專利名稱：互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學(xué)裝置及其制造方法，尤其涉及一種互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器及其制造方法。
背景技術(shù)：
互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器(CMOS image sensor，CIS)是與互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的工藝相容，而能夠很容易地與其他周邊電路集成在同一晶片上，因此能夠大幅降低影像感測(cè)器的成本以及消耗功率。因此近年來(lái)在低價(jià)位領(lǐng)域的應(yīng)用上，互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器已成為電荷耦合器件(charge coupled device，CCD)的代替品，進(jìn)而使得互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的重要性與日俱增。
美國(guó)專利第6,861,686B2號(hào)(U.S.Pat.No.6,861,686 B2)，其內(nèi)容揭露一種互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的結(jié)構(gòu)及其制造方法，用以解決以銅金屬取代鋁金屬制作內(nèi)連線時(shí)，所衍生的種種問(wèn)題。
但是，專利第6,861,686B2號(hào)仍然存在一些問(wèn)題無(wú)法解決。舉例來(lái)說(shuō)，外界光線是經(jīng)由透鏡(lens)以及彩色濾光片(color filter)而入射至導(dǎo)電內(nèi)連線(electrical interconnection line)中，進(jìn)而被光電二極管(photodiode)所接收。然而，當(dāng)外界光線在穿過(guò)導(dǎo)電內(nèi)連線中的光線通道(light passageway)時(shí)，若未直接傳遞至光電二極管，則光線會(huì)被光線通道表面的介電層或保護(hù)層等膜層吸收，因而降低互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的感光效能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是在提供一種互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器及其制造方法，能夠增加互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器所感測(cè)到的光線強(qiáng)度，進(jìn)而提高其感光效能。
本發(fā)明提出一種互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器，其包括光感測(cè)元件、至少一晶體管、第一介電層、環(huán)柱反射層、第二介電層、保護(hù)層、材料層、透明材料層、濾光膜以及聚光元件。其中，光感測(cè)元件配置于襯底的光感測(cè)區(qū)中，而晶體管配置于襯底的晶體管區(qū)上，且晶體管與光感測(cè)元件電性連接。另外，第一介電層配置于襯底上，且覆蓋晶體管與光感測(cè)元件，而環(huán)柱反射層配置于光感測(cè)區(qū)的第一介電層上。此外，第二介電層配置于環(huán)柱反射層外側(cè)的第一介電層上，保護(hù)層配置于第二介電層上，而材料層配置于環(huán)柱反射層內(nèi)側(cè)的第一介電層上。透明材料層配置于材料層、保護(hù)層與環(huán)柱反射層上，濾光膜配置于透明材料層上，聚光元件配置于對(duì)應(yīng)至光感測(cè)區(qū)的濾光膜上。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述，上述的環(huán)柱反射層例如是一導(dǎo)體層。其中，導(dǎo)體層的材質(zhì)例如是銅、鋁、鎢。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述，上述的環(huán)柱反射層為一環(huán)柱導(dǎo)體間隙壁結(jié)構(gòu)。另外，環(huán)柱反射層是由多個(gè)環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)串聯(lián)所組成。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述，互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器還包括一金屬內(nèi)連線配置于晶體管區(qū)的第一介電層與第二介電層中，且金屬內(nèi)連線與晶體管電性連接。其中，環(huán)柱反射層的材質(zhì)與金屬內(nèi)連線的材質(zhì)相同。此外，上述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器還包括一焊墊配置于保護(hù)層中及部分保護(hù)層上，且焊墊與金屬內(nèi)連線電性連接。其中，環(huán)柱反射層的材質(zhì)與焊墊的材質(zhì)相同。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述，上述的材料層的材質(zhì)與透明材料層的材質(zhì)相同。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述，上述的材料層的材質(zhì)為由第二介電層與保護(hù)層的材質(zhì)所組成。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述，上述的聚光元件例如是透鏡。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述，上述的光感測(cè)元件例如是光電二極管。
本發(fā)明還提出一種互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，首先，于襯底的光感測(cè)區(qū)中形成光感測(cè)元件，并于襯底的晶體管區(qū)上形成電性連接光感測(cè)元件的至少一晶體管。然后，于襯底上形成一介電層，其中晶體管區(qū)上方的介電層中形成有與晶體管電性連接的金屬內(nèi)連線。之后，于襯底上方形成一保護(hù)層，覆蓋介電層與金屬內(nèi)連線。接著，移除部分保護(hù)層與部分介電層，以于光感測(cè)元件上方形成第一開口，并于第一開口側(cè)壁形成一環(huán)柱反射層。然后，形成一透明材料層，以覆蓋保護(hù)層與環(huán)柱反射層，且填滿第一開口。隨后，于透明材料層上形成濾光膜，并于對(duì)應(yīng)至光感測(cè)區(qū)的部分濾光膜上形成一聚光元件。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述，上述的環(huán)柱反射層例如是導(dǎo)體層。其中，導(dǎo)體層的材質(zhì)例如是銅、鋁、鎢。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述，上述的環(huán)柱反射層的形成方法例如是先于襯底上方形成一第一導(dǎo)體材料層，覆蓋保護(hù)層，且填滿第一開口。然后，進(jìn)行一非等向性蝕刻工藝，移除部分第一導(dǎo)體材料層，于第一開口側(cè)壁形成一環(huán)柱導(dǎo)體間隙壁結(jié)構(gòu)，以作為環(huán)柱反射層。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述，上述的環(huán)柱反射層與焊墊同時(shí)形成，而其形成方法例如是，于形成第一開口的同時(shí)，在晶體管區(qū)的保護(hù)層中形成底部暴露出金屬內(nèi)連線的第二開口。然后，于襯底上方形成一第二導(dǎo)體材料層，覆蓋保護(hù)層，且填滿第一開口與第二開口。之后，于對(duì)應(yīng)至第二開口的部分第二導(dǎo)體材料層上形成一光致抗蝕劑層。接著，進(jìn)行一蝕刻工藝，以光致抗蝕劑層為掩模，移除部分第二導(dǎo)體材料層，以于晶體管區(qū)的第二開口中及其兩側(cè)的部分保護(hù)層上形成焊墊，且同時(shí)于光感測(cè)區(qū)的第一開口側(cè)壁形成環(huán)柱反射層。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述，上述的金屬內(nèi)連線的形成方法例如是，(a)于襯底上形成一第一介電材料層，覆蓋晶體管與光感測(cè)元件；(b)于第一介電材料層中形成電性連接晶體管的至少一插塞；(c)于部分第一介電材料層上形成電性連接插塞的至少一導(dǎo)線；(d)于未被導(dǎo)線所覆蓋的第一介電材料層上形成一第二介電材料層；以及(e)重復(fù)步驟(a)～(d)，以形成具有預(yù)定層數(shù)的金屬內(nèi)連線。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述，上述的金屬內(nèi)連線的形成方法例如是雙鑲嵌的方式。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述，上述的聚光元件例如是透鏡。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述，上述的光感測(cè)元件例如是光電二極管。
本發(fā)明又提出一種互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，首先于襯底的光感測(cè)區(qū)中形成光感測(cè)元件，并于襯底的晶體管區(qū)上形成電性連接光感測(cè)元件的至少一晶體管。然后，于襯底上形成一介電層，其中晶體管區(qū)的介電層中形成有與晶體管電性連接的一金屬內(nèi)連線，且在形成金屬內(nèi)連線同時(shí)，于光感測(cè)區(qū)的部分介電層中形成未與光感測(cè)元件連接的至少一第一環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。之后，于襯底上方形成一保護(hù)層，覆蓋介電層、環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與金屬內(nèi)連線，并于保護(hù)層上形成一透明材料層。然后，于透明材料層上形成一濾光膜，并于對(duì)應(yīng)至光感測(cè)區(qū)的部分濾光膜上形成一聚光元件。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述，上述的第一環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的材質(zhì)例如是導(dǎo)體層。其中，導(dǎo)體層的材質(zhì)例如是銅、鋁、鎢。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述，上述的第一環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與金屬內(nèi)連線是同時(shí)形成，其形成方法例如是，(a)于襯底上形成一第一介電材料層；(b)于第一介電材料層中形成電性連接晶體管的一插塞；(c)于晶體管區(qū)的第一介電材料層上形成與插塞電性連接的一導(dǎo)線，且同時(shí)于光感測(cè)區(qū)的第一介電材料層上形成一環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；(d)于未被導(dǎo)線與環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所覆蓋的第一介電材料層上形成一第二介電材料層；以及(e)重復(fù)步驟(a)～(d)，以形成具有預(yù)定層數(shù)的金屬內(nèi)連線。其中，金屬內(nèi)連線的形成方法例如是以雙鑲嵌的方式形成。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述，還包括于光感測(cè)區(qū)的保護(hù)層中形成一第二環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，且第二環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是對(duì)應(yīng)形成于第一環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上。其中，第二環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法例如是于光感測(cè)區(qū)的保護(hù)層上形成一第三開口或一第三環(huán)形溝渠。然后，于襯底上方形成一第三導(dǎo)體材料層，覆蓋保護(hù)層，且填滿第三開口或第三環(huán)形溝渠。接著，進(jìn)行一蝕刻工藝，移除部分第三導(dǎo)體材料層，于第三開口側(cè)壁或第三環(huán)形溝渠中形成第二環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。此外，第二環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)也與一焊墊同時(shí)形成，其中形成方法例如是于光感測(cè)區(qū)的保護(hù)層中形成底部暴露出第一環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一第三開口或一第三環(huán)柱溝渠，以及在晶體管區(qū)的保護(hù)層中形成底部暴露出金屬內(nèi)連線的一第四開口。接著，于襯底上方形成一第三導(dǎo)體材料層，覆蓋保護(hù)層，且填滿第三開口與第四開口。之后，于對(duì)應(yīng)至第四開口的部分第三導(dǎo)體材料層上形成一光致抗蝕劑層。然后，進(jìn)行一蝕刻工藝，以光致抗蝕劑層為掩模，移除部分第三導(dǎo)體材料層，以于晶體管區(qū)的第四開口中及其兩側(cè)的部分保護(hù)層上形成焊墊，且同時(shí)于光感測(cè)區(qū)的保護(hù)層的第三開口側(cè)壁或第三環(huán)柱溝渠中形成第二環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。之后，移除光致抗蝕劑層。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述，上述的聚光元件例如是透鏡。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述，上述的光感測(cè)元件例如是光電二極管。
本發(fā)明是在影像感測(cè)器內(nèi)部制作環(huán)柱反射層，用以反射光線，以增加影像感測(cè)器所感測(cè)到的光線強(qiáng)度，提高影像感測(cè)器的感光效能。而且，環(huán)柱反射層可與焊墊同時(shí)形成，因此工藝上較為簡(jiǎn)易不繁復(fù)，且可節(jié)省工藝成本。另外，環(huán)柱反射層也可與內(nèi)連線層的金屬層同時(shí)形成，其同樣可節(jié)省工藝成本。
為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體影像感測(cè)器的剖面示意圖；圖2A至圖2G為依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體影像感測(cè)器的制造流程的剖面示意圖；圖3為依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體影像感測(cè)器的內(nèi)連線層的剖面示意圖；圖4A至圖4C為依照本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體影像感測(cè)器的制造流程的剖面示意圖；圖5為依照本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體影像感測(cè)器的內(nèi)連線層的剖面示意圖。
主要元件符號(hào)說(shuō)明12、14光線傳遞路徑100襯底102光感測(cè)元件104晶體管104a柵介電層104b柵極104c源/漏極區(qū)104d間隙壁106、107、112、118、122、126、130介電層108、108a、108b開口
110、120、128插塞114、114a、114b溝渠115、123、131金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)116、124、132導(dǎo)線117、121、125、129、133、135、142、152、154、156環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)137環(huán)柱反射層134金屬內(nèi)連線136保護(hù)層138開口140焊墊開口144焊墊145材料層146透明材料層148濾光膜150聚光元件151、151a、151b環(huán)柱溝渠具體實(shí)施方式
圖1為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體影像感測(cè)器的剖面示意圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D1，本發(fā)明的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體影像感測(cè)器包括光感測(cè)元件102、晶體管104、環(huán)柱反射層142、保護(hù)層136、透明材料層146、材料層145、濾光膜148、聚光元件150及介電層106、107。其中，光感測(cè)元件102配置于襯底100的光感測(cè)區(qū)101中，光感測(cè)元件102例如是光電二極管；而晶體管104配置于襯底100的晶體管區(qū)103上，且晶體管104與光感測(cè)元件102電性連接。晶體管104包括柵介電層104a、柵極104b、源/漏極區(qū)104c與間隙壁104d。介電層106配置于襯底100上，且覆蓋晶體管104與光感測(cè)元件102。環(huán)柱反射層142配置于對(duì)應(yīng)于光感測(cè)區(qū)101的介電層106上方，環(huán)柱反射層142例如是導(dǎo)體層，導(dǎo)體層的材質(zhì)例如是銅、鋁、鎢或其他適合的導(dǎo)體材料。特別是，環(huán)柱反射層142例如是一環(huán)柱導(dǎo)體間隙壁結(jié)構(gòu)，或者是由多個(gè)環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)串聯(lián)所組成。另外，介電層107配置于環(huán)柱反射層142外側(cè)的介電層106上，而保護(hù)層136配置于介電層107上，保護(hù)層136的材質(zhì)例如是氧化硅、碳化硅、氮化硅或其他適合的材料。另外，材料層145配置于環(huán)柱反射層142內(nèi)側(cè)的介電層106上，而透明材料層146配置于材料層145、保護(hù)層136與環(huán)柱反射層142上，其中透明材料層146的材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅等介電材料或光致抗蝕劑材料。在一實(shí)施例中，材料層145的材質(zhì)與透明材料層146的材質(zhì)相同。在另一實(shí)施例中，材料層145是由兩種材質(zhì)所組成，其材質(zhì)分別與介電層107及保護(hù)層136的材質(zhì)相同。另外，濾光膜148配置于透明材料層146上，而聚光元件150配置于對(duì)應(yīng)至光感測(cè)區(qū)101的濾光膜148上，其中聚光元件150例如是透鏡。
在一實(shí)施例中，互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體影像感測(cè)器還包括一金屬內(nèi)連線134，其配置于介電層106、107中，用以連接晶體管104。另外，環(huán)柱反射層142的材質(zhì)可與金屬內(nèi)連線134的材質(zhì)相同。
在另一實(shí)施例中，互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體影像感測(cè)器還包括一焊墊144配置于保護(hù)層136中并延伸至保護(hù)層136上的透明材料層146之中，且焊墊144與金屬內(nèi)連線134電性連接。另外，環(huán)柱反射層142的材質(zhì)可與焊墊144的材質(zhì)相同。
當(dāng)然，上述實(shí)施例是以金屬內(nèi)連線134中具有三層內(nèi)連線層為例做說(shuō)明，但本發(fā)明并不對(duì)此做特別的限定，金屬內(nèi)連線134的層數(shù)可視線路設(shè)計(jì)或工藝需要做更改。
值得注意的是，如圖1中的光線傳遞路徑12所示，當(dāng)光線由外界入射時(shí)，聚光元件150可集中光線而使其經(jīng)由濾光膜148入射，并穿過(guò)透明材料層146、材料層145與介電層106，進(jìn)而被位于襯底100中的光感測(cè)元件102所接收。另一方面，如光線傳遞路徑14所示，若光線經(jīng)聚光元件150集中并穿過(guò)濾光膜148，而未直接入射至光感測(cè)元件102時(shí)，則環(huán)柱反射層142可反射光線，而使其被襯底100中的光感測(cè)元件102所接收。
換句話說(shuō)，環(huán)柱反射層142可反射光線至光感測(cè)元件102，以增加互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體影像感測(cè)器所感測(cè)到的光線強(qiáng)度，并提高其感光效能，如此一來(lái)即可解決現(xiàn)有光線被介電層等膜層吸收，進(jìn)而降低影像感測(cè)器的感光效能的問(wèn)題。特別是，當(dāng)元件集成度提高時(shí)，則光感測(cè)元件102會(huì)相對(duì)縮小，因此其所能感測(cè)到的光線強(qiáng)度也會(huì)減少，而環(huán)柱反射層142則有助于提高互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體影像感測(cè)器的感光效能。
接下來(lái)，特舉兩個(gè)實(shí)施例用以說(shuō)明本發(fā)明的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體影像感測(cè)器的制造方法，然其非用以限定本發(fā)明，只要能在互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體影像感測(cè)器內(nèi)部制作環(huán)柱反射層用以反射光線，以增加影像感測(cè)器所感測(cè)到的光線強(qiáng)度的制造方法皆可。
圖2A至圖2G為依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體影像感測(cè)器的制造流程的剖面示意圖。其中，圖2A至圖2G中，構(gòu)件與圖1相同者使用相同的標(biāo)號(hào)表示，并省略其說(shuō)明。
首先，請(qǐng)參照?qǐng)D2A，于襯底100的光感測(cè)區(qū)101中形成光感測(cè)元件102，且于襯底100的晶體管區(qū)103上形成至少一晶體管104，其中晶體管104與光感測(cè)元件102電性連接。其中，光感測(cè)元件102例如是襯底100中具有p-n結(jié)(p-n junction)的光電二極管(photo diode)所構(gòu)成。更詳細(xì)的說(shuō)，光感測(cè)元件102可例如是于p型襯底中形成一n型摻雜區(qū)所構(gòu)成。另外，上述晶體管104包括柵介電層104a、柵極104b、源/漏極區(qū)104c與間隙壁104d。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2B，于襯底100上形成連接晶體管104的金屬內(nèi)連線134。典型的形成方法例如是，先于襯底100上形成一介電層106。然后，于介電層106中形成插塞110，再于介電層106上形成與插塞110電性連接的導(dǎo)線116。之后，于未被導(dǎo)線116所覆蓋的介電層106上形成介電層112。接著，再以相同的工藝分別依序形成介電層118、插塞120、導(dǎo)線124、介電層122以及介電層126、插塞128、導(dǎo)線132、介電層130。上述插塞110、120、128和導(dǎo)線116、124、132的材質(zhì)例如是銅、鋁、鎢或其他合適的金屬材料。
在一實(shí)施例中，金屬內(nèi)連線134可例如是利用雙鑲嵌的技術(shù)來(lái)同時(shí)形成典型內(nèi)連線中的插塞和導(dǎo)線，請(qǐng)參照?qǐng)D3，其形成方法是先依序形成介電層106、介電層112，然后于晶體管區(qū)103的介電層112中形成溝渠114，于介電層106中形成開口108，并于其中填入金屬材料層，以形成金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)115。然后，再重復(fù)上述步驟，依序形成介電層118、介電層122、金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)123、介電層126、介電層130、金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)131，以完成金屬內(nèi)連線134的制作。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2C，于襯底100上方形成一層保護(hù)層136。其中，保護(hù)層136的材質(zhì)例如是氧化硅、碳化硅、氮化硅或其他適合的材料，而其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法或其他適合的方法。上述，保護(hù)層136的作用是用來(lái)保護(hù)內(nèi)連線層134中的金屬層132，以避免其受到損傷。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D2D，移除部分保護(hù)層136與部分內(nèi)連線層134，以于光感測(cè)元件102上方形成開口138。其中，開口138的形成方法例如是于保護(hù)層136上形成一層圖案化的光致抗蝕劑層(未繪示)，然后以圖案化的光致抗蝕劑層為掩模，蝕刻部分保護(hù)層136與部分內(nèi)連線層134以形成的。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2E，于開口138側(cè)壁形成一環(huán)柱反射層142。其中，環(huán)柱反射層142的材質(zhì)例如是鋁、銅、鎢或其他適合的導(dǎo)體材料，而環(huán)柱反射層142的形成方法例如是于襯底100上方以及于開口138內(nèi)形成一層導(dǎo)體材料層(未繪示)，然后進(jìn)行一非等向性蝕刻工藝，移除部分導(dǎo)體材料層，以于開口138側(cè)壁形成一環(huán)柱導(dǎo)體間隙壁結(jié)構(gòu)，當(dāng)作是環(huán)柱反射層142。
在一實(shí)施例中，環(huán)柱導(dǎo)體層142可與焊墊144同時(shí)形成，因此工藝上可較為簡(jiǎn)易不繁復(fù)，而可節(jié)省工藝成本。焊墊144的形成方法可例如是，在形成開口138的同時(shí)，于保護(hù)層136中形成底部暴露出金屬層132的焊墊開口140。然后，在襯底100上方形成一層導(dǎo)體材料層(未繪示)，覆蓋保護(hù)層136，且填滿開口138、140。之后，于對(duì)應(yīng)至焊墊開口140的部分導(dǎo)體材料層上形成一光致抗蝕劑層(未繪示)。接著，進(jìn)行一蝕刻工藝，以光致抗蝕劑層為掩模，移除部分導(dǎo)體材料層，以于開口140中及其兩側(cè)的部分保護(hù)層136上形成焊墊144(如圖2E)，且同時(shí)于開口138側(cè)壁形成環(huán)柱反射層142。之后，移除光致抗蝕劑層。在此實(shí)施例中，環(huán)柱反射層142的材質(zhì)與焊墊144的材質(zhì)相同。而且，上述的焊墊144是與金屬內(nèi)連線134電性連接，其是作為將襯底100上的元件接出之用。
隨后，請(qǐng)參照?qǐng)D2F，于襯底100上方形成一透明材料層146，覆蓋焊墊144、保護(hù)層136與環(huán)柱導(dǎo)體層142，且填滿開口138。其中，透明材料層146的材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅等介電材料或光致抗蝕劑材料。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2G，于透明材料層146上形成一濾光膜148，其中濾光膜148例如是彩色濾光膜，以允許某種特定波長(zhǎng)的光線通過(guò)，其通?？删哂腥N不同的顏色(紅色、藍(lán)色、綠色)。之后，于對(duì)應(yīng)至光感測(cè)區(qū)101的部分濾光膜148上形成一聚光元件150，其中聚光元件150例如是透鏡。
圖4A至圖4D為依照本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體影像感測(cè)器的制造流程的剖面示意圖。其中，圖4A至圖4D中，構(gòu)件與圖1相同者使用相同的標(biāo)號(hào)表示，并省略其說(shuō)明。
首先，請(qǐng)參照?qǐng)D4A，于襯底100的光感測(cè)區(qū)101中形成光感測(cè)元件102，且于襯底100的晶體管區(qū)103上形成至少一晶體管104，其中晶體管104與光感測(cè)元件102電性連接。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D4B，在晶體管區(qū)103上形成金屬內(nèi)連線134，并同時(shí)在光感測(cè)區(qū)101上形成環(huán)柱反射層137。在典型的金屬內(nèi)連線134的制造方法中，是在襯底100上形成介電層106并于其中形成插塞110。之后，在介電層106上沉積一層金屬材料層(未繪示)，然后定義之，以在晶體管區(qū)103上形成導(dǎo)線116，并同時(shí)在光感測(cè)區(qū)101上形成環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)117。然后，依照以上所述的方法依序形成介電層118、插塞120、導(dǎo)體結(jié)構(gòu)121、導(dǎo)線124、導(dǎo)體結(jié)構(gòu)125、介電層122以及介電層126、插塞128、導(dǎo)體結(jié)構(gòu)129、導(dǎo)線132、導(dǎo)體結(jié)構(gòu)133、介電層130。上述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)117、121、125、129、133可構(gòu)成一環(huán)柱反射層137。插塞110、120、128和導(dǎo)線116、124、132的材質(zhì)例如是銅、鋁、鎢或其他合適的金屬材料，而環(huán)柱反射層137與插塞110、120、128和導(dǎo)線116、124、132材質(zhì)相同。特別是，由于環(huán)柱反射層137可與金屬內(nèi)連線134同時(shí)形成，因此工藝上可較為簡(jiǎn)易不繁復(fù)，而可節(jié)省工藝成本。
在一實(shí)施例中，金屬內(nèi)連線134亦可例如是利用雙鑲嵌的技術(shù)來(lái)一起形成典型內(nèi)連線中的插塞和導(dǎo)線，且在形成金屬內(nèi)連線134時(shí)，同時(shí)形成環(huán)柱反射層137，請(qǐng)參照?qǐng)D5，其形成方法是先依序形成介電層106與介電層112，然后于晶體管區(qū)103的介電層106與介電層112中形成溝渠114，于介電層106中形成開口108，且同時(shí)在光感測(cè)區(qū)101的介電層106與介電層112中形成環(huán)柱溝渠151，并于其中填入導(dǎo)體材料層，以于晶體管區(qū)103上形成金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)115以及于光感測(cè)區(qū)101上方形成環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)152。然后，再重復(fù)上述步驟，依序形成介電層116、介電層122、溝渠114a、開口108a、金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)123、環(huán)柱溝渠151a、環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)154、介電層126、介電層130、溝渠114b、開口108b、金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)131、環(huán)柱溝渠151b、以及環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)156，以完成金屬內(nèi)連線134與環(huán)柱反射層137的制作。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D4C，于襯底100上方形成保護(hù)層136。之后，于保護(hù)層136上形成透明材料層146。接著，于透明材料層146上形成濾光膜148，然后在對(duì)應(yīng)至光感測(cè)區(qū)101的部分濾光膜148上形成聚光元件150。
在另一實(shí)施例中，于形成保護(hù)層136后，還可在光感測(cè)區(qū)101上的保護(hù)層136中形成一環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)135。環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)135是對(duì)應(yīng)形成于環(huán)柱反射層137上。環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)135的形成方法可例如是于保護(hù)層136中形成底部暴露出環(huán)狀反射層133的開口或環(huán)柱溝渠(未繪示)，并于保護(hù)層136上形成一導(dǎo)體材料層(未繪示)。然后，進(jìn)行一蝕刻工藝，移除部分導(dǎo)體材料層，以于開口側(cè)壁或環(huán)柱溝渠中形成環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)135。若環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)135是形成于保護(hù)層136中的開口側(cè)壁，則接著預(yù)形成的透明材料層146是形成于保護(hù)層136與環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)135上，且填滿開口，即環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)135中的膜層的材質(zhì)與透明材料層146的材質(zhì)相同。另外，若環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)135是形成于保護(hù)層136中的環(huán)柱溝渠中，則環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)135中的膜層的材質(zhì)與保護(hù)層136的材質(zhì)相同。
另外，環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)135也可與焊墊144同時(shí)形成，其形成方法例如是于保護(hù)層136中形成底部暴露出環(huán)柱反射層133的開口或環(huán)柱溝渠(未繪示)時(shí)，并同時(shí)于保護(hù)層136中形成底部暴露出金屬層130的焊墊開口140。然后，于襯底100上方形成一導(dǎo)體材料層(未繪示)，覆蓋保護(hù)層136。之后，于對(duì)應(yīng)至焊墊開口140的部分導(dǎo)體材料層上形成一光致抗蝕劑層(未繪示)。然后，進(jìn)行一蝕刻工藝，以光致抗蝕劑層為掩模，移除部分導(dǎo)體材料層，以在晶體管區(qū)103的焊墊開口140中及其兩側(cè)的部分保護(hù)層136上形成焊墊144，且同時(shí)于光感測(cè)區(qū)101上方的保護(hù)層136中的開口側(cè)壁或環(huán)柱溝渠中形成環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)135。之后，移除光致抗蝕劑層。
綜上所述，在本發(fā)明中至少具有下列優(yōu)點(diǎn)1.本發(fā)明于光感測(cè)元件上方形成環(huán)柱反射層，可反射光線至光感測(cè)元件，以增加光感測(cè)元件所能感測(cè)到的光線強(qiáng)度，提高影像感測(cè)器的感光效能。
2.本發(fā)明的環(huán)柱反射層可與焊墊同時(shí)形成，因此工藝上較為簡(jiǎn)易不繁復(fù)，且可節(jié)省工藝成本。
3.本發(fā)明的環(huán)柱反射層亦可與內(nèi)連線內(nèi)的金屬層同時(shí)形成，因此工藝上較為簡(jiǎn)易不繁復(fù)，且可節(jié)省工藝成本。
4.當(dāng)元件集成度提高時(shí)，則光感測(cè)元件會(huì)相對(duì)縮小，其所能感測(cè)到的光線強(qiáng)度也會(huì)減少，而本發(fā)明可有助于提高影像感測(cè)器的感光效能。
雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器，包括一光感測(cè)元件，配置于一襯底的一光感測(cè)區(qū)中；至少一晶體管，配置于該襯底的一晶體管區(qū)上，且該晶體管與該光感測(cè)元件電性連接；一第一介電層，配置于該襯底上，覆蓋該晶體管與該光感測(cè)元件；一環(huán)柱反射層，配置于該光感測(cè)區(qū)的該第一介電層上；一第二介電層，配置于該環(huán)柱反射層外側(cè)的該第一介電層上；一保護(hù)層，配置于該第二介電層上；一材料層，配置于該環(huán)柱反射層內(nèi)側(cè)的該第一介電層上；一透明材料層，配置于該材料層、該保護(hù)層與該環(huán)柱反射層上；一濾光膜，配置于該透明材料層上；以及一聚光元件，配置于對(duì)應(yīng)至該光感測(cè)區(qū)的該濾光膜上。
2.如權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器，其中該環(huán)柱反射層包括一導(dǎo)體層。
3.如權(quán)利要求2所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器，其中該導(dǎo)體層的材質(zhì)包括銅、鋁、鎢。
4.如權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器，其中該環(huán)柱反射層為一環(huán)柱導(dǎo)體間隙壁結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器，其中該環(huán)柱反射層是由多個(gè)環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)串聯(lián)所組成。
6.如權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器，還包括一金屬內(nèi)連線，配置于該晶體管區(qū)的該第一介電層與該第二介電層中，且電性連接該晶體管。
7.如權(quán)利要求6所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器，其中該環(huán)柱反射層的材質(zhì)與該金屬內(nèi)連線的材質(zhì)相同。
8.如權(quán)利要求6所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器，還包括一焊墊，配置于該保護(hù)層中并延伸至該保護(hù)層上的該透明材料層中，且與該金屬內(nèi)連線電性連接。
9.如權(quán)利要求8所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器，其中該環(huán)柱反射層的材質(zhì)與該焊墊的材質(zhì)相同。
10.如權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器，其中該材料層的材質(zhì)與該透明材料層的材質(zhì)相同。
11.如權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器，其中該材料層的材質(zhì)由兩種材質(zhì)所組成，其材質(zhì)分別與該第二介電層和該保護(hù)層的材質(zhì)相同。
12.如權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器，其中該聚光元件包括透鏡。
13.如權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器，其中該光感測(cè)元件包括光電二極管。
14.一種互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，包括以下步驟于一襯底的一光感測(cè)區(qū)中形成一光感測(cè)元件；于該襯底的一晶體管區(qū)上形成電性連接該光感測(cè)元件的至少一晶體管；于該襯底上形成一介電層，其中該晶體管區(qū)上方的該介電層中形成有與該晶體管電性連接的一金屬內(nèi)連線；于該襯底上方形成一保護(hù)層，覆蓋該介電層與該金屬內(nèi)連線；移除部分該保護(hù)層與部分該介電層，以于該光感測(cè)元件上方形成一第一開口；于該第一開口側(cè)壁形成一環(huán)柱反射層；形成一透明材料層，覆蓋該保護(hù)層與該環(huán)柱反射層，且填滿該第一開口；于該透明材料層上形成一濾光膜；以及于對(duì)應(yīng)至該光感測(cè)區(qū)的部分該濾光膜上形成一聚光元件。
15.如權(quán)利要求14所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，其中該環(huán)柱反射層包括一導(dǎo)體層。
16.如權(quán)利要求15所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，其中該導(dǎo)體層的材質(zhì)包括銅、鋁、鎢。
17.如權(quán)利要求14所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，其中該環(huán)柱反射層的形成方法包括于該襯底上方形成一第一導(dǎo)體材料層，覆蓋該保護(hù)層，且填滿該第一開口；以及進(jìn)行一非等向性蝕刻工藝，移除部分該第一導(dǎo)體材料層，于該第一開口側(cè)壁形成一環(huán)柱導(dǎo)體間隙壁結(jié)構(gòu)，以作為該環(huán)柱反射層。
18.如權(quán)利要求14所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，其中該環(huán)柱反射層與一焊墊同時(shí)形成。
19.如權(quán)利要求18所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，其中該焊墊的形成方法包括于形成該光感測(cè)區(qū)的該第一開口的同時(shí)，在該晶體管區(qū)的該保護(hù)層中形成底部暴露出該金屬內(nèi)連線的一第二開口；于該襯底上方形成一第二導(dǎo)體材料層，覆蓋該保護(hù)層，且填滿該第一開口與該第二開口；于對(duì)應(yīng)至該第二開口的部分該第二導(dǎo)體材料層上形成一光致抗蝕劑層；進(jìn)行一蝕刻工藝，以該光致抗蝕劑層為掩模，移除部分該第二導(dǎo)體材料層，以于該晶體管區(qū)的該第二開口中及其兩側(cè)的部分該保護(hù)層上形成該焊墊，且同時(shí)于該光感測(cè)區(qū)的該第一開口側(cè)壁形成該環(huán)柱反射層；以及移除該光致抗蝕劑層。
20.如權(quán)利要求14所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，其中該聚光元件包括透鏡。
21.如權(quán)利要求14所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，其中該光感測(cè)元件包括光電二極管。
22.一種互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，包括于一襯底的一光感測(cè)區(qū)中形成一光感測(cè)元件；于該襯底的一晶體管區(qū)上形成電性連接該光感測(cè)元件的至少一晶體管；于該襯底上形成一介電層，其中該晶體管區(qū)的該介電層中形成有與該晶體管電性連接的一金屬內(nèi)連線，且在形成該金屬內(nèi)連線同時(shí)，于該光感測(cè)區(qū)的部分該介電層中形成未與該光感測(cè)元件連接的至少一第一環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；于該襯底上方形成一保護(hù)層，覆蓋該介電層、該環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與該金屬內(nèi)連線；于該保護(hù)層上形成一透明材料層；于該透明材料層上形成一濾光膜；以及于對(duì)應(yīng)至該光感測(cè)區(qū)的部分該濾光膜上形成一聚光元件。
23.如權(quán)利要求22所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，其中該第一環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的材質(zhì)包括一導(dǎo)體層。
24.如權(quán)利要求23所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，其中該導(dǎo)體層的材質(zhì)包括銅、鋁、鎢。
25.如權(quán)利要求22所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，其中該第一環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與該金屬內(nèi)連線的形成方法包括(a)于該襯底上形成一第一介電材料層；(b)于該第一介電材料層中形成電性連接該晶體管的一插塞；(c)于該晶體管區(qū)的該第一介電材料層上形成與該插塞電性連接的一導(dǎo)線，且同時(shí)于該光感測(cè)區(qū)的該第一介電材料層上形成一環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；(d)于未被該導(dǎo)線與該環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所覆蓋的該第一介電材料層上形成一第二介電材料層；以及(e)重復(fù)步驟(a)～(d)，以形成具有預(yù)定層數(shù)的該金屬內(nèi)連線。
26.如權(quán)利要求22所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，其中該金屬內(nèi)連線的形成方法包括(a)于該襯底上依序形成一第一介電材料層與一第二介電材料層；(b)于該晶體管區(qū)的該第二介電材料層中形成一第一溝渠，以及于該第一介電材料層中形成與該第一溝渠連接的一第一開口，且同時(shí)于該光感測(cè)區(qū)的該第二介電材料層中形成一第一環(huán)柱溝渠；(c)于該第一溝渠、該第一開口及該第一環(huán)柱溝渠中填入一第一導(dǎo)體材料層，以于該晶體管區(qū)的該第一介電材料層與該第二介電材料層中形成一第一鑲嵌結(jié)構(gòu)，以及于該光感測(cè)區(qū)的該第二介電材料層中形成一第一環(huán)柱導(dǎo)體材料結(jié)構(gòu)；(d)于該第二介電材料層上依序形成一第三介電材料層與一第四介電材料層；(e)于該晶體管區(qū)的該第四介電材料層中形成一第二溝渠，以及于該第三介電材料層中形成與該第二溝渠連接的一第二開口，且同時(shí)于該光感測(cè)區(qū)的該第四介電材料層與該第三介電材料層中形成一第二環(huán)柱溝渠；(f)于該第二溝渠、該第二開口及該第二環(huán)柱溝渠中填入一第二導(dǎo)體材料層，以于該晶體管區(qū)的該第四介電材料層與該第三介電材料層中形成一第二鑲嵌結(jié)構(gòu)，以及于該光感測(cè)區(qū)的該第四介電材料層與該第三介電材料層中形成一第二環(huán)柱導(dǎo)體材料結(jié)構(gòu)；以及(g)重復(fù)步驟(d)～(f)，以形成具有預(yù)定層數(shù)的該金屬內(nèi)連線。
27.如權(quán)利要求22所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，還包括于該光感測(cè)區(qū)的該保護(hù)層中形成一第二環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，且該第二環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)形成于該第一環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上。
28.如權(quán)利要求27所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，其中該第二環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括于該光感測(cè)區(qū)的該保護(hù)層上形成一第三開口或一第三環(huán)柱溝渠；于該襯底上方形成一第三導(dǎo)體材料層，覆蓋該保護(hù)層，且填滿該第三開口或該第三環(huán)柱溝渠；以及進(jìn)行一蝕刻工藝，移除部分該第三導(dǎo)體材料層，于該第三開口側(cè)壁或該第三環(huán)柱溝渠中形成該第二環(huán)柱反射層。
29.如權(quán)利要求27所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，其中該第二環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與一焊墊同時(shí)形成。
30.如權(quán)利要求29所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，其中該焊墊的形成方法包括于該光感測(cè)區(qū)的該保護(hù)層中形成底部暴露出該第一環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一第三開口或一第三環(huán)柱溝渠，以及在該晶體管區(qū)的該保護(hù)層中形成底部暴露出該金屬內(nèi)連線的一第四開口；于該襯底上方形成一第三導(dǎo)體材料層，覆蓋該保護(hù)層，且填滿該第三開口與該第四開口；于對(duì)應(yīng)至該第四開口的部分該第三導(dǎo)體材料層上形成一光致抗蝕劑層；進(jìn)行一蝕刻工藝，以該光致抗蝕劑層為掩模，移除部分該第三導(dǎo)體材料層，以于該晶體管區(qū)的該第四開口中及其兩側(cè)的部分該保護(hù)層上形成該焊墊，且同時(shí)于該光感測(cè)區(qū)的該保護(hù)層的該第三開口側(cè)壁或該第三環(huán)柱溝渠中形成該第二環(huán)柱導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；以及移除該光致抗蝕劑層。
31.如權(quán)利要求22所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，其中該聚光元件包括透鏡。
32.如權(quán)利要求22所述的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器的制造方法，其中該光感測(cè)元件包括光電二極管。
全文摘要
一種互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管影像感測(cè)器，其包括光感測(cè)元件、至少一晶體管、第一介電層、環(huán)柱反射層、第二介電層、保護(hù)層、材料層、透明材料層、濾光膜以及聚光元件。其中，光感測(cè)元件配置于襯底的光感測(cè)區(qū)中，而晶體管配置于襯底的晶體管區(qū)上，且晶體管與光感測(cè)元件電性連接。第一介電層配置于襯底上，且覆蓋晶體管與光感測(cè)元件，而環(huán)柱反射層配置于光感測(cè)區(qū)的第一介電層上。第二介電層配置于環(huán)柱反射層外側(cè)的第一介電層上，保護(hù)層配置于第二介電層上，而材料層配置于環(huán)柱反射層內(nèi)側(cè)的第一介電層上。透明材料層配置于材料層、保護(hù)層與環(huán)柱反射層上，濾光膜配置于透明材料層上，聚光元件配置于對(duì)應(yīng)至光感測(cè)區(qū)的濾光膜上。
文檔編號(hào)H01L21/82GK1917222SQ20051009241
公開日2007年2月21日 申請(qǐng)日期2005年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月18日
發(fā)明者李秋德 申請(qǐng)人:聯(lián)華電子股份有限公司