專利名稱：半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種固定裝置，且特別是涉及一種配置于反應(yīng)室中，用以固定圓形頂板(Shower head)的固定裝置。
背景技術(shù)：
集成電路在我們的日常生活中，幾乎已達(dá)到無所不在的境界，其主要的應(yīng)用除了我們耳熟能詳?shù)挠?jì)算機(jī)工業(yè)外，現(xiàn)已廣泛地應(yīng)用在各種的消費(fèi)性電子產(chǎn)品上。而集成電路的生產(chǎn)主要分為三個(gè)階段，從硅芯片的制造，到集成電路的制作，最后在封裝之后，才能算是完成一個(gè)成品。
上述的三個(gè)生產(chǎn)階段中，又以集成電路制作的流程最為復(fù)雜，包括了晶片清洗、氧化、光刻、離子注入、蝕刻、光致抗蝕劑剝除、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、化學(xué)機(jī)械拋光、快速熱回火等數(shù)百種不同的工藝，需耗時(shí)一、兩個(gè)月才能完成，且由于這些工藝多半是在一個(gè)反應(yīng)室中完成，反應(yīng)室的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)將直接影響到工藝的成品率，因此，如何設(shè)計(jì)一個(gè)同時(shí)符合各階段工藝要求，以及維護(hù)產(chǎn)品成品率的反應(yīng)室也成為半導(dǎo)體廠商的重要課題。
圖1所繪示為傳統(tǒng)反應(yīng)室的俯視圖。請參照圖1，半導(dǎo)體反應(yīng)室100包括了四個(gè)支撐架110、120、130、140、圓形頂板(Shower head)170(為四個(gè)支撐架所支撐，主要作用為提供反應(yīng)氣體來源，利用似蓮蓬頭噴灑方式將反應(yīng)氣體均勻、等量通入反應(yīng)室內(nèi)，進(jìn)而完成反應(yīng)氣體的供應(yīng))以及一個(gè)閘式閥(GateValve)150，其中閘式閥150為提供半導(dǎo)體元件160進(jìn)出反應(yīng)室100的一個(gè)出入口。
然而，由于支撐架110、120、130、140的設(shè)計(jì)位于反應(yīng)室之內(nèi)，因此在半導(dǎo)體元件160實(shí)施薄膜工藝時(shí)，很容易使薄膜附著其上，隨著長時(shí)間反復(fù)的累積之后，這些附著的薄膜將開始掉落，且由于其中支撐架110的位置又是位于半導(dǎo)體元件160進(jìn)出反應(yīng)室100的路徑上，因此會(huì)在半導(dǎo)體元件160上形成一道由微塵(Particle)形成的帶狀缺陷。圖2所繪示為晶片上微塵的分布圖，如圖2所示，由支撐架掉落在晶片200上的微塵集中分布于晶片200中央的帶狀區(qū)域，其長度及寬度分別為300.0mm(晶片200的直徑)及47.2mm，如此將有可能使半導(dǎo)體元件160因遭受污染而損壞，造成不小的損失。
實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型的目的就是在提供一種半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置，通過將用來固定反應(yīng)室內(nèi)圓形頂板的支撐架從半導(dǎo)體元件進(jìn)出反應(yīng)室的閘式閥的路徑上移除，而避免附著在支撐架上的微塵掉落，而造成半導(dǎo)體元件的缺陷。
本實(shí)用新型提出一種半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置，適于固定反應(yīng)室中的圓形頂板及三個(gè)支撐架。其中，圓形頂板提供反應(yīng)氣體來源，而三個(gè)支撐架則分別配置于圓形頂板旁的三個(gè)支撐點(diǎn)，適于在反應(yīng)室中固定圓形頂板，且任何一個(gè)支撐架皆不配置于半導(dǎo)體元件進(jìn)出反應(yīng)室的閘式閥的路徑上。
依照本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例所述半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置，上述的支撐點(diǎn)以形成一個(gè)正三角形的三個(gè)頂點(diǎn)的方式配置于圓形頂板的外圍，以均衡固定圓形頂板。
依照本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例所述半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置，上述的支撐點(diǎn)其中之一配置于圓形頂板外圍相對閘式閥的位置上。
依照本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例所述半導(dǎo)體反應(yīng)室固定裝置，上述的支撐架具有用以嵌住圓形頂板的寬度，從而固定圓形頂板。
依照本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例所述半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置，上述的寬度介于50至60毫米(mm)之間。
依照本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例所述半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置，上述的半導(dǎo)體元件的直徑約為300毫米。
本實(shí)用新型因采用以三個(gè)支撐架固定圓形頂板，從而避免在晶片進(jìn)出反應(yīng)室時(shí)，附著在支撐架上的微塵掉落在所述晶片上，且以正三角形的方式配置此三個(gè)支撐架，而達(dá)到均衡固定圓形頂板的功效。
為讓本實(shí)用新型的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下配合附圖以及優(yōu)選實(shí)施例，以更詳細(xì)地說明本實(shí)用新型。


圖1所繪示為傳統(tǒng)反應(yīng)室的俯視圖。
圖2所繪示為晶片上微塵的分布圖。
圖3是依照本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置的配置圖。
圖4是依照本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例所繪示的改良后晶片上微塵的分布圖。
簡單符號(hào)說明100、300反應(yīng)室110、120、130、140、310、320、330支撐架150、340閘式閥160、360半導(dǎo)體元件170、350圓形頂板200、400晶片具體實(shí)施方式
圖3是依照本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置的配置圖。請參照圖3，本實(shí)施例通過重新配置反應(yīng)室300中的支撐架位置及數(shù)量，而將支撐架從半導(dǎo)體元件進(jìn)出反應(yīng)室300的路徑中移除，以避免支撐架上的微塵掉落半導(dǎo)體元件造成污染。
如圖3所示，反應(yīng)室300包括了三個(gè)支撐架310、320、330，以及一個(gè)閘式閥340，其中，此三個(gè)支撐架310、320、330分別配置于圓形頂板350外圍的三個(gè)支撐點(diǎn)，用以固定圓形頂板350，且支撐架310、320、330之中的任一個(gè)皆不配置于半導(dǎo)體元件360進(jìn)出反應(yīng)室300的閘式閥340的路徑上。
此外，上述支撐架310、320、330以形成正三角形的三個(gè)頂點(diǎn)的方式配置于圓形頂板350的外圍，因此可以均衡固定圓形頂板350。而支撐架310、320、330的其中之一例如是配置于圓形頂板350外圍相對于閘式閥340的位置上，并不限制其范圍。
值得一提的是，本實(shí)施例的半導(dǎo)體元件例如是一個(gè)晶片，而其直徑例如是約300毫米(mm)，且支撐架310、320、330亦可具有一個(gè)介于50至60毫米之間寬度，以適于嵌住圓形頂板350，從而固定圓形頂板350。
圖4是依照本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例所繪示的改良后晶片上微塵的分布圖，如圖4所示，由支撐架掉落在晶片400上的微塵數(shù)量已大幅減少，且僅零星分散于晶片400的表面上，與采用傳統(tǒng)固定裝置所造成的帶狀缺陷(如圖2所示)相比，本實(shí)用新型的半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置，可有效避免支撐架上的微塵掉落在晶片之上。
綜上所述，在本實(shí)用新型的半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置中，通過將固定圓形頂板的支撐架自晶片進(jìn)出反應(yīng)室的路徑中移除，因此可以避免附著于支撐架上的微塵掉落，且由于支撐架以正三角形的三個(gè)頂點(diǎn)的方式配置，而能夠平均支撐圓形頂板，達(dá)到有效改善晶片上帶狀缺陷的目的。
雖然本實(shí)用新型以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本實(shí)用新型，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置，包括圓形頂板，適于通入反應(yīng)氣體至反應(yīng)室內(nèi)的半導(dǎo)體元件；三個(gè)支撐架，分別配置于所述圓形頂板外圍的三個(gè)支撐點(diǎn)，以固定所述圓形頂板；以及閘式閥，提供所述半導(dǎo)體元件進(jìn)出所述反應(yīng)室的出入口，其特征在于所述些支撐架的任一皆不配置于所述半導(dǎo)體元件進(jìn)出于所述反應(yīng)室的所述閘式閥的路徑上。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置，其特征在于所述些支撐點(diǎn)以形成正三角形的三個(gè)頂點(diǎn)的方式配置于所述圓形頂板的外圍，以均衡固定所述圓形頂板。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置，其特征在于所述些支撐點(diǎn)其中之一配置于所述圓形頂板外圍相對所述閘式閥的位置上。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置，其特征在于所述些支撐架具有適于嵌住所述圓形頂板的寬度。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置，其特征在于所述寬度介于50至60毫米之間。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體元件的直徑約為300毫米。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置，其中所述半導(dǎo)體元件為晶片。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置包括圓形頂板，適于通入反應(yīng)氣體至反應(yīng)室內(nèi)的半導(dǎo)體元件；三個(gè)支撐架，分別配置于所述圓形頂板外圍的三個(gè)支撐點(diǎn)，以固定所述圓形頂板；以及閘式閥，提供所述半導(dǎo)體元件進(jìn)出所述反應(yīng)室的出入口，其中所述支撐架的任一皆不配置于所述半導(dǎo)體元件進(jìn)出于所述反應(yīng)室的所述閘式閥的路徑上。該半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置通過將固定圓形頂板(Shower head)的支撐架從晶片進(jìn)出反應(yīng)室的路徑中移除，因此可以避免附著于支撐架上的微塵掉落，且由于支撐架以正三角形的三個(gè)頂點(diǎn)的方式配置，因此能夠平均地支撐圓形頂板，達(dá)到有效改善晶片上帶狀缺陷的目的。
文檔編號(hào)H01L21/205GK2924787SQ20062011258
公開日2007年7月18日 申請日期2006年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月26日
發(fā)明者鄭意中, 呂思漢, 吳元?jiǎng)? 王進(jìn)明, 洪華駿 申請人:力晶半導(dǎo)體股份有限公司