專利名稱：雙極晶體管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有基板和包含一個(gè)雙極晶體管的半導(dǎo)體主體 的半導(dǎo)體器件，該雙極晶體管有第一導(dǎo)電類型的發(fā)射極區(qū)域、與第一
導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的基極區(qū)以及所述第一導(dǎo)電類型的集 電極區(qū)，發(fā)射極區(qū)域包含一個(gè)提供了一個(gè)隔離層的臺(tái)面形發(fā)射極連接 區(qū)域，以及鄰近該隔離層的包含多晶硅的導(dǎo)電區(qū)域的基極連接區(qū)。這
樣的晶體管非常適于形成RF (射頻)電路。本發(fā)明還涉及制造這樣 器件的方法。
背景技術(shù)：
從美國(guó)專利US-B-6， 440， 810中可以知道這樣的器件和方法。所 述文獻(xiàn)描述了一種有雙極晶體管的半導(dǎo)體器件，該雙極晶體管包含有 臺(tái)面形發(fā)射極連接區(qū)域的發(fā)射極區(qū)域，在其周圍形成一個(gè)隔離層，基 極連接區(qū)域包括位于鄰近隔離層的一個(gè)多晶硅的導(dǎo)電區(qū)域。通過在包 含多晶硅導(dǎo)電層的層結(jié)構(gòu)上開口，在開口的壁上和開口的底部的鄰近 部分提供隔離層，并在那里形成一個(gè)同樣的多晶硅發(fā)射極連接區(qū)域， 來形成晶體管的發(fā)射極。半導(dǎo)體主體是一個(gè)與其中包含的摻雜物相反 的導(dǎo)電類型，通過所述的摻雜物原子的向外擴(kuò)散，在半導(dǎo)體主體的底 部形成一個(gè)實(shí)際的發(fā)射極區(qū)域。為了防止位于在多晶硅層中的開口下 面的半導(dǎo)體主體部分在所述的開口蝕刻過程中被影響到和/或者變得 粗糙，在多晶硅層和半導(dǎo)體層的底部之間提供一個(gè)氧化層作為蝕刻停 止層。當(dāng)蝕刻到氧化層時(shí)，可以停止多晶硅層的蝕刻，在開口內(nèi)的氧 化層可以很容易地和有選擇性地被再次去除。在發(fā)射極連接區(qū)外面， 通過適合的熱處理可以再次去除薄的氧化層，同時(shí)至少通過分解所述 層來消除所述層不需要的電絕緣特性。
由于絕緣層必須非常的薄，不然就難以通過熱處理的方法再次
將其分解，因此，已知晶體管的一個(gè)缺點(diǎn)是它非常難以制造。分解一 個(gè)厚氧化層所需要的熱處理溫度會(huì)導(dǎo)致晶體管的摻雜分布由于熱擴(kuò) 散而移動(dòng)。這和獲得一個(gè)有良好RF特性的晶體管的目的相矛盾，因 為這樣的晶體管必須有很小的橫向尺寸。這不但適用于晶體管自身， 而且還適用于它的子區(qū)域，特別適用于它的摻雜分布。在局部提供一 個(gè)厚的絕緣層，也就是大約在發(fā)射極連接區(qū)域的位置形成一個(gè)厚的絕 緣層，在這個(gè)方面沒有什么用處。如果這樣，由于在需要(局部)去 除絕緣層的地方能夠接觸到絕緣層，因此將不再需要用以分解絕緣層 的熱處理，但是，在局部提供這樣一個(gè)層就必須使用定位公差，其結(jié) 果是諸如器件的基極和發(fā)射極(連接區(qū)域)之間的間隔之類的這些子 區(qū)域的最小尺寸就會(huì)再次增加。后者與所針對(duì)的目的不一致。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一個(gè)具有雙極晶體管的半導(dǎo)體器件， 該半導(dǎo)體器件不存在上述的問題并因此易于制造，但卻擁有卓越的
RF特性。
為了達(dá)到該目的，背景技術(shù)中提及的種類的半導(dǎo)體器件所擁有 的特征是基極連接區(qū)域包含一個(gè)另外的導(dǎo)電區(qū)域，其位于基極區(qū)和多 晶硅導(dǎo)電區(qū)域之間并由這樣一種材料制成，多晶硅的導(dǎo)電區(qū)域相對(duì)于 該材料是可選擇性地蝕刻的。
本發(fā)明首先基于這樣的理解如果基極區(qū)連接區(qū)域包含所述導(dǎo) 電區(qū)域之外另外的導(dǎo)電區(qū)域，相對(duì)于另外的導(dǎo)電區(qū)域，該導(dǎo)電區(qū)域是 可以選擇性地蝕刻的，因?yàn)檫@樣的另外的導(dǎo)電區(qū)域在基極區(qū)連接區(qū)域 的出現(xiàn)可能不是缺陷，甚至可能是一個(gè)重要的優(yōu)點(diǎn)，所以不需要熱處 理。而且，本發(fā)明還基于這樣的理解在發(fā)射極連接區(qū)域的這樣的區(qū) 域結(jié)構(gòu)和物質(zhì)特性在形成發(fā)射連接區(qū)域和發(fā)射極區(qū)域方面也是有用 的。在這個(gè)方面的另外一個(gè)因素是例如利用所述的隔離層可以很容易 地防止發(fā)射極(連接區(qū)域)和基極(連接區(qū)域)之間的短路。在靠近 開口的壁部和在與壁部連接的底部部分上提供隔離層之前，通過去除 在硅層開口中的導(dǎo)電層，可以很容易地防止短路。
因此， 一方面，可以很容易地制造按照本發(fā)明的器件，另一方 面，可以很容易地實(shí)現(xiàn)卓越的RF特性。
在按照本發(fā)明半導(dǎo)體器件的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述另外的導(dǎo) 電區(qū)域的材料相對(duì)于基極區(qū)的材料是選擇性地可蝕刻的。 一方面，這 允許使用相對(duì)厚的所述另外的導(dǎo)電區(qū)域，另一方面，可以很容易地防 止在另外的半導(dǎo)體區(qū)域下面的半導(dǎo)體主體變粗糙。
在一個(gè)有利的實(shí)施例中，所述另外的導(dǎo)電區(qū)域包含一個(gè)金屬氮 化物、金屬碳化物、金屬硅化物或金屬氧化物。在所述的材料范圍內(nèi)
能夠找到有理想特性的合適材料。例如， 一種合適的材料是TaN，多 晶硅相對(duì)于該材料可以很容易地有選擇性地被蝕刻掉。例如，其他合 適的材料是導(dǎo)電材料，這些導(dǎo)電材料還適于在諸如TiN、 TaC和TiSi2 之類的CMOS器件中作為所謂的金屬門電極。按照本發(fā)明的器件的一 個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)是它可以有一個(gè)比已知器件有更低接觸電阻和/或更低串 聯(lián)電阻的基極連接區(qū)域。通過注意其他的導(dǎo)電層材料的操作功能可以 部分地實(shí)現(xiàn)該優(yōu)點(diǎn)。例如，適合于此目的的材料可以是PtSi和Mo0x。 當(dāng)金屬硅化物用作所述另外的導(dǎo)電區(qū)域時(shí)，通過對(duì)與鄰近的硅 區(qū)域作用形成金屬硅化物的金屬層進(jìn)行沉積，從而很有利地形成金屬 硅化物。
優(yōu)選地，臺(tái)面形發(fā)射極連接區(qū)域有一個(gè)在絕緣區(qū)域上延伸的T 形截面，該絕緣區(qū)域在導(dǎo)電區(qū)域上形成。由于這樣的結(jié)構(gòu)能夠使用非 常小的發(fā)射極區(qū)域，同時(shí)，在另一方面，發(fā)射極連接區(qū)域的受限(串 聯(lián))電阻是可能的，所以這樣的結(jié)構(gòu)是非常有吸引力的。關(guān)于RF特 性，這是有積極作用的。
在一個(gè)有利的變化中，基極區(qū)包含一個(gè)埋置在半導(dǎo)體主體中高 摻雜子區(qū)域，從投影圖上看，該子區(qū)域鄰近發(fā)射極連接區(qū)域的上部的 外側(cè)。由于所述另外的導(dǎo)電區(qū)域(和導(dǎo)電區(qū)域)(充分地)延伸到臺(tái) 面型發(fā)射極連接區(qū)域的底部，因此，在注入的情況下，用有T形截面 的臺(tái)面型發(fā)射極連接區(qū)域作為掩模能夠?qū)崿F(xiàn)在基極區(qū)摻雜的另外的 局部增加。畢竟，由于例如以金屬硅化物形式存在的所述的另外的導(dǎo) 電層在T形臺(tái)面下延伸，所以不管注入?yún)^(qū)域與T形臺(tái)面底部之間略微
大的距離，基極區(qū)的連接電阻可以仍然相對(duì)較小。
優(yōu)選地，除了雙極晶體管之外，該器件包含場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通 過層結(jié)構(gòu)形成場(chǎng)效應(yīng)晶體管的門電極，該層結(jié)構(gòu)還用于形成多晶硅的
所述導(dǎo)電區(qū)域和所述另外的導(dǎo)電區(qū)域。在這樣的Bi(C)M0S結(jié)構(gòu)/工藝 中可以有利地實(shí)現(xiàn)RF電路。本質(zhì)上，在按照本發(fā)明的器件中的基極 區(qū)連接區(qū)域的結(jié)構(gòu)說明它與(C)MOS工藝非常一致。當(dāng)然，在這種情 況下，Bi(C)M0S工藝中的應(yīng)用相對(duì)容易。按照本發(fā)明的器件的另一 個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它可以有相對(duì)厚的基極連接區(qū)域，在該區(qū)域中，(較薄的) 金屬層或金屬性層被相對(duì)厚的多晶硅層覆蓋。這樣，金屬層被保護(hù)得 相當(dāng)好，從而，器件的其他部件或部分不容易被形成金屬層部分的金 屬原子污染。
按照本發(fā)明的一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該半導(dǎo)體器件具有
基板和包含雙極晶體管的半導(dǎo)體主體，該雙極晶體管有第一導(dǎo)電類型
的發(fā)射極區(qū)域，與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的基極區(qū)以及所 述第一導(dǎo)電類型的集電極區(qū)，用臺(tái)面型發(fā)射極連接區(qū)域形成該發(fā)射極
區(qū)域，通過隔離層將該臺(tái)面型發(fā)射極連接區(qū)域與由多晶硅導(dǎo)電區(qū)域構(gòu) 成的基極連接區(qū)域隔開，該方法的特征是基極區(qū)連接區(qū)域是用另外的 導(dǎo)電區(qū)域形成的，該另外的導(dǎo)電區(qū)域是在基極區(qū)和多晶硅導(dǎo)電區(qū)域之 間形成的并為其選擇一種材料，多晶硅導(dǎo)電區(qū)域相對(duì)于該材料是選擇 性地可蝕刻的。這樣，可以以簡(jiǎn)單的方式獲得按照本發(fā)明的器件。
優(yōu)選地，為所述另外的導(dǎo)電區(qū)域選擇了相對(duì)于基極區(qū)的材料是 選擇性地可蝕刻的材料。
在一個(gè)有利的實(shí)施例中，在半導(dǎo)體主體的表面形成基極區(qū)，把 多晶硅導(dǎo)電層沉積在形成于半導(dǎo)體主體表面上的另外的導(dǎo)電層上，之 后，用針對(duì)所述另外的導(dǎo)電層所選擇的蝕刻劑在所述的導(dǎo)電層上蝕刻 出開口。在導(dǎo)電層中形成開口后，用針對(duì)基極區(qū)所選擇的蝕刻劑優(yōu)選 地蝕刻掉那里的所述另外的導(dǎo)電層。
更進(jìn)一步的變化的特征是，在靠開口的壁部和在開口底部與壁 部連接的部分上形成隔離層之后，在所述的開口中形成多晶硅的發(fā)射 極連接區(qū)域。在這種情況下，優(yōu)選地通過發(fā)射極連接區(qū)域的合適原子
向外擴(kuò)散到下面的基極區(qū)的更低摻雜部分，形成實(shí)際的發(fā)射極區(qū)域。 然而，還可以經(jīng)由開口的底部形成發(fā)射極區(qū)域，例如，通過氣相摻雜 的方法，從而只形成發(fā)射極區(qū)域。
優(yōu)選地，發(fā)射極連接區(qū)域以T形截面被形成并被布置成在開口 的旁邊沿著導(dǎo)電區(qū)域頂部上的絕緣區(qū)域上面延伸。這樣配置的發(fā)射極 連接區(qū)域可以用作用于通過離子注入形成基極區(qū)更高摻雜的子區(qū)域 的掩模。


將參照實(shí)施例和附圖更詳細(xì)地解釋本發(fā)明，其中
圖1-6是垂直于按照本發(fā)明器件厚度方向的示意性剖面圖，示
出了關(guān)于利用按照本發(fā)明的方法的連續(xù)制造階段。
這些圖不是按照比例繪制的，為了能夠清楚地表達(dá)，有些尺寸
被放大了。盡可能地用同一數(shù)字表示同樣的區(qū)域或部分。
具體實(shí)施例方式
圖1-6是垂直于按照本發(fā)明器件厚度方向的示意性剖面圖，示 出了關(guān)于利用按照本發(fā)明方法的連續(xù)制造階段。至少充分完全的本例 的器件10 (見圖6)包含一個(gè)半導(dǎo)體主體11，在該例中，該半導(dǎo)體 主體具有在其上提供的一個(gè)N型硅基板12和一個(gè)半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)以及 一個(gè)雙極晶體管。(在本例中)分離的晶體管有一個(gè)N型發(fā)射極區(qū)域 1、 一個(gè)P型基極區(qū)2以及一個(gè)N型集電極區(qū)3，其分別被提供了第 一、第二和第三連接導(dǎo)體100、 200、 300?；鶚O區(qū)2包含一個(gè)鍺含量 為20at.。/。的鍺硅混合晶體，在該例中，摻雜濃度范圍為lX1018at/cm3 (原子/cm3)至5X1019at/cra3。層狀區(qū)域21、 22位于基極區(qū)的兩側(cè)， 作為過渡層并具有較低的摻雜濃度，例如，在1X10"at/cn)3至IX 10"at/cm3的范圍內(nèi)。通過向外擴(kuò)散和過摻雜在過渡層22上形成發(fā)射 極區(qū)域l。在本例中，集電極3和發(fā)射極1包含硅。而且，集電極3 可能是(與本例不同)由所謂漂移區(qū)的低摻雜部分和位于鄰近基板的 位置的高摻雜部分組成。在本例中的發(fā)射極區(qū)域1和基極區(qū)2的連接
導(dǎo)體100、 200包含一種硅化物，例如硅化鎳或硅化鈷，而在本例中 的集電極區(qū)3的連接導(dǎo)體300包含鋁。在本例中發(fā)射極連接區(qū)域1A 包含一個(gè)多晶硅區(qū)域，并利用隔離層4與基極連接區(qū)域2A (電)隔 離。
按照本發(fā)明，基極連接區(qū)域2A由多晶硅導(dǎo)電區(qū)域2AA以及除此 之外的一個(gè)其他的在下面的導(dǎo)電區(qū)域組成，在本例中，該另外一個(gè)區(qū) 域?yàn)榈g，相對(duì)于該區(qū)域，多晶硅區(qū)域2AA可以被選擇性地蝕刻。 在本例中，發(fā)射極連接區(qū)域1A是T形的(見剖面圖)，其T形臂在 位于多晶硅區(qū)域2AA上的絕緣區(qū)域5上延伸。由于所述的導(dǎo)電區(qū)域 2AA和所述的其他的導(dǎo)電區(qū)域2AB延伸至隔離層，因此基極2經(jīng)過基 極連接區(qū)域2A的電連接的接觸電阻和串聯(lián)電阻相對(duì)較低。T形臺(tái)面 1A的功能是作為掩模以形成更高摻雜的子區(qū)域2C，其通過離子注入 的方法在基極區(qū)2上形成。由于上文已討論過的原因，并不反對(duì)所述 區(qū)域2C與T形臺(tái)面隔開。
本例的器件10的橫向尺寸是I,XIO拜。發(fā)射極區(qū)域1的摻雜 濃度大約是102°at/cm3，厚度大約是10nm。由于有鄰近的過渡層21、 22，基極區(qū)2的厚度大約是20mn。由如下方法例如按照本發(fā)明的方 法來制造本例的器件10。
起始點(diǎn)(見圖1)是一個(gè)N型硅基板12，在本例中所謂的STI (=Shallow Trench Isolation,淺槽隔離)區(qū)域16、 17在其上形 成。為了簡(jiǎn)化起見，基板12下面的部分沒有在附圖中表示出來。通 過外延附生的方式，首先在基板12上沉積P型層21、 2、 22，中間 層由SiGe組成，外面兩層由Si組成。像上文指出的那樣選擇摻雜濃 度和厚度。隨后，提供另外一個(gè)層結(jié)構(gòu)，例如，在另一個(gè)沉積器件中， 該結(jié)構(gòu)接連地包含氮化鉭導(dǎo)電層2AB、高摻雜多晶硅層2AA和二氧化 硅絕緣層5。優(yōu)選地，濺射法或MOCVD (= Metal Organic Chemical Vapor D印osition，金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法)被用作沉積方法，例 如，在本例中用以沉積導(dǎo)電層2AB，而通過CVD (二 Chemical Vapor D印osition，化學(xué)氣相沉積法)形成多晶硅層2AA和絕緣層，所述層 的厚度分別為10nm、 lOOnm和50nm。
隨后(見圖2)，利用光刻掩膜M在絕緣層5和多晶硅層2AA 中蝕刻出一個(gè)開口 6。例如，這可以利用干法蝕刻過程來完成。在所 述過程中，氮化鉭層2AB作為蝕刻停止層。
此后(見圖3)，通過另外的蝕刻過程，例如干法或濕法化學(xué)蝕 刻過程，相對(duì)于硅層22選擇性地蝕刻掉氮化鉭層2AB。
在去除掩模M (見圖4)后，在開口6中形成隔離層4，在本例 中，隔離層由10nra的二氧化硅薄層41和50nm-100nra的氮化硅薄層 42兩個(gè)薄層組成。這兩層被均勻的涂抹，隨后，通過各向異性蝕刻 過程去除其中的平坦部分。
此后(見圖5)，用N型多晶硅層1A填充開口 6。通過CVD過 程形成所述層。對(duì)最終形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱處理，通過由于過渡層22 內(nèi)的發(fā)射極連接區(qū)域1A內(nèi)的N型雜質(zhì)的向外擴(kuò)散產(chǎn)生的局部過摻雜 來形成發(fā)射極區(qū)域1。
從而(見圖6)，在保持T形截面的同時(shí)，利用光刻和蝕刻技術(shù) 形成發(fā)射極連接區(qū)域1A的圖案。T形的底部寬度大約是200nm，以及 T形的頂部寬度大約是500nm。此后，用T形連接區(qū)域1A作為掩模， 利用P型離子注入法形成基極區(qū)的高摻雜區(qū)域2C。注意到，實(shí)際上 在該階段，與圖中所示相反的是，光阻掩模仍然會(huì)出現(xiàn)在T形臺(tái)面上， 在該情況下，所述的離子注入將發(fā)生在圖5和圖6所示的制造階段之 間。 一方面，光阻掩模保護(hù)發(fā)射極連接區(qū)域1A不會(huì)受到離子注入， 另一方面，可以在去除所述掩模之后的步驟中形成金屬硅化物層 100、 200。
最后，通過沉積鎳或鈷金屬層來形成連接導(dǎo)體100、 200，通過 硅化處理將該金屬層轉(zhuǎn)化為硅化鎳或硅化鈷100、 200。在該例子中， 基板12的背面與鋁相接觸，從而形成集電極區(qū)3的連接導(dǎo)體300。 集電極區(qū)3還可以通過一個(gè)連接區(qū)域和一個(gè)連接導(dǎo)體與半導(dǎo)體主體 11的上表面相接觸。在執(zhí)行諸如鋸切或蝕刻方法之類的分離方法之 后，就可以獲得按照本發(fā)明的單個(gè)器件10。
在不脫離本發(fā)明領(lǐng)域的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以實(shí)現(xiàn)多種 變化和修改，因此，本發(fā)明并不局限于這里討論的實(shí)施例。因此，除
了適用于分離的半導(dǎo)體器件之外，本發(fā)明還非常適用于諸如(BI)COMS (=(Bipolar)Complementary Metal Oxide Semiconductor, 雙極互 補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)IC (^Integrated Circuit,集成電路)之類 的集成半導(dǎo)體器件。實(shí)際上，本例中描述的晶體管的結(jié)構(gòu)和制造方法 非常適用于ic。
此外，應(yīng)當(dāng)注意到，除了STI隔離區(qū)域，還可以利用通過LOCOS (=Local Oxidation Of Silicon,硅局部氧化)技術(shù)獲得的其他 隔離區(qū)域。
關(guān)于按照本發(fā)明的方法還可以實(shí)現(xiàn)很多變化和修改。 本發(fā)明不但非常適用于離散的晶體管，還非常適用于IC,更適
用于所謂的Bi(C)M0S IC。本發(fā)明還非常適用于包含系統(tǒng)硅作為材料
的器件。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件(10)，其有一個(gè)基板(12)和一個(gè)包含雙極晶體管的半導(dǎo)體主體(11)，該雙極晶體管有第一導(dǎo)電類型的發(fā)射極區(qū)域(1)，與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的基極區(qū)(2)以及所述第一導(dǎo)電類型的集電極區(qū)(3)，該發(fā)射極區(qū)域(1)包含被提供了隔離層(4)的臺(tái)面型發(fā)射極連接區(qū)域(1A)，以及鄰近隔離層的包含一個(gè)多晶硅導(dǎo)電區(qū)域(2AA)的基極連接區(qū)域(2A)，該半導(dǎo)體器件的特征是基極連接區(qū)域(2A)包含一個(gè)另外的導(dǎo)電區(qū)域(2AB)，其位于多晶硅導(dǎo)電區(qū)域(2AA)和基極區(qū)(2)之間并由這樣一種材料制成，多晶硅導(dǎo)電區(qū)域相對(duì)于該材料是選擇性地可蝕刻的。
2. 按照權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件(10)，其特征是相對(duì)于 基極區(qū)(2)的材料，所述另外的導(dǎo)電區(qū)域(2AB)的材料是選擇性地 可蝕刻的。
3. 按照權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件(10)，其特征是所 述另外的導(dǎo)電區(qū)域(2AB)包含一種金屬氮化物、金屬碳化物、金屬 硅化物或金屬氧化物。
4. 按照權(quán)利要求1、 2或3所述的半導(dǎo)體器件(10)，其特征 是臺(tái)面型發(fā)射極連接區(qū)域有一個(gè)T形橫截面，該T形橫截面在導(dǎo)電區(qū) 域(2AA)頂部上形成的絕緣區(qū)域(5)上延伸。
5. 按照之前任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體器件(10)，其特 征是基極區(qū)(2)包含一個(gè)埋置在半導(dǎo)體主體(11)中的高摻雜子區(qū) 域(2C)，從投影圖上看，該子區(qū)域鄰近發(fā)射極連接區(qū)域(1A)上部 的外側(cè)。
6. 按照之前任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體器件(10)，其特征是除了包含雙極晶體管之外該器件還包含場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該場(chǎng)效應(yīng) 晶體管的門電極是通過層結(jié)構(gòu)形成的，該層結(jié)構(gòu)還用以形成多晶硅的所述導(dǎo)電區(qū)域(2AA)和所述另外的導(dǎo)電區(qū)域(2AB)。
7. 按照之前任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體器件，其特征是所 述晶體管是異質(zhì)結(jié)晶體管。
8. —種制造半導(dǎo)體器件(10)的方法，該半導(dǎo)體器件具有基板 (12)和包括一個(gè)雙極晶體管的半導(dǎo)體主體(li)，該雙極晶體管具有第一導(dǎo)電類型的發(fā)射極區(qū)域(1)，與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo) 電類型的基極區(qū)(2)以及所述第一導(dǎo)電類型的集電極區(qū)(3)，該發(fā) 射極區(qū)域(1)形成有臺(tái)面型發(fā)射極連接區(qū)域(1A)，通過隔離層(4) 將該臺(tái)面型發(fā)射極連接區(qū)域(1A)和由多晶硅的導(dǎo)電區(qū)域(2AA)制 成的基極區(qū)連接區(qū)域(2A)隔離開，該方法特征是由另外的導(dǎo)電區(qū)域 (2AB)形成基極連接區(qū)域(2A)，該另外的導(dǎo)電區(qū)域形成在多晶硅 的導(dǎo)電區(qū)域(2AA)和基極區(qū)(2)之間并為其選擇這樣一種材料，多 晶硅的導(dǎo)電區(qū)域(2AA)相對(duì)于該材料是選擇性地可蝕刻的。
9. 按照權(quán)利要求8所述的方法，其特征是為所述另外的導(dǎo)電區(qū) 域(2AB)選擇一種相對(duì)于基極區(qū)(2)的材料是選擇性地可蝕刻的材 料。
10. 按照權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征是在半導(dǎo)體主體 (11)的表面上形成基極區(qū)(2)，以及在半導(dǎo)體主體(11)的表面上形成的另外的導(dǎo)電層(2AB)上沉積多晶硅的導(dǎo)電層(2AA)，在此 之后，通過針對(duì)所述另外的導(dǎo)電層(2AB)所選擇的蝕刻劑在所述導(dǎo) 電層(2AA)中蝕刻出開口 (6)。
11. 按照權(quán)利要求10所述的方法，其特征是在導(dǎo)電層(2AA) 中形成開口 (6)之后，通過針對(duì)基極區(qū)(2)所選擇的蝕刻劑蝕刻掉那里的所述另外的導(dǎo)電層(2AB)。
12. 按照權(quán)利要求11所述的方法，其特征是在靠開口 (6)的 壁部和在開口 (6)底部與所述壁部連接的部分上形成隔離層(4)之 后，在所述的開口 (6)中形成多晶硅的發(fā)射極連接區(qū)域(1A)。
13. 按照權(quán)利要求12所述的方法，其特征是發(fā)射極連接區(qū)域 (1A)以T形截面被形成并被布置成在開口的旁邊沿著導(dǎo)電層(2AA)頂部上的絕緣區(qū)域(5)上面延伸。
14. 按照權(quán)利要求13所述的方法，其特征是基極區(qū)(2)被提 供了一個(gè)更高摻雜的子區(qū)域(2C)，從投影圖上看，該子區(qū)域鄰近發(fā) 射極連接區(qū)域(1A)的外側(cè)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種雙極晶體管及其制造方法，涉及一種具有基板(12)和包含一個(gè)雙極晶體管的半導(dǎo)體主體(11)的半導(dǎo)體器件，該雙極晶體管有包含第一連接導(dǎo)體、第二連接導(dǎo)體和第三連接導(dǎo)體的發(fā)射極區(qū)域(1)、基極區(qū)(2)和集電極區(qū)(3)，發(fā)射極區(qū)域(1)包含一個(gè)被提供了一個(gè)隔離層(4)的臺(tái)面形發(fā)射極連接區(qū)域(1A)，以及鄰近隔離層的包含多晶硅的導(dǎo)電區(qū)域(2AA)的基極連接區(qū)域(2A)。在按照本發(fā)明的器件中，基極連接區(qū)域(2A)包含另外的導(dǎo)電區(qū)域(2AB)，其位于多晶硅的導(dǎo)電區(qū)域(2AA)和基極區(qū)(2)之間并由這樣一種材料制成，多晶硅的導(dǎo)電區(qū)域(2AA)相對(duì)于該材料是選擇性地可蝕刻的。通過按照本發(fā)明的方法，這樣的器件(10)非常易于制造，該器件的雙極晶體管擁有卓越的RF特性。
文檔編號(hào)H01L29/732GK101208802SQ200680023063
公開日2008年6月25日 申請(qǐng)日期2006年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月27日
發(fā)明者埃爾文·海曾, 弗朗索瓦·納耶, 約斯特·梅拉伊 申請(qǐng)人:Nxp股份有限公司