專利名稱：有機電致發(fā)光顯示器及其制造方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光(EL)設備，尤其涉及一種有機EL設備，其具有將當驅(qū)動有機EL設備時產(chǎn)生的熱量和來自其基板上的薄膜晶體管(TFT)的熱量散發(fā)掉的散熱結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
通常，有機EL設備是采用有機材料的電致發(fā)光的設備，并且作為能夠高亮度發(fā)光同時能夠用低電壓直流電驅(qū)動的發(fā)光設備而引人注目，在該設備中，有機發(fā)光層或者有機空穴輸運層疊置在上電極和下電極之間。
圖1A和1B分別是用于圖示常規(guī)有機EL設備特別是常規(guī)有源矩陣底發(fā)光型有機EL設備的截面圖和平面圖。
如圖1A和1B所示，該有機EL設備包括透明基板10，其包括ITO并且其上形成有TFT 10’和第一電極10”；至少一個有機材料層11，其包括空穴注入層、空穴輸運層、發(fā)光層、電子輸運層等；用于注入電子和反射發(fā)出的光的第二電極12；用于密封這些元件的密封劑13；和密封蓋14。
當把正(+)和負(-)直流電壓施加到如上構(gòu)造的該有源矩陣底發(fā)光型有機EL設備的第一電極10”和第二電極12時，從第一透明電極10”注入的空穴通過有機材料層11的空穴輸運層遷移到發(fā)光層。此外，從第二電極12注入的電子通過電子輸運層遷移到發(fā)光層。結(jié)果，在發(fā)光層內(nèi)出現(xiàn)空穴和電子的復合，使得光通過由ITO制成的透明基板發(fā)射出來。為了防止因空氣內(nèi)的潮氣引起有機EL設備內(nèi)的放電室(cell)的收縮，該有機EL設備用密封劑13和密封蓋14在N2氣氛中密封起來，以避免空氣中的潮氣滲透到該設備中。在多數(shù)情形下，第二電極12在密封線13’的內(nèi)面淀積，并且用作公共電極，該密封線位于有效區(qū)(active region)上。
在這種有源矩陣底發(fā)光型有機EL設備中，通?？蓪l(fā)熱區(qū)域分為形成于基板上的TFT 10’，和有機EL設備的有機材料層11。此時，產(chǎn)生的熱量能夠通過熱傳導——經(jīng)由供給電力的導線和光經(jīng)其發(fā)出的玻璃基板——和位于有機EL設備的第二電極12和密封蓋14之間的氣體的對流從該設備散發(fā)到它的外面。
然而，如上所述的常規(guī)有機EL設備具有的缺點在于導線寬度的增加導致相對孔徑的降低，在于玻璃基板產(chǎn)生無效的傳熱，以及在于占氣體大部分的氮氣因其極低的導熱率而對散熱不可導。如此，熱量不能散發(fā)到外面，并且增加了設備的內(nèi)部溫度，從而導致TFT性能的劣化、有機材料的淀積、以及有機材料和電極之間界面性能的劣化。結(jié)果，常規(guī)有機EL設備存在不穩(wěn)定和壽命短的問題。從這一點來看，本領域需要提供一種有效的散熱系統(tǒng)的有機EL設備。

發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明提出一種有機EL設備及其制造方法，其基本上克服因現(xiàn)有技術(shù)的局限性和缺點導致的一個或者多個問題。
本發(fā)明的一個目的是提供一種有機EL設備及其制造方法，該設備具有散熱結(jié)構(gòu)，以把在驅(qū)動該有機EL設備時產(chǎn)生的熱量和來自其基板上的薄膜晶體管(TFT)的熱量散發(fā)掉。
本發(fā)明的另外的優(yōu)點、目的和特征部分在隨后的說明書中加以闡述，部分對本領域普通技術(shù)人員來說，在認真閱讀以下內(nèi)容后是顯而易見的，或者通過實踐該發(fā)明而獲知。本發(fā)明的這些目的和其它的優(yōu)點可以通過書面的說明書中所特別指出的結(jié)構(gòu)和就此的權(quán)利要求書以及附圖而實現(xiàn)或者獲得。
為實現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明目的的這些目的和其它優(yōu)點，如所具體和廣泛描述的，這里提供了一種有機EL設備，包括基板，具有布置在有效區(qū)(active region)的第一電極；至少一個有機材料層，形成于第一電極上；第二電極，形成于該有機材料層上，以便延伸到對應于無效區(qū)(inactiveregion)的該基板上，以允許該設備的熱量由其散發(fā)到外面；和密封蓋，面對第二電極同時在密封線處通過密封劑與第二電極密封地連接。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機EL設備，包括基板，具有布置在有效區(qū)的第一電極；至少一個有機材料層，形成于第一電極上；第二電極，形成于該有機材料層上；密封蓋，面對第二電極同時通過密封劑與第二電極連接；和導熱體，將位于密封線內(nèi)面的第二電極的邊緣與該密封蓋連接起來，以將該設備的熱量散發(fā)到其外面。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種用于制造有機EL設備的方法，包括步驟形成在其上形成有第一電極的基板；在第一電極上形成至少一個有機材料層，使得空穴和電子被注入到該有機材料層，并且然后在其中復合以從中發(fā)光；在該有機材料層上形成延伸到密封線的外面的第二電極；形成面對第二電極的密封蓋；和將密封劑涂布到位于該密封線上的第二電極和涂布到該密封蓋的邊緣，接著固化該密封劑以密封該有機EL設備。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種用于制造有機EL設備的方法，包括步驟形成在其上形成有第一電極的基板；在該基板上、在該基板的有效區(qū)的外面形成導熱層；在第一電極上形成至少一個有機材料層，使得空穴和電子被注入到該有機材料層，并且然后在其中復合以從中發(fā)光；在該有機材料層上、在該有效區(qū)內(nèi)形成第二電極；將位于該有效區(qū)外面的該導熱層與位于該有效區(qū)內(nèi)的第二電極連接起來；和形成面對第二電極的密封蓋，接著利用密封劑在密封線處將該密封蓋的邊緣與第二電極連接起來，以密封該有機EL設備。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種用于制造有機EL設備的方法，包括步驟形成在其上形成有第一電極的基板；在第一電極上形成至少一個有機材料層，使得空穴和電子注入到該有機材料層，并且然后在其中復合以從中發(fā)光；在該有機材料層上、在有效區(qū)內(nèi)形成第二電極；形成面對第二電極的密封蓋，接著形成用于將第二電極的邊緣和該密封蓋的邊緣與該有機EL設備的外部連接起來的導熱體；和利用密封劑在該密封線處將該導熱體與該密封蓋連接起來，以密封該有機EL設備。
可以理解，本發(fā)明的前述一般性的描述和后面詳細的描述兩者都是示例性和解釋性的，并且打算如權(quán)利要求中提供對本發(fā)明進行進一步的解釋。


附圖包括了對本發(fā)明提供進一步的理解，與本申請的一部分結(jié)合并且構(gòu)成本申請的一部分，示出了本發(fā)明的實施例，連同說明書一起用來解釋本發(fā)明原理，在附圖中圖1A和1B是用于示意性地圖示常規(guī)有機EL設備的截面圖和平面圖；圖2A和2B是用于示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機EL設備的截面圖和平面圖；圖2C是用于示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的有機EL設備的截面圖；
圖2D是用于示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的有機EL設備的截面圖；圖3是圖2B中所示的部分B的放大圖；圖4是圖2A中所示的部分A的放大圖；圖5A和5B是用于圖示遮光板的視圖；和圖6是用于圖示利用圖5A和5B的遮光板形成負電極的平面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細的討論，其例子示于附圖中。盡可能地，在整個附圖中采用相同的參考數(shù)字表示相同或者類似的部件。
圖2A和2B是用于示意性圖示根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的有機EL設備的截面圖和平面圖。
參照圖2A和2B，第一實施例的有機EL設備包括透明基板10，其由透明電極例如ITO組成，并且具有設置在其有效區(qū)(active region)上的矩陣狀的TFT 10’和第一電極10”；至少一個有機材料層11，其形成于第一電極10”上的有效區(qū)內(nèi)，使得空穴和電子注入到有機材料層11，然后在其中復合而由此發(fā)光；形成于有機材料層11上并且延伸到位于密封線外面的無效區(qū)的第二電極15；面對第二電極15的密封蓋14；形成為將密封蓋14的周圍和第二電極15的密封線密封起來的密封劑13；和將位于密封線外面的無效區(qū)的第二電極15與密封蓋連接起來以將有機EL設備的熱量散發(fā)到其外面的導熱體16。
第一電極10”優(yōu)選地是透明的。如在常規(guī)有機EL設備中的，該有機材料層11由至少一種有機材料層構(gòu)成，并且典型地包括空穴注入層、空穴輸運層、發(fā)光層和電子輸運層。
在形成包括TFT 10’和第一電極10”的有源矩陣基板10之后，通過相同的工藝，在其上淀積有機材料層11，如常規(guī)的制造有機EL設備的方法中的一樣。
然后，利用如圖5A和5B所示的遮光板(shadow mask)形成第二電極15。具體地，利用遮光板C和遮光板D形成第二電極15通過遮光板C，將與比在形成電極時使用的遮光板更寬的區(qū)域也即有效區(qū)對應的第二電極17’和與密封線外面的無效區(qū)對應的第二電極17”穿孔，如圖5A所示；通過遮光板D，在與密封線對應的部位以預定的間隔形成具有預定寬度的條形開口18，如圖5B所示。然后，如圖6所示，在密封線上形成條形導熱體15，以將無效區(qū)的第二電極15”與有效區(qū)的第二電極15’連接起來，其中導熱體的這些條具有預定的線寬，并且彼此以預定的距離隔開。采用如上所述第二電極的這種結(jié)構(gòu)的原因在于這個事實如果密封蓋14是在后續(xù)的工藝中由SUS(不透明材料)制成，那么該密封劑不能通過在與來自該設備的發(fā)光的方向相反的方向照射UV光線也即從密封蓋14上方照射UV光線來固化，因而對第二電極來說其具有允許UV光線到達密封劑的結(jié)構(gòu)是必要的。此外，根據(jù)本發(fā)明，無效區(qū)的第二電極15”是利用圖5B中的遮光板連接到有效區(qū)的第二電極15’的，該遮光板是以例如100μm的間隔布置且具有例如100μm的寬度的條形成的，如圖6中15所標出的。另一方面，如果密封蓋由透明材料例如玻璃制成，那么從制造工藝的角度看，整體地形成第二電極15’和15”是有利的。盡管圖5A、5B和圖6中示出了位于無效區(qū)的第二電極15”的一邊，但是優(yōu)選的是，無效區(qū)的第二電極15”在基板不包括TAB線的整個表面上形成，如圖2B所示。此外，由于有效區(qū)的第二電極15’在其下提供有有機材料層11，因此優(yōu)選地第二電極15’具有比無效區(qū)的第二電極15”更高的高度。
第二電極15可以由單層組成，或者由兩層或者多層組成，以有效地增強導熱系數(shù)。至于第二電極的材料，具有高的導熱系數(shù)的材料是優(yōu)選的。例如，第二材料可以包括1)MgAl合金、純Al、或者通過將Nd、Ta、Nb、Mo、W、Ti、Si、B和Ni中至少之一以5at.％的比率加到Al中形成的合金，或者2)純Cu、純Ag、或者通過將Au、Cu、Nd、Al、Sn、Mg、Ti、Pt、Pd和Ni中至少之一以5at.％的比率加到Cu或者Al中形成的合金。
然后，如在常規(guī)方法中的，由SUS形成密封蓋14，并且將密封劑材料涂布到與第二電極15的密封線對應的密封蓋14的周圍，接著對其照射UV光線，由此密封有機EL設備。接著，通過導熱體16將無效區(qū)的第二電極15”和密封蓋14連接起來(參見圖4)。如果密封蓋14由導電性材料制成，那么從散熱的角度看，這是更有效的，但是由于密封蓋14與暴露于外面的第二電極電接觸，因此該密封蓋可以影響其它的元件，或者反之。因而，優(yōu)選的是，通過對其涂布絕緣帶或者在其上涂覆絕緣材料，使得無效區(qū)的第二電極15”絕緣，由此使得因第二電極和外面元件之間的電接觸引起的對密封蓋的影響最小化。
圖2C是用于示意性地圖示本發(fā)明第二實施例的有機EL設備的截面圖。
根據(jù)第二實施例的有機EL設備具有與第一實施例相同的構(gòu)造，除了第二電極15僅僅形成在位于密封線內(nèi)面的有效區(qū)上，并且在密封線上形成導熱層20以將第二電極15與導熱體16連接起來這個結(jié)構(gòu)不同之外。
圖2D是用于示意性地圖示本發(fā)明第三實施例的有機EL設備的截面圖。
第三實施例的有機EL設備具有與第一實施例相同的結(jié)構(gòu)，除了第二電極15僅僅形成在位于密封線內(nèi)面的有效區(qū)上，并且導熱體16形成在位于該密封線內(nèi)面的區(qū)域這個結(jié)構(gòu)不同之外。結(jié)果，導熱體16將位于密封線內(nèi)面的第二電極的邊緣與密封蓋14連接起來。
下面將詳細地描述制造根據(jù)本發(fā)明的有機EL設備的方法。
對制造根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的有機EL設備的方法詳細地描述如下。
根據(jù)這個實施例，通過利用電阻加熱法(resistance heating mothed)在基板10上淀積有機材料層11和第二電極15，形成具有尺寸1”的有機EL設備，其中由ITO形成的該基板10具有150nm的厚度，并且包括形成于其上的TFT 10’和第一電極10”。此時，當?shù)矸e第二電極的時候，利用具有比有效區(qū)更寬面積的遮光板(參見圖3，5A和5B)將第二電極15”形成到位于密封線13’外面的無效區(qū)。第二電極15表示為在用15’標出的有效區(qū)和用15”標出的無效區(qū)上形成。第二電極由Al制成并且具有200nm的厚度。在制造該設備之后，在N2氣氛中實施密封，并且在此時，密封蓋14由SUS制成。這里，有效區(qū)的第二電極15’通過條形連接部，也即通過使用如圖5B所示的遮光板，在用于固化密封劑13的密封線(參見圖3)上與暴露于無效區(qū)的第二電極15”連接，其中該連接部的各條具有10～500μm的寬度，并且互相隔開10～500μm的距離。采用這個結(jié)構(gòu)的原因在于密封蓋14由不透明SUS制成這個事實。也即，提供這個結(jié)構(gòu)是為了當在如上所述后面的工藝中進行密封的時候，允許該密封劑能夠用從第二電極(光從該電極發(fā)射出去)下面照射的UV光線固化。位于有效區(qū)的第二電極15’和無效區(qū)的第二電極15”之間的該連接部不限于條形，而是可以具有其它的形狀。然而，必要的是，該連接部在其上形成空間以使UV光能夠從該空間照射。
暴露于外面的無效區(qū)的第二電極在除了形成有TAB線的區(qū)域之外的基板的四個邊上形成，并且熱量通過暴露于外面的第二電極散發(fā)，因此在驅(qū)動該設備期間溫度得到降低。為了去除暴露于外面的第二電極和該設備外面的電子元件之間的任何影響，在暴露于外面的第二電極和該SUS蓋上涂布絕緣材料。至于涂布方法，優(yōu)選的是對其貼附絕緣帶。在將偏振膜貼附到該有機EL設備后，對該有機EL設備用200cd/m2的白光在色品圖的0.31和0.33處操作。結(jié)果，與常規(guī)有機EL設備(其中第二電極僅僅存在于密封線的有效區(qū)的情況)的52℃相比，第一實施例的有機EL設備溫度降低到48℃，并且推測該設備的內(nèi)部溫度會進一步降低。此外，經(jīng)證實，該具有第二電極暴露于密封線的外部的有機EL設備其使用壽命比常規(guī)有機EL設備增加15％或者更多。
對制造根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的有機EL設備的方法詳細地描述如下。
該第二實施例的方法具有與第一實施例相同的步驟，除了在前面步驟后，使用銀膏(silver paste)形成導熱體16，該銀膏將密封蓋14與位于密封線外面的無效區(qū)的第二電極15”熱連接，如圖2A所示。在將偏振膜貼附到如上所述形成的有機EL設備后，對該有機EL設備用200cd/m2的白光在色品圖的0.31和0.33處操作。結(jié)果，與常規(guī)有機EL設備的52℃相比，第二實施例的有機EL設備溫度降低到42℃，并且推測該設備的內(nèi)部溫度會進一步降低。此外，經(jīng)證實，由于通過使熱量從該設備有效地散發(fā)，該設備在穩(wěn)定性方面得以增強，因此第二實施例的該有機EL設備其使用壽命比常規(guī)有機EL設備增加70％或者更多。
對制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的有機EL設備的方法詳細地描述如下。
第三實施例的方法具有與第二實施例相同的步驟。例外的是，密封蓋14由玻璃(透明絕緣體)代替SUS(不透明金屬)制成，密封線的第二電極與位于該密封線外面的無效區(qū)的第二電極15”整體形成，而沒有條形連接部，并且將絕緣帶貼附到第二電極15”的涂布銀膏的部分。
代替使用條形連接部而在密封線上整體地形成第二電極的原因在于，由于密封蓋由透明玻璃制成，因此就可以通過從與光發(fā)射出來的一側(cè)相反的一側(cè)也即從密封蓋上方照射UV光線來固化密封劑，而無需具有復雜結(jié)構(gòu)的條形連接部。此外，由于密封蓋本身由玻璃作為絕緣體制成，而第二電極是電導體，因此不必額外地將絕緣帶貼附到該密封蓋的涂布銀膏的部位，并且將該絕緣帶僅僅貼附到第二電極15”的涂布銀膏的那個部位。
在將偏振膜貼附到如上所述第三實施例的方法形成的有機EL設備后，對該有機EL設備用200cd/m2的白光在色品圖的0.31和0.33處操作。結(jié)果，與常規(guī)有機EL設備的52℃相比，第二實施例的有機EL設備溫度降低到46℃，并且推測該設備的內(nèi)部溫度會進一步降低。此外，經(jīng)證實，由于通過使熱量從具有暴露于外面的第二電極的該設備有效地散發(fā)，該設備在穩(wěn)定性方面得以增強，因此第三實施例的該有機EL設備其使用壽命比常規(guī)有機EL設備增加40％或者更多。
對制造根據(jù)本發(fā)明第四實施例的有機EL設備的方法詳細地描述如下。
第四實施例的方法具有與第二實施例基本相同的步驟。例外的是，在根據(jù)第四實施例的方法中，為增強導熱系數(shù)，第二電極這樣以多層而不是單個Al層來淀積利用遮光板首先淀積具有100nm的厚度的Al層，然后在Al層上淀積具有200nm的厚度的Cu層。
在將偏振膜貼附到如上所述第四實施例的方法形成的有機EL設備后，對該有機EL設備用200cd/m2的白光在色品圖的0.31和0.33處操作。結(jié)果，與常規(guī)有機EL設備的52℃相比，第四實施例的有機EL設備溫度降低到41℃，并且推測該設備的內(nèi)部溫度會進一步降低。此外，經(jīng)證實，由于通過使熱量從該設備經(jīng)由暴露于外面的第二電極和利用導熱體將暴露于外面的第二電極與密封蓋連接起來的結(jié)構(gòu)有效地散發(fā)，該設備在穩(wěn)定性方面得以增強，因此第四實施例的該有機EL設備其使用壽命比常規(guī)有機EL設備增加75％或者更多。
對制造根據(jù)本發(fā)明第五實施例的有機EL設備的方法詳細地描述如下。
第五實施例的方法具有與第一實施例基本相同的步驟，除了第五實施例的方法還包括將位于密封線外面的無效區(qū)的第二電極15”與由SUS制成的密封蓋14通過Al帶熱連接起來的步驟之外。在將偏振膜貼附到如上所述第五實施例的方法形成的有機EL設備后，對該有機EL設備用200cd/m2的白光在色品圖的0.31和0.33處操作。結(jié)果，與常規(guī)有機EL設備的52℃相比，第五實施例的有機EL設備溫度被降低到42℃，并且推測該設備的內(nèi)部溫度將會進一步降低。此外，經(jīng)證實，由于通過使熱量從該設備有效地散發(fā)，第五實施例的該設備在穩(wěn)定性方面得以增強，因此第五實施例的該有機EL設備其使用壽命比常規(guī)有機EL設備增加70％或者更多。
盡管該說明書是針對具有第一電極作為正電極、而第二電極作為負電極的有源矩陣底發(fā)光型有機EL設備給出的，但是本發(fā)明可以應用到無源矩陣底發(fā)光型有機EL設備中。換句話說，對無源矩陣底發(fā)光型有機EL設備第一電極可以作為正電極形成，而第二電極可以作為負電極形成，使得第一電極發(fā)射電子，而第二電極發(fā)射空穴。
從上面的描述顯然可知，根據(jù)本發(fā)明的有機EL設備能夠有效地將在驅(qū)動該有機EL設備時產(chǎn)生的熱量和來自于位于其基板上的TFT的熱量散發(fā)掉，這與常規(guī)有機EL設備相比，降低了該設備的內(nèi)部溫度，防止有機EL設備的劣化，顯著地增加其使用壽命，并且增強該設備的界面穩(wěn)定性，顯著地抑制該設備特性的劣化。
對本領域的普通技術(shù)人員來說，顯然，在本發(fā)明中可以進行各種修改和變化，而不脫離本發(fā)明的精神或者范圍。因而，本發(fā)明意在覆蓋本發(fā)明的這些修改和變化，只要它們落在所附權(quán)利要求和它們的等效權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種有機EL設備，包括基板，具有布置在有效區(qū)的第一電極；至少一個有機材料層，形成于第一電極上；第二電極，形成于該有機材料層上，以便延伸到對應于無效區(qū)的該基板上，以允許該設備的熱量由其散發(fā)到外面；和密封蓋，面對第二電極同時在密封線處通過密封劑與第二電極密封地連接。
2.如權(quán)利要求1所述的有機EL設備，其中該基板是透明基板并且進一步包括以矩陣方式布置在該有效區(qū)的TFT，并且第二電極用來將電子注入到該設備內(nèi)并用于反射光。
3.如權(quán)利要求1所述的有機EL設備，進一步包括將無效區(qū)上的第二電極的邊緣與該密封蓋連接起來的導熱體。
4.一種有機EL設備，包括基板，具有布置在有效區(qū)的第一電極；至少一個有機材料層，形成于第一電極上；第二電極，形成于該有機材料層上；密封蓋，面對第二電極同時通過密封劑與第二電極連接；和導熱體，將位于密封線內(nèi)面的第二電極的邊緣與該密封蓋連接起來，以將該設備的熱量散發(fā)到其外面。
5.如權(quán)利要求4所述的有機EL設備，其中該基板是透明基板，并且進一步包括以矩陣方式布置在該有效區(qū)的TFT，而該第二電極用來將電子注入到該設備內(nèi)以及反射光。
6.如權(quán)利要求1或4所述的有機EL設備，其中該第二電極由MgAl合金、純Al、以及通過將Nd、Ta、Nb、Mo、W、Ti、Si、B和Ni中至少之一以5at.％的比率加到Al形成的合金中的任何一種組成。
7.如權(quán)利要求1或4所述的有機EL設備，其中第二電極由純Cu、純Ag、以及通過將Au、Cu、Nd、Al、Sn、Mg、Ti、Pt、Pd和Ni中至少之一以5at.％的比率加到Cu或者A1中形成的合金中的任何一種組成。
8.如權(quán)利要求1所述的有機EL設備，其中第二電極從該密封線向外延伸1～10mm的長度。
9.如權(quán)利要求1所述的有機EL設備，其中第二電極在該有效區(qū)上比在該無效區(qū)上更高。
10.如權(quán)利要求2所述的有機EL設備，其中該密封蓋由不透明材料的SUS制成，而位于該密封線上的第二電極包括條形金屬膜。
11.如權(quán)利要求10所述的有機EL設備，其中該金屬膜的各個條具有10～500μm的線寬，并且互相隔開10～500μm的距離。
12.如權(quán)利要求3或4所述的有機EL設備，其中該導熱體是銀膏、導熱帶、和熱油脂中的任何一種。
13.如權(quán)利要求3或4所述的有機EL設備，其中該密封蓋包括導電材料，該導熱體包括絕緣材料，該無效區(qū)的第二電極涂布有該絕緣材料。
14.如權(quán)利要求2所述的有機EL設備，其中該無效區(qū)的第二電極在該透明基板上不包括形成于TAB線的區(qū)域之處、沿該透明基板的至少一側(cè)的方向形成。
15.如權(quán)利要求14所述的有機EL設備，其中該第二電極在該透明基板的四側(cè)形成。
16.如權(quán)利要求1或4所述的有機EL設備，其中該第二電極包括至少兩個金屬層。
17.如權(quán)利要求16所述的有機EL設備，其中該第二電極具有通過疊加Al層和Cu層而形成的雙層結(jié)構(gòu)。
18.一種用于制造有機EL設備的方法，包括步驟形成在其上形成有第一電極的基板；在第一電極上形成至少一個有機材料層，使得空穴和電子被注入到該有機材料層，并且然后在其中復合以從中發(fā)光；在該有機材料層上形成延伸到密封線的外面的第二電極；形成面對第二電極的密封蓋；和將密封劑涂布到位于該密封線上的第二電極和涂布到該密封蓋的邊緣，接著固化該密封劑以密封該有機EL設備。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中該基板是透明基板并且進一步包括以矩陣方式布置在該有效區(qū)的TFT，并且第二電極用來將電子注入到該設備內(nèi)以及反射光。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，進一步包括形成用于將位于該密封線外面的第二電極的邊緣與該密封蓋連接起來的導熱體。
21.一種用于制造有機EL設備的方法，包括步驟形成在其上形成有第一電極的基板；在該基板上、在該基板的有效區(qū)的外面形成導熱層；在第一電極上形成至少一個有機材料層，使得空穴和電子注入到該有機材料層，并且然后在其中復合以從中發(fā)光；在該有機材料層上、在該有效區(qū)內(nèi)形成第二電極；將位于該有效區(qū)外面的該導熱層與位于該有效區(qū)內(nèi)的第二電極連接起來；和形成面對第二電極的密封蓋，接著利用密封劑在密封線處將該密封蓋的邊緣與第二電極連接起來，以密封該有機EL設備。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中該基板是透明基板并且進一步包括以矩陣方式布置在該有效區(qū)的TFT，并且第二電極用來將電子注入到該設備內(nèi)以及反射光。
23.如權(quán)利要求21所述的方法，進一步包括形成用于將位于該有效區(qū)外面的該導熱層與該密封蓋連接起來的導熱體。
24.一種用于制造有機EL設備的方法，包括步驟形成在其上形成有第一電極的基板；在第一電極上形成至少一個有機材料層，使得空穴和電子被注入到該有機材料層，并且然后在其中復合以從中發(fā)光；在該有機材料層上、在有效區(qū)內(nèi)形成第二電極；形成面對第二電極的密封蓋，接著形成用于將第二電極的邊緣和該密封蓋的邊緣與該有機EL設備的外部連接起來的導熱體；和利用密封劑在該密封線處將該導熱體與該密封蓋連接起來，以密封該有機EL設備。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中該基板是透明基板并且還包括以矩陣方式布置在該有效區(qū)的TFT，并且該第二電極用來將電子注入到該設備內(nèi)以及反射光。
26.如權(quán)利要求18所述的方法，其中該第二電極是利用具有1～10mm或者比該有機EL設備的該有效區(qū)更大的遮光板形成的。
27.如權(quán)利要求19所述的方法，其中該密封蓋是不透明的，位于該密封線上的第二電極是由條形金屬膜形成的，以允許UV光線能夠到達該密封劑。
28.如權(quán)利要求22所述的方法，其中該密封蓋是由不透明材料的SUS制成的，而且位于該密封線上的第二電極和該導熱層是由條形金屬膜形成的，以允許UV光線能夠到達該密封劑。
29.如權(quán)利要求28所述的方法，其中該金屬膜的這些條具有10～500μm的線寬，并且互相隔開10～500μm的距離。
30.如權(quán)利要求18或21所述的方法，其中該第二電極由MgAl合金、純Al、純Cu、純Ag、以及通過將Nd、Ta、Nb、Mo、W、Ti、Si、B和Ni中至少之一以5at.％的比率加到A1形成的合金、通過將Au、Cu、Nd、Al、Sn、Mg、Ti、Pt、Pd和Ni中至少之一以5at.％的比率加到Cu或者Al中形成的合金中的任何一種組成。
31.如權(quán)利要求20、23和24中任一所述的方法，其中該導熱體是銀膏、導熱帶和熱油脂中的任何一種。
32.如權(quán)利要求19所述的方法，其中位于該密封線外面的第二電極在該透明基板不包括形成有TAB線的區(qū)域之處、沿該透明基板的至少一邊的方向形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機EL設備及其制造方法。該有機EL設備包括具有布置在有效區(qū)的第一電極的基板，形成于第一電極上的至少一個有機材料層，形成于該有機材料層上、以便延伸到該基板的無效區(qū)、以允許該設備的熱量能夠從中散發(fā)到外面的第二電極，和面對第二電極同時通過密封劑與位于密封線處的第二電極密封連接的密封蓋。該有機EL設備能夠有效地降低該設備的內(nèi)部溫度同時防止其劣化，由此顯著地增加其使用壽命，并且增強該設備的界面穩(wěn)定性，從而顯著地抑制該設備性能的劣化。
文檔編號H01L51/52GK1832223SQ20061000868
公開日2006年9月13日 申請日期2006年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月22日
發(fā)明者金昌男, 韓榮洙, 李鎬年, 鄭鎮(zhèn)元, 金洪奎 申請人:Lg電子株式會社