專利名稱：發(fā)光二極管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件及其制造方法，且特別是涉及一種發(fā)光二極管及其制造方法。
背景技術(shù)：
由于發(fā)光二極管與傳統(tǒng)燈泡比較具有絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)，例如體積小、壽命長(zhǎng)、低電壓/電流驅(qū)動(dòng)、不易破裂、發(fā)光時(shí)無(wú)顯著的熱問(wèn)題、不含水銀(沒(méi)有污染問(wèn)題)、發(fā)光效率佳(省電)等特性，且近幾年來(lái)發(fā)光二極管的發(fā)光效率不斷提高，因此發(fā)光二極管在某些領(lǐng)域已漸漸取代日光燈與白熱燈泡，例如需要高速反應(yīng)的掃描儀燈源、液晶顯示器的背光源或前光源汽車的儀表板照明、交通信號(hào)燈以及一般的照明裝置等。
而且，由于含氮的III-V族化合物為寬頻帶能隙的材料，其發(fā)光波長(zhǎng)可以從紫外光一直涵蓋至紅光，可說(shuō)是幾乎涵蓋整個(gè)可見(jiàn)光的波段。因此，利用含氮化鎵的化合物半導(dǎo)體，如氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(GaAlN)、氮化銦鎵(GaInN)等的發(fā)光二極管元件已廣泛地應(yīng)用在各種發(fā)光模塊中。
圖1為公知的發(fā)光二極管的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，發(fā)光二極管100主要是由基板110、n型摻雜半導(dǎo)體層120、電極122、發(fā)光層130、p型摻雜半導(dǎo)體層140、透明導(dǎo)電層150以及電極142所構(gòu)成。其中，n型摻雜半導(dǎo)體層120、發(fā)光層130、p型摻雜半導(dǎo)體層140、透明導(dǎo)電層150以及電極142是依次設(shè)置于基板110上，且發(fā)光層130僅覆蓋住部分的n型摻雜半導(dǎo)體層120，而電極122即是設(shè)置在未被發(fā)光層130所覆蓋的n型摻雜半導(dǎo)體層120上。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1，發(fā)光二極管100的發(fā)光面積主要是取決于發(fā)光層130的面積，也就是說(shuō)，發(fā)光層130的面積愈大，發(fā)光二極管100的發(fā)光面積也就愈大。但由于發(fā)光層130與電極122均設(shè)置在n型摻雜半導(dǎo)體層120上，因此如欲增加發(fā)光層130的面積，就必須縮小電極122的面積。然而，若電極122的面積過(guò)小，將會(huì)增加后續(xù)引線鍵合(wire bonding)工藝的難度，進(jìn)而影響發(fā)光二極管100的制造合格率。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情況，本發(fā)明的目的就是提供一種發(fā)光二極管，其可同時(shí)具有大面積的發(fā)光層與電極，以增加此發(fā)光二極管的發(fā)光面積，并提高此發(fā)光二極管的引線鍵合工藝的合格率。
本發(fā)明的另一目的是提供一種發(fā)光二極管的制造方法，其可在不降低后續(xù)引線鍵合工藝的合格率的情況下，增加發(fā)光二極管的發(fā)光面積。
本發(fā)明提出一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括基板、第一型摻雜半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二型摻雜半導(dǎo)體層、第一介電層、第一導(dǎo)電插塞、第一電極及第二電極。其中，第一型摻雜半導(dǎo)體層是設(shè)置于基板上，且發(fā)光層及第二型摻雜半導(dǎo)體層是依次設(shè)置于部分第一型摻雜半導(dǎo)體層上。第一介電層是設(shè)置于未被發(fā)光層覆蓋的部分第一型摻雜半導(dǎo)體層上，且設(shè)置于第一介電層上的第一電極是通過(guò)位于第一介電層中的第一導(dǎo)電插塞而電連接于第一型摻雜半導(dǎo)體層。此外，第二電極則是電連接于第二型摻雜半導(dǎo)體層。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述發(fā)光二極管還可以包括第二介電層，其是設(shè)置于部分第二型摻雜半導(dǎo)體層上。在一實(shí)例中，上述發(fā)光二極管還可以包括第二導(dǎo)電插塞，其位于第二介電層中。而且，第二電極設(shè)置于第二介電層上，并通過(guò)此第二導(dǎo)電插塞而與第二型摻雜半導(dǎo)體層電連接。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述發(fā)光二極管還可以包括透明導(dǎo)電層，設(shè)置于上述第二型摻雜半導(dǎo)體層與第二電極之間。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述第一型摻雜半導(dǎo)體層、發(fā)光層與第二型摻雜半導(dǎo)體層的材質(zhì)包括III-V族化合物半導(dǎo)體材料。舉例來(lái)說(shuō)，第一型摻雜半導(dǎo)體層、發(fā)光層與第二型摻雜半導(dǎo)體層的材質(zhì)例如是氮化鎵、磷化鎵或磷砷化鎵。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述第一型摻雜半導(dǎo)體例如是n型摻雜半導(dǎo)體層，而第二型摻雜半導(dǎo)體層例如是p型摻雜半導(dǎo)體層。當(dāng)然，在另一實(shí)施例中，第一型摻雜半導(dǎo)體也可以是p型摻雜半導(dǎo)體層，而第二型摻雜半導(dǎo)體層則例如是n型摻雜半導(dǎo)體層。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述基板的材質(zhì)可以是藍(lán)寶石、碳化硅、尖晶石或硅。
本發(fā)明還提出一種發(fā)光二極管的制造方法，此方法是先在基板上依次形成第一型摻雜半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二型摻雜半導(dǎo)體層與掩膜層(masklayer)。其中，掩膜層是暴露出部分第二型摻雜半導(dǎo)體層。接著，以掩膜層為掩膜，移除暴露出的第二型摻雜半導(dǎo)體層與其下方的發(fā)光層，以暴露出部分第一型摻雜半導(dǎo)體層。然后，在掩膜層與第一型摻雜半導(dǎo)體層上形成介電材料層。之后，移除部分介電材料層與掩膜層，以于未被發(fā)光層所覆蓋的部分第一型摻雜半導(dǎo)體層上形成第一介電層。接著，在第一介電層中形成第一導(dǎo)電插塞，以與第一型摻雜半導(dǎo)體層電連接。接著再分別形成第一電極與第二電極，其中第二電極是與第二型摻雜半導(dǎo)體層電連接，且第一電極是通過(guò)第一導(dǎo)電插塞而與第一型摻雜半導(dǎo)體層電連接。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述未被掩膜層所覆蓋的部分第二型摻雜半導(dǎo)體層與其下方的發(fā)光層，通過(guò)各向異性蝕刻來(lái)移除。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，移除上述掩膜層及部分介電材料層的方法例如是先在介電材料層上形成圖案化光刻膠層，此圖案化光刻膠層是暴露出部分介電材料層。接著，利用此圖案化光刻膠層為掩膜，依次移除該圖案化光刻膠層所暴露的該介電材料層、掩膜層。之后，移除圖案化光刻膠層與部分介電材料層。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述掩膜層的材質(zhì)例如是鎳，且其例如是通過(guò)王水溶液而移除。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述介電材料層的材質(zhì)例如是二氧化硅，且其例如是通過(guò)氟化氫而移除。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述移除圖案化光刻膠層與部分介電材料層的方法例如是先將膜片粘著于圖案化光刻膠層上，然后再撕取此膜片，以使圖案化光刻膠層與部分介電材料層連同此膜片而從基板上被撕離。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，在形成該第一介電層之后以及形成第一電極與第二電極之前，還可以先在基板上形成第二介電層，以覆蓋部分第二型摻雜半導(dǎo)體層。然后再于第二介電層中形成第二導(dǎo)電插塞，以使后續(xù)形成的第二電極通過(guò)此第二導(dǎo)電插塞，而與第二型摻雜半導(dǎo)體層電連接。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，在形成該第一介電層之后以及形成第二電極之前，還包括在第二型摻雜半導(dǎo)體層上形成透明導(dǎo)電層。
本發(fā)明是在發(fā)光二極管的第一電極與第一型摻雜半導(dǎo)體層之間設(shè)置第一介電層，以使第一電極通過(guò)第一介電層中的第一導(dǎo)電插塞而與第一型摻雜半導(dǎo)體層電連接，進(jìn)而降低第一電極與第一型摻雜半導(dǎo)體層之間的阻值，以改善發(fā)光二極管的電特性。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1為公知的發(fā)光二極管的剖面示意圖。
圖2A至圖2F為本發(fā)明的較佳實(shí)施例中發(fā)光二極管的制造流程剖面圖。
圖3A至圖3D為形成圖2D的結(jié)構(gòu)的流程剖面圖。
圖4為本發(fā)明的另一實(shí)施例的發(fā)光二極管的剖面圖。
圖5為本發(fā)明的又一實(shí)施例的發(fā)光二極管的剖面圖。
主要元件標(biāo)記說(shuō)明100、200、400、500發(fā)光二極管110、210基板120n型摻雜半導(dǎo)體層122、142電極
130、230發(fā)光層140p型摻雜半導(dǎo)體層150、290透明導(dǎo)電層220第一型摻雜半導(dǎo)體層240第二型摻雜半導(dǎo)體層250掩膜層260介電材料層262第一介電層264第一導(dǎo)電插塞266第二介電層268第二導(dǎo)電插塞270圖案化光刻膠層272膜片282第一電極284第二電極具體實(shí)施方式
圖2A至圖2F為本發(fā)明的較佳實(shí)施例中發(fā)光二極管的制造流程剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2A，首先在基板210上依次形成第一型摻雜半導(dǎo)體層220、發(fā)光層230、第二型摻雜半導(dǎo)體層240與掩膜層250。其中，掩膜層250是暴露出部分第二型摻雜半導(dǎo)體層240。
承上所述，基板210的材質(zhì)例如是藍(lán)寶石(sapphire)、碳化硅、尖晶石或硅。第一型摻雜半導(dǎo)體層220、發(fā)光層230與第二型摻雜半導(dǎo)體層240的材質(zhì)例如是III-V族化合物半導(dǎo)體材料，且常用的是氮化鎵、磷化鎵或磷砷化鎵。本實(shí)施例的第一型摻雜半導(dǎo)體層220例如是n型摻雜半導(dǎo)體層，第二型摻雜半導(dǎo)體層240則例如是p型摻雜半導(dǎo)體層。但在其它實(shí)施例中，第一型摻雜半導(dǎo)體層220也可以是p型摻雜半導(dǎo)體層，而第二型摻雜半導(dǎo)體層240則是n型摻雜半導(dǎo)體層。此外，掩膜層250的材質(zhì)例如是鎳。
請(qǐng)參照?qǐng)D2B，接著以掩膜層250為掩膜，移除部分第二型摻雜半導(dǎo)體層240與部分發(fā)光層230，以暴露出部分的第一型摻雜半導(dǎo)體層220。在本實(shí)施例中，其是以各向異性蝕刻(anisotropic etching)的方式來(lái)移除掩膜層250所暴露出的第二型摻雜半導(dǎo)體層240與其下方的發(fā)光層230。舉例而言，此各向異性蝕刻工藝?yán)缡欠磻?yīng)離子蝕刻(reaction ion etching，RIE)工藝。
請(qǐng)接著參照?qǐng)D2C，在基板200上形成介電材料層260，以覆蓋住掩膜層250與第一型摻雜半導(dǎo)體層220。其中，介電材料層260的材質(zhì)例如是二氧化硅。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2D，移除掩膜層250以及部分的介電材料層260，以于掩膜層250所暴露的部分第一型摻雜半導(dǎo)體層220上形成第一介電層262。以下將舉例詳細(xì)說(shuō)明形成第一介電層262的過(guò)程，但其并非用以限定本發(fā)明。
圖3A至圖3D為形成圖2D的結(jié)構(gòu)的流程剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3A，本實(shí)施例例如是先在介電材料層260上形成圖案化光刻膠層270，接著利用圖案化光刻膠層270為掩膜，移除圖案化光刻膠層270所暴露出的部分介電材料層260。在此步驟中，可通過(guò)氟化氫(HF)溶液來(lái)進(jìn)行濕式蝕刻(wetetching)，以移除本實(shí)施例中由二氧化硅(SiO2)所組成的介電材料層260。請(qǐng)參照?qǐng)D3B，在移除暴露出的介電材料層260之后，接著再移除掩膜層250。在此步驟中，其例如是通過(guò)王水(aqua regia)溶液來(lái)進(jìn)行濕式蝕刻(wet etching)，以移除本實(shí)施例中由鎳所組成的掩膜層250。
最后，移除圖案化光刻膠層270與未被蝕刻的部分介電材料層260，以于第一型摻雜半導(dǎo)體220上形成圖2D的第一介電層262。值得注意的是，此處例如是以剝離(lift-off)的方式來(lái)移除圖案化光刻膠層270，而使部分介電材料層260與圖案化光刻膠層270一并從基板210上被剝離。舉例來(lái)說(shuō)，請(qǐng)參照?qǐng)D3C，本實(shí)施例例如是先將膜片272粘著在圖案化光刻膠層上，然后再如圖3D所示，將膜片272從基板210上剝離，以使圖案化光刻膠層270與部分介電材料層260連同該膜片272而從基板210上被剝離，以形成圖2D的結(jié)構(gòu)。
請(qǐng)參照?qǐng)D2E，在形成第一介電層262之后，接著在第一介電層262中形成第一導(dǎo)電插塞264，以電連接至第一型摻雜半導(dǎo)體層220。其中，第一導(dǎo)電插塞264例如是以蒸鍍的方式形成。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2F，形成第一電極282與第二電極284，其中第一電極282與第二電極284的材質(zhì)例如是鋁或其它具有高反射系數(shù)的導(dǎo)電材料。在此，由于第一電極282是形成于第一介電層262上，并通過(guò)第一導(dǎo)電插塞264而與第一型摻雜半導(dǎo)體層220電連接，因此第一電極282與第一型摻雜半導(dǎo)體層220之間可以具有比公知技術(shù)更好的電接觸，進(jìn)而改善第一電極282的可靠性(reliability)。
在此值得一提的是，如圖2F所示，形成第二電極284之前，還可以先在第二型摻雜半導(dǎo)體層240上形成透明導(dǎo)電層290，以改善電流在第一型摻雜半導(dǎo)體層220、發(fā)光層230與第二型摻雜半導(dǎo)體層240的傳導(dǎo)均勻性。其中，透明導(dǎo)電層290的材質(zhì)例如是銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)或銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)。本實(shí)施例的第二電極284即是形成于透明導(dǎo)電層290上，并通過(guò)透明導(dǎo)電層290而與第二型摻雜半導(dǎo)體層240電連接。
特別的是，請(qǐng)參照?qǐng)D4，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，還可以在形成第一介電層262之后，以及形成第一導(dǎo)電插塞264之前，于基板210上形成第二介電層266，以覆蓋第一介電層262與第二型摻雜半導(dǎo)體層240，然后在形成第一導(dǎo)電插塞264的同時(shí)，一并在第二介電層266中形成與第二型摻雜半導(dǎo)體層240電連接的第二導(dǎo)電插塞268。之后，如上述實(shí)施例的說(shuō)明，形成第一電極282與第二電極284，以分別電連接至第一型摻雜半導(dǎo)體層220與第二型摻雜半導(dǎo)體層240。需要注意的是，此實(shí)施例的第一導(dǎo)電插塞264是貫穿第一介電層262與第二介電層266而與第一型摻雜半導(dǎo)體層220電連接。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D4，由于本實(shí)施例是將第一電極282設(shè)置于第二介電層266上，因此可在不必縮小第一電極282的面積的前提下，增加發(fā)光層230的面積，進(jìn)而增加此發(fā)光二極管400的發(fā)光面積。而且，若實(shí)際工藝中需要通過(guò)增加第一電極282的面積來(lái)提高后續(xù)引線鍵合工藝的合格率，亦不會(huì)對(duì)發(fā)光二極管400的發(fā)光面積造成不良的影響。換言之，發(fā)光二極管400可同時(shí)具有大發(fā)光面積以及高合格率的引線鍵合工藝。
在形成第一電極282與第二電極284之后，即大致完成發(fā)光二極管200的制造，后續(xù)其它工藝則為所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知，此處不再贅述。
以下將以圖2F的發(fā)光二極管200為例，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，以使所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員更加了解本發(fā)明的特點(diǎn)。
請(qǐng)參照?qǐng)D2F，發(fā)光二極管200主要是由基板210、第一型摻雜半導(dǎo)體層220、發(fā)光層230、第二型摻雜半導(dǎo)體層240、第一介電層262、第一導(dǎo)電插塞264、第一電極282及第二電極284所構(gòu)成。其中，第一型摻雜半導(dǎo)體層220是設(shè)置于基板210上，且發(fā)光層230及第二型摻雜半導(dǎo)體層240是依次設(shè)置于部分第一型摻雜半導(dǎo)體層220上，第一介電層262則是設(shè)置于未被發(fā)光層230覆蓋的部分第一型摻雜半導(dǎo)體層220上。
承上所述，設(shè)置于第一介電層262上的第一電極282是通過(guò)位于第一介電層262中的第一導(dǎo)電插塞264而電連接于第一型摻雜半導(dǎo)體層220。第二電極284則是電連接于第二型摻雜半導(dǎo)體層240，且其例如是通過(guò)設(shè)置于第二型摻雜半導(dǎo)體層240上的透明導(dǎo)電層290，而與第二型摻雜半導(dǎo)體層240電連接。在此，由于發(fā)光二極管200的第一電極282是通過(guò)第一導(dǎo)電插塞264而電連接于第一型摻雜半導(dǎo)體層220，因此可以降低第一電極282與第一型摻雜半導(dǎo)體層220之間的阻值。
值得一提的是，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，如圖4所示，在第一介電層262上還設(shè)置有第二介電層266，且第一電極264是設(shè)置于第二介電層266上，并通過(guò)貫穿第二介電層266與第一介電層262的第一導(dǎo)電插塞264，而電連接至第一型摻雜半導(dǎo)體層220?；蛘?，如圖5所示，第一介電層262可以是部分地覆蓋住第二型摻雜半導(dǎo)體層240。如此一來(lái)，即可增加第一電極282的預(yù)定設(shè)置處的面積，進(jìn)而在不縮小發(fā)光層230面積的前提下，增加第一電極282的面積，以利于進(jìn)行后續(xù)引線鍵合工藝。
需要在此說(shuō)明的是，圖4的第一介電層262與第二介電層266可以是如上述實(shí)施例的說(shuō)明，分別在不同工藝中形成，但在其它實(shí)施例中，第一介電層262與第二介電層266也可以是在同一道工藝中由同一膜層所構(gòu)成，本發(fā)明并未對(duì)此加以限定。
此外，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該知道，圖5的發(fā)光二極管500的制造工藝?yán)缡窍仍诨?10上依次形成第一型摻雜半導(dǎo)體層220、發(fā)光層230、第二型摻雜半導(dǎo)體層240與透明導(dǎo)電層290之后，再形成第一介電層262，以覆蓋住第一型摻雜半導(dǎo)體層220與部分的第二型摻雜半導(dǎo)體層240。其中，第一介電層262例如是以光刻及蝕刻的方式而形成。后續(xù)形成第一導(dǎo)電插塞264、第二導(dǎo)電插塞268、第一電極282與第二電極284的工藝則與上述實(shí)施例相同此處不再贅述。
綜上所述，本發(fā)明的發(fā)光二極管是在第一電極與第一型摻雜半導(dǎo)體層之間設(shè)置第一介電層，以使第一電極通過(guò)第一介電層中的第一導(dǎo)電插塞而與第一型摻雜半導(dǎo)體層電連接，進(jìn)而降低第一電極與第一型摻雜半導(dǎo)體層之間的阻值，以改善發(fā)光二極管的電特性。
此外，由于本發(fā)明的發(fā)光二極管的第一電極并非設(shè)置于第一型摻雜半導(dǎo)體層上，因此可在不縮小第一電極面積的前提下，增加發(fā)光層的面積，進(jìn)而增加發(fā)光二極管的發(fā)光面積。以另一角度來(lái)看，本發(fā)明亦可在不縮小發(fā)光層面積的情況下，增加第一電極的面積，進(jìn)而提高后續(xù)引線鍵合工藝的合格率。
總而言之，與公知技術(shù)相比之下，本發(fā)明的發(fā)光二極管不但具有較大的發(fā)光面積，且本發(fā)明的發(fā)光二極管亦可具有較大的電極面積，因而能夠同時(shí)達(dá)到增加發(fā)光面積及提高引線鍵合工藝的合格率的目的。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與改進(jìn)，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管，其特征是包括基板；第一型摻雜半導(dǎo)體層，設(shè)置于該基板上；發(fā)光層，設(shè)置于部分該第一型摻雜半導(dǎo)體層上；第二型摻雜半導(dǎo)體層，設(shè)置于該發(fā)光層上；第一介電層，設(shè)置于未被該發(fā)光層所覆蓋的部分該第一型摻雜半導(dǎo)體層上；第一導(dǎo)電插塞，貫穿該第一介電層而與該第一型摻雜半導(dǎo)體層電連接；第一電極，設(shè)置于該第一介電層上，以通過(guò)該第一導(dǎo)電插塞而與該第一型摻雜半導(dǎo)體層電連接；以及第二電極，電連接于該第二型摻雜半導(dǎo)體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征是還包括第二介電層，設(shè)置于部分該第二型摻雜半導(dǎo)體層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征是還包括第二導(dǎo)電插塞，位于該第二介電層中，且該第二電極是設(shè)置于該第二介電層上，并通過(guò)該第二導(dǎo)電插塞而與該第二型摻雜半導(dǎo)體層電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征是還包括透明導(dǎo)電層，設(shè)置于該第二型摻雜半導(dǎo)體層與該第二電極之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征是該第一型摻雜半導(dǎo)體層、該發(fā)光層與該第二型摻雜半導(dǎo)體層的材質(zhì)包括III-V族化合物半導(dǎo)體材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征是該III-V族化合物半導(dǎo)體材料包括氮化鎵、磷化鎵或磷砷化鎵。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征是該第一型摻雜半導(dǎo)體層為n型摻雜半導(dǎo)體層，而該第二型摻雜半導(dǎo)體層為p型摻雜半導(dǎo)體層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征是該第一型摻雜半導(dǎo)體層為p型摻雜半導(dǎo)體層，而該第二型摻雜半導(dǎo)體層為n型摻雜半導(dǎo)體層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征是該基板包括藍(lán)寶石、碳化硅、尖晶石或硅基板。
10.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征是包括于基板上依次形成第一型摻雜半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二型摻雜半導(dǎo)體層與掩膜層，其中該掩膜層暴露出部分該第二型摻雜半導(dǎo)體層；以該掩膜層為掩膜，移除暴露出的該第二型摻雜半導(dǎo)體層與部分該發(fā)光層，以暴露出部分該第一型摻雜半導(dǎo)體層；于該掩膜層與該第一型摻雜半導(dǎo)體層上形成介電材料層；移除該掩膜層與部分該介電材料層，以于未被該發(fā)光層所覆蓋的部分該第一型摻雜半導(dǎo)體層上形成第一介電層；于該第一介電層中形成第一導(dǎo)電插塞，以與該第一型摻雜半導(dǎo)體層電連接；以及分別形成第一電極與第二電極，其中該第二電極是與該第二型摻雜半導(dǎo)體層電連接，且該第一電極是通過(guò)該第一導(dǎo)電插塞而與該第一型摻雜半導(dǎo)體層電連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征是部分該第二型摻雜半導(dǎo)體層與部分該發(fā)光層通過(guò)各向異性蝕刻來(lái)移除。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征是移除該掩膜層及部分該介電材料層的方法包括于該介電材料層上形成圖案化光刻膠層；利用該圖案化光刻膠層為掩膜，移除該圖案化光刻膠層所暴露的部分該介電材料層；利用該圖案化光刻膠層為掩膜，移除該掩膜層；以及移除該圖案化光刻膠層與部分該介電材料層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征是該掩膜層的材質(zhì)包括鎳，且該掩膜層是通過(guò)王水溶液而移除。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征是該介電材料層的材質(zhì)包括二氧化硅，且該介電層材料是通過(guò)氟化氫而移除。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征是移除該圖案化光刻膠層與部分該介電材料層的方法包括將膜片粘著于該圖案化光刻膠層上；以及剝離該膜片，以使該圖案化光刻膠層與部分該介電材料層連同該膜片而從該基板上被剝離。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征是在形成該第一介電層之后以及形成該第一電極與該第二電極之前，還包括在該基板上形成第二介電層，以覆蓋部分該第二型摻雜半導(dǎo)體層；以及在該第二介電層中形成第二導(dǎo)電插塞，以使后續(xù)形成的該第二電極通過(guò)該第二導(dǎo)電插塞，而與該第二型摻雜半導(dǎo)體層電連接。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征是在形成該第一介電層之后以及形成該第二電極之前，還包括在該第二型摻雜半導(dǎo)體層上形成透明導(dǎo)電層。
全文摘要
一種發(fā)光二極管及其制造方法，此發(fā)光二極管包括基板、第一型摻雜半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二型摻雜半導(dǎo)體層、第一介電層、第一導(dǎo)電插塞、第一電極及第二電極。其中，第一型摻雜半導(dǎo)體層是設(shè)置于基板上，且發(fā)光層及第二型摻雜半導(dǎo)體層是依次設(shè)置于部分第一型摻雜半導(dǎo)體層上。第一介電層是設(shè)置于未被發(fā)光層覆蓋的部分第一型摻雜半導(dǎo)體層上，且設(shè)置于第一介電層上的第一電極是通過(guò)位于第一介電層中的第一導(dǎo)電插塞而電連接于第一型摻雜半導(dǎo)體層。此外，第二電極則是電連接于第二型摻雜半導(dǎo)體層。
文檔編號(hào)H01L33/00GK1909252SQ20051008867
公開(kāi)日2007年2月7日 申請(qǐng)日期2005年8月1日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月1日
發(fā)明者溫偉值, 林藝峰, 曾煥哲, 潘錫明, 簡(jiǎn)奉任, 黃國(guó)瑞, 宋文洲 申請(qǐng)人:璨圓光電股份有限公司