專利名稱：有機發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光器件(OLED)代表了顯示應(yīng)用領(lǐng)域中比較有發(fā)展前景的技術(shù)。傳統(tǒng)器件結(jié)構(gòu)含有(1)透明前電極；(2)多層有機發(fā)光區(qū)域(通常至少兩層)，其含有至少小分子或聚合物有機電致發(fā)光材料；以及(3)后電極。OLED通常層壓在基板上。前后電極其中之一為電子注入陰極，而另一個為空穴注入陽極。當(dāng)在電極上施加電壓時，從發(fā)光區(qū)域發(fā)出的光經(jīng)過透明前電極傳達給觀測者。通常，發(fā)光區(qū)域含有(1)靠近陰極的至少一電子傳輸材料層；(2)靠近陽極的至少一空穴傳輸材料層；以及(3)位于空穴傳輸層和電子傳輸層之間的電致發(fā)光材料層。
通過有機發(fā)光材料的層迭已經(jīng)制備了許多OLED。這種器件含有作為電致發(fā)光物質(zhì)的單晶材料，諸如專利號為No.3,530,325的美國專利(在此引入其公開內(nèi)容作為參考)中所述的單晶蒽。這些類型的器件可能需要100V或者更大數(shù)量級的激發(fā)電壓。
如上所述，OLED通常形成為多層結(jié)構(gòu)。在美國專利No.4,356,429、4,539,507、4,720,432和4,769,292(這里引入其公開作為參考)中公開了具有雙層發(fā)光區(qū)域的OLED，該雙層發(fā)光區(qū)域含有與支持空穴傳輸?shù)年枠O相鄰的一有機層以及與支持電子傳輸?shù)年帢O相鄰的另一有機層，并且該發(fā)光區(qū)域用作器件的電致發(fā)光區(qū)域。
美國專利No.4,769,292公開了一種具有電致發(fā)光材料層的傳統(tǒng)OLED，該電致發(fā)光材料層含有空穴傳輸層、電致發(fā)光層以及向發(fā)光層加入熒光摻雜物材料的電子傳輸層。在其他傳統(tǒng)OLED結(jié)構(gòu)中，諸如在美國專利No.4,720,432中所述的OLED結(jié)構(gòu)，該OLED還含有夾在空穴傳輸層和陽極之間的緩沖層。該空穴傳輸層和緩沖層的組合形成雙層空穴傳輸區(qū)域。這一點在S.A.Van Slyke等人在Appl.Phys.Lett.69，pp.2160-2162(1996)(在此引入其公開作為參考)中的“Organic Electroluminescent Devices with Improved Stability(具有改進穩(wěn)定性的有機電致發(fā)光器件)”中進行了討論。
還曾經(jīng)嘗試從含有混和層的OLED中獲得電致發(fā)光，例如，在單層中把空穴傳輸材料和發(fā)射電子傳輸材料混和在一起的混和層。例如，Kido等人在Appl.Phys.Lett.61，pp.761-763(1992)中發(fā)表的“Organic ElectroluminescentDevices Based On Molecularly Doped Polymers”；S.Naka等人在Jpn.J.Appl.Phys.33，pp.L1772-L1774(1994)中發(fā)表的“Organic ElectroluminescentDevices Using a Mixed Single Layer(采用混和單層的有機電致發(fā)光器件)”；W.Wen等人在Appl.Phys.Lett.71，1302(1997)；以及C.Wu等人在IEEETransaction on Electron Devices 44，pp.1269-1281(1997)中提出的“EfficientOrganic Electroluminescent Devices Using Single-Layer Doped Polymer Thin Filmwith Bipolar Carrier Transport Abilities”。該發(fā)光材料可以是空穴傳輸或者電子傳輸材料其中之一。根據(jù)一實施方式，還可以是除空穴傳輸和電子傳輸材料以外的可以發(fā)光的第三材料。
在美國專利No.5,853,905、No.5,925,980、No.6,130,001(在此引入其公開作為參考)中可以發(fā)現(xiàn)由單有機層形成的其他OLED的實施例，該單有機層含有空穴傳輸材料和電子傳輸材料。正如S.Naka等人所指出的，這些單混和層OLED不如多層有機發(fā)光器件有效。這些僅含有由諸如NPB(N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-聯(lián)苯胺)的空穴傳輸材料和諸如AlQ3(三(8-羥基喹啉)鋁)構(gòu)成的單混和層的器件不穩(wěn)定并且效率較差。人們認為由于在該混和層中的電子傳輸材料和空穴諸如材料之間直接接觸導(dǎo)致了這些器件的不穩(wěn)定，這導(dǎo)致(1)形成不穩(wěn)定的陽離子電子傳輸材料；并且(2)該混和層/陰極接觸面不穩(wěn)定。
在商業(yè)應(yīng)用中，對于OLED顯示來說高效(例如，對于25mA/cm2的電流密度其驅(qū)動電壓低于5V)而且足夠穩(wěn)定工作(例如，對于至少為500cd/m2的初始亮度其半衰期大于1000小時)是非常有必要的。在過去具有低驅(qū)動電壓的小分子OLED已經(jīng)得到證實(例如，Huang等人，APL 80，139，2002)。但是，該OLED缺乏足夠的工作穩(wěn)定性，可能導(dǎo)致他們不適合商業(yè)應(yīng)用。通過采用混和發(fā)光層OLED，已經(jīng)實現(xiàn)了高工作穩(wěn)定性，但是驅(qū)動電壓經(jīng)常超出預(yù)定值，諸如5V。需要既具有低驅(qū)動電壓又具有足夠工作穩(wěn)定性的OLED。

發(fā)明內(nèi)容
參照各種實施方式，這里公開的有機發(fā)光器件含有(a)陽極；(b)空穴傳輸層；(c)含有具有不同電子和空穴傳輸能力的至少兩種材料的電致發(fā)光材料層；(d)含有三嗪的電子傳輸層；以及(e)陰極，其中所述電致發(fā)光層厚度小于50nm。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種含有至少一有機發(fā)光器件的顯示器，該有機發(fā)光器件含有(a)陽極；(b)空穴傳輸層；(c)含有具有不同電子和空穴傳輸能力的至少兩種材料的電致發(fā)光材料層；(d)含有三嗪的電子傳輸層；以及(e)陰極，其中所述電致發(fā)光材料層厚度小于50nm。
根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供了一種有機發(fā)光器件，含有(a)陽極；(b)空穴傳輸層；(c)含有(i)電子傳輸材料；(ii)空穴傳輸材料；以及(iii)雙極傳輸材料中至少兩種的電致發(fā)光材料層；(d)含有三嗪的電子傳輸層；以及(e)陰極，其中所述電致發(fā)光材料層厚度小于50nm。


圖1所示為根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光器件；以及圖2所示為根據(jù)本發(fā)明的另一有機發(fā)光器件。
具體實施例方式
參照圖1，在一實施方式中，OLED 10依次含有諸如玻璃的支撐基板20；諸如氧化銦錫的陽極30，其厚度為大約1nm到大約500nm，諸如從大約30nm到100nm；可選緩沖層40，例如酞菁銅染料或者等離子聚合CHF3，厚度為約1nm到大約300nm；有機空穴傳輸層50，諸如厚度為大約1nm到大約200nm的NPB，例如從大約5nm到大約100nm；含有諸如含有空穴傳輸/電子傳輸/雙極傳輸材料構(gòu)成的混合物的電致發(fā)光層60，該層厚度為大約5nm到大約50nm；含有諸如厚度為大約5nm到300nm的三嗪的電子傳輸層70，例如大約10nm到大約100nm，以及隨限接觸的低功函金屬陰極80。在該陰極80上形成可選的保護層90。如圖2所示，根據(jù)另一實施方式，在OLED 15中，該支撐基板20與陰極80相鄰，并且可選的保護層90與陽極30相鄰。
在各種實施方式中，OLED含有支撐基板20。該支撐基板20的示例性實施例含有玻璃等，以及含有諸如MYLAR的聚酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚砜、石英等的聚合物組分。如果其他基板可以有效支撐其他層并且不會干擾器件功能性能也可以選擇其他類型基板20。該基板20的厚度范圍為從大約25μm到大約1,000μm或者更多，例如根據(jù)器件的結(jié)構(gòu)要求，范圍可以是從大約50μm到約500μm。
根據(jù)各種實施方式，該OLED可以包含鄰近基板的陽極30。陽極的適用非限制實施例含有諸如氧化銦錫、氧化錫、金、鉑的正電荷注入電極，或者其他的適用材料，諸如導(dǎo)電碳、諸如聚苯胺、聚吡咯等的π-共軛聚合物，其功函數(shù)等于或者大于大約4ev(電子伏特)，并且具體地，從大約4eV到6eV。該陽極的厚度的范圍為從約1nm到約500nm，同時根據(jù)該陽極材料的光學(xué)常數(shù)選擇適當(dāng)范圍。陽極厚度的適用范圍為大約30nm到大約100nm。
可選地提供有緩沖層40以與陽極相鄰。用于便于諸如來自陽極的空穴有效注入并提高陽極和空穴傳輸層之間粘接性(因此還提高器件工作穩(wěn)定性)的緩沖層含有諸如聚苯胺及其摻入酸的形式、聚吡咯、聚(對苯乙炔)，以及公知的半導(dǎo)體有機材料的導(dǎo)電材料；在美國專利No.4,356,429中公開的卟啉衍生物，該專利在此引入其全部內(nèi)容作為參考，諸如1，10，15，20-四苯基-21H，23H-卟啉銅(II)；酞菁銅、四甲基酞菁銅；酞菁鋅；酞菁二氧化鈦；酞菁鎂等。該緩沖層含有適于用作電子空穴傳輸材料的叔胺?？梢酝ㄟ^諸如汽相沉積或者旋轉(zhuǎn)涂敷的公知方法將以上化合物其中之一形成薄膜制備緩沖層。因此不具體限制緩沖層的厚度，其厚度范圍可以在從大約5nm到大約300nm，例如從大約10nm到大約100nm。
在各種實施方式中，該OLED含有含有空穴傳輸材料的空穴傳輸層50。該空穴傳輸材料的適用但非限定實施例含有諸如NPB的芳香叔胺、N，N’-二苯基-N，N’-雙(3-甲基苯基)-1，1-聯(lián)苯基-4，4’-二胺(TPD)、N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)、N，N’-雙(對聯(lián)苯基)-N，N’-二苯基聯(lián)苯胺(BP-TPD)，以及在美國專利No.4,539,507中公開的芳香叔胺，在此引入該專利作為參考。適用的芳香叔胺的實施例含有雙(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷；N，N，N-三(對甲苯基)胺、1，1-雙(4-二-對甲苯基氨基苯基)環(huán)己烷；1，1-雙(4-二-對甲苯基氨基苯基)-4-苯基環(huán)己烷；N，N’-聯(lián)苯基-N，N’-雙(3-甲基苯基)-1，1’-聯(lián)苯基-4，4’-二胺；N，N’-二苯基-N，N’-雙(3-甲基苯基)-1，1’-聯(lián)苯基-4，4’-二胺；N，N’-二苯基-N，N’-雙(4-甲氧基苯基)-1，1’-聯(lián)苯基-4，4’-二胺；N，N，N’，N’-四-對甲苯基-1，1’-聯(lián)苯基-4，4’-二胺；N，N’-二-1-萘基-N，N’-二苯基-1，1’-聯(lián)苯基-4，4’-二胺等。
適于用作空穴傳輸材料的另一類芳香叔胺為多核芳香胺，諸如N，N-雙-[4’-(N-苯基-N-間甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]苯胺；N，N--雙-[4’-(N-苯基-N-間甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-間甲苯胺；N，N-雙-[4’-(N-苯基-N-間甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-對甲苯胺；N，N-雙-[4’-(N-苯基-N-對甲苯基氨基)4-聯(lián)苯基]苯胺；N，N-雙-[4’-(N-苯基-N-對甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-間甲苯胺；N，N-雙-[4’-(N-苯基-N-對甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-對甲苯胺；N，N-雙-(4’-(N-苯基-N-對氯苯基氨基)-4-聯(lián)苯基)-間甲苯胺N，N-雙-[4’-(N-苯基-N-間氯苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-間甲苯胺；N，N-雙-[4’-(N-苯基-N-間氯苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-對甲苯胺；N，N-雙-[4’-(N-苯基-N-間甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-對氯苯胺；N，N-雙-[4’-(N-苯基-N-對甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-間氯苯胺；以及N，N-雙-[4’-(N-苯基-N-間甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-1-氨基萘，等。
用于空穴傳輸層50的其他空穴傳輸材料含有如N，N′-二咔唑基-4，4′-聯(lián)苯基(CBP)、4，4′-雙(3，6-二甲基咔唑基-9-基)1，1’-二苯基(TPCB)以及4，4’-雙(9-咔唑基)-1，1’-聯(lián)苯基化合物的咔唑。4，4’-雙(9-咔唑基)-1，1’-聯(lián)苯基化合物的示例性實施例含有4，4’-雙(9-咔唑基)-1，1’-聯(lián)苯基和4，4’-雙(3-甲基-9-咔唑基)-1，1’-聯(lián)苯基等。另一類適于空穴傳輸?shù)牟牧蠟檫胚岵?，諸如5，11-二-萘基-5，11-二氫化吲哚并[3，2-b]咔唑(NIC)?？昭▊鬏攲?0的厚度范圍為大約1nm到大約200nm。根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，該厚度范圍為大約5nm到大約100nm。
這里所公開的OLED含有電致發(fā)光層。根據(jù)各種實施方式，電致發(fā)光材料60含有具有不同電子和空穴傳輸能力的至少兩種材料。可用于電致發(fā)光層60的材料含有但不限于空穴傳輸材料、電子傳輸材料，以及雙極傳輸材料。各種空穴傳輸材料、電子傳輸材料，以及雙極傳輸材料在技術(shù)領(lǐng)域中是公知的，對他們進行選擇結(jié)合從而實現(xiàn)理想的發(fā)色性。而且，熟悉本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員經(jīng)過常規(guī)試驗可以很容易地選擇能夠提供所需發(fā)色性的材料。
在各種實施方式中，電致發(fā)光層60含有空穴傳輸材料。適用于電致發(fā)光層的空穴傳輸材料的非限定實施例含有芳香叔胺、多核芳香胺、咔唑以及吲哚并。例如，該電致發(fā)光層60可以含有這里所指出的適于空穴傳輸層50的空穴傳輸材料其中之一。
電致發(fā)光層60還含有至少一電子傳輸材料，諸如類似AlQ3的金屬螯合物以及雙(8-羥基喹啉酸合)-(4-苯并基苯酚合)鋁鹽(BAIQ)、類似4，4′，-雙(2，2，-二苯基乙烯基)1，1′-聯(lián)苯(DPVi)的芪、如2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD)，以及諸如含有對三嗪電子傳輸層指定那些三嗪的4，4’-雙-[2-(4，6-二苯基-1，3，5-三嗪基)]-1，1’-聯(lián)苯(T1)的三嗪。可以采用的電子傳輸材料的示例性實施例含有但不限于在專利號為No.4,539,507、No.5,151,629和No.5,141,671(在此引入作為參考)的美國專利中公開的8-羥基喹啉。示例性實施例含有雙(8-羥基喹啉酸)-(4-苯并苯酚)鋁鹽(Balq)、三(8-羥基喹啉酸)鎵鹽；雙(8-羥基喹啉酸)鎂鹽；雙(8-羥基喹啉酸)鋅鹽；三(5-甲基-8-羥基喹啉酸)鋁鹽；三(7-丙基-8-羥基喹啉酸)鋁鹽；雙[苯并{f}-8-喹啉酸]鋅鹽；雙(10-羥基苯并[h]喹啉酸)鈹鹽等。
另一類適用于電致發(fā)光層60的電子傳輸材料含有諸如在專利號為No.5,516,577的美國專利中公開的芪衍生物，在此引入該專利作為參考。適用的芪衍生物為4，4′，-雙(2，2，-二苯基乙烯基)聯(lián)苯。再一類適用的電子傳輸材料為在美國專利No.5,846,666(在此引入作為參考)中所述的金屬硫代羥喹啉酸化合物。這些材料含有由雙(8-喹啉硫羥酸)鋅鹽；雙(8-喹啉硫羥酸)鎘鹽；三(8-喹啉硫羥酸)鎵鹽；三(8-喹啉硫羥酸)銦鹽；雙(5-甲基喹啉硫羥酸)鋅鹽；三(5-甲基喹啉硫羥酸)鎵鹽；三(5-甲基喹啉硫羥酸)銦鹽；雙(5-甲基喹啉硫羥酸)鎘鹽；雙(3-甲基喹啉硫羥酸)鎘鹽；雙(5-甲基喹啉硫羥酸)鋅鹽；雙[苯并{f}-8-喹啉硫羥酸]鋅鹽；雙[3-甲基苯并{f}-8-喹啉硫羥酸]鋅鹽；雙[3，7-二甲基苯并{f}-8-喹啉硫羥酸]鋅鹽等構(gòu)成的金屬硫代羥喹啉酸化合物。其他適合材料含有雙(8-喹啉硫羥酸)鋅鹽；雙(8-喹啉硫羥酸)鎘鹽；三(8-喹啉硫羥酸)鎵鹽；三(8-喹啉硫羥酸)銦鹽和雙[苯并{f}-8-喹啉硫羥酸]鋅鹽。
又一類適于電致發(fā)光層60的電子傳輸材料為在美國專利No.5,925,472(在此引入作為參考)中公開的噁二唑金屬螯化物。這些材料含有雙[2-(2-羥基苯基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑]鈹；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(1-萘基)-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(1-萘基)-1，3，4-噁二唑]鈹；雙[5-聯(lián)苯基-2-(2-羥基苯基)-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[5-聯(lián)苯基-2-(2-羥基苯基)-1，3，4-噁二唑]鈹；雙(2-羥基苯基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑]鋰；雙[2-(2-羥基苯基)-5-對甲苯基-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-對甲苯基-1，3，4-噁二唑]鈹；雙[5-(對叔丁基苯基)-2-(2-羥基苯基)-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[5-(對叔丁基苯基)-2-(2-羥基苯基)-1，3，4-噁二唑]鈹；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(3-氟苯基)-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(4-氟苯基)-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(4-氟苯基)-1，3，4-噁二唑]鈹；雙[5-(4-氯苯基)-2-(2-羥基苯基)-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(4-甲氧基苯基)-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基-4-甲基苯基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-α-(2-羥基萘基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-對吡啶基-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-對吡啶基-1，3，4-噁二唑]鈹；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(2-硫代苯基)-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-苯基-1，3，4-硫代噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-苯基-1，3，4-硫代噁二唑]鈹；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(1-萘基)-1，3，4-硫代噁二唑]鋅；和雙[2-(2-羥基苯基)-5-(1-萘基)-1，3，4-硫代噁二唑]鈹?shù)取?br> 在不同實施方式中，電致發(fā)光層60可以含有雙極傳輸材料，分離地或者替代電子和/或空穴傳輸材料。適合的雙極材料含有如2-(1，1-二甲基乙基)-9，10-雙(2-萘基)蒽(TBADN)，9，10-二(2-萘基)蒽(DNA)，9，10-二(2-苯基)蒽(DPA)，9-二(苯基)蒽(BPA)，螺旋-BPA和螺旋-DPA，二萘嵌苯，如2,5，8，11-四-t-丁二嵌萘苯(BD2)，并四苯，如紅熒烯和其他普通烴材料。
在各種實施方式中，電致發(fā)光層60含有具有不同電子和空穴傳輸能力的至少兩種材料構(gòu)成的混合物。所述具有不同電子和空穴傳輸能力的兩種材料可以是任意具有不同空穴遷移率和/或不同電子遷移率的兩種材料。通常，如果其空穴遷移率比其電子遷移率高至少約10倍則認為該材料為空穴傳輸材料。通常，如果其電子遷移率比其空穴遷移率高至少約10倍則認為該材料為電子傳輸材料。如果其空穴遷移率等于電子遷移率、如果其電子遷移率超過其空穴遷移率小于10倍或者如果其電子遷移率超過其空穴遷移率小于10倍，則認為該材料為雙極傳輸材料。可以從空穴傳輸材料、電子傳輸材料和雙極傳輸材料中獨立地選擇該具有不同電子和空穴傳輸能力的兩種材料，以上已給出其示例性實施例。例如，兩種材料可以都是空穴傳輸材料，兩種材料可以都是電子傳輸材料，兩種材料可以都是雙極傳輸材料，一種材料可以是空穴傳輸材料并且另一種材料是電子傳輸材料，一種材料可以是空穴傳輸材料并且另一種材料是雙極傳輸材料，或者一種材料可以是電子傳輸材料且另一種材料為雙極傳輸材料。在混合物含有兩種空穴傳輸材料的實施方式中，選擇兩種材料使得一種材料的空穴遷移率至少高于另一種材料空穴遷移率的兩倍。在混合物含有兩種電子傳輸材料的實施方式中，選擇兩種材料使得一種材料的電子遷移率至少高于另一種材料的電子遷移率的兩倍。在混合物含有兩種雙極傳輸材料的實施方式中，選擇兩種材料使得一種材料的空穴遷移率至少高于另一種材料的空穴遷移率兩倍，和/或一種材料的電子遷移率至少高于另一種材料電子遷移率的兩倍?；旌蛥^(qū)域含有所述兩種材料其中之一的體積百分比為約5％到約95％，并且所述兩種材料的另一種體積百分比為約95％到約5％?；旌蛥^(qū)域還選擇性地含有體積百分比為約0.01％到約25％的摻雜劑材料。在實施方式中，混和區(qū)域含有所述體積百分比為約30％到約70％的兩種材料其中之一，并且所述兩種材料的另一種體積百分比為約70％到約30％，并且還可以選擇性地含有體積百分比為約0.05％到約10％的摻雜劑材料。在其他實施方式中，混和區(qū)域含有所述兩種材料其中之一的體積百分比為約40％到約60％，并且所述兩種材料的另一種體積百分比為約60％到約40％，并且還可以選擇性地含有體積百分比為約0.1％到約2％的摻雜劑材料。在其它實施方式中，混和區(qū)域的摻雜劑材料的體積量為大約5％到大約20％。
電致發(fā)光層60含有至少一可以由于空穴和電子復(fù)合而能夠發(fā)光的材料。該至少一材料可以是熒光或者磷光材料，或者是具有不同電子和空穴傳輸能力的兩種材料中或者其中一種或者兩種。另外，該能夠發(fā)光的至少一材料可以是其它材料。
電致發(fā)光層60含有熒光材料。該熒光材料的示例性實施例含有選自香豆素、二氰基亞甲基吡喃、聚甲炔、氧雜苯并蒽、氧雜蒽、吡喃鎓、喹諾酮(carbostyl)、苝和喹吖啶酮衍生物的染料。喹吖啶酮染料的示例性實例含有喹吖啶酮，2-甲基喹吖啶酮、2，9-二甲基喹吖啶酮、2-氯喹吖啶酮、2-氟喹吖啶酮、1，2-苯并喹吖啶酮、N，N’-二甲基喹吖啶酮、N，N’-二甲基-2-甲基喹吖啶酮、N，N’-二甲基-2，9-二甲基喹吖啶酮、N，N’-二甲基-2-氯喹吖啶酮、N，N’-二甲基-2-氟喹吖啶酮、N，N’-二甲基-1，2-苯并喹吖啶酮等。所含熒光物質(zhì)的重量百分比為占該層重量約0.01％到約10％，諸如重量百分比約1％到約5％。
電致發(fā)光層60含有磷光材料，諸如包含產(chǎn)生強自旋-軌道耦合的重金屬原子的有機金屬化合物，這些內(nèi)容在Baldo等人在Letters to Nature，395，pp151-154(1998)“Highly efficient organic phosphorescent emission from organicelectroluminescent devices”中公開(在此引入作為參考)。適合的非限制實施例含有2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-膦鈀(II)(PtOEP)和三(2-苯基吡啶)銥。
為了獲得低驅(qū)動電壓，電致發(fā)光層的厚度為約5nm到約50nm。根據(jù)一實施方式，厚度范圍為從約10nm到約40nm。在另一實施方式中，厚度范圍為從約15nm到約30nm。
這里所公開的OLED含有含有三嗪的電子傳輸層70。許多三嗪可以用來形成電子傳輸層70。適用的三嗪含有在專利號為No.6,225,467和No.6,229,012(在此引入作為參考)美國專利中公開的內(nèi)容。適合的三嗪的非限定性實施例含有4，4’-雙-[2-(4，6-二苯基-13，5-三嗪基)]-1，1’-聯(lián)苯(T1)；2，4，6-三(4-聯(lián)苯基)-1，3，5-三嗪；2，4，6-三[4-(4’-甲基聯(lián)苯基)]-1，3，5-三嗪；2，4，6，-三[4-(4’-叔丁基聯(lián)苯基)-1，3，5-三嗪、2，4，6-三[4-(3’，4’-二甲基聯(lián)苯基)]-1，3，5-三嗪；2，4，6-三[4-(4’-甲氧基聯(lián)苯基)]-1，3，5-三嗪；2，4，6-三[4-(3’-甲氧基聯(lián)苯基)]-1，3，5-三嗪；2，4-雙(4-聯(lián)苯基)-6-苯基-1，3，5-三嗪；2，4-雙(4-聯(lián)苯基)-6-間甲苯基-1，3，5-三嗪；4，4’-雙-[2-(4，6-二苯基-1，3，5-三嗪基)]-1，1’-聯(lián)苯；4，4’-雙-[2-(4，6-二-對甲苯基-1，3，5-三嗪基)]-1，1’-聯(lián)苯；4，4’-雙-[2-(4，6-二-間甲苯基-1，3，5-三嗪基)]-1，1’-聯(lián)苯；4，4’-雙-[2-(4，6-二-對甲氧基苯基-1，3，5-三嗪基)]-1，1’-聯(lián)苯；4，4’-雙-[2-(4，6-二-間甲氧基苯基-1，3，5-三嗪基)]-1，1’-聯(lián)苯；4，4’-雙-[2-(4-β-萘基-6-苯基-1，3，5-三嗪基)]-1，1’-聯(lián)苯；4，4’-雙-[2-(4，6-二-聯(lián)苯基-1，3，5-三嗪基)]-1，1’-聯(lián)苯；4-[2-(4，6-二-聯(lián)苯基-1，3，5-三嗪基)]-4’-[2-(4，6-二-間甲苯基-1，3，5-三嗪基)]-1，1’-聯(lián)苯；2，7-雙-[2-(4，6-二-苯基-1，3，5-三嗪基)]氟；2，7-雙-[2-(4，6-二-苯基-1，3，5-三嗪基)]-9，9-二甲基芴；2，7-雙-[2-(4，6-二-苯基-1，3，5-三嗪基)]-9，9-二乙基芴；2，7-雙-[2-(4，6-二-苯基-1，3，5-三嗪基)]-9，9-二苯基芴；2，7-雙-[2-(4，6-二-苯基-1，3，5-三嗪基)]-9，10-二氫菲；4，9-雙-[2-(4，6-二-苯基-1，3，5-三嗪基)]氧芴；4，9-雙-[2-(4，6-二-苯基-1，3，5-三嗪基)]硫芴；2，7-雙-[2-(4，6-二-苯基-1，3，5-三嗪基)]-9，9-二甲基-9-硅雜芴等。該電子傳輸層可以完全由三嗪構(gòu)成，或者可以含有混和有其他材料的三嗪。例如，如同一日期提交的代理案號為0010.0024的美國專利申請No.11/122,290中所述(這里引入該公開作為參考)，可以在該三嗪中摻雜有機和無機材料其中至少之一。在某些實施方式中，含有三嗪的電子傳輸層70還可以含有已經(jīng)公開的對電致發(fā)光層60很有用的電子傳輸材料至少其中之一。在某些實施方式中，該電子傳輸層70含有體積至少占50％的三嗪。通常，該電子傳輸層70的厚度在約1nm到約200nm范圍內(nèi)，諸如約5nm到約100nm的，例如在約20nm到約70nm內(nèi)。
在各種實施方式中，該OLED含有陰極80。陰極80含有任何諸如金屬的適用材料。該材料具有高功函組份，例如約4.0eV到約6.0eV。陰極含有低功函組分，諸如功函為約2.5到約4.0eV的金屬。通過將低功函金屬(約4eV，例如約2eV到約4eV)和至少一其他金屬組合得到陰極。
低功函金屬與第二或者其他金屬的有效比例重量上低于約0.1％到99.9％。低功函金屬的示例性實施例含有諸如鋰或者鈉的堿金屬，諸如鈹、鎂、鈣或者鋇的IIA族或者堿土金屬，以及含有稀土金屬和諸如鈧、釔、鑭、鈰、銪、鋱、或者錒的錒族金屬的III族金屬。鋰、鎂和鈣為適用的低功函金屬。
陰極80的厚度范圍為約10nm到約500nm。美國專利No.4,885,211(這里引入作為參考)的Mg:Ag陰極構(gòu)成一適用陰極結(jié)構(gòu)。在美國專利No.5,429,884(這里引入作為參考)中描述了另一適用陰極，其中該陰極由具有諸如鋁和銦的其他高功函金屬的鋰合金構(gòu)成。
可以通過傳統(tǒng)方法構(gòu)造這里公開的OLED。在各種實施方式中，設(shè)置諸如玻璃的支撐基板20。在該玻璃上設(shè)置陽極30并且該陽極30由厚度為約1nm到約500nm的氧化銦錫構(gòu)成，例如，從約30nm到約100nm(在整個公開中，厚度范圍為所提供實例的厚度范圍，也可以選擇其他適用厚度)?？梢赃x擇性設(shè)置和該陽極接觸的緩沖層40，并且該緩沖層40可以由厚度為約5nm到約500nm的導(dǎo)電組分或者空穴傳輸材料構(gòu)成，例如約10nm到約100nm。在該陽極30或者緩沖層40上設(shè)置有機空穴傳輸層50，該空穴傳輸層50厚度為約1nm到約200nm，例如約5nm到約100nm。設(shè)置電致發(fā)光層60與該空穴傳輸層50接觸。設(shè)置電子傳輸層70與電致發(fā)光層60接觸，該電子傳輸層70厚度約為5nm到約300nm，例如約10nm到約100nm。含有低功函金屬的陰極80與該電子傳輸層70接觸。
根據(jù)本公開，這里所公開的OLED的實施方式可以在交流(AC)和/或直流(DC)驅(qū)動條件下工作。在某些情況，尤其在高溫設(shè)備工作條件下，AC驅(qū)動條件適于延長工作壽命。適合工作電壓為獲得至少大約100cd/m2亮度的驅(qū)動電流所需的外部施加的驅(qū)動電壓，并且通常亮度至少約為500cd/m2，諸如亮度為約1000cd/m2。該電壓范圍為約0.5伏特到約20伏特，諸如約1伏特到約15伏特。根據(jù)各種實施方式，工作電壓低于約6V，例如低于約5.5V。適合的工作電流范圍為約1mA/cm2到約1000mA/cm2，諸如大約10mA/cm2到約200mA/cm2，例如約25mA/cm2。也可以使用該范圍之外的工作電壓和電流。
實施例以下實施例為示例性的并非對本發(fā)明的限制。
采用物理汽相沉積制造一組有機發(fā)光器件。所有器件含有涂敷在玻璃基板上的氧化銦錫和Mg:Ag陰極。所有器件具有位于陽極和陰極之間的三層發(fā)光區(qū)域，該三層發(fā)光區(qū)域含有由如下表所述各種組分構(gòu)成的空穴傳輸層、電致發(fā)光層和電子傳輸層。在制造完成后，該器件在恒定電流25mA/cm2下工作。在D04)相匹配，并記入器件臨時匹配表，同時從器件臨時匹配表中刪除(D01，D04)，(D02，D03)

13.在Netlist中查找D03的2號引腳所屬的原始網(wǎng)絡(luò)，發(fā)現(xiàn)$35N1005滿足要求。
14.對于netlist中$35N1002的其它2個引腳C002.2和R001.2，在Netlist的$35N1005網(wǎng)絡(luò)中也可以找到C004.2和R003.2與之相匹配。
15.netilist中已無網(wǎng)絡(luò)可再比較，表明在Netlist中存在與待查電路模塊相匹配的電路模塊，輸出與以下器件匹配器件對應(yīng)的匹配信息文件，即與待查電路模塊相匹配的電路模塊的netlist

圖4示出了本發(fā)明提供的電路模塊查找裝置的結(jié)構(gòu)，包括網(wǎng)表導(dǎo)出單元401和匹配電路模塊查找單元402。
網(wǎng)表導(dǎo)出單元401用于導(dǎo)出完整電路PCB設(shè)計圖或者待查電路模塊的網(wǎng)表。匹配電路模塊查找單元402根據(jù)完整電路PCB設(shè)計圖或者待查電路模塊的網(wǎng)表判斷完整電路PCB設(shè)計圖中是否存在待查電路模塊的匹配電路模塊。
在本發(fā)明的一個實施例中，電路模塊查找單元402在完整電路PCB設(shè)計圖的網(wǎng)表查找判斷是否存在待查電路模塊的網(wǎng)表中所有網(wǎng)絡(luò)的對應(yīng)網(wǎng)絡(luò)，是則表明完整電路PCB設(shè)計圖中存在待查電路模塊的匹配電路模塊。
5--2-(1，1-二甲基乙基)-9，10-雙(2-萘基)蒽(也稱之為TBADN)6--2，5，8，11-四-t-丁二嵌萘苯7--4，4’-雙-[2-(4，6-二苯基-13，5-三嗪基)]-1，1’-聯(lián)苯8--三(8-羥基喹啉)鋁由于電致發(fā)光層僅分別包含BH2和AlQ3且沒有第二主材料，因此對照器件1和3表現(xiàn)出低穩(wěn)定性。比較而言，可能由于電子傳輸層不含有三嗪，因此對照器件4的驅(qū)動電壓超過5V。相反，本發(fā)明的器件2、3和6-9具有混和電致發(fā)光層，體現(xiàn)出大于1000小時的半衰期，并且具有低于5V的驅(qū)動電壓。
通過這一結(jié)果，可以清楚的看到，與對照器件不同，根據(jù)本發(fā)明實施方式的OLED既顯示了低驅(qū)動電壓(低于5V)又體現(xiàn)了充分的工作穩(wěn)定性(對于至少500cd/cm2的初始亮度具有大于1000小時的半衰期)。為了獲得具有不同發(fā)射顏色的不同器件還可以在各種組分構(gòu)成的OLED器件中采用該實施方式。
對于說明書和所附權(quán)利要求書，除非另有說明，在說明書和權(quán)利要求中使用的表示數(shù)量、百分比或比例的任意數(shù)值以及其它數(shù)值都可以理解為通過術(shù)語“大約”在所有實例中可以修改上述數(shù)值。因此，除非具體指出，在說明書和所附權(quán)利要求中提到的數(shù)字參數(shù)為可以根據(jù)本公開要獲得的理想特性改變的近似值。至少，不希望限定權(quán)利要求等同范圍的申請，至少應(yīng)該根據(jù)記載的主要數(shù)字數(shù)量并通過將其應(yīng)用于普通完整技術(shù)中解釋該數(shù)字參數(shù)。
應(yīng)該注意除非特別以及明確限定為一個指示物，在說明書和所附權(quán)利要求中所用到的單數(shù)形式“一(a)”、“一個(an)”和“該(the)”含有多個指示物。因此，例如，“一摻雜物”含有兩種或者多種摻雜物。希望不限定這里所用到的術(shù)語“含有”及其語法變形，從而使得所列出的項目不排除可能替代或者添加到所列項目種的其他可能項目。
盡管描述的是具體的實施方式，但是應(yīng)用者或其他的熟練技術(shù)人員將能夠聯(lián)想到那些目前無法預(yù)見或目前可能無法預(yù)見的替代方案、修改、變型、改進和基本上等同的技術(shù)方案。因此，提交的且可能修改的所附權(quán)利要求意欲涵蓋所有這些替代方案、修改、改進和基本上等同的技術(shù)方案。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光器件，含有(a)陽極；(b)空穴傳輸層；(c)含有至少兩種材料的電致發(fā)光材料層，所述至少兩種材料具有不同電子和空穴傳輸能力；(d)含有三嗪的電子傳輸層；以及(e)陰極，其中所述電致發(fā)光材料層的厚度小于50nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，相對于所述電子傳輸材料的總體積，存在于所述電子傳輸層中的三嗪的體積含量至少為大約50％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述三嗪為4，4’-雙-[2-(4，6-二苯基-13，5-三嗪基)]-1，1’-聯(lián)苯。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述三嗪摻雜有無機和有機材料其中至少之一。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述具有不同電子和空穴能力的兩種材料其中至少之一為三(8-羥基喹啉)鋁。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，具有不同電子和空穴能力的兩種材料其中之一為三(8-羥基喹啉)鋁并且另一種選自芳香叔胺、蒽、并四苯。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其特征在于，所述芳香叔胺為N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-聯(lián)苯胺)，所述蒽為2-t-丁基-9，10-二(2萘基)蒽，并且所述并四苯為紅熒烯。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述電致發(fā)光材料含有電子傳輸材料和空穴傳輸材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述電致發(fā)光材料層含有電子傳輸材料和雙極傳輸材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述電致發(fā)光材料層含有空穴傳輸材料和雙極傳輸材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述電致發(fā)光材料層含有由于電子和空穴復(fù)合能夠發(fā)光的至少一材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其特征在于，所述能夠發(fā)光的材料選自熒光材料和磷光材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件能夠在低于5伏特的驅(qū)動電壓、至少20mA/cm2的電流密度下工作。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件在初始亮度至少為500cd/m2的情況下具有半衰期至少為1000小時的工作穩(wěn)定性。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述電致發(fā)光材料層的厚度范圍為從約10nm到小于約50nm。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述電致發(fā)光材料層的厚度范圍為從約10nm到約30nm。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件發(fā)射的光的波長范圍為從約400nm到700nm。
18.一種含有至少一有機發(fā)光器件的顯示器，所述有機發(fā)光器件含有(a)陽極；(b)空穴傳輸層；(c)含有至少兩種材料的電致發(fā)光材料層，所述至少兩種材料具有不同電子和空穴傳輸能力；(d)含有三嗪的電子傳輸層；以及(e)陰極，其中所述電致發(fā)光材料層的厚度小于50nm。
19.一種有機發(fā)光器件，含有(a)陽極；(b)空穴傳輸層；(c)電致發(fā)光材料層，含有以下其中至少兩種(i)電子傳輸材料；(ii)空穴傳輸材料；以及(iii)雙極傳輸材料；(d)含有三嗪的電子傳輸層；以及(e)陰極，其中所述電致發(fā)光材料層的厚度小于50nm。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其特征在于，所述(i)、(ii)和(iii)中兩種的比例范圍為5∶95到95∶5。
全文摘要
本發(fā)明涉及有機發(fā)光器件(OLED)，該發(fā)光器件含有包含具有不同電子、空穴傳輸能力的至少兩種材料的混合物的電致發(fā)光材料層，并且電子傳輸層含有三嗪。并且還公開了含有該OLED的顯示器件。
文檔編號H01L51/54GK1858924SQ20061007853
公開日2006年11月8日 申請日期2006年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月4日
發(fā)明者H·阿茲茲, 波波維克, J·A·科甘, 胡南星 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社