專利名稱：實施具有平面型遷移的諧振異質(zhì)結(jié)構(gòu)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
及先有技術(shù)諧振電子遷移結(jié)構(gòu)通常利用了通過交替具有不同物理性質(zhì)的層而獲得的幾何結(jié)構(gòu)。
例如對于二維結(jié)構(gòu)來說沿著垂直于試樣的方向進(jìn)行層生長或?qū)拥倪B續(xù)處理或?qū)舆w移來獲得這些層，沿著一維線型結(jié)構(gòu)也一樣。
對于任何隧道二極管族來說就是如此，此隧道二極管利用了電子帶之間的躍遷或隧道結(jié)之間的諧振。
在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，此種結(jié)構(gòu)通過其禁遷移帶寬度采用互不相同的材料。
但是，這些方法也會導(dǎo)致界面的產(chǎn)生，以及不受控的結(jié)構(gòu)不完美性或不均勻性，這是由于用于產(chǎn)生這類部件的光刻和蝕刻技術(shù)引起了缺陷。這些缺陷會導(dǎo)致有害于導(dǎo)電性能的界面狀態(tài)或體積狀態(tài)。
因此，提出的問題是找到一種沒有上述問題的電子導(dǎo)電或遷移結(jié)構(gòu)。
還面臨著找到能夠表征電場和/或磁場的裝置的問題。

發(fā)明內(nèi)容
依照本發(fā)明，利用結(jié)晶中有序的微米級或納米級缺陷以產(chǎn)生平面形或縱向形的諧振電子遷移器件。
本發(fā)明涉及這樣的電子遷移器件，它包括—至少一個遷移層，其中產(chǎn)生至少一個周期位錯或缺陷陣列，—用于在所述遷移層的平面中，導(dǎo)引電子的裝置。
此器件在電子于遷移層中轉(zhuǎn)移期間具有一或多個諧振。
在位錯陣列的情形下，至少部分位錯能夠通過電荷和/或化學(xué)品種(espèces chimques)得以綴飾。
位錯陣列能夠排列成正方形或長方形，或六方形，或更一般地，依照所述位錯之間交互作用造成的對稱性來排列。
上述缺陷陣列也能夠至少是部分地屬于輻照和/或離子注入型缺陷。
能夠提供用于與遷移層電接觸的裝置。
依照一實施例，所述導(dǎo)引裝置包括絕緣層或較為不導(dǎo)電的層，而在其上則設(shè)有遷移層。
還提供了用于在遷移層中施加和/或測量電場和/或磁場的裝置。
此遷移層能夠具有至少一個在第一方向中延伸的區(qū)域的形式，在此區(qū)域中周期陣列有第一周期。
還包括至少一個在第二方向中延伸的第二區(qū)域，此第二方向最好是不同于上述第一方向，而此第二區(qū)域中的周期陣列有第二周期，它相同或許不同于第一周期。
于是，在不同的電子傳播方向能夠獲得由延伸區(qū)域的方向確定的不同諧振。
能夠產(chǎn)生第二遷移層。此第二遷移層也可以具有位錯和/或缺陷陣列。
能產(chǎn)生兩個或多個疊加層，每層各有一陣列，其位錯和/或缺陷可能偏移或不偏移，陣列的形狀能夠相同或不同。此種疊層能增大電子與缺陷之間交互作用的有效區(qū)域。
每一遷移層能夠具有在1nm到1μm之間的厚度。
最好是，遷移陣列產(chǎn)生于SOI結(jié)構(gòu)或絕緣體上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面層中，此絕緣層能夠用作導(dǎo)引層。
本發(fā)明還涉及具有負(fù)微分電阻的二極管，其中包括依照本發(fā)明的如上所述的器件。
本發(fā)明還涉及產(chǎn)生微米級或納米級結(jié)構(gòu)的方法，該方法利用了能夠?qū)Σ骄噙M(jìn)行良好控制并且對被稱作“基質(zhì)”的、固有缺陷很少的結(jié)晶材料進(jìn)行修正的技術(shù)。
這種基質(zhì)能夠由多個層構(gòu)成。
本發(fā)明還涉及產(chǎn)生電子遷移器件的方法，包括—在稱作遷移層的層中形成至少一個周期位錯和/或缺陷陣列，—在所述遷移層的平面中形成導(dǎo)引電子的裝置。
此陣列能夠?qū)儆诎ㄖ辽僖粋€位錯陣列的類型，此方法還包括利用電荷和/或化學(xué)品種綴飾至少部分位錯的步驟。
此陣列能夠從連接(bond)兩種結(jié)晶材料和/或離子注入和/或輻照的步驟中得到。
還能夠進(jìn)行形成用來與上述層電接觸的裝置的步驟。
形成導(dǎo)引裝置的步驟最好包括構(gòu)成絕緣或較為不導(dǎo)電的層的步驟，而在其上則設(shè)有遷移層。


圖1A至3示明本發(fā)明的裝置的不同方面；圖4A至4B示明位錯陣列；圖5A至5C示明輻照缺陷陣列；圖6示明本發(fā)明的器件的應(yīng)用；以及圖7A，7B，8A，8B，9A和9B示明本發(fā)明的器件的其他應(yīng)用例。
具體實施例方式
圖1A中示明本發(fā)明的第一實施例。
在第一層6中，產(chǎn)生了第一周期位錯和/或缺陷陣列，通過此陣列發(fā)生電子遷移，此陣列的周期性賦予所述遷移過程以諧振特征。
所述陣列在一或二維中可以是周期的。
這一陣列的生成例如文獻(xiàn)WO 99/05711或文獻(xiàn)WO 02/054466中所述。
這樣，此陣列能夠通過使第一結(jié)晶材料晶片的表面與第二結(jié)晶材料晶片的表面相接觸來連接而產(chǎn)生，使得此結(jié)晶陣列由具有至少一個失調(diào)參數(shù)的表面提供，所述失調(diào)參數(shù)允許在延伸于兩個晶片接觸面兩側(cè)的結(jié)晶區(qū)域中形成結(jié)晶缺陷陣列和/或約束陣列，借助至少一個這種陣列來確定微米級或納米級結(jié)構(gòu)。
此失調(diào)參數(shù)能夠由兩個表面提供的結(jié)晶陣列的預(yù)定旋轉(zhuǎn)偏移角，和/或由接觸狀態(tài)中的晶片表面的結(jié)晶材料之間的晶格參數(shù)差分和/或由根據(jù)在符合所述表面的方向中有至少一個晶片的表面相對于簡單晶面偏移而預(yù)定的角度來確定。
所述表面的接觸可以屬于疏水型或親水型。
熱處理步驟能夠完成缺陷和/或約束陣列的形成，并且能夠增強(qiáng)接觸狀態(tài)中晶片表面之間的原子間連接。
這樣，可以得到步距在例如幾納米和幾十或幾百納米或幾微米之間，例如在1nm和60nm或100nm或500nm或1μm或20μm之間的陣列。
涉及這類陣列生成的其他詳細(xì)資料能夠在上述兩個相關(guān)文獻(xiàn)中找到。
因此，為了產(chǎn)生微米級或納米級結(jié)構(gòu)，能夠利用分子鍵來獲得可隨意由其他化學(xué)品種或空穴來綴飾的位錯陣列。
相同或不同材料的連接(根據(jù)化學(xué)性質(zhì)或結(jié)晶取向)能夠用于限定位錯的性質(zhì)和步距。利用將多層結(jié)合能夠擴(kuò)大電子與缺陷交互作用的有效區(qū)域。
例如，能夠疊加兩層到SiO2層上，一層的厚度約為10nm，另一層的厚度為20nm或100nm。
缺陷越多，則電子可以遇到上述缺陷并且因此可以評價它們的改進(jìn)的遷移。
例如，Si(001)/Si(001)鍵將提供位錯的正方陣列(如圖4A所示)，而Si(111)/Si(011)鍵將提供六邊陣列(如圖4B所示)。如果這些材料屬于不同類型，此陣列將更可能是矩形的。
另外，或是在與先有技術(shù)相結(jié)合的形式中，也可以使用輻照和/或離子注入法，例如暴露于在發(fā)生遷移的材料6中產(chǎn)生缺陷(間隙和/或間隙缺陷)的輻射(電子和/或離子)下，而如果探測器的尺寸足夠小則直接產(chǎn)生，或者通過掩模。
所產(chǎn)生的缺陷具有相對于這種遷移現(xiàn)象的被動的和/或積極的性能。
例如，對于位錯而言，就會有在這些線形缺陷上的載流子擴(kuò)散或衍射現(xiàn)象，但是也有可能提供能夠直接作用于此遷移過程的附加電荷(電子或空穴)。
電子給體或受體的特征由缺陷的性質(zhì)確定，可任意地通過它借助自愿添加或自發(fā)俘獲的元素和/或粒子進(jìn)行綴飾。
在任一實施例中，電子約束于平面層中，限制于陣列的厚度范圍內(nèi)，得以能夠加強(qiáng)所述給體與受體兩者間的交互作用。
因此，此遷移過程得以被導(dǎo)引用于促使交互作用條件在包括缺陷的層6的平面中。
依照圖1A的實施例，具有微米級或納米級結(jié)構(gòu)的基質(zhì)通過阻擋層4與基片分離，該阻擋層相對于層6的導(dǎo)電性是絕緣的或相對非導(dǎo)電的，從而使絕大多數(shù)電流于此層6中循環(huán)。
SOI型組件，它包括基片，薄的絕緣層(例如SiO2氧化物)和薄的半導(dǎo)體材料層，特別是硅，這樣的SOI型組件適用于制造本發(fā)明的器件。
當(dāng)通過連接獲得陣列時，還能夠變薄一個晶片以限制層6的厚度。此變薄可以實施研磨、機(jī)械或化學(xué)磨蝕或解理(chivage)。在最后一種情況，例如，為了形成解理面而使表面之一預(yù)先接受離子注入。
遷移層6的厚度例如在幾nm到100μm或幾百nm之間，例如在1nm或5nm和100或200nm或500nm或1μm之間。
如作為圖1A中裝置的側(cè)視圖的圖1B所示，能夠在活性層6上形成接頭8、10，例如通過金屬沉積法，以確保層6中電荷的側(cè)向?qū)щ姟?br> 依照另一實施形式，能夠在層6上(圖2)而不再如圖1B所示在每一側(cè)上提供接頭8、10。
依據(jù)又一實施形式(圖3)，能夠?qū)⒔宇^8、10部分地設(shè)在層6中，同時部分地設(shè)在高于此層的水平面上或其上表面上。
所述兩層與接點組合體能夠位于基片2上。
也能夠進(jìn)行層6的光刻和蝕刻并用以在此同一層6的平面中確定一或多個相對遷移方向。這樣，就能夠從層6的平面中確定可能具有不同取向的遷移帶。
因此，能夠確定電荷運(yùn)動的軸線60，62，64，如圖7A和7B中所示，這將在下面進(jìn)行描述。
上述效果能夠用于在下述意義下調(diào)整諧振效應(yīng)，即如果從相對陣列圖案以不同取向追蹤遷移帶，則載流子能夠在與缺陷相互作用之前行程不同長度，如以下相對于圖4A和4B所述。
限制層4可與在包含有陣列的層6的平面中定義的遷移帶組合而被使用。
位錯和/或缺陷陣列可以是正方形的，如圖4A所示，或六方形的，如圖4B所示。這些形狀只是例示，缺陷和/或位錯能夠排列成其他幾何形狀，特別是長方形。
圖4A和4B還示明了由電荷和/或化學(xué)物類12，14，16，18所產(chǎn)生的位錯線的綴飾。
如圖4A中所示，同一陣列的步距或周期在兩個不同方向D1和D2中是不同的。
如果電荷基本上是沿方向D1移動，那么它們就不具有相同的步距或相同的周期，如同它們沿方向D2移動那樣。依照傳播方向的圖案步距的變化，還能在任意其他類型的陣列中，例如在圖4B結(jié)構(gòu)的情形中觀測到。
圖5A到5C示明由輻照和/或離子注入所產(chǎn)生的缺陷陣列，具有接頭(圖5A)或相互平行的遷移帶(圖5B)或交叉遷移帶(圖5C)的形式。在后一情形，所示所的帶正交，但這并非總是這樣。再者，由所述電子經(jīng)歷的步距以及由于缺陷的周期特征而造成的諧振特性，也取決于電子的傳播方向。
與前述實施例無關(guān)，層6能夠與施加電場的柵極20，22組合使用(圖6)，所述電場能夠調(diào)整在層6中運(yùn)動的電荷的遷移性質(zhì)。這些柵極最好是盡可能靠近所述遷移帶。
圖7A和圖7B示明層6的情形，其中如上所述產(chǎn)生了缺陷和/或位錯陣列。
此外，在層6中已蝕刻出三條帶60，62，64。
每一條帶確定了在接頭80和接頭82，84，86三個中之一的兩者之間的電荷主要傳播方向。
圖7A示明例如由兩個不同類型的結(jié)晶半導(dǎo)體材料的分子連接形成的位錯陣列的情形。
圖7B示明另一位錯陣列的情形，例如由兩個相同結(jié)晶半導(dǎo)體材料如Si(001)/Si(001)鍵的分子連接形成的位錯陣列。
由于這些遷移帶的不同方向，特定步距或周期與每一方向有關(guān)，于是如上所述相對于圖4A中所述與每一帶60，62，64有關(guān)。這樣，帶60的步距或周期不同于在帶62中所看到的步距或周期，而帶62的步距或周期也不同于在遷移帶62中所看到的步距或周期。
遷移帶64的步距可等于帶60的步距。
更一般地說，能夠產(chǎn)生包括至少兩條具有不同方向的帶的結(jié)構(gòu)，兩條此種帶具有兩個相同的步距。
在兩條具有不同方向但具有相同步距的帶中，當(dāng)不施加電場時電荷的遷移是相同的。相反，在存在磁場和/或電場的情形中，兩條帶中的遷移則不再相同。借助例如在兩條分支中的電流之間的簡單差別，能夠探測到場的存在。
因此，在圖7A和圖7B的情形中，能夠進(jìn)行三種電流或電壓的測量，每一測量針對三條遷移帶中的一條，此三條遷移帶由于每一帶中載流子的步距或周期的不同而具有互不相同的諧振。
已給出了三條遷移帶的例子，但也能夠是有任意個數(shù)n(2或4或n＞4)的帶。
如果所述器件處于例如在外部的要測量電場或磁場的影響下，則在三條或n條帶中對電流進(jìn)行調(diào)制，可提供有關(guān)這些場的方向和強(qiáng)度的信息。此類場能夠處于相對這些帶的平面即附圖平面的任意方向中。
但是，這種帶只是給出進(jìn)入投影到所述帶上的場的分量。相反，如果此場是在帶的平面中，那么兩條帶就足以完全確定此場。
如果要測量外場 最好是，能夠提供柵極(類似于上述柵極20，22)；測量在遷移帶中產(chǎn)生的場 而場 確實能改進(jìn)此帶內(nèi)的電荷分布。
更一般地說，依照本發(fā)明，能夠利用相對陣列蝕刻的圖案方向的改變來根據(jù)所希望的用途示明多個諧振。
例如，對于圖8A和9A中的結(jié)構(gòu)，具有分別在圖8B和9B中所示形式的電壓-電流曲線。
在圖8A的情形中，陣列的周期以及電荷(電子)的導(dǎo)向?qū)е鲁霈F(xiàn)表現(xiàn)為電流(I)-電壓(V)曲線峰值的諧振。能夠在接頭8，10之間測量得到此電流和電壓。
在圖9A的情形中，電子將沿兩個不同的連續(xù)方向傳播，因此如上所述，便相繼地具有不同的陣列周期。這將導(dǎo)致出現(xiàn)曲線I-V中兩個諧振峰(圖9B)。再者，能夠在接頭8，10之間測得此電流和電壓。
通過設(shè)定遷移路徑的可變方向，或設(shè)定具有可變方向的連續(xù)遷移路段，就能將多個峰值疊加到從同一位錯陣列所得到的曲線I/V上。還能夠使用掩模確定受輻照區(qū)域，通過輻照得到陣列中的步距變型。
在陣列的周期性缺陷上產(chǎn)生的傳播和/或衍射還能夠用于產(chǎn)生具有負(fù)微分電阻的二極管型結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的裝置的曲線I(V)能夠是此二極管的相應(yīng)曲線。因此，此裝置本身構(gòu)成該二極管。這樣，根據(jù)周期以及電子經(jīng)歷的缺陷的周期數(shù)，能夠調(diào)整此二極管的特性曲線I/V的波峰-波谷比。
再者，在這種應(yīng)用中，通過設(shè)定遷移路徑的方向，或通過輻照技術(shù)修正掩模的步距，還能夠從相同的位錯陣列中將多個峰值疊加到曲線I/V上。
與本發(fā)明的實施例無關(guān)，無論是在微米級或納米級結(jié)構(gòu)的鄰域中還是在整個結(jié)構(gòu)上，施加磁場或電場能夠在此類材料中修改電子遷移條件。如上所述，場的方向可以是任意的。此種方向例如可通過于端子8，10施加的或來自外部環(huán)境中的電壓來設(shè)定(例如，此種情形適用于施加到傳感器上)。
在此種情形中，我們最好是利用陣列的規(guī)則性同時在包含位錯的區(qū)域中進(jìn)行導(dǎo)向，這樣，載流子就能因方向不同而有不同的遷移性，這是因為這些載流子遇到陣列的概率會因方向而異。
上述相關(guān)性可用來產(chǎn)生對場的方向敏感的磁場傳感器事實上，在陣列平面或?qū)б龓е?，電流或電壓的變化與所施加的場E和/或H的方向及強(qiáng)度有關(guān)。
當(dāng)施加電場和/或磁場時，能夠提供裝置來測量循環(huán)流動于層中一個或多個導(dǎo)引帶中的參考電流的變化。或者，能夠提供測量生成于所述層中的電壓的裝置。
本發(fā)明是易于實施的，因為它只需要很少幾個技術(shù)步驟分子連接或應(yīng)用輻照和/或通過掩模進(jìn)行離子注入的技術(shù)。本發(fā)明不實施精細(xì)的沉積技術(shù)(溝道充填、復(fù)雜圖案等)。
最后，利用本發(fā)明能夠很容易地產(chǎn)生大的表面(VLSI超大規(guī)模集成電路目標(biāo))。
在一實施例中，涉及到包括通過由分子連接得到的薄層6的位錯陣列的電子擴(kuò)散或衍射的裝置，此層6通過氧化層4(SiO2)與基片2分開。
此連接的層依照文獻(xiàn)WO 02/054466所述技術(shù)從SOI基片(001)上生成。
規(guī)則和相關(guān)的方形位錯陣列按大的距離(例如步距為22nm)生成。相同位錯的陣列具有很好受控的步距(通常為幾納米到幾微米)。能夠?qū)⒋诉B接層6變薄至例如10nm。
然后，就能平行于位錯線形成的正方形的一邊來進(jìn)行帶的光刻。
光刻生成的線的寬度與正方形的某些邊對應(yīng)(例如50nm對應(yīng)于約2周期)，而長度將較大(例如1μm相應(yīng)于50周期)。
相對于位錯陣列的光刻生成圖案的不同取向能夠用來調(diào)整預(yù)期的諧振效應(yīng)。
在很好限定的方向中施加磁場和電場也允許調(diào)整電子遷移性質(zhì)。
依照此例的另一形式，缺陷區(qū)域在SOI結(jié)構(gòu)中導(dǎo)致局部化的電子輻照(＜50KeV)或局部化的離子注入(＜2MeV)。此輻照或離子注入的局部化能夠用掩模實現(xiàn)。
若對掩模生產(chǎn)作出某些技術(shù)限制(例如邊長大約為22nm的方形圖案的掩模)，圖案的大小和間距就更大。借助離子注入或輻照的條件(劑量，能量，元素的選擇等)設(shè)定各個區(qū)域中的缺陷密度，各種掩模圖案就能確定輻照或離子注入的缺陷的區(qū)域。
由這些技術(shù)得到的結(jié)構(gòu)在圖5A到5C中示明。
依照本發(fā)明，還能夠產(chǎn)生兩個或多個疊加層，每一層各具有一陣列，其位錯和/或缺陷可以偏移可以不偏移，并且陣列的幾何形狀也能夠相同或不同。此疊層使得能夠擴(kuò)大電子和缺陷之間交互作用的有效截面。這種疊層能夠通過連續(xù)的連接作業(yè)產(chǎn)生出?；蛘?，第一陣列可連接得到，而第二陣列則通過輻照得到。
權(quán)利要求
1.電子遷移器件，它包括-至少一個遷移層(6)，其中產(chǎn)生至少一個周期性位錯和/或缺陷陣列，-用于在所述遷移層的平面中，導(dǎo)引電子的裝置(4，60，62，64，70，72)，所述遷移層具有至少一個在第一方向的細(xì)長區(qū)域(60，62，64，70，72)的形式，在此區(qū)域中周期陣列有第一周期；至少一個在不同于所述第一方向的第二方向的第二細(xì)長區(qū)域，此第二區(qū)域中的周期陣列有第二周期，此第二周期不同于所述第一周期。
2.具有負(fù)微分電阻的二極管，其特征在于它包括權(quán)利要求1所述的器件。
3.用來表征電場和/或磁場的器件，包括權(quán)利要求1或2中之一所述的器件以及用于探測電流于層中循環(huán)流動的強(qiáng)度或產(chǎn)生于所述層中的電壓變化的裝置。
4.用來表征電場和/或磁場特征的器件，此器件包括電子遷移器件，包括產(chǎn)生至少一個周期性位錯和/或缺陷陣列的至少一個遷移層(6)；以及用于在所述遷移層的平面中導(dǎo)引電子的裝置(4，60，62，64，70，72)，所述表征器件還包括用于探測在循環(huán)流動于層中的電流或產(chǎn)生于所述層中的電壓的強(qiáng)度的變化的裝置。
5.權(quán)利要求1至4中之一的器件，此器件包括至少一個位錯陣列，至少一部分位錯能夠通過電荷和/或化學(xué)物類加以綴飾。
6.權(quán)利要求1至5中之一的器件，它包括至少一個排列成方形、矩形或六方形的位錯陣列。
7.權(quán)利要求1至6中之一的器件，其特征在于它包括至少一個輻照和/或離子注入缺陷的陣列。
8.權(quán)利要求1至7中之一的器件，其特征在于它還包括用于與遷移層(6)電接觸的裝置(8，10，80，82，84，86)。
9.權(quán)利要求1至8中之一的器件，其特征在于所述導(dǎo)引裝置包括絕緣層(4)或其上設(shè)有遷移層的弱導(dǎo)電的層。
10.權(quán)利要求1至9中之一的器件，其特征在于它還包括用于在遷移層中施加和/或測量電場和/或磁場的裝置(20)。
11.權(quán)利要求1至10中之一的器件，其特征在于它包括至少一個具有位錯和/或缺陷陣列的第二遷移層。
12.權(quán)利要求1至11中之一的器件，其特征在于此遷移層產(chǎn)生于SOI結(jié)構(gòu)的表面層中。
13.權(quán)利要求4的器件，其特征在于此遷移層具有至少一個在第一方向的細(xì)長區(qū)域(60，62，64，70，72)的形式，此區(qū)域中周期陣列有第一周期。
14.權(quán)利要求13的裝置，其特征在于此遷移層包括至少一個在第二方向的第二細(xì)長區(qū)域，此第二方向不同于第一方向，而此第二區(qū)域中的周期陣列有第二周期。
15.權(quán)利要求14的器件，其特征在于所述第二周期不同于所述第一周期。
16.用于產(chǎn)生電子遷移器件的方法，它包括-在稱作遷移層的層中形成至少一個位錯和/或缺陷陣列，其中此陣列的形成包括連接兩種結(jié)晶材料的步驟，-形成用于在所述遷移層的平面中導(dǎo)引電子的裝置。
17.權(quán)利要求16的方法，其特征在于所述形成導(dǎo)引裝置的步驟包括形成至少一個在第一方向的細(xì)長區(qū)域(60，62，64，70，72)的步驟，此區(qū)域中周期陣列有第一周期，并且產(chǎn)生至少一個在第二方向的第二細(xì)長區(qū)域，此第二方向不同于第一方向，而此第二區(qū)域中的周期陣列有第二周期，此第二周期不同于第一周期。
18.用于產(chǎn)生電子遷移器件的方法，其特征在于，它包括-在稱作遷移層的層中形成至少一個位錯和/或缺陷陣列，-形成用于在所述遷移層的平面中導(dǎo)引電子的裝置，其中形成導(dǎo)引裝置的所述步驟包括形成至少一個在第一方向的細(xì)長區(qū)域(60，62，64，70，72)的步驟，此區(qū)域中周期陣列有第一周期，并且產(chǎn)生至少一個在第二方向的第二細(xì)長區(qū)域，此第二方向不同于第一方向，而此第二區(qū)域中的周期陣列有第二周期，第二周期不同于第一周期。
19.權(quán)利要求16，17或18的方法，其特征在于，通過蝕刻該遷移層生成所述細(xì)長區(qū)域。
20.權(quán)利要求16至19中之一的方法，其特征在于，它還包括形成至少一個具有位錯和/或缺陷陣列的第二遷移層。
21.權(quán)利要求16至20中之一的方法，其特征在于，此遷移層產(chǎn)生于SOI結(jié)構(gòu)的表面層中。
22.權(quán)利要求16至21中之一的方法，其特征在于，此陣列包括至少一個位錯陣列，此方法還包括通過至少某些位錯能夠通過電荷和/或化學(xué)物類綴飾的步驟。
23.權(quán)利要求16至22中之一的方法，其特征在于，此陣列的形成包括輻照和/或離子注入的步驟。
24.權(quán)利要求16至23中之一的方法，其特征在于，它還包括形成與所述層電接觸的裝置的步驟。
25.權(quán)利要求16至24中之一的方法，其特征在于，所述形成導(dǎo)引裝置的步驟包括形成絕緣層或在其上設(shè)有遷移層的弱導(dǎo)電的層的步驟。
26.權(quán)利要求16至25中之一的方法，其特征在于，形成導(dǎo)引裝置的步驟包括變薄步驟。
27.權(quán)利要求18至26中之一的方法，其特征在于，所述陣列的形成步驟包括連接兩種結(jié)晶材料的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及電子遷移器件，它包括至少一個遷移層(6)，其中產(chǎn)生至少一個周期性位錯和/或缺陷陣列；以及用于在所述遷移層的平面中，導(dǎo)引電子的裝置(4，60，62，64，70，72)。
文檔編號H01L29/32GK101040389SQ200580034677
公開日2007年9月19日 申請日期2005年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月12日
發(fā)明者J·埃默里, P·根蒂爾 申請人:法國原子能委員會