專利名稱：增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種裸露晶背的集成電路封裝構(gòu)造，特別是涉及一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造。
背景技術(shù)：
隨著集成電路的封裝技術(shù)愈往輕、薄、短、小發(fā)展，散熱的需求愈來(lái)愈高，一般是在封裝構(gòu)造上再加上一散熱片，以提升封裝構(gòu)造的散熱，但會(huì)增加其總厚度，因此在考量封裝總厚度的狀況下，遂發(fā)展出一種利用直接顯露晶片背面以提升散熱的封裝構(gòu)造。如依據(jù)美國(guó)專利5,696,666所揭示的，請(qǐng)參閱圖1所示，是現(xiàn)有習(xí)知的裸露晶背的球格陣列封裝構(gòu)造的截面示意圖，該現(xiàn)有習(xí)知的集成電路封裝構(gòu)造，主要包括一晶片10及一具有貫通開(kāi)孔21的基板20，貫通開(kāi)孔21貫穿基板20的上表面22與下表面23，且該貫通開(kāi)孔21是為方形，其尺寸與晶片10約略相同。該晶片10容置于貫通開(kāi)孔21內(nèi)，在制程中先可利用一黏性膠帶固定之。一封膠體30是密封晶片10的主動(dòng)面11與基板20的上表面22，但該晶片10的背面12是直接顯露于基板20的下表面23，可使該晶片10在工作時(shí)所產(chǎn)生的熱，藉由該背面12直接散熱，但已知的該晶片10的散熱效益與晶片背面12的顯露表面積有關(guān)，目前現(xiàn)有習(xí)知的封裝構(gòu)造內(nèi)晶片背面所顯露的最大表面積僅為晶片尺寸大小，無(wú)法再增加，故無(wú)法提升最大的散熱效益。
由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的集成電路封裝構(gòu)造在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決集成電路封裝構(gòu)造存在的問(wèn)題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒(méi)有適切結(jié)構(gòu)能夠解決上述問(wèn)題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，便成了當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。
有鑒于上述現(xiàn)有的集成電路封裝構(gòu)造存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的集成電路封裝構(gòu)造，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過(guò)不斷研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的集成電路封裝構(gòu)造存在的缺陷，而提供一種新型的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其利用至少一溝槽形成于一晶片的一背面，且該溝槽與該晶片的該背面是顯露于一封膠體，以增加晶背的裸露表面積，故能增進(jìn)散熱。此外，該些溝槽可增強(qiáng)晶片結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，或可增強(qiáng)與一散熱片的結(jié)合。其可適用于球格陣列封裝(BGA package)、無(wú)外接腳封裝(例如QFN package)與凸塊化晶片載體封裝(BCC package)，從而更加適于實(shí)用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其主要包括一晶片、復(fù)數(shù)個(gè)外接端以及一封膠體。該封膠體具有一底面，該些外接端與該晶片的一背面是同向顯露于該封膠體的該底面。因此當(dāng)該薄型封裝構(gòu)造以該些外接端接合至一外部印刷電路板時(shí)，可以保護(hù)該晶片的裸露背面以及在該背面的溝槽，不易被碰傷，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的再一目的在于，提供一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其形成在一晶片的背面是為至少一溝槽，該溝槽是不連接至該晶片的該背面的一邊緣，以防止溢膠流入，而可以確保該溝槽與該晶片的背面能顯露在一封膠體之外，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的還一目的在于，提供一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其中位于晶片背面的至少一溝槽是顯露于一封膠體之外，而可以增進(jìn)散熱，其可形成為激光標(biāo)記，更兼具有對(duì)已封裝晶片進(jìn)行辨識(shí)的功能，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其包括一封膠體；一晶片，其形成于該封膠體內(nèi)，該晶片具有一主動(dòng)面、一背面以及復(fù)數(shù)個(gè)側(cè)面，該背面形成有至少一溝槽；以及復(fù)數(shù)個(gè)外接端，其電性連接至該晶片并顯露于該封膠體；其中，該封膠體是覆蓋該晶片的該主動(dòng)面與該些側(cè)面，且顯露于該晶片的該背面與該溝槽，以利散熱。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其中所述的封膠體其具有一底面，該些外接端與該晶片的該背面是同向顯露于該封膠體的該底面。
前述的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其中所述的溝槽是形成為激光標(biāo)記。
前述的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其另包括一散熱片，其貼設(shè)于該晶片。
前述的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其中所述的晶片的該背面更形成有一周邊缺口，以供該封膠體的覆蓋。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其包括一基板，其具有一上表面、一下表面以及一貫通的容晶孔；一晶片，其容置于該基板的該容晶孔，該晶片具有一主動(dòng)面及一背面，該主動(dòng)面形成有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，其電性連接至該基板，該背面形成有至少一溝槽；以及一封膠體，其形成于該基板的該上表面，并覆蓋該晶片的該主動(dòng)面；其中，該晶片的該背面與該溝槽是顯露于該封膠體。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其中所述的基板的該下表面形成有復(fù)數(shù)個(gè)外接端，該晶片的該背面是與該些外接端同向。
前述的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其中所述的溝槽是形成為激光標(biāo)記。
前述的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其另包括一散熱片，其貼設(shè)于該晶片。
前述的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其中所述的晶片的該背面更形成有一周邊缺口，以供該封膠體的覆蓋。
前述的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其中所述的封膠體的尺寸是大致等于該基板的尺寸，以完全覆蓋該基板的該上表面。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造主要包括一晶片、一基板以及一封膠體。該晶片具有一主動(dòng)面及一背面，該主動(dòng)面形成有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，以電性連接至該基板，該背面形成有至少一溝槽。該基板具有一上表面、一下表面以及一貫通的容晶孔，以容置該晶片。該封膠體形成于該基板的該上表面并覆蓋該晶片的該主動(dòng)面，并且該封膠體是顯露該晶片的該背面與該溝槽，該溝槽具有增進(jìn)晶背導(dǎo)熱、增強(qiáng)晶片強(qiáng)度、甚至可增強(qiáng)對(duì)散熱片結(jié)合的功效。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造至少具有下列優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明克服了現(xiàn)有集成電路封裝構(gòu)造存在的缺陷，其利用至少一溝槽形成于一晶片的一背面，且該溝槽與該晶片的該背面是顯露于一封膠體，可以增加晶背的裸露表面積，故能夠增進(jìn)散熱。此外，該些溝槽可以增強(qiáng)晶片結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，或可增強(qiáng)與一散熱片的結(jié)合。其可廣泛適用于球格陣列封裝(BGA package)、無(wú)外接腳封裝(例如QFN package)與凸塊化晶片載體封裝(BCC package)，從而更加適于實(shí)用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。
此外，本發(fā)明主要包括一晶片、復(fù)數(shù)個(gè)外接端以及一封膠體。該封膠體具有一底面，該些外接端與該晶片的一背面是同向顯露于該封膠體的該底面。因此當(dāng)該薄型封裝構(gòu)造以該些外接端接合至一外部印刷電路板時(shí)，可以保護(hù)該晶片的裸露背面以及在該背面的溝槽，不易被碰傷，從而更加適于實(shí)用。
進(jìn)一步的，本發(fā)明形成在一晶片的背面是為至少一溝槽，該溝槽是不連接至該晶片的該背面的一邊緣，可以有效的防止溢膠流入，而可確保該溝槽與該晶片的背面能顯露在一封膠體之外，從而更加適于實(shí)用。
再者，本發(fā)明中位于晶片背面的至少一溝槽是顯露于一封膠體之外，而可以增進(jìn)散熱，其可形成為激光標(biāo)記，更兼具有對(duì)已封裝晶片進(jìn)行辨識(shí)的功能，從而更加適于實(shí)用。
另外，本發(fā)明包括一封膠體；一晶片，其形成于該封膠體內(nèi)該晶片具有一主動(dòng)面、一背面以及復(fù)數(shù)個(gè)側(cè)面，該背面形成有至少一溝槽；以及復(fù)數(shù)個(gè)外接端，其電性連接至該晶片并顯露于該封膠體；其中，該封膠體是覆蓋該晶片的該主動(dòng)面與該些側(cè)面，且顯露于該晶片的該背面與該溝槽，而可以更加有利于散熱。
綜上所述，本發(fā)明特殊的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其包括一基板、一晶片及一封膠體，該基板具有一上表面、一下表面以及一貫通的容晶孔，該晶片容置于該基板的該容晶孔，該晶片具有一主動(dòng)面及一背面，該主動(dòng)面形成有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，其電性連接至該基板，該晶片的背面形成有復(fù)數(shù)個(gè)溝槽，該封膠體是形成于該基板的該上表面，并覆蓋該晶片的該主動(dòng)面，而顯露該晶片的該背面與該些溝槽，故該些溝槽具有增進(jìn)晶背導(dǎo)熱、增強(qiáng)晶片強(qiáng)度的功效。其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類產(chǎn)品中未見(jiàn)有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)公開(kāi)發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的集成電路封裝構(gòu)造具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1是現(xiàn)有習(xí)知的裸露晶背的球格陣列封裝構(gòu)造的截面示意圖。
圖2是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，是一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造的截面示意圖。
圖3是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，是該薄型封裝構(gòu)造的晶片背面示意圖。
圖4是依據(jù)本發(fā)明的第二具體實(shí)施例，是一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造的截面示意圖。
圖5是依據(jù)本發(fā)明的第三具體實(shí)施例，是一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造的截面示意圖。
圖6是依據(jù)本發(fā)明的第三具體實(shí)施例，是該薄型封裝構(gòu)造的晶片背面示意圖。
圖7是依據(jù)本發(fā)明的第四具體實(shí)施例，是一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造的截面示意圖。
10晶片 11主動(dòng)面12背面 20基板21貫通開(kāi)孔 22上表面23下表面 30封膠體100薄型封裝構(gòu)造110基板111上表面 112下表面113容晶孔 114連接墊120晶片121主動(dòng)面122背面123側(cè)面124焊墊125溝槽130封膠體 131底面140外接端 150焊線200薄型封裝構(gòu)造210封膠體211底面220晶片221主動(dòng)面 222背面223側(cè)面224焊墊225溝槽230外接端240焊線250散熱片260散熱片 300薄型封裝構(gòu)造310導(dǎo)腳311上表面312下表面 320晶片321主動(dòng)面 322背面323側(cè)面324焊墊325溝槽326周邊缺口330封膠體 340焊線400薄型封裝構(gòu)造410基板411上表面 412下表面
420晶片 421主動(dòng)面422背面 423凸塊424溝槽 430封膠體431頂面 440外接端具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。
請(qǐng)參閱圖2所示，是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，是一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造的截面示意圖。該一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造100，其是為球格陣列封裝(Ball Grid Array，BGA)型態(tài)。該薄型封裝構(gòu)造100，主要包括一基板110、一晶片120以及一封膠體130，其中該基板110，具有一上表面111、一下表面112以及一貫通上表面111與下表面112的容晶孔113。在封裝制程中，該基板110并不是用以直接承載該晶片120，而是另以一暫時(shí)性膠帶(圖未繪出)黏貼于基板110的下表面112，以黏接固定晶片120。故該晶片120是能容置于該基板110的容晶孔113內(nèi)；該晶片120，具有一主動(dòng)面121、一背面122、以及復(fù)數(shù)個(gè)在該主動(dòng)面121與該背面122之間的側(cè)面123，該主動(dòng)面121形成有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊124，并以復(fù)數(shù)個(gè)焊線150電性連接該些焊墊124至在基板110的上表面111的復(fù)數(shù)個(gè)連接墊114。該晶片120的背面122形成有復(fù)數(shù)個(gè)溝槽125，以增加該背面122可供散熱的顯露表面積。在本實(shí)施例中，如圖3所示，可以利用晶圓半切割、激光或蝕刻技術(shù)形成該些溝槽125，故該些溝槽125是可呈網(wǎng)狀，該些溝槽125的截面并可為方形波或弧形波。較佳地，該些溝槽125是可形成為在晶背的激光標(biāo)記，其是顯露于該封膠體130之外，更兼具有對(duì)已封裝晶片進(jìn)行辨識(shí)的功能。
該封膠體130，是形成于基板110的上表面111，以覆蓋晶片120的主動(dòng)面121與該些側(cè)面123且密封該些焊線150。而該晶片120的背面122與該些溝槽125是顯露于該封膠體130。該些溝槽125是可連接或是不連接至該晶片120的該背面122的邊緣。較佳地，請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D3，該些溝槽125是不連接至該晶片120的該背面122的一邊緣，以避免該封膠體130溢膠污染至該些溝槽125。
此外，復(fù)數(shù)個(gè)例如焊球的外接端140是可設(shè)置于該基板110的下表面112。在本實(shí)施例中，該晶片120的背面122是與該些外接端140為同向而顯露于封膠體130的一底面131，以在表面接合后增加晶片120的裸露背面122的保護(hù)。
較佳地，該封膠體130的尺寸是大致等于基板110的尺寸，通常其是為鋸切形態(tài)(sawing type)，即該封膠體130的周邊是垂直對(duì)齊于基板110的外周邊，使該基板110的上表面111完全被封膠體130所覆蓋，以防止基板110周邊的翹曲度異常過(guò)大。
由于該晶片120的背面122形成有復(fù)數(shù)個(gè)溝槽125，且該晶片120的背面122與該些溝槽125是顯露于封膠體130之外，該些溝槽125可以增加晶背的散熱表面積、改善晶背導(dǎo)熱，可以提升薄型封裝構(gòu)造100的散熱效益。此外，該些溝槽125并可增強(qiáng)晶片120的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。
請(qǐng)參閱圖4所示，是依據(jù)本發(fā)明的第二具體實(shí)施例，是一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造的截面示意圖。該一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造200，是為BCC(Bumped Chip Carrier，凸塊化晶片載體)封裝型態(tài)。該薄型封裝構(gòu)造200，主要包括一封膠體210、一晶片220以及復(fù)數(shù)個(gè)外接端230，其中該封膠體210，具有一底面211。
該些外接端230，是為突出狀并顯露于封膠體210之外，其是為BCC封裝的凸出電鍍層。
該晶片220，具有一主動(dòng)面221、一背面222以及復(fù)數(shù)個(gè)側(cè)面223，該晶片220的主動(dòng)面221形成有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊224，并以復(fù)數(shù)個(gè)焊線240電性連接該些焊墊224至該些外接端230，該背面222形成有復(fù)數(shù)個(gè)溝槽225。該晶片220是形成于封膠體210內(nèi)，使得該晶片220的主動(dòng)面221與該些側(cè)面223被封膠體210所覆蓋。但該晶片220的背面222與該些溝槽225是顯露于該封膠體210之外。
較佳地，該些外接端230與晶片220的背面222是同向顯露于封膠體210的底面211，故在表面接合之后，該晶片220的顯露背面222是朝向一外部印刷電路板(圖未繪出)，減少該晶片220的顯露背面222被碰傷的機(jī)率。此外，該晶片220的背面222可額外貼設(shè)一散熱片250，利用位在該晶片220的背面222的該些溝槽225可以增強(qiáng)對(duì)散熱片250的結(jié)合力。較佳地，該晶片220的主動(dòng)面221可貼設(shè)另一散熱片260，而可提升散熱效益。
請(qǐng)參閱圖5所示，是依據(jù)本發(fā)明的第三具體實(shí)施例，是一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造的截面示意圖。該一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造300是可為四方扁平無(wú)接腳(Quad Flat Leadless，QFN)的薄型封裝型態(tài)。該薄型封裝構(gòu)造300，主要包括一導(dǎo)線架的復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)腳310、一晶片320以及一封膠體330，其中該每一導(dǎo)腳310，具有一上表面311以及一下表面312，該些導(dǎo)腳310的下表面312是作為薄型封裝構(gòu)造300的外接端。
該晶片320，是位在該些導(dǎo)腳310所圍繞的中央部位，該晶片320具有一主動(dòng)面321、一背面322以及復(fù)數(shù)個(gè)側(cè)面323；該主動(dòng)面321形成有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊324。并以復(fù)數(shù)個(gè)焊線340電性連接該些焊墊324至該些導(dǎo)腳310的上表面311。該晶片320的背面322是與該些導(dǎo)腳310的下表面312(即外接端)同向，并且該背面322形成有復(fù)數(shù)個(gè)溝槽325。如圖6所示，該些溝槽325是可呈網(wǎng)狀或平行排列，該些溝槽325的截面可為三角形波。較佳地，該晶片320的背面322可形成有一周邊缺口326(如圖6所示)。
該封膠體330，是覆蓋該些導(dǎo)腳310的上表面311、晶片320的主動(dòng)面321與該些側(cè)面323與周邊缺口326，并密封該些焊線340。而該晶片320的背面322與該些溝槽325是顯露于封膠體330之外，故該晶片320的背面322具有較大的顯露表面積，可以增進(jìn)散熱效率。由于周邊缺口326是被封膠體330所覆蓋，可以增進(jìn)晶片320與封膠體330的結(jié)合。
請(qǐng)參閱圖7所示，是依據(jù)本發(fā)明的第四具體實(shí)施例，是一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造的截面示意圖。該一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造400是可為球格陣列的覆晶封裝(BGA flip-chip package)的薄型封裝型態(tài)。該薄型封裝構(gòu)造400，主要包括一基板410、一晶片420以及一封膠體430，其中該基板410，具有一上表面411以及一下表面412。
該晶片420，具有一主動(dòng)面421以及一背面422。在本實(shí)施例中，該晶片420是為覆晶晶片，該主動(dòng)面421上形成有復(fù)數(shù)個(gè)凸塊423，以電性連接至基板410。該晶片420的背面422形成有復(fù)數(shù)個(gè)溝槽424。
該封膠體430，是可壓模形成于基板410的上表面411，以覆蓋該晶片420的主動(dòng)面421，并密封該些凸塊423。而該晶片420的背面422與該些溝槽424是顯露于封膠體430之外，例如該些溝槽424是顯露于封膠體430的一頂面431，增加對(duì)散熱片的熱耦合表面積，以增進(jìn)散熱效率。此外，復(fù)數(shù)個(gè)例如焊球的外接端440可接合于基板410的下表面412。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其特征在于其包括一封膠體；一晶片，其形成于該封膠體內(nèi)，該晶片具有一主動(dòng)面、一背面以及復(fù)數(shù)個(gè)側(cè)面，該背面形成有至少一溝槽；以及復(fù)數(shù)個(gè)外接端，其電性連接至該晶片并顯露于該封膠體；其中，該封膠體是覆蓋該晶片的該主動(dòng)面與該些側(cè)面，且顯露于該晶片的該背面與該溝槽，以利散熱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的封膠體具有一底面，該些外接端與該晶片的該背面是同向顯露于該封膠體的該底面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的溝槽是形成為激光標(biāo)記。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其特征在于其另包括一散熱片，其貼設(shè)于該晶片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的晶片的該背面更形成有一周邊缺口，以供該封膠體的覆蓋。
6.一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其特征在于其包括一基板，其具有一上表面、一下表面以及一貫通的容晶孔；一晶片，其容置于該基板的該容晶孔，該晶片具有一主動(dòng)面及一背面，該主動(dòng)面形成有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，其電性連接至該基板，該背面形成有至少一溝槽；以及一封膠體，其形成于該基板的該上表面，并覆蓋該晶片的該主動(dòng)面；其中，該晶片的該背面與該溝槽是顯露于該封膠體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的基板的該下表面形成有復(fù)數(shù)個(gè)外接端，該晶片的該背面是與該些外接端同向。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的溝槽是形成為激光標(biāo)記。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其特征在于其另包括一散熱片，其貼設(shè)于該晶片。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的晶片的該背面更形成有一周邊缺口，以供該封膠體的覆蓋。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的封膠體的尺寸是大致等于該基板的尺寸，以完全覆蓋該基板的該上表面。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種增進(jìn)晶背散熱的薄型封裝構(gòu)造，其包括一基板、一晶片及一封膠體，該基板具有一上表面、一下表面以及一貫通的容晶孔，該晶片容置于該基板的該容晶孔，該晶片具有一主動(dòng)面及一背面，該主動(dòng)面形成有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，其電性連接至該基板，該晶片的背面形成有復(fù)數(shù)個(gè)溝槽，該封膠體是形成于該基板的該上表面，并覆蓋該晶片的該主動(dòng)面，而顯露該晶片的該背面與該些溝槽，故該些溝槽具有增進(jìn)晶背導(dǎo)熱、增強(qiáng)晶片強(qiáng)度的功效。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1941336SQ20051010809
公開(kāi)日2007年4月4日 申請(qǐng)日期2005年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月29日
發(fā)明者吳政庭, 邱士峰, 潘玉堂, 陳廷源, 張育誠(chéng), 蘇銘弘 申請(qǐng)人:南茂科技股份有限公司, 百慕達(dá)南茂科技股份有限公司