專(zhuān)利名稱(chēng)：隔離頸圈空隙及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體器件制造，更具體地涉及隔離頸圈空隙及其在半導(dǎo)體器件制造期間的形成方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件制造的常規(guī)方法可以采用氧化物，以在制造的半導(dǎo)體器件周?chē)纬筛綦x頸圈。然而，氧化物的介電常數(shù)可能要求隔離頸圈具有最小厚度，以有效地提供隔離。如此厚度的隔離頸圈對(duì)于形形色色的半導(dǎo)體器件制造可能是不實(shí)際的。因此，希望改善隔離頸圈及其形成方法。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的第一方面中，提供第一裝置。第一裝置包括在體襯底中在微電子器件的一個(gè)或多個(gè)部分周?chē)纬傻目障??？障哆m合于減小在微電子器件與體襯底之間的寄生泄漏。
在本發(fā)明的第二方面中，提供第二裝置。第二裝置是存儲(chǔ)單元，包括(1)在體襯底中形成的微電子器件；以及(2)在微電子器件的一個(gè)或多個(gè)部分周?chē)纬傻目障??？障哆m合于減小在微電子器件與體襯底之間的寄生泄漏。
在本發(fā)明的第三方面中，提供第三方法。第一(第三)方法包括以下步驟(1)提供包括微電子器件的襯底；以及(2)在微電子器件的一部分周?chē)囊r底中形成空隙。根據(jù)本發(fā)明的這些和其它方面提供大量其它方案。
由隨后的詳細(xì)說(shuō)明、附帶的權(quán)利要求書(shū)和附圖，本發(fā)明的其它特征和方案將更加充分地顯現(xiàn)。


圖1A-B分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第一示例性方法的步驟，襯底的頂視圖和剖面?zhèn)纫晥D，其中在襯底的溝槽中形成氧化物頸圈。
圖2A-B分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第一示例性方法的步驟，襯底的頂視圖和剖面?zhèn)纫晥D，其中用導(dǎo)電材料充滿(mǎn)溝槽。
圖3A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第一示例性方法的步驟，襯底的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中有選擇地除去襯底的一部分。
圖4A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第一示例性方法的步驟，襯底的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中在襯底上形成氮化物隔離物。
圖5A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第一示例性方法的步驟，襯底的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中從襯底上去掉氧化物。
圖6A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第一示例性方法的步驟，襯底的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中從襯底上去掉氮化物。
圖7A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第一示例性方法的步驟，襯底的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中在襯底的隔離槽中淀積氧化物。
圖8A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第一示例性方法的步驟，襯底的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中在襯底上淀積氮化物。
圖9A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第一示例性方法的步驟，襯底的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中用氧化物充滿(mǎn)隔離槽。
圖10A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第二示例性方法的步驟，襯底的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中從襯底上去掉氮化物和氧化物，并且在襯底上形成氮化物隔離物。
圖11A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第二示例性方法的步驟，襯底的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中可以從襯底上去掉硅和溝槽導(dǎo)電材料。
圖12A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第二示例性方法的步驟，襯底的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中從襯底上去掉氧化物。
圖13A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第二示例性方法的步驟，襯底的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中在襯底上淀積氧化物。
圖14A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第二示例性方法的步驟，襯底的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中在襯底上淀積氮化物。
圖15A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第二示例性方法的步驟，襯底的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中在襯底上淀積氧化物。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供改善的半導(dǎo)體器件及其構(gòu)成方法。更具體地，本發(fā)明提供深溝槽存儲(chǔ)電容器周?chē)娙萜鞲綦x頸圈空隙的制造，以代替在常規(guī)深溝槽存儲(chǔ)電容器周?chē)碾娙萜鞲綦x頸圈氧化物的?？障兜氖褂脺p小了介電常數(shù)(例如，電容率)并且增加了電容器隔離頸圈的絕緣強(qiáng)度。因此，可以采用更薄的隔離頸圈。因此，可以制造具有更小的幾何尺寸(例如，65nm節(jié)點(diǎn))的深溝槽存儲(chǔ)電容器。
此外，在一些實(shí)施例中，在空隙形成期間，薄隔離物(例如，氮化硅隔離物)可以用來(lái)保護(hù)焊盤(pán)氧化物不被底切(undercut)。由此，當(dāng)形成電容器隔離頸圈空隙時(shí)，可以采用常規(guī)氧化物各向同性蝕刻法蝕刻電容器隔離頸圈氧化物。
可以在電容器隔離頸圈空隙之上淀積保護(hù)層，例如氧化物層，以封閉由氧化物各向同性蝕刻留下的開(kāi)口(例如，凹腔形)。覆蓋電容器隔離頸圈空隙可以防止其它工藝步驟填充電容器隔離頸圈空隙。在至少一個(gè)實(shí)施例中，例如，可以使用具有小偏置或無(wú)偏置的高密度等離子體(HDP)淀積形成保護(hù)層。
圖1A-9C示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成隔離頸圈空隙的第一示例性方法的圖。圖10A-15C示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成隔離頸圈空隙的第二示例性方法的圖。更具體地，圖1A-B分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第一示例性方法的步驟，襯底的頂視圖和剖面?zhèn)纫晥D，其中在襯底100的溝槽中形成氧化物頸圈。參考圖1A-B，提供包括硅或其它合適的材料的體襯底102。在體襯底102的上表面上可以設(shè)置襯墊氧化物層104。襯墊氧化物層104可以是大約1nm到大約10nm厚(雖然可以采用更大或更小和/或不同的厚度范圍)。在襯墊氧化物層104的上表面上，可以淀積襯墊氮化物層106。襯墊氮化物層106可以是大約20nm到大約500nm厚(雖然可以采用更大或更小和/或不同的厚度范圍)?？蛇x地，可以在襯墊氮化物層106之上形成CVD氧化物層(未示出)。在溝槽蝕刻期間可以充當(dāng)硬掩模的CVD氧化物層可以是大約100nm到1000nm厚(雖然可以采用更大或更小和/或不同的厚度范圍)。使用反應(yīng)離子蝕刻(RIE)或另一個(gè)合適的方法，可以在襯墊氮化物層106、襯墊氧化物層104和體襯底102中形成溝槽108。溝槽108可以是大約22nm到大約130nm寬和大約2μm到大約10μm深(雖然可以采用更大或更小和/或不同的寬度和/或深度范圍)?？梢栽跍喜?08的下部區(qū)域中形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)導(dǎo)體110。存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)導(dǎo)體110的垂直厚度可以是大約1μm到大約9μm(雖然可以采用更大或更小和/或不同的垂直厚度范圍)。存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)導(dǎo)體110可以占據(jù)溝槽108的整個(gè)寬度，因此，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)導(dǎo)體110的厚度可以基于溝槽寬度。另外，可以在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)導(dǎo)體110之上的溝槽108中布置氧化物完全頸圈112。氧化物完全頸圈112可以是大約15nm到大約50nm寬和/或大約0.75μm到大約2.25μm高(雖然可以采用更大或更小和/或不同的寬度和/或高度范圍)。
可以在體襯底102上使用例如化學(xué)氣相淀積(CVD)或其它合適的工藝淀積襯墊氧化物層104和襯墊氮化物層106?？梢孕纬删哂写蟾邔挶鹊臏喜?08，由此本領(lǐng)域中可以稱(chēng)作深溝槽(如以上所示)。在溝槽108的下部區(qū)域中，可以使用CVD或其它合適的方法繼之以RIE或其它合適的方法淀積存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)導(dǎo)體110和氧化物完全頸圈112。
圖2A-B分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第一示例性方法的步驟，襯底的頂視圖和剖面?zhèn)纫晥D，其中用導(dǎo)電材料充滿(mǎn)溝槽108。參考圖2A-B，通過(guò)除去氧化物完全頸圈(圖1A-B中的112)的上部可以形成氧化物部分頸圈202，以便露出溝槽108的側(cè)壁的一部分。氧化物部分頸圈202可以是大約0.25μm到大約2.0μm高(雖然可以采用更大或更小和/或不同的高度范圍)?？梢栽跍喜?08中形成導(dǎo)電材料層204。導(dǎo)電材料層204可以填充溝槽108的剩余的未填充的部分。導(dǎo)電材料層204的上表面可以近似與襯墊氮化物層106的上表面共面。導(dǎo)電材料層204的底面可以與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)導(dǎo)體110的上表面大致共面。導(dǎo)電材料可以是N+摻雜的多晶硅或其它合適的材料。如此，導(dǎo)電材料層204的上部(例如，鄰近部分頸圈202的上水平表面的部分)可以充當(dāng)或者形成為埋置帶外擴(kuò)散區(qū)域205(例如，埋置帶)。
更具體地，為了形成氧化物部分頸圈，可以使用由凹進(jìn)的溝槽填充掩蔽的各向同性蝕刻或其它合適的方法除去氧化物完全頸圈(圖1A-B中的112)的上部。此外，可以通過(guò)使用CVD或其它合適的方法形成導(dǎo)電材料層204。導(dǎo)電材料層204可以包括N+摻雜的(例如，重?fù)诫s的)多晶硅(雖然可以采用其它合適的材料)?？梢允褂肅MP或其它合適的方法使導(dǎo)電材料層204與襯墊氮化物的上表面共面化。
圖3A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第一示例性方法的步驟，襯底的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中有選擇地除去襯底100的一部分。參考圖3A-C，可以在襯底100上形成掩模，例如，氧化物硬掩模302。更具體地，可以在襯墊氮化物層106的一部分和埋置帶205的頂部的一部分上形成氧化物硬掩模302。掩模302可以是大約100nm到大約1000nm厚(雖然可以采用更大或更小和/或不同的厚度范圍)?？梢酝ㄟ^(guò)使用CVD或其它合適的方法繼之以RIE或其它合適的方法形成氧化物硬掩模302。雖然氧化物硬掩模302如上所述，但是也可以由不同的和/或其它材料形成硬掩模302。
構(gòu)圖氧化物硬掩模302，并且襯底100沒(méi)有被氧化物硬掩模302覆蓋的部分可以暴露于隨后的工藝?？梢允寡谀?02位于使溝槽108的寬度的大約三分之一到大約一半可以暴露于后續(xù)工藝(雖然掩模302可以露出埋置帶205的更大或更小的部分)。這些工藝可以除去襯墊氮化物層106、襯墊氧化物層104、氧化物硬掩模302、氧化物部分頸圈(圖2A-B中的202)、導(dǎo)電材料層204、埋置帶205和/或體襯底102的一部分，以便形成隔離氧化物頸圈304并且得到埋置帶306。用來(lái)形成隔離氧化物頸圈304并且得到埋置帶306的工藝可以是RIE或其它合適的工藝。如此，可以在得到的埋置帶306上形成包括大致垂直的表面的隔離槽308。隔離槽308也可以包括大致水平的表面，包括隔離氧化物頸圈304的一部分、得到的埋置帶306的一部分和體襯底102的一部分。如此，可以露出隔離氧化物頸圈304的一部分。隔離槽308可以是大約22nm到大約500nm寬和大約0.20μm到大約1.5μm深(雖然可以采用更大或更小和/或不同的寬度和/或深度范圍)。
圖4A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第一示例性方法的步驟，襯底的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中在襯底100上形成氮化物隔離物。參考圖4A-C，在溝槽308的側(cè)壁403上布置氮化物隔離物402?？梢酝ㄟ^(guò)在體襯底102、隔離氧化物頸圈304、得到的埋置帶306和氧化物硬掩模302之上淀積保形氮化物(例如，氮化硅)層或其它合適的材料層，并且定向蝕刻這種層形成氮化物隔離物402。然而，可以采用其它合適的方法形成氮化物隔離物402。氮化物隔離物402可以是大約1nm到大約30nm厚(雖然可以采用更大或更小和/或不同的厚度范圍)。
圖5A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第一示例性方法的步驟，襯底100的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中從襯底上去掉氧化物。參考圖5A-C，得到的埋置帶306的水平部分、隔離氧化物頸圈(圖4A-C中的304)的一部分、氧化物硬掩模(圖4A-C中的302)和體襯底102的一部分可以暴露于選擇性的材料除去工藝。選擇性的材料除去工藝可以包括各向同性氧化蝕刻(例如，濕或干蝕刻)和/或其它合適的方法。如此，可以除去隔離頸圈氧化物和氧化物硬掩模302的大部分，以便形成隔離頸圈空隙502并且露出襯墊氮化物106的一部分。如此，可以在得到的埋置帶306周?chē)纬筛綦x頸圈空隙502。注意，隔離頸圈空隙502的一部分可以暴露于工藝氣體。
圖6A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第一示例性方法的步驟，襯底的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中從襯底上去掉氮化物。參考圖6A-C，氮化物隔離物402可以暴露于選擇性的材料除去工藝，以便除去氮化物隔離物402。選擇性的材料除去工藝可以包括例如剝離工藝或其它合適的方法。通過(guò)采用該工藝，可以除去襯墊氮化物層106的小部分。
圖7A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第一示例性方法的步驟，襯底100的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中在襯底的隔離槽中淀積氧化物。參考圖7A-C，可以形成氧化物保護(hù)層702。例如，可以通過(guò)在大約300℃到400℃的溫度下通過(guò)無(wú)偏壓的HDP淀積一致地淀積氧化層或其它合適的材料，以便形成氧化物保護(hù)層702(雖然可以采用更大或更小和/或不同的溫度范圍)。低溫淀積可以防止被吸附在表面之上的反應(yīng)物的遷移，并且可以促進(jìn)表面邊緣處的氧化物保護(hù)層702的形成。然而，可以采用其它合適的方法形成氧化物保護(hù)層702。該凹腔形可以堵塞對(duì)隔離空隙頸圈502的開(kāi)口。氧化物保護(hù)層702可以是大約10nm到大約60nm厚(雖然可以采用更大或更小和/或不同的厚度范圍)。
圖8A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第一示例性方法的步驟，襯底100的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中在襯底上淀積氮化物。參考圖8A-C，一致地淀積的空隙保護(hù)層702可以被氮化硅層802覆蓋?？梢允褂肅VD或其它合適的工藝淀積氮化硅層。氮化硅層802可以是大約2nm到大約20nm厚(雖然可以采用更大或更小和/或不同的厚度范圍)。
圖9A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第一示例性方法的步驟，襯底的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中用氧化物充滿(mǎn)隔離槽。參考圖9A-C，可以用氧化物材料充滿(mǎn)隔離槽308，以便形成溝槽填充902，雖然可以使用其它合適的材料?？梢杂肏DP氧化物完成填充工藝，雖然可以采用其它合適的工藝。在形成溝槽填充902之后，可以使用化學(xué)機(jī)械平面化(CMP)或其它合適的方法平面化溝槽填充902的上表面。
圖10A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第二示例性方法的步驟，襯底1000的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中從襯底上去掉氮化物和氧化物，并且在襯底上形成氮化物隔離物。第二示例性方法的這些步驟類(lèi)似于參考圖1A-3C介紹的步驟。襯底1000可以類(lèi)似于在第一示例性方法期間采用的襯底100。當(dāng)方便時(shí)，采用相同的數(shù)字表示襯底1000的對(duì)應(yīng)于襯底100的元件。參考圖10A-C，可以采用選擇性的定向除去工藝除去體襯底102的一部分。如此，在埋置帶205上可以露出大致垂直和大致水平的表面。更具體地，通過(guò)采用材料淀積工藝，例如化學(xué)氣相淀積(CVD)或其它合適的方法繼之以RIE或其它合適的方法，可以在襯墊氮化物層106的頂層和埋置帶205(例如，圓形埋置帶)的頂部的一部分上形成氧化物硬掩模1002?？梢圆捎醚趸镉惭谀?002以除去襯墊氮化物層106和/或襯墊氧化物層104的一部分。
在形成氧化物硬掩模1002之后，可以用氮化硅或其它合適的材料層一致地覆蓋體襯底102的一部分、氧化物部分頸圈202、埋置帶205和部分氧化物硬掩模1002。可以用來(lái)形成氮化硅層或其它合適材料的工藝包括CVD或其它合適的方法。氮化硅層或其它合適的材料可以暴露于定向材料除去工藝，例如，RIE或其它合適的方法，以便形成大致垂直的氮化硅隔離物1004。氮化物隔離物1004可以是大約1nm到大約30nm厚(雖然可以采用更大或更小和/或不同的厚度范圍)。
圖11A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第二示例性方法的步驟，襯底1000的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中可以從襯底上去掉硅和溝槽導(dǎo)電材料。參考圖11A-C，氧化物硬掩模(圖10A-C中的1002)、襯墊氮化物層106、導(dǎo)電材料層204、埋置帶(圖10A-C中的205)、體襯底102可以暴露于定向材料除去工藝。定向材料除去工藝可以包括例如RIE工藝或其它合適的方法。定向材料除去工藝可以有選擇地除去導(dǎo)電材料層204、埋置帶205、襯墊氮化物層106、氧化物部分頸圈(圖10A-C中的202)和體襯底102的一部分。RIE可以除去氧化物硬掩模(圖10A-C中的1002)。如此，可以形成包括得到的埋置帶306的大致垂直的表面的隔離槽308。隔離槽308也可以包括大致水平的表面，可以由隔離氧化物頸圈304的一部分、得到的埋置帶306和體襯底102的一部分組成。如此，可以露出隔離氧化物頸圈304的一部分。隔離槽308可以是大約22nm到大約500nm寬和大約0.2μm到大約1.5μm深(雖然可以采用更大或更小和/或不同的寬度和/或深度范圍)。
圖12A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第二示例性方法的步驟，襯底1000的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中從襯底上去掉氧化物。該步驟類(lèi)似于參考圖6A-C介紹的第一示例性方法的步驟，因此，在此不詳細(xì)介紹。然而，當(dāng)從襯底1000上蝕刻氧化物時(shí)，可以由氮化物隔離物1004保護(hù)襯墊氧化物層104。
圖13A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第二示例性方法的步驟，襯底1000的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中在襯底上淀積氧化物。該步驟類(lèi)似于參考圖7A-C介紹的第一示例性方法的步驟，因此，在此不詳細(xì)介紹。
圖14A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第二示例性方法的步驟，襯底1000的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中在襯底上淀積氮化物。該步驟類(lèi)似于參考圖8A-C介紹的第一示例性方法的步驟，因此，在此不詳細(xì)介紹。
圖15A-C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照形成隔離頸圈空隙的第二示例性方法的步驟，襯底的頂視圖、剖面?zhèn)纫晥D和剖面前視圖，其中在襯底上淀積氧化物。該步驟類(lèi)似于參考圖9A-C介紹的第一示例性方法的步驟，因此，在此不詳細(xì)介紹。
上述介紹僅公開(kāi)了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。以上公開(kāi)的屬于本發(fā)明的范圍的裝置和方法的改進(jìn)對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將是容易的。例如，雖然以上介紹了隔離頸圈空隙，但是在一些實(shí)施例中，隔離頸圈可以由具有類(lèi)似于空隙的介電常數(shù)(例如，近似為1)的材料形成。例如，隔離頸圈空隙可以用具有這種介電常數(shù)的材料充滿(mǎn)。
因此，雖然已經(jīng)結(jié)合其示例性實(shí)施例公開(kāi)了本發(fā)明，但是很清楚，其它實(shí)施例可以屬于由隨后的權(quán)利要求書(shū)所確定的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種裝置，包括在體襯底中在微電子器件的一個(gè)或多個(gè)部分周?chē)纬傻目障?；其中空隙適合于減小在微電子器件與體襯底之間的寄生泄漏。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中由微電子器件的一部分的側(cè)壁與體襯底的側(cè)壁確定空隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中空隙包括真空。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中空隙包括至少一種氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中由適合于防止物質(zhì)進(jìn)入到空隙中的空隙保護(hù)層覆蓋空隙。
6.根據(jù)權(quán)利要求2的裝置，其中由微電子器件的近似垂直的側(cè)壁與體襯底的近似垂直的側(cè)壁確定空隙。
7.根據(jù)權(quán)利要求2的裝置，其中通過(guò)除去鄰近微電子器件的所述一部分的所述側(cè)壁和體襯底的所述側(cè)壁的氧化物來(lái)形成空隙。
8.一種存儲(chǔ)單元，包括在體襯底中形成微電子器件；以及在微電子器件的一個(gè)或多個(gè)部分的周?chē)纬煽障?；其中空隙適合于減小在微電子器件與體襯底之間的寄生泄漏。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的存儲(chǔ)單元，其中由微電子器件的一部分的側(cè)壁與體襯底的側(cè)壁確定空隙。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的存儲(chǔ)單元，其中空隙包括真空。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的存儲(chǔ)單元，其中空隙包括至少一種氣體。
12.根據(jù)權(quán)利要求8的存儲(chǔ)單元，其中由適合于防止物質(zhì)進(jìn)入到空隙中的空隙保護(hù)層覆蓋空隙。
13.根據(jù)權(quán)利要求9的存儲(chǔ)單元，其中由微電子器件的近似垂直的側(cè)壁與體襯底的近似垂直的側(cè)壁確定空隙。
14.根據(jù)權(quán)利要求9的存儲(chǔ)單元，其中通過(guò)從微電子器件的一部分的所述側(cè)壁和體襯底的所述側(cè)壁上除去氧化物隔離物形成空隙。
15.一種方法，包括(a)提供包括微電子器件的襯底；以及(b)在襯底中在微電子器件的一部分的周?chē)纬煽障丁?br> 16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，還包括在空隙之上形成適合于防止物質(zhì)進(jìn)入到空隙中的空隙保護(hù)層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中形成空隙保護(hù)層包括在襯底上淀積氧化物層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中在襯底上淀積氧化物層包括在大約300℃到大約400℃下采用高密度等離子體淀積，以淀積氧化物層。
19.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中(b)包括除去在微電子器件的所述一部分的周?chē)难趸铩?br> 20.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中(b)包括沿襯墊氧化物層的側(cè)壁形成氮化物隔離物。
全文摘要
在第一方案中，提供第一裝置。第一裝置包括在體襯底中在微電子器件的一個(gè)或多個(gè)部分周?chē)纬傻目障丁？障哆m合于減小在微電子器件與體襯底之間的寄生泄漏。提供了大量其它方案。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1967841SQ20061013654
公開(kāi)日2007年5月23日 申請(qǐng)日期2006年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月26日
發(fā)明者杰克·阿蘭·邁德曼, 赫伯特·L.·霍, 程慷果 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司