專利名稱：：用于預(yù)金屬和/或淺槽隔離應(yīng)用中所用的旋涂介電材料的uv固化方法用于預(yù)金屬和/或淺槽隔離應(yīng)用中所用的旋涂介電材料的uv固化方法相關(guān)申請的交叉引用本申請涉及提交于2004年6月7日的美國臨時(shí)申請60/577,679且要求對其的優(yōu)先權(quán)，在此全文引入該申請作為參考。背景本發(fā)明一般來說涉及半導(dǎo)體器件中的介電薄膜，更具體地，涉及用于予貞金屬(pre-metal)和淺沖曹隔離(shallowtrenchisolation)應(yīng)用的S走〉'余(spin-on)低k介電薄膜的紫外(UV)固化方法。在先進(jìn)的半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中，器件的尺寸和形成的間距持續(xù)被降低，以提高集成電路性能。制造經(jīng)常要求將介電材料沉積到特征中，所述特征被圖案化于硅底物上的材料層中。在大多數(shù)情況下，介電材料完全填充這些特征且不形成任何空穴是重要的。填充這種窄小的特征，其也被稱為間隙填充，對所用材料，例如用于預(yù)金屬介電(PMD)或者淺槽隔離(STI)應(yīng)用的介電材料，提出了嚴(yán)格的要求。集成電路上的預(yù)金屬介電層使結(jié)構(gòu)與金屬互連層電絕緣，并且使其與降低電性能的污染移動離子電纟色纟彖。才艮據(jù)2003年片反的InternationalTechnologyRoadmapforSemiconductors,在2005年對于DRAM器件，要求被預(yù)金屬介電材料填充的縱橫比(aspectratio)可高達(dá)16:1，轉(zhuǎn)化成深度為大于300納米(nm)。在間隙填充以后，介電材料需要能夠承受后續(xù)的加工步驟，例如高溫退火、蝕刻和清潔步驟。法來沉積。這些方法的每一種對于填充非常窄小的縫隙都有l(wèi)些局限性，而這需要被克服以便成功集成。旋涂玻璃和旋涂聚合物例如硅酸鹽、硅氧烷、硅氮烷或硅倍半氧烷通常具有好的間隙填充性能。這些材料的薄膜典型地通過施涂包含聚合物的涂層溶液然后熱固化方法形成。通常進(jìn)行熱固化方法以完成化學(xué)鍵的形成、去除殘余成分的氣體和降低薄膜的介電常數(shù)。這種固化方法通常在爐中使用間歇方式進(jìn)行或利用單晶片方式在加熱板上進(jìn)行。在任何一種情況下，傳統(tǒng)的固化方法不期望地使晶片受到升高的溫度達(dá)一段延長的時(shí)間(例如超過一個(gè)小時(shí)至數(shù)個(gè)小時(shí)并且處于高于約300。C的溫度)。這些溫度可能超過要求制造商滿足的可允許的熱預(yù)算。而且，可包括超過800。C的加工溫度的熱固化方法能引起收縮。大量收縮能導(dǎo)致不可接受的薄膜破裂和/或多孔材料的形成，尤其是在窄間隙里面。破裂或多孔材料在接下來的方法步驟中可具不期望的高濕法蝕刻率。在涉及旋涂預(yù)金屬介電材料的現(xiàn)有技術(shù)中，至少因?yàn)樘岬降倪@些問題，將期望實(shí)施替代的低k預(yù)金屬介電材料固化方法，其使收縮最小化且提供改善的耐濕法蝕刻性能。更加期望的是獲得具有成功集成所期望性能的旋涂預(yù)金屬電介質(zhì)。簡述本文所公開的是用于uv固化涂布到底物表面上的旋涂預(yù)金屬介電材料的方法。在一個(gè)實(shí)施方案中，用于預(yù)金屬和淺槽隔離應(yīng)用中所用的介電材料的UV固化方法包括涂布介電材料到底物上；和使介電材料暴露于有效量的紫外輻射以降低介電材料中的有機(jī)物含量。在另一個(gè)實(shí)施方案中，用于預(yù)金屬和淺槽隔離應(yīng)用中所用的介電材料的UV固化方法包括涂布介電材料到底物上；和使介電材料暴露于有效量的紫外輻射以增加介電材料的密度。在另一個(gè)實(shí)施方案中，用于預(yù)金屬和淺槽隔離應(yīng)用中所用的介電材料的UV固化方法包括涂布介電材料到底物上；和使介電材料暴露于有效量的紫外輻射以增加介電材料的耐濕法蝕刻性能，其中相對于暴露之前的介電材料的濕法蝕刻率，耐濕法蝕刻性能提高。在又一個(gè)實(shí)施方案中，用于固化涂布到底物表面上的旋涂預(yù)金屬介電材料的方法包括涂布旋涂預(yù)金屬介電材料到底物上；使旋涂預(yù)金屬介電材料暴露于第一紫外輻射模式(ultravioletradiationpattern)達(dá)一段時(shí)間和強(qiáng)度以有效增加預(yù)金屬介電材料的彈性模量性能和/或硬度性能；和使旋涂預(yù)金屬介電材料暴露于第二紫外輻射模式達(dá)一段時(shí)間和強(qiáng)度以有效進(jìn)一步地增加預(yù)金屬介電材料的彈性模量性能和/或硬度性能，其中第一和第二紫外輻射模式不同。上述的和其他的特點(diǎn)由以下的附圖和詳細(xì)i兌明舉例說明。附圖簡述現(xiàn)在參看附圖，其為示范性實(shí)施方案且其中相同的元件以相同的附圖標(biāo)i己表示圖1圖示了各個(gè)I型無電極微波驅(qū)動燈泡的寬帶光譜輸出，該燈泡來自AxcelisTechnologies,Inc.,其適用于UV固化介電材料；圖2圖示了各個(gè)II型無電極微波驅(qū)動燈泡的寬帶光譜輸出，該燈泡適用于UV固化介電材料；圖3圖示了根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案未固化和UV固化的預(yù)金屬介電薄膜的FTIR光譜；圖4-5是說明相對于化學(xué)氣相沉積法沉積的TEOS介電材料，在不同稀釋的氫氟酸溶液(DHF)中非UV固化和UV固化的旋涂低k介電材料的耐濕法蝕刻性能的圖表；圖6-7是說明相對于化學(xué)氣相沉積法沉積的TEOS介電材料，在不同稀釋的氫氟酸溶液(DHF)中非UV固化和UV固化的旋涂低k介電材料的耐濕法蝕刻性能隨時(shí)間變化的圖表；圖8是說明UV暴露之前和之后旋涂預(yù)金屬低k介電材料的介電常數(shù)的圖表，其中工藝室(processchamber)使用了不同的惰性氣體；和圖9是說明UV暴露之前和之后旋涂預(yù)金屬低k介電材料的擊穿電壓(breakdownvoltage)的圖表，其中工藝室使用了不同的惰性氣體。詳述本發(fā)明涉及用于旋涂預(yù)金屬介電材料的UV固化方法。如本文所用的，提到的術(shù)語"預(yù)金屬"介電材料意指包括淺槽介電材料應(yīng)用，因?yàn)閁V固化方法對PMD和STI應(yīng)用來說將具有相似的優(yōu)勢。UV固化方法通常包括在集成電路中沉積任何金屬層之前旋轉(zhuǎn)涂布預(yù)金屬介電材料到合適的底物上，并使介電材料在低于約450°C的溫度下暴露于具有一個(gè)或多個(gè)大于150納米至小于400納米波長的紫外輻射。盡管不想受理論約束，據(jù)信UV固化方法去除了可能已在旋涂預(yù)金屬介電材料中形成的類似有機(jī)物的雜質(zhì)或部分。術(shù)語旋涂(spin-on)介電材料，如本文所用的，包括但不意味局限于硅酸鹽、氬硅倍半氧烷、有機(jī)硅倍半氧烷、有機(jī)硅氧烷、有機(jī)氫化硅氧烷(organhydridosiloxane)、硅倍半氧烷-硅酸鹽共聚物、硅氮烷基材料、聚碳硅烷(polycarbosilane)和乙酸基硅烷(acetoxysilane)。UV固化方法去除和/或化學(xué)改性了介電材料的一部分。例如，根據(jù)具體的旋涂預(yù)金屬介電材料，減少了在涂布的介電材料中，尤其，Si-H、S卜CH3、SixCyHz的量，其中x、y、z通常是0-12之間的整數(shù)，條件是x-1且y+z等于或大于1。結(jié)果，UV固化方法有利地增加介電材料的密度和/或降低有機(jī)物含量，和/或增加介電材料的耐濕法蝕刻性能。本文描述的用于形成旋涂預(yù)金屬介電材料的單體、單體混合物和聚合物能夠并且以多種方式被設(shè)計(jì)成被溶劑化或溶解于任何合適的溶劑，只要產(chǎn)生的溶液可以旋轉(zhuǎn)涂布或機(jī)械鋪設(shè)在底物、晶片或?qū)訝畈牧仙霞纯?。?yōu)選的溶液被設(shè)計(jì)且預(yù)期以被旋轉(zhuǎn)涂布、輥涂、滴涂(drip)或噴灑在晶片、底物或?qū)訝畈牧仙稀Ｗ顑?yōu)選的溶液被設(shè)計(jì)為旋轉(zhuǎn)涂布在晶片、底物或?qū)訝畈牧仙?。典型的溶劑是介電材料、層狀元件或電子元件領(lǐng)域的技術(shù)人員易于獲得的那些溶劑。典型的溶劑也是能使單體、同分異構(gòu)單體混合物和聚合物溶劑化的溶劑。預(yù)期的溶劑包括任何合適的在期望溫度揮發(fā)的有機(jī)、有機(jī)金屬或無機(jī)分子的純物質(zhì)或混合物。溶劑也可包括任何合適的極性和非極性化合物的純物質(zhì)或混合物。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，溶劑包括水、乙醇、丙醇、丙酮、曱苯、醚、環(huán)己酮、丁內(nèi)酯、甲基乙基酮、曱基異丁基酮、N-曱基吡咯烷酮、聚乙二醇甲醚、均三甲基苯和苯甲醚。在一個(gè)實(shí)施方案中，UV固化方法包括旋轉(zhuǎn)涂布合適的預(yù)金屬介電材料到底物上；和使預(yù)金屬介電材料在低于約450。C的溫度暴露于紫外輻射模式達(dá)一段時(shí)間以有效地在介電材料中增加密度和/或增加耐濕法蝕刻性能和/或降低有機(jī)物含量。本領(lǐng)域周知的，涂布旋涂介電材料有很多方法，所有周知的方法都認(rèn)為是合適的。本文預(yù)期的合適的底物可包括任何期望的基本上實(shí)心的(solid)材料，對其來說，包括旋涂介電材料在內(nèi)的預(yù)金屬介電或淺槽隔離結(jié)構(gòu)可能是所期望的。例如，合適的底物包括但不局限于硅、二氧化硅、玻璃、氮化硅、陶瓷和砷化鎵。術(shù)語底物還通常指任何平面化的或具有構(gòu)形(topography)的層，包括半導(dǎo)體晶片、介電層、柵、隔離層、蝕刻停止層和集成電路器件中存在的金屬線。任選地，退火過程可在UV固化方法之后使用。退火過程可包括使含有UV固化的預(yù)金屬介電材料的底物暴露于升高的溫度達(dá)一段時(shí)間以有效地在介電材料中增加密度和/或增加耐濕法蝕刻性能和/或降低有機(jī)物含量。例如，退火溫度可高達(dá)約1100。C達(dá)約2小時(shí)或更短。如前所述，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，所得的UV固化的預(yù)金屬介電材料對后續(xù)的如，光刻(lithography)后，可使用濕法蝕刻方法以選擇性地去除底物和/或沉積層的部分。典型地，底物浸沒在剝離劑如稀釋的含水氫氟酸浴中。其他濕法剝離劑包括酸、堿和本領(lǐng)域技術(shù)人員周知的溶劑。所用的具體的濕法剝離劑為本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解。例如，硝酸、硫酸、氨水、氫氟酸是通常使用的濕法剝離劑。在操作中，濕法剝離劑以浸沒、攪混、流淘、噴灑等方式作用于底物上，然后用去離子水漂洗。如同將在下文中更加詳細(xì)討論的那樣，相對于未暴露到UV固化方法的相同材料，UV固化的旋涂介電材料提高了耐濕法蝕刻性能。在UV固化方法中，使用UV輻照器工具。合適的UV輻照器工具是RapidCureTM工具，由AxcelisTechnologies,Incorporated商業(yè)化可得。在使用過程中，光源室可以被惰性氣體如氮、氦或氬吹掃，使得UV輻射以最小的光譜吸收進(jìn)入相鄰的工藝室。預(yù)金屬介電材料置于被單獨(dú)吹掃的工藝室內(nèi)，且在不同的應(yīng)用中可使用工藝氣體如N2、H2、Ar、He、Ne、H20蒸氣、COz、Oz、CxHy、CxFy、CxHJFy及其混合物，其中x是l-6的整數(shù)，y是4-14的整數(shù)，z是l-3的整數(shù)。在這點(diǎn)上，UV固化可在真空條件下發(fā)生，或在氧氣不存在的情況下，或在氧化氣體下發(fā)生。在一個(gè)實(shí)施方案中，工藝室由氬氣和氦氣吹掃。UV光源可以是微波驅(qū)動、弧光放電、電介質(zhì)隔離放電(dielectricbarrierdischarge)或電子碰撞產(chǎn)生的。而且，可以根據(jù)應(yīng)用選擇具有不同光i普分布的UV發(fā)生燈泡如，例如，被稱為I型或II型的微波無電極燈泡，其可由AxcelisTechnologies(Beverly,MA)獲得。由I型和II型燈泡獲得的光譜以及適用于UV固化方法的光譜分別在圖1和2中給出。底物(晶片)溫度可控制為室溫至450°C，任選地被紅外光源、光學(xué)光源、熱表面或光源本身控制。工藝壓力可小于、大于或等于大氣壓。典型地，對UV固化的介電材料進(jìn)行UV處理不超過或約為600秒，且優(yōu)選地不超過約300秒，更具體地，在約60和約180秒之間。同時(shí)，UV處理介電材料可在如下條件下進(jìn)行溫度為約室溫至約450°C;過程壓力為小于、大于或約等于大氣壓；UV能量為約0.1-約2000mW/cm2;UV波長譜為約100-約400nm。本發(fā)明由下面的非限制性實(shí)施例進(jìn)一步闡述。實(shí)施例1預(yù)金屬介電材料的耐濕法蝕刻性能在本實(shí)施例中，獲自HoneywellCompany的名為HoneywellElectronicMaterialA(HEMA)的預(yù)金屬介電材料被旋轉(zhuǎn)涂布在棵硅晶片上。根據(jù)廠商的推薦，晶片經(jīng)過一個(gè)傳統(tǒng)的旋涂方法。每個(gè)晶片經(jīng)歷完全一樣的處理。經(jīng)涂布的晶片在425。C暴露于UV固化方法5分鐘。UV固化方法在RapidCureExposure工具中使用多種微波無電極燈泡，上述工具自AxcelisTechnologies,Incorporated商業(yè)化可得。圖3中顯示的FTIR數(shù)據(jù)沒有顯示低k介電材料在UV固化之后任何可探測的吸收變化。然后使UV固化晶片暴露于濕法蝕刻方法，其包括浸沒該晶片于40:1和100:1稀釋的氫氟酸水溶液2分鐘、5分鐘和10分鐘。上述的比例代表水與氫氟酸的重量比。結(jié)果顯示在圖4、5中且相對于使用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)沉積的四原硅酸鹽(TEOS,tetraorthosilicate)薄膜給出，后者以其耐濕法蝕刻性能眾所周知，但不適合用作預(yù)金屬介電材料用于高級設(shè)計(jì)規(guī)則，如小于90納米。如圖所示，UV固化方法明顯降低了預(yù)金屬介電材料在40:1氫氟酸溶液中的耐濕法蝕刻性能。未固化材料的蝕刻率約為820埃/分鐘，其降低到約350埃/分鐘，取決于預(yù)金屬介電材料的組成。時(shí)間變量具有非常小的影響。比較結(jié)果在更加稀釋的HF溶液(100:1)中觀察到。然而，結(jié)果從視覺上看不很明顯，因?yàn)橄♂寣?dǎo)致觀察到相對弱的蝕刻行為。實(shí)施例2基于HEMA的旋涂介電材料的耐濕法蝕刻性能在本實(shí)施例中，如同實(shí)施例1中的那樣，HEMA預(yù)金屬旋涂介電材料被旋轉(zhuǎn)涂布到空白晶片上。另夕卜，由HoneywellCorporation可得的稱為NGX的納米玻璃旋涂介電材料被旋轉(zhuǎn)涂布到空白晶片上。晶片在惰性氣體混合物中在42S。C暴露于使用III型無電極燈泡的Rapidcure工具中產(chǎn)生的UV輻射達(dá)10分鐘。旋涂介電材料在后烘烤后以及在UV固化方法之后，測量厚度和折射率(RI)。有些晶片進(jìn)一步在900。c或1000°c暴露于爐退火過程達(dá)1小時(shí)?；趗v固化方法和退火(如果可應(yīng)用的話)前后的厚度計(jì)算收縮百分?jǐn)?shù)。在本實(shí)施例中，晶片組1指hema旋涂介電材料，晶片組2和3指旋涂NGX低k介電材料，其中每個(gè)晶片組代表三個(gè)加工的晶片的平均值。數(shù)據(jù)在表l中給出。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>結(jié)果表明，uv固化方法顯示出很小的收縮和很小的折射率變化。然而，后退火過程確實(shí)引起薄膜密度增加和/或損失以及折射率的增加。從ftir數(shù)據(jù)得到的與介電材料關(guān)聯(lián)的相關(guān)峰在表2中給出。pb指旋涂和后烘烤過程之后的介電材料；pc指uv固化之后的pb介電材料；pa指在pb和pc和暴露于爐退火過程之后的介電材料。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>ftir數(shù)據(jù)表明uv固化方法導(dǎo)致ck:峰的威少，且展示了對預(yù)金屬介電材料的Sl-OH含量很小的影響。實(shí)施例3在本實(shí)施例中，如同實(shí)施例i一樣，介電常數(shù)和擊穿電壓在uv固化方法前后被測量。稱為HEMA(ml)、(m2)和(m3)的旋涂低k介電材料被涂布。:果在列表3中給出。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>每個(gè)例子中，使旋涂介電材料暴露于uv固化方法有利地降低了介電常數(shù)。隨同介電常數(shù)的降低，觀察到伴隨著擊穿電壓的增加。實(shí)施例4在本實(shí)施例中，觀察工藝室中使用不同的吹掃氣體產(chǎn)生的影響。晶片按照實(shí)施例1中那樣被處理。NR(I)指用氦作為惰性氣體而NR(2)指使用氫/氦氣體混合物。如圖6、7所示，UV固化方法顯著地提高了在40:1和100:1的稀釋氬氟酸溶液中的耐濕法蝕刻性能。在某些例子中，耐濕法蝕刻性能比TEOSPECVD沉積薄膜更優(yōu)異。圖8和9圖示了各個(gè)薄膜的介電常數(shù)和擊穿電壓。UV固化方法顯著改善介電常數(shù)和擊穿電壓。雖然本公開內(nèi)容參照示例性實(shí)施方案進(jìn)行了描述，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，不脫離本公開內(nèi)容的范圍可以進(jìn)行多種變化，且其要素可被等價(jià)物替代。另外，不脫離本公開內(nèi)容的范圍，為了使具體的情況或材料適于本公開的教導(dǎo)，可以做很多修改。因此，意圖是本公開內(nèi)容不局限于作為最好模式的、預(yù)期用來實(shí)施本公開內(nèi)容的具體實(shí)施方案，而是本公開內(nèi)容將包括落在所附權(quán)利要求范圍內(nèi)的所有實(shí)施方案。權(quán)利要求1.一種用于預(yù)金屬和淺槽隔離應(yīng)用中所用的介電材料的紫外固化方法，包括涂布介電材料到底物上；和使所述介電材料暴露于有效量的紫外輻射，以降低所述介電材料中有機(jī)物的含量。2.權(quán)利要求1的方法，其中使所述介電材料暴露于紫外輻射包括在介電材料周圍形成一種環(huán)境，其中該環(huán)境包括N2、H2、Ar、He、Ne、HzO蒸氣、COz、Oz、CxHy、CxFy、CxHzFy和其混合物，其中x是l-6的整數(shù)，y是4-14的整數(shù)，z是l-3的整數(shù)。3.權(quán)利要求1的方法，其中所述紫外輻射模式包括大于150納米至小于400納米的波長。4.權(quán)利要求l的方法，進(jìn)一步包括在所述暴露期間加熱底物。5.權(quán)利要求1的方法，其中所述預(yù)金屬介電材料包括氫硅倍半氧烷、烷基硅倍半氧烷、碳摻雜的氧化物、氫化碳氧化硅、乙階聚合物、芳基環(huán)丁烯基聚合物、基于聚亞苯基的聚合物、聚亞芳醚、聚酰亞胺、多孔硅石和包括至少一種上述介電材料的結(jié)合。6.權(quán)利要求1的方法，其中所述旋涂預(yù)金屬介電材料在暴露于所述紫外輻射前后具有基本上相同的介電常數(shù)。7.權(quán)利要求1的方法，其中在所述暴露過程中，預(yù)金屬介電材料的彈性模量性能和/或硬度性能增加至少約50%。8.權(quán)利要求1的方法，其中使所述旋涂預(yù)金屬介電材料暴露于所述紫外輻射模式達(dá)一段時(shí)間和強(qiáng)度以有效降低介電常數(shù)。9.權(quán)利要求1的方法，進(jìn)一步包括在使所述旋涂預(yù)金屬介電材料暴露于紫外輻射模式后，使所述旋涂預(yù)金屬介電材料暴露于爐固化過程或熱位置固化過程。10.—種用于預(yù)金屬和淺槽隔離應(yīng)用中所用的介電材料的紫外固化方法，包括涂布介電材料到底物上；和使所述介電材料暴露于有效量的紫外輻射，以增加所述介電材料的密度。11.權(quán)利要求10的方法，其中使所述介電材料暴露于紫外輻射包括在所述介電材料周圍形成一種環(huán)境，其中該環(huán)境包括N2、H2、Ar、He、Ne、HzO蒸氣、COz、Oz、CxHy、CxFy、CxHzFy和其混合物，其中x是l-6的整數(shù)，y是4-14的整數(shù)，z是l-3的整數(shù)。12.權(quán)利要求10的方法，其中所述紫外輻射模式包括大于150納米至小于400納米的波長。13.權(quán)利要求10的方法，進(jìn)一步包括在暴露期間加熱所述底物。14.權(quán)利要求10的方法，其中所述預(yù)金屬介電材料包括氫硅倍半氧烷、烷基硅倍半氧烷、碳摻雜的氧化物、氫化碳氧化硅、乙階聚合物、芳基環(huán)丁烯基聚合物、基于聚亞苯基的聚合物、聚亞芳醚、聚酰亞胺、多孔硅石和包括至少一種上述介電材料的結(jié)合。15.權(quán)利要求10的方法，其中所述旋涂預(yù)金屬介電材料在暴露于紫外輻射前后具有基本上相同的介電常數(shù)。16.權(quán)利要求10的方法，其中在暴露過程中，所述預(yù)金屬介電材料的彈性模量性能和/或硬度性能增加至少約50%。17.權(quán)利要求10的方法，其中使所述旋涂預(yù)金屬介電材料暴露于紫外輻射模式達(dá)一段時(shí)間和強(qiáng)度以有效降低介電常數(shù)。18.權(quán)利要求10的方法，進(jìn)一步包括在使所述旋涂預(yù)金屬介電材料暴露于紫外輻射模式之后，使所述旋涂預(yù)金屬介電材料暴露于爐固化過程或熱位置固化過程。19.一種用于預(yù)金屬和淺槽隔離應(yīng)用中所用的介電材料的紫外固化方法，包括涂布介電材料到底物上；和使所述介電材料暴露于有效量的紫外輻射，以增加所述介電材料的耐濕法蝕刻性能，其中相對于暴露前的所述介電材料的濕法蝕刻率，耐濕法蝕刻性能提高。20.—種涂布到底物表面上的旋涂預(yù)金屬介電材料的固化方法，包括涂布旋涂預(yù)金屬介電材料到底物上；使所述旋涂預(yù)金屬介電材料暴露于第一紫外輻射模式達(dá)一段時(shí)間和強(qiáng)度以有效增加所述預(yù)金屬介電材料的彈性模量性能和/或硬度性能；和使所述旋涂預(yù)金屬介電材料暴露于第二紫外輻射模式達(dá)一段時(shí)間和強(qiáng)度以有效進(jìn)一步地增加所述預(yù)金屬介電材料的彈性模量性能和/或硬度性能，其中第一和第二紫外輻射模式不同。21.權(quán)利要求20的方法，其中所述第一和第二紫外輻射模式包括大于150納米至小于400納米的波長。22.權(quán)利要求20的方法，進(jìn)一步包括在暴露期間加熱所述底物。23.權(quán)利要求20的方法，其中所述預(yù)金屬介電材料包括氳硅倍半氧烷、烷基硅倍半氧烷、碳摻雜的氧化物、氫化碳氧化硅、乙階聚合物、芳基環(huán)丁烯基聚合物、基于聚亞苯基的聚合物、聚亞芳醚、聚酰亞胺、多孔硅石和包括至少一種上述介電材料的結(jié)合。24.權(quán)利要求20的方法，其中以大于300納米的縱橫比涂布所述旋涂預(yù)金屬介電材料到所述底物上。全文摘要一種用于預(yù)金屬和淺槽隔離應(yīng)用中所用的介電材料的紫外固化方法，包括涂布合適的介電材料到底物上；和使介電材料暴露于有效量的紫外輻射以降低介電材料的有機(jī)物含量和/或增加介電材料的密度和/或增加介電材料的耐濕法蝕刻性能。任選地，紫外固化的介電材料可暴露于多種紫外輻射模式。文檔編號H01L21/02GK101194344SQ200580050060公開日2008年6月4日申請日期2005年6月9日優(yōu)先權(quán)日2005年6月9日發(fā)明者C·沃爾弗里德,O·埃斯科爾恰申請人:艾克塞利斯技術(shù)公司