǎn)生磁干擾時，若設(shè)2條導(dǎo)線的自身電感分別為Ln、L12，耦合系數(shù)為k(0<k<l)，若設(shè)兩條導(dǎo)線的相互電感為Lu，則相互電感L,2由下式表示。數(shù)學(xué)式2<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage18</formula>這里，在Lu二L,2的情況下，相互電感Lu為下式。數(shù)學(xué)式3<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage19</formula>(3)參照圖14，通過引線C來連接導(dǎo)線A和導(dǎo)線B，若假定在導(dǎo)線A，B中流動大小相等且方向相反的電流的情況，則導(dǎo)線A的有效電感Llleffective由下式表示。數(shù)學(xué)式4<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage19</formula>…(4)這樣，在兩條導(dǎo)線A、B之間產(chǎn)生了磁干擾的情況下，導(dǎo)線A的有效電感Llleffective因與導(dǎo)線B之間的相互電感L12，而比導(dǎo)線A的自身電感Ln小。這是因為在流過導(dǎo)線A的電流I與流過導(dǎo)線B的電流一I為相反方向的情況下，導(dǎo)線A和導(dǎo)線B之間的磁干擾變大，相互電感L。比導(dǎo)線A的自身電感Ln大。圖15和圖16是分別說明減小圖2所示的電氣元件100的電感的機構(gòu)用的第1及第2概念圖。電氣元件100中，如上所述，由于導(dǎo)體板U配置在距導(dǎo)體板21、22為25pm的位置上，導(dǎo)體板12配置在距導(dǎo)體板22、23為25pm的位置上，所以在導(dǎo)體板11和導(dǎo)體板21、22之間及導(dǎo)體板12和導(dǎo)體板22、23之間產(chǎn)生磁干擾，由于流過導(dǎo)體板ll、12的電流I1與流過導(dǎo)體板2123的電流I2大小相等且方向相反，所以導(dǎo)體板ll、12的有效電感因?qū)w板ll、12和導(dǎo)體板2123之間的相互電感，比導(dǎo)體板ll、12自身電感小。該情況下，與重復(fù)部分20的長度L2比寬度W2短的情況相比，在導(dǎo)體板ll、12和導(dǎo)體板2123的重復(fù)部分20中的長度L2為寬度W2以上的情況下，導(dǎo)體板ll、12的自身電感大大減少。參照圖15及圖16來說明其理由。圖15表示重復(fù)部分20中的長度L2為寬度W2以上的情況，圖16表示重復(fù)部分20中的長度L2比寬度W2短的情況。此外，圖15及圖16中，箭頭表示向方向DR2具有分散的電流。圖15及圖16中，重復(fù)部分20的面積相等。參照圖15，電流Il在導(dǎo)體板ll中流動，電流I2在導(dǎo)體板21中流動。這樣，在重復(fù)部分20的長度L2為寬度W2以上的情況下，電流Il、12在重復(fù)部分20的寬度W2大致整體中分散，而分別在導(dǎo)體板11、21中流動。結(jié)果，導(dǎo)體板11和導(dǎo)體板21之間的磁干擾相對變大，導(dǎo)體板11的有效電感因與導(dǎo)體板21之間的相互電感，與導(dǎo)體板ll自身電感相比減小的程度相對變大。導(dǎo)體板12的有效電感與導(dǎo)體板12自身電感相比減小的程度也相同。參照圖16，在重復(fù)部分20的長度L2比寬度W2短的情況下，電流II在方向DR2上流過導(dǎo)體板11的大致中央部，電流12在方向DR2上流過接近導(dǎo)體板21端部的部分。這是因為在長度L2比寬度W2短的情況下，與向?qū)w板11寬度方向DR2擴散從邊側(cè)陽極電極10A向?qū)w板11導(dǎo)入的電流II時的阻抗相比，沿長度方向DR1流過電流II時的阻抗小。另外，這是因為在長度L2比寬度W2短的情況下，與從邊側(cè)陰極電極20C、20D向?qū)w板21導(dǎo)入的電流I2沿導(dǎo)體板21寬度方向DR2擴散時的阻抗相比，電流I2沿導(dǎo)體板21長度方向DR1流動時的阻抗小。這樣，在重復(fù)部分20的長度L2比寬度W2短的情況下，電流I1在寬度方向DR2中流過重復(fù)部分20的大致中央部，電流12在寬度方向DR2中流過接近重復(fù)部分20端部的部分。結(jié)果，導(dǎo)體板11和導(dǎo)體板21之間的磁千擾相對減小，導(dǎo)體板11的有效電感因與導(dǎo)體板21之間的相互電感而比導(dǎo)體板11的自身電感小的程度也相對變小。導(dǎo)體板12的有效電感比導(dǎo)體板12的自身電感小的程度也相同。這樣，在重復(fù)部分20的長度L2為寬度W2以上的情況下，導(dǎo)體板U、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自身電感小的程度相對增大。結(jié)果，電氣元件100中的整體的有效電感L相對大大減小。若將電氣元件IOO整體的有效電容設(shè)作C，則電氣元件100的阻抗Zs由下式表示。數(shù)學(xué)式5由于在電氣元件100中，如上所述，形成并聯(lián)連接的4個電容器，所以與形成l個電容器的情況相比，有效電容C增大。因此，在電氣元件100中，在電容支配的低頻區(qū)域中，因有效電容C增大而阻抗Zs降低，在電感支配的高頻區(qū)域中，因上述的有效電感L降低而阻抗Zs降低。結(jié)果，電氣元件100在寬頻區(qū)域中，具有相對低的阻抗Zs。圖17是表示圖2所示的電氣元件100的阻抗的頻率依賴性的圖。圖17中，橫軸表示頻率，縱軸表示阻抗。曲線kl表示重復(fù)部分20中的長度L2為寬度W2以上的情況下的阻抗的頻率依賴性，曲線k2表示重復(fù)部分20中的長度L2比寬度W2短的情況下的阻抗的頻率依賴性。參照圖17，0.006GHz以下的低頻區(qū)域是電容支配的頻率區(qū)域，O.OlGHz以上的高頻區(qū)域是電感支配的頻率區(qū)域。如上所述，由于重復(fù)部分20的長度L2為寬度W2以上的情況下及重復(fù)部分20的長度L2比寬度W2短的情況下，重復(fù)部分20的面積相等，所以在作為電容支配的0.006GHz以下的低頻區(qū)域中，重復(fù)部分20的長度L2為寬度W2以上的電氣元件100的阻抗(曲線kl)與重復(fù)部分20的長度L2比寬度W2短的電氣元件的阻抗(曲線k2)大致相同。另一方面，由于在重復(fù)部分20的長度L2為寬度W2以上的情況下，電氣元件100的有效電感與重復(fù)部分20的長度L2比寬度W2短的情況相比，降低得相對較大，所以在電感支配的0.01GHz以上的高頻區(qū)域中，重復(fù)部分20的長度L2為寬度W2以上的電氣元件100的阻抗(曲線kl)比重復(fù)部分20的長度L2比寬度W2短的電氣元件的阻抗(曲線k2)小。因此，通過將導(dǎo)體板11、12和導(dǎo)體板2123的重復(fù)部分20的長度L2設(shè)為寬度W2以上，可以在電感支配的頻率區(qū)域中，減小電氣元件IOO的阻抗。圖18是圖2所示的電氣元件100的使用狀態(tài)的示意圖。參照圖18，電氣元件100連接在電源90與CPU(CentralProcessingUnit)110之間。并且，電氣元件100的陰極電極20E、20F與接地電位連接。電源90具有正極端子91及負(fù)極端子92。CPU110具有正極端子111及負(fù)極端子112。弓l線121—端與電源90的正極端子91連接，另一端與電氣元件100的陽極電極10C連接。引線122—端與電源90的負(fù)極端子92連接，另一端與電氣元件100的陰極電極20E連接。弓l線123—端與電氣元件100的陽極電極IOD連接，另一端與CPU110的正極端子111連接。引線124—端與電氣元件100的陰極電極20F連接，另一端與CPU110的負(fù)極端子112連接。這樣，從電源90的正極端子91輸出的電流I經(jīng)引線121流過電氣元件100的陽極電極10C，在電氣元件100內(nèi)以邊側(cè)陽極電極IOA、導(dǎo)體板11、12、邊側(cè)陽極電極10B及陽極電極10D的順序流動。并且，電流I經(jīng)引線123及正極端子111從陽極電極IOD流向CPUllO。由此，電流I作為電源電流供給CPUllO。并且。CPU110通過電流I進行驅(qū)動，并從負(fù)極端子112輸出與電流I相同大小的返回電流Ir。這樣，返回電流Ir經(jīng)引線124流向電氣元件100的陰極電極20F，并在電氣元件100內(nèi)以邊側(cè)陰極電極20C、20D、導(dǎo)體板2123、邊側(cè)陰極電極20A、20B及陰極電極20E的順序流動。并且，返回電流Ir從陰極電極20E經(jīng)引線122及負(fù)極端子92流向電源90。結(jié)果，在電氣元件100中，電流I在導(dǎo)體板ll、12中從電源卯側(cè)向CPU110側(cè)流動，返回電流Ir在導(dǎo)體板2123中從CPU110側(cè)向電源卯側(cè)流動，所以電氣元件100的有效電感L如上所述，相對降低得較大。另外，由于電氣元件100包含并聯(lián)連接的4個電容器，所以電氣元件100的有效電容C變大。因此，電氣元件100的阻抗Zs減小。并且，CPUllO通過從電源90經(jīng)電氣元件100供給的電流I加以驅(qū)動，而產(chǎn)生不需要的高頻電流。該不需要的高頻電流經(jīng)引線123、124向電氣元件100泄漏，但是由于電氣元件100如上所述，具有低阻抗Zs，所以抑制了不需要的高頻電流流過由電氣元件100及CPU110構(gòu)成的電路，而從電氣元件100向電源90側(cè)泄漏。CPU110的動作頻率有向高頻側(cè)偏移的傾向，還假定在lGHz左右下的動作。在這種高動作頻率的區(qū)域中，電氣元件100的阻抗Zs主要通過有效電感L來確定，有效電感L如上所述相對降低得較大，所以電氣元件100作用為將在高動作頻率下操作的CPUllO產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉在CPUllO的附近的噪聲濾波器。實施方式1中，設(shè)置重復(fù)部分20的長度L2及寬度W2，使得L2^W2。并且，隨著CPU110的動作頻率相對變高，而將L2/W2設(shè)置為相對大的值。因此，高頻區(qū)域的電氣元件100的阻抗大大降低。如上所述、電氣元件100連接在電源90和CPU110之間，作用為將CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到CPU110附近的噪聲濾波器。并且，在電氣元件100連接在電源90和CPU110之間的情況下，導(dǎo)體板ll、12、2123作為傳輸線路連接。即，使用和陽極電極10C、IOD連接的導(dǎo)體板ll、12和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板2123構(gòu)成的電容器并不經(jīng)端子與傳輸線路連接，而是將導(dǎo)體板11、12、21、23作為傳輸線路的一部分進行連接。因此，導(dǎo)體板ll、12是使從電源90輸出的電流I從電源90側(cè)流向CPU110側(cè)用的導(dǎo)體，導(dǎo)體板2123是使返回電流Ir從CPU110側(cè)流向電源90側(cè)用的導(dǎo)體。結(jié)果，可以盡量排除等效串聯(lián)電感。另外，電氣元件100中，通過將在與陽極電極IOC、IOD連接的導(dǎo)體板11、12中流動的電流設(shè)置為與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板2123中流動的電流反向，而在導(dǎo)體板ll、12和導(dǎo)體板2123之間產(chǎn)生磁干擾，并通過導(dǎo)體板ll、12和導(dǎo)體板2123之間的相互電感使導(dǎo)體板11、12本身電感減少。由此，使電氣元件100的有效電感減小，使電氣元件lOO的阻抗Zs降低。這樣，本發(fā)明中，將構(gòu)成電容器的電極的導(dǎo)體板11、12、2123作為傳輸線路的一部分進行連接作為第1特征，將在和陽極電極IOC、10D連接的導(dǎo)體板ll、12和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板2123中流動反向的電流，而使導(dǎo)體板ll、12和導(dǎo)體板2123之間產(chǎn)生磁干擾，從而使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12本身電感小，由此，來減小電氣元件100的阻抗Zs作為第2特征，將通過與接地電位連接的兩個導(dǎo)體板(導(dǎo)體板21、22或?qū)w板22、23)分別夾著流過構(gòu)成電源電流的電流的導(dǎo)體板ll、12作為第3特征。該第2特征通過采用在電氣元件100的內(nèi)部配置的導(dǎo)體板2123中流動來自CPU110的返回電流Ir的構(gòu)成來加以實現(xiàn)。并且，通過第l特征可以盡量排除等效串聯(lián)電感，通過第2特征可以將不需要的高頻電流封閉到CPU110的附近。另夕卜，通過第3的特征可以抑制向外部輸出電氣元件100的噪聲，同時，可以抑制電氣元件IOO受來自外部的噪聲影響。圖19是表示圖l所示的基板200的結(jié)構(gòu)的立體圖。參照圖19，基板200包含電介質(zhì)201、信號線202、203和導(dǎo)體板204、205。信號線202、203相隔規(guī)定的間隔配置在電介質(zhì)201的一主面201A上。導(dǎo)體板204、205相隔規(guī)定的間隔配置在與電介質(zhì)201的一主面201A相對的一主面201B上。這樣，基板200由將信號線202、203配置在一個主面201A上、將導(dǎo)體板204、205配置在另一個主面201B上的微條紋線(microstripeline)基板構(gòu)成。并且，在將基板200用于電路裝置101的情況下，導(dǎo)體板204、205接地。圖20是詳細(xì)說明圖1所示的電路裝置101用的立體圖。參照圖20，電介質(zhì)層15、導(dǎo)體板ll、12、2123、邊側(cè)陽極電極10A、IOB、陽極電極IOC、IOD、邊側(cè)陰極電極20A、20B、20C、20D及陰極電極20E、20F配置在基板200的電介質(zhì)201的一主面201A上。并且，邊側(cè)陽極電極10A及陽極電極10C與信號線202連接，邊側(cè)陽極電極10B及陽極電極10D與信號線203連接。邊側(cè)陰極電極20A及陰極電極20E通過導(dǎo)體206與導(dǎo)體板204連接，邊側(cè)陰極電極20C及陰極電極20F通過導(dǎo)體207與導(dǎo)體板205連接。此外，圖20中，雖然沒有圖示，但是邊側(cè)陰極電極20B通過導(dǎo)體(未圖示)與導(dǎo)體板204連接，邊側(cè)陰極電極20D通過導(dǎo)體(未圖示)與導(dǎo)體板205連接。導(dǎo)體板204、205是電流I流過導(dǎo)體板11、12時的返回電流Ir流動用的導(dǎo)體板。并且，返回電流Ir從導(dǎo)體板205經(jīng)導(dǎo)體207及導(dǎo)體(未圖示)流向邊側(cè)陰極電極20C、20D，并經(jīng)導(dǎo)體板2123流向邊側(cè)陰極電極20A、20B。并且，流向邊側(cè)陰極電極20A、20B的返回電流Ir經(jīng)導(dǎo)體206及導(dǎo)體(未圖示)流過導(dǎo)體板204，并從導(dǎo)體板204流向電路裝置IOI外部。這樣，基板200具有將返回電流Ir導(dǎo)入電路裝置101內(nèi)的導(dǎo)體板2123的導(dǎo)體板204、205。圖21是圖20所示的線XXI-XXI之間的電路裝置101的剖視圖。另外，圖22是圖20所示的線xxn-xxn之間的電路裝置ioi剖視圖。參照圖21，陰極電極20F配置在電介質(zhì)201的一主面201A上，導(dǎo)體板205配置在電介質(zhì)201的一主面201B上電介質(zhì)201的整個寬度上。并且，導(dǎo)體板205通過導(dǎo)體207與邊側(cè)陰極電極20C及陰極電極20F連接，通過導(dǎo)體208與邊側(cè)陰極電極20D及陰極電極20F連接。此外，導(dǎo)體板204通過與導(dǎo)體板205相同的方法與邊側(cè)陰極電極20A、20B及陰極電極20E連接。參照圖22，將信號線202與邊側(cè)陽極電極IOA及陽極電極10C連接，將信號線203與邊側(cè)陽極電極10B及陽極電極10D連接。導(dǎo)體板204與導(dǎo)體板205相隔規(guī)定的間隔L3而配置在一主面201B上。規(guī)定的間隔L3基本上設(shè)置為具有規(guī)定頻率的返回電流Ir不在導(dǎo)體板204和導(dǎo)體板205之間流動的間隔。這樣，通過將導(dǎo)體板204、205相隔規(guī)定間隔L3配置在電介質(zhì)201的一主面201B上，從而返回電流Ir可以不在導(dǎo)體板204、205之間流動，而可以導(dǎo)入到電路裝置101內(nèi)的導(dǎo)體板2123中。結(jié)果，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板2123的磁耦合相對變大，通過上述結(jié)構(gòu)，導(dǎo)體板ll、12的有效電感與導(dǎo)體板11、12自身電感相比，大大降低。圖23是表示圖20所示的電路裝置101阻抗的頻率依賴性的圖。圖23中，縱軸表示阻抗，橫軸表示頻率。曲線k3是電路裝置101中的阻抗的頻率依賴性。參照圖23，在電容支配的0.006GHz以下的低頻區(qū)域中，電路裝置101的阻抗與電氣元件100的阻抗大致相同(參照曲線kl、k3)。另一方面，在電感支配的0.01GHz以上的高頻區(qū)域中，電路裝置IOI的阻抗與電氣元件100的阻抗相比進一步大大降低(參照曲線kl、k3)。因此，通過使用兩個導(dǎo)體板204、205相隔規(guī)定的間隔L3配置的基板200，可以將返回電流Ir導(dǎo)入到電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123，可以將作為電負(fù)載電路的CPUllO產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)。圖24是表示圖20所示的兩個導(dǎo)體板204、205之間的電分離度和頻率關(guān)系的圖。圖24中，縱軸表示絕緣(Isolation)，橫軸表示頻率。并且，Isolation其值越小，電分離度越大。另外，曲線k4、k5、k6分別表示規(guī)定的間隔L3是1.5mm、3.0mm和4.5mm的情況。參照圖24，通過將規(guī)定的間隔L3從1.5mm變大到3.0mm，導(dǎo)體板204、205之間的Isolation在23GHz的頻率范圍中降低，導(dǎo)體板204、205之間的電分離度變大。而且，即使規(guī)定的間隔L3從3.0mm增大到4.5mm，導(dǎo)體板204、205之間的Isolation在23GHz的頻率范圍中也幾乎不變化。因此，最好將規(guī)定的間隔L3設(shè)置為3.0mm以上。如上所述，由于電路裝置101包括具有交替層疊了導(dǎo)體板11、12和導(dǎo)體板2123的電氣元件100與相隔規(guī)定的間隔L3配置的導(dǎo)體板204、205的基板200，所以因上述有效電感的降低而具有相對低的阻抗，基板200使電流從導(dǎo)體板202流向電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12，并且，使電流I的返回電流Ir流向電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123。g口，基板200具有使電流流過電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12、2123的功能。結(jié)果，電路裝置101可以將直流電流從電源90供給CPU110，并且可以將CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)。圖25是表示圖1所示的基板200的結(jié)構(gòu)的其他立體圖。圖1所示的基板200可以由圖25所示的基板200A構(gòu)成。參照圖25，基板200A分別由導(dǎo)體板209、210代替圖19所示的基板200的導(dǎo)體板204、205，除此之外與基板200相同。導(dǎo)體板209配置在電介質(zhì)201的一主面201A上，由平板部件2091、2092構(gòu)成。并且，平板部件2091、2092在電介質(zhì)201的一主面201A中配置在信號線202兩側(cè)。導(dǎo)體板210配置在電介質(zhì)201的一主面201A上，由平板部件2101、2102構(gòu)成。并且，平板部件2101、2102在電介質(zhì)201的一主面201A上配置在信號線203的兩側(cè)。并且，將平板部件2091和平板部件2101的間隔及平板部件2092和平板部件2102的間隔設(shè)置為規(guī)定的間隔L3。這樣，基板200A中，導(dǎo)體板209、210與信號線202、203相同，以規(guī)定的間隔L3配置在一主面201A上。并且，導(dǎo)體板209、210分別由在信號線202、203的兩側(cè)配置的平板部件2091、2092;2101、2102構(gòu)成。因此，基板200A由平面(coplanar)基板構(gòu)成。在將基板200A用于電路裝置101的情況下，導(dǎo)體板209的平板部件2091通過導(dǎo)體(未圖示)與邊側(cè)陰極電極20A及陰極電極20E連接，平板部件2092通過導(dǎo)體(未圖示)與邊側(cè)陰極電極20B及陰極電極20E連接。另外，導(dǎo)體板210的平板部件2101通過導(dǎo)體(未圖示)與邊側(cè)陰極電極20C及陰極電極20F連接，平板部件2102通過導(dǎo)體(未圖示)與邊側(cè)陰極電極20D及陰極電極20F連接。并且，導(dǎo)體板209、210接地。由于基板200A具有相隔規(guī)定的間隔L3配置的兩個導(dǎo)體板209、210，所以使電流I在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12中流動，使返回電流Ir在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123中流動。結(jié)果，在使用了基板200A的電路裝置101中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板2123產(chǎn)生磁耦合，使導(dǎo)體板11、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12自身電感小。因此，在使用了基板200A的情況下也可大幅降低電路裝置101的阻抗。另外，在使用了基板200A的電路裝置101中，使直流電流可以從電源90供給CPU110，并且可以使CPUllO中產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)。圖26是圖1所示的基板200的結(jié)構(gòu)的又一立體圖。圖1所示的基板200可以由圖26所示的基板200B構(gòu)成。參照圖26，基板200B在圖19所示的基板200上追加了導(dǎo)體板209、210，除此之外，與基板200相同。關(guān)于導(dǎo)體板209、210，如圖25中所作的說明。因此，基板200B包括與信號線202、203同樣以規(guī)定的間隔L3配置在一主面201A上的導(dǎo)體板209、210;在與配置了信號線202、203的一主面201A相對的一主面201B上以規(guī)定的間隔L3配置的導(dǎo)體板204、205。在將基板200B用于電路裝置101的情況下，導(dǎo)體板204、205、209、210接地。將這樣的基板200B稱為帶有背面GND的平面基板。在將基板200B用于電路裝置101的情況下，導(dǎo)體板209的平板部件2091和導(dǎo)體板204通過導(dǎo)體(未圖示)與邊側(cè)陰極電極20A及陰極電極20E連接，導(dǎo)體板209的平板部件2092和導(dǎo)體板204通過導(dǎo)體(未圖示)與邊側(cè)陰極電極20B及陰極電極20E連接。另夕卜，導(dǎo)體板210的平板部件2101和導(dǎo)體板205通過導(dǎo)體(未圖示)與邊側(cè)陰極電極20C及陰極電極20F連接，導(dǎo)體板210的平板部件2102和導(dǎo)體板205通過導(dǎo)體(未圖示)與邊側(cè)陰極電極20D及陰極電極20F連接。并且，導(dǎo)體板204、205、209、210接地。由于基板200B具有相隔規(guī)定的間隔L3配置的兩個導(dǎo)體板204、205和兩個導(dǎo)體板209、210，所以使電流I在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12中流動，使返回電流Ir在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123中流動。結(jié)果，在使用了基板200B的電路裝置101中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板2123產(chǎn)生磁耦合，使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12自身電感小。因此，在使用了基板200B的情況下也可大幅降低電路裝置101的阻抗。另外，在使用了基板200B的電路裝置101中，使直流電流可以從電源90供給CPU110，并且可以使CPUllO中產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)。圖27是圖1所示的基板200的結(jié)構(gòu)的又一立體圖。圖1所示的基板200可以由圖27所示的基板200C構(gòu)成。參照圖27，基板200C在圖26所示的基板200B上追加了電介質(zhì)211及導(dǎo)體板212、213，除此之外，與基板200B相同。電介質(zhì)211配置為其一主面211A與導(dǎo)體板204、205接觸。導(dǎo)體板212、213以規(guī)定的間隔L3配置在與電介質(zhì)211的一主面211A相對的一主面211B上。因此，基板200C由層疊多個電介質(zhì)201、211，在該層疊后的多個電介質(zhì)201、211的各電介質(zhì)的表面及背面以規(guī)定的間隔L3配置了導(dǎo)體板204、205、209、210、212、213的結(jié)構(gòu)構(gòu)成。并且，導(dǎo)體板204、205、209、210、212、213接地。將這種基板200C稱作多層基板。在將基板200C用于電路裝置101的情況下，導(dǎo)體板209的平板部件2091及導(dǎo)體板204、212通過導(dǎo)體(未圖示)與邊側(cè)陰極電極20A及陰極電極20E連接，導(dǎo)體板209的平板部件2092及導(dǎo)體板204、212通過導(dǎo)體(未圖示)與邊側(cè)陰極電極20B及陰極電極20E連接。另外，導(dǎo)體板210的平板部件2101及導(dǎo)體板205、213通過導(dǎo)體(未圖示)與邊側(cè)陰極電極20C及陰極電極20F連接，導(dǎo)體板210的平板部件2102及導(dǎo)體板205、215通過導(dǎo)體(未圖示)與邊側(cè)陰極電極20D及陰極電極20F連接。并且，導(dǎo)體板204、205、209、210、212、213接地。由于基板200C包括相隔規(guī)定的間隔L3配置的兩個導(dǎo)體板204、205和兩個導(dǎo)體板209、210、兩個導(dǎo)體板212、213，所以使電流I流過電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12，使返回電流Ir流過電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123。結(jié)果，在使用了基板200C的電路裝置101中，導(dǎo)體板1K12與導(dǎo)體板2123產(chǎn)生磁耦合，而使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12自身電感小。因此，在使用了基板200C的情況下，也可大幅度降低電路裝置101的阻抗。另外，在使用了基板200C的電路裝置101中，可以將直流電流從電源90供給CPU110，并且可以使在CPUllO中產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)?；?00C說明為具有2個電介質(zhì)201、211，但是本發(fā)明中，并不限于此，基板200C也可具有3個以上的電介質(zhì)，一般上可以具有多個電介質(zhì)。圖28是表示圖1所示的基板200的結(jié)構(gòu)的又一立體圖。圖1所示的基板200可以由圖28所示的基板200D構(gòu)成。參照圖28，基板200D在圖19所示的基板200上追加了通孔BH1、BH2，除此之外與基板200相同。通孔BH1設(shè)置在信號線202側(cè)，貫通電介質(zhì)201而與導(dǎo)體板204連接。通孔BH2設(shè)置在信號線203側(cè)，貫通電介質(zhì)201而與導(dǎo)體板205連接。在將基板200D用于電路裝置101的情況下，信號線202與邊側(cè)陽極電極10A連接，信號線203與邊側(cè)陽極電極10B連接，通孔BH1與陰極電極20E連接，通孔BH2與陰極電極20F連接。這樣，在將基板200D用于電路裝置101的情況下，陰極電極20E、20F分別經(jīng)通孔BH1、BH2與接地的導(dǎo)體板204、205連接。由此，返回電流Ir以導(dǎo)體板205、通孔BH2、陰極電極20F、邊側(cè)陰極電極20C、20D、導(dǎo)體板21、22、邊側(cè)陰極電極20A、20B、陰極電極20E、通孔BH1及導(dǎo)體板204順序流動，而使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自身電感小。由于基板200D具有相隔規(guī)定的間隔L3配置的兩個導(dǎo)體板204、205與和兩個導(dǎo)體板204、205分別連接的通孔BHI、BH2，所以使電流I流過電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12，使返回電流流過電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123。結(jié)果，在使用了基板200D的電路裝置101中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板2123產(chǎn)生磁耦合，而使導(dǎo)體板11、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自身電感小。因此，在使用了基板200D的情況下，也可大幅度降低電路裝置101阻抗。另外，在使用了基板200D的電路裝置101中，可以將直流電流從電源90供給CPUllO，并且可以使CPU110中產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)。圖29是表示圖l所示的基板200的結(jié)構(gòu)的又一立體圖。圖29所示的基板200可以由圖29所示的基板200E構(gòu)成。參照圖29，基板200E在圖19所示的基板200上追加了電流抑制部220，除此之外與基板200相同。電流抑制部220例如由阻抗構(gòu)成，一端與導(dǎo)體板204連接，另一端與導(dǎo)體板205連接。將返回電流Ir中在電氣元件100的導(dǎo)體板2123中流動的電流設(shè)作電流Irl，將從導(dǎo)體板205經(jīng)電流抑制部220流過導(dǎo)體板204的電流設(shè)作電流Ir2，則電流抑制部220使電流Ir2比電流lrl小。g卩，導(dǎo)體板204、205及電流抑制部220構(gòu)成具有比導(dǎo)體板2123的阻抗大的阻抗的"導(dǎo)體板"。結(jié)果，返回電流Ir主要經(jīng)導(dǎo)體板2123在電氣元件100內(nèi)流動，而使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自身電感小。在將基板200E用于電路裝置101的情況下，導(dǎo)體板204通過導(dǎo)體(未圖示)與邊側(cè)陰極電極20A、20B及陰極電極20E連接，導(dǎo)體板205通過導(dǎo)體(未圖示)與邊側(cè)陰極電極20C、20D及陰極電極20F連接。并且，200680049176.X導(dǎo)體板204、205接地。由于基板200E包括相隔規(guī)定的間隔L3加以配置的兩個導(dǎo)體板204、205、與比導(dǎo)體板2123中流動的電流Irl更加抑制兩個導(dǎo)體板204、205之間流動的電流Ir2的電流抑制部220，所以在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12中流過電流I，使返回電流Ir在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123中流動。結(jié)果，在使用了基板200E的電路裝置101中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板2123產(chǎn)生磁耦合，而使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自身電感小。因此，在使用了基板200E的情況下，可以大幅度降低電路裝置101的阻抗。另外，在使用了基板200E的電路裝置101中，可以將直流電流從電源90供給CPUllO，并且可以將在CPU110中產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)。此外，圖1所示的基板200可以是在圖25所示的基板200A的平板部件2091、2101之間及平板部件2092、2102之間設(shè)置了電流抑制部220的基板，也可以是在圖26所示的基板200B的導(dǎo)體板204、205之間、平板部件2091、2101之間及平板部件2092、2102之間設(shè)置了電流抑制部220的基板，還可以是在圖27所示的基板200C的導(dǎo)體板204、205之間、平板部件2091、2101之間、平板部件2092、2102之間及導(dǎo)體板212、213之間設(shè)置了電流抑制部220的基板，也可以是在圖28所示的基坂200D的導(dǎo)體板204、205之間設(shè)置了電流抑制部220的基板。并且，在使用了這些基板的情況下，也可以在電感支配的高頻區(qū)域中降低電路裝置101的阻抗。圖30到圖33是表示圖l所示的基板200的又一結(jié)構(gòu)的俯視圖。參照圖30，基板200F具有導(dǎo)體板301、縫隙302304和通孔309。導(dǎo)體板301形成在電介質(zhì)(未圖示)的一主面的整體上?？p隙302304通過去除導(dǎo)體板301的一部分而形成在電介質(zhì)(未圖示)的一主面上。通過使縫隙302304形成在電介質(zhì)(未圖示)的一主面上，而將導(dǎo)體部305308形成在電介質(zhì)(未圖示)的一主面上。圖30中雖然沒有圖示，但是基板200F包括在電介質(zhì)(未圖示)的另一主面上形成為與導(dǎo)體板301相對的另一個導(dǎo)體板。并且，通孔309按棋盤格狀形成，使其電連接導(dǎo)體板301和另一個導(dǎo)體板。在使用基板200F來制作電路裝置的情況下，導(dǎo)體部305、306構(gòu)成信號線，導(dǎo)體板301及另一個導(dǎo)體板與接地電位連接，陽極電極10C、10D分別與導(dǎo)體部305、306連接，陰極電極20E、20F分別與導(dǎo)體部307、308連接。結(jié)果，返回電流比基板200F的導(dǎo)體板301及另一個導(dǎo)體板更多地在導(dǎo)體板2123中流動。這樣，由于基板200F具有縫隙302304與導(dǎo)體部305308，所以電流I在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12中流動，返回電流Ir在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123中流動。結(jié)果，在使用了基板200F的電路裝置101中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板2123磁耦合，而使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比導(dǎo)體板ll、12的自身電感小。因此，在使用了基板200F的情況下，也可大幅度減小電路裝置101的阻抗。另外，在使用了基板200F的電路裝置101中，可以將直流電流從電源90供給CPU110，并且可以將在CPU110中產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)。參照圖31，基板200G在圖30所示的基板200F上追加了通孔310、311，除此之外與基板200F相同。通孔310、311分別形成在導(dǎo)體部307、308上。在使用基板200G來制作電路裝置的情況下，導(dǎo)體部305、306構(gòu)成信號線、導(dǎo)體板301及另一個導(dǎo)體板與接地電位連接，陽極電極10C、10D分別與導(dǎo)體部305、306連接，陰極電極20E、20F分別與導(dǎo)體部307、308連接。結(jié)果，返回電流比基板200G的導(dǎo)體板301及另一個導(dǎo)體板更多地流過導(dǎo)體板2123。這樣，由于基板200G具有縫隙302304、導(dǎo)體部305308和通孔310、311，所以電流I在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12中流動，返回電流Ir在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123中流動。結(jié)果，在使用了基板200G的電路裝置101中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板2123產(chǎn)生磁耦合，而使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自身電感小。因此，在使用了基板200G的情況下，也可大幅度減少電路裝置101的阻抗。另外，在使用了基板200G的電路裝置101中，可以將直流電流從電源90供給CPUllO，并且可以將CPU110中產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)。參照圖32，基板200H在基板200F上追加了縫隙312、313，除此之外，與基板200F相同?？p隙312、313通過去除導(dǎo)體板301的一部分，而在電介質(zhì)(未圖示)的一主面上形成，并與縫隙303連接。而且，由縫隙303、312、313構(gòu)成的縫隙在與構(gòu)成信號線的導(dǎo)體部305、306的長度方向正交的方向上，形成在整個基板200H上。在使用基板200H來制作電路裝置的情況下，導(dǎo)體部305、306構(gòu)成信號線，導(dǎo)體板301和另一個導(dǎo)體板與接地電位連接，陽極電極10C、10D分別與導(dǎo)體部305、306連接，陰極電極20E、20F分別與導(dǎo)體部307、308連接。結(jié)果，返回電流比基板200H的導(dǎo)體板301及另一個導(dǎo)體板更多地導(dǎo)體板2123中流動。這樣，由于基板200H具有縫隙302304、312、313和導(dǎo)體部305308，所以在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12中流過電流I，在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123中流動返回電流Ir。結(jié)果，在使用了基板200H的電路裝置101中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板2123產(chǎn)生磁耦合，而使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自身電感小。因此，在使用了基板200H的情況下，也可大幅度減小電路裝置101的阻抗。另外，在使用了基板200H的電路裝置101中，可以從電源90向CPU110供給直流電流，并且可以將在CPU110中產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)。參照圖33，基板200J在基板200G上追加了縫隙312、313，除此之外，與基板200G相同?；?00J中，縫隙312、313通過去除導(dǎo)體板301的一部分，而在電介質(zhì)(未圖示)的一主面上形成，使其與縫隙303連接。并且，由縫隙303、312、313構(gòu)成的縫隙在與構(gòu)成信號線額導(dǎo)體部305、306的長度方向正交的方向上，形成在基板200J的整體上。在使用基板200J來制作電路裝置的情況下，導(dǎo)體部305、306構(gòu)成信號線，導(dǎo)體板301及另一個導(dǎo)體板與接地電位連接，陽極電極IOC、10D分別與導(dǎo)體部305、306連接，陰極電極20E、20F分別與導(dǎo)體部307、308連接。結(jié)果，返回電流比基板200J的導(dǎo)體板301及另一個導(dǎo)體板更多地在導(dǎo)體板2123中流動。這樣，由于基板200J具有縫隙302304、312、313與導(dǎo)體部305308、通孔310、311，所以在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12中流過電流I，在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123中流動返回電流Ir。結(jié)果，在使用了基板200J的電路裝置101中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板2123磁耦合，而使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自身電感小。因此，在使用了基板200J的情況下，也可大幅度減小電路裝置101的阻抗。另外，在使用了基板200J的電路裝置101中，可以將直流電流從電源90供給CPUllO，并且可以將CPU110中產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)。圖34是表示使用了圖30到圖33分別表示的基板200F、200G、200H、200J的電路裝置101的阻抗和頻率關(guān)系的圖。圖34中，橫軸表示頻率，縱軸表示阻抗。另外，曲線k7表示使用了基板200F的情況，曲線k8表示使用了基板200G的情況，曲線k9表示使用了基板200H的情況，曲線k10表示使用了基板200J的情況。通過在分別連接陰極電極20E、20F的導(dǎo)體部307、308上設(shè)置通孔310、311，從而在約lOMHz以上的電感支配的頻率區(qū)域中，阻抗降低(參照曲線k7、k8)。另外，通過在分別連接陰極電極20E、20F的導(dǎo)體部307、308之間設(shè)置比縫隙303長的縫隙312、313，從而在約lOMHz以上的電感支配的頻率區(qū)域中阻抗減小(參照曲線k7k9)。進一步，通過在分別連接陰極電極20E、20F的導(dǎo)體部307、308上設(shè)置通孔310、311，且在導(dǎo)體部307、308之間設(shè)置比縫隙303長的縫隙312、313，從而在約lGHz以上的頻率區(qū)域中阻抗減小(參照曲線k9，k10)。這是因為通過縫隙312、313阻止了從在縫隙312、313的一側(cè)設(shè)置的導(dǎo)體板301向縫隙312、313的另一側(cè)設(shè)置的導(dǎo)體板301流動的電流，而使其在電氣元件內(nèi)的導(dǎo)體板2123、21A、22A、23A中流動。圖35是表示圖1所示的基板200的又一構(gòu)成的俯視圖。參照圖35，基板200K在圖31所示的基板200G上追加了縫隙314、315，除此之外，與基板200G相同?？p隙314、315通過去除導(dǎo)體板301—部分，形成在電介質(zhì)(未圖示)的一主面上，并與縫隙303連結(jié)。并且，縫隙303、314、315構(gòu)成的縫隙在與構(gòu)成信號線的導(dǎo)體部305、306的長度方向正交的方向上，形成在基板200K的一部分上。圖36是表示在使用圖35所示的基板200K來制作電路裝置的情況下，阻抗相對由3個縫隙303、314、315構(gòu)成的縫隙的長度的變化的圖。圖36中，橫軸表示縫隙的長度，縱軸表示阻抗。另外，曲線kll表示仿真結(jié)果，曲線kl2表示實測值。進一步，縫隙303的寬度是5mm，頻率是100MHz。從圖36所示的結(jié)果看出，通過將由縫隙303、314、315構(gòu)成的縫隙的長度設(shè)置為5mm以上，阻抗降低。即，通過使由縫隙303、314、315構(gòu)成的縫隙的長度比縫隙303的寬度(=5mm)長，阻抗降低。這樣，通過在基板200K的一部分上設(shè)置由縫隙303、314、315構(gòu)成的縫隙，可以使電路裝置101的阻抗減小。這樣，由于基板200K具有縫隙302304、314、315與導(dǎo)體部305308，所以在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12中流過電流I，在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123中流動返回電流Ir。結(jié)果，在使用了基板200K的電路裝置101中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板2123產(chǎn)生磁耦合，而使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自身電感小。因此，在使用了基板200K的情況下，可以大幅度減小電路裝置101的阻抗。另外，在使用了基板200K的電路裝置101中，可以從電源90向CPU110供給直流電流，并且可以將CPU110中產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件IOO內(nèi)。圖37是表示圖1所示的基板的另一構(gòu)成的俯視圖。參照圖37，基板200L在圖35所示的基板200K上追加了縫隙316、317，除此之外，與基板200K相同?？p隙316通過去除導(dǎo)體板301—部分，形成在電介質(zhì)(未圖示)的一主面上，并與縫隙314的一端大致垂直地加以連接。并且，縫隙316具有規(guī)定長度，在縫隙314的兩側(cè)延伸相同長度。縫隙317通過去除導(dǎo)體板301的一部分，形成在電介質(zhì)(未圖示)的一主面上，使其與縫隙315的一端大致垂直地進行連接。并且，縫隙317具有與縫隙316相同的長度，在縫隙315的兩側(cè)延伸相同長度。圖38是表示圖37所示的縫隙316、317的長度和S21的關(guān)系的圖。圖38中，縱軸表示S21,橫軸縫隙長度。并且，S21是從縫隙314、315一側(cè)的導(dǎo)體板301向縫隙314、315的另一側(cè)的導(dǎo)體板301的電流的傳輸特性。參照圖38,隨著縫隙316、317的縫隙長度長到5mm、10mm及15mm，傳輸特性S21減小。這是因為通過設(shè)置縫隙316、317，可以防止電流經(jīng)沒有形成縫隙314、315的導(dǎo)體板301部分，從縫隙314、315—側(cè)的導(dǎo)體板301繞向縫隙314、315另一側(cè)的導(dǎo)體板301。并且，越加長縫隙316、317的縫隙長度，防止該電流的繞入的程度越大。因此，通過使用基板200L，使返回電流容易在電氣元件內(nèi)部的導(dǎo)體板2123中流動，而使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比自身電感更小。這樣，由于基板200L具有縫隙302304、314317與導(dǎo)體部305308，所以可以使電流I在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12中流動，使返回電流Ir在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123中流動。結(jié)果，在使用了基板200L的電路裝置101中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板2123產(chǎn)生磁耦合，而使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自身電感小。因此，在使用了基板200L的情況下，也可大幅度減小電路裝置101的阻抗。另外，在使用了基板200L的電路裝置101中，可以從電源90向CPU110供給直流電流，并且可以使CPU110中產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)。圖39是表示圖l所示的基板200的另一構(gòu)成的俯視圖。參照圖39，基板200M分別由縫隙318、319代替圖37所示的基板200L的縫隙316、317，除此之外與基板200L相同?？p隙318通過去除導(dǎo)體板301—部分，而形成在電介質(zhì)(未圖示)的一主面上，并與縫隙314的一端連結(jié)?？p隙319通過去除導(dǎo)體板301—部分，形成在電介質(zhì)(未圖示)的一主面上，使其與縫隙315的一端連結(jié)。縫隙318由直線部318A、318B、318C構(gòu)成。直線部318A形成為與縫隙314大致垂直。直線部318B從直線部318A的一端起沿與直線部318A成規(guī)定的角度的方向延伸。直線部318C從直線部318A的另一端起沿與直線部318A成規(guī)定的角度的方向延伸。結(jié)果，直線部318B、318C在直線部318A的兩端相對于朝向縫隙303的方向配置為大致八字狀。縫隙319由直線部319A、319B、319C構(gòu)成。直線部319A形成為與縫隙315大致垂直。直線部319B從直線部319A的一端起沿與直線部319A成規(guī)定的角度的方向延伸。直線部319C從直線部319A的另一端起沿與直線部319A成規(guī)定的角度的方向延伸。結(jié)果，直線部319B、319C在直線部319A的兩端相對朝向縫隙303的方向配置為大致八字狀。在具有縫隙318、319的情況下，也與具有縫隙316、317的情況下相同，傳輸特性S21減小，可以防止電流經(jīng)沒有形成縫隙314、315的導(dǎo)體板301部分從縫隙314、315的一側(cè)的導(dǎo)體板301繞到縫隙314、315的另一側(cè)的導(dǎo)體板301。結(jié)果，縫隙303、314、315、318、319抑制了在導(dǎo)體板301中流動返回電流Ir。這樣，由于基板200M具有縫隙302304、314、315、318、319與導(dǎo)體部305308，所以使電流I在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12中流動，使返回電流Ir在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123中流動。結(jié)果，在使用了基板200M的電路裝置101中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板2123產(chǎn)生磁耦合，而使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自身電感小。因此，在使用了基板200M的情況下，也可大幅度減小電路裝置101的阻抗。另外，在使用了基板200M的電路裝置101中，可以使直流電流從電源90向CPU110供給，并且可以使CPU110中產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)。圖40是圖l所示的基板200的又一構(gòu)成的俯視圖。參照圖40，基板200N中分別用縫隙320、321代替圖37所示的基板200L的縫隙316、317，除此之外，與基板200L相同?？p隙320通過去除導(dǎo)體板301—部分，而形成在電介質(zhì)(未圖示)的一主面上，使其與縫隙314的一端連結(jié)?？p隙321通過去除導(dǎo)體板301的一部分，而形成在電介質(zhì)(未圖示)的一主面上，并與縫隙315的一端連結(jié)?？p隙320由直線部320A、320B、320C構(gòu)成。直線部320A形成為與縫隙314大致垂直。直線部320B從直線都320A的一端起沿與直線部320A成規(guī)定的角度的方向延伸。直線部320C從直線部320A的另一端起沿與直線部320A成規(guī)定的角度的方向延伸。結(jié)果，直線部320B、320C在直線部318A的兩端中相對與縫隙303相反的方向配置為大致八字狀。縫隙321由直線部321A、321B、321C構(gòu)成。直線部321A形成為與縫隙315大致垂直。直線部321B從直線部321A的一端起沿與直線部321A成規(guī)定的角度的方向延伸。直線部321C從直線部321A的另一端起沿直線部321A成規(guī)定的角度的方向延伸。結(jié)果，直線部321B、321C在直線部321A的兩端相對與縫隙303相反的方向配置為大致八字狀。在具有縫隙320、321的情況下，也與具有縫隙316、317的情況下相同，傳輸特性S21減小，可以防止電流經(jīng)沒有形成縫隙314、315的導(dǎo)體板301部分從縫隙314、315的一側(cè)的導(dǎo)體板301繞到縫隙314、315的另一側(cè)的導(dǎo)體板301。結(jié)果，縫隙303、314、315、320、321抑制了返回電流lr在導(dǎo)體板301中流動。這樣，由于基板200N具有縫隙302304、314、315、320、321與導(dǎo)體部305308，所以使電流I在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12中流動，使返回電流Ir在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123中流動。結(jié)果，在使用了基板200N的電路裝置101中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板2123產(chǎn)生磁耦合，而使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自身電感小。因此，在使用了基板200N的情況下，也可大幅度減小電路裝置101的阻抗。另外，在使用了基板200N的電路裝置101中，可以將直流電流從電源90供給CPU110，并且可以將CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)。圖37、圖39及圖40中，表示了具有各種縫隙的基板200L、200M、200N，但是本發(fā)明并不限于此，圖37、圖39及圖40所示這種形狀的基板一般具有抑制使高頻電流從縫隙一側(cè)向縫隙的另一側(cè)傳輸?shù)男螤畹目p隙即可。圖41是表示圖1所示的基板200的又一構(gòu)成的俯視圖。參照圖41，基板200P中由縫隙322324代替圖30所示的基板200F的縫隙302304，除此之外，與基板200F相同。縫隙322通過去除導(dǎo)體板301的一部分而形成在電介質(zhì)(未圖示)的一主面上。并且，通過形成縫隙322，使導(dǎo)體部325328形成在電介質(zhì)(未圖示)的一主面上?？p隙323通過去除導(dǎo)體板301—部分，而形成在電介質(zhì)(未圖示)的一主面上，并在縫隙322—側(cè)與縫隙322連結(jié)。另外，縫隙324通過去除導(dǎo)體板301的一部分而形成在電介質(zhì)(未圖示)的—主面上，在縫隙322的另一側(cè)與縫隙322連結(jié)。在使用基板200P來制作電路裝置的情況下，導(dǎo)體部325、328構(gòu)成信號線，導(dǎo)體板301及另一導(dǎo)體板與接地電位連接，陽極電極10C、10D分別與導(dǎo)體部325、328連接，陰極電極20E、20F分別與導(dǎo)體部326、327連接。結(jié)果，返回電流比基板200P的導(dǎo)體板301及另一導(dǎo)體板更多地在導(dǎo)體板2123中流動。這樣，由于基板200P具有縫隙322324與導(dǎo)體部325328，所以使電流I在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12中流動，使返回電流Ir在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123中流動。結(jié)果，在使用了基板200P的電路裝置101中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板2123產(chǎn)生磁耦合，而使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比導(dǎo)體板1K12的自身電感小。因此，在使用了基板200P的情況下，也可大幅度減小電路裝置101的阻抗另外，在使用了基板200P的電路裝置101中，可以將直流電流從電源90供給CPU110,并且可以將CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)。圖42是表示圖1所示的基板200的又一結(jié)構(gòu)的俯視圖。參照圖42，基板200Q分別用縫隙314、315來代替圖41所示的基板200P的縫隙323、324，除此之外，與基板200P相同?？p隙314、315通過去除導(dǎo)體板301的一部分，形成在電介質(zhì)(未圖示)的一主面上，并與縫隙322連結(jié)。并且，縫隙322、314、315構(gòu)成的縫隙在與構(gòu)成信號線的導(dǎo)體部325、328的長度方向正交的方向上，在基板200Q的一部分上形成。這樣，由于基板200Q具有縫隙314、315、322與導(dǎo)體部325328，所以使電流I在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12中流動，使返回電流Ir在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123中流動。結(jié)果，在使用了基板200Q的電路裝置101中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板2123產(chǎn)生磁耦合，而使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自身電感小。因此，在使用了基板200Q的情況下，也可大幅度減小電路裝置101的阻抗。另外，在使用了基板200Q的電路裝置101中，可以將直流電流從電源90供給CPU110，并且可以將CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)。圖43是表示圖1所示的基板200的又一結(jié)構(gòu)的俯視圖。而且，圖44是圖43所示的線XXXXIV—XXXXIV之間的基板200R的剖視圖。參照圖43及圖44，基板200R具有導(dǎo)體板401、403、405、407、電介質(zhì)402、404、406、縫隙411、412、413、414與導(dǎo)體部415、416、417、418、419、420、421、426。導(dǎo)體板401形成在電介質(zhì)402的表面上，導(dǎo)體板403形成在電介質(zhì)404的表面上，導(dǎo)體板405形成在電介質(zhì)406的表面上，導(dǎo)體板407形成在電介質(zhì)406的背面。并且，將形成有導(dǎo)體板403的電介質(zhì)404層疊在形成有導(dǎo)體板405、407的電介質(zhì)406上，將形成有導(dǎo)體板401的電介質(zhì)402層疊在形成有導(dǎo)體板403的電介質(zhì)404上?？p隙411414通過去除導(dǎo)體板401的一部分而形成在電介質(zhì)402表面上。并且，縫隙411、412、414在基板200R的寬度方向上在一直線上配置?？p隙413兩端與縫隙412連結(jié)，形成為包圍縫隙411。該情況下，根據(jù)高頻電流的波長及電介質(zhì)402的介電常數(shù)來確定縫隙413的寬度，設(shè)置為高頻電流不會從縫隙413的內(nèi)側(cè)形成的導(dǎo)體部421向縫隙413的外側(cè)形成的導(dǎo)體部426轉(zhuǎn)移的值。結(jié)果、導(dǎo)體板401分離為導(dǎo)體部421與導(dǎo)體部426。另外，導(dǎo)體部416419形成在電介質(zhì)402的表面上。該情況下，導(dǎo)體部417各自的兩端與導(dǎo)體部421連結(jié)，導(dǎo)體部418其兩端與導(dǎo)體部426連結(jié)。導(dǎo)體部415通過去除導(dǎo)體板403的一部分，而形成在電介質(zhì)404的表面上。并且，導(dǎo)體部415通過通孔423與導(dǎo)體部416連接。另外，導(dǎo)體部420通過去除導(dǎo)體板403的一部分而形成在電介質(zhì)404的表面上。導(dǎo)體部420通過通孔426與導(dǎo)體部419連接。導(dǎo)體部417通過通孔424與導(dǎo)體板405連接，導(dǎo)體部418通過通孔425與導(dǎo)體板407連接。此外，導(dǎo)體部421通過通孔與導(dǎo)體板405連接，導(dǎo)體部426通過通孔與導(dǎo)體板407連接。并且，導(dǎo)體板401、405、407與接地電位連接。在使用基板200R來制作電路裝置的情況下，導(dǎo)體部415、416、419、420及通孔423、426構(gòu)成信號線，陽極電極10C與導(dǎo)體部415連接，陽極電極10D與導(dǎo)體部420連接，陰極電極20E與導(dǎo)體部417連接，陰極電極20F與導(dǎo)體部418連接。結(jié)果，使返回電流在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123中流動。這樣，返回電流在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123中流動，是由于連接陰極電極20E、20F的導(dǎo)體部417、418分別與通過縫隙413分離的導(dǎo)體部421、426連接，導(dǎo)體部421、426分別與不同的導(dǎo)體板405、407連接。這樣，通過使用基板200R，返回電流可以完全流到電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123中，而可以使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比自身電感小。結(jié)果，減小了電路裝置101的阻抗。另外，在使用了基板200R的電路裝置101中，可以從電源90向CPU110供給直流電流，并且可以將CPU110產(chǎn)生不需要的高頻電流封閉到電氣元件10內(nèi)。圖45是表示實施例1的電路裝置的又一結(jié)構(gòu)的示意圖。實施例1的電路裝置可以是圖45所示的電路裝置102。參照圖45，電路裝置102由電氣元件100A來代替圖1所示的電路裝置101的電氣元件100，除此之外，與電路裝置101相同。電氣元件100A分別由導(dǎo)體板11A、12A、21A23A來代替圖2所示的電氣元件100的導(dǎo)體板11、12、2123，除此之外，與電氣元件100相同。導(dǎo)體板21A配置在電介質(zhì)層1、2之間，導(dǎo)體板11A配置在電介質(zhì)層2、3之間。另外，導(dǎo)體板22A配置在電介質(zhì)層3、4之間，導(dǎo)體板12A配置在電介質(zhì)層4、5之間，導(dǎo)體板23A配置在電介質(zhì)層5的一主面5A上。導(dǎo)體板11A、12A其一端與邊側(cè)陽極電極IOA連接，另一端與邊側(cè)陽極電極10B連接。導(dǎo)體板21A23A其一端與邊側(cè)陰極電極20A、20B連接，另一端與邊側(cè)陰極電極20C、20D連接。線XXI—XXI之間的電氣元件100A的剖視圖與圖21所示的電氣元件100的剖視圖相同，線XXII-XXII之間的電氣元件100A的剖視圖與圖22所示的電氣元件100的剖視圖相同?？梢杂脤?dǎo)體板11A、12A、21A23A代替圖21及圖22中導(dǎo)體板11、12、2123。圖46是相鄰兩個導(dǎo)體板的另一俯視圖。參照圖46，導(dǎo)體板11A具有長度L4和寬度W5，導(dǎo)體板21A具有長度L5和寬度W4。并且，長度L4和寬度W5之間有W5^L4的關(guān)系，長度L5和寬度W4之間有W4^L5的關(guān)系。這樣，導(dǎo)體板IIA、21A由寬度方向DR2比長度方向DR1長的形狀構(gòu)成。導(dǎo)體板12A具有與導(dǎo)體板11A相同的尺寸，導(dǎo)體板22A、23A具有與導(dǎo)體板21A相同的尺寸。若將導(dǎo)體板11A及導(dǎo)體板21A投影到一個平面上，則導(dǎo)體板IIA及21A具有重復(fù)部分200A。導(dǎo)體板11A和導(dǎo)體板21A的重復(fù)部分200A具有長度L5及寬度W5。導(dǎo)體板11A和導(dǎo)體板22A的重復(fù)部分、導(dǎo)體板12A和導(dǎo)體板22A的重復(fù)部分及導(dǎo)體板12A和導(dǎo)體板23A的重復(fù)部分也具有與重復(fù)部分200A相同的長度L5及相同的寬度W5。并且，在實施方式3中，設(shè)置長度L5及寬度W5，使得W5^L5。在重復(fù)部分200A的寬度W5是長度L5以上的情況下，如圖15所示那樣，流過導(dǎo)體板11A的電流II流過寬度方向DR2中重復(fù)部分200A的大致中央部，流過導(dǎo)體板21A的電流12流過寬度方向DR2中接近重復(fù)部分200A的端部部分。結(jié)果，如上所述，相對減小導(dǎo)體板11A、12A的有效電感比導(dǎo)體板11A、12A的自身電感小的程度。但是，由于電路裝置102具有以規(guī)定的間隔L3配置的導(dǎo)體板204、205，所以導(dǎo)體板204、205使返回電流Ir(=電流12)流過電氣元件100A內(nèi)的導(dǎo)體板21A23A。結(jié)果，與基板200在一主面201B上具有電連接于陰極電極20E、20F之間的導(dǎo)體板的情況相比，在導(dǎo)體板21A23A中流動的返回電流的比例增加，而相對增加導(dǎo)體板11A、12A的有效電感比導(dǎo)體板IIA、12A的自身電感相比減小的程度。因此，即使重復(fù)部分200A的寬度W5是長度L5以上，通過具有沿返回電流Ir流動的方向電分離的導(dǎo)體板204、205，也可減小電路裝置102的電感。圖47是表示圖45所示的電路裝置102阻抗的頻率依賴性的圖。圖47中，橫軸表示頻率，縱軸表示阻抗。另外，曲線k13表示重復(fù)部分200A的寬度W5是長度L5以上，且具有分離的導(dǎo)體板204、205的情況下的阻抗的頻率依賴性，曲線k14表示重復(fù)部分200A中的寬度W5是長度L5以上，且電導(dǎo)通導(dǎo)體板204、205的情況下的阻抗的頻率依賴性。參照圖47，0.06GHz以下的低頻區(qū)域是電容支配的頻率區(qū)域，0.OlGHz以上的高頻區(qū)域是電感支配的頻率區(qū)域。在電容支配的0.006GHz以下的低頻區(qū)域中，電切斷導(dǎo)體板204、205的情況下的電路裝置102的阻抗(曲線k13)與電導(dǎo)通導(dǎo)體板204、205的情況下的電路裝置102阻抗(曲線kl4)大致相同。另一方面，在電感支配的0.01GHz以上的高頻區(qū)域中，電切斷導(dǎo)體板204、205的情況下的電路裝置102的阻抗(曲線kl3)比電導(dǎo)通導(dǎo)體板204、205的情況下的電路裝置102的阻抗(曲線kl4)小。因此，即使重復(fù)部分200A的寬度W5是長度L5以上，也可通過在基板200上設(shè)置電分離的導(dǎo)體板204、205，來減小電路裝置102的電感。電路裝置102中，也可代替基板200，使用基板200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200J、200K、200L、200M、200N、200P、200Q、200R的其中之一。并且，在使用基板200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200J、200K、200L、200M、200N、200P、200Q、200R的任何一個的情況下，都與使用基板200的情況下相同，可以減小電路裝置102的阻抗。另外，在使用基板200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200J、200K、200L、200M、200N、200P、200Q、200R的4壬何一個情況下，都與使用基板200的情況下相同，可以將由CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)。因此，基板200、200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200J、200K、200L、200M、200N、200P、200Q、200R是在導(dǎo)體板11A、12A與導(dǎo)體板21A23A的重復(fù)部分200A中的寬度W5為長度L5以上的電路裝置102中，在電感支配的高頻區(qū)域中減小阻抗的基板。另外，基板200、200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200J、200K、200L、200M、200N、200P、200Q、200R是將CPUJllO中產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)的基板。上述中，說明了電介質(zhì)層15全部由相同電介質(zhì)材料(BaTi03)構(gòu)成，但是本發(fā)明并不限于此，電介質(zhì)層15可以由彼此不同的電介質(zhì)材料構(gòu)成，也可由2種電介質(zhì)材料構(gòu)成，一般上，由l種以上的電介質(zhì)材料構(gòu)成即可。該情況下，構(gòu)成電介質(zhì)層15的各電介質(zhì)材料最好具有3000以上的相對介電常數(shù)。并且，作為BaTi03以外的電介質(zhì)材料，可以使用Ba(Ti，Sn)03、Bi4Ti3012、(Ba，Sr，Ca)Ti03、(Ba，Ca)(Zr，Ti)03、(Ba，Sr，Ca)(Zr，Ti)03、SrTi03、CaTi03、PbTi03、Pb(Zn，Nb)03、Pb(Fe，W)03、Pb(Fe，Nb)03、Pb(Mg，Nb)03、Pb(Ni，W)03、Pb(Mg，W)03、Pb(Zr，Ti)03、Pb(Li，F(xiàn)e，W)03、Pb5Ge30和CaZr03等。上述中，說明了陽極電極10C、IOD、邊側(cè)陽極電極10A、IOB、導(dǎo)體板11、12、2123、邊側(cè)陰極電極20A、20B、20C、20D及陰極電極20E、20F由鎳(Ni)構(gòu)成，但是，本發(fā)明中并不限于此，陽極電極10C、IOD、邊側(cè)陽極電極10A、IOB、導(dǎo)體板ll、12、2123、邊側(cè)陰極電極20A、20B、20C、20D及陰極電極20E、20F也可以由銀(Ag)、鈀(Pd)、銀鈀合金(Ag—Pd)、白金(Pt)、金(Au)、鋼(Cu)、銣(Ru)及鎢(W)的其中之一構(gòu)成。進一步，上述中，說明了電氣元件100具有電介質(zhì)層15，但是本發(fā)明中并不限于此，電氣元件100也可不具有電介質(zhì)層15。這是因為即使沒有電介質(zhì)層15，在導(dǎo)體板11、12和導(dǎo)體板2123之間也產(chǎn)生了磁干擾，通過上述機構(gòu)而使電氣元件100的阻抗降低。進而，上述中，說明了與陽極電極10C、IOD連接的導(dǎo)體板的個數(shù)是2個(導(dǎo)體板ll、12)，與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板的個數(shù)是3個(導(dǎo)體板2123)，但是本發(fā)明中并不限于此，電氣元件100具有與陽極電極10C、10D連接的n(n是正整數(shù))個導(dǎo)體板、和與陰極電極20E、20F連接的m(m是正整數(shù))個導(dǎo)體板即可。在該情況下，電氣元件100包括j(j=m+n)個電介質(zhì)層。這是由于若至少具有一個與陽極電極10C、10D連接的導(dǎo)體板和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板，則可以產(chǎn)生磁干擾，從而可以減小有效電感。并且，本發(fā)明中，隨著電氣元件100中流動的電流增加，而使與陽極電極IOC、10D連接的導(dǎo)體板的個數(shù)和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板的個數(shù)增加。這是因為在與陽極電極10C、IOD連接的導(dǎo)體板及與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板由多個導(dǎo)體板構(gòu)成時，由于多個導(dǎo)體板并聯(lián)連接在2個陽極電極(IOC、10D)之間、或2個陰極電極(20E、20F)之間，所以若與陽極電極IOC、10D連接的導(dǎo)體板的個數(shù)和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板的個數(shù)增加，則可以增加流過電氣元件100的電流。另外，本發(fā)明中，在使電氣元件腦的阻抗相對降低的情況下，使與電極IOC、10D連接的導(dǎo)體板的個數(shù)和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板的個數(shù)增加。這是因為若使與電極10C、IOD連接的導(dǎo)體板的個數(shù)和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板的個數(shù)增加，則并聯(lián)連接的電容器的個數(shù)增加，電氣元件100的有效電容變大，阻抗降低。進而，上述中，說明了導(dǎo)體板ll、12平行配置在導(dǎo)體板2123上，但是本發(fā)明并不限于此，也可配置導(dǎo)體板11、12、2123，使得導(dǎo)體板11、12與導(dǎo)體板2123的間隔相對于長度方向DRI變化。進而，上述中，說明了電氣元件100與CPU110連接，但是本發(fā)明并不限于此，只要是以規(guī)定的頻率動作的電負(fù)載電路，則電氣元件100可以以任意方式與電負(fù)載電路連接。進而，上述中，說明了電氣元件100用作將由CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到CPUUO的附近的噪聲濾波器，但是本發(fā)明并不限于此，電氣元件100可以用作電容器。由于電氣元件100如上所述，包含并聯(lián)連接的4個電容器，所以也可作為電容器使用。并且，更具體的，電氣元件100可用于筆記本電腦、CD—RW/DVD裝置、游戲機、信息家電、數(shù)碼相機、汽車電裝用、汽車用數(shù)字設(shè)備、MPU外圍電路及DC/DC變換器等。因此，雖然在筆記本電腦及CD—RW/DVD裝置等中用作電容器，但是在電源90與CPU110之間使用并具有將CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到CPU110附近的噪聲濾波器功能的電氣元件包含在基于本發(fā)明的電氣元件100中。根據(jù)實施方式1，由于電路裝置101具有電氣元件100、基板200、200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200J、200K、200L、200M、200N、200P、200Q、200R，電路裝置102具有電氣元件IOOA、基板200、200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200J、200K、200L、200M、200N、200P、200Q、200R，所以基板200、200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200J、200K、200L、200M、200N、200P、200Q、200R使電流I在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12或電氣元件100A內(nèi)的導(dǎo)體板IIA、12A中流動，使電流I的返回電流Ir在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板2123或電氣元件100A內(nèi)的導(dǎo)體板21A23A中流動。結(jié)果，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板2123產(chǎn)生磁耦合，而使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自身電感小。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以減小電路裝置101、102的阻抗。另外，可以將CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流封入到電氣元件100內(nèi)。(實施方式2)圖48是基于實施方式2的電路裝置的結(jié)構(gòu)的立體圖。參照圖48，實施方式2的電路裝置103包括電氣元件100與導(dǎo)體板500。此外，電路裝置103中，電氣元件100的導(dǎo)體板23被去除，并將邊側(cè)陽極電極IOA形成在電氣元件100的側(cè)面100A的整體和電氣元件100A的底面100C、正面100D、背面100E及上面100F的一部分上，邊側(cè)陽極電極10B形成在電氣元件100的側(cè)面100B的整體、電氣元件100A的底面100C、正面100D、背面IOOE及上面100F的一部分上。另外，邊側(cè)陰極電極20A、20B、20C、20D也形成在電氣元件100的上面100F的一部分上。導(dǎo)體板500配置在電氣元件100的上面IOOF上，與邊側(cè)陽極電極IOA、IOB連接。并且，導(dǎo)體板500由銀、銅、金、鋁、黃銅、鎳、鐵、白金、錫及鉛的其中之一構(gòu)成。圖49是圖48所示的導(dǎo)體板500的立體圖。參照圖49，導(dǎo)體板500具有缺口部501、502。結(jié)果，導(dǎo)體板500由寬幅部503、504與窄幅部505構(gòu)成。窄幅部505配置在寬幅部503與寬幅部504之間。缺口部501是將邊側(cè)陰極電極20A、20C的一部分配置在電氣元件100的一主面(二上面100F)上用的缺口部，缺口部502是將邊側(cè)陰極電極20B、20D的一部分配置在電氣元件100的一主面(二上面100F)上用的缺口部。另外，導(dǎo)體板500在電流流過電氣元件100的導(dǎo)體板11、12的方向DR1上具有長度L6。該長度L6與方向DR1上的電氣元件100的長度大致相等。進而，導(dǎo)體板500的寬幅部503、504在與方向DR1正交的方向DR2上具有寬度W6，導(dǎo)體板500的窄幅部505具有寬度W7。并且，寬度W6具有與方向DR2上的電氣元件100的寬度相同的寬度，寬度W7比寬度W6窄。該情況下，將寬度W6設(shè)作例如5mm，將寬度W7設(shè)作例如3mm。圖50是圖49所示的導(dǎo)體板500的長度方向DR1上的剖視圖。參照圖50，導(dǎo)體板500具有凹凸面500A。此外，凹凸面500A不僅在導(dǎo)體板500的表面和背面，還在導(dǎo)體板500的寬度方向DR2兩側(cè)面形成。并且，凹凸面500A具有深度d。將該深度d設(shè)置為在交流電流流過導(dǎo)體的情況下，通過趨膚效應(yīng)交流電流流過的導(dǎo)體的表皮深度ds。這樣，由于導(dǎo)體板500的凹凸面500A相對長度方向DR1不連續(xù)，所以導(dǎo)體板500幾乎不流過交流電流，而流過直流電流。表1表示構(gòu)成導(dǎo)體板500的各種金屬材料的趨膚效應(yīng)的表皮深度ds和頻率的關(guān)系。表1<table>complextableseeoriginaldocumentpage48</column></row><table>如表1所示，趨膚效應(yīng)的表皮深度4隨著頻率升高而變淺。另外，由于電路裝置103具有電氣元件100，所以如上所述，因有效電感的降低，阻抗減小。并且，電路裝置103中，由于導(dǎo)體板500可以將從電源90供給的直流電流供給CPUllO，并且通過趨膚效應(yīng)抑制了CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流，使不需要的高頻電流在電氣元件IOO內(nèi)的導(dǎo)體板2123中流動，從而抑制了不需要的高頻電流泄漏到電源90側(cè)。因此，根據(jù)與電路裝置103連接的CPU110(電負(fù)載電路)產(chǎn)生的不需要的高頻電流的頻率，來確定導(dǎo)體板500的凹凸面500A的深度d。更具體的，在CPU110產(chǎn)生具有flf2(fl<f2)的范圍的頻率的不需要的高頻電流的情況下，可將深度d設(shè)置為根據(jù)頻率flf2中最低的頻率fl確定的表皮深度。這是因為根據(jù)最低頻率fl確定的表皮深度在由flf2頻率范圍所包含的頻率確定的表皮深度中最深，所以可以抑制具有flf2范圍的頻率的高頻電流流過導(dǎo)體板500。圖51及圖52是分別說明圖50所示的凹凸面500A的深度d的范圍用的第1及第2示意圖。參照圖51，導(dǎo)體板500的凹凸面500A具有最小深度dmin以上的深度。該最小深度.d^是通過趨膚效應(yīng)使比導(dǎo)體板500的表面平坦時電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12中流動的電流的交流成分更多的交流成分在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12中流動的深度。即，最小深度dmi。是比基于趨膚效應(yīng)的表皮深度4淺，且抑制通過趨膚效應(yīng)而在導(dǎo)體板500的表面平坦時導(dǎo)體板500的表面層流動的電流的交流成分的深度。并且，最小深度dmin最好設(shè)置為比通過CPU110產(chǎn)生的高頻電流(=電流的交流成分)中最高頻率確定的表皮深度淺，且抑制通過趨膚效應(yīng)而導(dǎo)體板500的表面層流動的具有最高頻率的高頻電流的深度。參照圖52，導(dǎo)體板500的凹凸面500A具有最大深度dmax以下的深度。并且，最大深度4^根據(jù)向與電路裝置103連接的CPU110(電負(fù)載電路)供給的直流電流的電流值來確定。圖53及圖54分別是表示電路裝置103和CPU110的連接模式的第1及第2示意圖。參照圖53，在1個CPU110與電路裝置103連接的情況下，電路裝置103將直流電流Ij共給CPUllO。在導(dǎo)體板500的凹凸面500A具有最大深度dmax的情況下，直流電流I流過導(dǎo)體板500A的區(qū)域506，直流電流Io的電流值根據(jù)區(qū)域506的截面積來確定。若將表面平坦時的導(dǎo)體板500的厚度設(shè)作D，將導(dǎo)體板500的電阻率設(shè)作p，則區(qū)域506的截面積S根據(jù)S=(D—2xd隨)x(W7—2xd匪)來確定。并且，若將流動直流電流I時的電壓設(shè)作V，則直流電流I根據(jù)10=Vx(D—2xd醒)x(W7—2xdmax)/(pxL6)來確定。若確定直流電流Io的電流值及電圧V的電圧值，則由于厚度D、電阻率p、寬度W7及長度L6己知，所以可以通過I0=Vx(D—2xdmax)x(W7-2xdmax)/(pxL6)來確定導(dǎo)體板500的凹凸面500A的最大深度dmax。參照圖54，在將4個CPU110A、U0B、U0C、110D與電路裝置103并聯(lián)連接的情況下，電路裝置103使分別供給CPU110A、110B、110C、llOD的直流電流h、12、13、14總共I,+l2+l3+l4的直流電流流過導(dǎo)體板500。因此，通過使用I!+l2+l3+LrVx(D—2xd隨)xW7/(pxL6)來確定導(dǎo)體板的凹凸面500A的最大深度dmax。并且，在與電路裝置103并聯(lián)連接的CPU110的個數(shù)為j(j是2以上的整數(shù))個的情況下，通過使用I!+l2+…+Ij=Vx(D—2xd薩)x(W7-2xd匪)/(pxL6)來確定導(dǎo)體板的凹凸面500A的最大深度dmax。另夕卜，在分別供給CPU110A、110B、110C、110D的直流電流I"12、13、14的電流值相等的情況下，通過使用4xI,二Vx(D—2xd,)xW7/(pxL6)來確定導(dǎo)體板的凹凸面500A的最大深度dmax。并且，在與電路裝置103并聯(lián)連接的CPU110的個數(shù)是j個、且供給各CPU110的直流電流的電流值相等的情況下，可通過使用jxI,二Vx(D—2xd,)x(W7-2xd皿)/(pxL6)來確定導(dǎo)體板500的凹凸面500A的最大深度dn^。通過上述的方法，來確定導(dǎo)體板500的凹凸面500A的深度d的最小深度d偷和最大深度dmax。并且，將導(dǎo)體板500的凹凸面500A的深度d設(shè)置為最小深度dmin以上的深度即可。另夕卜，最好可以將導(dǎo)體板500的凹凸面500A的深度d設(shè)置為表皮深度ds以上的深度。更好可以將導(dǎo)體板500的凹凸面500A的深度d設(shè)置為通過CPU110產(chǎn)生的高頻電流的頻率中最高頻率所確定的表皮深度ds以上的深度。最好可以將導(dǎo)體板500的凹凸面500A的深度d設(shè)置為最小深度dmin以上且最大深度dmax以下的深度。更好可以將導(dǎo)體板500的凹凸面500A的深度d設(shè)置為表皮深度ds以上且最大深度dmax以下的深度。進一步更好可以將導(dǎo)體板500的凹凸面500A的深度d設(shè)置為由CPU110產(chǎn)生的高頻電流的頻率中最高頻率所確定的表皮深度ds以上且最大深度dmax以下的深度。更好可以將導(dǎo)體板500的凹凸面500A的深度d設(shè)置為由CPU110產(chǎn)生的高頻電流的頻率中最低頻率所確定的表皮深度ds以上且最大深度dmax以下的深度。此外，圖50到圖52中，圖示了凹凸面500A其表面背面具有相同形狀的凹凸，但是本發(fā)明并不限于此，凹凸面500A也可以是表面背面具有不同形狀的凹凸。將電路裝置103配置在基板200上。該情況下，邊側(cè)陽極電極10A與導(dǎo)體板202連接，邊側(cè)陽極電極10B與導(dǎo)體板203連接，邊側(cè)陰極電極20A、20B經(jīng)導(dǎo)體(未圖示)與導(dǎo)體板204連接，邊側(cè)陰極電極20C、20D經(jīng)導(dǎo)體(未圖示)與導(dǎo)體板205連接。這樣，電路裝置103經(jīng)導(dǎo)體板202使邊側(cè)陽極電極10A接受電流I。并且，電路裝置103的導(dǎo)體板500使電流I的直流成分流向邊側(cè)陽極電極IOB，使電流I的交流成分在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12中流動。結(jié)果，電流I的直流成分的流動為邊側(cè)陽極電極10A—導(dǎo)體板500—邊側(cè)陽極電極10B—導(dǎo)體板203，電流I的交流成分流動為邊側(cè)陽極電極10A—導(dǎo)體板ll、12—邊側(cè)陽極電極10B—導(dǎo)體板203。另外，電流I的返回電流Ir通過導(dǎo)體板500的趨膚效應(yīng)而被抑制了在導(dǎo)體板500中流動，而是從基板200的導(dǎo)體板205經(jīng)導(dǎo)體(未圖示)流向邊側(cè)陰極電極20C、20D,在電氣元件100內(nèi)以邊側(cè)陰極電極20C、20D、導(dǎo)體板21、22及邊側(cè)陰極電極20A、20B的順序流動，并經(jīng)導(dǎo)體流過導(dǎo)體板204。結(jié)果，電氣元件100的導(dǎo)體板11、12與導(dǎo)體板21、22產(chǎn)生磁耦合，而使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自身電感小。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以減小電路裝置103的阻抗。另外，將作為電流I的返回電流Ir的在CPUllO中產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)，可以抑制不需要的高頻電流泄漏到電源90進一步，電路裝置103中，由于直流成分流過電氣元件100的外部(=上面IOOF)配置的導(dǎo)體板500，所以可以抑制電氣元件100中的溫度升高。圖55是表示基于實施方式2的電路裝置的結(jié)構(gòu)的又一立體圖。實施方式2的電路裝置可以是圖55所示的電路裝置104。參照圖55，電路裝置104由導(dǎo)體板501來代替圖48所示的電路裝置103的導(dǎo)體板500，除此之外，與電路裝置104相同。導(dǎo)體板501配置在電氣元件100的上面100F、側(cè)面100B、及底面100C的一部分上，與邊側(cè)陽極電極10A、IOB連接。并且，導(dǎo)體板501由銀、銅、金、鋁、黃銅、鎳、鐵、白金、錫及鉛的其中之一構(gòu)成。另外，導(dǎo)體板501具有與導(dǎo)體板500的凹凸面500A相同的凹凸面。由于導(dǎo)體板501與導(dǎo)體板500同樣將趨膚效應(yīng)下的表皮深度作為凹部的深度，所以流過電流I的直流成分，電流I的交流成分在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12中流動。結(jié)果，電路裝置104中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板21、22產(chǎn)生磁耦合，而使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自身電感小。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以減小電路裝置104的阻抗。另外，將由CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)，可以抑制不需要的高頻電流泄漏到電源90側(cè)。進而，由于導(dǎo)體板501與邊側(cè)陽極電極10B的接觸面積比導(dǎo)體板500大，所以可以減小導(dǎo)體板501與邊側(cè)陽極電極10B的接觸阻抗，可以減小導(dǎo)體板501和邊側(cè)陽極電極10B的接觸部的發(fā)熱。此外，電路裝置104中，也可代替導(dǎo)體板501，而使用可以增大與邊側(cè)陽極電極10A的接觸面積的導(dǎo)體板。圖56是表示實施方式2的電路裝置的結(jié)構(gòu)的又一立體圖。實施方式2的電路裝置可以是圖56所示的電路裝置105。參照圖56，電路裝置105用導(dǎo)體板502來代替圖48所示的電路裝置103的導(dǎo)體板500，除此之外，與電路裝置103相同。導(dǎo)體板502配置在電氣元件100的上面IOOF、側(cè)面IOOA、IOOB、及底面100C的一部分上，與邊側(cè)陽極電極10A、IOB連接。并且，導(dǎo)體板502由銀、銅、金、鋁、黃銅、鎳、鐵、白金、錫及鉛的其中之一構(gòu)成。另外，導(dǎo)體板502具有與導(dǎo)體板500的凹凸面500A相同的凹凸面。由于導(dǎo)體板502與導(dǎo)體板500同樣，將趨膚效應(yīng)的表皮深度作為凹部的深度，所以流過電流I的直流成分，電流I的交流成分在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板ll、12中流動。結(jié)果，電路裝置105中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板21、22產(chǎn)生磁耦合，使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比體板11、12的自身電感小。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以減小電路裝置105的阻抗。另外，可以將CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)，可以抑制不需要的高頻電流向電源90側(cè)泄漏。進而，由于導(dǎo)體板502與邊側(cè)陽極電極IOA、IOB的接觸面積比導(dǎo)體板500大，所以可以減小導(dǎo)體板502與邊側(cè)陽極電極IOA、10B的接觸阻抗，可以減小導(dǎo)體板502和邊側(cè)陽極電極IOA、IOB的接觸部的發(fā)熱。圖57是表示實施方式2的電路裝置的結(jié)構(gòu)的又一立體圖。實施方式2的電路裝置可以是圖57所示的電路裝置106。參照圖57，電路裝置106用導(dǎo)體板503來代替圖48所示的電路裝置103的導(dǎo)體板500，除此之外，與電路裝置103相同。導(dǎo)體板503配置在電氣元件100的上面100F、側(cè)面100B及底面100C的一部分上，與邊側(cè)陽極電極10A、10B連接，并且具有向電氣元件100的寬度方向DR2延伸的延伸部5031。此外，圖57中，僅表示了向電氣元件100的寬度方向DR2的一方延伸的延伸部5031，但是實際上，導(dǎo)體板503也有沿與延伸部5031相反方向延伸的延伸部。并且，導(dǎo)體板503由銀、銅、金、鋁、黃銅、鎳、鐵、白金、錫及鉛的其中之一構(gòu)成。另外，導(dǎo)體板503具有與導(dǎo)體板500的凹凸面500A相同的凹凸面。由于導(dǎo)體板503與導(dǎo)體板500同樣，將趨膚效應(yīng)的表皮深度作為凹部的深度，所以流過電流I的直流成分，使電流I的交流成分在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12中流動。結(jié)果，電路裝置106中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板21、22產(chǎn)生磁耦合，使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比體板11、12的自身電感小。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以減小電路裝置106的阻抗。另外，可以將CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)，可以抑制不需要的高頻電流向電源90側(cè)泄漏。進而，由于導(dǎo)體板503與邊側(cè)陽極電極10B的接觸面積比導(dǎo)體板500大，所以可以減小導(dǎo)體板503與邊側(cè)陽極電極10B的接觸阻抗，可以減小導(dǎo)體板503和邊側(cè)陽極電極10B的接觸部的發(fā)熱。進一步，由于導(dǎo)體板503具有延伸部5031，所以在將電路裝置106配置在基板200上的情況下，可以增大與導(dǎo)體板203的接觸面積，可以減小電路裝置106和基板200的接觸阻抗，而抑制電路裝置106和基板200的接觸部的發(fā)熱。圖58是表示實施方式2的電路裝置的結(jié)構(gòu)的又一立體圖。實施方式2的電路裝置可以是圖58所示的電路裝置107。參照圖58，電路裝置107用導(dǎo)體板504來代替圖48所示的電路裝置103的導(dǎo)體板500，除此之外，與電路裝置103相同。導(dǎo)體板504配置在電氣元件100的上面IOOF、側(cè)面IOOA，側(cè)面100B及底面100C的一部分上，具有連接部504A、504B。并且，導(dǎo)體板504通過連接部504A與邊側(cè)陽極電極10A連接，通過連接部504B與邊側(cè)陽極電極10B連接。連接部504A具有向電氣元件100的寬度方向DR2延伸的延伸部5042、5043，連接部504B具有沿電氣元件100的寬度方向DR2延伸的延伸部5041。此外，圖58中，圖示了沿電氣元件100的寬度方向DR2延伸的3個延伸部50415043，但是實際上，連接部504B還具有沿與延伸部5041相反方向延伸的延伸部。并且，導(dǎo)體板504由銀、銅、金、鋁、黃銅、鎳、鐵、白金、錫及鉛的其中之一構(gòu)成。另外，導(dǎo)體板504具有與導(dǎo)體板500的凹凸面500A相同的凹凸面。由于導(dǎo)體板504與導(dǎo)體板500同樣，將趨膚效應(yīng)的表皮深度作為凹部的深度，所以流過電流I的直流成分，使電流I的交流成分在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板ll、12中流動。結(jié)果，電路裝置107中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板21、22產(chǎn)生磁耦合，使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比體板11、12的自身電感小。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以減小電路裝置107的阻抗。另外，可以將CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)，可以抑制不需要的高頻電流向電源卯側(cè)泄漏。進而，由于導(dǎo)體板504與邊側(cè)陽極電極10A、IOB的接觸面積比導(dǎo)體板500大，所以可以減小導(dǎo)體板504與邊側(cè)陽極電極IOA、10B的接觸阻抗，可以減小導(dǎo)體板504和邊側(cè)陽極電極IOA、IOB的接觸部的發(fā)熱。進一步，由于導(dǎo)體板504具有延伸部50415043，所以在將電路裝置107配置在基板200上的情況下，可以增大與導(dǎo)體板202、203的接觸面積，可以減小電路裝置107和基板200的接觸面積，而抑制電路裝置107和基板200的接觸部的發(fā)熱。圖59是表示實施方式2的電路裝置的結(jié)構(gòu)的又一立體圖。實施方式2的電路裝置可以是圖59所示的電路裝置108。參照圖59，電路裝置108用導(dǎo)體板505來代替圖48所示的電路裝置103的導(dǎo)體板500，除此之外，與電路裝置103相同。此外，電路裝置108中，電氣元件100的邊側(cè)陰極電極20A、20C配置在電氣元件100的正面IOOD，邊側(cè)陰極電極20B、20D配置在電氣元件100的背面IOOE。導(dǎo)體板505具有與導(dǎo)體板500的寬幅部503、504的寬度W6相同的寬度，配置在電氣元件100的上面IOOF、側(cè)面IOOA、IOOB、及底面100C的一部分上，與邊側(cè)陽極電極10A、IOB連接。并且，導(dǎo)體板505由銀、銅、金、鋁、黃銅、鎳、鐵、白金、錫及鉛的其中之一構(gòu)成。另外，導(dǎo)體板505具有與導(dǎo)體板500的凹凸面500A相同的凹凸面。由于導(dǎo)體板505與導(dǎo)體板500同樣，將趨膚效應(yīng)的表皮深度作為凹部的深度，所以流過電流I的直流成分，使電流I的交流成分在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板11、12中流動。結(jié)果，電路裝置108中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板21、22產(chǎn)生磁耦合，使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比體板11、12的自身電感小。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以減小電路裝置108的阻抗。另外，可以將CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)，可以抑制不需要的高頻電流向電源90側(cè)泄漏。進而，由于導(dǎo)體板505與邊側(cè)陽極電極10A、IOB的接觸面積比導(dǎo)體板500大，所以可以減小導(dǎo)體板505與邊側(cè)陽極電極IOA、IOB的接觸阻抗，可以減小導(dǎo)體板505和邊側(cè)陽極電極IOA、IOB的接觸部的發(fā)熱。圖60是表示實施方式2的電路裝置的結(jié)構(gòu)的又一立體圖。實施方式2的電路裝置可以是圖60所示的電路裝置109。參照圖60，電路裝置109用導(dǎo)體板506來代替圖48所示的電路裝置108的導(dǎo)體板505，除此之外，與電路裝置108相同。導(dǎo)體板506配置在電氣元件100的上面100F及側(cè)面IOOA、100B的整個面與底面IOOC、正面100D及背面100E的一部分上，與邊側(cè)陽極電極IOA、IOB連接。并且，導(dǎo)體板506由銀、銅、金、鋁、黃銅、鎳、鐵、白金、錫及鉛的其中之一構(gòu)成。另外，導(dǎo)體板506具有與導(dǎo)體板500的凹凸面500A相同的凹凸面。由于導(dǎo)體板506與導(dǎo)體板500同樣，將趨膚效應(yīng)的表皮深度作為凹部的深度，所以流過電流I的直流成分，使電流I的交流成分在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板U、12中流動。結(jié)果，電路裝置109中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板21、22產(chǎn)生磁耦合，使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比體板1K12的自身電感小。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以減小電路裝置109的阻抗。另外，可以將CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)，可以抑制不需要的高頻電流向電源90側(cè)泄漏。進而，由于導(dǎo)體板506與邊側(cè)陽極電極IOA、IOB的接觸面積比導(dǎo)體板505大，所以可以減小導(dǎo)體板506與邊側(cè)陽極電極IOA、IOB的接觸阻抗，可以減小導(dǎo)體板506和邊側(cè)陽極電極IOA、IOB的接觸部的發(fā)熱。圖61是表示實施方式2的電路裝置的結(jié)構(gòu)的又一立體圖。實施方式2的電路裝置可以是圖61所示的電路裝置120。參照圖61，電路裝置120用導(dǎo)體板507來代替圖55所示的電路裝置108的導(dǎo)體板505，除此之外，與電路裝置108相同。導(dǎo)體板507配置在電氣元件100的上面IOOF、側(cè)面IOOA、IOOB、及底面100C的一部分上，具有連接部507A、507B。并且，導(dǎo)體板507通過連接部507A與邊側(cè)陽極電極10A連接，通過連接部507B與邊側(cè)陽極電極10B連接。連接部507A具有沿電氣元件100的寬度方向DR2延伸的延伸部5072、5073，連接部507B具有沿電氣元件100的寬度方向DR2延伸的延伸部5071。此外，圖61中，圖示了沿電氣元件100的寬度方向DR2延伸的3個延伸部50715073，但是實際上，連接部507B還具有沿與延伸部5071相反方向延伸的延伸部。并且，導(dǎo)體板507由銀、銅、金、鋁、黃銅、鎳、鐵、白金、錫及鉛的其中之一構(gòu)成。另外，導(dǎo)體板507具有與導(dǎo)體板500的凹凸面500A相同的凹凸面。由于導(dǎo)體板507與導(dǎo)體板500同樣，將趨膚效應(yīng)的表皮深度作為凹部的深度，所以流過電流I的直流成分，使電流I的交流成分在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板ll、12中流動。結(jié)果，電路裝置120中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板21、22產(chǎn)生磁耦合，使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比體板11、12的自身電感小。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以減小電路裝置120的阻抗。另外，可以將CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流封閉到電氣元件100內(nèi)，可以抑制不需要的高頻電流向電源90側(cè)泄漏。進而，由于導(dǎo)體板507與邊側(cè)陽極電極10A、IOB的接觸面積比導(dǎo)體板500大，所以可以減小導(dǎo)體板507與邊側(cè)陽極電極IOA、10B的接觸阻抗，可以減小導(dǎo)體板507和邊側(cè)陽極電極IOA、IOB的接觸部的發(fā)熱。進一步，由于導(dǎo)體板507具有延伸部50715073，所以在將電路裝置120配置在基板200上的情況下，可以增大與導(dǎo)體板202、203的接觸面積，可以減小電路裝置120和基板200的接觸阻抗，從而可以抑制電路裝置120和基板200的接觸部的發(fā)熱。圖62是表示實施方式2的電路裝置的結(jié)構(gòu)的又一立體圖。實施方式2的電路裝置可以是圖62所示的電路裝置121。參照圖62，電路裝置120用導(dǎo)體板508來代替圖60所示的電路裝置109的導(dǎo)體板506，除此之外，與電路裝置109相同。導(dǎo)體板508配置在電氣元件100的上面100F、側(cè)面100A、IOOB、及底面100C的一部分上，具有連接部508A、508B。并且，導(dǎo)體板508通過連接部508A與邊側(cè)陽極電極10A連接，通過連接部508B與邊側(cè)陽極電極10B連接。連接部508A具有沿電氣元件100的寬度方向DR2延伸的延伸部5082、5083，連接部508B具有沿電氣元件100的寬度方向DR2延伸的延伸部5081。圖62中，圖示了沿電氣元件100的寬度方向DR2延伸的3個延伸部50815083，但是實際上，連接部508B還具有沿與延伸部5081相反方向延伸的延伸部。并且，導(dǎo)體板508由銀、銅、金、鋁、黃銅、鎳、鐵、白金、錫及鉛的其中之一構(gòu)成。另外，導(dǎo)體板508具有與導(dǎo)體板500的凹凸面500A相同的凹凸面。由于導(dǎo)體板508與導(dǎo)體板500同樣，將趨膚效應(yīng)的表皮深度作為凹部的深度，所以流過電流I的直流成分，使電流I的交流成分在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板ll、12中流動。結(jié)果，電路裝置121中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板21、22產(chǎn)生磁耦合，使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比體板11、12的自身電感小。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以減小電路裝置121的阻抗。另外，可以將CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流封入到電氣元件100內(nèi)，可以抑制不需要的高頻電流向電源90側(cè)泄漏。進而，由于導(dǎo)體板508與邊側(cè)陽極電極IOA、10B的接觸面積比導(dǎo)體板500大，所以可以減小導(dǎo)體板508與邊側(cè)陽極電極IOA、10B的接觸阻抗，可以減小導(dǎo)體板508和邊側(cè)陽極電極IOA、IOB的接觸部的發(fā)熱。進一步，由于導(dǎo)體板508具有延伸部50815083，所以在將電路裝置121配置在基板200上的情況下，可以增大與導(dǎo)體板202、203的接觸面積，可以減小電路裝置121和基板200的接觸阻抗，從而可以抑制電路裝置121和基板200的接觸部的發(fā)熱。圖63是表示實施方式2的電路裝置的結(jié)構(gòu)的又一立體圖。實施方式2的電路裝置可以是圖63所示的電路裝置122。參照圖63，電路裝置122用導(dǎo)體板509來代替圖61所示的電路裝置120的導(dǎo)體板507，除此之外，與電路裝置120相同。導(dǎo)體板509配置在電氣元件100的上面100F、側(cè)面100A、IOOB、及底面100C的一部分上，具有連接部509A、509B。導(dǎo)體板509通過連接部509A與邊側(cè)陽極電極10A連接，通過連接部509B與邊側(cè)陽極電極10B連接。連接部509A具有沿電氣元件100的寬度方向DR2延伸的延伸部5092、5093，連接部509B具有沿電氣元件100的寬度方向DR2延伸的延伸部5091。此外，圖63中，圖示了沿電氣元件100的寬度方向DR2延伸的3個延伸部50915093，但是實際上，連接部509B還具有沿與延伸部5091相反方向延伸的延伸部。并且，導(dǎo)體板509由銀、銅、金、鋁、黃銅、鎳、鐵、白金、錫及鉛的其中之一構(gòu)成。另外，導(dǎo)體板509具有與導(dǎo)體板500的凹凸面500A相同的凹凸面。由于導(dǎo)體板509與導(dǎo)體板500同樣，將趨膚效應(yīng)的表皮深度作為凹部的深度，所以流過電流I的直流成分，使電流I的交流成分在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板ll、12中流動。結(jié)果，電路裝置121中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板21、22產(chǎn)生磁耦合，使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比體板11、12的自身電感小。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以減小電路裝置122的阻抗。另外，可以將CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流封入到電氣元件100內(nèi)，可以抑制不需要的高頻電流向電源90側(cè)泄漏。進而，由于導(dǎo)體板509與邊側(cè)陽極電極10A、IOB的接觸面積比導(dǎo)體板500大，所以可以減小導(dǎo)體板509與邊側(cè)陽極電極IOA、10B的接觸阻抗，可以減小導(dǎo)體板509和邊側(cè)陽極電極IOA、IOB的接觸部的發(fā)熱。進一步，由于導(dǎo)體板509具有延伸部50915095，所以在將電路裝置121配置在基板200上的情況下，可以增大與導(dǎo)體板202、203的接觸面積，可以減小電路裝置122和基板200的接觸阻抗，從而可以抑制電路裝置122和基板200的接觸部的發(fā)熱。圖64是表示實施方式2的電路裝置的結(jié)構(gòu)的又一立體圖。實施方式2的電路裝置可以是圖64所示的電路裝置123。參照圖64，電路裝置123用導(dǎo)體板510來代替圖62所示的電路裝置121的導(dǎo)體板508，除此之外，與電路裝置121相同。導(dǎo)體板510配置在電氣元件100的上面IOOF、側(cè)面IOOA、IOOB、及底面100C的一部分上，具有連接部510A、510B。并且，導(dǎo)體板510通過連接部510A與邊側(cè)陽極電極10A連接，通過連接部510B與邊側(cè)陽極電極10B連接。連接部510A具有沿電氣元件100的寬度方向DR2延伸的延伸部5102、5103，連接部510B具有沿電氣元件100的寬度方向DR2延伸的延伸部5101。此外，圖64中，圖示了沿電氣元件100的寬度方向DR2延伸的3個延伸部51015103，但是實際上，連接部510B還具有沿與延伸部5101相反方向延伸的延伸部。并且，導(dǎo)體板510由銀、銅、金、鋁、黃銅、鎳、鐵、白金、錫及鉛的其中之一構(gòu)成。另外，導(dǎo)體板510具有與導(dǎo)體板500的凹凸面500A相同的凹凸面。由于導(dǎo)體板510與導(dǎo)體板500同樣，將趨膚效應(yīng)的表皮深度作為凹部的深度，所以流過電流I的直流成分，使電流I的交流成分在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板ll、12中流動。結(jié)果，電路裝置123中，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板21、22產(chǎn)生磁耦合，使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比體板11、12的自身電感小。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以減小電路裝置123的阻抗。另外，可以將CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流封入到電氣元件100內(nèi)，可以抑制不需要的高頻電流向電源90側(cè)泄漏。進而，由于導(dǎo)體板510與邊側(cè)陽極電極10A、IOB的接觸面積比導(dǎo)體板500大，所以可以減小導(dǎo)體板510與邊側(cè)陽極電極IOA、10B的接觸阻抗，可以減小導(dǎo)體板510和邊側(cè)陽極電極IOA、IOB的接觸部的發(fā)熱。進一步，由于導(dǎo)體板510具有延伸部51015105，所以在將電路裝置123配置在基板200上的情況下，可以增大與導(dǎo)體板202、203的接觸面積，可以減小電路裝置123和基板200的接觸阻抗，從而可以抑制電路裝置123和基板200的接觸部的發(fā)熱。如上所述，基于實施方式2的電路裝置103109、120123包括具有凹部的深度為基于趨膚效應(yīng)的最小深度dmin以上且作為最大深度dmax以下的凹凸面200A的導(dǎo)體板500510，所以導(dǎo)體板500510流過電流I的直流成分，使電流I的交流成分流過電氣元件lOO內(nèi)的導(dǎo)體板ll、12。使電流I的返回電流Ir流過電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板21、22。結(jié)果，導(dǎo)體板ll、12與導(dǎo)體板21、22產(chǎn)生磁耦合，而使導(dǎo)體板ll、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自身電感小。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以減小電路裝置103109、120123的阻抗。另外，可以將CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流封入到電氣元件100內(nèi)，可以抑制不需要的高頻電流向電源90側(cè)泄漏。電路裝置103109、120123在安裝到基板上時，配置在上述的基板200、200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200J、200K、200L、200M、200N、200P、200Q、200R的其中一個基板上。結(jié)果，從電路裝置103到109、120123中，電流I的直流成分流過導(dǎo)體板500510，使電流I的交流成分在電氣元件lOO內(nèi)的導(dǎo)體板ll、12中流動，進一步，使電流I的返回電流Ir在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體板21、22中流動。g卩，使電流I的交流成分通過在電氣元件100的外部配置的導(dǎo)體板500510而在電氣元件10d內(nèi)的導(dǎo)體板11、12中流動，使返回電流Ir通過基板200、200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200J、200K、200L、200M、200N、200P、200Q、200R而在電氣元件100內(nèi)的導(dǎo)體21、22中流動。因此，通過上述結(jié)構(gòu)，可以進一步減小電路裝置103109、120123的阻抗。另外，可以將CPU110產(chǎn)生的不需要的高頻電流進一步封閉到電氣元件100內(nèi)，可以進一步抑制不需要的高頻電流向電源90側(cè)泄漏。此外，電路裝置103109、120123也可代替電氣元件100而具有電氣元件IOOA。另外，導(dǎo)體板500510的厚度可根據(jù)供給CPU110的直流電流的電流值來確定，導(dǎo)體板500510可以由多個薄長方狀的導(dǎo)體板構(gòu)成，而不是一片導(dǎo)體板。除此之外，與實施方式l相同。上述中，說明了將電氣元件100連接在電源卯和CPU110之間，但是本發(fā)明并不限于此，電氣元件100也可連接在第1端子和第2端子之間。該情況下，將邊側(cè)陽極電極IOA及陽極電極10C配置在第1端子側(cè)，將邊側(cè)陽極電極10B及陽極電極10D配置在第2端子側(cè)，將邊側(cè)陰極電極20A、20B及陰極電極20E配置在第1端子側(cè)，將邊側(cè)陰極電極20C、20D及陰極電極20F配置在第2端子側(cè)。另夕卜，電路裝置103109、120123也可包括僅具有向電氣元件100的長度方向DR1延伸的延伸部的導(dǎo)體板，一般上，包括具有向電氣元件100的長度方向DR1和/或?qū)挾确较駾R2延伸的延伸部的導(dǎo)體板即可。進而，本發(fā)明中，基板200、200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、2007、200K、200L、200M、200N、200P、200Q、200R分別構(gòu)成"電流控制部件"，導(dǎo)體板500510分別構(gòu)成"電流控制部件"。進而，導(dǎo)體板ll、12;IIA、12A構(gòu)成"n個第1導(dǎo)體板"或"n個第2導(dǎo)體板"，導(dǎo)體板2123;2123A構(gòu)成"m個第2導(dǎo)體板"或"m個第3導(dǎo)體板"。進而，邊側(cè)陽極電極10A及陽極電極10C構(gòu)成"第1陽極電極"，邊側(cè)陽極電極10B及陽極電極10D構(gòu)成"第2陽極電極"，邊側(cè)陰極電極20A、20B及陰極電極20E構(gòu)成"第1陰極電極"，邊側(cè)陰極電極20C、20D及陰極電極20F構(gòu)成"第2陰極電極"。進一步，導(dǎo)體板202及導(dǎo)體部305;325;415、416、422構(gòu)成"第1導(dǎo)體部"，導(dǎo)體板203及導(dǎo)體部306、328、419、420、425構(gòu)成"第2導(dǎo)體部"，導(dǎo)體板204、209、212、通孔BH1、423及導(dǎo)體部307、310、326、417構(gòu)成"第3導(dǎo)體部"，導(dǎo)體板205、210、213、通孔BH2、424及導(dǎo)體部308、311、327、418構(gòu)成"第4導(dǎo)體部"。進一步，導(dǎo)體部305、325、415、416及通孔422構(gòu)成"第1導(dǎo)體部"，導(dǎo)體部306、328、419、420及通孔425構(gòu)成"第2導(dǎo)體部"，縫隙303、312324、411414構(gòu)成"第1縫隙"，導(dǎo)體部307、310、326、417及通孔423構(gòu)成"第3導(dǎo)體部"，導(dǎo)體部308、311、327、418及通孔424構(gòu)成"第4導(dǎo)體部"，縫隙303、312324、411414構(gòu)成"第2縫隙"。進一步，凹凸面500A構(gòu)成"凹凸部"，連接部504A、507A、508A、509A、510A構(gòu)成"第1連接部"，連接部504B、507B、508B、509B、510B構(gòu)成"第2連接部"。應(yīng)認(rèn)為這里公開的實施方式的所有方面是例示，而不是限定。本發(fā)明的范圍不通過上述實施方式的說明，而通過權(quán)利要求的范圍來表示，意圖包含與權(quán)利要求的范圍相同的含義及范圍內(nèi)的所有改變。(產(chǎn)業(yè)上的可用性)本發(fā)明適用于可通過電感的降低來降低阻抗的電路裝置。另外，本發(fā)明還適用于能抑制由電負(fù)載電路產(chǎn)生的高頻電流向電源側(cè)泄漏的電路裝置。權(quán)利要求1、一種電路裝置，包括電氣元件(100、100A)，連接在第1及第2端子之間；和電流控制部件(200、200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200J、200K、200L、200M、200N、200P、200Q、200R、500～510)，使從所述第一端子供給的第1電流的交流成分至少在所述電氣元件(100、100A)內(nèi)的導(dǎo)體板(11、12、11A、12A)中流動，并且從所述第2端子接受作為所述第1電流的返回電流的第2電流，使該接受的第2電流的交流成分至少在所述電氣元件(100、100A)內(nèi)的導(dǎo)體板(21～23、21A～23A)中流動；所述電氣元件(100、100A)包括n個第1導(dǎo)體板(11、12、11A、12A)，分別使所述第1電流的交流成分至少從所述第1端子側(cè)向所述第2端子側(cè)流動，其中n是正整數(shù)；和m個第2導(dǎo)體板(21～23、21A～23A)，與所述n個第1導(dǎo)體板(11、12、11A、12A)交替層疊，分別使所述第2電流的交流成分至少從所述第2端子側(cè)向所述第1端子側(cè)流動，其中m是正整數(shù)。2、根據(jù)權(quán)利要求l所述的電路裝置，其特征在于，所述電氣元件(100、100A)還包括第1陽極電極(IOA、10C),配置在所述第1端子側(cè)，與所述n個第1導(dǎo)體板(11、12、IIA、12A)的一端連接；第2陽極電極(IOB、10D)，配置在所述第2端子側(cè)，與所述n個第l導(dǎo)體板(11、12、IIA、12A)的另一端連接；第1陰極電極(20A、20B、20E)，配置在所述第1端子側(cè)，與所述m個第2導(dǎo)體板(2123、21A23A)的一端連接；和第2陰極電極(20C、20D、20F)，配置在所述第2端子側(cè)，與所述m個第2導(dǎo)體板(2123、21A23A)的另一端連接；所述電流控制部件(200、200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200J、200K、200L、200M、200N、200P、200Q、200R)包括與所述第1及第2陰極電極(20A、20B、20E;20C、20D、20F)連接、且具有比所述m個第2導(dǎo)體板(2123、21A23A)的阻抗大的阻抗的導(dǎo)體部(204、205;204、205、220;209、210;307、308;326、327;417、418)。3、根據(jù)權(quán)利要求l所述的電路裝置，其特征在于，所述電氣元件(100、100A)還包括第1陽極電極(1OA、10C)，配置在所述第1端子側(cè)，與所述n個第l導(dǎo)體板(11、12、UA、12A)的一端連接；第2陽極電極(1OB、10D)，配置在所述第2端子側(cè)，與所述n個第l導(dǎo)體板(11、12、IIA、12A)的另一端連接；第1陰極電極(20A、20B、20E)，配置在所述第1端子側(cè)，與所述m個第2導(dǎo)體板(2123、21A23A)的一端連接；和第2陰極電極(20C、20D、20F)，配置在所述第2端子側(cè)，與所述m個第2導(dǎo)體板(2123、21A23A)的另一端連接；所述電流控制部件(500510)通過趨膚效應(yīng)，使所述第1電流的交流成分在所述n個第1導(dǎo)體板中流動，并且使所述第1電流的直流成分從所述第1陽極電極(IOA、10C)向所述第2陽極電極(IOB、10D)流動。4、一種電路裝置，包括基板(200、200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200J、200K、200L、200M、200N、200P、200Q、200R);和電氣元件(100、100A)，配置在所述基板(200、200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200J、200K、200L、200M、200N、200P、200Q、200R)上，連接于第1和第2端子之間；所述電氣元件(100、100A)包括第l陽極電極(IOA、10C)，配置在所述第l端子側(cè)；第2陽極電極(IOB、10D)，配置在所述第2端子側(cè)；第1陰極電極(20A、20B、20E)，配置在所述第1端子側(cè)；第2陰極電極(20C、20D、20F)，配置在所述第2端子側(cè)；n個第l導(dǎo)體板(ll、12、IIA、12A)，與所述第1及第2陽極電極(IOA、10C;IOB、10D)連接，其中n是正整數(shù)；和m個第2導(dǎo)體板(2123、21A23A)，與所述n個第1導(dǎo)體板(ll、12、11A、12A)交替層疊，與所述第1及第2陰極電極(20A、20B、20E;20C、20D、20F)連接，其中m是正整數(shù)；所述基板(200、200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200J、200K、200L、200M、200N、200P、200Q、200R)包括第1導(dǎo)體部(202;305;325;415、416、422)，與所述第1陽極電極(IOA、10C)連接；第2導(dǎo)體部(203;306;328;419、420、425)，與所述第1導(dǎo)體部(202;305;325;415、416、422)分離設(shè)置，并與所述第2陽極電極(IOB、10D)連接；第3導(dǎo)體部(204;209;204、209;204、209、212;204、BH1;307;307、310;326;417、423)，與所述第1陰極電極(20A、20B、20E)連接；和第4導(dǎo)體部(205;210;205、210;205、210、213;205、BH2;308;308、311;327;418、424)，與所述第3導(dǎo)體部(204;209;204、209;204、209、211;204、BH1;307;307、310;326;417、423)分離設(shè)置，并與所述第2陰極電極(20C、20D、20F)連接。5、一種電路裝置，包括基板(200、200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200J、200K、200L、200M、200N、200P、200Q、200R);禾口電氣元件(100、100A)，配置在所述基板(200、200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200J、200K、200L、200M、200N、200P、200Q、200R)上，并連接在第1和第2端子之間；所述電氣元件(100、100A)包括第1陽極電極(IOA、10C)，配置在所述第1端子側(cè)；第2陽極電極(IOB、10D)，配置在所述第2端子側(cè)；第1陰極電極(20A、20B、20E)，配置在所述第1端子側(cè)；第2陰極電極(20C、20D、20F)，配置在所述第2端子側(cè)；n個第l導(dǎo)體板(ll、12、IIA、12A)，與所述第1及第2陽極電極(IOA、10C;IOB、10D)連接，其中n是正整數(shù)；禾口m個第2導(dǎo)體板(2123、21A23A)，與所述n個第1導(dǎo)體板(11、12、11A、12A)交替層疊，并與所述第1及第2陰極電極(20A、20B、20E、20C、20D、20F)連接，其中m是正整數(shù)；所述基板(200、200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200J、200K、200L、200M、200N、200P、200Q、200R)包括第1導(dǎo)體部(305;325;415、416、422)，與所述第1陽極電極(10A、10C)連接；第2導(dǎo)體部(306;328;419、420、425)，與所述第2陽極電極(10B、10D)連接；第1縫隙(303;303、312、313;303、314、315;303、3M317;303、314、315、318、319;303、314、315、320、321;322324;314、315、322;411414)，設(shè)置在所述第1導(dǎo)體部(305;325;415、416、422)和所述第2導(dǎo)體部(306;328;419、420、425)之間；第3導(dǎo)體部(307;307、310;326;417、423)，與所述第1陰極電極(20A、20B、20E)連接；第4導(dǎo)體部(308;308、311;327;418、424)，與所述第2陰極電極(20C、20D、20F)連接；和第2縫隙(303;303、312、313;303、314、315;303、314317;303、314、315、318、319;303、314、315、320、321;322324;314、315、322;4U414)，設(shè)置在所述第3導(dǎo)體部(307;307、310;326;417、423)和所述第4導(dǎo)體部(308;308、311;327;418、424)之間。6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路裝置，其特征在于，所述第1縫隙(303;303、312、313;303、314、315;303、314317;303、314、315、318、319;303、314、315、320、321;322324;314、315、322;411414)由與所述第2縫隙(303;303、312、313;303、314、315;303、314317;303、314、315、318、319;303、314、315、320、321;322324;314、315、322;411414)相同的縫隙構(gòu)成。7、一種電路裝置，包括電氣元件(100、100A)，連接在第1及第2端子之間；和第1導(dǎo)體板(500510)，與所述電氣元件(100、100A)的兩端連接；所述電氣元件(100、100A)包括第1陽極電極(IOA、10C)，配置在所述第1端子側(cè)；第2陽極電極(810B、10D)，配置在所述第2端子側(cè)；第1陰極電極(20A、20B、20E)，配置在所述第1端子側(cè)；第2陰極電極(20C、20D、20F)，配置在所述第2端子側(cè)；n個第2導(dǎo)體板(11、12、11A、12A)，與所述第1及第2陽極電極(IOA、10C;10B、10D)連接，其中n是正整數(shù)；和m個第3導(dǎo)體板(2123、21A23A)，與所述n個第2導(dǎo)體板(11、12、IIA、12A)交替層疊，與所述第1及第2陰極電極(20A、20B、20E;20C、20D、20F)連接，其中m是正整數(shù)；所述第1導(dǎo)體板(500510)連接在所述第1及第2陽極電極(IOA、10C;10B、10D)之間，并且表面具有深度在最小深度以上的凹凸部(500A)，所述最小深度是下述深度比基于趨膚效應(yīng)的表皮深度ds淺，在所述第1導(dǎo)體板(500510)的表面平坦的情況下，抑制因趨膚效應(yīng)而在所述第l導(dǎo)體板(500510)的表面層流動的電流的交流成分的深度。8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路裝置，其特征在于，所述第1導(dǎo)體板(500510)包括作為與所述第1陽極電極(10A、IOC)的連接部的第1連接部(504A、507A、508A、509A、51OA);和作為與所述第2陽極電極(IOB、10D)的連接部的第2連接部(504B、507B、508B、509B、510B);所述第1及第2連接部(504A、507A、508A、509A、510A;504B、507B、508B、509B、510B)的寬度比所述電氣元件(100、100A)的寬度寬。9、根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路裝置，其特征在于，所述第1導(dǎo)體板(500510)包括作為與所述第1陽極電極(10A、IOC)的連接部的第1連接部(504A、507A、508A、509A、510A);禾口作為與所述第2陽極電極(IOB、10D)的連接部的第2連接部(504B、507B、508B、509B、510B);所述第1及第2連接部具有沿所述電氣元件(100、100A)的寬度方向禾口/或所述電氣元件(100、100A)的長度方向延伸的延伸部(5031、50415043、50715073、50815083、50915095、51015105)。10、根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路裝置，其特征在于，所述最小深度被設(shè)定為下述深度比由與所述電元件(100)連接的電負(fù)載電路(110)產(chǎn)生的交流電流成分中最高頻率確定的表皮深度淺，并抑制因趨膚效應(yīng)而在所述第1導(dǎo)體板(500510)的表面層流動的具有所述最高頻率的交流電流成分的深度。11、根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路裝置，其特征在于，所述凹凸部(500A)具有所述表皮深度以上的深度。12、根據(jù)權(quán)利要求ll所述的電路裝置，其特征在于，所述表皮深度是根據(jù)所述最高頻率確定的表皮深度。13、根據(jù)權(quán)利要求ll所述的電路裝置，其特征在于，所述凹凸部(500A)的深度在所述表皮深度以上且在最大深度以下，對于所述最大深度而言，在所述電負(fù)載電路(110)是一個的情況下，根據(jù)使提供給1個電負(fù)載電路(110)的直流電流在所述第1導(dǎo)體板(500510)中流動所需的所述第1導(dǎo)體板(500510)的截面積來確定，在將j個電負(fù)載電路(IIOA、IIOB、IIOC、110D)與所述電氣元件(100)并聯(lián)連接的情況下，根據(jù)使提供給j個電負(fù)載電路(110A、IIOB、IIOC、110D)的整體的直流電流在所述第1導(dǎo)體板(500510)中流動所需的所述第1導(dǎo)體板(500510)的截面積來確定，其中j是2以上的整數(shù)。14、根據(jù)權(quán)利要求13所述的電路裝置，其特征在于，所述表皮深度是所述電負(fù)載電路(110)產(chǎn)生的交流電流成分的頻率中最低頻率下的表皮深度。全文摘要本發(fā)明提供一種電路裝置(101)，包括電氣元件(100)和基板(200)。電氣元件(100)包括導(dǎo)體板(11、12)、導(dǎo)體板(21～23)、與導(dǎo)體(11、12)連接的邊側(cè)陽極電極(10A、10B)和與導(dǎo)體板(21～23)連接的邊側(cè)陰極電極(20A、20B、20C、20D)。導(dǎo)體板(11、12)與導(dǎo)體板(21～23)交替層疊?；?200)包含電介質(zhì)(201)與導(dǎo)體板(202～205)。導(dǎo)體板(202)與邊側(cè)陽極電極(10A)連接，導(dǎo)體板(203)與邊側(cè)陽極電極(10B)連接，導(dǎo)體板(204)與邊側(cè)陰極電極(20A、20B)連接，導(dǎo)體板(205)與邊側(cè)陰極電極(20C、20D)連接。文檔編號H01G4/35GK101346787SQ20068004917公開日2009年1月14日申請日期2006年11月24日優(yōu)先權(quán)日2005年12月26日發(fā)明者二木一也申請人:三洋電機株式會社