專(zhuān)利名稱(chēng)：雙壓電晶片元件、雙壓電晶片開(kāi)關(guān)、密勒元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種雙壓電晶片元件，雙壓電晶片開(kāi)關(guān)以及具備雙壓電晶片元件的密勒元件及其制造方法。本申請(qǐng)案與下記的日本申請(qǐng)案相關(guān)聯(lián)。就藉由文獻(xiàn)的參照而確認(rèn)可編入的指定國(guó)而言，藉由參照下記的申請(qǐng)案中所記載的內(nèi)容而編入本申請(qǐng)案中，以作為本申請(qǐng)案的記載的一部份。
1.特愿2004-254810 申請(qǐng)日西元2004年09月01日背景技術(shù)近年來(lái)，雙壓電晶片開(kāi)關(guān)成為半導(dǎo)體制程中所制造的微型元件的一種例子已為人所知。雙壓電晶片開(kāi)關(guān)具有2種熱膨脹率不同的層，此2層以加熱區(qū)來(lái)加熱而發(fā)生彎曲現(xiàn)象?？蓜?dòng)接點(diǎn)設(shè)置在彎曲發(fā)生的部份中，藉由該可動(dòng)接點(diǎn)的相面對(duì)的位置中設(shè)置一固定接點(diǎn)，則可構(gòu)成一種在電性上可切換成ON/OFF的開(kāi)關(guān)(例如，請(qǐng)參閱專(zhuān)利文獻(xiàn)1和專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1特開(kāi)2004-55410號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2WO2004/024618號(hào)公報(bào)然而，雙壓電晶片開(kāi)關(guān)等的雙壓電晶片元件會(huì)有以下的問(wèn)題由于構(gòu)成二個(gè)層中的一層所用的氧化硅層的內(nèi)部應(yīng)力經(jīng)常發(fā)生變化，則元件的形狀亦會(huì)經(jīng)常發(fā)生變化。因此，施加所期望的位移至雙壓電晶片元件時(shí)所需的輸入電力會(huì)有”每個(gè)元件中都有偏差”此種問(wèn)題存在。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種可解決上述問(wèn)題的雙壓電晶片元件，雙壓電晶片開(kāi)關(guān)以及密勒元件及其制造方法。此目的藉由申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第1項(xiàng)中所記載的特征的組合來(lái)達(dá)成。又，申請(qǐng)專(zhuān)利范圍各附屬項(xiàng)規(guī)定了本發(fā)明更有利的具體實(shí)施例。
解決問(wèn)題用的手段為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的第1實(shí)施形式中提供一種雙壓電晶片元件，其具備氧化硅層；高膨脹率層，其形成在該氧化硅層上且具有較該氧化硅層的熱膨脹率還高的熱膨脹率；以及變形防止層，其覆蓋該氧化硅層的表面，以防止該氧化硅層由于經(jīng)常變化所造成的變形。
上述變形防止層的水份和氧的透過(guò)率亦可較該氧化硅層還低。此變形防止層亦可為一種以較該氧化硅層形成時(shí)還高的能量來(lái)進(jìn)行成膜時(shí)所形成的氧化硅。此變形防止層亦可為氮化硅層或亦可為金屬層。上述的高膨脹率層亦可由銅所構(gòu)成。
本發(fā)明的第2實(shí)施形式提供一種雙壓電晶片開(kāi)關(guān)，其具備電路基板和雙壓電晶片元件，此電路基板在上面具有固定接點(diǎn)，此雙壓電晶片元件具有氧化硅層；高膨脹率層，其形成在該氧化硅層上且具有較該氧化硅層的熱膨脹率還高的熱膨脹率；變形防止層，其覆蓋該氧化硅層的表面，以防止該氧化硅層由于經(jīng)常變化所造成的變形；加熱區(qū)，其對(duì)高膨脹率層和氧化硅層進(jìn)行加熱；以及可動(dòng)接點(diǎn)，其面向上述的固定接點(diǎn)而設(shè)置著。此種可動(dòng)接點(diǎn)在上述加熱區(qū)對(duì)該高膨脹率層和氧化硅層進(jìn)行加熱時(shí)可與上述的固定接點(diǎn)在電性上相連接。
本發(fā)明的第3實(shí)施形式提供一種具備雙壓電晶片元件的密勒元件，此雙壓電晶片元件具有氧化硅層；高膨脹率層，其形成在該氧化硅層上且具有較該氧化硅層的熱膨脹率還高的熱膨脹率；變形防止層，其覆蓋該氧化硅層的表面，以防止該氧化硅層由于經(jīng)常變化所造成的變形；加熱區(qū)，其對(duì)高膨脹率層和氧化硅層進(jìn)行加熱；以及鏡面，其在該雙壓電晶片元件的表面上在該高膨脹率層和氧化硅層進(jìn)行加熱時(shí)設(shè)置在方向已變化的位置中以使光反射。
本發(fā)明的第4實(shí)施形式提供一種雙壓電晶片元件的制造方法，此雙壓電晶片元件具備氧化硅層和形成在此氧化硅層上的高膨脹率層，此種制造方法包括以下各階段高膨脹率層形成階段，所形成的高膨脹率層具有較該氧化硅層的熱膨脹率還高的熱膨脹率；氧化硅層形成階段，此氧化硅層形成在該高膨脹率層之上；以及變形防止層形成階段，此變形防止層覆蓋該氧化硅層的表面，以防止該氧化硅層由于經(jīng)常變化所造成的變形。
又，上述發(fā)明的概要未列舉本發(fā)明的必要的特征的全部，這些特征群的下位組合(sub-combination)亦屬本發(fā)明。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1是本實(shí)施形式的第1實(shí)施例所屬的雙壓電晶片開(kāi)關(guān)100的斷面圖。
圖2是由圖1的雙壓電晶片開(kāi)關(guān)100上面所看到的俯視圖。
圖3是本實(shí)施形式的第2實(shí)施例所屬的微型開(kāi)關(guān)200的斷面圖。
圖4是本實(shí)施形式的第3實(shí)施例所屬的密勒元件200的斷面圖。
100雙壓電晶片開(kāi)關(guān) 102可動(dòng)接點(diǎn)104固定接點(diǎn)106氧化硅層108雙壓電晶片部110支持部
112加熱電極126基板128加熱區(qū) 130高膨脹率層132固定接點(diǎn)電壓150變形防止層200微型元件300密勒元件302鏡面具體實(shí)施方式
為以下，依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施形式來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，但以下的實(shí)施形式不是對(duì)申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所屬的發(fā)明的一種限制。又，各實(shí)施形式中所說(shuō)明的特征的組合的全部不限于發(fā)明的解決手段所必需。
實(shí)施例1圖1是本實(shí)施形式的第1實(shí)施例所屬的雙壓電晶片開(kāi)關(guān)100的斷面圖。圖2是由圖1的雙壓電晶片開(kāi)關(guān)100上面所看到的俯視圖。圖1的斷面圖對(duì)應(yīng)于圖2的A-A斷面。雙壓電晶片開(kāi)關(guān)100例如是一種懸臂(cantilever)狀(即，具有薄片的梁狀)的開(kāi)關(guān)。雙壓電晶片開(kāi)關(guān)100具備基板126，雙壓電晶片部108以及支持部110。雙壓電晶片部108是本發(fā)明的雙壓電晶片元件的一例。支持部110固定在基板126上且支持著雙壓電晶片部108的一端?；?26例如是一種玻璃基板。基板126亦可為硅基板。本實(shí)施形式的雙壓電晶片開(kāi)關(guān)100的特點(diǎn)是雙壓電晶片部108的形狀在室溫時(shí)不會(huì)經(jīng)常地變化。
雙壓電晶片部108具有支持在支持部110上的固定端以及由固定端延伸的自由端。雙壓電晶片部108由固定端向自由端反轉(zhuǎn)向上。雙壓電晶片部108具備氧化硅層106；高膨脹率層130，其形成在該氧化硅層106上且具有較該氧化硅層106的熱膨脹率還高的熱膨脹率；以及變形防止層150，其覆蓋該氧化硅層106的表面且對(duì)水份和氧的透過(guò)率亦較該氧化硅層106還低。
雙壓電晶片部經(jīng)常變化的主因大體上特別是可分二種來(lái)考慮。第1個(gè)主因是氧化硅層的未反應(yīng)部份發(fā)生氧化，以及由膨脹所造成的氧化硅層的變形。然后，第2個(gè)主因是高膨脹率層是金屬層時(shí)雙壓電晶片部108由于內(nèi)部應(yīng)力經(jīng)常緩和所產(chǎn)生的變形。本實(shí)施形式的目的是防止上述2種主因所造成的雙壓電晶片形狀的經(jīng)常變更。
變形防止層150是一種氮化硅層。氮化硅形成一種較氧化硅更致密的層而可更確實(shí)地遮斷水份和氧?；?，變形防止層150即使在形成氧化硅層106時(shí)亦可為一種在更高的能量中進(jìn)行成膜時(shí)所形成的氧化硅。藉由氧化硅成膜時(shí)能量的提高，則已成膜的氧化硅的致密性會(huì)提高，可使水份和氧更確實(shí)地被遮斷。此時(shí)，由于能以和氧化硅層106相同的材料使變形防止層150成膜，則雙壓電晶片部108的制造更容易。因此，雙壓電晶片部108由于具有此變形防止層150，則可藉由氧化硅層106經(jīng)常變化來(lái)防止上述膨脹的發(fā)生。于是，雙壓電晶片部108的形狀可更精確-且良好地保持著。
又，雙壓電晶片部108具有可動(dòng)接點(diǎn)102和加熱區(qū)128。可動(dòng)接點(diǎn)102設(shè)置在雙壓電晶片部108的前端的下面，即，設(shè)在面向基板126的面上。加熱區(qū)128是依據(jù)一種對(duì)該高膨脹率層130和氧化硅層106進(jìn)行效率良好的加熱時(shí)所用的圖樣而形成的導(dǎo)電體。例如，加熱區(qū)128以大略平行的方式而設(shè)置在高膨脹率層130和氧化硅層106之間。高膨脹率層130是金屬等的導(dǎo)電體時(shí)，藉由以氧化硅層等的絕緣體來(lái)覆蓋該加熱區(qū)128的周?chē)辜訜釁^(qū)128和高膨脹率層130絕緣。另一方面，基板126在與可動(dòng)接點(diǎn)102相面對(duì)的位置上具有一固定接點(diǎn)104。常溫時(shí)此雙壓電晶片部108保持著該可動(dòng)接點(diǎn)102使離開(kāi)該固定接點(diǎn)104一定的距離。本實(shí)施例的雙壓電晶片部108的長(zhǎng)度是600微米，由可動(dòng)接點(diǎn)102的中央部份的固定接點(diǎn)104的高度大約是50微米。
加熱電極112是一種在電性上與加熱區(qū)128相連接的金屬電極。若經(jīng)由加熱電極112以供給電力至加熱區(qū)128，則高膨脹率層130和氧化硅層106幾乎同時(shí)被加熱。于是，高膨脹率層130延伸的程度會(huì)較氧化硅層106還大。結(jié)果，雙壓電晶片部108使可動(dòng)接點(diǎn)102與固定接點(diǎn)104相接觸。于是，可動(dòng)接點(diǎn)102與固定接點(diǎn)104在電性上相接觸。可動(dòng)接點(diǎn)102與固定接點(diǎn)104是一種位于雙壓電晶片開(kāi)關(guān)100中的開(kāi)關(guān)接點(diǎn)。可動(dòng)接點(diǎn)102與固定接點(diǎn)104例如以白金或金等的金屬來(lái)形成。
本實(shí)施例中，支持部110是一種形成在基板126表面上的氧化硅層。本實(shí)施例中支持部110只支持著雙壓電晶片部108的一端。在另一實(shí)施例中，支持部110亦可支持著雙壓電晶片部108的兩端。
又，高膨脹率層130亦可為鈦銅和鈹銅等的析出硬化型的合金。鈦銅和鈹銅等的析出硬化型的銅合金由于應(yīng)力緩和特性較優(yōu)良，則雙壓電晶片部108變形時(shí)所產(chǎn)生的歪斜較小。因此，其效果是雙壓電晶片部108的形狀不易經(jīng)常地變化。
圖2是由雙壓電晶片開(kāi)關(guān)100上面所看到的俯視圖。本實(shí)施形式中，雙壓電晶片開(kāi)關(guān)100具備多個(gè)固定接點(diǎn)104。雙壓電晶片開(kāi)關(guān)100藉由在電性上與多個(gè)固定接點(diǎn)104各別地相連接且與圖1相關(guān)連的已說(shuō)明的可動(dòng)接點(diǎn)102相連接而可在電性上連接多個(gè)固定接點(diǎn)104。雙壓電晶片開(kāi)關(guān)100是一種2接點(diǎn)型的開(kāi)關(guān)，其可在多個(gè)固定接點(diǎn)104之間使信號(hào)接通或遮斷。雙壓電晶片開(kāi)關(guān)100可在多個(gè)固定接點(diǎn)104之間使信號(hào)接通或遮斷。又，雙壓電晶片開(kāi)關(guān)100更可具備多個(gè)固定接點(diǎn)104所對(duì)應(yīng)的多個(gè)固定接點(diǎn)電極132。多個(gè)固定接點(diǎn)電極132中的各電極分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)固定接點(diǎn)中之一。固定接點(diǎn)電極132在電性上與相對(duì)應(yīng)的固定接點(diǎn)104相連接。固定接點(diǎn)電極132與相對(duì)應(yīng)的固定接點(diǎn)104一體形成。
以下將說(shuō)明雙壓電晶片部108的制造方法的一例。雙壓電晶片部108的制造方法包含高膨脹率層形成階段，退火(annealing)階段，加熱區(qū)形成階段，氧化硅層形成階段，變形防止層形成階段，可動(dòng)接點(diǎn)形成階段以及犧牲層除去階段。首先，在高膨脹率層形成階段中，例如在由氧化硅所構(gòu)成的犧牲層之上在常溫下濺鍍-且堆積銅或鋁等之類(lèi)的金屬，以形成高膨脹率層。
其次，在退火階段中，對(duì)該犧牲層之上已形成的高膨脹率層130進(jìn)行退火。在犧牲層之上已形成的高膨脹率層130中殘留著由于濺鍍而形成堆積時(shí)所產(chǎn)生的內(nèi)部應(yīng)力。因此，此種內(nèi)部應(yīng)力藉由退火而趨于緩和。退火的溫度較形成該高膨脹率層130用的金屬的再結(jié)晶溫度及后述的電漿CVD的溫度還高。例如，高膨脹率層130的材料使用銅時(shí)，退火的溫度可達(dá)400℃的程度。又，高膨脹率層130的材料使用鋁時(shí)，退火的溫度可達(dá)350℃的程度。退火的時(shí)間大約15分鐘時(shí)是適當(dāng)?shù)摹?br> 藉由上述的退火過(guò)程，高膨脹率層130的原子會(huì)再結(jié)晶，格子間的缺陷會(huì)減少。因此，高膨脹率層130的內(nèi)部應(yīng)力會(huì)趨于緩和，雙壓電晶片部108的形狀經(jīng)常變化的主因之一可被去除。又，藉由退火階段中高膨脹率層130的內(nèi)部應(yīng)力已趨于緩和，則隨后在氧化硅層形成階段的電漿CVD過(guò)程中又達(dá)到300℃的溫度時(shí)，可防止高膨脹率層130的變形。因此，能以CVD來(lái)進(jìn)行積層時(shí)的瓦特?cái)?shù)而很精確地對(duì)雙壓電晶片部108制造時(shí)的初期彎曲量和氧化層106進(jìn)行管理。
其次，在加熱區(qū)形成階段中，高膨脹率層130的表面上首先形成一種絕緣層。絕緣層例如在CVD過(guò)程中藉由氧化硅層的堆積而形成。然后，藉由白金等的金屬在常溫時(shí)以濺鍍方式進(jìn)行堆積以形成加熱區(qū)128。其次，在氧化硅層形成階段中，藉由使用TEOS的電漿CVD過(guò)程，以便在加熱區(qū)形成階段中所形成的絕緣層上及加熱區(qū)128的上面堆積氧化硅。本實(shí)施形式的氧化硅層形成階段中例如使電漿CVD的輸出調(diào)整成130瓦，300℃的狀態(tài)以沉積氧化硅而形成氧化硅層106。又，高膨脹率層130是以金屬制成時(shí)，在高膨脹率層130之上依序形成鉻層和鈦層，其上較佳是形成氧化硅層106。因此，可使氧化硅層106和高膨脹率層130的密著強(qiáng)度提高。
其次，在變形防止層形成階段中，氧化層106的表面上在電漿CVD過(guò)程中藉由氮化硅的沉積以形成該變形防止層150?；?，亦可在較氧化硅層形成階段中還高的能量的電漿CVD過(guò)程中藉由氧化硅層的沉積以形成該變形防止層150。以氧化硅來(lái)形成此變形防止層150時(shí)，在使電漿CVD的輸出例如調(diào)整成150瓦的狀態(tài)下沉積氧化硅以形成該變形防止層150。在較氧化硅層形成階段中還高的能量的電漿CVD過(guò)程中藉由氧化硅的沉積，則變形防止層150的氧化硅可形成一種較氧化硅層106的氧化硅更致密的層。
其次，在可動(dòng)接點(diǎn)形成階段中，金等的耐腐蝕性高的金屬例如以濺鍍方式而沉積在變形防止層150的表面上，藉由蝕刻以除去可動(dòng)接點(diǎn)102以外的范圍的金屬而形成可動(dòng)接點(diǎn)。最后，在犧牲層除去階段中，藉由蝕刻以除去該支持高膨脹率層130所用的犧牲層。然后，對(duì)應(yīng)于氧化層106和高膨脹率層130的內(nèi)部應(yīng)力的差而在雙壓電晶片部108中產(chǎn)生朝向高膨脹率層130的彎曲現(xiàn)象。此時(shí)所產(chǎn)生的彎曲的大小是由氧化硅層形成階段中的電漿CVD的能量(即，瓦特?cái)?shù)的大小)來(lái)決定。電漿CVD的瓦特?cái)?shù)高時(shí)，雙壓電晶片部108的彎曲量變大。本實(shí)施形式的雙壓電晶片部108中適當(dāng)?shù)膹澢咳缜八鍪墙逵裳趸鑼有纬呻A段的電漿CVD的輸出調(diào)節(jié)成130瓦的大小時(shí)得到。這樣所得到的雙壓電晶片部108藉由上下反轉(zhuǎn)而得到如圖1中所示形式的雙壓電晶片部108。
由氮化硅所構(gòu)成的變形防止層150形成一種較氧化硅更致密的層，可更確實(shí)地遮斷水份和氧。又，以較氧化硅層形成階段還高的能量的電漿CVD使氧化硅層沉積而形成的變形防止層150由于具有較氧化硅層106的氧化硅更致密的層，則可由氧化硅層106來(lái)遮斷水份及氧。此時(shí)，由于能以和氧化硅層106相同的材料來(lái)對(duì)該變形防止層150進(jìn)行成膜過(guò)程，于是可使制程較容易。
即，雙壓電晶片開(kāi)關(guān)100由于具有該變形防止層150，則可防止氧化硅層106經(jīng)常變化時(shí)所造成的膨脹。因此，可很精確地維持著雙壓電晶片部108的形狀，固定接點(diǎn)104和可動(dòng)接點(diǎn)102的接點(diǎn)間隙(Gap)即可確定。于是，為了使開(kāi)關(guān)切換而輸入至加熱區(qū)128中的電力以及切換的應(yīng)答速率此二者都可達(dá)到”安定”的效果。
又，本發(fā)明的雙壓電晶片元件亦可為一種微型感測(cè)器等的微型機(jī)械。
實(shí)施例2圖3是本實(shí)施形式的第2實(shí)施例所屬的微型開(kāi)關(guān)200的構(gòu)成圖。圖3(a)顯示微型開(kāi)關(guān)200的斷面圖。圖3(b)是已由微型開(kāi)關(guān)200取出該基板216后的狀態(tài)的基板140的斜視圖。微型開(kāi)關(guān)200是本發(fā)明的雙壓電晶片開(kāi)關(guān)的一例。本實(shí)施例中與第1實(shí)施例有相同的構(gòu)成時(shí)以相同的符號(hào)來(lái)表示而不再說(shuō)明。
微型開(kāi)關(guān)200藉由半導(dǎo)體制程而制成且在電性上與外部相連接而動(dòng)作。微型開(kāi)關(guān)200具備基板140，其上形成各貫通孔208和210；雙壓電晶片部108，其一端固定在支持部110且另一端可自由地保持在該貫通孔208內(nèi)；配線基板212，其與基板140大約平行且與雙壓電晶片部108相隔開(kāi)而設(shè)置著；固定接點(diǎn)104和電極墊114；導(dǎo)電性構(gòu)件的加熱電極112，其一端固定至基板140，另一端在貫通孔210的方向中延伸，藉由向基板140的面外方向形成彎曲，使導(dǎo)電性構(gòu)件在電性上連接至電極墊114；基板216，其設(shè)在基板140的上面；以及接地電極220，其設(shè)在配線基板212上。支持部110是基板140的一部份。設(shè)有基板216，使貫通孔208和210在基板216和配線基板212之間被密封。貫通孔208和貫通孔210是由基板140的上面藉由除去基板140的一部份而形成。又，配線基板212面對(duì)該基板140的下面而設(shè)置著。接地電極220設(shè)在固定接點(diǎn)104的附近。
本實(shí)施例的雙壓電晶片部108以氧化硅分別覆蓋高膨脹率層130和加熱區(qū)128的周?chē)?。因此，高膨脹率?30和加熱區(qū)128在以氧化硅來(lái)絕緣的狀態(tài)中大約平行相面對(duì)而設(shè)置著。加熱區(qū)128的下面形成氧化硅層106。氧化硅層106的表面設(shè)有由氮化硅所構(gòu)成的變形防止層150?；?，亦可藉由較氧化硅層106還高的能量的電漿CVD過(guò)程中氧化硅的沉積以形成上述的變形防止層150。又，此變形防止層150亦可以金屬來(lái)形成。又，亦可形成此變形防止層150以作為硅或碳化硅等的半導(dǎo)體膜或作為高分子膜。
雙壓電晶片部108的前端的下面在與固定接點(diǎn)104相面對(duì)處設(shè)有可動(dòng)接點(diǎn)102。加熱電極112和電極墊114在貫通孔210的中央附近以可導(dǎo)電方式相連接。加熱電極112連接至加熱區(qū)128，以供給該加熱區(qū)128加熱時(shí)所需的電力。本實(shí)施例中所示的微型開(kāi)關(guān)200的制造例如可藉由WO2004/024618中所揭示的制造方法的圖1中所說(shuō)明的雙壓電晶片部108的制造方法的組合來(lái)達(dá)成。本實(shí)施例的微型開(kāi)關(guān)200由于在雙壓電晶片部108的氧化硅層106的表面上具有該變形防止層150，則藉由經(jīng)常變化即可防止氧化硅層106的膨脹。因此，雙壓電晶片部108的形狀在室溫時(shí)即不易經(jīng)常變化。于是，施加所期望的位移至雙壓電晶片部108中時(shí)所需要的需入電力在每一元件中的偏差值即可減低。
實(shí)施例3圖4是本實(shí)施形式的第3實(shí)施例所屬的密勒元件300的斷面圖。以下，在與第1實(shí)施例具有相同的構(gòu)成時(shí)設(shè)有相同的參考符號(hào)而不再另外說(shuō)明。本實(shí)施例的密勒元件300具備一種鏡面302以取代上述的可動(dòng)接點(diǎn)102和固定接點(diǎn)104，此點(diǎn)與第1實(shí)施例不同。鏡面302形成在雙壓電晶片部108的自由端側(cè)的前端近傍。例如，圖4的密勒元件300在雙壓電晶片部108的自由端側(cè)的前端近傍的變形防止層150的表面上具有鏡面302。密勒元件300在雙壓電晶片部108的自由端側(cè)的前端近傍的高膨脹率層130的表面上亦可具有鏡面302。鏡面302可藉由濺鍍或蒸鍍時(shí)鉻等的反射率高的金屬的沉積而形成。鏡面元件300使入射至鏡面302的光反射至與鏡面302的方向相適應(yīng)的方向中。密勒元件300對(duì)應(yīng)于加熱電極112所入射的電力而使雙壓電晶片部108的彎曲量發(fā)生變化，以使信號(hào)光的反射方向發(fā)生變化。
本實(shí)施例的密勒元件300在雙壓電晶片部108的氧化硅層106的表面上具有變形防止層150。在密勒元件300中，此變形防止層150亦可為銅，金和鋁等的金屬膜。金屬膜較氧化硅層106更致密，由氧化硅層106可確實(shí)遮斷水份和氧。密勒元件300由于具有上述的變形防止層150，則可防止雙壓電晶片部108經(jīng)常變化所造成的變形。因此，可使鏡面302中的信號(hào)光的反射方向的精確度向上提升，同時(shí)，變更該反射方向至所期望的方向中時(shí)所需要的電力在每一元件中的偏差值即可減低。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性依據(jù)本發(fā)明的雙壓電晶片元件，雙壓電晶片開(kāi)關(guān)，密勒元件及其制造方法，則可防止雙壓電晶片元件的形狀的經(jīng)常變化。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種雙壓電晶片元件，其特征在于具備氧化硅層；高膨脹率層，其形成在氧化硅層上且具有較此氧化硅層的熱膨脹率還高的熱膨脹率，以及變形防止層，其覆蓋氧化硅層的表面，以防止氧化硅層由于經(jīng)常變化所形成的變形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙壓電晶片元件，其特征在于其中所述的變形防止層對(duì)水份和氧的透過(guò)率較該氧化硅層還低。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙壓電晶片元件，其特征在于其中所述的變形防止層是以一種較該氧化硅層形成時(shí)還高的能量來(lái)進(jìn)行成膜時(shí)所形成的氧化硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙壓電晶片元件，其特征在于其中所述的變形防止層是氮化硅層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙壓電晶片元件，其特征在于其中所述的變形防止層是金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙壓電晶片元件，其特征在于其中所述的高膨脹率層是由銅所構(gòu)成。
7.一種具備電路基板和雙壓電晶片元件的雙壓電晶片開(kāi)關(guān)，其特征在于，此電路基板在上面具有固定接點(diǎn)，此雙壓電晶片元件具有氧化硅層；高膨脹率層，其形成在氧化硅層上且具有較此氧化硅層的熱膨脹率還高的熱膨脹率；變形防止層，其覆蓋氧化硅層的表面，以防止氧化硅層由于經(jīng)常變化所形成的變形；加熱區(qū)，其對(duì)該高膨脹率層和氧化硅層進(jìn)行加熱，以及可動(dòng)接點(diǎn)，其面向該固定接點(diǎn)而設(shè)置著，此可動(dòng)接點(diǎn)在該加熱區(qū)對(duì)該高膨脹率層和氧化硅層進(jìn)行加熱時(shí)在電性上與該固定接點(diǎn)相連接。
8.一種具備雙壓電晶片元件的密勒元件，其特征在于，此雙壓電晶片元件具有氧化硅層；高膨脹率層，其形成在氧化硅層上且具有較此氧化硅層的熱膨脹率還高的熱膨脹率；變形防止層，其覆蓋氧化硅層的表面，以防止氧化硅層由于經(jīng)常變化所形成的變形；加熱區(qū)，其對(duì)該高膨脹率層和氧化硅層進(jìn)行加熱，以及光反射用的鏡面，在該雙壓電晶片元件的表面上在該加熱區(qū)對(duì)該高膨脹率層和氧化硅層進(jìn)行加熱時(shí)此鏡面設(shè)置在方向已變化的位置中。
9.一種雙壓電晶片元件的制造方法，其特征在于此雙壓電晶片元件具備氧化硅層和形成在氧化硅層上的高膨脹率層，此制造方法具備以下各步驟高膨脹率層形成階段，用來(lái)形成高膨脹率層，其具有較氧化硅層的熱膨脹率還高的熱膨脹率；氧化硅層形成階段，其在該高膨脹率層上形成氧化硅層，以及變形防止層形成階段，用來(lái)形成該變形防止層，其覆蓋該氧化硅層的表面，以防止氧化硅層由于經(jīng)常變化所造成的變形。
全文摘要
一種雙壓電晶片元件，具備氧化硅層；高膨脹率層，其形成在氧化硅層上且具有較此氧化硅層的熱膨脹率還高的熱膨脹率；以及變形防止層，其覆蓋氧化硅層的表面，以防止氧化硅層由于經(jīng)常變化所形成的變形。變形防止層變形防止層相對(duì)于水份和氧的透過(guò)率亦可較氧化硅層還低，變形防止層亦可以是一種以較形成氧化硅層時(shí)還高的能量來(lái)進(jìn)行成膜時(shí)所形成的氧化硅，變形防止層亦可為氮化硅層或金屬層。
文檔編號(hào)H01H61/013GK101027741SQ20058002935
公開(kāi)日2007年8月29日 申請(qǐng)日期2005年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月1日
發(fā)明者高柳史一, 三瓶廣和 申請(qǐng)人:愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試株式會(huì)社