專利名稱：光刻裝置、照明系統(tǒng)和過濾系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻裝置、一種照明系統(tǒng)和一種過濾系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
光刻裝置是將想得到的圖案施加到基底上、通常施加到基底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。光刻裝置可以應(yīng)用在例如集成電路(IC)的制備中。在這種情況下，可以使用可選擇地稱為掩?；蚰０娴臉?gòu)圖器件產(chǎn)生要在IC的單層上形成的電路圖案?？梢詫⑦@個(gè)圖案轉(zhuǎn)移到基底(例如硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如包括芯片的一部分、一個(gè)芯片或幾個(gè)芯片)上。典型地通過成像將圖案轉(zhuǎn)移到設(shè)置于基底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。通常，單個(gè)基底將含有被連續(xù)構(gòu)圖的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。已知的光刻裝置包括所謂的分節(jié)器和所謂的掃描器，在所謂的分節(jié)器中通過將整個(gè)圖案同時(shí)曝光到目標(biāo)部分上而輻射每一個(gè)目標(biāo)部分，在所謂的掃描器中，由輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描圖案同時(shí)平行或反平行于這個(gè)方向同步地掃描基底而輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。通過將圖案壓印到基底上而將來自構(gòu)圖器件的圖案轉(zhuǎn)移到基底上也是可能的。
在光刻裝置中，可以成像到基底上的部件的尺寸受到投影輻射波長的限制。為了制造具有更高密度的器件、并且因此具有更高運(yùn)行速度的集成電路，形成更小部件的圖像是令人期望的。雖然大多數(shù)目前的平版印刷投影裝置采用水銀燈或受激準(zhǔn)分子激光器產(chǎn)生的紫外光，但是已經(jīng)提出了使用在5到20nm的范圍內(nèi)、尤其是13nm左右的更短波長的輻射。
這種輻射叫作遠(yuǎn)紫外(EUV)或軟X射線，并且可能的光源包括例如產(chǎn)生激光的等離子體源、放電等離子體源或來自電子儲(chǔ)存環(huán)的同步加速輻射源。這些類型的輻射要求裝置內(nèi)的光路被抽成真空以避免光束散射和吸收。因?yàn)闆]有已知的材料適合制造EUV輻射的折射光學(xué)元件，所以EUV光刻裝置必須在輻射(照明)和投影系統(tǒng)中使用反射器。即使用于EUV輻射的多層反射器也具有相對(duì)低的反射率并且很容易受到污染，污染進(jìn)一步較低了其反射率并且因此降低了裝置的透光率。這對(duì)所保持的真空度施加了進(jìn)一步的要求，并且使保持很低的碳?xì)浠衔锓謮撼蔀楸匾?br> 在典型的放電等離子體源中，由放電形成等離子體。然后可以使等離子體濃縮從而使它變成高度電離并且達(dá)到很高的溫度，由此產(chǎn)生EUV輻射的發(fā)射。雖然也可以使用例如氪或錫或水的其它氣體，但用來產(chǎn)生EUV輻射的材料典型地是氙或鋰蒸汽。然而，這些氣體可以對(duì)于EUV范圍內(nèi)的輻射具有相對(duì)高的吸收性，并且/或者對(duì)投影光束進(jìn)一步向下的光路有損害，并且因此它們的存在在光刻裝置的其余部分內(nèi)應(yīng)該被最小化。例如在美國專利No.5,023,897和美國專利No.5,504,795中公開了放電等離子體源，這兩篇美國專利均包括在此作為參考。
在產(chǎn)生激光的等離子體源中，可以從噴嘴中噴射出一個(gè)射束的例如(成束的)氙，例如從類似于噴射墨水的噴嘴中產(chǎn)生成為小液滴或細(xì)線。在離噴嘴一定距離處，用合適波長的激光脈沖輻射該射束用來產(chǎn)生隨后將輻射EUV輻射的等離子體。其它材料，例如水液滴、冰粒子、鋰或錫等也可以從噴嘴中射出并用于產(chǎn)生EUV。在可選擇的產(chǎn)生激光的等離子體源中，擴(kuò)充的固體(或液體)材料受到輻射以產(chǎn)生用于EUV輻射的等離子體。產(chǎn)生激光的等離子體源例如在美國專利No.5,459,771、美國專利No.4,872,189和美國專利No.5,577,092中公開了，這三篇美國專利包括在此作為參考。
在產(chǎn)生EUV輻射的過程中，粒子被釋放。這些粒子在下文中被稱為殘骸粒子，包括離子、原子、分子和小液滴。這些粒子應(yīng)該從EUV輻射中過濾出去，因?yàn)檫@些粒子對(duì)光刻裝置、尤其是其中的照明和投影系統(tǒng)的性能和/或壽命有害。
包括在此作為參考的國際專利申請(qǐng)公開No.WO 99/42904公開了一種過濾器，其在使用中位于輻射離開光源傳播所沿的光路中。因此可以將該過濾器設(shè)置在輻射源和例如照明系統(tǒng)之間。該過濾器包括多個(gè)薄片或板，多個(gè)薄片或板在使用中捕獲例如原子或微粒的殘骸粒子。這些薄片或板也可以捕獲這種微粒的團(tuán)。這些薄片或板取向?yàn)槭沟幂椛淙匀荒軌虼┻^該過濾器傳播。該板可以是平的或錐形的，并且可以繞著輻射源放射狀地設(shè)置。光源、過濾器和投影系統(tǒng)可以設(shè)置在壓力大約是0.5托的緩沖氣體，例如氪中。污染物粒子然后具有緩沖氣體的溫度，例如室溫，由此在過濾器的端部之前充分地降低粒子速度。這提高了粒子被薄片所捕獲的可能性。當(dāng)提供這種緩沖氣體時(shí)，這個(gè)已知的污染物陷阱中的壓力大約等于其環(huán)境的壓力，。
包括在此作為參考的國際專利申請(qǐng)公開No.WO 03/034153公開了一種污染物陷阱，其包括第一套薄片和第二套薄片，從而使離開光源的輻射先通過第一套薄片，然后通過第二套薄片。第一套和第二套的板或薄片分別限定了第一套通路和第二套通路。這兩套通路分開設(shè)置，在它們之間留出由氣體供給源將沖洗氣體提供到里面的空間?？梢栽O(shè)置排氣系統(tǒng)以將氣體從污染物陷阱中除去。這兩套通路之間的空間中的氣體的壓力可以相對(duì)高，從而使殘骸粒子充分地慢下來，進(jìn)一步提高殘骸粒子被第二套薄片捕獲的可能性。當(dāng)氣體從這兩套通道之間的空間運(yùn)動(dòng)到或者第一或者第二套的通路中時(shí)，第一和第二套通路給氣體提供阻力。因此，氣體的存在或多或少地被限制在這兩套通路之間的空間內(nèi)。
即使小板或薄片被設(shè)置成使得從輻射源發(fā)出的輻射能夠很容易地通過污染物陷阱，但是薄片或小板確實(shí)吸收了一些EUV輻射，并且因此產(chǎn)生了一些熱。而且，這些薄片被殘骸粒子的碰撞和沖擊所加熱。這可以導(dǎo)致薄片的顯著受熱以及支撐薄片的支撐結(jié)構(gòu)的受熱。這可以導(dǎo)致薄片和支撐結(jié)構(gòu)的熱膨脹。由于污染物陷阱的光傳輸在光刻裝置中很重要，因此應(yīng)該將由于薄片的熱膨脹導(dǎo)致的變形最小化。
歐洲專利申請(qǐng)公開No.EP 1 434 098通過配備污染物屏障，也就是薄膜陷阱或污染物陷阱來解決這個(gè)問題，該污染物屏障包括內(nèi)環(huán)和外環(huán)、其中每一個(gè)薄片或板在其至少一個(gè)外端部處可滑動(dòng)地設(shè)置在支撐機(jī)構(gòu)的內(nèi)環(huán)和外環(huán)中至少一個(gè)的槽中。通過可滑動(dòng)地設(shè)置薄片或板的一個(gè)外端部，薄片或板能夠沿徑向膨脹而不出現(xiàn)機(jī)械張力，并且從而沒有出現(xiàn)板或薄片的熱誘導(dǎo)機(jī)械變形。污染物陷阱可以包括設(shè)置為冷卻板或薄片與之熱連接的環(huán)中的一個(gè)的冷卻系統(tǒng)。
概述提供一種具有過濾系統(tǒng)的光刻裝置、一種具有過濾系統(tǒng)的照明系統(tǒng)或者過濾系統(tǒng)本身，其中雖然加熱過濾系統(tǒng)，但是過濾系統(tǒng)在其光學(xué)傳輸方面可接受的性能保持可能是令人期望的。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種光刻裝置，該光刻裝置包括設(shè)置為形成輻射投影束的輻射系統(tǒng)和設(shè)置為將輻射投影束投影到基底上的投影系統(tǒng)。該輻射系統(tǒng)包括發(fā)射輻射的輻射源；將殘骸粒子從輻射源發(fā)出的輻射中過濾出去的過濾系統(tǒng)，其中過濾系統(tǒng)包括多個(gè)用來捕獲殘骸粒子的薄片；以及設(shè)置為將輻射源所發(fā)出的輻射形成為具有合適條件的輻射束的照明系統(tǒng)。多個(gè)薄片中的至少一個(gè)薄片包括至少兩個(gè)部分，這兩個(gè)部分具有相互不同的取向，并且沿著基本上直的連接線相互連接，這兩個(gè)部分的每一個(gè)基本上與通過用來基本上與輻射源相重合的預(yù)定位置延伸的虛平面相重合，該基本上直的連接線與也通過該預(yù)定位置延伸的虛直線相重合。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種設(shè)置為形成輻射束的輻射系統(tǒng)。該輻射系統(tǒng)包括發(fā)射輻射的輻射源；將殘骸粒子從輻射源發(fā)出的輻射中過濾出去的過濾系統(tǒng)，其中過濾系統(tǒng)包括用來捕獲殘骸粒子的多個(gè)薄片；以及設(shè)置為將輻射源發(fā)出的輻射形成為具有合適條件的輻射束的照明系統(tǒng)。多個(gè)薄片中的至少一個(gè)薄片包括至少兩個(gè)部分，這兩個(gè)部分具有相互不同的取向，并且沿著基本上直的連接線相互連接，這兩個(gè)部分的每一個(gè)基本上與通過用來基本上與輻射源相重合的預(yù)定位置延伸的虛平面相重合，該基本上直的連接線與也通過該預(yù)定位置延伸的虛直線相重合。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用來將殘骸粒子從輻射源發(fā)出的輻射中過濾出去、并且可用于平版印刷術(shù)，尤其是EUV平版印刷術(shù)的過濾系統(tǒng)。該過濾系統(tǒng)包括用來捕獲殘骸粒子的多個(gè)薄片，其中多個(gè)薄片中的至少一個(gè)薄片包括至少兩個(gè)部分，這兩個(gè)部分具有相互不同的取向，并且沿著基本上直的連接線相互連接，其中這兩個(gè)部分的每一個(gè)基本上與通過用來基本上與輻射源相重合的預(yù)定位置延伸的虛平面相重合，該基本上直的連接線與也通過該預(yù)定位置延伸的虛直線相重合。
一旦加熱薄片，薄片將熱膨脹。由具有相互不同取向的兩個(gè)部分構(gòu)成的薄片有效地包括一條預(yù)定線，在該預(yù)定線處受兩個(gè)部分的熱膨脹影響。作為每個(gè)部分熱膨脹的結(jié)果這條預(yù)定線將被平移。這使得可以設(shè)計(jì)其中熱膨脹可控制并且可預(yù)測的薄片。而且，由于該預(yù)定線，也就是直連接線與也通過輻射從其傳播出去的位置延伸的虛直線相重合，因此如果由那個(gè)薄片的熱膨脹引起的那條線的平移確實(shí)造成光傳輸下降的化，也將只造成光傳輸最少的下降。


現(xiàn)在將參考附圖，只通過實(shí)例描述本發(fā)明的實(shí)施例，在附圖中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，并且其中—圖1示意性地描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻裝置；—圖2示意性地描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻裝置、照明系統(tǒng)和過濾系統(tǒng)的一部分；—圖3示意性地描繪了作為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻裝置、照明系統(tǒng)和過濾系統(tǒng)的一部分的薄片；—圖4示意性地描繪了作為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻裝置、照明系統(tǒng)和過濾系統(tǒng)的一部分的被加熱的薄片；—圖5示意性地描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻裝置、照明系統(tǒng)和過濾系統(tǒng)的一部分；—圖6示意性地描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻裝置、照明系統(tǒng)和過濾系統(tǒng)的一部分。
具體實(shí)施例方式
圖1示意性地描繪了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光刻裝置。該裝置包括—設(shè)置為調(diào)節(jié)輻射束B(例如UV輻射、EUV輻射或X射線輻射)的照明系統(tǒng)(照明器)IL；—構(gòu)造為支撐構(gòu)圖器件(例如掩模)MA并且與設(shè)置為根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位構(gòu)圖器件的第一定位器PM相連的支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模平臺(tái))MT；—構(gòu)造為保持基底(例如涂覆抗蝕劑的晶片)W并且與設(shè)置為根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位基底的第二定位器PW相連的基底平臺(tái)(例如晶片平臺(tái))WT；—構(gòu)造為將由構(gòu)圖器件MA賦予到輻射束B中的圖案投影到基底W的目標(biāo)部分C(例如包括一個(gè)或多個(gè)芯片)上的投影系統(tǒng)(例如折射投影透鏡系統(tǒng))PS。
照明系統(tǒng)可以包括用來引導(dǎo)、成形或控制輻射的各種類型的光學(xué)元件，例如折射、反射、磁、電磁、靜電或其它類型的光學(xué)元件，或者其任一組合。
支撐結(jié)構(gòu)支撐構(gòu)圖器件，也就是支撐構(gòu)圖器件的重量。它以取決于構(gòu)圖器件的取向、光刻裝置的設(shè)計(jì)和例如構(gòu)圖器件是否保持在真空環(huán)境中的其它條件的方式保持構(gòu)圖器件。支撐結(jié)構(gòu)可以使用機(jī)械、真空、靜電或其它夾持技術(shù)來保持構(gòu)圖器件。支撐結(jié)構(gòu)可以是例如可以根據(jù)需要固定或可移動(dòng)的框架或平臺(tái)。支撐結(jié)構(gòu)可以保證構(gòu)圖器件位于例如相對(duì)于投影系統(tǒng)所需要的位置。在這里術(shù)語“模版”或“掩?！钡娜魏问褂每梢哉J(rèn)為與更普通的術(shù)語“構(gòu)圖器件”同義。
在這里使用的術(shù)語“構(gòu)圖器件”應(yīng)該更寬泛地解釋為指能夠用來給輻射束在其橫截面中賦予圖案，從而在基底的目標(biāo)部分中產(chǎn)生圖案的任何器件。應(yīng)該注意的是，賦予到輻射束中的圖案可能不嚴(yán)格地與基底的目標(biāo)部分中所需要的圖案相一致，例如如果圖案包括相移要素或所謂的輔助要素。通常賦予到輻射束中的圖案將與在目標(biāo)部分中產(chǎn)生的器件中的特定功能層，例如集成電路相一致。
構(gòu)圖器件可以是透射的或者是反射的。構(gòu)圖器件的例子包括掩模、可編程反射器陣列和可編程LCD面板。掩模在平版印刷術(shù)中廣為人知，并且包括例如二元、交變相移和衰減相移的掩模類型，以及各種混合掩模類型?？删幊谭瓷淦麝嚵械囊粋€(gè)例子采用小型反射器的矩陣排列，每一個(gè)小型反射器可以單獨(dú)地傾斜以便在不同的方向上反射入射輻射束。傾斜的反射器將圖案賦予到由反射器矩陣所反射的輻射束中。
在這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)該更寬泛地解釋為適合于所使用的曝光輻射或者適合于例如使用浸液或使用真空的其它因素的、包括折射、反射、反折射、磁、電磁和靜電光學(xué)系統(tǒng)或者其任一組合的任何類型的投影系統(tǒng)。在這里術(shù)語“投影透鏡”的任何使用可以認(rèn)為與更普通的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。
如這里所描述的，該裝置是反射類型的(例如應(yīng)用反射掩模)?？蛇x擇地，該裝置可以是透射類型的(例如應(yīng)用透射掩模)。
光刻裝置可以是具有兩個(gè)(雙載物臺(tái))或更多個(gè)基底平臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多個(gè)掩模平臺(tái))的類型。在這種“多載物臺(tái)”機(jī)器中，附加的平臺(tái)可以并行使用，或者在一個(gè)或更多個(gè)其它平臺(tái)正用于進(jìn)行曝光時(shí)，可以在一個(gè)或更多個(gè)平臺(tái)上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟。
光刻裝置也可以是基底的至少一部分可以被具有相對(duì)高折射率的液體，例如水所覆蓋，從而填充投影系統(tǒng)與基底之間的空間的類型。浸漬液體也可以涂覆到光刻裝置中的其它空間中，例如掩模與投影系統(tǒng)之間。浸漬技術(shù)用于增加投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑在本領(lǐng)域中是眾所周知的。在這里使用的術(shù)語“浸漬”并不意指例如基底的一種結(jié)構(gòu)必須浸沒在液體中，而只意指在曝光過程中液體位于投影系統(tǒng)和基底之間。
參考圖1，照明器IL接收來自輻射源SO的輻射束。在輻射從輻射源SO向照明器傳播所沿的光路中設(shè)置過濾系統(tǒng)FS。過濾系統(tǒng)FS基本上傳送輻射并且將殘骸粒子從輻射中過濾出去。輻射源和光刻裝置可以是分離的實(shí)體，例如當(dāng)輻射源是受激準(zhǔn)分子激光器時(shí)。在這種情況下，并不認(rèn)為該輻射源形成光刻裝置的一部分，并且輻射束在射束傳送系統(tǒng)的幫助下從輻射源SO傳送到照明器IL，射束傳送系統(tǒng)包括例如合適的直接反射器和/或射束擴(kuò)張器。在其它情況下，輻射源可以是光刻裝置固有的一部分，例如當(dāng)輻射源是水銀燈時(shí)。輻射源SO和照明器IL，如果需要射束傳送系統(tǒng)，與射束傳送系統(tǒng)一起可以被稱為輻射系統(tǒng)。
照明器IL可以包括用來調(diào)整輻射束角度強(qiáng)度分布的調(diào)整器。通常，至少可以調(diào)整照明器光瞳面中強(qiáng)度分布的外和/或內(nèi)徑向程度(通常分別被稱為σ外和σ內(nèi))。此外，照明器IL可以包括各種其它元件，例如積分器和聚光器。照明器可以用來使輻射束在其橫截面中具有需要的均勻性和強(qiáng)度分布。
輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模平臺(tái)MT)上的構(gòu)圖器件(例如掩模MA)上，并且由構(gòu)圖器件形成圖案。已經(jīng)經(jīng)過掩模MA后，輻射束B經(jīng)過投影系統(tǒng)PS，投影系統(tǒng)PS將射束聚焦到基底W的目標(biāo)部分C上。在第二定位器PW和位置傳感器IF2(例如干涉器件、線性解碼器或電容傳感器)的幫助下，可以精確地移動(dòng)基底平臺(tái)WT，例如以便于將不同的目標(biāo)部分C定位在輻射束B的光路中。類似地，可以使用第一定位器PM和另一個(gè)位置傳感器IF1來相對(duì)于輻射束B的光路精確地定位掩模MA，例如在從掩模庫機(jī)械往返后或在掃描過程中。通常，可以在形成第一定位器PM的一部分的長沖程模塊(粗定位)和短沖程模塊(細(xì)定位)的幫助下實(shí)現(xiàn)掩模平臺(tái)MT的移動(dòng)。類似地，可以使用形成第二定位器PW的一部分的長沖程模塊和短沖程模塊實(shí)現(xiàn)基底平臺(tái)WT的移動(dòng)。在分節(jié)器(如與掃描器相對(duì))的情況下，掩模平臺(tái)MT可以只與短沖程致動(dòng)器相連或者是固定的。可以使用掩模校準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2以及基底校準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2校準(zhǔn)掩模MA和基底W。雖然如圖示的基底校準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用的目標(biāo)部分，但它們可以位于目標(biāo)部分之間的空間中(這被稱為劃線校準(zhǔn)標(biāo)記)。類似地，在掩模MA上設(shè)置多于一個(gè)芯片的情況下，掩模校準(zhǔn)標(biāo)記可以位于芯片之間。
可以以下面的方式中的至少一種使用所描述的裝置1.在分節(jié)方式中，當(dāng)賦予到輻射束中的整個(gè)圖案同時(shí)投影到目標(biāo)部分C上時(shí)(例即單個(gè)靜態(tài)曝光)，掩模平臺(tái)MT和基底平臺(tái)WT基本上保持靜止。然后沿著X和/或Y方向移動(dòng)基底平臺(tái)WT從而使不同的目標(biāo)部分C被曝光。在分節(jié)方式中，曝光區(qū)域的最大尺寸限制了在單個(gè)靜態(tài)曝光內(nèi)成像的目標(biāo)部分C的尺寸。
2.在掃描方式中，當(dāng)賦予到輻射束中的圖案被投影到目標(biāo)部分C上時(shí)(即單個(gè)動(dòng)態(tài)曝光)，掩模平臺(tái)MT和基底平臺(tái)WT同時(shí)被掃描。基底平臺(tái)WT相對(duì)于掩模平臺(tái)MT的速度和方向可以由投影系統(tǒng)PS的放大(縮小)和圖像翻轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描方式中，曝光區(qū)域的最大尺寸限制了在單個(gè)動(dòng)態(tài)曝光中目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向)，而掃描運(yùn)動(dòng)的長度確定了目標(biāo)部分的高度(沿掃描方向)。
3.在另一個(gè)方式中，掩模平臺(tái)MT基本上保持靜止地支持著可編程構(gòu)圖器件，并且當(dāng)賦予到輻射束中的圖案被投影到目標(biāo)部分C上時(shí)，移動(dòng)或掃描基底平臺(tái)WT。在這種方式中，通常應(yīng)用脈沖輻射源，并且在基底平臺(tái)WT的每次移動(dòng)后或者在掃描過程中的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新可編程的構(gòu)圖器件。這種運(yùn)行方式很容易應(yīng)用到利用可編程構(gòu)圖器件的無掩模平版印刷術(shù)中，例如上面提到的可編程反射器陣列類型。
也可以采用上面描述的方式的組合和/或變形或者采用完全不同的方式。
圖2示意性地描繪了用來將殘骸粒子從輻射束中過濾出去的過濾系統(tǒng)FS。在圖2中示出的過濾系統(tǒng)描繪為從預(yù)定位置所觀察到的，該預(yù)定位置在使用中用來基本上與輻射從中發(fā)出的源相重合。過濾系統(tǒng)FS包括多個(gè)用來捕獲殘骸粒子的薄片F(xiàn)。正如稍后將清楚的，從這個(gè)觀察位置看到薄片成線。圖3和圖4分別以透視圖和類似于圖2的視圖的視圖示出這些薄片F(xiàn)中的一個(gè)。每個(gè)薄片F(xiàn)包括具有相互不同取向的兩個(gè)部分FP1、FP2。兩個(gè)部分FP1、FP2沿基本上直的連接線CL彼此相連，這在圖3中更加清楚地示出。兩個(gè)部分FP1、FP2的每一個(gè)與通過在圖2中看過濾系統(tǒng)FS的預(yù)定位置延伸的虛平面(未示出)相重合。這由虛直線VSL示意性地表示。正如先前表明的，這個(gè)預(yù)定位置在使用中用來基本上與輻射從中發(fā)出的輻射源相重合。在圖3中示意性地表示出輻射源SO。直連接線CL也與通過預(yù)定位置，也就是通過用來基本上與輻射從中發(fā)出的輻射源SO相重合的位置延伸的虛直線VSL相重合。在使用中，從輻射源產(chǎn)生的輻射通過該過濾系統(tǒng)傳播。只有一小部分輻射將迎面擊中薄片并且可能同量地被薄片所吸收，由此導(dǎo)致加熱薄片。沿輻射傳播進(jìn)入的光路傳播的殘骸粒子由于它們的速度方向可能有朝著一個(gè)薄片F(xiàn)的分量，因此可能由薄片F(xiàn)所捕獲。當(dāng)這些粒子通過薄片F(xiàn)所形成的通道C傳播時(shí)，也可以轉(zhuǎn)動(dòng)薄片陷阱從而使薄片截獲殘骸粒子。除了吸收輻射外，由于這些粒子的撞擊也會(huì)加熱薄片F(xiàn)。
過濾系統(tǒng)FS包括支架S，兩個(gè)部分FP1、FP2的第一部分FP1在支架S的第一位置P1處連接到支架S上，而兩個(gè)部分FP1、FP2中的第二部分FP2在支架S的第二位置P2處連接到支架S上。在圖2中示出的實(shí)施例中，支架S包括內(nèi)環(huán)IR和外環(huán)OR。內(nèi)環(huán)IR和外環(huán)OR同軸。第一位置P1與第二位置P2之間的距離是固定的。薄片F(xiàn)可以由基本上由鉬所構(gòu)成的材料制成。支架也可以由基本上由鉬所構(gòu)成的材料制成。薄片F(xiàn)可以通過焊接連接到支架S上。
當(dāng)使用時(shí)圖2中示出的薄片陷阱的行為如下。薄片F(xiàn)的每個(gè)部分FP1、FP2被加熱時(shí)膨脹。膨脹基本上發(fā)生在各自的部分所處的平面內(nèi)。薄片F(xiàn)的膨脹由連接線相對(duì)于薄片的大體取向基本上向側(cè)面的移動(dòng)所補(bǔ)償。當(dāng)位置P1和位置P2之間的距離固定時(shí)，連接線移動(dòng)的程度甚至更加可預(yù)測。受熱時(shí)的薄片F(xiàn)在圖4中用虛線示意性地示出。
受熱時(shí)薄片F(xiàn)的新取向由于連接線CL的位置變得可預(yù)測。由于該直連接線與通過在使用中用來基本上與輻射從中發(fā)出的輻射源相重合的預(yù)定位置延伸的虛直線相重合，并且兩個(gè)部分FP1、FP2的每一個(gè)與通過那個(gè)預(yù)定位置延伸的虛平面相重合，因此如果該薄片的新位置和取向確實(shí)引起光傳輸?shù)南陆档幕仓灰鹱钚〉南陆?。而且，例如能夠?qū)嶒?yàn)性地確定受熱時(shí)薄片的熱膨脹和新位置，并且能夠設(shè)計(jì)過濾系統(tǒng)，使得當(dāng)過濾系統(tǒng)面臨吸收EUV輻射和/或受到殘骸粒子的影響時(shí)，薄片采取允許(EUV)輻射的光傳輸?shù)娜∠颉?br> 兩個(gè)部分FP1、FP2的每個(gè)部分可以與是直平面的虛平面相重合?？煽刂菩院涂深A(yù)測性甚至更加顯而易見。然而部分FP1、FP2的每個(gè)部分或者其中之一可以包括弧度。圖2和4中示出的實(shí)施例集中在柱形或錐形過濾系統(tǒng)FS，也就是具有柱形或錐形外環(huán)并且可能具有柱形或錐形內(nèi)環(huán)的過濾系統(tǒng)。然而，原理上能夠是任何其它形狀的支架和過濾系統(tǒng)。
支架S的位置P1與位置P2之間距離D的固定是相對(duì)于薄片F(xiàn)的熱膨脹來說的。因此由于支架的熱膨脹，也就是在內(nèi)環(huán)IR和外環(huán)OR的情況下，距離D略微增加也是可能的。在圖2和4中示意性地示出可以由冷卻系統(tǒng)CS冷卻支架。為了清楚起見，只示出冷卻系統(tǒng)CS存在于外環(huán)OR處。然而，在內(nèi)環(huán)IR處設(shè)置冷卻系統(tǒng)CS同樣是可能的。
圖5和6示出根據(jù)本發(fā)明的過濾系統(tǒng)FS的實(shí)施例的一部分，其更詳細(xì)地揭示了冷卻系統(tǒng)CS的構(gòu)造以及這個(gè)冷卻系統(tǒng)CS運(yùn)行的方式。
在圖5中，薄片F(xiàn)1和F2是用來捕獲殘骸粒子的過濾系統(tǒng)FS的一部分。過濾系統(tǒng)也包括在圖5中表示為部件S1和部件S2的支架。部件S1和S2也可以均屬于一個(gè)環(huán)形支架?？梢詫D5看作是示出了這種環(huán)形支架的示意性橫截面。對(duì)稱軸SA用線L示意性地表示。薄片F(xiàn)1和F2可以均連接到支架的軸(未示出)上。在那種情況下，這個(gè)軸可以與線L相重合。在包括支架部件S1和S2的支架是環(huán)形的實(shí)施例中，對(duì)稱軸SA可以與通過用來與輻射從中發(fā)出的輻射源相重合的預(yù)定位置延伸的虛直線相重合。
薄片F(xiàn)1和F2相連，也就是一起形成一個(gè)薄片也是可能的。在這種實(shí)施例中，支架S1和S2是分離的支架，也就是，被連接薄片F(xiàn)1和薄片F(xiàn)2所形成的薄片所分離也是可能的。例如，支架S1可以代表外環(huán)的橫截面，而支架S2代表內(nèi)環(huán)的橫截面。在那種情形下，線L不代表對(duì)稱軸。
線L代表對(duì)稱平面并且過濾系統(tǒng)包括多個(gè)相互平行的薄片也是可能的。
過濾系統(tǒng)包括冷卻系統(tǒng)CS。這個(gè)冷卻系統(tǒng)CS可以包括部件CS1和CS2。
在各自的支架是環(huán)形的情況下，各自的冷卻系統(tǒng)CS也可以是環(huán)形的。從而在一些實(shí)施例中線L也可以代表冷卻系統(tǒng)CS的對(duì)稱軸。為了進(jìn)一步描述在圖5中示出的過濾系統(tǒng)的一部分，只提到了上部分，也就是線L以上。上部分的描述對(duì)下部分也同樣適用。
冷卻系統(tǒng)CS1具有設(shè)置為將被冷卻的表面A1。冷卻系統(tǒng)CS1和支架S1彼此相對(duì)定位，從而在冷卻系統(tǒng)CS1的表面A1與支架S1之間形成氣隙G。冷卻系統(tǒng)CS1還設(shè)置為向氣隙G內(nèi)注入氣體。氣體和其流動(dòng)方向用虛線箭頭表示。氣體進(jìn)入氣隙G的入口位置EP與氣體流出氣隙G的出口位置XP之間的路徑P在圖5中示出的實(shí)施例中形成曲折的路徑P。由于路徑P是曲折的路徑，因此注入氣隙中的氣體當(dāng)從入口位置EP流向出口位置XP時(shí)經(jīng)受很大的阻力。這種曲折的路徑給氣體從氣隙G向其周圍泄漏提供阻力。路徑為直路徑也是可能的。與圖示的實(shí)施例相比，當(dāng)氣體向出口位置XP流動(dòng)時(shí)所經(jīng)受的阻力就很低。可以給支架S1設(shè)置凹部R1，用來在氣體流出氣隙G之前保持氣體。這個(gè)凹部內(nèi)的壓力可以是1000Pa左右，而周圍的壓力可以是10Pa左右。凹部R1從而可以提供在其中注入氣體冷卻支架S1的緩沖器。
氣隙G可以使表面A1與支架S1之間的最短距離處于從20微米左右到200微米左右變化的范圍內(nèi)。該氣隙也可以使表面A1與支架S1之間的最短距離處于從40微米左右到100微米左右變化的范圍內(nèi)。
冷卻系統(tǒng)CS1的表面A1設(shè)置為用液體冷卻。為了這個(gè)目的，冷卻系統(tǒng)CS1可以包括在表面A1的表層下面延伸的通道。在使用中，水，更確切地說是相對(duì)涼的水，可以進(jìn)入通道入口CEA并且流過通道C，然后在通道出口CX處離開該通道。在那種情況下，表面A1的表層下面將由仍舊與在通道入口CEA處進(jìn)入通道C的水幾乎同樣涼的水所冷卻。冷卻系統(tǒng)CS1也可以設(shè)置為在將氣體注入進(jìn)氣隙G之前冷卻該氣體。代替在由通道入口CEA所表示的位置處具有水的入口，讓水在由CEG所表示的位置處進(jìn)入通道，從而使水首先沿著在使用中將氣體注入進(jìn)氣隙G所通過的注入通道IC流動(dòng)是有優(yōu)勢的。這使得可以在注入通道IC中冷卻氣體，或者在氣體進(jìn)入注入通道IC之前已經(jīng)被冷卻的情況下可以進(jìn)一步保持氣體是冷的。注入通道IC和表面A1由單獨(dú)的冷卻裝置冷卻當(dāng)然也是可能的。代替使用水，可以使用任何其它合適的冷卻介質(zhì)。雖然沒有示出，但是將很清楚的是，通道C的入口和出口分別與供給裝置和排出裝置相連，從而沒有用來冷卻冷卻系統(tǒng)的水和/或任何其它冷卻介質(zhì)將進(jìn)入冷卻系統(tǒng)和/或過濾系統(tǒng)的周圍。通過注入通道IC注入進(jìn)氣隙G的氣體可以是氬或具有優(yōu)良冷卻性能并且相對(duì)不活潑的任何其它氣體。
當(dāng)過濾系統(tǒng)受到EUV輻射的照射并且將殘骸粒子從EUV輻射朝著收集系統(tǒng)傳播所沿的光路中過濾出去，并且過濾系統(tǒng)在真空環(huán)境下以大約3,000rpm旋轉(zhuǎn)時(shí)，由于吸收EUV輻射以及殘骸粒子對(duì)薄片的撞擊，薄片和它們的支架可能吸收大約1kW的能量。不希望受到任何理論的束縛，當(dāng)將氬氣注入進(jìn)氣隙G，從而在凹部R1中達(dá)到大約1000Pa的壓力、支架和冷卻系統(tǒng)CS1的冷卻表面之間的溫度差是200K左右、并且表面A1由大約1.26*10-2m2的表面構(gòu)成時(shí)，表明能夠去除等于1.3kW左右的熱量。在這種考慮下獲得的熱傳遞系數(shù)是0.7W/m2*K*Pa左右并且效率表現(xiàn)為0.85左右。在氣隙中支架S1與表面A1之間的最短距離采取為大約40與大約100毫米之間。在那種情況下周圍的壓力是10毫巴左右。在這個(gè)評(píng)定中，制成支架所用的材料采取具有大約2cm的厚度和大約200mm直徑的不銹鋼。
圖6描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻裝置、照明系統(tǒng)和過濾系統(tǒng)的另一部分。在這種情形下，支架S1和S2包括繞著對(duì)稱軸SA和冷卻系統(tǒng)CS可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置的環(huán)形支架的部分，對(duì)稱軸SA和冷卻系統(tǒng)CS在使用中可以相對(duì)于其部件S1和S2被示意性地示出的支架保持靜止。薄片F(xiàn)1、F2相對(duì)于對(duì)稱軸SA徑向延伸?？梢杂幸粋€(gè)被分成引向凹部R1的部分和引向凹部R2的部分的注入通道IC。進(jìn)一步的結(jié)構(gòu)特征與圖5中所示出的相同。圖6中示出的冷卻系統(tǒng)CS與圖5中示出的冷卻系統(tǒng)相同地運(yùn)行。由于向這個(gè)實(shí)施例中薄片F(xiàn)1、F2相連接的外環(huán)(未示出)傳遞力的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，支架S1和S2可旋轉(zhuǎn)也是可能的。然而，支架S1、S2實(shí)際上通過例如熱絕緣的連接機(jī)構(gòu)連接到冷卻系統(tǒng)CS上，并且冷卻系統(tǒng)CS驅(qū)動(dòng)支架S1、S2的旋轉(zhuǎn)也是可能的。在后者的實(shí)施例中，薄片F(xiàn)1、F2不必連接到例如外環(huán)上。
雖然在這個(gè)文本中特別提到光刻裝置應(yīng)用在IC的制備中，但是應(yīng)該理解的是，在此描述的光刻裝置可以具有其它的應(yīng)用，例如集成光學(xué)系統(tǒng)的制備、用于磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和探測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在上下文中的可選擇應(yīng)用中，可以認(rèn)為在此術(shù)語“晶片”或“芯片”的任何使用分別與更普通的術(shù)語“基底”或“目標(biāo)部分”同義。在這里所指的基底可以在曝光之前或之后，在例如平版印刷線(一種典型地將抗蝕劑層涂覆到基底上并顯影所曝光的抗蝕劑的工具)、測量工具和/或校對(duì)工具中進(jìn)行處理。在可應(yīng)用的場合下，可以將在這里的公開應(yīng)用于這種和其它基底處理工具。而且，可以將基底處理一次以上，例如為了產(chǎn)生多層IC，從而使得在這里使用的術(shù)語基底也可以指已經(jīng)含有多個(gè)處理層的基底。
雖然上面已經(jīng)就光學(xué)平版印刷術(shù)特別提到本發(fā)明實(shí)施例的使用，但是將被理解的是，本發(fā)明可以應(yīng)用在其它應(yīng)用中，例如壓印平版印刷，并且上下文所允許的并不限于光學(xué)平版印刷術(shù)。在壓印平版印刷中，構(gòu)圖器件中的表面形態(tài)限定了在基底上產(chǎn)生的圖案。構(gòu)圖器件的表面形態(tài)可以被按壓到涂覆到基底上的抗蝕劑層中，于是通過施加電磁輻射、熱、壓力或其組合烘焙抗蝕劑。將構(gòu)圖器件從抗蝕劑中移出，在抗蝕劑被烘焙后在其中留下圖案。
在這里使用的術(shù)語“輻射”和“束”包括所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有或者大約365、355、248、193、157或者126nm的波長)和遠(yuǎn)紫外(EUV)輻射(例如具有在5-20nm范圍內(nèi)的波長)。
上下文使用的術(shù)語“透鏡”可以指包括折射、反射、磁、電磁和靜電光學(xué)元件的各種類型光學(xué)元件中的任何一種或其組合。
雖然上面描述了本發(fā)明的特定實(shí)施例，但是將被理解的是，本發(fā)明可以與所描述的不同地實(shí)施。例如，本發(fā)明可以采取含有描述上面公開的方法的一個(gè)或更多個(gè)序列的機(jī)器可讀指令的計(jì)算機(jī)程序或具有儲(chǔ)存在其中的這種計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁或光盤)的形式。
上面的描述旨在解釋，而不旨在限制。因此，在不偏離下面闡述的權(quán)利要求范圍的條件下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修改，這對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種光刻裝置，包括-設(shè)置為形成輻射投影束的輻射系統(tǒng)，包括(a)發(fā)出輻射的輻射源；(b)用來將殘骸粒子從輻射源所發(fā)出的輻射中過濾出去的過濾系統(tǒng)，其中該過濾系統(tǒng)包括多個(gè)用來捕獲殘骸粒子的薄片；和(c)構(gòu)造為將輻射源所發(fā)出的輻射形成為具有合適條件的輻射束的照明系統(tǒng)；和-設(shè)置為將輻射投影束投影到基底上的投影系統(tǒng)；其中多個(gè)薄片中的至少一個(gè)薄片包括至少兩個(gè)部分，這兩個(gè)部分具有相互不同的取向，并且沿著基本上直的連接線相互連接，并且其中這兩個(gè)部分的每一個(gè)基本上與通過用來基本上與輻射源相重合的預(yù)定位置延伸的虛平面相重合，該基本上直的連接線與也通過該預(yù)定位置延伸的虛直線相重合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的光刻裝置，其中該過濾系統(tǒng)包括至少兩個(gè)部分的第一部分在支架的第一位置處與之相連，并且至少兩個(gè)部分的第二部分在支架的第二位置處與之相連的支架。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的光刻裝置，其中該第一和第二位置之間的距離是固定的。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的光刻裝置，其中該支架包括內(nèi)環(huán)和外環(huán)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的光刻裝置，其中該內(nèi)環(huán)和外環(huán)同軸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的光刻裝置，其中至少兩個(gè)部分中的至少一個(gè)與是直平面的虛平面相重合。
7.根據(jù)權(quán)利要求2的光刻裝置，其中該過濾系統(tǒng)的至少一部分設(shè)置為至少在使用中冷卻該支架。
8.根據(jù)權(quán)利要求2的光刻裝置，其中該過濾系統(tǒng)還包括具有設(shè)置為將被冷卻的表面的冷卻系統(tǒng)，該冷卻系統(tǒng)和該支架彼此相對(duì)定位，從而在該冷卻系統(tǒng)的表面與該支架之間形成氣隙，并且其中將該冷卻系統(tǒng)設(shè)置為向該氣隙內(nèi)注入氣體。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的光刻裝置，其中氣體進(jìn)入該氣隙的入口位置與氣體流出該氣隙的出口位置之間的路徑形成曲折的路徑。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的光刻裝置，其中該氣隙使該冷卻系統(tǒng)的表面與該支架之間的最短距離處于從20微米左右到200微米左右變化的范圍內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的光刻裝置，其中該氣隙使該冷卻系統(tǒng)的表面與該支架之間的最短距離處于從40微米左右到100微米左右變化的范圍內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求8的光刻裝置，其中該支架可相對(duì)于冷卻系統(tǒng)的表面旋轉(zhuǎn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求8的光刻裝置，其中該冷卻系統(tǒng)的表面設(shè)置為相對(duì)于支架靜止。
14.根據(jù)權(quán)利要求8的光刻裝置，其中該冷卻系統(tǒng)的表面設(shè)置為用流體冷卻。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的光刻裝置，其中該流體是水。
16.根據(jù)權(quán)利要求8的光刻裝置，其中該氣體是氬氣。
17.根據(jù)權(quán)利要求8的光刻裝置，其中給該支架設(shè)置用來在氣體流過氣隙之前保持氣體的凹部。
18.根據(jù)權(quán)利要求8的光刻裝置，其中該冷卻系統(tǒng)設(shè)置為在將氣體注入氣隙之前冷卻該氣體。
19.一種構(gòu)造為形成輻射投影束的輻射系統(tǒng)，包括(a)發(fā)出輻射的輻射源；(b)用來將殘骸粒子從輻射源所發(fā)出的輻射中過濾出去的過濾系統(tǒng)，其中該過濾系統(tǒng)包括多個(gè)用來捕獲殘骸粒子的薄片；和(c)構(gòu)造為將輻射源所發(fā)出的輻射形成為具有合適條件的輻射束的照明系統(tǒng)；其中多個(gè)薄片中的至少一個(gè)薄片包括至少兩個(gè)部分，這兩個(gè)部分具有相互不同的取向，并且沿著基本上直的連接線相互連接，并且其中這兩個(gè)部分的每一個(gè)基本上與通過用來基本上與輻射源相重合的預(yù)定位置延伸的虛平面相重合，該基本上直的連接線與也通過該預(yù)定位置延伸的虛直線相重合。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的輻射系統(tǒng)，其中該過濾系統(tǒng)包括至少兩個(gè)部分的第一部分在支架的第一位置處與之相連，并且至少兩個(gè)部分的第二部分在支架的第二位置處與之相連的支架。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的輻射系統(tǒng)，其中該第一和第二位置之間的距離是固定的。
22.根據(jù)權(quán)利要求20的輻射系統(tǒng)，該支架包括內(nèi)環(huán)和外環(huán)。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的輻射系統(tǒng)，其中該內(nèi)環(huán)和外環(huán)同軸。
24.根據(jù)權(quán)利要求19的輻射系統(tǒng)，其中至少兩個(gè)部分中的至少一個(gè)與是直平面的虛平面相重合。
25.根據(jù)權(quán)利要求20的輻射系統(tǒng)，其中過濾系統(tǒng)的至少一部分設(shè)置為至少在使用中冷卻支架。
26.根據(jù)權(quán)利要求20的輻射系統(tǒng)，其中該過濾系統(tǒng)還包括具有設(shè)置為將被冷卻的表面的冷卻系統(tǒng)，該冷卻系統(tǒng)和支架彼此相對(duì)定位，從而在該冷卻系統(tǒng)的表面與支架之間形成氣隙，并且其中將該冷卻系統(tǒng)設(shè)置為向該氣隙內(nèi)注入氣體。
27.根據(jù)權(quán)利要求26的輻射系統(tǒng)，其中氣體進(jìn)入該氣隙的入口位置與氣體流出該氣隙的出口位置之間的路徑形成曲折的路徑。
28.根據(jù)權(quán)利要求26的輻射系統(tǒng)，其中該氣隙使該冷卻系統(tǒng)的表面與該支架之間的最短距離處于從20微米左右到200微米左右變化的范圍內(nèi)。
29.根據(jù)權(quán)利要求28的輻射系統(tǒng)，其中該氣隙使該冷卻系統(tǒng)的表面與該支架之間的最短距離處于從40微米左右到100微米左右變化的范圍內(nèi)。
30.根據(jù)權(quán)利要求26的輻射系統(tǒng)，其中該支架可相對(duì)于該冷卻系統(tǒng)的表面旋轉(zhuǎn)。
31.根據(jù)權(quán)利要求26的輻射系統(tǒng)，其中該冷卻系統(tǒng)的表面設(shè)置為相對(duì)于支架靜止。
32.根據(jù)權(quán)利要求26的輻射系統(tǒng)，其中該冷卻系統(tǒng)的表面設(shè)置為用流體冷卻。
33.根據(jù)權(quán)利要求32的輻射系統(tǒng)，其中該流體是水。
34.根據(jù)權(quán)利要求26的輻射系統(tǒng)，其中該氣體是氬氣。
35.根據(jù)權(quán)利要求26的輻射系統(tǒng)，其中給該支架設(shè)置用來在氣體流過該氣隙之前保持該氣體的凹部。
36.根據(jù)權(quán)利要求26的輻射系統(tǒng)，其中該冷卻系統(tǒng)設(shè)置為在將氣體注入該氣隙之前冷卻該氣體。
37.一種用來將殘骸粒子從輻射源所發(fā)出的輻射中過濾出去、并且可用于平版印刷術(shù)，尤其是EUV平版印刷術(shù)的過濾系統(tǒng)，其中該過濾系統(tǒng)包括多個(gè)用來捕獲殘骸粒子的薄片，其中多個(gè)薄片中的至少一個(gè)薄片包括至少兩個(gè)部分，這兩個(gè)部分具有相互不同的取向，并且沿著基本上直的連接線相互連接，并且其中這兩個(gè)部分的每一個(gè)基本上與通過用來基本上與輻射源相重合的預(yù)定位置延伸的虛平面相重合，該基本上直的連接線與也通過該預(yù)定位置延伸的虛直線相重合。
38.根據(jù)權(quán)利要求37的過濾系統(tǒng)，其中該過濾系統(tǒng)包括至少兩個(gè)部分的第一部分在支架的第一位置處與之相連，并且至少兩個(gè)部分的第二部分在支架的第二位置處與之相連的支架。
39.根據(jù)權(quán)利要求38的過濾系統(tǒng)，其中該第一和第二位置之間的距離是固定的。
40.根據(jù)權(quán)利要求38的過濾系統(tǒng)，其中該支架包括內(nèi)環(huán)和外環(huán)。
41.根據(jù)權(quán)利要求40的過濾系統(tǒng)，其中該內(nèi)環(huán)和外環(huán)同軸。
42.根據(jù)權(quán)利要求37的過濾系統(tǒng)，其中至少兩個(gè)部分中的至少一個(gè)與是直平面的虛平面相重合。
43.根據(jù)權(quán)利要求38的過濾系統(tǒng)，其中該過濾系統(tǒng)的至少一部分設(shè)置為至少在使用中冷卻該支架。
44.根據(jù)權(quán)利要求38的過濾系統(tǒng)，其中該過濾系統(tǒng)還包括具有設(shè)置為將被冷卻的表面的冷卻系統(tǒng)，該冷卻系統(tǒng)和該支架彼此相對(duì)定位，從而在該冷卻系統(tǒng)的表面與該支架之間形成氣隙，并且其中將該冷卻系統(tǒng)還設(shè)置為向該氣隙內(nèi)注入氣體。
45.根據(jù)權(quán)利要求44的過濾系統(tǒng)，其中氣體進(jìn)入該氣隙的入口位置與氣體流出該氣隙的出口位置之間的路徑形成曲折的路徑。
46.根據(jù)權(quán)利要求44的過濾系統(tǒng)，其中該氣隙使該冷卻系統(tǒng)的表面與該支架之間的最短距離處于從20微米左右到200微米左右變化的范圍內(nèi)。
47.根據(jù)權(quán)利要求46的過濾系統(tǒng)，其中該氣隙使該冷卻系統(tǒng)的表面與該支架之間的最短距離處于從40微米左右到100微米左右變化的范圍內(nèi)。
48.根據(jù)權(quán)利要求44的過濾系統(tǒng)，其中該支架可相對(duì)于冷卻系統(tǒng)的表面旋轉(zhuǎn)。
49.根據(jù)權(quán)利要求44的過濾系統(tǒng)，其中該冷卻系統(tǒng)的表面設(shè)置為相對(duì)于支架靜止。
50.根據(jù)權(quán)利要求44的過濾系統(tǒng)，其中該冷卻系統(tǒng)的表面設(shè)置為用流體冷卻。
51.根據(jù)權(quán)利要求50的過濾系統(tǒng)，其中該流體是水。
52.根據(jù)權(quán)利要求44的過濾系統(tǒng)，其中該氣體是氬氣。
53.根據(jù)權(quán)利要求44的過濾系統(tǒng)，其中給該支架設(shè)置用來在氣體流過氣隙之前保持氣體的凹部。
54.根據(jù)權(quán)利要求37的過濾系統(tǒng)，其中該冷卻系統(tǒng)設(shè)置為在將氣體注入氣隙之前冷卻該氣體。
全文摘要
一種光刻裝置包括構(gòu)造為使輻射束達(dá)到要求的和用來將殘骸粒子從輻射源所發(fā)出的輻射中過濾出去的過濾系統(tǒng)，其中該過濾系統(tǒng)包括多個(gè)用來捕獲殘骸粒子的薄片，其中多個(gè)薄片中的至少一個(gè)薄片包括至少兩個(gè)部分，這兩個(gè)部分具有相互不同的取向，并且沿著基本上直的連接線相互連接，其中這兩個(gè)部分的每一個(gè)基本上與通過用來基本上與輻射從中發(fā)出的輻射源相重合的預(yù)定位置延伸的虛平面相重合，該基本上直的連接線與也通過該預(yù)定位置延伸的虛直線相重合。
文檔編號(hào)H01L21/027GK1804727SQ200510121559
公開日2006年7月19日 申請(qǐng)日期2005年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月28日
發(fā)明者A·C·瓦辛克 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司