專利名稱：在半導(dǎo)體器件中的間隙型導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體器件，更具體地說，涉及形成在布線級中具有氣隙的半導(dǎo)體器件的方法，以及這樣形成的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體器件的持續(xù)縮小，器件部件之間的距離連續(xù)減小。在金屬布線層中，部件之間距離的減小引起了電容的增加。因此，工業(yè)上需要一種方法，用于形成在器件部件之間的距離減小時，能夠保持低電容的半導(dǎo)體器件的方法，以克服上述和其它問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種形成在金屬布線級中具有氣隙的半導(dǎo)體器件的方法，以及這樣形成的結(jié)構(gòu)，其解決了上述問題。
本發(fā)明的第一方面提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括如下步驟沉積第一和第二介質(zhì)材料的交替層，其中所述第一和第二介質(zhì)材料可以不同的速率選擇蝕刻；在所述介質(zhì)材料的交替層中形成第一部件；以及選擇蝕刻所述介質(zhì)材料的交替層，以在具有所述第一介質(zhì)材料的每層中除去所述第一介質(zhì)材料的至少部分但非全部，并且留下所述第二介質(zhì)材料基本上未蝕刻。
本發(fā)明的第二方面提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括如下步驟沉積第一和第二絕緣材料的交替層；形成鑲嵌部件；以及在所述第一絕緣材料層中形成開口。
本發(fā)明的第三方面提供了一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體器件，包括金屬布線級，具有第一介質(zhì)材料和第二介質(zhì)材料的交替層并且具有在第一和第二介質(zhì)材料的交替層中形成的第一部件；以及在所述第一介質(zhì)材料中的多個開口。
本發(fā)明的第四方面提供了一種半導(dǎo)體器件，包括多個交替的第一和第二絕緣層，其中所述第一和第二絕緣層具有不同的蝕刻速率；第一部件，在所述第一和第二絕緣層中形成；多個開口，在多個第一絕緣層中，在選擇蝕刻期間形成。
在隨后對本發(fā)明的實施例的更具體地描述中本發(fā)明的前述和其它特征和優(yōu)點將更加明顯。
參考后面的圖對本發(fā)明的實施例進行詳細描述，其中相似的標號標注相似的元件，其中圖1根據(jù)本發(fā)明的實施例，示出了包括預(yù)金屬介質(zhì)層和在其上的第一絕緣層的器件截面圖；圖2示出了圖1的器件，在其上具有第二絕緣層；圖3示出了圖2的器件，在其上具有第三絕緣層；圖4示出了圖3的器件，在其上具有第四絕緣層；圖5示出了圖4的器件，在其上具有形成第一金屬布線級的多個絕緣層；圖6示出了圖5的器件，在其中形成一對鑲嵌部件；圖7示出了圖6的器件，具有在選定的絕緣層中形成的多個氣隙；圖8示出了圖7的器件，在其上具有保形襯里；圖9示出了圖8的器件，具有在其上沉積的導(dǎo)體層；圖10示出了拋光后圖9的器件；圖11示出了圖10的器件，具有在第一金屬布線級上形成的絕緣層；圖12示出了圖11的器件，具有形成第二金屬布線級的多個絕緣層；
圖13示出了圖12的器件，具有在其中形成的第一鑲嵌部件；圖14示出了圖13的器件，具有在其中形成的第二鑲嵌部件；圖15示出了圖14的器件，具有在選定的絕緣層中形成的多個氣隙；圖16示出了圖15的器件，具有在其上沉積的導(dǎo)體層；以及圖17示出了拋光后圖16的器件。
具體實施例方式
雖然從細節(jié)上示出并描述本發(fā)明的特定實施例，但是應(yīng)該明白，在附加權(quán)利要求的范圍內(nèi)可以進行各種變化和修正。本發(fā)明的范圍不受組成部分的個數(shù)，其材料，其外形，其相對排列等等的限制。雖然附圖意圖示出本發(fā)明，但是附圖沒必要按比例畫出。
圖1示出了在其上形成有第一絕緣層12a的預(yù)金屬介質(zhì)層(PMD)10截面圖。PMD10包括一種或更多介質(zhì)材料，例如SiO2基材料即SiO2，PSG，BPSG，SiCOH(OSG)，SiLKTM(Dow Chemical Corp.)，SiN，SiC，SiCN，C-H等。第一絕緣層12a包括介質(zhì)材料，在此實例中，為有機介質(zhì)材料，如聚亞芳基醚(SILKTM)，聚對二甲苯(N或F)，聚四氟乙烯，或這些膜的其它多孔形式。有機介質(zhì)材料的類型依賴于使用的沉積技術(shù)。例如，如果使用化學(xué)氣相沉積(CVD)或等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)形成第一絕緣層12a，可以使用聚對二甲苯(N或F)，聚四氟乙烯，或這些膜的其它多孔形式。然而如果使用旋涂沉積形成第一絕緣層12a，可以使用SILKTM。形成的第一絕緣層12a可以具有在5-10nm范圍內(nèi)的厚度。
隨后在第一絕緣層12a上形成第二絕緣層14a，如圖2中所示。第二絕緣層14a包括介質(zhì)材料，在此實例中，為無機介質(zhì)材料，如SiCOH(OSG)，SiO2，氟化SiO2(FSG)如甲基硅倍半氧烷(MSQ)，或這些材料的多孔形式。如第一絕緣層12a，可以使用CVD，PECVD，旋涂沉積或其它類似的沉積技術(shù)形成第二絕緣層14a。形成的第二絕緣層14a可以具有在5-10nm范圍內(nèi)的厚度。
如圖3中示出，在第二絕緣層14a上形成第三絕緣層12b。第三絕緣層12b包括類似于第一絕緣層12a的有機介質(zhì)材料。使用與第一絕緣層12a類似的技術(shù)形成第三絕緣層12b，并且具有與第一絕緣層12a類似的厚度。
如圖4中所示，在第三絕緣層12b上形成第四絕緣層14b。第四絕緣層14b包括類似于第二絕緣層14a的有機介質(zhì)材料。使用與第二絕緣層14a類似的技術(shù)形成第四絕緣層14b，并且具有與第二絕緣層14a類似的厚度。
可以以這樣的方式在襯底10上形成有機和無機介質(zhì)材料的交替層，如圖5中所示，直到第一金屬布線級20期望的厚度。在本實例中，層12c-12f包括類似于第一和第三絕緣層12a，12b的有機介質(zhì)材料。同樣，層14c-14f包括類似于第二和第四絕緣層14a，14b的無機介質(zhì)材料。在本發(fā)明中示出的層的數(shù)目僅用于說明目的，并且沒有意圖以任何方式限制，只要至少存在一個有機層和一個無機層。同樣，應(yīng)該注意到在本實例中首先沉積有機介質(zhì)材料僅用于說明目的。無機或有機介質(zhì)材料都可以首先沉積。
同樣應(yīng)該注意，可以在原位沉積有機和無機絕緣材料的交替層。例如，可以使用單PECVD室沉積無機和有機兩種層而不離開室。同樣，可以使用旋轉(zhuǎn)施加軌道，其中可以在相同的室內(nèi)沉積和固化交替層。使用任一技術(shù)，可以可選地沉積具有兩倍期望厚度的第一絕緣層12a。其后，將第一絕緣層12a暴露于等離子體或熱處理，其中第一絕緣層12a的上面部分轉(zhuǎn)化為第二絕緣層14a中需要的材料。這些方法可以幫助降低有機和無機絕緣層之間厚度的不均衡，并且可以增加有機和無機絕緣層之間的粘附性。
如圖6所示，在達到第一布線級20的期望厚度后，在第一布線級20中形成第一部件22和在此實例中的第二部件24。第一和第二部件22，24是布線溝槽，用于可以使用常規(guī)的構(gòu)圖和蝕刻技術(shù)形成的布線。
在第一和第二部件22，24形成后，進行選擇蝕刻以在第一布線級20中除去至少部分有機介質(zhì)材料，此實例中，在層12a-12f(圖7)中。在本實例中，在有機介質(zhì)材料包括p-SILKTM和無機介質(zhì)材料包括p-OSG的情況下，可以使用N2等離子體，H2等離子體或其它類似的等離子體蝕刻以選擇除去有機介質(zhì)材料?？梢栽诩s3-200mT的壓力范圍內(nèi)在典型的平行板或高密度等離子體功率和電流條件下進行N2或H2蝕刻?？蛇x地，可以使用如100∶1 DHF的濕蝕刻劑蝕刻無機介質(zhì)材料(p-OSG)部分，在層14a-14f中留下SiLKTM材料。
如圖7所示，在選擇蝕刻層12a-12f中的有機介質(zhì)材料后形成開口或氣隙26。在層12a-12f的有機介質(zhì)材料中而不是在層14a-14f的無機介質(zhì)材料中，形成氣隙26，因為層12a-12f的有機介質(zhì)材料的蝕刻速率比層14a-14f的無機介質(zhì)材料的蝕刻速率快。在第一布線級20中的氣隙26減小了整個器件的電容。通過校準選擇蝕刻以除去有機介質(zhì)材料的一部分但非全部來確定氣隙26的尺寸。在選擇蝕刻后，應(yīng)該保留至少一些有機介質(zhì)材料以防止器件的機械故障如無機介質(zhì)層14a-14f的倒塌。
下面示出的表1粗略比較了使用不同的無機和有機材料，具有和沒有氣隙26的器件的電容值。更具體地說，該數(shù)據(jù)是模擬具有第一布線級20的寬度約100nm并且布線間隔約100nm，其中在布線間隔中的100nm的有機介質(zhì)的約33nm被除去的樣品得到的。此結(jié)果在Keff(器件的有效介電常數(shù))中有約20％的減小，這可以轉(zhuǎn)化為器件的電容約20％的減小，因為Keff與器件的電容成比例。
表1具有氣隙的Keff和沒有氣隙的Keff的比較
(*“p-”表示介質(zhì)為多孔介質(zhì))在形成氣隙26之后，密封第一金屬布線層20的表面28以防止在下一步中沉積的金屬滲漏到氣隙26中。這可以以幾種不同的方法完成。例如，在第一金屬布線層20的表面28上沉積如具有低介電常數(shù)的介質(zhì)，即SiCOH，SiO2，SiN，SiC，和SiCN等的保形襯里30(圖8)。使用PECVD，HDPCVD，SACVD，APCVD，THCVD，或其它類似的沉積技術(shù)沉積的襯里30可以具有在約1-10nm范圍內(nèi)的厚度。
可選地，如果氣隙26很小，例如，在約1-10nm的范圍內(nèi)，在隨后步驟中沉積的金屬可以有效地密封氣隙26。還可以使用等離子體氣相沉積(PVD)，化學(xué)氣相沉積(CVD)，原子層沉積(ALD)，或其它類似的沉積技術(shù)沉積金屬以便很少的金屬離子滲入氣隙26。
在密封氣隙26后，如果如前面描述的使用分開的密封工藝，那么在第一布線級20的表面28上沉積導(dǎo)體材料32填充第一和第二部件22，24(圖9)。導(dǎo)體材料32可以包括銅，加襯有薄難容金屬襯里，如技術(shù)上公知的鈦或其它類似應(yīng)用的材料。使用常規(guī)技術(shù)拋光第一布線級20的表面28，以除去多余的導(dǎo)體材料32，留下在第一和第二部件22，24中的導(dǎo)體材料32以形成第一布線34和第二布線36(圖10)。
在此實例中示出的第一金屬布線級20為單鑲嵌布線級。如在圖11-17中所示，設(shè)計本發(fā)明是為了與雙鑲嵌布線級結(jié)合使用。如在圖11中所示，在第一布線級20的表面28上沉積第三絕緣層38。第三絕緣層38可以包括一種或更多介質(zhì)材料，具有低介電常數(shù)，其在隨后用于形成氣隙(下面形成)的蝕刻工藝中不易除去。例如，第三絕緣層38可以包括多孔SiCOH(p-OSG)，SiO2，氟化SiO2(FSG)，SiCOH(OSG)如甲基硅倍半氧烷(MSQ)或所有這些材料的多孔形式。第三絕緣層38可以使用CVD，PECVD，旋涂沉積或其它類似的沉積技術(shù)形成，并且可以包括多層，如SiN，SiC，F(xiàn)SG等。形成的第三絕緣層38可以具有約等于最終的過孔高度的厚度，如0.1到1.0微米。
在第三絕緣層38的表面40上沉積有機介質(zhì)材料40a-40f和無機介質(zhì)材料42a-42f的交替層，如圖12所示，以形成第二布線級50。交替層與在第一金屬布線級20中形成的類似(即，有機介質(zhì)材料，無機介質(zhì)材料，有機介質(zhì)材料，無機介質(zhì)材料，等等)，并且以類似的方式形成。
在形成第二布線級50后，在有機介質(zhì)材料40a-40f，無機介質(zhì)材料42a-42f的交替層和第三絕緣層38中形成第一雙鑲嵌部件44。如圖13所示，第一雙鑲嵌部件44是過孔溝槽。使用常規(guī)的構(gòu)圖和蝕刻技術(shù)向下形成過孔溝槽44直到第一金屬布線級20。
如圖14中所示，在有機介質(zhì)材料40a-40f，無機介質(zhì)材料42a-42f的交替層中形成第二雙鑲嵌部件46和第二溝槽48。第二雙鑲嵌部件46同樣是使用常規(guī)構(gòu)圖和蝕刻技術(shù)形成的布線溝槽，向下到第三絕緣層38的表面。可選地，如技術(shù)上公知的，可以使用溝槽第一過孔第二工藝。同樣，可以使用多層硬掩膜，其中在上部硬掩膜中構(gòu)圖并蝕刻第一鑲嵌部件，如技術(shù)上公知的。
在形成第一和第二雙鑲嵌部件44，46，48后，進行選擇蝕刻以除去在第二布線級50中的至少部分有機介質(zhì)材料40a-40f。如上所述，在有機介質(zhì)材料包括p-SILKTM和無機介質(zhì)材料包括p-OSG的情況下，可以使用N2等離子體，H2等離子體或其它類似的等離子體蝕刻以選擇除去有機介質(zhì)材料?？梢栽诩s3-200mT的壓力范圍內(nèi)在典型的平行板或高密度等離子體功率和電流條件下進行N2或H2蝕刻。
如圖15所示，在選擇蝕刻后在第二布線級50中形成開口或氣隙52。應(yīng)該注意，在本實例的第三絕緣層38中沒有形成氣隙52以增加機械強度并且使整個器件穩(wěn)定。然后在第二布線級50的表面上形成保形襯里53，密封第二布線級50以防止下一步中沉積的金屬滲漏到氣隙52中。
在第二布線級50的表面上沉積導(dǎo)體材料54，填充過孔溝槽44和溝槽46，48(圖16)。導(dǎo)體材料54可以包括銅，加襯有薄難容金屬襯里，如技術(shù)上公知的鈦或其它類似應(yīng)用的材料。使用常規(guī)技術(shù)拋光第二布線級50的表面，以除去多余的導(dǎo)體材料54，留下在過孔溝槽44和溝槽46，48中的導(dǎo)體材料54以形成導(dǎo)體雙鑲嵌部件60和導(dǎo)體單鑲嵌部件62(圖17)。
在本發(fā)明中的金屬布線級中氣隙的形成降低了整個器件的電容。這在器件越來越小并且器件部件之間的距離連續(xù)降低時更有幫助。
權(quán)利要求
1.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括如下步驟沉積第一和第二介質(zhì)材料的交替層，其中所述第一和第二介質(zhì)材料可以不同的速率選擇蝕刻；在所述介質(zhì)材料的交替層中形成第一部件；以及選擇蝕刻所述介質(zhì)材料的交替層，以在具有所述第一介質(zhì)材料的每層中除去所述第一介質(zhì)材料的至少部分但非全部，并且留下所述第二介質(zhì)材料基本上未蝕刻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第一介質(zhì)材料包括對所述第二介質(zhì)材料具有選擇性地蝕刻的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第一介質(zhì)材料包括有機介質(zhì)材料并且所述第二介質(zhì)材料包括無機介質(zhì)材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第一介質(zhì)材料包括有機介質(zhì)材料，選自聚亞芳基醚(SILKTM)，聚對二甲苯(N)，聚對二甲苯(F)，聚四氟乙烯，多孔聚亞芳基醚(SILKTM)，多孔聚對二甲苯(N)，多孔聚對二甲苯(F)和多孔聚四氟乙烯，并且其中所述第二介質(zhì)材料包括無機介質(zhì)材料，選自O(shè)SG，SiO2，F(xiàn)SG，MSQ，多孔OSG，多孔SiO2，多孔FSG和多孔MSQ。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第一部件包括單鑲嵌部件或雙鑲嵌部件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中從所述雙鑲嵌部件的布線溝槽部分而不從所述雙鑲嵌部件的過孔溝槽部分除去所述第一介質(zhì)材料的部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在所述選擇蝕刻所述介質(zhì)材料的交替層的步驟之后還包括在所述介質(zhì)材料的交替層的表面上沉積保形襯里以密封所述交替層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中所述保形襯里包括選自SiCOH，SiO2，SiN，SiC和SiCN的材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中在所述沉積保形襯里的步驟之后還包括在所述器件的表面上沉積導(dǎo)體材料層，填充所述第一部件；以及拋光所述器件的所述表面，以除去在所述器件的所述表面上的多余導(dǎo)體材料，留下在所述第一部件中的所述導(dǎo)體材料。
10.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括如下步驟沉積第一和第二絕緣材料的交替層；在所述第一和第二絕緣材料的交替層中形成第一部件；以及在所述第一絕緣材料層中形成開口。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述第一絕緣材料包括對所述第二絕緣材料具有選擇性地蝕刻的材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述第一絕緣材料包括有機介質(zhì)材料，選自聚亞芳基醚(SILKTM)，聚對二甲苯(N)，聚對二甲苯(F)，聚四氟乙烯，多孔聚亞芳基醚(SILKTM)，多孔聚對二甲苯(N)，多孔聚對二甲苯(F)和多孔聚四氟乙烯，并且其中所述第二絕緣材料包括無機介質(zhì)材料，選自O(shè)SG，SiO2，F(xiàn)SG，MSQ，多孔OSG，多孔SiO2，多孔FSG和多孔MSQ。
13.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述第一部件包括單鑲嵌部件或雙鑲嵌部件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中從所述雙鑲嵌部件的布線溝槽部分而不從過孔溝槽部分除去所述第一絕緣材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中在所述在所述第一絕緣材料層中形成開口的步驟之后還包括在介質(zhì)材料的交替層的表面上沉積保形襯里以密封所述交替層，其中所述保形襯里包括選自SiCOH，SiO2，SiN，SiC和SiCN的材料。
16.一種半導(dǎo)體器件，包括金屬布線級，具有第一介質(zhì)材料和第二介質(zhì)材料的交替層并且具有在第一和第二介質(zhì)材料的交替層中形成的第一部件；以及在所述第一介質(zhì)材料中的多個開口。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件，其中所述第一介質(zhì)材料包括對所述第二介質(zhì)材料具有選擇性地蝕刻的材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件，其中所述第一介質(zhì)材料包括有機介質(zhì)材料，選自聚亞芳基醚(SILKTM)，聚對二甲苯(N)，聚對二甲苯(F)，聚四氟乙烯，多孔聚亞芳基醚(SILKTM)，多孔聚對二甲苯(N)，多孔聚對二甲苯(F)和多孔聚四氟乙烯，并且其中所述第二介質(zhì)材料包括無機介質(zhì)材料，選自O(shè)SG，SiO2，F(xiàn)SG，MSQ，多孔OSG，多孔SiO2，多孔FSG和多孔MSQ。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的半導(dǎo)體器件，其中從所述雙鑲嵌部件的布線溝槽部分而不從過孔溝槽部分除去所述第一介質(zhì)材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件，還包括在介質(zhì)材料的交替層的表面上的保形襯里以密封交替層，其中所述保形襯里包括選自SiCOH，SiO2，SiN，SiC和SiCN的材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件，還包括在所述第一部件中的導(dǎo)體材料。
22.根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件，還包括第二金屬布線級，具有第一介質(zhì)材料和第二介質(zhì)材料的交替層，在所述金屬布線級上形成，在所述第二金屬布線級的所述第一介質(zhì)材料中具有開口；第二部件，在所述第二金屬布線級的第一和第二介質(zhì)材料的所述交替層中形成；以及多個開口，在所述第二金屬布線級的所述第一介質(zhì)材料中。
23.一種半導(dǎo)體器件，包括多個交替的第一和第二絕緣層，其中所述第一和第二絕緣層具有不同的蝕刻速率；第一部件，在所述第一和第二絕緣層中形成；多個開口，在多個第一絕緣層中，在選擇蝕刻期間形成。
24.根據(jù)權(quán)利要求23的半導(dǎo)體器件，其中所述第一絕緣層包括對所述第二絕緣層具有選擇性地蝕刻的材料。
25.根據(jù)權(quán)利要求23的半導(dǎo)體器件，其中所述第一絕緣層包括有機介質(zhì)材料并且所述第二絕緣層包括無機介質(zhì)材料。
26.根據(jù)權(quán)利要求23的半導(dǎo)體器件，其中所述第一絕緣層包括有機介質(zhì)材料，選自聚亞芳基醚(SILKTM)，聚對二甲苯(N)，聚對二甲苯(F)，聚四氟乙烯，多孔聚亞芳基醚(SILKTM)，多孔聚對二甲苯(N)，多孔聚對二甲苯(F)和多孔聚四氟乙烯，并且其中所述第二絕緣層包括無機介質(zhì)材料，選自O(shè)SG，SiO2，F(xiàn)SG，MSQ，多孔OSG，多孔SiO2，多孔FSG和多孔MSQ。
27.根據(jù)權(quán)利要求23的半導(dǎo)體器件，其中所述第一部件包括單鑲嵌部件或雙鑲嵌部件。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的半導(dǎo)體器件，其中所述開口在所述雙鑲嵌部件的布線溝槽部分中而不在過孔溝槽部分中。
29.根據(jù)權(quán)利要求23的半導(dǎo)體器件，還包括在介質(zhì)材料的交替層的表面上的保形襯里以密封交替層，其中所述保形襯里包括選自SiCOH，SiO2，SiN，SiC和SiCN的材料。
30.根據(jù)權(quán)利要求23的半導(dǎo)體器件，還包括在所述第一部件中的導(dǎo)體材料。
全文摘要
一種形成半導(dǎo)體器件的方法，以及這樣形成的器件。沉積第一介質(zhì)材料(12a－f)和第二介質(zhì)材料(14a－f)的交替層，其中第一和第二介質(zhì)材料可以不同的速率選擇蝕刻。在介質(zhì)材料的交替層中形成第一部件(22，24)。選擇蝕刻介質(zhì)材料的交替層以在具有第一介質(zhì)材料的每層中除去第一介質(zhì)材料的至少部分(26)并且留下第二介質(zhì)材料基本上未蝕刻。
文檔編號H01L21/768GK1954414SQ200580015363
公開日2007年4月25日 申請日期2005年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月25日
發(fā)明者A·K·斯坦珀 申請人:國際商業(yè)機器公司