專利名稱：利用可組裝蔭罩模組來(lái)進(jìn)行不同材料的蔭罩蒸鍍的制作方法
利用可組裝蔭罩模組來(lái)進(jìn)行不同材料的蔭罩蒸鍍發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及在一基體上形成一電子器件的一種方法，特別是涉及利用蔭 罩沉積技術(shù)在基體上形成一個(gè)或多個(gè)電子器件的電子元件。
背景技術(shù)：
帶有重復(fù)圖樣的電子電路如存儲(chǔ)、成像或顯示裝置在發(fā)光二極管(LED)工業(yè)已經(jīng)得到了廣泛應(yīng)用。目前，這些電子電路通常采用光刻工藝 成形。蔭罩沉積工藝是一種已知技術(shù)并在微電子制造業(yè)應(yīng)用多年。和光刻方法 相比，蔭罩沉積方法是一種成本極低且較為簡(jiǎn)單的工藝。因此，利用蔭罩沉 積工藝形成電子電路將是一個(gè)較為理想的選擇。目前，在蔭罩沉積工藝中存在的一個(gè)問(wèn)題是需要設(shè)計(jì)、制造和盤存大量 蔭罩，在每個(gè)蔭罩中通常在蔭罩內(nèi)有一個(gè)或多個(gè)帶有獨(dú)特尺寸和/或位置的 孔。因此，舉例來(lái)說(shuō)，如果多個(gè)蔭罩沉積事件是需要生產(chǎn)一種帶有重復(fù)圖樣 電子電路的電子元件通常需要多個(gè)不同的蔭罩，因?yàn)槊總€(gè)沉積事件通常都要 求在基體上一種特定尺寸和/或一種特定位置的材料沉積。因此，較為理想的是通過(guò)提供可組裝開(kāi)孔尺寸的蔭罩克服上述類似問(wèn) 題，不必需要為每個(gè)沉積事件都設(shè)計(jì)、制造和盤存一獨(dú)特的蔭罩。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明揭示一種蔭罩沉積方法，包括(a)推進(jìn)基體通過(guò)多個(gè)沉積真空 容器，每個(gè)真空容器都有一個(gè)材料沉積源和一個(gè)放置在那里的復(fù)合蔭罩。(b)通過(guò)相應(yīng)蔭罩在基體上沉積位于每個(gè)沉積真空容器中材料沉積源的材 料，在基體上形成包含電子元件排列的電路。每個(gè)復(fù)合蔭罩都包含帶有至少 一個(gè)在其上通過(guò)第一孔的第一蔭罩和帶有至少一個(gè)在其上通過(guò)第二孔的第二 蔭罩。每個(gè)復(fù)合蔭罩的第一和第二蔭罩都通過(guò)與一個(gè)第二孔排列成行的第一 孔定位，在某種意義上確定通過(guò)復(fù)合蔭罩的一個(gè)恰當(dāng)尺寸開(kāi)孔，從而按照所 希望的圖樣在其中通過(guò)的基體上進(jìn)行材料的沉積。較好的是，電路是完全通 過(guò)連續(xù)性的在基體上的材料沉積而形成。每個(gè)第一蔭罩都能有多個(gè)在其上通過(guò)的第一孔，所有所述第一孔都有相 同的尺寸。每個(gè)第二蔭罩都能有多個(gè)在其上通過(guò)的第二孔，所有所述的第二 孔都有相同的尺寸。所有第一蔭罩都有在其上通過(guò)第一孔的相同圖樣。所有第二孔都有在其 上通過(guò)第二孔的相同圖樣。每個(gè)第一孔都有和每個(gè)第二孔相同的尺寸。在每個(gè)第一蔭罩中第一孔的 圖樣都和在每個(gè)第二蔭罩中第二孔的圖樣相同。電路包含多個(gè)同樣的電子元件，每個(gè)電子元件都有相同的尺寸。在基體 上至少一種材料的沉積期間，每個(gè)第一孔和每個(gè)第二孔都有這樣的尺寸，比 每個(gè)電子元件尺寸的一半大，但小于和兩個(gè)第二孔排列成行的一個(gè)第一孔的 尺寸值，或反之亦然。較好的是，所有蔭罩都是相同的。一個(gè)第一沉積真空容器可以包含一個(gè)第一復(fù)合蔭罩，在這個(gè)蔭罩上有定 位的第一和第二蔭罩，利用相應(yīng)第一和第二孔限定帶有第一尺寸規(guī)格的第一 復(fù)合蔭罩中的一個(gè)開(kāi)孔。 一個(gè)第二沉積真空容器包含一個(gè)第二復(fù)合蔭罩，在 這個(gè)蔭罩上有定位的第一和第二蔭罩，利用相應(yīng)第一和第二孔來(lái)限定帶有第 二的、不同尺寸的第二復(fù)合蔭罩中的一個(gè)開(kāi)孔。多個(gè)沉積真空容器可相互連接。所述的基體是一種延伸片材，通過(guò)多個(gè) 沉積真空容器，沿其長(zhǎng)度方向被推進(jìn)，于是，至少基體的一部分經(jīng)過(guò)每個(gè)沉 積真空容器連續(xù)推進(jìn)?；w的一部分從位于沉積真空容器中的沉積源中獲得 材料的沉積。本發(fā)明還可以是形成一電子器件的一種蔭罩沉積方法。這個(gè)方法包括(a) 提供多個(gè)相同的蔭罩，蔭罩?jǐn)[放在許多倉(cāng)中，形成類似數(shù)量的復(fù)合蔭 罩，每個(gè)復(fù)合蔭罩都放在帶有一個(gè)材料沉積源的一個(gè)沉積真空容器中；(b) 通過(guò)在第一復(fù)合蔭罩中的一個(gè)開(kāi)孔，利用在一個(gè)第一沉積真空容器中 的材料沉積源在基體上沉積一個(gè)第一種材料，第一復(fù)合蔭罩通過(guò)在所述第一 個(gè)復(fù)合蔭罩的蔭罩倉(cāng)中全部或部分排列的孔形成；和(c)通過(guò)在第二復(fù)合 蔭罩中的一個(gè)開(kāi)孔，利用在第二沉積真空容器中的材料沉積源在基體上沉積 第二種材料，第二復(fù)合蔭罩通過(guò)在所述的第二復(fù)合蔭罩的蔭罩倉(cāng)中全部或部 分排列的孔形成，其中包含至少一個(gè)(i)每個(gè)復(fù)合蔭罩的開(kāi)孔的尺寸，和(ii)在材料沉積通過(guò)所述開(kāi)孔期間與基體相對(duì)的每個(gè)復(fù)合蔭罩的開(kāi)孔的位 置是不同的，因此，在基體上沉積的每種材料的尺寸和/或位置是不同的。該方法還進(jìn)一步包括通過(guò)類似多個(gè)復(fù)合蔭罩中的開(kāi)孔在基體上連續(xù)沉積 多種材料，來(lái)在基體上形成一排電子元件，其中每個(gè)孔都是通過(guò)形成所述的 復(fù)合蔭罩的蔭罩中的孔的全部或部分排列而成的。每種材料可以是一種導(dǎo)體、 一種絕緣體和一種半導(dǎo)體。 本發(fā)明還涉及一種蔭罩沉積系統(tǒng)，包括多個(gè)系列連接的沉積真空容器； 放置在每個(gè)沉積真空容器中的一個(gè)材料沉積源；放置在每個(gè)沉積真空容器中 的一個(gè)復(fù)合蔭罩，每個(gè)復(fù)合蔭罩由排列在一個(gè)倉(cāng)中的多個(gè)相同蔭罩組成，每 個(gè)復(fù)合蔭罩有至少一個(gè)在其上通過(guò)的開(kāi)孔，開(kāi)孔由組成所述復(fù)合蔭罩的相同 蔭罩中全部或部分孔排列確定；和輸送基體通過(guò)系列連接的沉積真空容器的 方法，通過(guò)在相應(yīng)復(fù)合蔭罩中至少一個(gè)開(kāi)孔利用每個(gè)材料沉積源來(lái)獲得沉積 材料，這樣的話，通過(guò)每個(gè)材料沉積源沉積的材料在所述基體上形成至少一 電子元件。至少一個(gè)(i)每個(gè)復(fù)合蔭罩的每個(gè)開(kāi)孔尺寸(ii)在沉積材料通過(guò)所 述的開(kāi)孔期間，相對(duì)于基體的每個(gè)復(fù)合蔭罩的每個(gè)開(kāi)孔位置可以是不同的。每個(gè)復(fù)合蔭罩可包括在其上通過(guò)的多個(gè)開(kāi)孔。從每個(gè)材料沉積源的材料 沉積可在基體上形成多個(gè)電子元件。多個(gè)電子元件完全通過(guò)從材料沉積源上連續(xù)性的材料沉積形成于基體上。
基體可以是至少(i)電子絕緣的、(ii)柔性的、(iii)透明的基材 巾w一禾中。最后，該發(fā)明涉及一種形成電子器件的方法。該方法包括(a)提供一 種基體；(b)通過(guò)一個(gè)第一復(fù)合蔭罩在真空條件下于基體上沉積半導(dǎo)體材 料；(c)通過(guò)一個(gè)第二復(fù)合蔭罩在真空條件下于基體上沉積導(dǎo)電材料；和 (d)通過(guò)一個(gè)第三復(fù)合蔭罩在真空條件下于基體上沉積絕緣材料。實(shí)際的 沉積順序是通過(guò)電子裝置的電子元件設(shè)計(jì)確定的，而不是隨意而為的。每個(gè) 復(fù)合蔭罩可以包含多個(gè)相同的蔭罩，每個(gè)蔭罩都有在其上通過(guò)的一個(gè)孔。每 個(gè)復(fù)合蔭罩的蔭罩是通過(guò)它的孔確定位置的，孔排列方式限定通過(guò)復(fù)合蔭罩 的開(kāi)孔，從而在通過(guò)基體上以所需要的圖樣來(lái)沉積相應(yīng)材料。絕緣材料、半 導(dǎo)體材料和導(dǎo)體材料的沉積共同作用以形成經(jīng)過(guò)在復(fù)合蔭罩中的開(kāi)孔，完全 通過(guò)連續(xù)性的材料沉積在基體上形成一電子元件。復(fù)合電子元件可以是一種薄膜晶體管(TFT， thin film transistor) 、 二 極管、存儲(chǔ)元件、電容器、或者是以上元件的任意組合。電子裝置還可包括 利用一種或多種導(dǎo)電材料沉積形成的互連元件。較好的是，所有復(fù)合蔭罩都是相同的并且是可組裝的，便于在基體上進(jìn) 行所需要尺寸和位置的材料沉積。附圖的簡(jiǎn)要說(shuō)明

圖1A是用于形成高分辨率活動(dòng)基體底板的像素結(jié)構(gòu)件的蔭罩沉積系統(tǒng) 示意圖；^、圖'1B是圖1A所示蔭罩沉積系統(tǒng)的單個(gè)沉積真空容器的放大視圖；圖2是一活動(dòng)基體底板分像素件3X3排列的電路示意圖，其中所述3X3排列的2X2排列限定所述活動(dòng)基體底板的像素件；圖3是圖2 —個(gè)分像素件的示例性實(shí)際配置的放大視圖。圖4是形成圖2分像素件的分像素結(jié)構(gòu)件的示范性實(shí)際配置視圖。圖5A是在圖1A用在蔭罩沉積系統(tǒng)中的一個(gè)復(fù)合蔭罩的局部視圖，通過(guò)復(fù)合蔭罩中的開(kāi)孔在圖1A所示基體上沉積示于圖4分像素結(jié)構(gòu)件的多個(gè)部件；圖5B是沿圖5A中VB-VB線的一個(gè)剖示截面視圖；圖5C是沿圖5A中VC-VC線的一個(gè)剖示截面視圖；和圖6—圖19是圖1A所示蔭罩沉積系統(tǒng)的復(fù)合蔭罩中的開(kāi)孔的序列視 圖，通過(guò)圖1A所示的開(kāi)孔的多個(gè)材料沉積以形成與每個(gè)孔臨近的所示的分 像素結(jié)構(gòu)件。本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明參照標(biāo)有和類似元件對(duì)應(yīng)編號(hào)的附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行具體描述。 參照附圖1A和1B， 一種用于形成電子器件的蔭罩沉積系統(tǒng)2，例如可 用于但沒(méi)有僅限于形成高分辨率活動(dòng)基體發(fā)光二極管(LED)顯示器，包括 多個(gè)系列排布的沉積真空容器4 (例如沉積真空容器4a—4x)。沉積真空 容器4的數(shù)量和排布取決于形成相應(yīng)產(chǎn)品所需要的沉積事件數(shù)量。
在使用蔭罩沉積系統(tǒng)2期間，利用含有一個(gè)放帶滾筒8和一個(gè)收帶滾筒 10的一種滾筒系統(tǒng)， 一種柔性基體6平移過(guò)系列排布的沉積真空容器4。每個(gè)沉積真空容器包括一個(gè)沉積源12、 一個(gè)基體支撐件14、 一個(gè)罩排 布系統(tǒng)15和一個(gè)復(fù)合蔭罩16。例如，沉積真空容器4a包括沉積源12a、基 體支撐件14a、罩排布系統(tǒng)15a和復(fù)合蔭罩16a;沉積真空容器4b包括沉積 源12b、基體支撐件14b、罩排布系統(tǒng)15b和復(fù)合蔭罩16b;沉積真空容器4 的其它任何編號(hào)的真空沉積容器都依此類推。每個(gè)沉積源12都裝有在通過(guò)對(duì)應(yīng)的復(fù)合蔭罩16中的一個(gè)或多個(gè)開(kāi)孔， 以所需要的材料在基體6上沉積復(fù)合；在一個(gè)沉積事件期間，相應(yīng)復(fù)合蔭罩 16和在對(duì)應(yīng)沉積真空容器4中的基體6的部分形成密切接觸。蔭罩沉積系統(tǒng)2的每個(gè)復(fù)合蔭罩16都包括一個(gè)或多個(gè)開(kāi)孔。當(dāng)基體6 平移通過(guò)蔭罩沉積系統(tǒng)2的時(shí)候，每個(gè)復(fù)合蔭罩16中的開(kāi)孔都和利用在相 應(yīng)沉積真空容器4中相應(yīng)沉積源12在基體6上準(zhǔn)備沉積材料的所需要圖樣 對(duì)應(yīng)。每個(gè)復(fù)合蔭罩16都是由，例如，鎳、鉻、鋼鐵、銅、科伐鎳基合金 (Kovar )或殷鋼(Invar )，制造成型，期望的厚度是在20至200微米 之間，更好的是在20至50微米之間。Kova^和Inva^可以采用例如美國(guó)俄 勒岡州阿什蘭ESPIC集團(tuán)公司(ESPICorp Inc. of Ashland)的產(chǎn)品。在美 國(guó)，Kova^是個(gè)注冊(cè)商標(biāo)，注冊(cè)編號(hào)為No. 337,962，現(xiàn)為位于德拉瓦州的 威爾明頓CRS股份有限公司(CRS Holdings, Inc. of Wilmington)擁有； Inva^也是一個(gè)注冊(cè)商標(biāo)，注冊(cè)編號(hào)為No. 63,970，現(xiàn)為法國(guó)的Imphy S. A. 集團(tuán)公司(Imphy S. A. Corporation)擁有。本領(lǐng)域的技術(shù)人員希望蔭罩沉積系統(tǒng)2可能含有一些附加工作臺(tái)(沒(méi)有 在附圖中顯示)，例如一個(gè)退火工作臺(tái)、 一個(gè)測(cè)試工作臺(tái)、 一個(gè)或多個(gè)清洗 工作臺(tái)、 一個(gè)切割和裝配臺(tái)以及其它類似的已知工作臺(tái)。另外，沉積真空容 器4的數(shù)量、目的和排布可以根據(jù)一種特定應(yīng)用的需要進(jìn)行一種或多種材料 的沉積由本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)改變。在此結(jié)合名為"控制調(diào)控元件的活 動(dòng)基材底板及其制造方法"、申請(qǐng)日為2002年9月26日、申請(qǐng)?zhí)枮?10/255， 972的美國(guó)專利所揭示的示例性蔭罩沉積系統(tǒng)和使用方法作為參照進(jìn) 行說(shuō)明?？衫贸练e真空容器4在基體6上沉積材料，從而在基體6上形成電子 器件的一個(gè)或多個(gè)電子元件。每個(gè)電子元件可能是，例如， 一個(gè)薄膜晶體管 (TFT)、 一個(gè)存儲(chǔ)元件和一個(gè)電容器等，或者是一個(gè)或多個(gè)上述元件的組 合以形成一個(gè)高級(jí)電子元件，例如，但沒(méi)有限制于一個(gè)電子裝置的分像素件 或像素件。按照本發(fā)明，利用沉積真空容器4以連續(xù)性的沉積事件完全通過(guò) 在基體6上材料的連續(xù)性沉積可以形成多層電路。每個(gè)沉積真空容器4都和一個(gè)真空源(未顯示)相連接，裝配真空源的 目的在于建立一個(gè)適宜的真空條件，從而可以一種已知的技術(shù)方法例如濺射 或氣相沉積，通過(guò)在相應(yīng)復(fù)合蔭罩16中的一個(gè)或多個(gè)開(kāi)孔在基體6上利用 相應(yīng)沉積源12沉積一定數(shù)量的材料。在此，基體6被描述為一種連續(xù)柔性片材，從放在一個(gè)預(yù)載真空容器中 的放帶滾筒8放出，進(jìn)入沉積真空容器4。然而，這個(gè)并不能作為限制本發(fā) 明的條件，因?yàn)槭a罩沉積系統(tǒng)2可以配置成為連續(xù)處理多種單獨(dú)的或者單個(gè)的基體。每個(gè)沉積真空容器4都可以包括支撐件或?qū)蚱鱽?lái)避免在推動(dòng)基體 6平移期間基體6的下垂。在蔭罩沉積系統(tǒng)2工作期間，在適宜的真空條件下，通過(guò)相應(yīng)復(fù)合蔭罩 16中的一個(gè)或多個(gè)開(kāi)孔，利用每個(gè)沉積源12在相應(yīng)沉積真空容器4中于基 體6的部分上沉積材料；這樣的話，當(dāng)推動(dòng)基體6的所述部分通過(guò)沉積真空 容器4的時(shí)候，多種的累進(jìn)圖樣就在基體6上形成了。更加具體的是，基體 6有多個(gè)部分，每個(gè)基體的部分都在每個(gè)沉積真空容器4中以預(yù)定時(shí)間間隔 定位。在此預(yù)定時(shí)間間隔期間，利用相應(yīng)沉積源12在定位于相應(yīng)沉積真空 容器4中的基體6的部分上沉積材料。在此預(yù)定時(shí)間間隔之后，逐步推進(jìn)基 體6，使推進(jìn)的基體6部分進(jìn)入進(jìn)行其它處理系列中的下一個(gè)真空容器，如 果有的話。這種基體歩進(jìn)連續(xù)進(jìn)行，直到每個(gè)基體6的部分都通過(guò)全部沉積 真空容器4。此后，在系列中于最后沉積真空容器4中的基體6的每個(gè)部分 都由收帶滾筒10進(jìn)行回收，收帶滾筒10就位于一個(gè)存儲(chǔ)真空容器中(未顯 示)?？勺鳛檫x擇的是，把在蔭罩沉積系統(tǒng)2中的基體6的每個(gè)部分都通過(guò) 截?cái)嗥?沒(méi)有顯示)與基體6的其它部分分割開(kāi)來(lái)。參照附圖2，利用蔭罩沉積系統(tǒng)2可形成示例性的LED像素件20a，像 素件20a含有分像素件22的2X2排布，例如分像素件22a-22d。分像素件 22a、 22b、 22c和22d可以分別是一個(gè)紅色分像素件、 一-個(gè)第一綠色分像素 件、 一個(gè)第二綠色分像素件和一個(gè)藍(lán)色分像素件。作為選擇的是，分像素件 22a、 22b、 22c和22d可以分別是一個(gè)紅色分像素件、 一個(gè)第一藍(lán)色分像素 件、 一個(gè)第二藍(lán)色分像素件和一個(gè)綠色分像素件。因?yàn)長(zhǎng)ED像素件20a代表 排布在任一用戶指定形成完整活動(dòng)基材LED裝置的排列結(jié)構(gòu)中幾個(gè)相同像素 件中的一個(gè)，LED像素件20a的說(shuō)明，包括說(shuō)明的每個(gè)分像素件22顏色，不 能夠作為限制本發(fā)明的條件。在圖2中所示分像素件的相鄰像素件20b、 20c 和20d都出于例證的目的。分像素件22a和22b通過(guò)標(biāo)在A行母線上的一個(gè)脈沖信號(hào)和分別標(biāo)在A 列母線和B列母線上的電壓等級(jí)表明。分像素件22c和22d通過(guò)標(biāo)在B行母 線上的一個(gè)脈沖信號(hào)和分別加在A列母線和B列母線上的電壓等級(jí)表明。在 說(shuō)明的具體實(shí)施方式
中，每個(gè)分像素件22都包括和晶體管24及26相連接 的級(jí)聯(lián)件，例如但不僅限于是薄膜晶體管(TFT) ; — LED元件28是由夾在 兩個(gè)電極之間的光發(fā)射材料30構(gòu)成的；和作為電壓存儲(chǔ)元件的電容器32。 在一個(gè)示例性的非限制性的具體實(shí)施例中，每個(gè)分像素件22的晶體管24和 26、 LED元件28和電容器32以示于圖2的方式相互連接在一起。另外，對(duì) 每個(gè)分像素件22而言，晶體管24的控制終端和控制極端子與合適的行母線 之間采用電連接，節(jié)點(diǎn)34是由晶體管26的漏極端子和電容器32的一個(gè)端 子連接而成的，節(jié)點(diǎn)34與電源總線(Vcc)相連接，晶體管24的源極端子 和適宜的列母線連接。為了激活每個(gè)LED元件28，當(dāng)在相應(yīng)電源總線Vcc上施加一個(gè)適當(dāng)電壓 的時(shí)候，施加在和晶體管24源極端子相連接的相應(yīng)列母線上的電壓從一個(gè) 第一電壓件40變至一個(gè)第二電壓件42。在使用第二個(gè)電壓件42期間，在和 晶體管24控制極端子相連接的行母線上施加一個(gè)脈沖信號(hào)44。脈沖信號(hào)44 引起晶體管24和26響應(yīng)，于是，在通過(guò)晶體管26的電壓降作用下，電源 總線Vcc上的電壓就施加到了 LED元件28的一個(gè)端子上。由于LED元件28 的其它端子和不同電位相連接，例如，接地電位，通過(guò)把電源總線Vcc上的 電壓施加在LED元件28，引起LED元件28照明。在使用脈沖信號(hào)44期間， 電容器32施加第二電壓件42和電源總線Vcc電壓之間的不同電壓，去掉通 過(guò)晶體管24上的任何電壓降。在脈沖信號(hào)44的終端，電容器32保存其儲(chǔ)存電壓并將此電壓施加到晶 體管26的控制極端子，于是LED元件28保持工作狀態(tài)，在沒(méi)有脈沖信號(hào)44 的情況下顯示照明狀態(tài)。當(dāng)脈沖信號(hào)44施加到有第一電壓40的相應(yīng)列母線上時(shí)，關(guān)閉LED元件 28。更具體的是，當(dāng)?shù)谝浑妷?0加到晶體管24的源極端子使晶體管24啟 動(dòng)的時(shí)候，在晶體管24的控制極端子施加脈沖信號(hào)44，于是電容器32通過(guò) 晶體管24放電，從而關(guān)閉晶體管26和停止LED元件28工作。在脈沖信號(hào) 44終端，電容器34施加近似電壓40的電壓，于是，即使在脈沖信號(hào)44停 止后，晶體管26保持關(guān)閉狀態(tài)，LED元件28保持待用狀態(tài)。用類似的方法，每個(gè)像素件20的每個(gè)分像素件22的每個(gè)LED元件28 可以響應(yīng)在適當(dāng)?shù)牧心妇€上的一個(gè)脈沖信號(hào)44的應(yīng)用而被打開(kāi)和關(guān)閉，當(dāng) 第二電壓42和第一電壓40分別應(yīng)用于在一個(gè)適當(dāng)?shù)碾妷和ㄟ^(guò)適當(dāng)?shù)碾娫纯?線Vcc的情況下的適當(dāng)列母線。參照?qǐng)D3并繼續(xù)參照?qǐng)D2，分像素件結(jié)構(gòu)件50代表形成每個(gè)像素件20 的每個(gè)分像素件22的機(jī)械構(gòu)造，以所需要的沉積順序，延伸半導(dǎo)體部件 52，延伸半導(dǎo)體部件54，延伸金屬部件56，延伸金屬部件58，延伸金屬部 件60，矩形金屬部件62，延伸金屬部件64，延伸金屬部件66，延伸絕緣體 部件68，矩形絕緣體部件70，矩形絕緣體部件72，延伸金屬部件74，延伸 金屬部件76，矩形金屬部件78和矩形金屬部件80。每個(gè)金屬部件56 — 66和74 — 80都可通過(guò)一種蔭罩沉積工藝由任何適宜 的可沉積的導(dǎo)電材料制成，例如，但不僅限于鉬(Mo)、銅(Cu)、鎳 (Ni)、鉻(Cr)、鋁(Al)、金(Au)或銦錫氧化物(ITO)。絕緣體部 件68 — 72都可通過(guò)蔭罩沉積工藝由任何適宜的且可沉積的非導(dǎo)電材料制 成，例如但不僅限于氧化鋁(A1203)或者氧化硅(Si02)。每個(gè)半導(dǎo)體部 件52和54都可通過(guò)蔭罩沉積工藝?yán)每沙练e的半導(dǎo)體材料制成，并且適于 通過(guò)真空蒸發(fā)，成一薄膜晶體管(TFT)，例如，但不僅限于硒化鎘 (CdSe)、硫化鎘(CdS)或者碲(Te)。在分像素結(jié)構(gòu)件50中，利用含有金屬部件62、絕緣體部件72和金屬部 件80的倉(cāng)形成電容器32;利用形成電容器32的部件組合加上半導(dǎo)體部件 54和金屬部件60形成晶體管26 (利用金屬部件80、 60和62作為晶體管26 的管門、源極和漏極)；利用半導(dǎo)體部件52、金屬部件56和58、絕緣體部 件68和金屬部件74和76的組合形成晶體管24 (利用金屬部件56和58作 為晶體管24的源極和漏極，利用金屬部件74和76形成晶體管24的管 門)。較好的是，圖2所示的每個(gè)分像素件22都由同樣的分像素結(jié)構(gòu)件實(shí) 現(xiàn)，例如分像素結(jié)構(gòu)件50。然而，這個(gè)也不應(yīng)作為限制本發(fā)明的條件，因?yàn)?br> 每個(gè)分像素件22可以通過(guò)任何適宜的分像素結(jié)構(gòu)件實(shí)現(xiàn)。然而，為了說(shuō)明 本發(fā)明，可以認(rèn)為下文中的每個(gè)分像素件22都是通過(guò)分像素結(jié)構(gòu)件50實(shí)現(xiàn) 的。在一個(gè)示例性的非限制性的實(shí)施例中，基體6是由一種非導(dǎo)電材料制 成，例如 一種鍍有金屬片材的絕緣材料；金屬部件60、 62和80是由Mo、 Cu、 Ni、 Cr、 Au或者Al制成的；絕緣體部件68 — 72是由A1203或者Si02 制成的；金屬部件56、 58、 64、 66和74 — 78是由Mo、 Cu、 Ni、 Cr、 Au或 者Al制成的，并且半導(dǎo)體部件52和54是由CdSe、 CdS、 Te或者其它任何 可利用蔭罩沉積工藝沉積的適宜的半導(dǎo)體材料制成的。為了完全形成每個(gè)功能分像素件22， 一種適宜的絕緣材料(未示出)通 過(guò)暴露金屬部件60全部或部分的開(kāi)孔，在圖3所示的分像素結(jié)構(gòu)件50上面 沉積，。在沉積的絕緣材料上面接著沉積另一個(gè)金屬部件36，使絕緣材料和 金屬部件60通過(guò)絕緣材料中的開(kāi)孔相接觸。此后，光發(fā)射材料30沉積在分 像素結(jié)構(gòu)件50上面，分像素結(jié)構(gòu)件50和金屬部件36相接觸，并且一種透 明金屬部件38沉積在光發(fā)射材料30上面，使光發(fā)射材料30夾在金屬部件 36和透明金屬部件38之間。較好的是，金屬部件36、光發(fā)射材料30和透 明金屬部件38的每個(gè)沉積物沉積在和它們對(duì)應(yīng)的分像素件22上面，分像素 件22與它們對(duì)應(yīng)分像素部件22上面的金屬部件36、光發(fā)射材料30和透明 金屬部件38的附近的沉積物是絕緣的。最后，在所有的金屬層38上面沉積 一層或片透明金屬材料(未示出)，夾在中間的絕緣材料作為所有分像素件 的公共電極。參照?qǐng)D4并繼續(xù)參照?qǐng)D1至圖3，在基體6上和圖2電路示意圖對(duì)應(yīng)的 LED像素結(jié)構(gòu)件的一個(gè)實(shí)際實(shí)施例。在一個(gè)示例性的實(shí)施例中，每個(gè)像素件 20的整體尺寸為126X 126微米，每個(gè)分像素件22的整體尺寸為63X63為 微米。然而，每個(gè)像素件20和分像素件22a的上述尺寸僅是示例性的，不 能夠作為限制本發(fā)明的條件?，F(xiàn)在說(shuō)明一個(gè)示例性的非限制性的沉積順序，通過(guò)蔭罩沉積系統(tǒng)2的復(fù) 合蔭罩16開(kāi)孔進(jìn)行沉積，形成含有每個(gè)分像素件22的分像素結(jié)構(gòu)件50?，F(xiàn)參照?qǐng)D5A — 5C并繼續(xù)參照所有前述附圖，每個(gè)復(fù)合蔭罩16包括在其 上通過(guò)的帶有多個(gè)第一孔92的第一蔭罩90、以及在其上通過(guò)的帶有多個(gè)第 二孔96的第二蔭罩94。帶有分別在其上通過(guò)多個(gè)第一孔92和多個(gè)第二孔 96的第一蔭罩90和第二蔭罩94的說(shuō)明不應(yīng)作為本發(fā)明的限制條件，因?yàn)楦?據(jù)需要，第一蔭罩90可能僅包括一個(gè)單獨(dú)的第一孔92，第二蔭罩94可能僅 包括在其上通過(guò)的一個(gè)單獨(dú)第二孔96。出于說(shuō)明本發(fā)明的目的，可以認(rèn)為， 第--蔭罩90有多個(gè)在其上通過(guò)的第一孔92，第二蔭罩94有多個(gè)在其上通過(guò) 的第二孑L 96。較好的i，每個(gè)沉積真空容器4包括具有相同復(fù)合蔭罩16的一個(gè)示 例。因此，在沉積真空容器4b中的復(fù)合蔭罩16b要好是和在沉積真空容器 4a中的復(fù)合蔭罩16a相同；在沉積真空容器4c中的復(fù)合蔭罩16c要好是和 在沉積真空容器4b中的復(fù)合蔭罩16相同，并且依此類推。更具體的是，形 成復(fù)合蔭罩16的第一個(gè)蔭罩90要好是相同的，形成復(fù)合蔭罩16的第二蔭 罩94要好是相同的，并且每個(gè)蔭罩90要好是和每個(gè)蔭罩94是相同的。因
此，較好的是，利用相同的蔭罩90a和94a形成復(fù)合蔭罩16a;利用相同的 蔭罩90b和94b形成復(fù)合蔭罩16b，并且依此類推。為了完成所需要的材料沉積來(lái)形成每個(gè)分像素結(jié)構(gòu)件50的各種不同部 件，調(diào)整形成每個(gè)復(fù)合蔭罩16的第一蔭罩90和第二蔭罩94的位置使它們 彼此相互對(duì)應(yīng)，這樣的話，為沉積在其上通過(guò)的材料，至少就位的各個(gè)第一 孔92和第二孔96部分的排成一直線，從而可確定在復(fù)合蔭罩16中開(kāi)孔98 的適宜尺寸或規(guī)格和位置。每個(gè)復(fù)合蔭罩16也可用定位開(kāi)孔98的方式在相 應(yīng)沉積真空容器4中定位，便于在基體6上于所需要的位置的相應(yīng)材料的沉 積?？梢钥闯?，為了沉積每個(gè)分像素結(jié)構(gòu)件50的每個(gè)部件52 — 80，利用由 相同蔭罩90和94構(gòu)成的相同復(fù)合蔭罩16，每個(gè)孔92和孔96的高度和寬度 僅需要略微大于分像素結(jié)構(gòu)件50高度和寬度的一半。因此，例如，如果分 像素結(jié)構(gòu)件50的整體尺寸是63X63微米，僅需要每個(gè)孔92和96的整體尺 寸略微大于分像素結(jié)構(gòu)件50的整體尺寸的一半，例如，示于圖5A的34X34 微米。限制每個(gè)孔92和孔96的長(zhǎng)度和寬度略微大于每個(gè)分像素結(jié)構(gòu)件50的 各自長(zhǎng)度和寬度的一半，可以使包含蔭罩沉積系統(tǒng)2的復(fù)合蔭罩16的蔭罩 90和94能夠沉積每個(gè)分像素結(jié)構(gòu)件50的每個(gè)部件52 — 80，同時(shí)避免兩個(gè) 或多個(gè)第二孔96和單個(gè)第-一孔92的一次或多次不必要的排列實(shí)例，或者反 之亦然。更加具體的是，選擇每個(gè)孔92和96的實(shí)際長(zhǎng)度和寬度，作為避免 單個(gè)第一孔92和兩個(gè)或更多第二孔96之間不必要的一次或多次疊加的折衷 辦法，或者反之亦然，同時(shí)如最佳在圖3所示，可進(jìn)行沉積完部件所需要的 疊加，例如，部件66疊加在部件56上；部件76疊加在部件74上；部件64 疊加在部件66上，并且依此類推。換句話說(shuō)，限制每個(gè)孔92和96的長(zhǎng)度 和寬度略微大于相應(yīng)分像素結(jié)構(gòu)件50的長(zhǎng)度和寬度的一半，可用相同的復(fù) 合蔭罩16形成分像素結(jié)構(gòu)件50的緊密組裝排列，每個(gè)復(fù)合蔭罩16都是由 相同的蔭罩90和94構(gòu)成。利用相同蔭罩90和94形成蔭罩沉積系統(tǒng)2的每 個(gè)復(fù)合蔭罩16的顯著優(yōu)點(diǎn)在于節(jié)省了為每個(gè)沉積真空容器4而設(shè)計(jì)、制造 和盤存獨(dú)特蔭罩所花費(fèi)的相關(guān)時(shí)間和費(fèi)用。另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，為形成每個(gè)復(fù) 合蔭罩16，蔭罩90和蔭罩94具有可互換性。特別方便之處在于，可以利用 一個(gè)新的或者干凈的蔭罩90或94替換一個(gè)已經(jīng)磨損的或者臟的(有材料結(jié) 垢的)蔭罩。圖5A-5C示出通過(guò)開(kāi)孔98a在基體6的部分上沉積半導(dǎo)體部件52，開(kāi)孔 98a分別由蔭罩90a和94a的第一孔92a和第二孔96a的部分排列而成的； 為在基體6上沉積材料形成半導(dǎo)體部件52，蔭罩90a和94a構(gòu)成復(fù)合蔭罩 16a，復(fù)合蔭罩16a在帶有沉積源12a的沉積真空容器4a中沉積。在圖5B 和5C中，出于說(shuō)明的目的，基體6、第二蔭罩94a和第一蔭罩90a顯示為相 互分隔開(kāi)來(lái)；然而，實(shí)際上，蔭罩90a和蔭罩94a處于密切接觸的位置，蔭 罩94a和基體6在半導(dǎo)體部件52沉積期間處于密切接觸的位置。還有，在 圖5B和5C中，半導(dǎo)體部件52的沉積高度因?yàn)檎f(shuō)明的目的而有所放大。用于沉積材料部件54 — 80的蔭罩沉積系統(tǒng)2的每個(gè)復(fù)合蔭罩16的第一 蔭罩90和第二蔭罩94的位置分別參照第一和第二蔭罩90和94的一個(gè)單個(gè)
第一孔92和一個(gè)單個(gè)第二孔96的排列來(lái)形成相應(yīng)的復(fù)合蔭罩16?，F(xiàn)在進(jìn)一 步說(shuō)明為了第一蔭罩90和第二蔭罩94的定位。在圖6至圖19中，出于說(shuō) 明的目的，排列單個(gè)第一孔92和單個(gè)第二孔96來(lái)在相應(yīng)復(fù)合蔭罩16中形 成開(kāi)孔98，顯示為和一個(gè)示例性分像素結(jié)構(gòu)件50相鄰。參照?qǐng)D6并繼續(xù)參照所有前述附圖，在沉積真空容器4a中于基體6的 部分上沉積每個(gè)半導(dǎo)體部件52，接著，將基體6的所述部分推進(jìn)到含有復(fù)合 蔭罩16b的沉積真空容器4b中。為了利用沉積源12b的材料沉積半導(dǎo)體部 件54，復(fù)合蔭罩16b的第一蔭罩90b和第二蔭罩94b如此就位，使每個(gè)分像 素結(jié)構(gòu)件50、 一個(gè)單個(gè)第一孔92b和一個(gè)單個(gè)第二孔96b排列形成復(fù)合蔭罩 16b的一個(gè)開(kāi)孔98b。參照?qǐng)D7并繼續(xù)參照所有前述附圖，在沉積真空容器4b中于基體6的 部分上沉積每個(gè)半導(dǎo)體部件54，接著，將基體6的所述部分推進(jìn)到含有復(fù)合 蔭罩16c的沉積真空容器4c中。為了利用沉積源12c的材料沉積金屬部件 56，復(fù)合蔭罩16c的第一蔭罩90c和第二蔭罩94c如此就位，使每個(gè)分像素 結(jié)構(gòu)件50、 一個(gè)單個(gè)第一孔92c和一個(gè)單個(gè)第二孔96c排列形成復(fù)合蔭罩 16c的一個(gè)開(kāi)孔98c。參照?qǐng)D8并繼續(xù)參照所有前述附圖，在沉積真空容器4c中于基體6的 部分上沉積每個(gè)金屬部件56，接著，將基體6的所述部分推進(jìn)到含有復(fù)合蔭 罩16d的沉積真空容器4d中。為了利用沉積源12d的材料沉積金屬部件 58，復(fù)合蔭罩16d的第一個(gè)蔭罩90d和第二個(gè)蔭罩94d如此就位，使每個(gè)分 像素結(jié)構(gòu)件50、 一個(gè)單個(gè)第一孔92d和一個(gè)單個(gè)第二孔96d排列形成復(fù)合蔭 罩16d的一個(gè)開(kāi)孔98d。參照?qǐng)D9并參照所有前述附圖，在沉積真空容器4d中于基體6的部分 上沉積每個(gè)金屬部件58，接著，將基體6的所述部分推進(jìn)到含有復(fù)合蔭罩 16e的沉積真空容器4e中。為了利用沉積源12e的材料沉積金屬部件60， 復(fù)合蔭罩16e的第一個(gè)蔭罩90e和第二個(gè)蔭罩94e如此就位，使每個(gè)分像素 結(jié)構(gòu)件50、 一個(gè)單個(gè)第一孔92e和一個(gè)單個(gè)第二孔96e排列形成復(fù)合蔭罩 16c的一個(gè)開(kāi)孔98e。參照?qǐng)D10并繼續(xù)參照所有前述附圖，在沉積真空容器4e中于基體6的 部分上沉積每個(gè)金屬部件60，接著，將基體6的所述部分推進(jìn)到含有復(fù)合蔭 罩16f的沉積真空容器4f中。為了利用沉積源12f的材料沉積金屬部件 62，復(fù)合蔭罩16f的第一個(gè)蔭罩90f和第二個(gè)蔭罩94f如此就位，使每個(gè)分 像素結(jié)構(gòu)件50、 一個(gè)單個(gè)第一個(gè)孔92f和一個(gè)單個(gè)第二個(gè)孔96f排列形成復(fù) 合蔭罩16f的一個(gè)開(kāi)孔98f 。參照?qǐng)D11并繼續(xù)參照所有前述附圖，在沉積真空容器4f中于基體6的 部分上沉積每個(gè)金屬部件62，接著，將基體6的所述部分推進(jìn)到含有復(fù)合蔭 罩16g的沉積真空容器4g中。為了利用沉積源12g的材料沉積每個(gè)金屬部 件64，復(fù)合蔭罩16g的第一個(gè)蔭罩90g和第二個(gè)蔭罩94g如此就位，使一個(gè) 單個(gè)第一個(gè)孔92g和一個(gè)單個(gè)第二個(gè)孔96g排列形成復(fù)合蔭罩16g的一個(gè)開(kāi) 孔98g。參照?qǐng)D12并繼續(xù)參照所有前述附圖，在沉積真空容器4g中于基體6的 部分上沉積每個(gè)金屬部件64，接著，將基體6的所述部分推進(jìn)到含有復(fù)合蔭
罩16h的沉積真空容器4h中。為了利用沉積源12h的材料沉積金屬部件 66，復(fù)合蔭罩16h的第一個(gè)蔭罩90h和第二個(gè)蔭罩94h如此就位，使每個(gè)分 像素結(jié)構(gòu)件50、 一個(gè)單個(gè)第一個(gè)孔92h和一個(gè)單個(gè)第二個(gè)孔96h排列形成復(fù) 合蔭罩16h的一個(gè)開(kāi)孔98h。
參照?qǐng)D13并繼續(xù)參照所有前述附圖，在沉積真空容器4h中于基體6的 部分上沉積每個(gè)金屬部件66，接著，將基體6的所述部分推進(jìn)到含有復(fù)合蔭 罩16i的沉積真空容器4i中。為了利用沉積源12i的材料沉積絕緣部件 68，復(fù)合蔭罩16i的第一個(gè)蔭罩90i和第二個(gè)蔭罩94i如此就位，使每個(gè)分 像素結(jié)構(gòu)件50、 一個(gè)單個(gè)第一孔92i和一個(gè)單個(gè)第二孔96i排列形成復(fù)合蔭 罩16i的一個(gè)開(kāi)孔98i。
參照?qǐng)D14并繼續(xù)參照所有前述附圖，在沉積真空容器4i中于基體6的 部分上沉積每個(gè)絕緣部件68，接著，將基體6的所述部分推進(jìn)到含有復(fù)合蔭 罩16j的沉積真空容器4j中。為了利用沉積源12j的材料沉積絕緣部件 70，復(fù)合蔭罩16j的第一個(gè)蔭罩90j和第二個(gè)蔭罩94j如此就位，使每個(gè)分 像素結(jié)構(gòu)件50、 一個(gè)單個(gè)第一孔92j和一個(gè)單個(gè)第二孔96j排列形成復(fù)合蔭 罩16j的一個(gè)開(kāi)孔98jo
參照?qǐng)D15并繼續(xù)參照所有前述附圖，在沉積真空容器4j中于基體6的 部分上沉積每個(gè)絕緣部件70，接著，將基體6的所述部分推進(jìn)到含有復(fù)合蔭 罩16k的沉積真空容器4k中。為了利用沉積源12k的材料沉積絕緣部件 72，復(fù)合蔭罩16k的第一個(gè)蔭罩90k和第二個(gè)蔭罩94k如此就位，使每個(gè)分 像素結(jié)構(gòu)件50、 一個(gè)單個(gè)第一孔92k和一個(gè)單個(gè)第二孔96k排列形成復(fù)合蔭 罩16k的一個(gè)開(kāi)孔98k。
參照?qǐng)D16并繼續(xù)參照所有前述附圖，在沉積真空容器4k中于基體6的 部分上沉積每個(gè)絕緣部件72，接著，將基體6的所述部分推進(jìn)到含有復(fù)合蔭 罩161的沉積真空容器41中。為了利用沉積源121的材料沉積每個(gè)金屬部 件74，復(fù)合蔭罩161的第一個(gè)蔭罩901和第二個(gè)蔭罩941如此就位，使一個(gè) 單個(gè)第一孔921和一個(gè)單個(gè)第二孔961排列形成復(fù)合蔭罩161的一個(gè)開(kāi)孔 981。
參照?qǐng)D17并繼續(xù)參照所有前述附圖，在沉積真空容器41中于基體6的 部分上沉積每個(gè)金屬部件74，接著，將基體6的所述部分推進(jìn)到含有復(fù)合蔭 罩16m的沉積真空容器4m中。為了利用沉積源12m的材料沉積金屬部件 76，復(fù)合蔭罩16m的第一蔭罩90m和第二蔭罩94m如此就位，使每個(gè)分像素 結(jié)構(gòu)件50、 一個(gè)單個(gè)第一孔92m和一個(gè)單個(gè)第二孔96m排列形成復(fù)合蔭罩 16m的一個(gè)開(kāi)孔98m。
參照?qǐng)D18并繼續(xù)參照所有前述附圖，在沉積真空容器4m中于基體6的 部分上沉積每個(gè)金屬部件76，接著，將基體6的所述部分推進(jìn)到含有復(fù)合蔭 罩16n的沉積真空容器4n中。為了利用沉積源12n的材料沉積金屬部件 78，復(fù)合蔭罩16n的第一蔭罩90n和第二蔭罩94n如此就位，使每個(gè)分像素 結(jié)構(gòu)件50、 一個(gè)單個(gè)第一孔92n和一個(gè)單個(gè)第二孔96n排列形成復(fù)合蔭罩 16n的一個(gè)開(kāi)孔98n。
最后，參照?qǐng)D19并繼續(xù)參照所有前述附圖，在沉積真空容器4n中于基 體6的部分上沉積每個(gè)金屬部件78，接著，將基體6的所述部分推進(jìn)到含有
復(fù)合蔭罩16o的沉積真空容器4o中。為了利用沉積源12o的材料沉積金屬 部件80，復(fù)合蔭罩16o的第一蔭罩90o和第二蔭罩94o如此就位，使每個(gè)分 像素結(jié)構(gòu)件50、 一個(gè)單個(gè)第一孔92o和一個(gè)單個(gè)第二孔96o排列形成復(fù)合蔭 罩16o的一個(gè)開(kāi)孔98o。
在基體6上沉積金屬部件80完成由分像素結(jié)構(gòu)件50規(guī)定的電子元件的 成形。較好的是，所有分像素結(jié)構(gòu)件50都以上述的方法同時(shí)形成。此后， 如果需要的話，可以在基體6上沉積上面說(shuō)明的附加部件或?qū)?，?lái)改善電子 器件的制備，例如一個(gè)活動(dòng)基材LED。
按照以上說(shuō)明，所有蔭罩90都是相同的，所有蔭罩94也是相同的。另 外，每個(gè)蔭罩90都和每個(gè)蔭罩94是同樣的。限制每個(gè)孔92和孔96的尺 寸，使其長(zhǎng)度和寬度都分別略微大于準(zhǔn)備在那成形的分像素結(jié)構(gòu)件的長(zhǎng)度和 寬度的一半，從而可以利用孔92和孔96的排列組合形成緊密組裝結(jié)構(gòu)，例 如分像素結(jié)構(gòu)件50的一個(gè)排列，在基體6上，同時(shí)避免在一個(gè)沉積事件 中， 一個(gè)單個(gè)第一孔92和兩個(gè)或更多第二孔96疊加，或者反之亦然。利用 多個(gè)相同蔭罩90和94來(lái)形成蔭罩沉積系統(tǒng)2中的復(fù)合蔭罩16，避免在蔭罩 沉積系統(tǒng)2中使用的的時(shí)候，不必要的設(shè)計(jì)、制造和盤存大量帶有不同規(guī)格 (或尺寸)和/或位置開(kāi)孔的蔭罩。
較好的是，每個(gè)沉積真空容器4的罩排列系統(tǒng)15配置成為每個(gè)單個(gè)蔭 罩90和94中的一個(gè)或兩者有可選擇的x和/或y排列，蔭罩90和94在沉 積真空容器4的外部形成相應(yīng)的復(fù)合蔭罩16，于是，可以調(diào)節(jié)復(fù)合蔭罩16 的每個(gè)開(kāi)孔98的x和/或y規(guī)格，而不必破壞沉積真空容器4的真空條件。 因此，如果確定一個(gè)或多個(gè)通過(guò)復(fù)合蔭罩16的每個(gè)開(kāi)孔98所沉積的材料規(guī) 格超過(guò)公差，可以利用蔭罩排列系統(tǒng)15調(diào)節(jié)所述的一個(gè)或多個(gè)規(guī)定，而不 必破壞沉積真空容器4的真空條件，使隨后的材料沉積滿足公差要求。每個(gè) 罩排列系統(tǒng)15都具有這樣的功能，可以一個(gè)調(diào)節(jié)復(fù)合蔭罩16每個(gè)開(kāi)孔98 的一個(gè)或多個(gè)規(guī)格，這種調(diào)節(jié)功能在連續(xù)在線蔭罩沉積系統(tǒng)中是非常有用 的，可以在連續(xù)生產(chǎn)過(guò)程中補(bǔ)償每個(gè)開(kāi)孔98上或周圍沉積材料的形成，因 此避免破壞沉積真空容器4的真空條件，來(lái)調(diào)節(jié)與這樣形成相對(duì)應(yīng)的每個(gè)開(kāi) 孔98的規(guī)格。在生產(chǎn)材料沉積之前和修正每個(gè)開(kāi)孔98不以沉積材料的形式 如振動(dòng)而引起規(guī)格的任何變化，每個(gè)罩排列系統(tǒng)15還可用于設(shè)置每個(gè)開(kāi)孔 98的規(guī)格和在相應(yīng)沉積真空容器4中的位置。
在一個(gè)非限制性的實(shí)施例中，罩排列系統(tǒng)15包含形成相應(yīng)復(fù)合蔭罩16 的每個(gè)單個(gè)蔭罩90和94的x和/或y位置的微米尺度調(diào)節(jié)。然而，這不能 作為限制本發(fā)明的條件。
通過(guò)參照較好的具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明?？梢岳斫?，本領(lǐng) 域的普通技術(shù)人員在閱讀和理解上述具體說(shuō)明的基礎(chǔ)上，可根據(jù)特定應(yīng)用所 需要沉積的一種或多種材料來(lái)改進(jìn)和變更本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明實(shí)施例組件來(lái)將 其制造出來(lái)。專利權(quán)人也認(rèn)識(shí)到前面的描述僅是說(shuō)明，這些改進(jìn)和變更沒(méi)有 脫離本發(fā)明的待決權(quán)利要求書(shū)中所列的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、 形成一種電子裝置的一種蔭罩沉積方法包括(a) 推進(jìn)一基體通過(guò)多個(gè)沉積真空容器，每個(gè)沉積真空容器都包括一個(gè) 材料沉積源和位于其中的一個(gè)復(fù)合蔭罩；和(b) 利用位于每個(gè)沉積真空容器中的材料沉積源在基體上沉積材料，通 過(guò)相應(yīng)復(fù)合蔭罩在基體上形成由一排電子元件組成的一個(gè)電路，其中每個(gè)復(fù)合蔭罩包括一個(gè)第一蔭罩，第一蔭罩帶有至少一個(gè)在其上通過(guò)的第一孔和一個(gè)第二蔭罩，第二蔭罩帶有至少一個(gè)在其上通過(guò)的第二孔；和每個(gè)復(fù)合蔭罩的第一和第二蔭罩都通過(guò)和一個(gè)第二孔排列成行的一個(gè)第 一孔定位，按所需要尺寸規(guī)定開(kāi)孔，經(jīng)過(guò)復(fù)合蔭罩按照所需要的圖樣在其上 通過(guò)的基體上沉積材料。
2、 權(quán)利要求l所述的方法，其中每個(gè)第一蔭罩都有多個(gè)在其上通過(guò)的第一孔，所有所述的第一孔都有相 同的尺寸；和每個(gè)第二蔭罩都有多個(gè)在其上通過(guò)的第二孔，所有所述的第二孔都有相 同的尺寸。
3、 權(quán)利要求2所述的方法，其中所有第一蔭罩都有在其上通過(guò)第一孔的相同圖樣；和 所有第二蔭罩都有在其上通過(guò)第二孔的相同圖樣。
4、 權(quán)利要求3所述的方法，其中每個(gè)第一孔都有和每個(gè)第二孔相同的尺寸；和在每個(gè)第一蔭罩中的第一孔的圖樣都和在每個(gè)第二蔭罩中的第二孔的圖 樣相同。
5、 權(quán)利要求4所述的方法，其中所述的電路包括多個(gè)相同的電子元件，每個(gè)電子元件都有相同的尺寸；和在基體上沉積至少一種材料期間，每個(gè)第一孔和每個(gè)第二孔都有這樣的 尺寸，比每個(gè)電子元件尺寸的二分之一大，但比和兩個(gè)第二孔排列成行的一 個(gè)第一孔的尺寸小，或者反之亦然。
6、 在權(quán)利要求2所述的方法中，所有蔭罩都是相同的。
7、 權(quán)利要求6所述的方法，其中一個(gè)第一沉積真空容器包括一個(gè)第一復(fù)合蔭罩，這個(gè)復(fù)合蔭罩具有設(shè)置 的第一和第二蔭罩如此就位，相應(yīng)的第一和第二孔限定一個(gè)開(kāi)孔，這個(gè)開(kāi)孔 具有在第一復(fù)合蔭罩中第一尺寸規(guī)格；和一個(gè)第二沉積真空容器包括一個(gè)第二復(fù)合蔭罩，這個(gè)復(fù)合蔭罩具有設(shè)置 的第一和第二蔭罩如此就位，相應(yīng)的第一和第二孔限定一個(gè)開(kāi)孔，這個(gè)開(kāi)孔 在第二復(fù)合蔭罩中具有一個(gè)第二，不同的尺寸規(guī)格。
8、 權(quán)利要求l闡明的方法，其中 所述的多個(gè)沉積真空容器是相互連接的；所述的基體是一種延伸片材，通過(guò)多個(gè)沉積真空容器，沿其長(zhǎng)度方向被 推進(jìn)，于是，至少基體的一部分經(jīng)過(guò)每個(gè)沉積真空容器連續(xù)推進(jìn)；和 所述的基體的一部分從位于沉積真空容器中的沉積源中獲得材料的沉積。
9、 形成一種電子裝置的一種蔭罩沉積方法包括(a) 利用排列在多個(gè)倉(cāng)中的多個(gè)相同蔭罩形成類似數(shù)量的復(fù)合蔭罩，每個(gè) 復(fù)合蔭罩都和一個(gè)材料沉積源一起放置在一個(gè)沉積真空容器中；(b) 從在一個(gè)第一沉積真空容器中的材料沉積源的基體上沉積一個(gè)第一種 材料，是通過(guò)在一個(gè)第一復(fù)合蔭罩中的一個(gè)開(kāi)孔，第一復(fù)合蔭罩是由形成所 述第一個(gè)復(fù)合蔭罩的蔭罩倉(cāng)孔的全部或部分排列而成的；和(c)從一個(gè)第二個(gè)沉積真空容器中的材料沉積源在基體上沉積一個(gè)第二 種材料，是通過(guò)在一個(gè)第二個(gè)復(fù)合蔭罩中的開(kāi)孔，利用在，第二個(gè)復(fù)合蔭罩 是由形成所述第二個(gè)復(fù)合蔭罩的蔭罩的倉(cāng)孔的全部或部分排列而成的，其中 至少一個(gè)(i)每個(gè)復(fù)合蔭罩開(kāi)孔尺寸，和(ii)在沉積材料經(jīng)過(guò)所述開(kāi)孔 期間與基體相對(duì)的每個(gè)復(fù)合蔭罩開(kāi)孔位置是不同的，于是，在基體上沉積的 每種材料的尺寸和/或位置是不同的。
10、 權(quán)利要求9所述的方法，還包括在基體上連續(xù)沉積多種材料，經(jīng)過(guò) 在類似多個(gè)復(fù)合蔭罩中的開(kāi)孔，在基體上形成一排電子元件，其中每個(gè)開(kāi)孔 都是由在形成所述復(fù)合蔭罩的蔭罩中的孔的全部或部分排列而成的。
11、 權(quán)利要求10所述的方法，其中每種材料可以是一個(gè)導(dǎo)體、 一個(gè)絕 緣體和一個(gè)半導(dǎo)體中的一種。
12、 一種蔭罩沉積系統(tǒng)包括 多個(gè)系列連接的沉積真空容器； 在每個(gè)沉積真空容器中都配有一個(gè)材料沉積源；設(shè)在每個(gè)沉積真空容器中的一個(gè)復(fù)合蔭罩，每個(gè)復(fù)合蔭罩由排列在一個(gè) 倉(cāng)中的多個(gè)相同蔭罩組成，每個(gè)復(fù)合蔭罩有至少一個(gè)在其上通過(guò)的開(kāi)孔，這 個(gè)開(kāi)孔是由組成所述復(fù)合蔭罩的多個(gè)相同蔭罩中孔的全部或部分排列而成 的；禾口輸送基體通過(guò)系列連接沉積真空容器的方法，以獲得從每個(gè)材料沉積源 的一個(gè)沉積材料，通過(guò)在相應(yīng)復(fù)合蔭罩中的至少一個(gè)開(kāi)孔，以形成每個(gè)材料 沉積源在所述基體上形成至少一種電子元件。
13、 權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中至少一個(gè)(i)每個(gè)復(fù)合蔭罩的每個(gè) 開(kāi)孔的一個(gè)尺寸，和(ii)在沉積材料經(jīng)過(guò)所述開(kāi)孔的期間，相對(duì)于基體的 每個(gè)復(fù)合蔭罩復(fù)合的每個(gè)開(kāi)孔位置是不同的。
14、 權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中每個(gè)復(fù)合蔭罩都含有在其中通過(guò)的多個(gè)開(kāi)孔；和 從每個(gè)材料沉積源沉積的材料在基體上形成多個(gè)電子元件。
15、 權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中，多個(gè)電子元件完全通過(guò)從材料沉 積源上連續(xù)性的材料沉積形成于基體上。
16、 權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中，基體是至少(i)非導(dǎo)電的(ii) 柔性的和(iii)透明的材料中一種。
17、 權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中基體是由玻璃制備而成的。
18、 一種形成電子裝置的方法包括下列步驟 (a)提供一種基體； (b) 在真空條件下，通過(guò)復(fù)合蔭罩在基體上沉積半導(dǎo)體材料；(c) 在真空條件下，通過(guò)復(fù)合蔭罩在基體上沉積導(dǎo)電材料；和(d) 在真空條件下，通過(guò)復(fù)合蔭罩在基體上沉積絕緣材料，其中 每個(gè)復(fù)合蔭罩由多個(gè)相同的蔭罩組成，每個(gè)蔭罩都有在其中通過(guò)的孔。 每個(gè)復(fù)合蔭罩的蔭罩以通過(guò)其中的孔定位，以一定的方式排列確定開(kāi)孔，通過(guò)復(fù)合蔭罩以所需要的圖樣在其中通過(guò)的基體上沉積材料；和絕緣材料、半導(dǎo)體材料和導(dǎo)體材料的沉積共同作用以形成經(jīng)過(guò)在復(fù)合蔭 罩中的開(kāi)孔，完全通過(guò)連續(xù)性的材料沉積在基體上形成一電子元件。
19、 權(quán)利要求18中闡明的方法，其中電子元件可以是一種薄膜晶體管 (TFT)、 一種二極管、 一種儲(chǔ)存元件或者是一種電容器。
20、 權(quán)利要求18中闡明的方法，其中所有復(fù)合蔭罩都是相同的。
全文摘要
一種蔭罩沉積系統(tǒng)包括多個(gè)相同的蔭罩，利用排列在多個(gè)倉(cāng)中的相同蔭罩形成類似數(shù)量的復(fù)合蔭罩，每個(gè)復(fù)合蔭罩連同一個(gè)材料沉積源放置在一個(gè)沉積真空容器中。通過(guò)在相應(yīng)復(fù)合蔭罩中的開(kāi)孔，利用材料沉積源在基體上沉積材料，每個(gè)開(kāi)孔是由形成復(fù)合蔭罩的多個(gè)蔭罩中的孔的全部或部分排列而成，從而在基體上形成一排電子元件。
文檔編號(hào)H01L21/3205GK101124656SQ200680000288
公開(kāi)日2008年2月13日 申請(qǐng)日期2006年6月6日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月8日
發(fā)明者托馬斯·P·布羅迪 申請(qǐng)人:阿德文泰克全球有限公司