專(zhuān)利名稱(chēng)：利用連續(xù)在線真空沉積工序平坦化導(dǎo)通孔的接觸區(qū)域的系統(tǒng)及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在基板上形成電子元件的真空沉積工序，更具體地 涉及在連續(xù)在線真空沉積工序中平坦化導(dǎo)通孔的接觸區(qū)域的方法。
背景技術(shù)：
在諸如半導(dǎo)體器件等多層式電子器件中，為了連接兩個(gè)或更多 個(gè)導(dǎo)電層，需要用導(dǎo)通孔(via)提供穿過(guò)非導(dǎo)電層(絕緣體或介電 層)的導(dǎo)電路徑。導(dǎo)通孔是通過(guò)采用導(dǎo)電材料填充或內(nèi)襯過(guò)孔(via hole)(或通孔)而形成的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)通孔用于將基板中的兩個(gè)或更多 個(gè)導(dǎo)電層電連接。
在典型的微電路制造工序中通過(guò)如下方式形成導(dǎo)通孔，即將 阻蝕材料的圖案或模板放在將要形成導(dǎo)通孔的層上，然后將蝕刻介質(zhì) 施加到晶片上以去除未受阻蝕材料保護(hù)的區(qū)域。通過(guò)作為減成性濕化 學(xué)工序的所謂光刻工序?qū)⒎Q(chēng)為光阻劑的阻蝕材料圖案化。由于光刻為 減成性工序，因此該工序非常適于在多層式電子器件的制造過(guò)程中形 成過(guò)孔。多層式電子器件的制造工序包括多個(gè)沉積以及蝕刻步驟，以 便于限定導(dǎo)體、絕緣體和導(dǎo)通孔的合適圖案。在多層式電子器件中制 造導(dǎo)通孔的示例性光刻處理步驟包括在絕緣層上施加光阻劑；采用 合適波長(zhǎng)的光將光阻劑曝光，以限定其中的導(dǎo)通孔位置；顯影光阻劑， 于是光阻劑留在除導(dǎo)通孔位置之外的任何位置；烘烤光阻劑；經(jīng)由光 阻劑中的過(guò)孔蝕刻絕緣層，于是蝕刻材料侵蝕絕緣層，而不侵蝕光阻 劑或下面的導(dǎo)體；以及去除剩余光阻劑，這將絕緣層(過(guò)孔穿過(guò)其中) 留在導(dǎo)電層的上面?？梢钥吹?，多層式電子器件的制造工序包括多個(gè) 沉積以及蝕刻步驟，以便于限定導(dǎo)通孔。
因?yàn)椴捎霉饪讨圃旃ば蛐纬啥鄬邮诫娮悠骷璧牟襟E數(shù)量較 大，所以大批量制造所需的生產(chǎn)能力足夠的鑄造車(chē)間非常昂貴。此外， 因?yàn)橹圃旃ば虻男再|(zhì)，生產(chǎn)設(shè)備必須在一級(jí)或十級(jí)潔凈室中使用。另 外，因?yàn)樗璧脑O(shè)備數(shù)量以及每臺(tái)設(shè)備的尺寸較大，所以潔凈室必須 相對(duì)較大。
作為選擇，氣相沉積陰影掩模工序眾所周知，并且己經(jīng)用于微 電子器件的制造。與光刻制造工序相比，氣相沉積陰影掩模工序的成 本大大降低，并且制造工序更簡(jiǎn)單。然而，與光刻制造工序相比，氣 相沉積陰影掩模工序是在真空環(huán)境中進(jìn)行的加成性工序。
與通過(guò)氣相沉積陰影掩模工序形成導(dǎo)通孔相關(guān)的問(wèn)題在于，為 了在絕緣層上面并且穿過(guò)過(guò)孔沉積導(dǎo)體層，從而使導(dǎo)體層與另一導(dǎo)體 層接觸，要確保在沿著過(guò)孔壁沉積導(dǎo)電材料時(shí)不出現(xiàn)導(dǎo)電材料的非連 續(xù)性，過(guò)孔深度與導(dǎo)體層厚度的比率存在限制。
例如，如圖1A所示，傳統(tǒng)的導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)100包括基板IIO， 其具有位于上面的第一導(dǎo)體層112;絕緣層114，其包括位于第一導(dǎo) 體層112上面的導(dǎo)通孔116;以及第二導(dǎo)體層118，其位于絕緣層114 上面并且經(jīng)由絕緣層114中的導(dǎo)通孔116與第一導(dǎo)體層112形成連 接。
基板110由適合于多層式電子器件的任何普通的基板材料形成。
這種材料的非限制性實(shí)例包括陽(yáng)極氧化鋁、柔性鋼箔、玻璃和塑料。
第一導(dǎo)體層112和第二導(dǎo)體層118由用于在半導(dǎo)體制造中形成互連層
的代表性金屬形成，例如但并不限于鋁、金、銅、鎳、鈦、金屬合金
或金屬化合物。絕緣層114是由任何常用電路絕緣材料形成的非導(dǎo)電 層，例如但并不限于氧化鋁(A1203)、五氧化二鉭(Ta205)。
參照?qǐng)D1B并且繼續(xù)參照?qǐng)D1A，導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)100的橫截面圖示 出第二導(dǎo)體層118沉積在絕緣層114上面，從而使得導(dǎo)體層118遵循 過(guò)孔116的輪廓，由此經(jīng)由過(guò)孔116與第一導(dǎo)體層112的表面直接接 觸。過(guò)孔116具有與絕緣層114的厚度相等的高度hVIA，第二導(dǎo)體層 118具有厚度tC0ND。在圖1B所示的導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)100中，tcoND等于 或大于hvM，于是第二導(dǎo)體層118在過(guò)孔116內(nèi)部和外部以及第一導(dǎo) 體層112之上遵循絕緣層114的輪廓，而在結(jié)構(gòu)上不存在任何非連續(xù) 性。
參照?qǐng)D1C并且繼續(xù)參照?qǐng)D1A和圖1B，導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)100的橫截 面圖包括第一導(dǎo)體層112、絕緣層114.、過(guò)孔116以及第二導(dǎo)體層118。
然而，在圖1C所示的導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)100中，tcoND小于hv!A，于是第二
導(dǎo)體層118并非在過(guò)孔116內(nèi)部和外部以及第一導(dǎo)體層112之上遵循 絕緣層114的輪廓并且在結(jié)構(gòu)上不存在任何非連續(xù)性。如果與較小的 towD相比過(guò)孔116的hv,A較大，就會(huì)產(chǎn)生在第二導(dǎo)體層118中出現(xiàn) 非連續(xù)性120的可能性。為本領(lǐng)域技術(shù)人員所廣泛接受的是，在h^A
值大于tcoND值的任何時(shí)候都存在這種非連續(xù)性的可能性。
連續(xù)在線氣相沉積陰影掩模工序還存在如下技術(shù)方面的挑戰(zhàn)，
艮P:在不中斷工序的情況下制造過(guò)孔。舉例來(lái)說(shuō)，將一個(gè)或多個(gè)光刻
步驟插入在線氣相沉積陰影掩模工序中是低效而不現(xiàn)實(shí)的。 因此，需要這樣一種方法及裝置，其用于自動(dòng)化的氣相沉積陰
影掩模真空沉積工序中，并且有助于在hv!A值大于tcoND值的情況下 經(jīng)由過(guò)孔實(shí)現(xiàn)兩個(gè)導(dǎo)體之間的連續(xù)性，這是現(xiàn)有技術(shù)中沒(méi)有公開(kāi)的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開(kāi)一種形成多層式電子器件的方法。所述方法包括 經(jīng)由第一陰影掩模在絕緣基板上氣相沉積第一導(dǎo)體層，并且經(jīng)由第二 陰影掩模在所述第一導(dǎo)體層上氣相沉積第一絕緣層。所述第一絕緣層 中可以具有至少一個(gè)過(guò)孔。可以經(jīng)由第三陰影掩模在所述第一絕緣層 中的過(guò)孔中氣相沉積第一導(dǎo)電填充劑，并且經(jīng)由第四陰影掩模在所述 第一絕緣層上氣相沉積第二導(dǎo)體層。
所述第二導(dǎo)體層可以沉積在所述第一絕緣層的過(guò)孔中的第一導(dǎo) 電填充劑上，或者所述第二導(dǎo)體層中可以具有至少一個(gè)與所述第一絕 緣層中的過(guò)孔對(duì)準(zhǔn)的過(guò)孔。
所述方法還可以包括經(jīng)由第五陰影掩模在所述第二導(dǎo)體層的 過(guò)孔中氣相沉積第二導(dǎo)電填充劑，并且經(jīng)由第六陰影掩模在所述第二 導(dǎo)體層上氣相沉積第二絕緣層。所述第二絕緣層中可以具有至少一個(gè) 與所述第二導(dǎo)體層中的過(guò)孔對(duì)準(zhǔn)的過(guò)孔。可以經(jīng)由第七陰影掩模在所 述第二絕緣層的過(guò)孔中氣相沉積第三導(dǎo)電填充劑，并且經(jīng)由第八陰影 掩模在所述第二絕緣層上以及所述第二導(dǎo)體層的過(guò)孔中的第三導(dǎo)電 填充劑上氣相沉積第三導(dǎo)體層。
各過(guò)孔可以通過(guò)等離子蝕刻方法和選擇性材料沉積方法中的一 種方法形成，在選擇性材料沉積方法中限定過(guò)孔，使得僅僅通過(guò)所述 選擇性沉積方法形成所述過(guò)孔。
所述第一導(dǎo)電填充劑可以沉積在所述第一絕緣層的過(guò)孔中，使 得所述第一導(dǎo)電填充劑的與所述第一導(dǎo)體層相對(duì)的表面相對(duì)于所述 第一絕緣層的與所述第一導(dǎo)體層相對(duì)的表面基本上共面。
各導(dǎo)電填充劑可以沉積為使其與所述導(dǎo)電填充劑下面的層相對(duì) 的表面相對(duì)于容納所述導(dǎo)電填充劑的過(guò)孔所在的層的表面基本上共 面。
本發(fā)明還公開(kāi)一種形成多層式電子器件的方法。所述方法包括
經(jīng)由第一陰影掩模在絕緣基板上氣相沉積第一導(dǎo)體層，并且經(jīng)由第二
陰影掩模在所述第一導(dǎo)體層上氣相沉積第一絕緣層。所述第一絕緣層 中可以具有至少一個(gè)過(guò)孔?？梢越?jīng)由第三陰影掩模在所述第一絕緣層
的過(guò)孔中氣相沉積導(dǎo)電填充劑。
所述導(dǎo)電填充劑可以沉積在所述第一絕緣層的過(guò)孔中，使得所 述導(dǎo)電填充劑的與所述第一導(dǎo)體層相對(duì)的表面相對(duì)于所述第一絕緣 層的與所述第一導(dǎo)體層相對(duì)的表面基本上共面。
所述方法還可以包括經(jīng)由第四陰影掩模在所述第一絕緣層上 氣相沉積第二導(dǎo)體層。所述第二導(dǎo)體層可以沉積在所述第一絕緣層的 過(guò)孔中的導(dǎo)電填充劑上，或者所述第二導(dǎo)體層中可以具有至少一個(gè)與 所述第一絕緣層中的過(guò)孔對(duì)準(zhǔn)的過(guò)孔。
可以在所述第一絕緣層和所述第二導(dǎo)體層的過(guò)孔中同時(shí)氣相沉 積所述導(dǎo)電填充劑。
所述方法還可以包括經(jīng)由第五陰影掩模在所述第二導(dǎo)體層上 氣相沉積第二絕緣層。所述第二絕緣層中可以具有至少一個(gè)與所述第 二導(dǎo)體層中的過(guò)孔對(duì)準(zhǔn)的過(guò)孔。可以在所述第一絕緣層、所述第二導(dǎo) 體層和所述第二絕緣層的過(guò)孔中同時(shí)氣相沉積所述導(dǎo)電填充劑。
可以在所述第二絕緣層上以及所述第二絕緣層的過(guò)孔中的導(dǎo)電 填充劑上氣相沉積第三導(dǎo)體層。
最后，本發(fā)明還公開(kāi)一種多層式電子器件，包括絕緣基板； 氣相沉積的第一導(dǎo)體層，其位于所述絕緣基板上；氣相沉積的第一絕 緣層，其位于所述第一導(dǎo)體層上，所述第一絕緣層中具有至少一個(gè)過(guò) 孔；氣相沉積的導(dǎo)電填充劑，其位于所述第一絕緣層的過(guò)孔中。
所述導(dǎo)電填充劑可以沉積在所述第一絕緣層的過(guò)孔中，使得所 述導(dǎo)電填充劑的與所述第一導(dǎo)體層相對(duì)的表面相對(duì)于所述第一絕緣 層的與所述第一導(dǎo)體層相對(duì)的表面基本上共面。
所述多層式電子器件還可以包括位于所述第一絕緣層上的氣相 沉積的第二導(dǎo)體層。所述第二導(dǎo)體層可以沉積在所述第一絕緣層的過(guò)
孔中的導(dǎo)電填充劑上，或者所述第二導(dǎo)體層中可以具有至少一個(gè)與所 述第一絕緣層中的過(guò)孔對(duì)準(zhǔn)的過(guò)孔。
所述多層式電子器件還可以包括位于所述第二導(dǎo)體層上的氣相 沉積的第二絕緣層。所述第二絕緣層中可以具有至少一個(gè)與所述第二
導(dǎo)體層的過(guò)孔對(duì)準(zhǔn)的過(guò)孔。所述導(dǎo)電填充劑可以在單個(gè)沉積步驟中或 多個(gè)沉積步驟中沉積在所述第一絕緣層、所述第二導(dǎo)體層和所述第二
絕緣層的過(guò)孔中。
所述多層式電子器件還可以包括位于所述第二絕緣層上以及所 述第二絕緣層的過(guò)孔中的導(dǎo)電填充劑上的氣相沉積的第三導(dǎo)體層。
當(dāng)對(duì)準(zhǔn)的過(guò)孔之一的至少一部分可以通過(guò)所述對(duì)準(zhǔn)的過(guò)孔中的 其它過(guò)孔看到時(shí)，則認(rèn)為相鄰層中的過(guò)孔是對(duì)準(zhǔn)的。


圖1是通過(guò)普通工序形成的導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)的平面圖1B是沿圖1A中的線A-A截取的根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)方法形成的導(dǎo)
通孔結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的橫截面圖1C是沿圖1A中的線A-A截取的根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)方法形成的導(dǎo)
通孔結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的橫截面圖2A是通過(guò)多個(gè)陰影掩模形成多層式電子器件中的過(guò)孔的制
造系統(tǒng)的示意圖2B是圖2A所示制造系統(tǒng)的單個(gè)沉積真空室的放大圖3A是通過(guò)圖2A所示制造系統(tǒng)根據(jù)本發(fā)明形成的示例性導(dǎo)通
孔結(jié)構(gòu)的平面圖3B是沿圖3A中的線A-A截取的橫截面圖4A是通過(guò)圖2A所示制造系統(tǒng)根據(jù)本發(fā)明形成的另一種示例
性導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)的平面圖4B是沿圖4A中的線A-A截取的橫截面圖；以及 圖5是通過(guò)圖2A所示制造系統(tǒng)平坦化導(dǎo)通孔的接觸區(qū)域的方法
的流程圖。
具體實(shí)施例方式
參照?qǐng)D2A和圖2B，氣相沉積陰影掩模制造系統(tǒng)200包括多個(gè) 沉積真空室210(例如，沉積真空室210a至210n)。沉積真空室210 的數(shù)量以及布置取決于采用這些真空室形成任何特定產(chǎn)品所需的沉 積過(guò)程以及蝕刻過(guò)程的數(shù)量。
在制造系統(tǒng)200的使用中，使用包括分配巻筒214和接收巻筒
216的巻式機(jī)構(gòu)(不限于此)使基板212平移通過(guò)串聯(lián)布置的沉積真 空室210。
每個(gè)沉積真空室210包括沉積源218、有源吸熱器220以及陰 影掩模222。舉例來(lái)說(shuō)，沉積真空室210a包括沉積源218a、有源 吸熱器220a以及陰影掩模222a;沉積真空室210b包括沉積源218b、 有源吸熱器220b以及陰影掩模222b;沉積真空室210c包括沉積 源218c、有源吸熱器220c以及陰影掩模222c;等等，對(duì)于任何數(shù)量 的沉積真空室210都如此。
沉積真空室210串聯(lián)地布置并且連接。每個(gè)沉積源218裝填有 將要通過(guò)其相關(guān)的陰影掩模222沉積于基板212上的所需材料，該陰 影掩模222保持與相應(yīng)沉積真空室210中的基板212緊密接觸。
各有源吸熱器220提供在沉積過(guò)程中與基板212的非沉積面相 接觸的平坦基準(zhǔn)面，并且在基板212平移通過(guò)制造系統(tǒng)200時(shí)用作基 板212的熱量排出機(jī)構(gòu)。
各陰影掩模222包括開(kāi)口 (例如，縫和孔)的圖案(未示出)。 形成于每個(gè)陰影掩模222中的圖案對(duì)應(yīng)于如下圖案，BP,當(dāng)基板212 經(jīng)過(guò)制造系統(tǒng)200時(shí)，將要從相應(yīng)沉積真空室210中的相應(yīng)沉積源 218沉積于基板212上的所需材料圖案。
各陰影掩模222由例如鎳、鉻、鋼、銅、科瓦(Kovar )合金、 或者因瓦(Invar )合金形成，并且具有例如150-200微米的厚度。 科瓦合金和因瓦合金可以從例如ESPICorp Inc.(Ashland, Oregon)獲 得。在美國(guó)，Kovar⑧為目前屬于CRS Holdings, Inc.(Wilmington， Delaware)的注冊(cè)號(hào)為No.337,962的注冊(cè)商標(biāo)；Inva,為目前屬于法 國(guó)Imphy S.A. Corporation的注冊(cè)號(hào)為No.63,970的注冊(cè)商標(biāo)。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員會(huì)認(rèn)識(shí)到，制造系統(tǒng)200可以包括另外的階 段(未示出)，例如熟知的退火階段、測(cè)試階段、 一個(gè)或多個(gè)清潔階 段、切割和安裝階段等等。另外，為了沉積特定應(yīng)用所需的一種或多 種材料，可以根據(jù)需要對(duì)沉積真空室210的數(shù)量、用途和布置進(jìn)行修 改。在名稱(chēng)為"Active Matrix Backplane For Controlling Controlled Elements And Method Of Manufacturing Thereof (用于控制受控元件
的有源基體背板及其制造方法)"的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)
No.2003/0228715中公開(kāi)了 一種示例性的制造系統(tǒng)200，其內(nèi)容以引 用的方式并入本文。
沉積真空室210可以用于在基板212上沉積材料，以便在基板 212上形成一個(gè)或多個(gè)電子元件。每個(gè)電子元件可以是例如薄膜晶體 管(TFT) 、 二極管、存儲(chǔ)元件、或者電容器。多層電路可以?xún)H僅通 過(guò)沉積真空室210中的連續(xù)沉積過(guò)程而形成。
每個(gè)沉積真空室210與用于在該真空室中建立適當(dāng)真空的真空 源(未示出)連接，以便使相應(yīng)沉積源218中設(shè)置的所需的裝填材料 可以通過(guò)相應(yīng)陰影掩模222中的孔以本領(lǐng)域所熟知的方式(如濺射或 者氣相沉積)沉積于基板212上。
在以下描述中，將基板212描述成從設(shè)置于預(yù)加載真空室中的 分配巻筒214分配到第一沉積真空室210a中的連續(xù)柔性片材。然而， 這并非旨在對(duì)本發(fā)明進(jìn)行限制，因?yàn)橹圃煜到y(tǒng)200可以構(gòu)造成連續(xù)地
處理多個(gè)柔性或非柔性的單獨(dú)的或獨(dú)立的基板212。每個(gè)沉積真空室 210包括避免基板212在經(jīng)過(guò)沉積真空室210時(shí)T垂的支架或者導(dǎo) 軌。
在制造系統(tǒng)200的操作中，在基板212借助于分配巻筒214和 接收巻筒216的動(dòng)作而經(jīng)過(guò)沉積真空室210時(shí)，設(shè)置于每個(gè)沉積源 218中的材料在適合的真空中通過(guò)相應(yīng)的陰影掩模222沉積在基板 212上，于是在基板212上形成多個(gè)累積圖案。更具體地，基板212 具有多個(gè)部分，各部分在各沉積真空室210中停留預(yù)定時(shí)間間隔。在 該預(yù)定時(shí)間間隔內(nèi)，材料從相應(yīng)的沉積源218沉積到基板212的設(shè)置 于相應(yīng)沉積真空室210中的那部分上。在該預(yù)定時(shí)間間隔之后，基板 212步進(jìn)地前進(jìn)，于是基板212的該部分前進(jìn)到串聯(lián)的下一個(gè)沉積真 空室210中，以根據(jù)需要進(jìn)行另外的處理。這種步進(jìn)的前進(jìn)一直持續(xù) 至基板212的每個(gè)部分都通過(guò)了所有的沉積真空室210。此后，基板 212的離開(kāi)串聯(lián)的最后一個(gè)沉積真空室210的每個(gè)部分由設(shè)置于存儲(chǔ) 真空室(未示出)中的接收巻筒216接收。作為選擇，采用切割機(jī)(未 示出)使基板212的離幵制造系統(tǒng)200的每個(gè)部分與基板212的其余部分分離。
參照?qǐng)D3A和圖3B，利用制造系統(tǒng)200形成的示例性多層式導(dǎo) 通孔結(jié)構(gòu)300包括基板212，其上面沉積有第一導(dǎo)體層312;絕緣 層314，其沉積在第一導(dǎo)體層312上面并且包括過(guò)孔316;以及第二 導(dǎo)體層318，其沉積在絕緣層314上面。過(guò)孔316中填充有導(dǎo)電填充 劑320。
第一導(dǎo)體層312、第二導(dǎo)體層318和導(dǎo)電填充劑320由在半導(dǎo)體 制造中用于形成導(dǎo)電層和互連層的代表性金屬構(gòu)成，例如但是不限于 鋁、金、銅、鎳、鈦、金屬合金或金屬化合物。絕緣層314是由任何 常用電路絕緣材料構(gòu)成的非導(dǎo)電層，這種絕緣材料例如但是不限于氧 化鋁(A203)、五氧化二鉭(Ta205)。導(dǎo)電填充劑320用作第一導(dǎo) 體層312與第二導(dǎo)體層318之間的導(dǎo)電路徑。過(guò)孔316的形狀不限于 正方形，因?yàn)?，過(guò)孔316可以為任何需要的形狀，諸如但是不限于圓 形、橢圓形或矩形等。
過(guò)孔316是位于絕緣層314內(nèi)部的區(qū)域，其中沉積導(dǎo)電填充劑 320以便于在過(guò)孔316的區(qū)域中橋接第一導(dǎo)體層.312與第二導(dǎo)體層 318之間的空隙，從而實(shí)現(xiàn)第一導(dǎo)體層312與第二導(dǎo)體層318之間的 導(dǎo)電連接。導(dǎo)電填充劑320沉積在過(guò)孔316內(nèi)部，使得導(dǎo)電填充劑 320的與第一導(dǎo)體層312相對(duì)的表面相對(duì)于絕緣層314的與第一導(dǎo)體
層312相對(duì)的表面基本上共面，并且不管hvM與tcoND的比率為何值，
第二導(dǎo)體層318的沉積對(duì)于建立與導(dǎo)電填充劑320的電連接來(lái)說(shuō)都不 會(huì)造成問(wèn)題。在過(guò)孔316限定的區(qū)域之外，第一導(dǎo)體層312和第二導(dǎo) 體層318通過(guò)非導(dǎo)電性絕緣層314彼此絕緣。在基板212上面可以設(shè) 置其它導(dǎo)電層或非導(dǎo)電層，但是出于簡(jiǎn)化的目的，在圖3A和圖3B 中未示出。
可以通過(guò)制造系統(tǒng)200的如圖2A中虛線所示的等離子蝕刻真空 室215中的等離子蝕刻操作形成由絕緣層314中的過(guò)孔316限定的開(kāi) 口 ，在等離子蝕刻真空室215中去除絕緣層314的一部分。等離子蝕 刻真空室215容易結(jié)合在制造系統(tǒng)200中。在2004年12月30曰提 交的名稱(chēng)為"System For And Method Of Forming Via Holes By Use Of
Selective Plasma Etching In A Continuous Inline Shadow Mask Deposition Process (在連續(xù)在線陰影掩模沉積工序中利用選擇性等離 子蝕刻形成過(guò)孔的系統(tǒng)及方法)"的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.ll/026，365 (下 面稱(chēng)為"'365申請(qǐng)")中，描述了用于在連續(xù)在線陰影掩模沉積工序 中形成過(guò)孔的等離子蝕刻操作，該美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的內(nèi)容以引用的方式 并入本文。
簡(jiǎn)單地說(shuō)，'365申請(qǐng)公開(kāi)了具有陰影掩模216的等離子蝕刻真 空室(類(lèi)似于等離子蝕刻真空室215)的應(yīng)用，陰影掩模216與基板 212的位于等離子蝕刻真空室215中的那部分對(duì)準(zhǔn)并接觸。陰影掩模 216包括與將要形成的各過(guò)孔316的尺寸和形狀相應(yīng)的孔。來(lái)自等離 子源226的等離子氣體224經(jīng)過(guò)陰影掩模216的各孔，并且撞擊在絕 緣層314的透過(guò)所述孔露出的表面上，于是蝕刻掉絕緣層314的透過(guò) 所述孔露出的表面，以形成過(guò)孔316。陰影掩模216的背向絕緣層314 的表面阻擋絕緣層314的位于各孔之外的表面，使其不受等離子蝕 刻。等離子蝕刻真空室215內(nèi)的等離子蝕刻操作的持續(xù)時(shí)間適當(dāng)?shù)?長(zhǎng)，以蝕刻掉絕緣層314的全部厚度。還可以設(shè)置一個(gè)或多個(gè)等離子 蝕刻真空室215，用于等離子蝕刻一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體層，例如如圖4B 中最佳示出的第二導(dǎo)體層318。
作為選擇，可以通過(guò)制造系統(tǒng)200的一個(gè)或多個(gè)沉積真空室210 中的兩個(gè)或更多個(gè)沉積過(guò)程形成由絕緣層314中的過(guò)孔316限定的開(kāi) 口，這一點(diǎn)如2004年12月23日提交的名稱(chēng)為"System For And Method Of Forming Via Holes By Multiple Deposition Events In A Continuous Inline Shadow Mask Deposition Process (在連續(xù)在線陰影 掩模沉積工序中通過(guò)多個(gè)沉積過(guò)程形成過(guò)孔的系統(tǒng)及方法)"的美國(guó) 專(zhuān)利申請(qǐng)No.11/020,907 (下面稱(chēng)為"'907申請(qǐng)")所述，該美國(guó)專(zhuān) 利申請(qǐng)的內(nèi)容也以引用的方式并入本文。
簡(jiǎn)單地說(shuō)，'907申請(qǐng)公開(kāi)了在兩個(gè)沉積過(guò)程中沉積絕緣層，使 得第二個(gè)沉積過(guò)程中沉積的其中具有一個(gè)或多個(gè)槽口的絕緣層的邊 緣與第一個(gè)沉積過(guò)程中沉積的絕緣層的邊緣重疊，于是各槽口的一部
分保持敞開(kāi)，從而限定相應(yīng)的過(guò)孔。同樣地，可以在兩個(gè)沉積過(guò)程中
沉積諸如圖4B所示第二導(dǎo)體層318等導(dǎo)體層，使得第二個(gè)沉積過(guò)程 中沉積的其中具有一個(gè)或多個(gè)槽口的導(dǎo)體層的邊緣與第一個(gè)沉積過(guò)
程中沉積的導(dǎo)體層的邊緣重疊，于是各槽口的一部分保持敞開(kāi)，從而 限定相應(yīng)的過(guò)孔。
參照?qǐng)D4A和圖4B，與上面參照?qǐng)D3A和圖3B所述一樣，另一 種示例性的多層式導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)400包括基板212,其上面沉積有第 一導(dǎo)體層312;絕緣層314，其沉積在第一導(dǎo)體層312上面；以及第 二導(dǎo)體層318，其沉積在絕緣層314上面。多層式導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)400還 包括第二絕緣層410,其沉積在第二導(dǎo)體層318上面并且由與絕緣 層314相同的非導(dǎo)電性材料形成；以及第三導(dǎo)體層412，其沉積在第 二絕緣層410上面。第三導(dǎo)體層412由與第一導(dǎo)體層312、第二導(dǎo)體 層318和導(dǎo)電填充劑320相同的導(dǎo)電材料形成。通過(guò)等離子蝕刻或者 通過(guò)以如下方式選擇性沉積各層314、 318和410，所述方式即限 定過(guò)孔316，使得過(guò)孔316的hvM隨著各層314、 318和410的沉積 而增大，過(guò)孔316形成于由絕緣層314、第二導(dǎo)體層318和第二絕緣 層.410形成的多層式結(jié)構(gòu)中。過(guò)孔316中填充有導(dǎo)電填充劑320。
參照?qǐng)D4B并且繼續(xù)參照?qǐng)D4A，過(guò)孔316跨過(guò)由絕緣層314、 第二導(dǎo)體層318和第二絕緣層410形成的多層式結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電填充劑 320沉積在過(guò)孔316中，以橋接第一導(dǎo)體層312、第二導(dǎo)體層318和 第三導(dǎo)體層412之間的空隙并且實(shí)現(xiàn)其間的電連接。導(dǎo)電填充劑320 沉積在過(guò)孔316內(nèi)部，使得導(dǎo)電填充劑320的與第一導(dǎo)體層312相對(duì) 的表面相對(duì)于絕緣層314的與第一導(dǎo)體層312相對(duì)的表面基本上共 面，于是不管h^A與tcx^D的比率為何值，第三導(dǎo)體層412的沉積對(duì) 于建立與導(dǎo)電填充劑320的電連接來(lái)說(shuō)都不會(huì)造成問(wèn)題。
參照?qǐng)D5，利用制造系統(tǒng)200制造多層式導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)400的方法 500的流程包括步驟510，在該步驟中，利用分配巻筒214和接收巻 筒216形成的巻式系統(tǒng)使基板212進(jìn)入例如制造系統(tǒng)200的第一沉積 真空室210a中，使相關(guān)陰影掩模222a與基板212對(duì)準(zhǔn)并緊密接觸。 然后通過(guò)相關(guān)沉積源218a的動(dòng)作將諸如第一導(dǎo)體層312等第一導(dǎo)體 層通過(guò)陰影掩模222a的孔圖案沉積在基板212上，陰影掩模222a的孔圖案與第一導(dǎo)體層312的布局匹配。
然后，該方法進(jìn)入步驟512，在該步驟中，利用巻式系統(tǒng)使基板 212進(jìn)入例如制造系統(tǒng)200的下一沉積真空室210b中。然后使沉積 真空室210b的陰影掩模222b與第一導(dǎo)體層312對(duì)準(zhǔn)并緊密接觸。然 后通過(guò)相關(guān)沉積源218b的動(dòng)作將諸如絕緣層314等絕緣層通過(guò)陰影 掩模222b的孔圖案沉積在第一導(dǎo)體層312上，陰影掩模222b的孔圖 案與絕緣層314的布局匹配。通過(guò)如下方式在絕緣層314中形成一個(gè) 或多個(gè)過(guò)孔316，所述方式即在諸如等離子蝕刻真空室215等的等 離子蝕刻真空室中進(jìn)行等離子蝕刻，或者以?xún)H僅采用沉積過(guò)程限定絕 緣層314中的一個(gè)或多個(gè)過(guò)孔316的方式借助于一個(gè)或多個(gè)陰影掩模 222進(jìn)行絕緣層314的兩次或更多次選擇性沉積。
然后，該方法進(jìn)入步驟514，在該步驟中，利用巻式系統(tǒng)使基板 212進(jìn)入例如制造系統(tǒng)200的下一沉積真空室210c中。然后使沉積 真空室210c的陰影掩模222c與絕緣層314對(duì)準(zhǔn)并緊密接觸。然后通 過(guò)相關(guān)沉積源218c的動(dòng)作將諸如導(dǎo)電填充劑320a等導(dǎo)電材料通過(guò)陰 影掩模222c的孔圖案沉積在絕緣層314的各過(guò)孔316中露出的第一 導(dǎo)體層312上，陰影掩模222c的孔圖案與過(guò)孔316的布局匹配。導(dǎo) 電填充劑320a沉積在絕緣層314的各過(guò)孔316內(nèi)部，使得導(dǎo)電填充 劑320a的與第一導(dǎo)體層312相對(duì)的表面相對(duì)于絕緣層314的與第一 導(dǎo)體層312相對(duì)的表面基本上共面。
然后，該方法進(jìn)入步驟516，在該步驟中，利用巻式系統(tǒng)使基板 212進(jìn)入例如制造系統(tǒng)200的下一沉積真空室210d中。然后使沉積 真空室210d的陰影掩模222d與絕緣層314對(duì)準(zhǔn)并緊密接觸。然后通 過(guò)相關(guān)沉積源218d的動(dòng)作將諸如第二導(dǎo)體層318等下一導(dǎo)體層通過(guò) 陰影掩模222d的孔圖案沉積在絕緣層314上，陰影掩模222d的孔圖 案與第二導(dǎo)體層318的布局匹配。通過(guò)如下方式在第二導(dǎo)體層318 中形成一個(gè)或多個(gè)過(guò)孔316，所述方式即在諸如等離子蝕刻真空室 215等的等離子蝕刻真空室中進(jìn)行等離子蝕刻，或者以?xún)H僅采用沉積 過(guò)程限定第二導(dǎo)體層318中的一個(gè)或多個(gè)過(guò)孔316的方式借助于一個(gè) 或多個(gè)陰影掩模222進(jìn)行第二導(dǎo)體層318的兩次或更多次選擇性沉積。
然后，該方法進(jìn)入步驟518，在該步驟中，利用巻式系統(tǒng)使基板 212進(jìn)入例如制造系統(tǒng)200的下一沉積真空室210e中。然后使沉積 真空室210e的陰影掩模222e與第二導(dǎo)體層318對(duì)準(zhǔn)并緊密接觸。然 后通過(guò)相關(guān)沉積源218e的動(dòng)作將諸如導(dǎo)電填充劑320b等導(dǎo)電材料通 過(guò)陰影掩模222e的孔圖案沉積在第二導(dǎo)體層318的各過(guò)孔316中露 出的導(dǎo)電填充劑320a上，陰影掩模222e的孔圖案與過(guò)孔316的布局 匹配。導(dǎo)電填充劑320b沉積在第二導(dǎo)體層318的各過(guò)孔316內(nèi)部， 使得導(dǎo)電填充劑320b的與導(dǎo)電填充劑320a相對(duì)的表面相對(duì)于第二導(dǎo) 體層318的表面基本上共面。
然后，該方法進(jìn)入步驟520，在該步驟中，利用巻式系統(tǒng)使基板 212進(jìn)入例如制造系統(tǒng)200的下一沉積真空室210f中。然后使沉積 真空室210f的陰影掩模222f與第二導(dǎo)體層318對(duì)準(zhǔn)并緊密接觸。然 后通過(guò)相關(guān)沉積源218f的動(dòng)作將諸如第二絕緣層410等下一絕緣層 通過(guò)陰影掩模222f的孔圖案沉積在第二導(dǎo)體層318上，陰影掩模222f 的孔圖案與第二絕緣層410的布局匹配。通過(guò)如下方式在第二絕緣層 410中形成一個(gè)或多個(gè)過(guò)孔316，所述方式即在諸如等離子蝕刻真 空室215等的等離子蝕刻真空室中進(jìn)行等離子蝕刻，或者以?xún)H僅采用 沉積過(guò)程限定第二絕緣層410中的過(guò)孔316的方式借助于一個(gè)或多個(gè) 陰影掩模222進(jìn)行第二絕緣層410的兩次或更多次選擇性沉積。
然后，該方法進(jìn)入步驟522，在該步驟中，利用巻式系統(tǒng)使基板 212進(jìn)入例如制造系統(tǒng)200的下一沉積真空室210g中。然后使沉積 真空室210g的陰影掩模222g與第二絕緣層410對(duì)準(zhǔn)并緊密接觸。然 后通過(guò)相關(guān)沉積源218g的動(dòng)作將諸如導(dǎo)電填充劑320c等導(dǎo)電材料通 過(guò)陰影掩模222g的孔圖案沉積在第二絕緣層410的各過(guò)孔316中露 出的導(dǎo)電填充劑320b上，陰影掩模222g的孔圖案與過(guò)孔316的布局 匹配。導(dǎo)電填充劑320c沉積在第二絕緣層410的各過(guò)孔316內(nèi)部， 使得導(dǎo)電填充劑320c的與導(dǎo)電填充劑320b相對(duì)的表面相對(duì)于第二絕 緣層410的表面基本上共面。
然后，該方法進(jìn)入步驟524，在該步驟中，利用巻式系統(tǒng)使基板
212進(jìn)入例如制造系統(tǒng)200的下一沉積真空室210h中。然后使沉積 真空室210h的陰影掩模222h與第二絕緣層410對(duì)準(zhǔn)并緊密接觸。然 后通過(guò)相關(guān)沉積源218h的動(dòng)作將諸如第三導(dǎo)體層412等導(dǎo)體層通過(guò) 陰影掩模222h的孔圖案沉積在第二絕緣層410以及一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電 填充劑320c實(shí)例上，陰影掩模222h的孔圖案與第三導(dǎo)體層412的布 局匹配。結(jié)果，經(jīng)由已經(jīng)沉積的導(dǎo)電填充劑320a、 320b和320c的疊 層結(jié)構(gòu)在第一導(dǎo)體層312、第二導(dǎo)體層318和第三導(dǎo)體層412之間形 成電連接，導(dǎo)電填充劑320a、 320b和320c跨過(guò)多層式導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu) 400的各過(guò)孔316的整個(gè)厚度hvlA。
作為選擇，可以省略步驟514和518，并且在步驟522中進(jìn)行導(dǎo) 電填充劑320的單次沉積，以便于填充過(guò)孔316的整個(gè)厚度hVIA，而 非在步驟514、 518和522中的多個(gè)沉積過(guò)程中沉積導(dǎo)電填充劑320a、 320b和320c。
可以看出，制造系統(tǒng)200和方法500提供利用形成多層式電子 器件的連續(xù)在線真空沉積工序平坦化導(dǎo)通孔的接觸區(qū)域的方法。制造 系統(tǒng)200包括一個(gè)或多個(gè)沉積真空室210的任何期望的構(gòu)造，在各沉 積真空室中可以利用一個(gè)或多個(gè)陰影掩模222進(jìn)行沉積過(guò)程。如果需 要的話，制造系統(tǒng)200還可以包括一個(gè)或多個(gè)等離子蝕刻真空室215。 制造系統(tǒng)200和方法500提供如下方法填充絕緣層和/或?qū)w層的 一個(gè)或多個(gè)過(guò)孔316，使得填充各過(guò)孔316的導(dǎo)電材料(例如，導(dǎo)電 填充劑320)的表面與相關(guān)層(例如，絕緣層314、第二導(dǎo)體層318
或第二絕緣層410)的表面基本上共面，于是不管h^A與to)ND的比
率為何值，過(guò)孔316上面的導(dǎo)體的沉積可以容易地建立與導(dǎo)電填充劑 320的電連接，從而有助于由絕緣層隔開(kāi)的各對(duì)導(dǎo)體層之間的電連續(xù) 性。
此外，使用平坦化導(dǎo)通孔的接觸區(qū)域的制造系統(tǒng)200和方法500 可以避免中斷工序流以利用例如光刻工序等其它工序形成導(dǎo)通孔，這 些工序不能容易地結(jié)合到連續(xù)在線真空沉積工序中。
上面已經(jīng)參照優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明。在閱讀并理解前面的 詳細(xì)說(shuō)明之后，容易得知各種修改和變化形式。這里應(yīng)該理解為，只 要落在所附權(quán)利要求書(shū)或其等同物的范圍內(nèi)，本發(fā)明就包括所有這種 修改和變化形式。
權(quán)利要求
1.一種形成多層式電子器件的方法，包括(a)經(jīng)由第一陰影掩模在絕緣基板(212)上氣相沉積第一導(dǎo)體層(312)；(b)經(jīng)由第二陰影掩模在所述第一導(dǎo)體層(312)上氣相沉積第一絕緣層(314)，所述第一絕緣層(314)中具有至少一個(gè)過(guò)孔(316)；(c)經(jīng)由第三陰影掩模在所述第一絕緣層(314)的過(guò)孔(316)中氣相沉積第一導(dǎo)電填充劑(320a)；以及(d)經(jīng)由第四陰影掩模在所述第一絕緣層(314)上氣相沉積第二導(dǎo)體層(318)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二導(dǎo)體層(318)沉積在所述第一絕緣層(314)的過(guò)孔 (316)中的第一導(dǎo)電填充劑(320a)上，或者所述第二導(dǎo)體層(318) 中具有至少一個(gè)與所述第一絕緣層(314)中的過(guò)孔(316)對(duì)準(zhǔn)的過(guò) 孔(316)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括-(e) 經(jīng)由第五陰影掩模在所述第二導(dǎo)體層(318)的過(guò)孔(316) 中氣相沉積第二導(dǎo)電填充劑(320b);(f) 經(jīng)由第六陰影掩模在所述第二導(dǎo)體層(318)上氣相沉積 第二絕緣層(410)，所述第二絕緣層(410)中具有至少一個(gè)與所述 第二導(dǎo)體層(318)的過(guò)孔(316)對(duì)準(zhǔn)的過(guò)孔(316);(g) 經(jīng)由第七陰影掩模在所述第二絕緣層(410)的過(guò)孔(316) 中氣相沉積第三導(dǎo)電填充劑(320c);以及(h) 經(jīng)由第八陰影掩模在所述第二絕緣層(410)上以及所述 第二導(dǎo)體層(318)的過(guò)孔(316)中的第三導(dǎo)電填充劑(320c)上氣 相沉積第三導(dǎo)體層(412)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，各過(guò)孔通過(guò)等離子蝕刻方法和選擇性材料沉積方法中的一種方 法形成，在選擇性材料沉積方法中限定過(guò)孔，使得僅僅通過(guò)所述選擇 性沉積方法形成所述過(guò)孔。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一導(dǎo)電填充劑(320a)沉積在所述第一絕緣層(314)的 過(guò)孔(316)中，使得所述第一導(dǎo)電填充劑(320a)的與所述第一導(dǎo) 體層(312)相對(duì)的表面相對(duì)于所述第一絕緣層(314)的與所述第一 導(dǎo)體層(312)相對(duì)的表面基本上共面。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，各導(dǎo)電填充劑(320a、 320b、 320c)沉積為使其與所述導(dǎo)電填 充劑下面的層相對(duì)的表面相對(duì)于容納所述導(dǎo)電填充劑的過(guò)孔所在的 層的表面基本上共面。
7. —種形成多層式電子器件的方法，包括(a) 經(jīng)由第一陰影掩模在絕緣基板(212)上氣相沉積第一導(dǎo) 體層(312);(b) 經(jīng)由第二陰影掩模在所述第一導(dǎo)體層(312)上氣相沉積 第一絕緣層(314)，所述第一絕緣層(314)中具有至少一個(gè)過(guò)孔(316); 以及(c) 經(jīng)由第三陰影掩模在所述第一絕緣層(314)的過(guò)孔(316) 中氣相沉積導(dǎo)電填充劑(320)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述導(dǎo)電填充劑(320)沉積在所述第一絕緣層(314)的過(guò)孔 (316)中，使得所述導(dǎo)電填充劑(320)的與所述第一導(dǎo)體層(312) 相對(duì)的表面相對(duì)于所述第一絕緣層(314)的與所述第一導(dǎo)體層(312) 相對(duì)的表面基本上共面。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括經(jīng)由第四陰影掩模在所述第一絕緣層(314)上氣相沉積第二導(dǎo) 體層(318)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第二導(dǎo)體層(318)沉積在所述第一絕緣層(314)的過(guò)孔 (316)中的導(dǎo)電填充劑(320)上，或者所述第二導(dǎo)體層(318)中 具有至少一個(gè)與所述第一絕緣層(314)中的過(guò)孔(316)對(duì)準(zhǔn)的過(guò)孔 (316)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，其中，步驟(c)包括在所述第一絕緣層(314)和所述第二導(dǎo)體層 (318)的過(guò)孔中同時(shí)氣相沉積所述導(dǎo)電填充劑(320)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，還包括 經(jīng)由第五陰影掩模在所述第二導(dǎo)體層(318)上氣相沉積第二絕緣層(410)，所述第二絕緣層(410)中具有至少一個(gè)與所述第二導(dǎo) 體層(318)的過(guò)孔(316)對(duì)準(zhǔn)的過(guò)孔(316)，其中，步驟(c)包括在所述第一絕緣層(314)、所述第二 導(dǎo)體層(318)和所述第二絕緣層(410)的過(guò)孔中同時(shí)氣相沉積所述 導(dǎo)電填充劑(320)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括 在所述第二絕緣層(410)上以及所述第二絕緣層(410)的過(guò)孔(316)中的導(dǎo)電填充劑(320)上氣相沉積第三導(dǎo)體層(412)。
14. 一種多層式電子器件，包括 絕緣基板(212);氣相沉積的第一導(dǎo)體層(312)，其位于所述絕緣基板(212)上； 氣相沉積的第一絕緣層(314)，其位于所述第一導(dǎo)體層(312) 上，所述第一絕緣層(314)中具有至少一個(gè)過(guò)孔(316);以及氣相沉積的導(dǎo)電填充劑(320)，其位于所述第一絕緣層(314) 的過(guò)孔(316)中。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的器件，其中，所述導(dǎo)電填充劑(320)沉積在所述第一絕緣層(314)的過(guò)孔 (316)中，使得所述導(dǎo)電填充劑(320)的與所述第一導(dǎo)體層(312) 相對(duì)的表面相對(duì)于所述第一絕緣層(314)的與所述第一導(dǎo)體層(312) 相對(duì)的表面基本上共面。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的器件，還包括 氣相沉積的第二導(dǎo)體層(318)，其位于所述第一絕緣層(314)上。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的器件，.其中，所述第二導(dǎo)體層(318)沉積在所述第一絕緣層(314)的過(guò)孔 (316)中的導(dǎo)電填充劑(320)上，或者所述第二導(dǎo)體層(318)中 具有至少一個(gè)與所述第一絕緣層(314)中的過(guò)孔(316)對(duì)準(zhǔn)的過(guò)孔 (316)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求n所述的器件，還包括 位于所述第二導(dǎo)體層(318)上的氣相沉積的第二絕緣層(410)，所述第二絕緣層(410)中具有至少一個(gè)與所述第二導(dǎo)體層(318)的 過(guò)孔(316)對(duì)準(zhǔn)的過(guò)孔(316)，其中，所述導(dǎo)電填充劑(320)在單個(gè)沉積步驟中或多個(gè)沉積步 驟中沉積在所述第一絕緣層(314)、所述第二導(dǎo)體層(318)和所述 第二絕緣層(410)的過(guò)孔中。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的器件，還包括 氣相沉積的第三導(dǎo)體層(412)，其位于所述第二絕緣層(410) 上以及所述第二絕緣層(410)的過(guò)孔中的導(dǎo)電填充劑(320)上。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的器件，其中，當(dāng)對(duì)準(zhǔn)的過(guò)孔之一的至少一部分可以通過(guò)所述對(duì)準(zhǔn)的過(guò)孔中的 其它過(guò)孔看到時(shí)，則相鄰層中的過(guò)孔是對(duì)準(zhǔn)的。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種多層式電子器件，包括絕緣基板(212)；氣相沉積的第一導(dǎo)體層(312)，其位于所述絕緣基板(212)上；氣相沉積的第一絕緣層(314)，其位于所述第一導(dǎo)體層(312)上，所述第一絕緣層(314)中具有至少一個(gè)過(guò)孔(316)；以及氣相沉積的導(dǎo)電填充劑(320)，其位于所述第一絕緣層(314)的過(guò)孔(316)中。優(yōu)選的是，所述導(dǎo)電填充劑(320)沉積在所述第一絕緣層(314)的過(guò)孔(316)中，使得所述導(dǎo)電填充劑(320)的與所述第一導(dǎo)體層(312)相對(duì)的表面相對(duì)于所述第一絕緣層(314)的與所述第一導(dǎo)體層(312)相對(duì)的表面基本上共面。
文檔編號(hào)H01L21/4763GK101180714SQ200680003398
公開(kāi)日2008年5月14日 申請(qǐng)日期2006年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月27日
發(fā)明者托馬斯·P·布羅迪, 約瑟夫·A·馬爾卡尼奧 申請(qǐng)人:阿德文泰克全球有限公司