專利名稱：電容器結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種電容器結構，尤其涉及一種具有高單位面積電容值的電容器結構。
背景技術：
電容器是一種在集成電路中不可或缺的構件，在電容器的設計與工藝中，必須要考慮到電容器的電容值與設置面積，因此需要提出較佳的電容器設計與工藝。
一般來說，電容器主要可分為三種金屬-絕緣層-金屬(metal-insulator-meta，MIM)電容器、金屬線-金屬線(metal-line to metal-line，MOM)電容器以及金屬-絕緣層-多晶硅(metal-insulator-silicon，MIS)電容器。其中，MIM電容器與MOM電容器在深亞微米IC中的使用相當普遍，然而其單位面積電容值卻偏低。另外，若使用高介電常數(shù)的材料，則雖然可以得到高的電容密度，但是其具有工藝繁瑣費時與成本較高的問題存在，而且此電容器的可靠度較低。
隨著半導體元件集成度的增加，元件的尺寸逐漸縮小，相對的使做為電容器的空間愈來愈小，也因此降低了電容器的電容值。而在進入深亞微米(deep sub-micron)的工藝后，電容器的電容值降低的問題更為嚴重。
因此，如何在現(xiàn)行的集成電路工藝中提出一種具有高集成度且高電容量的電容器結構，以在儲存電容器所占的平面逐漸縮小的情況下，仍可有效增加電極的表面積，以提升電容器性能，乃是目前集成電路設計中的首要課題。

發(fā)明內容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是提供一種電容器結構，其具有較高的單位面積電容值。
本發(fā)明的另一目的是提供一種電容器結構，能避免電容器中各導電材料之間產生橋接現(xiàn)象。
本發(fā)明的又一目的是提供一種電容器結構，其具有較佳的匹配程度。
本發(fā)明的再一目的是提供一種電容器結構，以提高電容器的電容值。
本發(fā)明提出一種電容器結構，包括多層導電層、介電層及多個接觸窗。多層導電層彼此堆疊配置，各導電層具有第一導電圖案與第二導電圖案。介電層配置在第一導電圖案與第二導電圖案之間，以及配置在相鄰二層導電層之間。多個接觸窗配置在介電層中，分別電性連接相鄰二層導電層中的第一導電圖案及電性連接相鄰二層導電層中的第二導電圖案。其中，電性連接相鄰二層導電層中的第一導電圖案的接觸窗為第一長條狀接觸窗，第一長條狀接觸窗延伸于相鄰二層導電層中的第一導電圖案之間，且第一長條狀接觸窗的邊界位于第一導電圖案的邊界范圍內。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的電容器結構中，電性連接相鄰二層導電層中的第二導電圖案的接觸窗包括第二長條狀接觸窗，第二長條狀接觸窗延伸于相鄰二層導電層中的第二導電圖案之間，且第二長條狀接觸窗的邊界位于第二導電圖案的邊界范圍內。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的電容器結構中，電性連接相鄰二層導電層中的第二導電圖案的接觸窗包括柱狀接觸窗。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的電容器結構中，導電層的材質包括金屬。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的電容器結構中，接觸窗的材質包括金屬。
本發(fā)明另提出一種電容器結構，包括多層導電層、介電層及多個接觸窗。多層導電層彼此堆疊配置，各導電層具有第一梳狀導電圖案與第二梳狀導電圖案，且各第一梳狀導電圖案與各第二梳狀導電圖案的梳齒部交錯對應配置。介電層配置在第一梳狀導電圖案與第二梳狀導電圖案之間，以及配置在相鄰二層導電層之間。多個接觸窗配置在介電層中，分別電性連接相鄰二層導電層中的第一梳狀導電圖案及電性連接相鄰二層導電層中的第二梳狀導電圖案。其中，電性連接相鄰二層導電層中的第一梳狀導電圖案的接觸窗為第一梳狀接觸窗，第一梳狀接觸窗的圖案與第一梳狀導電圖案的圖案相對應，且第一梳狀接觸窗的邊界位于第一梳狀導電圖案的邊界范圍內。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的電容器結構中，電性連接相鄰二層導電層中的第二梳狀導電圖案的接觸窗包括第二梳狀接觸窗，第二梳狀接觸窗的圖案與第二梳狀導電圖案的圖案相對應，且第二梳狀接觸窗的邊界位于第二梳狀導電圖案的邊界范圍內。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的電容器結構中，電性連接相鄰二層導電層中的第二梳狀導電圖案的接觸窗包括柱狀接觸窗。
本發(fā)明又提出一種電容器結構，包括多層導電層、介電層及多個接觸窗。多層導電層彼此堆疊配置，各導電層具有彼此交錯對應配置的第一螺旋狀導電圖案與第二螺旋狀導電圖案。介電層配置在第一螺旋狀導電圖案與第二螺旋狀導電圖案之間，以及配置在相鄰二層導電層之間。多個接觸窗配置在介電層中，分別電性連接相鄰二層導電層中的第一螺旋狀導電圖案及電性連接相鄰二層導電層中的第二螺旋狀導電圖案。其中，電性連接相鄰二層導電層中的第一螺旋狀導電圖案的接觸窗為第一螺旋狀接觸窗，第一螺旋狀接觸窗的圖案與第一螺旋狀導電圖案的圖案相對應，且第一螺旋狀接觸窗的邊界位于第一螺旋狀導電圖案的邊界范圍內。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的電容器結構中，電性連接相鄰二層導電層中的第二螺旋狀導電圖案的接觸窗包括第二螺旋狀接觸窗，第二螺旋狀接觸窗的圖案與第二螺旋狀導電圖案的圖案相對應，且第二螺旋狀接觸窗的邊界位于第二螺旋狀導電圖案的邊界范圍內。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的電容器結構中，電性連接相鄰二層導電層中的第二螺旋狀導電圖案的接觸窗包括柱狀接觸窗。
本發(fā)明再提出一種電容器結構，包括多層導電層、介電層及多個接觸窗。多層導電層彼此堆疊配置，各導電層具有一第一導電圖案與一第二導電圖案，第一導電圖案具有開口，且第二導電圖案配置于開口中。介電層配置在第一導電圖案與第二導電圖案之間，以及配置在相鄰二層導電層之間。多個接觸窗配置在介電層中，分別電性連接相鄰二層導電層中的第一導電圖案及電性連接相鄰二層導電層中的第二導電圖案。其中，電性連接相鄰二層導電層中的第一導電圖案的接觸窗為環(huán)狀接觸窗，環(huán)狀接觸窗的圖案與第一導電圖案的圖案相對應，且環(huán)狀接觸窗的邊界位于第一導電圖案的邊界范圍內。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的電容器結構中，電性連接相鄰二層導電層中的第二導電圖案的接觸窗包括長條狀接觸窗，長條狀接觸窗延伸于相鄰二層導電層中的第二導電圖案之間，且長條狀接觸窗的邊界位于第二導電圖案的邊界范圍內。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的電容器結構中，電性連接相鄰二層導電層中的第二導電圖案的接觸窗包括柱狀接觸窗。
由于本發(fā)明的電容器結構用以連接相鄰二導電層的接觸窗為長條狀接觸窗，且延伸于相鄰二層導電層中的第二導電圖案之間，或為具有與導電層中的導電圖案相對應的圖案的接觸窗，故可以提升單位面積的電容值。此外，長條狀接觸窗或具有與導電層中的導電圖案相對應的圖案的接觸窗的邊界位于相鄰二導電層中的導電圖案的邊界范圍內，所以能避免電容器中各導電材料之間產生橋接現(xiàn)象，且具有較佳的匹配程度。另一方面，藉由接觸窗的配置，本發(fā)明的電容器可以由兩層以上的導電層所構成，如此更可進一步提高電容器的單位面積的電容值。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。


圖1所繪示為本發(fā)明一實施例的電容器結構的上視圖；圖2所繪示為沿圖1中A-A’剖面線的電容器結構的剖面圖；圖3所繪示為本發(fā)明另一實施例的電容器結構的上視圖；圖4所繪示為本發(fā)明一實施例的梳狀電容器結構的上視圖；圖5所繪示為本發(fā)明另一實施例的梳狀電容器結構的上視圖；圖6所繪示為本發(fā)明一實施例的螺旋狀電容器結構的上視圖；圖7所繪示為本發(fā)明另一實施例的螺旋狀電容器結構的上視圖；圖8所繪示為本發(fā)明又一實施例的電容器結構的上視圖；圖9所繪示為本發(fā)明再一實施例的電容器結構的上視圖；圖10所繪示為圖8的立體示意圖；圖11所繪示為圖9的立體示意圖。
主要元件符號說明100、200、300、400襯底102、202、302、402導電層
102a、102b、402a、402b導電圖案104、204、304、404介電層106、206、306、406接觸窗106a、106b、406b長條狀接觸窗106c、206c、306c、406c柱狀接觸窗202a、202b梳狀導電圖案206a、206b梳狀接觸窗302a、302b螺旋狀導電圖案306a、306b螺旋狀接觸窗406a環(huán)狀接觸窗408開口具體實施方式
圖1所繪示為本發(fā)明一實施例的電容器結構的上視圖。圖2所繪示為沿圖1中A-A’剖面線的電容器結構的剖面圖。圖3所繪示為本發(fā)明另一實施例的電容器結構的上視圖。
首先，請同時參照圖1及圖2，電容器結構包括設置于襯底100上的多層導電層102、介電層104及多個接觸窗106。襯底100例如是硅襯底。
導電層102彼此堆疊配置，每一導電層102具有導電圖案102a與導電圖案102b。導電層102的材質例如是金屬等導電材質。在此所指的多層導電層102，其膜層數(shù)至少為二層，而本領域技術人員，可視集成電路設計上的需求來調整所需的導電層102的數(shù)量。
介電層104配置在導電圖案102a與導電圖案102b之間，以及配置在相鄰二層導電層102之間。介電層104的材質例如是氧化硅或氮化硅等的介電材質。
接觸窗106配置在介電層104中，分別電性連接相鄰二層導電層102中的導電圖案102a及電性連接相鄰二層導電層102中的導電圖案102b。接觸窗106的材質例如是金屬等適當材質。其中，電性連接相鄰二層導電層102中的導電圖案102a的接觸窗106例如是長條狀接觸窗106a，長條狀接觸窗106a延伸于相鄰二層導電層102中的導電圖案102a之間，且長條狀接觸窗106a的邊界位于導電圖案102a的邊界范圍內。
此外，電性連接相鄰二層導電層102中的導電圖案102b的接觸窗106例如是長條狀接觸窗106b，長條狀接觸窗106b延伸于相鄰二層導電層102中的導電圖案102b之間，且長條狀接觸窗106b的邊界位于導電圖案102b的邊界范圍內。
接著，請參照圖3，在另一實施例中，電性連接相鄰二層導電層102中的導電圖案102b的接觸窗106例如是柱狀接觸窗106c。
由于用以連接相鄰二導電層102的接觸窗106為長條狀接觸窗106a、106b，且分別延伸于相鄰二層導電層102中的導電圖案102a、102b之間，能增加電容器的表面積，故可以提升單位面積的電容值。此外，長條狀接觸窗106a、106b的邊界分別位于相鄰二導電層102中的導電圖案102a、102b的邊界范圍內，能避免在制作電容器的過程中，各導電材料之間產生橋接現(xiàn)象，且具有較佳的匹配程度。而且，藉由接觸窗106的配置，本發(fā)明的電容器可以由二層以上的導電層102所構成，如此更可進一步提高電容器的單位面積的電容值。
以下，舉例說明本發(fā)明的電容器結構的各種不同型態(tài)。
圖4所繪示為本發(fā)明一實施例的梳狀電容器結構的上視圖。圖5所繪示為本發(fā)明另一實施例的梳狀電容器結構的上視圖。
首先，請先參照圖4，電容器結構設置于襯底200上的多層導電層202、介電層204及多個接觸窗206。襯底200例如是硅襯底。
導電層202彼此堆疊配置，每一導電層202具有梳狀導電圖案202a與梳狀導電圖案202b，且梳狀導電圖案202a與梳狀導電圖案202b的梳齒部交錯對應配置。導電層202的材質例如是金屬等導電材質。在此所指的多層導電層202，其膜層數(shù)至少為二層，而本領域技術人員，可視集成電路設計上的需求來調整所需的導電層202的數(shù)量。
介電層204配置在梳狀導電圖案202a與梳狀導電圖案202b之間，以及配置在相鄰二層導電層202之間。介電層204的材質例如是氧化硅或氮化硅等的介電材質。
接觸窗206配置在介電層204中，分別電性連接相鄰二層導電層202中的梳狀導電圖案202a及電性連接相鄰二層導電層中的梳狀導電圖案202b。接觸窗206的材質例如是金屬等適當材質。其中，電性連接相鄰二層導電層202中的梳狀導電圖案202a的接觸窗206例如是梳狀接觸窗206a，梳狀接觸窗206a的圖案與梳狀導電圖案202a的圖案相對應，且梳狀接觸窗206a的邊界位于梳狀導電圖案202a的邊界范圍內。
此外，電性連接相鄰二層導電層202中的梳狀導電圖案202b的接觸窗206例如是梳狀接觸窗206b，梳狀接觸窗206b的圖案與梳狀導電圖案202b的圖案相對應，且梳狀接觸窗206b的邊界位于梳狀導電圖案202b的邊界范圍內。
接著，請參照圖5，在另一實施例中，電性連接相鄰二層導電層202中的梳狀導電圖案202b的接觸窗206例如是柱狀接觸窗206c。
由于本發(fā)明將作為電極之用的二導電圖案以梳狀的方式對應配置，以提高單位面積中同一層導電層的個別電極的繞線長度，所以可以提高電容器的單位面積的電容值。
圖6所繪示為本發(fā)明一實施例的螺旋狀電容器結構的上視圖。圖7所繪示為本發(fā)明另一實施例的螺旋狀電容器結構的上視圖。
首先，請參照圖6，電容器結構設置于襯底300上的多層導電層302、介電層304及多個接觸窗306。襯底300例如是硅襯底。
導電層302彼此堆疊配置，每一導電層302具有彼此交錯對應配置的螺旋狀導電圖案302a與螺旋狀導電圖案302b。導電層302的材質例如是金屬等導電材質。在此所指的多層導電層302，其膜層數(shù)至少為二層，而本領域技術人員，可視集成電路設計上的需求來調整所需的導電層302的數(shù)量。此外，螺旋狀導電圖案302a與螺旋狀導電圖案302b除了可以是如圖6中的矩形螺旋圖案或是其他種類的矩形螺旋圖案之外，也可以是其他形狀的螺旋圖案，例如圓弧形、橢圓形、三角形、多邊形、不規(guī)則形等形狀的螺旋圖案。
介電層304配置在螺旋狀導電圖案302a與螺旋狀導電圖案302b之間，以及配置在相鄰二層導電層302之間。介電層304的材質例如是氧化硅或氮化硅等的介電材質。
接觸窗306配置在介電層304中，分別電性連接相鄰二層導電層302中的螺旋狀導電圖案302a及電性連接相鄰二層導電層302中的螺旋狀導電圖案302b。接觸窗306的材質例如是金屬等適當材質。其中，電性連接相鄰二層導電層302中的螺旋狀導電圖案302a的接觸窗306例如是螺旋狀接觸窗306a，螺旋狀接觸窗306a的圖案與螺旋狀導電圖案302a的圖案相對應，且螺旋狀接觸窗306a的邊界位于螺旋狀導電圖案302a的邊界范圍內。
此外，電性連接相鄰二層導電層302中的螺旋狀導電圖案302b的接觸窗306例如是螺旋狀接觸窗306b，螺旋狀接觸窗306b的圖案與螺旋狀導電圖案302b的圖案相對應，且螺旋狀接觸窗306b的邊界位于螺旋狀導電圖案302b的邊界范圍內。
接著，請參照圖7，在另一實施例中，電性連接相鄰二層導電層302中的螺旋狀導電圖案302b的接觸窗306包括柱狀接觸窗306c。
由于本發(fā)明將作為電極之用的二導電圖案以螺旋狀的方式對應配置，以提高單位面積中同一層導電層的個別電極的繞線長度，所以可以提高電容器的單位面積的電容值。
圖8所繪示為本發(fā)明又一實施例的電容器結構的上視圖。圖9所繪示為本發(fā)明再一實施例的電容器結構的上視圖。圖10所繪示為圖8的立體示意圖。圖11所繪示為圖9的立體示意圖。
首先，請參照圖8，電容器結構設置于襯底400上的多層導電層402、介電層404及多個接觸窗406。襯底400例如是硅襯底。
導電層402彼此堆疊配置，每一導電層402具有導電圖案402a與導電圖案402b，導電圖案402a具有開口408，導電圖案402b配置于開口408中。導電層402的材質例如是金屬等導電材質。在此所指的多層導電層402，其膜層數(shù)至少為二層，而本領域技術人員，可視集成電路設計上的需求來調整所需的導電層402的數(shù)量。
介電層404配置在導電圖案402a與導電圖案402b之間，以及配置在相鄰二層導電層402之間。介電層404的材質例如是氧化硅或氮化硅等的介電材質。
接觸窗406配置在介電層404中，分別電性連接相鄰二層導電層402中的導電圖案402a及電性連接相鄰二層導電層402中的導電圖案402b。接觸窗406的材質例如是金屬等適當材質。其中，電性連接相鄰二層導電層402中的導電圖案402a的接觸窗406例如是環(huán)狀接觸窗406a，環(huán)狀接觸窗406a的圖案與導電圖案402a的圖案相對應，且環(huán)狀接觸窗406a的邊界位于導電圖案402a的邊界范圍內。
此外，電性連接相鄰二層導電層402中的導電圖案402b的接觸窗406例如是長條狀接觸窗406b，長條狀接觸窗406b延伸于相鄰二層導電層402中的導電圖案402b之間，且長條狀接觸窗406b的邊界位于導電圖案402b的邊界范圍內。
接著，請參照圖9，在另一實施例中，電性連接相鄰二層導電層402中的導電圖案402b的接觸窗例如是柱狀接觸窗406c。
此外，值得注意的是，雖然在圖8及圖9所繪示導電圖案402a只有一個開口408，但并不用以限制本發(fā)明。本領域技術人員可輕易推知，導電圖案402a也可具有二個以上的開口408而形成網狀導電圖案(請參照圖10及圖11)，且如此一來用以連接相鄰二導電圖案402a的接觸窗406也會呈現(xiàn)網狀的型態(tài)。
由于本發(fā)明作為電極之用的一導電圖案為環(huán)狀或網狀等型態(tài)，另一導電圖案配置于所對應開口中，以提高單位面積中同一層導電層的個別電極的繞線長度，所以可以提高電容器的單位面積的電容值。
綜上所述，本發(fā)明至少具有下列優(yōu)點1.本發(fā)明的電容器結構用以連接相鄰二導電層的接觸窗為長條狀接觸窗或為具有與導電層中的導電圖案相對應的圖案的接觸窗，故可以提升單位面積的電容值。
2.在本發(fā)明的電容器結構中，長條狀接觸窗或具有與導電層中的導電圖案相對應的圖案的接觸窗的邊界位于相鄰二導電層中的導電圖案的邊界范圍內，所以能避免電容器中各導電材料之間產生橋接現(xiàn)象，且具有較佳的匹配程度。
3.本發(fā)明的電容器結構藉由接觸窗的配置，可以由兩層以上的導電層所構成，如此更可進一步提高電容器的單位面積的電容值。
4.在本發(fā)明的電容器結構中，作為電極之用的二導電圖案能以各種幾何圖案進行對應配置，以提高單位面積中同一層導電層的個別電極的繞線長度，所以可以提高電容器的單位面積的電容值。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視所附權利要求所界定者為準。
權利要求
1.一種電容器結構，包括多層導電層，彼此堆疊配置，各該些導電層具有一第一導電圖案與一第二導電圖案；一介電層，配置在該些第一導電圖案與該些第二導電圖案之間，以及配置在相鄰二層導電層之間；以及多個接觸窗，配置在該介電層中，分別電性連接相鄰二層導電層中的該些第一導電圖案及電性連接相鄰二層導電層中的該些第二導電圖案，其中電性連接相鄰二層導電層中的該些第一導電圖案的該接觸窗為一第一長條狀接觸窗，該第一長條狀接觸窗延伸于相鄰二層導電層中的該些第一導電圖案之間，且該第一長條狀接觸窗的邊界位于該第一導電圖案的邊界范圍內。
2.根據權利要求1所述的電容器結構，其中電性連接相鄰二層導電層中的該些第二導電圖案的該接觸窗包括一第二長條狀接觸窗，該第二長條狀接觸窗延伸于相鄰二層導電層中的該些第二導電圖案之間，且該第二長條狀接觸窗的邊界位于該第二導電圖案的邊界范圍內。
3.根據權利要求1所述的電容器結構，其中電性連接相鄰二層導電層中的該些第二導電圖案的該接觸窗包括一柱狀接觸窗。
4.根據權利要求1所述的電容器結構，其中該導電層的材質包括金屬。
5.根據權利要求1所述的電容器結構，其中該些接觸窗的材質包括金屬。
6.一種電容器結構，包括多層導電層，彼此堆疊配置，各該些導電層具有一第一梳狀導電圖案與一第二梳狀導電圖案，且各該第一梳狀導電圖案與各該第二梳狀導電圖案的梳齒部交錯對應配置；一介電層，配置在該些第一梳狀導電圖案與該些第二梳狀導電圖案之間，以及配置在相鄰二層導電層之間；以及多個接觸窗，配置在該介電層中，分別電性連接相鄰二層導電層中的該些第一梳狀導電圖案及電性連接相鄰二層導電層中的該些第二梳狀導電圖案，其中電性連接相鄰二層導電層中的該些第一梳狀導電圖案的該接觸窗為一第一梳狀接觸窗，該第一梳狀接觸窗的圖案與該第一梳狀導電圖案的圖案相對應，且該第一梳狀接觸窗的邊界位于該第一梳狀導電圖案的邊界范圍內。
7.根據權利要求6所述的電容器結構，其中電性連接相鄰二層導電層中的該些第二梳狀導電圖案的該接觸窗包括一第二梳狀接觸窗，該第二梳狀接觸窗的圖案與該第二梳狀導電圖案的圖案相對應且該第二梳狀接觸窗的邊界位于該第二梳狀導電圖案的邊界范圍內。
8.根據權利要求6所述的電容器結構，其中電性連接相鄰二層導電層中的該些第二梳狀導電圖案的該接觸窗包括一柱狀接觸窗。
9.根據權利要求6所述的電容器結構，其中該導電層的材質包括金屬。
10.根據權利要求6所述的電容器結構，其中該些接觸窗的材質包括金屬。
11.一種電容器結構，包括多層導電層，彼此堆疊配置，各該些導電層具有彼此交錯對應配置的一第一螺旋狀導電圖案與一第二螺旋狀導電圖案；一介電層，配置在該些第一螺旋狀導電圖案與該些第二螺旋狀導電圖案之間，以及配置在相鄰二層導電層之間；以及多個接觸窗，配置在該介電層中，分別電性連接相鄰二層導電層中的該些第一螺旋狀導電圖案及電性連接相鄰二層導電層中的該些第二螺旋狀導電圖案，其中電性連接相鄰二層導電層中的該些第一螺旋狀導電圖案的該接觸窗為一第一螺旋狀接觸窗，該第一螺旋狀接觸窗的圖案與該第一螺旋狀導電圖案的圖案相對應，且該第一螺旋狀接觸窗的邊界位于該第一螺旋狀導電圖案的邊界范圍內。
12.根據權利要求11所述的電容器結構，其中電性連接相鄰二層導電層中的該些第二螺旋狀導電圖案的該接觸窗包括一第二螺旋狀接觸窗，該第二螺旋狀接觸窗的圖案與該第二螺旋狀導電圖案的圖案相對應，且該第二螺旋狀接觸窗的邊界位于該第二螺旋狀導電圖案的邊界范圍內。
13.根據權利要求11所述的電容器結構，其中電性連接相鄰二層導電層中的該些第二螺旋狀導電圖案的該接觸窗包括一柱狀接觸窗。
14.根據權利要求11所述的電容器結構，其中該導電層的材質包括金屬。
15.根據權利要求11所述的電容器結構，其中該些接觸窗的材質包括金屬。
16.一種電容器結構，包括多層導電層，彼此堆疊配置，各該些導電層具有一第一導電圖案與一第二導電圖案，該第一導電圖案具有一開口，且該第二導電圖案配置于該開口中；一介電層，配置在該些第一導電圖案與該些第二導電圖案之間，以及配置在相鄰二層導電層之間；以及多個接觸窗，配置在該介電層中，分別電性連接相鄰二層導電層中的該些第一導電圖案及電性連接相鄰二層導電層中的該些第二導電圖案，其中電性連接相鄰二層導電層中的該些第一導電圖案的該接觸窗為一環(huán)狀接觸窗，該環(huán)狀接觸窗的圖案與該第一導電圖案的圖案相對應，且該環(huán)狀接觸窗的邊界位于該第一導電圖案的邊界范圍內。
17.根據權利要求16所述的電容器結構，其中電性連接相鄰二層導電層中的該些第二導電圖案的該接觸窗包括一長條狀接觸窗，該長條狀接觸窗延伸于相鄰二層導電層中的該些第二導電圖案之間，且該長條狀接觸窗的邊界位于該第二導電圖案的邊界范圍內。
18.根據權利要求16所述的電容器結構，其中電性連接相鄰二層導電層中的該些第二導電圖案的該接觸窗包括一柱狀接觸窗。
19.根據權利要求16所述的電容器結構，其中該導電層的材質包括金屬。
20.根據權利要求16所述的電容器結構，其中該些接觸窗的材質包括金屬。
全文摘要
一種電容器結構，包括多層導電層、介電層及多個接觸窗。多層導電層彼此堆疊配置，各導電層具有第一導電圖案與第二導電圖案。介電層配置在第一導電圖案與第二導電圖案之間，以及配置在相鄰二層導電層之間。多個接觸窗配置在介電層中，分別電性連接相鄰二層導電層中的第一導電圖案及電性連接相鄰二層導電層中的第二導電圖案。其中，電性連接相鄰二層導電層中的第一導電圖案的接觸窗為第一長條狀接觸窗，第一長條狀接觸窗延伸于相鄰二層導電層中的第一導電圖案之間，且第一長條狀接觸窗的邊界位于第一導電圖案的邊界范圍內。
文檔編號H01L27/102GK101026164SQ20061000412
公開日2007年8月29日 申請日期2006年2月21日 優(yōu)先權日2006年2月21日
發(fā)明者洪建州, 梁其翔, 曾華洲, 曾誌裕 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司