專利名稱：半導體裝置的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體裝置的制造方法。
背景技術：
眾所周知臺面型半導體裝置是高耐壓的半導體裝置，在溝的部分截斷以制造半導體晶片。作為此種臺面型半導體裝置的制造方法，公開了一種包括在溝底面設置溝道截斷環(huán)的工序的半導體裝置的制造方法(例如參照下述專利文獻1和2)。根據(jù)此種臺面型半導體裝置的制造方法，實現(xiàn)了臺面型半導體裝置的進一步的高耐壓化。
圖6是表示用于說明專利文獻1所述的半導體裝置的制造方法的圖。圖6(a)～圖6(e)是表示各工序的圖。
如圖6所示，專利文獻1所述的半導體裝置的制造方法依次包括準備n型半導體層801的n型半導體層準備工序[參照圖6(a)]、在n型半導體層801的第1主面中的元件形成區(qū)域(未圖示)的周圍形成n+型溝道截斷環(huán)806的溝道截斷環(huán)形成工序[參照圖6(b)]、在n型半導體層801中的第1主面?zhèn)刃纬蓀型外延層802的p型外延層形成工序[參照圖6(c)]、從第1主面?zhèn)任g刻p型外延層802形成到達溝道截斷環(huán)806的溝811的溝形成工序[參照圖6(d)]、在溝811的內部形成鈍化膜805a的鈍化膜形成工序(未圖示)和在溝811的部分截斷半導體裝置進行芯片化的截斷工序[參照圖6(e)]。
圖7是表示用于說明專利文獻2所述的半導體裝置的制造方法的圖。圖7(a)～圖7(f)是表示各工序的圖。
如圖7所示，專利文獻2所述的半導體裝置的制造方法依次包括準備n型半導體層911的n型半導體層準備工序(未圖示)、在n型半導體層911的第1主面中的元件形成區(qū)域(未圖示)的周圍形成n+型擴散層925的同時在n型半導體層911的第2主面?zhèn)刃纬蒼+型擴散層912的n+型擴散層形成工序[參照圖7(a)]、在n型半導體層911的第1主面?zhèn)刃纬蓀+型擴散層913的p+型擴散層形成工序[參照圖7(b)]、從第1主面?zhèn)任g刻p+型擴散層913和n型半導體層911在形成溝916的同時形成溝道截斷環(huán)918的溝·溝道截斷環(huán)形成工序[參照圖7(c)]、在溝916的內部形成鈍化膜917的鈍化膜形成工序[參照圖7(d)]、在p+型擴散層913的表面和n+型擴散層912的表面各自形成電極915和電極914的電極形成工序[參照圖7(e)]和在溝916的部分截斷半導體裝置進行芯片化的截斷工序[參照圖7(f)]。
根據(jù)這些專利文獻1所述的半導體裝置的制造方法或專利文獻2所述的半導體裝置的制造方法，由于能夠在臺面型半導體裝置中的溝底面設置溝道截斷環(huán)，即使在高電壓下pn結的耗盡層增寬時該耗盡層也只會以溝道截斷環(huán)為終端而不會露出于芯片截斷面。結果實現(xiàn)了臺面型半導體裝置的進一步的高耐壓化。此外，為使該耗盡層不露出于芯片截斷面不需要很深地形成溝，從而能夠抑制碎片、裂痕等的發(fā)生，實現(xiàn)了半導體裝置的高可信性。
日本國特開9-8274號公報(圖2)[專利文獻2]日本國特開昭63-313859號公報(第5圖)發(fā)明內容但是，專利文獻1所述的半導體裝置的制造方法或專利文獻2所述的半導體裝置的制造方法中，由于另外還需要用于形成溝道截斷環(huán)的掩膜形成工序，因此存在工序繁雜的問題。
此外，專利文獻1所述的半導體裝置的制造方法或專利文獻2所述的半導體裝置的制造方法中，還存在形成溝時用于在溝底面適當?shù)芈冻鰷系澜財喹h(huán)所必需的精密的蝕刻技術的問題。
因此，本發(fā)明的目的是解決這些問題，提供一種制造在溝底面設置了溝道截斷環(huán)的臺面型半導體裝置的半導體裝置的制造方法，不需要用于形成溝道截斷環(huán)的掩膜形成工序且形成溝時不需要精密的蝕刻技術的半導體裝置的制造方法。
(1)本發(fā)明的半導體裝置的制造方法的特征為，包括具有第1導電型的第1半導體層和配置于前述第1半導體層的第1主面?zhèn)鹊呐c前述第1導電型相反的導電型的第2導電型的第2半導體層，準備在前述第1半導體層和前述第2半導體層的接合部形成pn結的半導體基體的半導體基體準備工序；從前述半導體基體的前述第1主面?zhèn)刃纬稍竭^前述pn結深度的溝的溝形成工序；至少將第1導電型雜質供給于前述溝底面的雜質供給工序；通過將激光照射在前述溝底面使前述第1導電型雜質擴散到前述第1半導體層的內部以形成溝道截斷環(huán)的溝道截斷環(huán)形成工序；在前述溝的內部形成鈍化層的鈍化層形成工序。
因此，根據(jù)本發(fā)明的半導體裝置的制造方法，由于是在溝底面形成溝道截斷環(huán)，因此可實現(xiàn)制造溝底面設置了溝道截斷環(huán)的臺面型半導體裝置。
此外，根據(jù)本發(fā)明的半導體裝置的制造方法，由于是在預先供給了第1導電型雜質的狀態(tài)下通過將激光照射在溝底面使第1導電型雜質擴散到第1半導體層的內部來形成溝道截斷環(huán)，實現(xiàn)了通過激光掃描來形成溝道截斷環(huán)，因此不需要用于形成溝道截斷環(huán)的掩膜形成工序。
此外，根據(jù)本發(fā)明的半導體裝置的制造方法，由于是在形成溝之后再形成溝道截斷環(huán)，因此形成溝時不再需要精密的蝕刻技術。
因此，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法是制造在溝底面設置了溝道截斷環(huán)的臺面型半導體裝置的半導體裝置的制造方法，是不需要用于形成溝道截斷環(huán)的掩膜形成工序且形成溝時不需要精密的蝕刻技術的半導體裝置的制造方法。
在本發(fā)明的半導體裝置的制造方法中，激光可以使用可見光激光(例如綠色激光)、近紅外光激光(例如Nd-YAG激光)等，優(yōu)選使用可見光激光。
由于可見光激光對Si、SiC等組成的半導體基體的光透射率低而光吸收率高，通過如上所述的方法，易于進行第1半導體層的加熱時的控制，不會使第1半導體層自身蒸發(fā)，可以使第1導電型雜質擴散到第1半導體層的內部來形成溝道截斷環(huán)。
進行照射的激光的功率、光束直徑、發(fā)散角和照射方法(脈沖或連續(xù))等的激光照射條件適當?shù)卦O定為不會使第1半導體層自身蒸發(fā)，能夠使第1導電型雜質擴散到第1半導體層的內部來形成溝道截斷環(huán)。
在本發(fā)明的半導體裝置的制造方法中，優(yōu)選在溝道截斷環(huán)形成工序和鈍化層形成工序之間還包括除去殘余的第1導電型雜質的蝕刻工序。
通過實行此種方法，能夠凈化溝的內面，實現(xiàn)臺面型半導體裝置的進一步的高耐壓化的同時擁有高信賴性。
蝕刻液可以優(yōu)選使用氟酸、硝酸和水的混合液(例如HF∶HNO3∶H2O＝3∶2∶60)。
供給于溝底面的第1導電型雜質的量調整為形成于溝底面的溝道截斷環(huán)的雜質濃度所最適的濃度(例如1×1019cm-3)。
溝道截斷環(huán)中的第1導電型雜質的雜質濃度、擴散分布等調整為即使在高電壓下pn結的耗盡層增寬時該耗盡層也只會以溝道截斷環(huán)為終端而不會露出于芯片截斷面。
在本發(fā)明的半導體裝置的制造方法中，作為半導體基體，也可以使用在第1半導體層的第2主面?zhèn)冗€具有含有比第1半導體層更為高濃度的第1導電型雜質的第3半導體層的半導體基體。
作為能夠適用本發(fā)明的半導體裝置的制造方法的半導體裝置，可以例舉二極管(例如pn二極管、pin二極管和肖特基二極管等)、晶體管(例如雙極型晶體管、MOSFET和IGBT等)、晶閘管、雙向可控硅及其它的電力半導體裝置。
此外，在此說明書中，第1主面是形成溝一側的面。第2主面是與第1主面相反側的面。
(2)在本發(fā)明的半導體裝置的制造方法中，前述雜質供給工序優(yōu)選為至少將含有第1導電型雜質的液體涂敷于前述溝底面的工序。
通過實行此種方法，實現(xiàn)了將適量的第1導電型雜質供給于溝底面。
含有第1導電型雜質的液體可以優(yōu)選使用例如在有機溶劑(例如乙醇)中溶解了磷化合物(例如焦磷酸)的液體。涂敷方法可以使用浸漬法、旋轉法和噴射法等公知的方法。
(3)在本發(fā)明的半導體裝置的制造方法中，前述雜質供給工序也可以是至少將含有第1導電型雜質的氣體供給于前述溝底面的工序。
即使通過實行此種方法，也能夠將第1導電型雜質供給于溝底面。
含有第1導電型雜質的氣體可以優(yōu)選使用例如磷化氫和惰性氣體的混合氣體。供給方法可以使用將半導體晶片置于該氣體介質中的方法。
(4)在本發(fā)明的半導體裝置的制造方法中，在前述溝道截斷環(huán)形成工序中，前述溝道截斷環(huán)優(yōu)選形成沿前述溝延伸的2個溝道截斷環(huán)。
然而，一般知道采用切割來截斷硬度不同的媒質的接合部分時容易發(fā)生芯片的破片、裂痕等。因此，采用切割來截斷溝道截斷環(huán)和第1半導體層的接合部分時，由于溝道截斷環(huán)的硬度和第1半導體層的硬度不同，可以預想容易發(fā)生芯片的破片、裂痕等。
對此，通過如上所述的方法，如果在后面的半導體基體截斷工序中在2個溝道截斷環(huán)之間進行截斷，由于不必截斷溝道截斷環(huán)和第1半導體層的接合部分，因此能夠抑制芯片的破片、裂痕等的發(fā)生，實現(xiàn)了制造高信賴性的半導體裝置。
在本發(fā)明的半導體裝置的制造方法中，優(yōu)選形成隔離30μm以上的2個溝道截斷環(huán)。
通過實行此種方法，可以在后面的半導體基體截斷工序中容易地將2個溝道截斷環(huán)之間截斷。
(5)在本發(fā)明的半導體裝置的制造方法中，優(yōu)選前述鈍化層形成工序后，還包括在沿著前述溝延伸的2個溝道截斷環(huán)之間截斷前述半導體基體的基體截斷工序。
通過實行此種方法，實現(xiàn)了制造高耐壓、高信賴性的臺面型半導體裝置。
(6)在本發(fā)明的半導體裝置的制造方法中，在前述溝道截斷環(huán)形成工序中，作為溝道截斷環(huán)優(yōu)選在前述半導體裝置中的元件形成區(qū)域和切割線之間圍繞前述元件形成區(qū)域來形成溝道截斷環(huán)。
通過實行此種方法，由于不必截斷溝道截斷環(huán)和第1半導體層的接合部分，因此能夠抑制芯片的破片、裂痕等的發(fā)生，實現(xiàn)了制造高信賴性的半導體裝置。
在本發(fā)明的半導體裝置的制造方法中，優(yōu)選溝道截斷環(huán)與切割線隔離15μm以上來進行配置。
通過實行此種方法，實現(xiàn)了防止在芯片端面露出溝道截斷環(huán)的情況發(fā)生。


圖1是表示用于說明實施方式1的半導體裝置100的圖。
圖2是表示用于說明實施方式1的半導體裝置的制造方法的圖。
圖3是表示用于說明實施方式1的半導體裝置的制造方法的圖。
圖4是表示用于說明實施方式1中的半導體基體截斷工序的圖。
圖5是表示用于說明實施方式3中的半導體基體截斷工序的圖。
圖6是表示用于說明專利文獻1所述的半導體裝置的制造方法的圖。
圖7是表示用于說明專利文獻2所述的半導體裝置的制造方法的圖。
符號說明10…第1半導體層、12…第2半導體層、14…第3半導體層、16…氧化膜、18…溝、20…n型雜質、22…溝道截斷環(huán)、24…非晶態(tài)物質區(qū)域、26…單晶體區(qū)域、28…鈍化層、30，32…電極、34…元件形成區(qū)域、100…半導體裝置(芯片化之后)、100a，104a…半導體裝置(芯片化之前)、801…n型半導體層(集電極區(qū)域)、801a…n+型半導體層、801b…n-型半導體層、802…p型外延層(基極區(qū)域)、803…發(fā)射極區(qū)域、805…絕緣膜、805a…鈍化膜、806…溝道截斷環(huán)、807…集電極電極、808…基極電極、809…發(fā)射極電極、810…pn結、811…溝、812…耗盡層、813…氧化膜、813a…開口部、911…n型半導體層、912，925…n+型擴散層、913…p+型擴散層、914，915…電極、916…溝、917…鈍化膜、918…溝道截斷環(huán)、926，928…氧化膜、DL…切割線具體實施方式
以下，根據(jù)圖示的實施方式來說明本發(fā)明的半導體裝置的制造方法。
實施方式1圖1是表示用于說明由實施方式1的半導體裝置的制造方法制造的半導體裝置100的圖。圖1(a)是半導體裝置100的剖視圖，圖1(b)是圖1(a)的符號A表示的部分的擴大圖，圖1(c)是圖1(b)的符號B表示的部分的擴大圖。圖2和圖3是表示用于說明實施方式1的半導體裝置的制造方法的圖。圖2(a)～圖2(c)和圖3(a)～圖3(c)是各工序中的半導體裝置100a的剖視圖。圖4是表示用于說明實施方式1中的半導體基體截斷工序的圖。圖4(a)是截斷之前的半導體裝置100a的平面圖，圖4(b)是截斷之前的半導體裝置100a的剖視圖，圖4(c)是截斷之后的半導體裝置100a的剖視圖。
如圖1所示，由實施方式1的半導體裝置的制造方法制造的半導體裝置100是在溝18的底面設置了溝道截斷環(huán)22的半導體裝置。
半導體裝置100制造具有n-型(第1導電型)的第1半導體層10、配置于第1半導體層10的第1主面?zhèn)鹊膒+型(第2導電型)的第2半導體層12和配置于第1半導體層10的第2主面?zhèn)鹊膎+型(第1導電型)的第3半導體層14、在第1半導體層10和第2半導體層12的接合部形成了pn結的半導體基體作為起始材料。
半導體裝置100具有越過pn結深度的溝18。此外，在溝18的底面形成了沿著溝18延伸的2個溝道截斷環(huán)22，22[參照圖1及圖4(a)]。
溝18的寬度為例如300μm，溝道截斷環(huán)22的寬度為例如60μm，2個溝道截斷環(huán)22之間的間隔d[參照圖1(b)]為例如60μm。
溝道截斷環(huán)22通過在預先供給了n型雜質20的狀態(tài)下將激光照射在溝18的底面使n型雜質20擴散到第1半導體層10的內部而形成[對于n型雜質參照圖2(c)]。
如圖1(c)所示，溝道截斷環(huán)22是由含有高濃度的n型雜質的單晶體區(qū)域26和含有高濃度的n型雜質的非晶體物質區(qū)域24組成的。
如圖1(a)和圖1(b)所示，在溝18的內部形成了鈍化層28。
此外，在圖1中，符號30表示在第2半導體層的表面形成的電極，符號32表示在第3半導體層的表面形成的電極。
如圖2和圖3所示，實施方式1的半導體裝置的制造方法依次包括以下工序。以下，依次說明各工序。
(1)半導體基體準備工序半導體基體準備工序是準備具有n-型的第1半導體層10、配置于第1半導體層10的第1主面?zhèn)鹊膒+型的第2半導體層12和配置于第1半導體層10的第2主面?zhèn)鹊膎+型的第3半導體層14、在第1半導體層10和第2半導體層12的接合部形成了pn結的半導體基體的工序[參照圖2(a)]。第1半導體層10的雜質濃度為例如2×1014cm-3，第2半導體層12的雜質濃度為例如2×1019cm-3，第3半導體層14的雜質濃度為例如2×1019cm-3。此外，第1半導體層10的厚度為例如150μm，第2半導體層12的厚度為例如60μm，第3半導體層14的厚度為例如40μm。
(2)溝形成工序溝形成工序是從半導體基體的第一主面?zhèn)刃纬稍竭^pn結深度的溝18的工序[參照圖2(b)]。溝18的寬度為例如300μm，溝18的深度為例如90μm。溝形成例如通過蝕刻來進行。蝕刻液使用氟酸、硝酸和醋酸的混合液(例如HF∶HNO3∶CH3COOH＝1∶4∶1)。
(3)雜質供給工序雜質供給工序是至少將含有n型雜質20的液體涂敷于溝18的底面的工序[參照圖2(c)]。
含有n型雜質20的液體可以優(yōu)選使用例如在有機溶劑(例如乙醇)中溶解了磷化合物(例如焦磷酸)的液體等。涂敷方法可以使用浸漬法、旋轉法和噴射法等公知的方法。
供給于溝18底面的n型雜質20的量調整為形成于溝18底面的溝道截斷環(huán)22的雜質濃度所最適的濃度(例如1×1019cm-3)。
(4)溝道截斷環(huán)形成工序溝道截斷環(huán)形成工序是通過將激光照射在溝18的底面使n型雜質20擴散到第1半導體層10的內部來形成溝道截斷環(huán)22的工序[參照圖3(a)]。
激光使用可見光激光(例如波長532nm的綠色激光)。例如以30KHz發(fā)生脈沖，以300mm/秒的速度沿著溝18的x方向和y方向進行掃描。
在此工序中，作為溝道截斷環(huán)22形成了沿著溝18延伸的2個溝道截斷環(huán)22，22[參照圖4(a)]。2個溝道截斷環(huán)22形成為只相互隔離60μm。
(5)蝕刻工序蝕刻工序是除去殘余的n型雜質20的工序[參照圖3(b)]。
蝕刻液可以優(yōu)選使用氟酸、硝酸和水的混合液(例如HF∶HNO3∶H2O＝3∶2∶60)。
(6)鈍化層形成工序鈍化層形成工序是在溝18的內部形成鈍化層28的工序[參照圖3(c)]。此工序是通過利用網板印刷法印刷玻璃材料并燒制進行的。
(7)電極形成工序電極形成工序是在第2半導體層12的第1主面?zhèn)群偷?半導體層14的第2主面?zhèn)确謩e形成電極30和電極32的工序(未圖示)。此外，圖3(c)所示的氧化膜16是在電極形成工序之前通過蝕刻來進行除去的。
(8)半導體基體截斷工序半導體基體截斷工序是通過使用劃片機沿圖4(a)所示的切割線DL切割來進行的。切割實施在2個溝道截斷環(huán)22，22之間。
包括如上所述的工序，根據(jù)實施方式1的半導體裝置的制造方法，由于是在溝18的底面形成溝道截斷環(huán)22，因此實現(xiàn)了制造溝底面設置了溝道截斷環(huán)的臺面形半導體裝置100。
此外，根據(jù)實施方式1的半導體裝置的制造方法，由于是在預先供給了n型雜質20的狀態(tài)下通過將激光照射在溝18的底面使n型雜質20擴散到第1半導體層10的內部來形成溝道截斷環(huán)22，實現(xiàn)了通過激光掃描來形成溝道截斷環(huán)22，因此不需要用于形成溝道截斷環(huán)的掩膜形成工序。
此外，根據(jù)實施方式1的半導體裝置的制造方法，由于是在形成溝18之后形成溝道截斷環(huán)22，因此形成溝18時不再需要精密的蝕刻技術。
因此，實施方式1的半導體裝置的制造方法是制造溝底面設置了溝道截斷環(huán)的臺面型半導體裝置的半導體裝置的制造方法，是不需要用于形成溝道截斷環(huán)的掩膜形成工序且形成溝時不需要精密的蝕刻技術的半導體裝置的制造方法。
此外，在實施方式1的半導體裝置的制造方法中，激光由于使用可見光激光，因此可以容易地進行第1半導體層10的加熱時的控制，不會使第1半導體層10自身蒸發(fā)，可以使n型雜質20擴散到第1半導體層10的內部來形成溝道截斷環(huán)22。
此外，在實施方式1的半導體裝置的制造方法中，由于在溝道截斷環(huán)形成工序和鈍化層形成工序之間還包括除去殘余的n型雜質20的蝕刻工序，因此能夠凈化溝18的內面，實現(xiàn)了臺面型半導體裝置的進一步的高耐壓化的同時擁有高信賴性。
此外，在實施方式1的半導體裝置的制造方法中，由于雜質供給工序是至少將含有n型雜質20的液體涂敷于前述溝18的底面的工序，因此實現(xiàn)了將適量的n型雜質20供給于溝18的底面。
此外，在實施方式1的半導體裝置的制造方法中，對于前述溝道截斷環(huán)形成工序，溝道截斷環(huán)由于是形成了沿溝18延伸的2個溝道截斷環(huán)22，22，如果在后面的半導體基體分斷工序中在2個溝道截斷環(huán)22，22之間進行截斷，由于不必截斷溝道截斷環(huán)22和第1半導體層10的接合部分，因此能夠抑制芯片的破片、裂痕等的發(fā)生，實現(xiàn)了制造高信賴性的半導體裝置。
此外，在實施方式1的半導體裝置的制造方法中，由于形成了隔離60μm的2個溝道截斷環(huán)22，22，因此在后面的半導體基體分斷工序中可以容易地在2個溝道截斷環(huán)22，22之間進行截斷。
在實施方式1的半導體裝置的制造方法中，在鈍化層形成工序之后，由于還包括在沿溝18延伸的2個溝道截斷環(huán)22，22之間進行截斷半導體基體的半導體基體截斷工序，因此實現(xiàn)了制造高耐壓、高信賴性的臺面形半導體裝置。
實施方式2實施方式2的半導體裝置的制造方法基本上包括與實施方式1的半導體裝置的制造方法相同的工序，但雜質供給工序不同于實施方式1的半導體裝置的制造方法。即在實施方式2的半導體裝置的制造方法中，雜質供給工序是至少將含有n型雜質的氣體供給于溝底面的工序。
如此，實施方式2的半導體裝置的制造方法雖然雜質供給工序不同于實施方式1的半導體裝置的制造方法，但即使通過此種方法，與實施方式1的半導體裝置的制造方法相同，也能夠將n型雜質供給于溝底面。因此，實施方式2的半導體裝置的制造方法也和實施方式1的半導體裝置的制造方法相同，是制造溝底面設置了溝道截斷環(huán)的臺面型半導體裝置的半導體裝置的制造方法，不需要用于形成溝道截斷環(huán)的掩膜形成工序且形成溝時不需要精密的蝕刻技術的半導體裝置的制造方法。
此外，在實施方式2的半導體裝置的制造方法中，含有n型雜質的氣體可以優(yōu)選使用例如磷化氫和惰性氣體的混合氣體。供給方法可以使用將半導體晶片置于該氣體介質中的方法。
此外，由于實施方式2的半導體裝置的制造方法除此點以外具有與實施方式1的半導體裝置的制造方法相同的工序，因此具有與實施方式1的半導體裝置的制造方法所具有的效果中相同的效果。
實施方式3圖5是表示用于說明實施方式3中的半導體基體截斷工序的圖。與圖4(a)的情況相同，圖5是表示截斷之前的半導體裝置104a的平面圖。
實施方式3的半導體裝置的制造方法基本上包括與實施方式1的半導體裝置的制造方法相同的工序，但溝道截斷環(huán)的平面形狀不同于實施方式1的半導體裝置的制造方法。即如圖5所示，在實施方式3的半導體裝置的制造方法中，溝道截斷環(huán)22是在元件形成區(qū)域34和切割線DL之間圍繞元件形成區(qū)域34而形成。
如此，實施方式3的半導體裝置的制造方法雖然溝道截斷環(huán)的平面形狀不同于實施方式1的半導體裝置的制造方法，但與實施方式1的半導體裝置的制造方法相同，由于是通過將激光照射在溝18的底面使n型雜質20擴散到第1半導體層10的內部來形成溝道截斷環(huán)22的，因此與實施方式1的半導體裝置的制造方法相同，是制造溝底面設置了溝道截斷環(huán)的臺面型半導體裝置的半導體裝置的制造方法，不需要用于形成溝道截斷環(huán)的掩膜形成工序且形成溝時不需要精密的蝕刻技術的半導體裝置的制造方法。
此外，由于實施方式3的半導體裝置的制造方法除此點以外具有與實施方式1的半導體裝置的制造方法相同的工序，因此具有與實施方式1的半導體裝置的制造方法所具有的效果中相同的效果。
以上，基于上述各實施方式說明了本發(fā)明的半導體裝置的制造方法，本發(fā)明并不受上述各實施方式的限制，在不脫離其要旨的范圍內能夠實施各種變化，例如可以進行如下的改變。
(1)在上述各實施方式中，雖然說明了第1導電型為n型、第2導電型為p型，本發(fā)明并不受此限制，也可以使第1導電型為p型、第2導電型為n型。
(2)在上述各實施方式中，激光使用了綠色激光，本發(fā)明并不受此限制。激光也可以優(yōu)選使用綠色激光以外的可見光激光、近紅外光激光(例如Nd-YAG激光)。
(3)在上述實施方式1中，含有n型雜質的液體使用了在有機溶劑中溶解了焦磷酸的液體，本發(fā)明并不受此限制。例如，也可以使用在各種有機溶劑中溶解了焦磷酸以外的磷化合物、砷化合物等的液體。
(4)在上述各實施方式中，以作為臺面型半導體裝置的pn二極管為例說明了本發(fā)明，本發(fā)明并不受此限制。例如，本發(fā)明可以適用于pn二極管以外的二極管(例如、pin二極管和肖特基二極管等)、晶體管(例如雙極型晶體管、MOSFET和IGBT等)、晶閘管、雙向可控硅及其它的電力半導體裝置。
權利要求
1.一種半導體裝置的制造方法，其特征為，包括具有第1導電型的第1半導體層和配置于前述第1半導體層的第1主面?zhèn)鹊呐c前述第1導電型相反的導電型的第2導電型的第2半導體層，準備在前述第1半導體層和前述第2半導體層的接合部形成pn結的半導體基體的半導體基體準備工序，從前述半導體基體的前述第1主面?zhèn)刃纬稍竭^前述pn結深度的溝的溝形成工序，至少將第1導電型雜質供給于前述溝底面的雜質供給工序，通過將激光照射在前述溝底面使前述第1導電型雜質擴散到前述第1半導體層的內部以形成溝道截斷環(huán)的溝道截斷環(huán)形成工序，在前述溝的內部形成鈍化層的鈍化層形成工序。
2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征為前述雜質供給工序是至少將含有第1導電型雜質的液體涂敷于前述溝底面的工序。
3.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征為前述雜質供給工序是至少將含有第1導電型雜質的氣體供給于前述溝底面的工序。
4.如權利要求1～3中任意一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征為在前述溝道截斷環(huán)形成工序中，作為前述溝道截斷環(huán)，形成沿著前述溝延伸的2個溝道截斷環(huán)。
5.如權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征為前述鈍化層形成工序后，進而包括在沿著前述溝延伸的2個溝道截斷環(huán)之間截斷前述半導體基體的基體截斷工序。
6.如權利要求1～3中任意一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征為在前述溝道截斷環(huán)形成工序中，作為溝道截斷環(huán)，在前述半導體裝置中的元件形成區(qū)域和切割線之間圍繞前述元件形成區(qū)域來形成溝道截斷環(huán)。
全文摘要
本發(fā)明涉及制造在溝底面設置了溝道截斷環(huán)的臺面型半導體裝置的半導體裝置的制造方法，不需要用于形成溝道截斷環(huán)的掩膜形成工序且形成溝時不需要精密的蝕刻技術的半導體裝置的制造方法。更為具體地來說，半導體裝置的制造方法的特征在于依次包括從第1主面?zhèn)刃纬稍竭^pn結深度的溝18的溝形成工序、至少將n型雜質20供給于溝18的底面的雜質供給工序、通過將激光照射在溝18的底面使n型雜質20擴散到第1半導體層10的內部以形成溝道截斷環(huán)22的溝道截斷環(huán)形成工序和在溝18的內部形成鈍化層28的鈍化層形成工序。
文檔編號H01L21/268GK101075560SQ200610150319
公開日2007年11月21日 申請日期2006年10月26日 優(yōu)先權日2006年5月19日
發(fā)明者伊藤一彥, 遠藤恭介, 塚本英之 申請人:新電元工業(yè)株式會社