專利名稱：發(fā)光二極管封裝體及其封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光二極管封裝體及其封裝方法。
背景技術(shù)：
目前，專供戶外使用的習(xí)知發(fā)光二極管封裝體已有防ESD的裝置。然而，該等習(xí)知發(fā)光二極管封裝體的體積會(huì)較大以致于不符合電子產(chǎn)品越益輕薄短小的趨勢。

發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的目的為提供一種尺寸能夠被有效縮減的具有逆向電壓保護(hù)裝置的發(fā)光二極管封裝體及其封裝方法。
本發(fā)明的另一目的為提供一種具有多芯片結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管封裝體及其封裝方法。
根據(jù)本發(fā)明的一種發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，包含如下的步驟提供一個(gè)能夠被激勵(lì)來發(fā)出光線的主發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)光線射出表面、一個(gè)與該光線射出表面相對(duì)的非光線射出表面、一個(gè)安裝于該二表面中之一表面上的具有一第一極性的第一電極、及一個(gè)安裝于該二表面中之一表面上的具有與該第一極性相反的第二極性的第二電極；于該發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上設(shè)置一個(gè)逆向電壓保護(hù)裝置的逆向電壓保護(hù)元件，該逆向電壓保護(hù)元件具有一個(gè)具有該第一極性的第一電極、及一個(gè)具有該第二極性的第二電極；形成一個(gè)用于建立至少一個(gè)在該主發(fā)光二極管芯片的其中一個(gè)電極與該逆向電壓保護(hù)元件的一個(gè)具有與該主發(fā)光二極管芯片的該其中一個(gè)電極的極性相反的極性的電極之間的電氣連接的電極連接導(dǎo)體單元；及形成至少兩個(gè)用于把該彼此電氣連接的電極電氣連接至外部電路之外部連接導(dǎo)電體單元。
根據(jù)本發(fā)明的另一種發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，包含如下的步驟提供一個(gè)能夠被激勵(lì)來發(fā)出光線的發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)光線射出表面、一個(gè)與該光線射出表面相對(duì)的非光線射出表面、一個(gè)安裝于該二表面中的一表面上的具有第一極性的第一電極、及一個(gè)安裝于與該第一電極相同的表面上的具有與該第一極性相反的第二極性的第二電極；于該發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上設(shè)置一逆向電壓保護(hù)裝置的逆向電壓保護(hù)元件，該逆向電壓保護(hù)元件為一電容器，該電容器具有兩個(gè)各延伸至該發(fā)光二極管芯片的兩個(gè)電極中的一個(gè)電極附近的具有彼此相反的極性的電極；于該發(fā)光二極管芯片的電極安裝表面上形成一絕緣層，該絕緣層是借助暴光與顯影處理來被設(shè)定以圖案而形成兩個(gè)用于暴露該發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極及該逆向電壓保護(hù)元件的延伸在發(fā)光二極管芯片的該對(duì)應(yīng)的電極附近的電極的貫孔；形成一電極連接導(dǎo)體單元，該電極連接導(dǎo)體單元包含兩個(gè)各在該絕緣層的一貫孔內(nèi)使由該絕緣層的該一貫孔所暴露的該發(fā)光二極管芯片的電極與該逆向電壓保護(hù)元件的電極電氣連接的導(dǎo)體；
于該絕緣層的表面上形成一覆蓋層，該覆蓋層形成有兩個(gè)用于暴露該電極連接導(dǎo)體單元的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的一部分的暴露孔；及形成至少兩個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包括一個(gè)在一對(duì)應(yīng)的暴露孔內(nèi)與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的該部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該暴露孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
根據(jù)本發(fā)明的又一種發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，包含如下的步驟提供一主發(fā)光二極管芯片，該主發(fā)光二極管芯片具有一允許外部光線穿透的非光線射出表面、一與該非光線射出表面相對(duì)的光線射出表面、一設(shè)置于該非光線射出表面的具有一第一極性的第一電極、及一設(shè)置于該非光線射出表面的具有一與該第一極性相反的第二極性的第二電極；形成一電極連接導(dǎo)體單元，該電極連接導(dǎo)體單元包含一個(gè)形成于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面的在該第一電極及其附近的表面區(qū)域上的透明導(dǎo)電金屬層；于該導(dǎo)電金屬層上設(shè)置一副發(fā)光二極管芯片，該副發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)安裝有該第一電極的第一表面和一個(gè)安裝有該第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該副發(fā)光二極管芯片是以其第二表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面而設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的導(dǎo)電金屬層上，以使該副發(fā)光二極管芯片的第二電極是經(jīng)由該導(dǎo)電金屬層來與該主發(fā)光二極管芯片的第一電極電氣連接；于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上形成一不透明覆蓋層以將該副發(fā)光二極管芯片覆蓋，該覆蓋層形成有兩個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的第二電極和該副發(fā)光二極管芯片的第一電極的開孔，及于該覆蓋層的每個(gè)開孔內(nèi)形成一外部連接導(dǎo)電體單元，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的電極電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
根據(jù)本發(fā)明的又一種發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，包含如下的步驟提供一個(gè)能夠被激勵(lì)來發(fā)出光線的主發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)光線射出表面、一個(gè)與該光線射出表面相對(duì)且允許外部光線穿透的非光線射出表面、一個(gè)安裝于該非光線射出表面上的具有一第一極性的第一電極、及一個(gè)安裝于該非光線射出表面上的具有與該第一極性相反的第二極性的第二電極；于該發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上設(shè)置一副發(fā)光二極管芯片，該副發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)有該第一極性的第一電極、及一個(gè)具有該第二極性的第二電極；形成一個(gè)用于建立至少一個(gè)在該主發(fā)光二極管芯片的其中一個(gè)電極與該逆向電壓保護(hù)元件的一個(gè)具有與該主發(fā)光二極管芯片的該其中一個(gè)電極的極性相同的極性的電極之間的電氣連接的電極連接導(dǎo)體單元；及形成至少兩個(gè)用于把該第一、第二電極電氣連接至外部電路的外部連接導(dǎo)電體單元。
根據(jù)本發(fā)明的另一種發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于包含如下的步驟提供一個(gè)能夠被激勵(lì)來發(fā)出光線的主發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)光線射出表面、一個(gè)與該光線射出表面相對(duì)的非光線射出表面、一個(gè)安裝于該二表面中的一表面上的具有一第一極性的第一電極、及一個(gè)安裝于該二表面中的一表面上的具有與該第一極性相反的第二極性的第二電極；于該發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上設(shè)置一個(gè)副發(fā)光二極管芯片，該副發(fā)光二極管芯片具有與該主發(fā)光二極管芯片的電極對(duì)準(zhǔn)的第一和第二電極區(qū)域，該第一電極區(qū)域具有該第一極性而該第二電極區(qū)域具有該第二極性，該第一、二電極區(qū)域各形成有一個(gè)暴露該主發(fā)光二極管芯片的一具有與其極性相同的極性的電極的貫孔；及形成至少兩個(gè)用于把該等電極電氣連接至外部電路之外部連接導(dǎo)電體單元，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包括一個(gè)在一對(duì)應(yīng)的貫孔內(nèi)與該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極和該副發(fā)光二極管的對(duì)應(yīng)的電極區(qū)域電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的貫孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
根據(jù)本發(fā)明的一種發(fā)光二極管封裝體，其特征在于包含一個(gè)能夠被激勵(lì)來發(fā)出光線的主發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)光線射出表面、一個(gè)與該光線射出表面相對(duì)的非光線射出表面、一個(gè)安裝于該二表面中的一表面上的具有一第一極性的第一電極、及一個(gè)安裝于該二表面中的一表面上的具有與該第一極性相反的第二極性的第二電極；一個(gè)設(shè)置于該發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的逆向電壓保護(hù)裝置的逆向電壓保護(hù)元件，該逆向電壓保護(hù)元件具有一個(gè)具有該第一極性的第一電極、及一個(gè)具有該第二極性的第二電極；一個(gè)用于建立至少一個(gè)在該主發(fā)光二極管芯片的其中一個(gè)電極與該逆向電壓保護(hù)元件的一個(gè)具有與該主發(fā)光二極管芯片的該其中一個(gè)電極的極性相反的極性的電極之間的電氣連接的電極連接導(dǎo)體單元；及至少兩個(gè)用于把該等電極電氣連接至外部電路的外部連接導(dǎo)電體單元。
根據(jù)本發(fā)明的另一種發(fā)光二極管封裝體，其特征在于包含一個(gè)能夠被激勵(lì)來發(fā)出光線的主發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)光線射出表面、一個(gè)與該光線射出表面相對(duì)的非光線射出表面、一個(gè)安裝于該二表面中的一表面上的具有一第一極性的第一電極、及一個(gè)安裝于該二表面中的一表面上的具有與該第一極性相反的第二極性的第二電極；一個(gè)設(shè)置于該發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的逆向電壓保護(hù)裝置的逆向電壓保護(hù)元件，該逆向電壓保護(hù)元件具有與該主發(fā)光二極管芯片的電極對(duì)準(zhǔn)的第一和第二電極區(qū)域，該第一電極區(qū)域具有該第一極性而該第二電極區(qū)域具有該第二極性，該等電極區(qū)域各形成有一個(gè)暴露該主發(fā)光二極管芯片的一具有與其的極性相反的極性的電極的貫孔；及至少兩個(gè)用于把該等電極電氣連接至外部電路之外部連接導(dǎo)電體單元。
根據(jù)本發(fā)明的另一種發(fā)光二極管封裝體，其特征在于包含一個(gè)能夠被激勵(lì)來發(fā)出光線的發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)光線射出表面、一個(gè)與該光線射出表面相對(duì)的非光線射出表面、一個(gè)安裝于該二表面中的一表面上的具有一第一極性的第一電極、及一個(gè)安裝于與該第一電極相同的表面上的具有與該第一極性相反的第二極性的第二電極；一個(gè)設(shè)置于該發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的逆向電壓保護(hù)裝置的逆向電壓保護(hù)元件，該逆向電壓保護(hù)元件為一電容器，該電容器具有兩個(gè)各延伸至該發(fā)光二極管芯片的兩個(gè)電極中的一電極附近的具有彼此相反的極性的電極；一個(gè)形成于該發(fā)光二極管芯片的電極安裝表面上的絕緣層，該絕緣層是借助暴光與顯影處理來被定以圖案可形成兩個(gè)用于暴露該發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極及該逆向電壓保護(hù)元件的延伸在發(fā)光二極管芯片的該對(duì)應(yīng)的電極附近的電極的貫孔；一個(gè)電極連接導(dǎo)體單元，該電極連接導(dǎo)體單元包含兩個(gè)各在該絕緣層的一貫孔內(nèi)可使由該絕緣層的該一貫孔所暴露的該發(fā)光二極管芯片的電極與該逆向電壓保護(hù)元件的電極電氣連接的導(dǎo)體；一個(gè)形成于該絕緣層的表面上的覆蓋層，該覆蓋層形成有兩個(gè)用于暴露該電極連接導(dǎo)體單元的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的一部分的暴露孔；及至少兩個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包括一個(gè)在一對(duì)應(yīng)的暴露孔內(nèi)與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的該部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該暴露孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
根據(jù)本發(fā)明的另一種發(fā)光二極管封裝體，其特征在于包含一主發(fā)光二極管芯片，該主發(fā)光二極管芯片具有一允許外部光線穿透的非光線射出表面、一與該非光線射出表面相對(duì)的光線射出表面、一設(shè)置于該非光線射出表面的具有一第一極性的第一電極、及一設(shè)置于該非光線射出表面的具有一與該第一極性相反的第二極性的第二電極；一個(gè)電極連接導(dǎo)體單元，該電極連接導(dǎo)體單元包含一個(gè)形成于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面的在該第一電極及其附近的表面區(qū)域上的透明導(dǎo)電金屬層；一個(gè)設(shè)置于該導(dǎo)電金屬層上的副發(fā)光二極管芯片，該副發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)安裝有該第一電極的第一表面和一個(gè)安裝有該第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該副發(fā)光二極管芯片是以其第二表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面而設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的導(dǎo)電金屬層上以使該副發(fā)光二極管芯片的第二電極是經(jīng)由該導(dǎo)電金屬層來與該主發(fā)光二極管芯片的第一電極電氣連接；一個(gè)形成于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的不透明覆蓋層以致于該副發(fā)光二極管芯片被覆蓋，該覆蓋層形成有兩個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的第二電極和該副發(fā)光二極管芯片的第一電極的開孔，及形成于該覆蓋層的每個(gè)開孔內(nèi)之外部連接導(dǎo)電體單元，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的電極電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
根據(jù)本發(fā)明的另一種發(fā)光二極管封裝體，其特征在于包含一個(gè)能夠被激勵(lì)來發(fā)出光線的主發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)光線射出表面、一個(gè)與該光線射出表面相對(duì)且允許外部光線穿透的非光線射出表面、一個(gè)安裝于該非光線射出表面上的具有一第一極性的第一電極、及一個(gè)安裝于該非光線射出表面上的具有與該第一極性相反的第二極性的第二電極；一個(gè)設(shè)置于該發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的副發(fā)光二極管芯片，該副發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)有該第一極性的第一電極、及一個(gè)具有該第二極性的第二電極；一個(gè)用于建立至少一個(gè)在該主發(fā)光二極管芯片的其中一個(gè)電極與該逆向電壓保護(hù)元件的一個(gè)具有與該主發(fā)光二極管芯片的該其中一個(gè)電極的極性相同的極性的電極之間的電氣連接的電極連接導(dǎo)體單元；及至少兩個(gè)用于把該等電極電氣連接至外部電路之外部連接導(dǎo)電體單元。
根據(jù)本發(fā)明的另一種發(fā)光二極管封裝體，其特征在于包含一個(gè)能夠被激勵(lì)來發(fā)出光線的主發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)光線射出表面、一個(gè)與該光線射出表面相對(duì)的非光線射出表面、一個(gè)安裝于該二表面中的一表面上的具有一第一極性的第一電極、及一個(gè)安裝于該二表面中的一表面上的具有與該第一極性相反的第二極性的第二電極；一個(gè)設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的副發(fā)光二極管芯片，該副發(fā)光二極管芯片具有與該主發(fā)光二極管芯片的電極對(duì)準(zhǔn)的第一和第二電極區(qū)域，該第一電極區(qū)域具有該第一極性而該第二電極區(qū)域具有該第二極性，該等電極區(qū)域各形成有一個(gè)暴露該主發(fā)光二極管芯片的一具有與其的極性相同的極性的電極的貫孔；及至少兩個(gè)用于把該等電極電氣連接至外部電路之外部連接導(dǎo)電體單元，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包括一個(gè)在一對(duì)應(yīng)的貫孔內(nèi)與該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極和該副發(fā)光二極管的對(duì)應(yīng)的電極區(qū)域電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的貫孔之外的第二導(dǎo)電體部分。

圖1至8為顯示本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法的示意流程剖視圖；圖9至12為顯示本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法的示意流程剖視圖；圖13至15為顯示本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法的示意流程剖視圖；圖16至19為顯示本發(fā)明的第四較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法的示意流程剖視圖；圖20和21為顯示本發(fā)明的第五較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法的示意流程剖視圖；圖22至25為顯示本發(fā)明的第六較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法的示意流程圖；及圖26至30為顯示本發(fā)明的第七較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法的示意流程剖視圖。
具體實(shí)施方式在本發(fā)明的目前較佳實(shí)施例被詳細(xì)說明之前，應(yīng)要注意的是，在本發(fā)明的圖式中，相同的標(biāo)號(hào)是用來標(biāo)示相同的元件。而且，為了表現(xiàn)本發(fā)明的特征，圖式中的元件并不是按實(shí)際比例繪制。
圖1-8為顯示本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法的示意流程圖。
請(qǐng)參閱圖1、2所示，一個(gè)能夠被激勵(lì)來發(fā)出光線的主發(fā)光二極管芯片1是首先被提供。該主發(fā)光二極管芯片1具有一非光線射出表面10、一與該非光線射出表面10相對(duì)的光線射出表面11、及安裝于該非光線射出表面10上的第一和第二電極12和13。該第一電極12具有一第一極性而該第二電極13具有一與該第一極性相反的第二極性。應(yīng)要注意的是，于每個(gè)電極12，13的表面上是可依需求來設(shè)置一輔助導(dǎo)電層(圖中未示)。該輔助導(dǎo)電層可以包含一或兩個(gè)由鎳、金或任何其他適合的金屬材料中選擇出來的金屬材料形成的金屬層。然后，一個(gè)由不透明的光敏性光阻材料形成的絕緣層2是形成于該主發(fā)光二極管芯片1的非光線射出表面10上。
隨后，借助暴光和顯影處理，該絕緣層2是被定以圖案可形成兩個(gè)用于暴露對(duì)應(yīng)的電極12，13的暴露孔20。
然后，一個(gè)由不透明的光敏性光阻材料形成的保護(hù)層3是形成于該絕緣層2上，如在圖3中所示。
接著，借助暴光和顯影處理，該保護(hù)層3是被定以圖案可形成兩個(gè)與該絕緣層2的對(duì)應(yīng)的暴露孔20連通且在尺寸上較大的貫孔30，如在圖4中所示。
在貫孔30的形成之后，于該絕緣層2的每個(gè)暴露孔20及該保護(hù)層3的每個(gè)與該絕緣層2的一對(duì)應(yīng)的暴露孔20連通的貫孔30內(nèi)形成一導(dǎo)體4以致于該等導(dǎo)體4是與該主發(fā)光二極管芯片1的對(duì)應(yīng)的電極12，13電氣連接。該等導(dǎo)體4是由像導(dǎo)電膠或金屬材料般的任何適合的材料利用像印刷或?yàn)R鍍般的任何適合的方法來被形成。
應(yīng)要注意的是，于每個(gè)導(dǎo)體4的表面上是可依需求來設(shè)置有一如上所述的輔助導(dǎo)電層(圖中未示)。
請(qǐng)參閱圖5所示，然后，作為逆向電壓保護(hù)裝置的一逆向電壓保護(hù)元件5是被提供。在本實(shí)施例中，該逆向電壓保護(hù)元件5為一副發(fā)光二極管芯片。該逆向電壓保護(hù)元件5具有一個(gè)在面積上是比該主發(fā)光二極管芯片1的非光線射出表面10小的第一表面50、一與該第一表面50相對(duì)的第二表面51、及安裝于該第二表面51上且分別具有該第一極性和該第二極性的第一和第二電極52和53。應(yīng)要注意的是，于該副發(fā)光二極管芯片5的電極52，53的表面上亦是可依需求設(shè)置有一個(gè)如上所述的輔助導(dǎo)電層(圖中未示)。然后，一個(gè)由不透明的光敏性光阻材料形成的絕緣層6是形成于該副發(fā)光二極管芯片5的第二表面51上。
要注意的是，該第一表面50可以是光線射出表面而該第二表面51可以是非光線射出表面，或者相反。
隨后，借助暴光和顯影處理，該絕緣層6是被定以圖案可形成兩個(gè)用于暴露對(duì)應(yīng)的電極52，53的暴露孔60。
然后，一個(gè)由不透明的光敏性光阻材料形成的保護(hù)層7是形成于該絕緣層6上，如在圖6中所示。
接著，借助暴光和顯影處理，該保護(hù)層7是被定以圖案可形成兩個(gè)與該絕緣層6的對(duì)應(yīng)的暴露孔60連通且在尺寸上較大的貫孔70，如在圖7中所示。
在貫孔70的形成之后，于該絕緣層6的每個(gè)暴露孔60及該保護(hù)層7的每個(gè)與該絕緣層6的一對(duì)應(yīng)的暴露孔60連通的貫孔70內(nèi)形成一導(dǎo)體4以致于該等導(dǎo)體4是與該副發(fā)光二極管芯片5的對(duì)應(yīng)的電極52，53電氣連接。該等導(dǎo)體4是由像導(dǎo)電膠或金屬材料般的任何適合的材料利用像印刷或?yàn)R鍍般的任何適合的方法來被形成。與該主發(fā)光二極管芯片1的該等電極12，13電氣連接及與該副發(fā)光二極管芯片5的該等電極52，53電氣連接的該等導(dǎo)體4共同作為一電極連接導(dǎo)體單元。
應(yīng)要注意的是，于與該副發(fā)光二極管芯片5的該等電極52，53電氣連接的該等導(dǎo)體4的表面上亦是可依需求來設(shè)置有一如上所述的輔助導(dǎo)電層(圖中未示)。
隨后，如在圖8中所示，該逆向電壓保護(hù)元件5然后是在其的第二表面51面向該主發(fā)光二極管芯片1的非光線射出表面10下設(shè)置于該發(fā)光二極管芯片1的保護(hù)層3的表面上以致于該主發(fā)光二極管芯片1的第一電極12是經(jīng)由對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體4來電氣連接至該副發(fā)光二極管芯片5的第二電極53而該主發(fā)光二極管芯片1的第二電極13是經(jīng)由對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體4來電氣連接至該副發(fā)光二極管芯片5的第一電極52。
接著，一個(gè)由不透明的光敏性光阻材料形成的覆蓋層8是形成于該主發(fā)光二極管芯片1的保護(hù)層3的表面上可覆蓋該副發(fā)光二極管芯片5。借助暴光和顯影處理，該覆蓋層8是形成有兩個(gè)用于暴露形成在該主發(fā)光二極管芯片1的保護(hù)層3的貫孔30內(nèi)的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體4的一部分的開孔80。
在開孔80的形成之后，兩個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元9被形成。每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元9包括一個(gè)在一對(duì)應(yīng)的開孔80內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔80所暴露的導(dǎo)體4的該部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分90及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分90電氣連接且突伸在該開孔80之外可與外部電路(圖中未示)電氣連接的第二導(dǎo)電體部分81。
應(yīng)要注意的是，該等外部連接導(dǎo)電體單元9可以由任何適合的材料利用任何適合的方法來被形成。此外，端視使用的方法而定，該等外部連接導(dǎo)電體單元9的第一和第二導(dǎo)電體部分可以由相同或不相同的導(dǎo)電材料制成。
要了解的是，在本實(shí)施例中，由于該等絕緣層2，6、該等保護(hù)層3，7以及該覆蓋層8皆是由不透明的光敏性光阻材料形成，當(dāng)該副發(fā)光二極管芯片5是由于逆向電壓的出現(xiàn)而運(yùn)作來保護(hù)該主發(fā)光二極管芯片1時(shí)，由該副發(fā)光二極管芯片5在瞬間所產(chǎn)生的光線不會(huì)影響到該主發(fā)光二極管芯片1所產(chǎn)生的光線。另一方面，在本實(shí)施例中，雖然該逆向電壓保護(hù)元件5是以發(fā)光二極管芯片作為例子，然而，應(yīng)要了解的是，齊納二極管(Zenor diode)是可以被使用代替該副發(fā)光二極管芯片5作為該逆向電壓保護(hù)裝置。
當(dāng)齊納二極管被使用作為逆向電壓保護(hù)裝置時(shí)，該等絕緣層2，6、該等保護(hù)層3，7、及該覆蓋層8不被限定為不透明，因?yàn)辇R納二極管在運(yùn)作時(shí)不會(huì)產(chǎn)生光線。
再者，借助控制該覆蓋層8的開孔80的大小，該等外部連接導(dǎo)電體單元9的尺寸是可以依據(jù)需要來被控制，可方便與外部裝置的連接。例如，外部連接導(dǎo)電體單元9的第二導(dǎo)電體部分91是比該等發(fā)光二極管芯片的電極大，如在圖25中所示。
應(yīng)要注意的是，當(dāng)以上第一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的主發(fā)光二極管芯片1的第一電極12是與該副發(fā)光二極管芯片5的第一電極52電氣連接、該主發(fā)光二極管芯片5的第二電極13是與該副發(fā)光二極管芯片5的第二電極53電氣連接、該等絕緣層2，6和該等保護(hù)層3，7是由透明的光敏性光阻材料形成、以及該主發(fā)光二極管芯片1的非光線射出表面10允許外部光線穿透時(shí)，該發(fā)光二極管封裝體，端視該主和副發(fā)光二極管芯片1和5發(fā)出的光線的顏色而定，可以為一個(gè)發(fā)出亮度被提升的光線的發(fā)光二極管封裝體或者為一個(gè)發(fā)出具有由混合該主發(fā)光二極管芯片1的光線與該副發(fā)光二極管芯片5的光線所得到的顏色的光線的發(fā)光二極管封裝體。
那就是說，當(dāng)該主和副發(fā)光二極管芯片1和5為發(fā)出顏色相同的光線的發(fā)光二極管芯片時(shí)，以上的第一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體能夠發(fā)出亮度被提升的光線。當(dāng)該主和副發(fā)光二極管芯片1和5為發(fā)出顏色不相同的光線的發(fā)光二極管芯片時(shí)，以上的第一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體能夠發(fā)出具有另一種顏色的光線，如是，白光或其他非三原色的顏色的發(fā)光二極管封裝體能夠被得到。
圖9-12為顯示本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法的示意流程圖。
首先，如在圖9所示，一主發(fā)光二極管芯片1是首先被提供。該主發(fā)光二極管芯片1具有一非光線射出表面10、一與該非光線射出表面10相對(duì)的光線射出表面11、及安裝于該非光線射出表面10上的第一和第二電極12和13。該第一電極12具有一第一極性而該第二電極13具有一與該第一極性相反的第二極性。與以上的實(shí)施例相同，于每個(gè)電極12，13的表面上是可依需求來設(shè)置一輔助導(dǎo)電層(圖中未示)。
然后，作為逆向電壓保護(hù)裝置的一逆向電壓保護(hù)元件5是被提供，在本實(shí)施例中，該逆向電壓保護(hù)元件5為一副發(fā)光二極管芯片。該副發(fā)光二極管芯片5具有一個(gè)在面積上是比該主發(fā)光二極管芯片1的非光線射出表面10小的第一表面50、一與該第一表面50相對(duì)的第二表面51、及安裝于該第二表面51上且分別具有該第一極性和該第二極性的第一和第二電極52和53。與以上的實(shí)施例相同，于該副發(fā)光二極管芯片5的電極52，53的表面上亦是可依需求設(shè)置有一個(gè)如上所述的輔助導(dǎo)電層(圖中未示)。
于該副發(fā)光二極管芯片5在其的第一表面50面向該主發(fā)光二極管芯片1的非光線射出表面10下被設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片1的非光線射出表面10之后，一絕緣層2是形成于該主發(fā)光二極管芯片1的非光線射出表面10上可覆蓋該副發(fā)光二極管芯片5。借助暴光和顯影處理，該絕緣層2是形成有數(shù)個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片1與該副發(fā)光二極管芯片5的對(duì)應(yīng)的電極12，13，52，53的暴露孔20，如在圖10中所示。
然后，一個(gè)由不透明的光阻材料形成的保護(hù)層3是形成于該絕緣層2上。借助暴光和顯影處理，該保護(hù)層3被定以圖案可形成兩個(gè)各連通該絕緣層2的兩個(gè)分別暴露該主發(fā)光二極管芯片1的一對(duì)應(yīng)的電極12，13和該副發(fā)光二極管芯片5的一個(gè)具有與該主發(fā)光二極管芯片1的該對(duì)應(yīng)的電極12，13的極性相反的極性的電極53，52的貫孔30，如在圖11中所示。兩個(gè)共同作為一電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)體4′是如以上所述的實(shí)施例一樣由任何適合的材料利用任何適合的方法來被形成。每個(gè)導(dǎo)體4′包括一個(gè)在該絕緣層2的一暴露該主發(fā)光二極管芯片的一對(duì)應(yīng)的電極12，13的暴露孔20內(nèi)可與該主發(fā)光二極管芯片1的該一對(duì)應(yīng)的電極12，13電氣連接的第一部分40、一個(gè)在該保護(hù)層3的一連通該絕緣層2的于其內(nèi)形成有該第一部分40的暴露孔20的貫孔30內(nèi)且與該第一部分40電氣連接的第二部分41、及一個(gè)在該絕緣層2的一連通該于其內(nèi)形成有該第二部分41的貫孔30的暴露孔20內(nèi)可與該副發(fā)光二極管芯片5的該一電極53，52及與該第二部分41電氣連接的第三部分42。
應(yīng)要注意的是，于每個(gè)導(dǎo)體4′的第二部分41的表面上亦是可依需求來設(shè)置有一如上所述的輔助導(dǎo)電層(圖中未示)。
接著，如在圖12中所示，一覆蓋層8是形成于該保護(hù)層3上。
借助暴光和顯影處理，該覆蓋層8是形成有兩個(gè)用于暴露對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體4′的第二部分41的一部分的開孔80。
在開孔80的形成之后，兩個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元9是被形成。每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元9包含一個(gè)在該覆蓋層8的一對(duì)應(yīng)的開孔80內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔80所暴露的導(dǎo)體4′的第二部分的該一部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分90及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分90電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔80之外的第二導(dǎo)電體部分91。
應(yīng)要注意的是，與以上的實(shí)施例相同，齊納二極管芯片是可以被使用來取代該副發(fā)光二極管芯片作為逆向電壓保護(hù)裝置。另一方面，與以上的實(shí)施例相同，該發(fā)光二極管封裝體亦可以作為一個(gè)發(fā)出亮度被提升的光線的發(fā)光二極管封裝體或者作為一個(gè)發(fā)出具有由混合該主發(fā)光二極管芯片1的光線與該副發(fā)光二極管芯片5的光線所得到的顏色的光線的發(fā)光二極管封裝體。由于這些變化的條件是與以上所述的相同，于此恕不再贅述。
圖13-15為顯示本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法的示意流程圖。
請(qǐng)參閱圖13所示，與在以上的較佳實(shí)施例中所揭露的主發(fā)光二極管芯片相同的一主發(fā)光二極管芯片1是首先被提供。
然后，一絕緣層2是形成于該主發(fā)光二極管芯片1的非光線射出表面10上。借助暴光和顯影處理，該絕緣層2是形成有兩個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片1的對(duì)應(yīng)的電極12，13的暴露孔20。每個(gè)暴露孔20在尺寸上是比該主發(fā)光二極管芯片1的電極大。
接著，于每個(gè)暴露孔20內(nèi)形成一導(dǎo)體4以致于該等導(dǎo)體4是與該主發(fā)光二極管芯片1的對(duì)應(yīng)的電極12，13電氣連接。該等導(dǎo)體4共同作為一電極連接導(dǎo)體單元。與以上的較佳實(shí)施例相同，該等導(dǎo)體4是由像導(dǎo)電膠或金屬材料般的任何適合的材料利用像印刷或?yàn)R鍍般的任何適合的方法來被形成。于每個(gè)導(dǎo)體4的表面上亦是可依需求來設(shè)置有一如上所述的輔助導(dǎo)電層(圖中未示)。
隨后，與在第二較佳實(shí)施例中所述的作為逆向電壓保護(hù)裝置的逆向電壓保護(hù)元件相同的一逆向電壓保護(hù)元件5是在其的第二表面51面向該主發(fā)光二極管芯片1的非光線射出表面10下被設(shè)置于該絕緣層2的表面上以致于該副發(fā)光二極管芯片(逆向電壓保護(hù)元件)5的第一電極52是經(jīng)由一個(gè)導(dǎo)體4來與該主發(fā)光二極管芯片1的第二電極13電氣連接而該副發(fā)光二極管芯片5的第二電極53是經(jīng)由另一個(gè)導(dǎo)體4來與該主發(fā)光二極管芯片1的第一電極12電氣連接。
現(xiàn)在，請(qǐng)參閱圖14所示，在該副發(fā)光二極管芯片5的安裝之后，一覆蓋層8是形成于該絕緣層2上可覆蓋該副發(fā)光二極管芯片5。借助暴光和顯影處理，該覆蓋層8是被定以圖案可形成兩個(gè)用于暴露對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體4的一部分的開孔80。
在開孔80的形成之后，如在圖15中所示，兩個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元9是被形成。每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元9包含一個(gè)在該覆蓋層8的一對(duì)應(yīng)的開孔80內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔80所暴露的導(dǎo)體4的該一部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分90及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分90電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔80之外的第二導(dǎo)電體部分91。
應(yīng)要注意的是，與以上的實(shí)施例相同，齊納二極管芯片是可以被使用來取代該副發(fā)光二極管芯片作為逆向電壓保護(hù)裝置。另一方面，與以上的實(shí)施例相同，該發(fā)光二極管封裝體亦可以作為一個(gè)發(fā)出亮度被提升的光線的發(fā)光二極管封裝體或者作為一個(gè)發(fā)出具有由混合該主發(fā)光二極管芯片1的光線與該副發(fā)光二極管芯片5的光線所得到的顏色的光線的發(fā)光二極管封裝體。由于這些變化的條件是與在以上所述的相同，于此恕不再贅述。
圖16-19為顯示本發(fā)明的第四較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法的示意流程圖。
如在圖16中所示，與在以上的實(shí)施例中所揭露的主發(fā)光二極管芯片相同的一主發(fā)光二極管芯片1是首先被提供。
然后，一由不透明的光阻材料形成的絕緣層2是形成于該主發(fā)光二極管芯片1的非光線射出表面10上。借助暴光和顯影處理，該絕緣層2形成有一個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片1的第一電極12的第一暴露孔21和一個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片1的第二電極13的第二暴露孔22，該第一暴露孔21在尺寸上是比該主發(fā)光二極管芯片1的電極12，13大。
接著，一導(dǎo)體4是形成于該第一暴露孔21內(nèi)以致于該導(dǎo)體4是與該主發(fā)光二極管芯片1的第一電極12電氣連接。與以上的較佳實(shí)施例相同，該導(dǎo)體4是由像導(dǎo)電膠或金屬材料般的任何適合的材料利用像印刷或?yàn)R鍍般的任何適合的方法來被形成而且在該導(dǎo)體4的表面上是可依需求來設(shè)置有一如上所述的輔助導(dǎo)電層(圖中未示)。
隨后，作為逆向電壓保護(hù)裝置的一逆向電壓保護(hù)元件5是被提供。該逆向電壓保護(hù)元件5為一副發(fā)光二極管芯片并且具有一個(gè)于其上安裝有一第一電極52的第一表面50和一個(gè)于其上安裝有一第二電極53且與該第一表面50相對(duì)的第二表面51。該副發(fā)光二極管芯片5是在其的第二表面51面向該主發(fā)光二極管芯片1的非光線射出表面10下設(shè)置于該絕緣層2上以致于該副發(fā)光二極管芯片5的第二電極53是經(jīng)由該導(dǎo)體4來與該主發(fā)光二極管芯片1的第一電極12電氣連接。
接著，一由不透明的光阻材料形成的第一保護(hù)層3′是形成于該絕緣層2上。該第一保護(hù)層3′形成有三個(gè)分別用于暴露該副發(fā)光二極管芯片5的第一電極52、該主發(fā)光二極管芯片1的第二電極13、和該導(dǎo)體4的一部分的貫孔31，如在圖17中所示。
隨后，請(qǐng)參閱圖18所示，一由不透明的光阻材料形成的第二保護(hù)層7′是形成于該第一保護(hù)層3′上。
借助暴光和顯影處理，該第二保護(hù)層7′形成有一個(gè)與該第一保護(hù)層3′的暴露該導(dǎo)體4的該一部分的貫孔31連通可暴露該導(dǎo)體4的該一部分的第一貫孔71和一個(gè)使該第一保護(hù)層3′的其他貫孔31連通的第二貫孔72，如在圖19中所示。
然后，在該第一保護(hù)層3′的貫孔31和該第二保護(hù)層7′的第一貫孔71內(nèi)形成一導(dǎo)體4″以致于該導(dǎo)體4″是與該導(dǎo)體4的該一部分電氣連接。另一方面，在該第一保護(hù)層3′的該其他貫孔31和該第二保護(hù)層7′的第二貫孔72內(nèi)形成一導(dǎo)體4′以致于該主發(fā)光二極管芯片1的第二電極13是經(jīng)由該導(dǎo)體4′來與該副發(fā)光二極管芯片5的第一電極52電氣連接。該等導(dǎo)體4，4′，4″共同作為一電極連接導(dǎo)體單元。
接著，一由不透明的光阻材料形成的覆蓋層8是形成于該第二保護(hù)層7′上。該覆蓋層8′形成有兩個(gè)用于暴露該電極連接導(dǎo)體單元的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體4′，4″的一部分的開孔80。
隨后，兩個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元9是被形成。每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元9包含一個(gè)在該覆蓋層8的一對(duì)應(yīng)的開孔80內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔80所暴露的電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)體4′，4″的該一部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分90及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分90電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔80之外的第二導(dǎo)電體部分91。
應(yīng)要注意的是，與以上的實(shí)施例相同，齊納二極管芯片是可以被使用來取代該副發(fā)光二極管芯片作為逆向電壓保護(hù)裝置。另一方面，與以上的實(shí)施例相同，該發(fā)光二極管封裝體亦可以作為一個(gè)發(fā)出亮度被提升的光線的發(fā)光二極管封裝體或者作為一個(gè)發(fā)出具有由混合該主發(fā)光二極管芯片1的光線與該副發(fā)光二極管芯片5的光線所得到的顏色的光線的發(fā)光二極管封裝體。由于這些變化的條件是與在以上所述的相同，于此恕不再贅述。
圖20-21顯示本發(fā)明的第五較佳實(shí)施例的作為一個(gè)發(fā)出亮度被提升的光線的發(fā)光二極管封裝體或者作為一個(gè)發(fā)出具有由混合主和副發(fā)光二極管芯片的光線所得到的顏色的光線的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法的示意流程圖。
如在圖20中所示，一個(gè)與在以上的實(shí)施例中所揭露的主發(fā)光二極管芯片相同的主發(fā)光二極管芯片1是首先被提供。
然后，一個(gè)作為一電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)電金屬層43是形成于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面10的在該第一電極12及其附近的表面區(qū)域上。要注意的是，該導(dǎo)電金屬層43為透明的導(dǎo)電金屬層，像ITO般。
接著，一個(gè)副發(fā)光二極管芯片5，其具有一個(gè)于其上安裝有一第一電極52的第一表面50和一個(gè)于其上安裝有一第二電極53且與該第一表面50相對(duì)的第二表面51，是在其的第二表面51面向該主發(fā)光二極管芯片1的非光線射出表面10下設(shè)置于該導(dǎo)電金屬層43上以致于該副發(fā)光二極管芯片5的第二電極53是經(jīng)由該電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)電金屬層43來與該主發(fā)光二極管芯片1的第一電極12電氣連接。
接著，一由不透明的光阻材料形成的覆蓋層8是形成于該主發(fā)光二極管芯片1的非光線射出表面10上以致于該副發(fā)光二極管芯片5被覆蓋，如在圖21中所示。借助暴光和顯示處理，該覆蓋層8形成有兩個(gè)分別用于暴露該主發(fā)光二極管芯片1的第二電極13和該副發(fā)光二極管芯片5的第一電極52的開孔80。
隨后，兩個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元9被形成。每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元9包含一個(gè)在該覆蓋層8的一對(duì)應(yīng)的開孔80內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔80所暴露的電極13，52電氣連接的第一導(dǎo)電體部分90及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分90電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔80之外的第二導(dǎo)電體部分。
圖22-25顯示本發(fā)明的第六較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法的示意流程圖。
請(qǐng)參閱圖22、23所示，其中，圖23為圖22的底視平面圖。首先，一個(gè)與在以上的較佳實(shí)施例中所述的主發(fā)光二極管芯片相同的主發(fā)光二極管芯片1是首先被提供。
然后，作為逆向電壓保護(hù)裝置的一逆向電壓保護(hù)元件5′是被設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片1的非光線射出表面10上。在本實(shí)施例中，該逆向電壓保護(hù)元件5′為一副發(fā)光二極管芯片而且具有分別與該主發(fā)光二極管芯片1的電極12，13對(duì)準(zhǔn)的第一和第二電極區(qū)域54，55。該第一電極區(qū)域54具有該第一極性而該第二電極區(qū)域55具有該第二極性。該等電極區(qū)域54，55各形成有一個(gè)暴露該主發(fā)光二極管芯片1的一對(duì)應(yīng)的電極13，12的貫孔56。
然后，如圖24、25中所示，兩個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元9被形成。每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元9包括一個(gè)在一對(duì)應(yīng)的貫孔56內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的貫孔56所暴露的電極12，13電氣連接的第一導(dǎo)電體部分90及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分90電氣連接且突伸在該貫孔56之外可與外部電路(圖中未示)電氣連接的第二導(dǎo)電體部分91。由于該等外部連接導(dǎo)電體單元9的第一導(dǎo)電體部分90是在該逆向保護(hù)元件5′的貫孔56內(nèi)，因此該逆向電壓保護(hù)元件5′的第一電極區(qū)域54是與該主發(fā)光二極管芯片1的第二電極13電氣連接而該逆向電壓保護(hù)元件5′的第二電極區(qū)域55是與該主發(fā)光二極管芯片1的第一電極12電氣連接。
應(yīng)要注意的是，與以上的實(shí)施例相同，齊納二極管芯片是可以被使用來取代該副發(fā)光二極管芯片作為逆向電壓保護(hù)裝置。另一方面，與以上的實(shí)施例相同，該發(fā)光二極管封裝體亦可以作為一個(gè)發(fā)出亮度被提升的光線的發(fā)光二極管封裝體或者作為一個(gè)發(fā)出具有由混合該主發(fā)光二極管芯片1的光線與該副發(fā)光二極管芯片5′的光線所得到的顏色的光線的發(fā)光二極管封裝體。由于這些變化的條件是與在第一至第四實(shí)施例中所述的相同，于此恕不再贅述。
圖26-30為本發(fā)明的第七較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法的示意流程圖。
請(qǐng)參閱圖26所示，首先，一個(gè)與在以上所述的較佳實(shí)施例中的主發(fā)光二極管芯片相同的主發(fā)光二極管芯片1是首先被提供。
然后，作為逆向電壓保護(hù)裝置的一逆向電壓保護(hù)元件5″是設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片1的非光線射出表面10上。在本實(shí)施例中，該逆向電壓保護(hù)元件5″為一電容器而且其的具有該第一極性的第一電極57是延伸在該發(fā)光二極管芯片1的第二電極13附近而其的具有該第二極性的第二電極58是延伸在該主發(fā)光二極管芯片1的第一電極12附近。
然后，如在圖27、28中所示，一絕緣層2是形成于該發(fā)光二極管芯片1的非光線射出表面10上可覆蓋該逆向電壓保護(hù)元件5″。借助暴光和顯影處理，該絕緣層2被定以圖案可形成有兩個(gè)各用于暴露該主發(fā)光二極管芯片1的一對(duì)應(yīng)的電極12，13及該逆向電壓保護(hù)元件5″的在該對(duì)應(yīng)的電極12，13附近的電極58，57。
接著，如在圖29中所示，一電極連接導(dǎo)體單元被形成。該電極連接導(dǎo)體單元包含兩個(gè)各形成于該絕緣層2的一對(duì)應(yīng)的暴露孔20內(nèi)的導(dǎo)體4以致于每個(gè)導(dǎo)體4是與由該對(duì)應(yīng)的暴露孔20所暴露的該主發(fā)光二極管芯片1的電極12，13和該逆向電壓保護(hù)元件5″的電極58，57電氣連接。
在電極連接導(dǎo)體單元的形成之后，一覆蓋層8是形成于該絕緣層2上。
請(qǐng)參閱圖30所示，借助暴光和顯影處理，該覆蓋層8是被定以圖案可形成兩個(gè)用于暴露對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體4的一部分的開孔80。
在開孔80的形成之后，兩個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元9被形成。每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元9包括一個(gè)在一對(duì)應(yīng)的開孔80內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔80所暴露的導(dǎo)體4的該部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分90及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分90電氣連接且突伸在該開孔80之外可與外部電路(圖中未示)電氣連接的第二導(dǎo)電體部分91。
應(yīng)要了解的是，以電容器作為逆向電壓保護(hù)裝置亦可以應(yīng)用于本發(fā)明的第一至第四及第六較佳實(shí)施例。
上述所揭的圖式及說明，僅為本發(fā)明的實(shí)施例而已，非為限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡依本發(fā)明所作的其他等效變化或修飾，皆應(yīng)涵蓋在本案的保護(hù)范圍內(nèi)。
附圖的主要元件代表符號(hào)表1主發(fā)光二極管芯片10非光線射出表面11光線射出表面 12第一電極13第二電極 2絕緣層20暴露孔 3保護(hù)層30貫孔 4導(dǎo)體5逆向電壓保護(hù)元件50第一表面51第二表面 52第一電極53第二電極 6絕緣層60暴露孔 7保護(hù)層70貫孔 8覆蓋層80開孔 9外部連接導(dǎo)電體單元90第一導(dǎo)電體部分 91第二導(dǎo)電體部分
4′導(dǎo)體40第一部分41第二部分 42第三部分2′絕緣層 21第一暴露孔22第二暴露孔 3′第一保護(hù)層31貫孔 7′第二保護(hù)層71第一貫孔 72第二貫孔4″導(dǎo)體43導(dǎo)電金屬層5′逆向電壓保護(hù)元件54第一電極區(qū)域55第二電極區(qū)域 56貫孔5″逆向電壓保護(hù)元件57第一電極58第二電極
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于包含如下的步驟提供一個(gè)能夠被激勵(lì)來發(fā)出光線的主發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)光線射出表面、一個(gè)與該光線射出表面相對(duì)的非光線射出表面、一個(gè)安裝于該二表面中之一表面上的具有一第一極性的第一電極、及一個(gè)安裝于該二表面中之一表面上的具有與該第一極性相反的第二極性的第二電極；于該發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上設(shè)置一個(gè)逆向電壓保護(hù)裝置的逆向電壓保護(hù)元件，該逆向電壓保護(hù)元件具有一個(gè)具有該第一極性的第一電極、及一個(gè)具有該第二極性的第二電極；形成一個(gè)用于建立至少一個(gè)在該主發(fā)光二極管芯片的其中一個(gè)電極與該逆向電壓保護(hù)元件的一個(gè)具有與該主發(fā)光二極管芯片的該其中一個(gè)電極的極性相反的極性的電極之間的電氣連接的電極連接導(dǎo)體單元；及形成至少兩個(gè)用于把該彼此電氣連接的電極電氣連接至外部電路之外部連接導(dǎo)電體單元。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在提供主發(fā)光二極管芯片的步驟中，更包含于該主發(fā)光二極管芯片的每個(gè)電極上形成一輔助導(dǎo)電層的步驟。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在提供主發(fā)光二極管芯片的步驟中，該主發(fā)光二極管芯片的第一和第二電極是設(shè)置于該非光線射出表面上，該提供主發(fā)光二極管芯片的步驟更包含于該非光線射出表面形成一不透明絕緣層及于該絕緣層上形成一不透明保護(hù)層的步驟，該絕緣層形成有兩個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，該保護(hù)層形成有兩個(gè)與對(duì)應(yīng)的暴露孔連通且在尺寸上較大的貫孔，在設(shè)置逆向電壓保護(hù)元件的步驟中，該逆向電壓保護(hù)元件包含一副發(fā)光二極管芯片，該副發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)第一表面和一個(gè)于其上安裝有該第一和第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該設(shè)置逆向電壓保護(hù)元件的步驟更包含于該第二表面形成一不透明絕緣層及于該絕緣層上形成一不透明保護(hù)層的步驟，該絕緣層形成有兩個(gè)用于暴露該副發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，該保護(hù)層形成有兩個(gè)與對(duì)應(yīng)的暴露孔連通且在尺寸上較大的貫孔，該副發(fā)光二極管芯片是在其的第二表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面下設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層上，該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層的貫孔在尺寸上比該副發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層的貫孔大，在形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該電極連接導(dǎo)體單元包含數(shù)個(gè)各形成于一對(duì)應(yīng)的貫孔及與該對(duì)應(yīng)的貫孔連通的暴露孔內(nèi)與一對(duì)應(yīng)的電極電氣連接的導(dǎo)體以使該主發(fā)光二極管芯片的第一電極是經(jīng)由對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體來電氣連接至該副發(fā)光二極管芯片的第二電極，而該主發(fā)光二極管芯片的第二電極是經(jīng)由對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體來電氣連接至該副發(fā)光二極管芯片的第一電極，在形成外部連接導(dǎo)電體單元之前，更包含于該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層上形成一不透明覆蓋層的步驟，該覆蓋層覆蓋該副發(fā)光二極管芯片而且形成有兩個(gè)各用于暴露形成在該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層的一對(duì)應(yīng)的貫孔內(nèi)的導(dǎo)體的一部分的開孔，及在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟中，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的該部分電氣連接的第一導(dǎo)體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)體部分。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在提供主發(fā)光二極管芯片的步驟中，該主發(fā)光二極管芯片的第一和第二電極是設(shè)置于該非光線射出表面上，該提供主發(fā)光二極管芯片的步驟更包含于該非光線射出表面形成一絕緣層及于該絕緣層上形成一保護(hù)層的步驟，該絕緣層形成有兩個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，該保護(hù)層形成有兩個(gè)與對(duì)應(yīng)的暴露孔連通且在尺寸上較大的貫孔，在設(shè)置逆向電壓保護(hù)元件的步驟中，該逆向電壓保護(hù)元件包含一齊納二極管芯片，該齊納二極管芯片具有一個(gè)第一表面和一個(gè)與該第一表面相對(duì)且于其上安裝有該第一和第二電極的第二表面，該設(shè)置逆向電壓保護(hù)元件的步驟更包含于該第二表面形成一絕緣層及于該絕緣層上形成一保護(hù)層的步驟，該絕緣層形成有兩個(gè)用于暴露該齊納二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，該保護(hù)層形成有兩個(gè)與對(duì)應(yīng)的暴露孔連通且在尺寸上較大的貫孔，該齊納二極管芯片是在其第二表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面下設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層上，該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層的貫孔在尺寸上比該齊納二極管芯片的保護(hù)層的貫孔大，在形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該電極連接導(dǎo)體單元包含數(shù)個(gè)各形成于一對(duì)應(yīng)的貫孔及與該對(duì)應(yīng)的貫孔連通的暴露孔內(nèi)可與一對(duì)應(yīng)的電極電氣連接的導(dǎo)體以使該主發(fā)光二極管芯片的第一電極是經(jīng)由對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體來電氣連接至該齊納二極管芯片的第二電極，而該主發(fā)光二極管芯片的第二電極是經(jīng)由對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體來電氣連接至該齊納二極管芯片的第一電極，在形成外部連接導(dǎo)電體單元之前，更包含于該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層上形成一覆蓋層的步驟，該覆蓋層覆蓋該齊納二極管芯片而且形成有兩個(gè)各用于暴露形成在該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層的一對(duì)應(yīng)的貫孔內(nèi)的導(dǎo)體的一部分的開孔，及在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟中，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的該部分電氣連接的第一導(dǎo)體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)體部分。
5.如權(quán)利要求3或4所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于于形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該導(dǎo)體是由導(dǎo)電膠借著印刷處理來被形成。
6.如權(quán)利要求3或4所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于于形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該導(dǎo)體是由金屬材料借著濺鍍處理來被形成。
7.如權(quán)利要求3或4所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于于形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟之后，更包含于該導(dǎo)體的表面上形成一輔助導(dǎo)電層的步驟。
8.如權(quán)利要求3或4所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在形成外部連接導(dǎo)電體的步驟中，該外部連接導(dǎo)電體的第一和第二導(dǎo)體部分是由相同的導(dǎo)電材料形成。
9.如權(quán)利要求3或4所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在形成外部連接導(dǎo)電體的步驟中，該外部連接導(dǎo)電體的第一和第二導(dǎo)體部分是由不同的導(dǎo)電材料形成。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在提供主發(fā)光二極管芯片的步驟中，該主發(fā)光二極管芯片的第一和第二電極是設(shè)置在該非光線射出表面上，在設(shè)置逆向電壓保護(hù)元件的步驟中，該逆向電壓保護(hù)元件包含一副發(fā)光二極管芯片，其具有一個(gè)第一表面和一個(gè)于其上安裝有該第一和第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該副發(fā)光二極管芯片是在其的第一表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面下設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上，在設(shè)置該逆向電壓保護(hù)元件的步驟之后，更包含于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上形成一不透明絕緣層及于該絕緣層上形成一不透明保護(hù)層的步驟，該絕緣層形成有數(shù)個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片與該副發(fā)光二極管的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，該保護(hù)層形成有兩個(gè)各連通該絕緣層的兩個(gè)分別暴露該主發(fā)光二極管芯片的一對(duì)應(yīng)的電極和該副發(fā)光二極管芯片的一個(gè)具有與該主發(fā)光二極管芯片的該對(duì)應(yīng)的電極的極性相反的極性的電極的貫孔，在形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該電極連接導(dǎo)體單元包含兩個(gè)導(dǎo)體，每個(gè)導(dǎo)體包括一個(gè)在該絕緣層的一暴露該主發(fā)光二極管芯片的一對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔內(nèi)與該主發(fā)光二極管芯片的該一對(duì)應(yīng)的電極電氣連接的第一部分、一個(gè)在該保護(hù)層的一連通該絕緣層的于其內(nèi)形成有該第一部分的暴露孔的貫孔內(nèi)且與該第一部分電氣連接的第二部分、及一個(gè)在該絕緣層的一連通該于其內(nèi)形成有該第二部分的貫孔的暴露孔內(nèi)與該副發(fā)光二極管芯片的該一電極及與該第二部分電氣連接的第三部分，在形成外部連接導(dǎo)電體單元之前，更包含于該保護(hù)層上形成一不透明覆蓋層的步驟，該覆蓋層形成有兩個(gè)各用于暴露一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的第二部分的開孔，及在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟中，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的第二部分電氣連接的第一導(dǎo)體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)體部分。
11.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在提供主發(fā)光二極管芯片的步驟中，該主發(fā)光二極管芯片的第一和第二電極是設(shè)置在該非光線射出表面上，在設(shè)置逆向電壓保護(hù)元件的步驟中，該逆向電壓保護(hù)元件包含一齊納二極管芯片，其具有一個(gè)第一表面和一個(gè)于其上安裝有該第一和第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該齊納二極管芯片是在其第一表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面下設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上，在設(shè)置該逆向電壓保護(hù)元件的步驟之后，更包含于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上形成一絕緣層及于該絕緣層上形成一保護(hù)層的步驟，該絕緣層形成有數(shù)個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片與該齊納二極管的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，該保護(hù)層形成有兩個(gè)各連通該絕緣層的兩個(gè)分別暴露該主發(fā)光二極管芯片的一對(duì)應(yīng)的電極和該齊納二極管芯片的一個(gè)具有與該主發(fā)光二極管芯片的該對(duì)應(yīng)的電極的極性相反的極性的電極的貫孔，在形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該電極連接導(dǎo)體單元包含兩個(gè)導(dǎo)體，每個(gè)導(dǎo)體包括一個(gè)在該絕緣層的一暴露該主發(fā)光二極管芯片的一對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔內(nèi)可與該主發(fā)光二極管芯片的該一對(duì)應(yīng)的電極電氣連接的第一部分、一個(gè)在該保護(hù)層的一連通該絕緣層的于其內(nèi)形成有該第一部分的暴露孔的貫孔內(nèi)且與該第一部分電氣連接的第二部分、及一個(gè)在該絕緣層的一連通該于其內(nèi)形成有該第二部分的貫孔的暴露孔內(nèi)可與該齊納二極管芯片的該一電極及與該第二部分電氣連接的第三部分，在形成外部連接導(dǎo)電體單元之前，更包含于該保護(hù)層上形成一覆蓋層的步驟，該覆蓋層形成有兩個(gè)各用于暴露一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的第二部分的開孔，及在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟中，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的第二部分電氣連接的第一導(dǎo)體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)體部分。
12.如權(quán)利要求10或11所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于于形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該等導(dǎo)體是由導(dǎo)電膠借著印刷處理來被形成。
13.如權(quán)利要求10或11所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于于形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該導(dǎo)體是由金屬材料借著濺鍍處理來被形成。
14.如權(quán)利要求10或11所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于于形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟之后，更包含于該導(dǎo)體的表面上形成一輔助導(dǎo)電層的步驟。
15.如權(quán)利要求10或11所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在形成外部連接導(dǎo)電體的步驟中，該外部連接導(dǎo)電體的第一和第二導(dǎo)體部分是由相同的導(dǎo)電材料形成。
16.如權(quán)利要求10或11所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在形成外部連接導(dǎo)電體的步驟中，該外部連接導(dǎo)電體的第一和第二導(dǎo)體部分是由不同的導(dǎo)電材料形成。
17.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在提供主發(fā)光二極管芯片的步驟中，該主發(fā)光二極管芯片的第一和第二電極是設(shè)置在該非光線射出表面上，在提供主發(fā)光二極管芯片的步驟之后，更包含于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上形成一不透明絕緣層的步驟，該絕緣層形成有兩個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，每個(gè)暴露孔在尺寸上是比該主發(fā)光二極管芯片的電極大，在形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該電極連接導(dǎo)體單元包含兩個(gè)形成于該絕緣層的對(duì)應(yīng)的暴露孔內(nèi)的導(dǎo)體以使該導(dǎo)體是與該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極電氣連接，在設(shè)置逆向電壓保護(hù)元件的步驟中，該逆向電壓保護(hù)元件包含一副發(fā)光二極管芯片，其具有一個(gè)第一表面和一個(gè)于其上安裝有該第一和第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該副發(fā)光二極管芯片是在其第二表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面下設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上以使該副發(fā)光二極管芯片的第一電極是經(jīng)由該電極連接導(dǎo)體單元的一個(gè)導(dǎo)體來與該主發(fā)光二極管芯片的第二電極電氣連接，而該副發(fā)光二極管芯片的第二電極是經(jīng)由該電極連接導(dǎo)體單元的另一個(gè)導(dǎo)體來與該主發(fā)光二極管芯片的第一電極電氣連接，在設(shè)置該逆向電壓保護(hù)元件的步驟之后，更包含于該絕緣層上形成一不透明覆蓋層的步驟，該覆蓋層形成有兩個(gè)各用于暴露一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的一部分的開孔，及在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟中，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的該部分電氣連接的第一導(dǎo)體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)體部分。
18.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在提供主發(fā)光二極管芯片的步驟中，該主發(fā)光二極管芯片的第一和第二電極是設(shè)置在該非光線射出表面上，在提供該主發(fā)光二極管芯片的步驟之后，更包含于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上形成一絕緣層的步驟，該絕緣層形成有兩個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，每個(gè)暴露孔在尺寸上是比該主發(fā)光二極管芯片的電極大，在形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該電極連接導(dǎo)體單元包含兩個(gè)形成于該絕緣層的對(duì)應(yīng)的暴露孔內(nèi)的導(dǎo)體以使該導(dǎo)體是與該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極電氣連接，在設(shè)置逆向電壓保護(hù)元件的步驟中，該逆向電壓保護(hù)元件包含一齊納二極管芯片，其具有一個(gè)第一表面和一個(gè)于其上安裝有該第一和第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該齊納二極管芯片是在其第二表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面下設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上以致于該齊納二極管芯片的第一電極是經(jīng)由該電極連接導(dǎo)體單元的一個(gè)導(dǎo)體來與該主發(fā)光二極管芯片的第二電極電氣連接，而該齊納二極管芯片的第二電極是經(jīng)由該電極連接導(dǎo)體單元的另一個(gè)導(dǎo)體來與該主發(fā)光二極管芯片的第一電極電氣連接，在設(shè)置該逆向電壓保護(hù)元件的步驟之后，更包含形成一覆蓋層于該絕緣層上的步驟，該覆蓋層形成有兩個(gè)各用于暴露一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的一部分的開孔，及在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟中，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的該部分電氣連接的第一導(dǎo)體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)體部分。
19.如權(quán)利要求17或18所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于于形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該導(dǎo)體是由導(dǎo)電膠借著印刷處理來被形成。
20.如權(quán)利要求17或18所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于于形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該導(dǎo)體是由金屬材料借著濺鍍處理來被形成。
21.如權(quán)利要求17或18所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于于形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟之后，更包含于該導(dǎo)體的表面上形成一輔助導(dǎo)電層的步驟。
22.如權(quán)利要求17或18所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在形成外部連接導(dǎo)電體的步驟中，該外部連接導(dǎo)電體的第一和第二導(dǎo)體部分是由相同的導(dǎo)電材料形成。
23.如權(quán)利要求17或18所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在形成外部連接導(dǎo)電體的步驟中，該外部連接導(dǎo)電體的第一和第二導(dǎo)體部分是由不同的導(dǎo)電材料形成，于形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該導(dǎo)體是由導(dǎo)電膠借著印刷處理來被形成。
24.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在提供主發(fā)光二極管芯片的步驟中，該主發(fā)光二極管芯片的第一和第二電極是設(shè)置于該非光線射出表面上，在提供主發(fā)光二極管芯片的步驟之后，更包含于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上形成一不透明絕緣層的步驟，該絕緣層形成有一個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的第一電極的第一暴露孔和一個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的第二電極的第二暴露孔，該第一暴露孔在尺寸上是比該主發(fā)光二極管芯片的電極大，在形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該電極連接導(dǎo)體單元包含一個(gè)形成于該絕緣層的第一暴露孔內(nèi)的導(dǎo)體以致于該導(dǎo)體是與該主發(fā)光二極管芯片的的第一電極電氣連接，在設(shè)置逆向電壓保護(hù)元件的步驟中，該逆向電壓保護(hù)元件包含一副發(fā)光二極管芯片，其具有一個(gè)于其上安裝有該第一電極的第一表面和一個(gè)于其上安裝有該第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該副發(fā)光二極管芯片是在其的第二表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面下設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上以致于該副發(fā)光二極管芯片的第二電極是經(jīng)由該電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)體來與該主發(fā)光二極管芯片的第一電極電氣連接，在設(shè)置該逆向電壓保護(hù)元件的步驟之后，更包含于該絕緣層上形成一不透明第一保護(hù)層及于該第一保護(hù)層上形成一不透明第二保護(hù)層的步驟，該第一保護(hù)層形成有三個(gè)分別用于暴露該副發(fā)光二極管芯片的第一電極、該主發(fā)光二極管芯片的第二電極、和該導(dǎo)體的一部分的貫孔，該第二保護(hù)層形成有一個(gè)與該第一保護(hù)層的暴露該電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)體的該一部分的貫孔連通以暴露該電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)體的該一部分的第一貫孔和一個(gè)使該第一保護(hù)層的其他貫孔連通的第二通孔，在形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該電極連接導(dǎo)體單元更包含一個(gè)在該第一保護(hù)層的貫孔和該第二保護(hù)層的第一貫孔內(nèi)與該導(dǎo)體的該一部分電氣連接的導(dǎo)體，及一個(gè)在該第一保護(hù)層的該其他貫孔和該第二保護(hù)層的第二貫孔內(nèi)使該主發(fā)光二極管芯片的第二電極與該副發(fā)光二極管芯片的第一電極電氣連接的導(dǎo)體，在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟之前，更包含一個(gè)于該第二保護(hù)層上形成一不透明覆蓋層的步驟，該覆蓋層形成有兩個(gè)用于暴露在該第一和第二貫孔內(nèi)的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的一部分的開孔，及在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟中，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的該一部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
25.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在提供主發(fā)光二極管芯片的步驟中，該主發(fā)光二極管芯片的第一和第二電極是設(shè)置于該非光線射出表面上，在提供主發(fā)光二極管芯片的步驟之后，更包含形成一不透明絕緣層于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的步驟，該絕緣層形成有一個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的第一電極的第一暴露孔和一個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的第二電極的第二暴露孔，該第一暴露孔在尺寸上是比該主發(fā)光二極管芯片的電極大，在形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該電極連接導(dǎo)體單元包含一個(gè)形成于該絕緣層的第一暴露孔內(nèi)的導(dǎo)體以致于該導(dǎo)體是與該主發(fā)光二極管芯片的的第一電極電氣連接，在設(shè)置逆向電壓保護(hù)元件的步驟中，該逆向電壓保護(hù)元件包含一齊納二極管芯片，該齊納二極管芯片具有一個(gè)安裝有該第一電極的第一表面和一個(gè)安裝有該第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該齊納二極管芯片是以其第二表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面而設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上，以使該齊納二極管芯片的第二電極是經(jīng)由該電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)體來與該主發(fā)光二極管芯片的第一電極電氣連接，在設(shè)置該逆向電壓保護(hù)元件的步驟之后，更包含于該絕緣層上形成一不透明第一保護(hù)層及于該第一保護(hù)層上形成一不透明第二保護(hù)層的步驟，該第一保護(hù)層形成有三個(gè)分別用于暴露該齊納二極管芯片的第一電極、該主發(fā)光二極管芯片的第二電極、和該導(dǎo)體的一部分的貫孔，該第二保護(hù)層形成有一個(gè)與該第一保護(hù)層的暴露該電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)體的該一部分的貫孔連通而暴露該電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)體的該一部分的第一貫孔和一個(gè)使該第一保護(hù)層的其他貫孔連通的第二通孔，在形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該電極連接導(dǎo)體單元更包含一個(gè)在該第一保護(hù)層的貫孔和該第二保護(hù)層的第一貫孔內(nèi)與該導(dǎo)體的該一部分電氣連接的導(dǎo)體，及一個(gè)在該第一保護(hù)層的該其他貫孔和該第二保護(hù)層的第二貫孔內(nèi)使該主發(fā)光二極管芯片的第二電極與該齊納二極管芯片的第一電極電氣連接的導(dǎo)體，在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟之前，更包含一個(gè)于該第二保護(hù)層上形成一不透明覆蓋層的步驟，該覆蓋層形成有兩個(gè)用于暴露在該第一和第二貫孔內(nèi)的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的一部分的開孔，及在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟中，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的該一部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
26.如權(quán)利要求24或25所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于于形成第一和第二電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該導(dǎo)體是由導(dǎo)電膠借著印刷處理來被形成。
27.如權(quán)利要求24或25所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于于形成第一和第二電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該導(dǎo)體是由金屬材料借著濺鍍處理來被形成。
28.如權(quán)利要求24或25所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于于形成第一和第二電極連接導(dǎo)體單元的步驟之后，更包含于該導(dǎo)體的表面上形成一輔助導(dǎo)電層的步驟。
29.如權(quán)利要求24或25所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在形成外部連接導(dǎo)電體的步驟中，該外部連接導(dǎo)電體的第一和第二導(dǎo)體部分是由相同的導(dǎo)電材料形成。
30.如權(quán)利要求24或25所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在形成外部連接導(dǎo)電體的步驟中，該等外部連接導(dǎo)電體的第一和第二導(dǎo)體部分是由不同的導(dǎo)電材料形成。
31.一種發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于包含如下的步驟提供一個(gè)能夠被激勵(lì)來發(fā)出光線的主發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)光線射出表面、一個(gè)與該光線射出表面相對(duì)的非光線射出表面、一個(gè)安裝于該二表面中之一表面上的具有一第一極性的第一電極、及一個(gè)安裝于該二表面中之一表面上的具有與該第一極性相反的第二極性的第二電極；于該發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上設(shè)置一個(gè)逆向電壓保護(hù)裝置的逆向電壓保護(hù)元件，該逆向電壓保護(hù)元件具有與該主發(fā)光二極管芯片的電極對(duì)準(zhǔn)的第一和第二電極區(qū)域，該第一電極區(qū)域具有該第一極性而該第二電極區(qū)域具有該第二極性，該第一、第二電極區(qū)域各形成有一個(gè)暴露該主發(fā)光二極管芯片的一具有與其極性相反的極性的電極的貫孔；及形成至少兩個(gè)用于把該第一、第二電極電氣連接至外部電路的外部連接導(dǎo)電體單元。
32.如權(quán)利要求31所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在提供主發(fā)光二極管芯片，該主發(fā)光二極管芯片的第一和第二電極是設(shè)置于該非光線射出表面上，在設(shè)置該逆向電壓保護(hù)元件的步驟中，該逆向電壓保護(hù)元件為一副發(fā)光二極管芯片，及在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟中，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包括一個(gè)在一對(duì)應(yīng)的貫孔內(nèi)與該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極和該副發(fā)光二極管的對(duì)應(yīng)的電極區(qū)域電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的貫孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
33.如權(quán)利要求31所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在提供主發(fā)光二極管芯片，該主發(fā)光二極管芯片的第一和第二電極是設(shè)置于該非光線射出表面上，在設(shè)置該逆向電壓保護(hù)元件的步驟中，該逆向電壓保護(hù)元件為一齊納二極管芯片，及在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟中，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包括一個(gè)在一對(duì)應(yīng)的貫孔內(nèi)可與該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極和該齊納二極管的對(duì)應(yīng)的電極區(qū)域電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的貫孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
34.如權(quán)利要求32或33所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在提供二極管芯片的步驟中，更包含于該二極管芯片的每個(gè)電極上形成一輔助導(dǎo)電層的步驟。
35.如權(quán)利要求32或33所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟中，該外部連接導(dǎo)電體的第一和第二導(dǎo)電體部分是由相同的導(dǎo)電材料形成。
36.如權(quán)利要求32或33所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟中，該外部連接導(dǎo)電體的第一和第二導(dǎo)電體部分是由不同的導(dǎo)電材料形成。
37.一種發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于包含如下的步驟提供一個(gè)能夠被激勵(lì)來發(fā)出光線的發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)光線射出表面、一個(gè)與該光線射出表面相對(duì)的非光線射出表面、一個(gè)安裝于該二表面中的一表面上的具有第一極性的第一電極、及一個(gè)安裝于與該第一電極相同的表面上的具有與該第一極性相反的第二極性的第二電極；于該發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上設(shè)置一逆向電壓保護(hù)裝置的逆向電壓保護(hù)元件，該逆向電壓保護(hù)元件為一電容器，該電容器具有兩個(gè)各延伸至該發(fā)光二極管芯片的兩個(gè)電極中的一個(gè)電極附近的具有彼此相反的極性的電極；于該發(fā)光二極管芯片的電極安裝表面上形成一絕緣層，該絕緣層是借助暴光與顯影處理來被設(shè)定以圖案而形成兩個(gè)用于暴露該發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極及該逆向電壓保護(hù)元件的延伸在發(fā)光二極管芯片的該對(duì)應(yīng)的電極附近的電極的貫孔；形成一電極連接導(dǎo)體單元，該電極連接導(dǎo)體單元包含兩個(gè)各在該絕緣層的一貫孔內(nèi)使由該絕緣層的該一貫孔所暴露的該發(fā)光二極管芯片的電極與該逆向電壓保護(hù)元件的電極電氣連接的導(dǎo)體；于該絕緣層的表面上形成一覆蓋層，該覆蓋層形成有兩個(gè)用于暴露該電極連接導(dǎo)體單元的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的一部分的暴露孔；及形成至少兩個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包括一個(gè)在一對(duì)應(yīng)的暴露孔內(nèi)與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的該部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該暴露孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
38.如權(quán)利要求37所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在提供發(fā)光二極管芯片和在形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，更包含于該發(fā)光二極管芯片的每個(gè)電極和在該電極連接導(dǎo)體單元的每個(gè)導(dǎo)體上形成一輔助導(dǎo)電層的步驟。
39.如權(quán)利要求37所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟中，該外部連接導(dǎo)電體的第一和第二導(dǎo)電體部分是由相同的導(dǎo)電材料形成。
40.如權(quán)利要求37所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟中，該外部連接導(dǎo)電體的第一和第二導(dǎo)電體部分是由不同的導(dǎo)電材料形成。
41.一種發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于包含如下的步驟提供一主發(fā)光二極管芯片，該主發(fā)光二極管芯片具有一允許外部光線穿透的非光線射出表面、一與該非光線射出表面相對(duì)的光線射出表面、一設(shè)置于該非光線射出表面的具有一第一極性的第一電極、及一設(shè)置于該非光線射出表面的具有一與該第一極性相反的第二極性的第二電極；形成一電極連接導(dǎo)體單元，該電極連接導(dǎo)體單元包含一個(gè)形成于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面的在該第一電極及其附近的表面區(qū)域上的透明導(dǎo)電金屬層；于該導(dǎo)電金屬層上設(shè)置一副發(fā)光二極管芯片，該副發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)安裝有該第一電極的第一表面和一個(gè)安裝有該第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該副發(fā)光二極管芯片是以其第二表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面而設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的導(dǎo)電金屬層上，以使該副發(fā)光二極管芯片的第二電極是經(jīng)由該導(dǎo)電金屬層來與該主發(fā)光二極管芯片的第一電極電氣連接；于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上形成一不透明覆蓋層以將該副發(fā)光二極管芯片覆蓋，該覆蓋層形成有兩個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的第二電極和該副發(fā)光二極管芯片的第一電極的開孔，及于該覆蓋層的每個(gè)開孔內(nèi)形成一外部連接導(dǎo)電體單元，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的電極電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
42.一種發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于包含如下的步驟提供一個(gè)能夠被激勵(lì)來發(fā)出光線的主發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)光線射出表面、一個(gè)與該光線射出表面相對(duì)且允許外部光線穿透的非光線射出表面、一個(gè)安裝于該非光線射出表面上的具有一第一極性的第一電極、及一個(gè)安裝于該非光線射出表面上的具有與該第一極性相反的第二極性的第二電極；于該發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上設(shè)置一副發(fā)光二極管芯片，該副發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)有該第一極性的第一電極、及一個(gè)具有該第二極性的第二電極；形成一個(gè)用于建立至少一個(gè)在該主發(fā)光二極管芯片的其中一個(gè)電極與該逆向電壓保護(hù)元件的一個(gè)具有與該主發(fā)光二極管芯片的該其中一個(gè)電極的極性相同的極性的電極之間的電氣連接的電極連接導(dǎo)體單元；及形成至少兩個(gè)用于把該第一、第二電極電氣連接至外部電路的外部連接導(dǎo)電體單元。
43.如權(quán)利要求42所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于該提供主發(fā)光二極管芯片的步驟更包含于該非光線射出表面形成一絕緣層及于該絕緣層上形成一保護(hù)層的步驟，該絕緣層形成有兩個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，該保護(hù)層形成有兩個(gè)與對(duì)應(yīng)的暴露孔連通且在尺寸上較大的貫孔，在設(shè)置該副發(fā)光二極管芯片的步驟中，該副發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)第一表面和一個(gè)安裝有該第一和第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該設(shè)置逆向電壓保護(hù)元件的步驟更包含于該第二表面形成一絕緣層及于該絕緣層上形成一保護(hù)層的步驟，該絕緣層形成有兩個(gè)用于暴露該副發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，該保護(hù)層形成有兩個(gè)與對(duì)應(yīng)的暴露孔連通且在尺寸上較大的貫孔，該副發(fā)光二極管芯片是以其第二表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面而設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層上，該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層的貫孔在尺寸上比該副發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層的貫孔大，在形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該電極連接導(dǎo)體單元包含數(shù)個(gè)各形成于一對(duì)應(yīng)的貫孔及與該對(duì)應(yīng)的貫孔連通的暴露孔內(nèi)與一對(duì)應(yīng)的電極電氣連接的導(dǎo)體，以使該主發(fā)光二極管芯片的第一電極是經(jīng)由對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體來電氣連接至該副發(fā)光二極管芯片的第一電極，而該主發(fā)光二極管芯片的第二電極是經(jīng)由對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體來電氣連接至該副發(fā)光二極管芯片的第二電極，在形成外部連接導(dǎo)電體單元之前，更包含于該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層上形成一不透明覆蓋層的步驟，該覆蓋層覆蓋該副發(fā)光二極管芯片而且形成有兩個(gè)各用于暴露形成在該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層的一對(duì)應(yīng)的貫孔內(nèi)的導(dǎo)體的一部分的開孔，及在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟中，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的該部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
44.如權(quán)利要求42所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在提供副發(fā)光二極管芯片的步驟中，該副發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)第一表面和一個(gè)于其上安裝有該第一和第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該副發(fā)光二極管芯片是在其的第一表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面下設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上，在設(shè)置該副發(fā)光二極管芯片的步驟之后，更包含形成一絕緣層于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上及形成一保護(hù)層于該絕緣層上的步驟，該絕緣層形成有數(shù)個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片與該副發(fā)光二極管的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，該保護(hù)層形成有兩個(gè)各連通該絕緣層的兩個(gè)分別暴露該主發(fā)光二極管芯片的一對(duì)應(yīng)的電極和該副發(fā)光二極管芯片的一個(gè)具有與該主發(fā)光二極管芯片的該對(duì)應(yīng)的電極的極性相同的極性的電極的貫孔，在形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該電極連接導(dǎo)體單元包含兩個(gè)導(dǎo)體，每個(gè)導(dǎo)體包括一個(gè)在該絕緣層的一暴露該主發(fā)光二極管芯片的一對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔內(nèi)可與該主發(fā)光二極管芯片的該一對(duì)應(yīng)的電極電氣連接的第一部分、一個(gè)在該保護(hù)層的一連通該絕緣層的于其內(nèi)形成有該第一部分的暴露孔的貫孔內(nèi)且與該第一部分電氣連接的第二部分、及一個(gè)在該絕緣層的一連通該于其內(nèi)形成有該第二部分的貫孔的暴露孔內(nèi)可與該副發(fā)光二極管芯片的該二電極及與該第二部分電氣連接的第三部分，在形成外部連接導(dǎo)電體單元之前，更包含于該保護(hù)層上形成一不透明覆蓋層的步驟，該覆蓋層形成有兩個(gè)各用于暴露一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的第二部分的開孔，及在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟中，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的第二部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
45.如權(quán)利要求42所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在提供主發(fā)光二極管芯片的步驟之后，更包含于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上形成一絕緣層的步驟，該絕緣層形成有兩個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，每個(gè)暴露孔在尺寸上是比該主發(fā)光二極管芯片的電極大，在形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該電極連接導(dǎo)體單元包含兩個(gè)形成于該絕緣層的對(duì)應(yīng)的暴露孔內(nèi)的導(dǎo)體以使該導(dǎo)體是與該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極電氣連接，在設(shè)置副發(fā)光二極管芯片的步驟中，該副發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)第一表面和一個(gè)安裝有該第一和第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該副發(fā)光二極管芯片是以其第二表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面而設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上，以使該副發(fā)光二極管芯片的第一電極是經(jīng)由該電極連接導(dǎo)體單元的一個(gè)導(dǎo)體來與該主發(fā)光二極管芯片的第一電極電氣連接，而該副發(fā)光二極管芯片的第二電極是經(jīng)由該電極連接導(dǎo)體單元的另一個(gè)導(dǎo)體來與該主發(fā)光二極管芯片的第二電極電氣連接，在設(shè)置該副發(fā)光二極管芯片的步驟之后，更包含于該絕緣層上形成一不透明覆蓋層的步驟，該覆蓋層形成有兩個(gè)各用于暴露一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的一部分的開孔，及在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟中，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的該部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
46.如權(quán)利要求42所述的發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于在提供主發(fā)光二極管芯片的步驟之后，更包含于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上形成一絕緣層的步驟，該絕緣層形成有一個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的第一電極的第一暴露孔和一個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的第二電極的第二暴露孔，該第一暴露孔在尺寸上是比該主發(fā)光二極管芯片的電極大，在形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該電極連接導(dǎo)體單元包含一個(gè)形成于該絕緣層的第一暴露孔內(nèi)的導(dǎo)體以使該導(dǎo)體是與該主發(fā)光二極管芯片的的第一電極電氣連接，在設(shè)置副發(fā)光二極管芯片的步驟中，該副發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)安裝有該第一電極的第一表面和一個(gè)安裝有該第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該副發(fā)光二極管芯片是以其第一表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面而設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上，以使該副發(fā)光二極管芯片的第一電極是經(jīng)由該電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)體來與該主發(fā)光二極管芯片的第一電極電氣連接，在設(shè)置該副發(fā)光二極管芯片的步驟之后，更包含于該絕緣層上形成一第一保護(hù)層及于該第一保護(hù)層上一形成第二保護(hù)層的步驟，該第一保護(hù)層形成有三個(gè)分別用于暴露該副發(fā)光二極管芯片的第二電極、該主發(fā)光二極管芯片的第二電極、和該導(dǎo)體的一部分的貫孔，該第二保護(hù)層形成有一個(gè)與該第一保護(hù)層的暴露該電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)體的該一部分的貫孔連通可暴露該電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)體的該一部分的第一貫孔和一個(gè)使該第一保護(hù)層的其他貫孔連通的第二通孔，在形成電極連接導(dǎo)體單元的步驟中，該電極連接導(dǎo)體單元更包含一個(gè)在該第一保護(hù)層的貫孔和該第二保護(hù)層的第一貫孔內(nèi)與該導(dǎo)體的該一部分電氣連接的導(dǎo)體，及一個(gè)在該第一保護(hù)層的該其他貫孔和該第二保護(hù)層的第二貫孔內(nèi)使該主發(fā)光二極管芯片的第二電極與該副發(fā)光二極管芯片的第二電極電氣連接的導(dǎo)體，在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟之前，更包含一個(gè)于該第二保護(hù)層上形成一不透明覆蓋層的步驟，該覆蓋層形成有兩個(gè)用于暴露在該第一和第二貫孔內(nèi)的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的一部分的開孔，及在形成外部連接導(dǎo)電體單元的步驟中，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的該一部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
47.一種發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于包含如下的步驟提供一個(gè)能夠被激勵(lì)來發(fā)出光線的主發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)光線射出表面、一個(gè)與該光線射出表面相對(duì)的非光線射出表面、一個(gè)安裝于該二表面中的一表面上的具有一第一極性的第一電極、及一個(gè)安裝于該二表面中的一表面上的具有與該第一極性相反的第二極性的第二電極；于該發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上設(shè)置一個(gè)副發(fā)光二極管芯片，該副發(fā)光二極管芯片具有與該主發(fā)光二極管芯片的電極對(duì)準(zhǔn)的第一和第二電極區(qū)域，該第一電極區(qū)域具有該第一極性而該第二電極區(qū)域具有該第二極性，該第一、二電極區(qū)域各形成有一個(gè)暴露該主發(fā)光二極管芯片的一具有與其極性相同的極性的電極的貫孔；及形成至少兩個(gè)用于把該等電極電氣連接至外部電路之外部連接導(dǎo)電體單元，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包括一個(gè)在一對(duì)應(yīng)的貫孔內(nèi)與該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極和該副發(fā)光二極管的對(duì)應(yīng)的電極區(qū)域電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的貫孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
48.一種發(fā)光二極管封裝體，其特征在于包含一個(gè)能夠被激勵(lì)來發(fā)出光線的主發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)光線射出表面、一個(gè)與該光線射出表面相對(duì)的非光線射出表面、一個(gè)安裝于該二表面中的一表面上的具有一第一極性的第一電極、及一個(gè)安裝于該二表面中的一表面上的具有與該第一極性相反的第二極性的第二電極；一個(gè)設(shè)置于該發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的逆向電壓保護(hù)裝置的逆向電壓保護(hù)元件，該逆向電壓保護(hù)元件具有一個(gè)具有該第一極性的第一電極、及一個(gè)具有該第二極性的第二電極；一個(gè)用于建立至少一個(gè)在該主發(fā)光二極管芯片的其中一個(gè)電極與該逆向電壓保護(hù)元件的一個(gè)具有與該主發(fā)光二極管芯片的該其中一個(gè)電極的極性相反的極性的電極之間的電氣連接的電極連接導(dǎo)體單元；及至少兩個(gè)用于把該等電極電氣連接至外部電路的外部連接導(dǎo)電體單元。
49.如權(quán)利要求48所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于更包含于形成于每個(gè)該等電極上的輔助導(dǎo)電層。
50.如權(quán)利要求48所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于該主發(fā)光二極管芯片的第一和第二電極是設(shè)置于該非光線射出表面上，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該非光線射出表面上的不透明絕緣層及一個(gè)形成于該絕緣層上的不透明保護(hù)層，該絕緣層形成有兩個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，該保護(hù)層形成有兩個(gè)與對(duì)應(yīng)的暴露孔連通且在尺寸上較大的貫孔，該逆向電壓保護(hù)元件包含一副發(fā)光二極管芯片，其具有一個(gè)第一表面和一個(gè)安裝有該第一和第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該第二表面上的不透明絕緣層及一個(gè)形成于該絕緣層上的不透明保護(hù)層，該絕緣層形成有兩個(gè)用于暴露該副發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，該保護(hù)層形成有兩個(gè)與對(duì)應(yīng)的暴露孔連通且在尺寸上較大的貫孔，該副發(fā)光二極管芯片是以其第二表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面而設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層上，該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層的貫孔在尺寸上比該副發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層的貫孔大，該電極連接導(dǎo)體單元包含數(shù)個(gè)各形成于一對(duì)應(yīng)的貫孔及與該對(duì)應(yīng)的貫孔連通的暴露孔內(nèi)與一對(duì)應(yīng)的電極電氣連接的導(dǎo)體，以使該主發(fā)光二極管芯片的第一電極是經(jīng)由對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體來電氣連接至該副發(fā)光二極管芯片的第二電極而該主發(fā)光二極管芯片的第二電極是經(jīng)由對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體來電氣連接至該副發(fā)光二極管芯片的第一電極，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層上的不透明覆蓋層，該覆蓋層覆蓋該副發(fā)光二極管芯片而且形成有兩個(gè)各用于暴露形成在該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層的一對(duì)應(yīng)的貫孔內(nèi)的導(dǎo)體的一部分的開孔，及每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的該部分電氣連接的第一導(dǎo)體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)體部分。
51.如權(quán)利要求48所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于該主發(fā)光二極管芯片的第一和第二電極是設(shè)置于該非光線射出表面上，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該非光線射出表面的絕緣層及一個(gè)形成于該絕緣層上的保護(hù)層，該絕緣層形成有兩個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，該保護(hù)層形成有兩個(gè)與對(duì)應(yīng)的暴露孔連通且在尺寸上較大的貫孔，該逆向電壓保護(hù)元件包含一齊納二極管芯片，該齊納二極管芯片具有一個(gè)第一表面和一個(gè)與該第一表面相對(duì)且安裝有該第一和第二電極的第二表面，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該第二表面上的絕緣層及一個(gè)形成于該絕緣層上的保護(hù)層，該絕緣層形成有兩個(gè)用于暴露該齊納二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，該保護(hù)層形成有兩個(gè)與對(duì)應(yīng)的暴露孔連通且在尺寸上較大的貫孔，該齊納二極管芯片是以其第二表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面而設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層上，該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層的貫孔在尺寸上比該齊納二極管芯片的保護(hù)層的貫孔大，該電極連接導(dǎo)體單元包含數(shù)個(gè)各形成于一對(duì)應(yīng)的貫孔及與該對(duì)應(yīng)的貫孔連通的暴露孔內(nèi)與一對(duì)應(yīng)的電極電氣連接的導(dǎo)體以使該主發(fā)光二極管芯片的第一電極是經(jīng)由對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體來電氣連接至該齊納二極管芯片的第二電極，而該主發(fā)光二極管芯片的第二電極是經(jīng)由對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體來電氣連接至該齊納二極管芯片的第一電極，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層上的覆蓋層，該覆蓋層覆蓋該齊納二極管芯片而且形成有兩個(gè)各用于暴露形成在該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層的一對(duì)應(yīng)的貫孔內(nèi)的導(dǎo)體的一部分的開孔，及每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的該部分電氣連接的第一導(dǎo)體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)體部分。
52.如權(quán)利要求48所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于該主發(fā)光二極管芯片的第一和第二電極是設(shè)置在該非光線射出表面上，該逆向電壓保護(hù)元件包含一副發(fā)光二極管芯片，其具有一個(gè)第一表面和一個(gè)于其上安裝有該第一和第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該副發(fā)光二極管芯片是在其的第一表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面下設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的不透明絕緣層及一個(gè)形成于該絕緣層上的不透明保護(hù)層，該絕緣層形成有數(shù)個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片與該副發(fā)光二極管的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，該保護(hù)層形成有兩個(gè)各連通該絕緣層的兩個(gè)分別暴露該主發(fā)光二極管芯片的一對(duì)應(yīng)的電極和該副發(fā)光二極管芯片的一個(gè)具有與該主發(fā)光二極管芯片的該對(duì)應(yīng)的電極的極性相反的極性的電極的貫孔，該電極連接導(dǎo)體單元包含兩個(gè)導(dǎo)體，每個(gè)導(dǎo)體包括一個(gè)在該絕緣層的一暴露該主發(fā)光二極管芯片的一對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔內(nèi)與該主發(fā)光二極管芯片的該一對(duì)應(yīng)的電極電氣連接的第一部分、一個(gè)在該保護(hù)層的一連通該絕緣層的于其內(nèi)形成有該第一部分的暴露孔的貫孔內(nèi)且與該第一部分電氣連接的第二部分、及一個(gè)在該絕緣層的一連通該于其內(nèi)形成有該第二部分的貫孔的暴露孔內(nèi)與該副發(fā)光二極管芯片的該一電極及與該第二部分電氣連接的第三部分，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該保護(hù)層上的不透明覆蓋層，該覆蓋層形成有兩個(gè)各用于暴露一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的第二部分的開孔，及每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的第二部分電氣連接的第一導(dǎo)體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)體部分。
53.如權(quán)利要求48所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于該主發(fā)光二極管芯片的第一和第二電極是設(shè)置在該非光線射出表面上，該逆向電壓保護(hù)元件包含一齊納二極管芯片，其具有一個(gè)第一表面和一個(gè)于其上安裝有該第一和第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該齊納二極管芯片是在其的第一表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面下設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的絕緣層及一個(gè)形成于該絕緣層上的保護(hù)層，該絕緣層形成有數(shù)個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片與該齊納二極管的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，該保護(hù)層形成有兩個(gè)各連通該絕緣層的兩個(gè)分別暴露該主發(fā)光二極管芯片的一對(duì)應(yīng)的電極和該齊納二極管芯片的一個(gè)具有與該主發(fā)光二極管芯片的該對(duì)應(yīng)的電極的極性相反的極性的電極的貫孔，該電極連接導(dǎo)體單元包含兩個(gè)導(dǎo)體，每個(gè)導(dǎo)體包括一個(gè)在該絕緣層的一暴露該主發(fā)光二極管芯片的一對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔內(nèi)可與該主發(fā)光二極管芯片的該一對(duì)應(yīng)的電極電氣連接的第一部分、一個(gè)在該保護(hù)層的一連通該絕緣層的于其內(nèi)形成有該第一部分的暴露孔的貫孔內(nèi)且與該第一部分電氣連接的第二部分、及一個(gè)在該絕緣層的一連通該于其內(nèi)形成有該第二部分的貫孔的暴露孔內(nèi)可與該齊納二極管芯片的該一電極及與該第二部分電氣連接的第三部分，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該保護(hù)層上的覆蓋層，該覆蓋層形成有兩個(gè)各用于暴露一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的第二部分的開孔，及每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的第二部分電氣連接的第一導(dǎo)體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)體部分。
54.如權(quán)利要求48所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于該主發(fā)光二極管芯片的第一和第二電極是設(shè)置在該非光線射出表面上，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的的不透明絕緣層，該絕緣層形成有兩個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，每個(gè)暴露孔在尺寸上是比該主發(fā)光二極管芯片的電極大，該電極連接導(dǎo)體單元包含兩個(gè)形成于該絕緣層的對(duì)應(yīng)的暴露孔內(nèi)的導(dǎo)體以致于該等導(dǎo)體是與該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極電氣連接，該逆向電壓保護(hù)元件包含一副發(fā)光二極管芯片，其具有一個(gè)第一表面和一個(gè)于其上安裝有該第一和第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該副發(fā)光二極管芯片是在其的第二表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面下設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上以致于該副發(fā)光二極管芯片的第一電極是經(jīng)由該電極連接導(dǎo)體單元的一個(gè)導(dǎo)體來與該主發(fā)光二極管芯片的第二電極電氣連接，而該副發(fā)光二極管芯片的第二電極是經(jīng)由該電極連接導(dǎo)體單元的另一個(gè)導(dǎo)體來與該主發(fā)光二極管芯片的第一電極電氣連接，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該絕緣層上的不透明覆蓋層，該覆蓋層形成有兩個(gè)各用于暴露一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的一部分的開孔，及每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的該部分電氣連接的第一導(dǎo)體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)體部分。
55.如權(quán)利要求48所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于該主發(fā)光二極管芯片的第一和第二電極是設(shè)置在該非光線射出表面上，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的絕緣層，該絕緣層形成有兩個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，每個(gè)暴露孔在尺寸上是比該主發(fā)光二極管芯片的電極大，該電極連接導(dǎo)體單元包含兩個(gè)形成于該絕緣層的對(duì)應(yīng)的暴露孔內(nèi)的導(dǎo)體以致于該等導(dǎo)體是與該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極電氣連接，該逆向電壓保護(hù)元件包含一齊納二極管芯片，其具有一個(gè)第一表面和一個(gè)于其上安裝有該第一和第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該齊納二極管芯片是在其的第二表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面下設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上以致于該齊納二極管芯片的第一電極是經(jīng)由該電極連接導(dǎo)體單元的一個(gè)導(dǎo)體來與該主發(fā)光二極管芯片的第二電極電氣連接，而該齊納二極管芯片的第二電極是經(jīng)由該電極連接導(dǎo)體單元的另一個(gè)導(dǎo)體來與該主發(fā)光二極管芯片的第一電極電氣連接，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該絕緣層上的覆蓋層，該覆蓋層形成有兩個(gè)各用于暴露一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的一部分的開孔，及每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的該部分電氣連接的第一導(dǎo)體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)體部分。
56.如權(quán)利要求48所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于該主發(fā)光二極管芯片的第一和第二電極是設(shè)置于該非光線射出表面上，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的不透明絕緣層，該絕緣層形成有一個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的第一電極的第一暴露孔和一個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的第二電極的第二暴露孔，該第一暴露孔在尺寸上是比該主發(fā)光二極管芯片的電極大，該電極連接導(dǎo)體單元包含一個(gè)形成于該絕緣層的第一暴露孔內(nèi)的導(dǎo)體以致于該導(dǎo)體是與該主發(fā)光二極管芯片的的第一電極電氣連接，該逆向電壓保護(hù)元件包含一副發(fā)光二極管芯片，其具有一個(gè)于其上安裝有該第一電極的第一表面和一個(gè)于其上安裝有該第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該副發(fā)光二極管芯片是在其的第二表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面下設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上以致于該副發(fā)光二極管芯片的第二電極是經(jīng)由該電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)體來與該主發(fā)光二極管芯片的第一電極電氣連接，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該絕緣層上的不透明第一保護(hù)層及一個(gè)形成于該第一保護(hù)層上的不透明第二保護(hù)層，該第一保護(hù)層形成有三個(gè)分別用于暴露該副發(fā)光二極管芯片的第一電極、該主發(fā)光二極管芯片的第二電極、和該導(dǎo)體的一部分的貫孔，該第二保護(hù)層形成有一個(gè)與該第一保護(hù)層的暴露該電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)體的該一部分的貫孔連通可暴露該電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)體的該一部分的第一貫孔和一個(gè)使該第一保護(hù)層的其他貫孔連通的第二通孔，該電極連接導(dǎo)體單元更包含一個(gè)在該第一保護(hù)層的貫孔和該第二保護(hù)層的第一貫孔內(nèi)可與該導(dǎo)體的該一部分電氣連接的導(dǎo)體，及一個(gè)在該第一保護(hù)層的該其他貫孔和該第二保護(hù)層的第二貫孔內(nèi)可使該主發(fā)光二極管芯片的第二電極與該副發(fā)光二極管芯片的第一電極電氣連接的導(dǎo)體，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該第二保護(hù)層上的不透明覆蓋層，該覆蓋層形成有兩個(gè)用于暴露在該第一和第二貫孔內(nèi)的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的一部分的開孔，及每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的該一部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
57.如權(quán)利要求48所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于該主發(fā)光二極管芯片的第一和第二電極是設(shè)置于該非光線射出表面上，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的不透明絕緣層，該絕緣層形成有一個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的第一電極的第一暴露孔和一個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的第二電極的第二暴露孔，該第一暴露孔在尺寸上是比該主發(fā)光二極管芯片的電極大，該電極連接導(dǎo)體單元包含一個(gè)形成于該絕緣層的第一暴露孔內(nèi)的導(dǎo)體以致于該導(dǎo)體是與該主發(fā)光二極管芯片的的第一電極電氣連接，該逆向電壓保護(hù)元件包含一齊納二極管芯片，其具有一個(gè)于其上安裝有該第一電極的第一表面和一個(gè)于其上安裝有該第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該齊納二極管芯片是在其的第二表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面下設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上以致于該齊納二極管芯片的第二電極是經(jīng)由該電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)體來與該主發(fā)光二極管芯片的第一電極電氣連接，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該絕緣層上的不透明第一保護(hù)層及一個(gè)形成于該第一保護(hù)層上的不透明第二保護(hù)層，該第一保護(hù)層形成有三個(gè)分別用于暴露該齊納二極管芯片的第一電極、該主發(fā)光二極管芯片的第二電極、和該導(dǎo)體的一部分的貫孔，該第二保護(hù)層形成有一個(gè)與該第一保護(hù)層的暴露該電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)體的該一部分的貫孔連通可暴露該電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)體的該一部分的第一貫孔和一個(gè)使該第一保護(hù)層的其他貫孔連通的第二通孔，該電極連接導(dǎo)體單元更包含一個(gè)在該第一保護(hù)層的貫孔和該第二保護(hù)層的第一貫孔內(nèi)可與該導(dǎo)體的該一部分電氣連接的導(dǎo)體，及一個(gè)在該第一保護(hù)層的該其他貫孔和該第二保護(hù)層的第二貫孔內(nèi)可使該主發(fā)光二極管芯片的第二電極與該齊納二極管芯片的第一電極電氣連接的導(dǎo)體，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該第二保護(hù)層上的不透明覆蓋層，該覆蓋層形成有兩個(gè)用于暴露在該第一和第二貫孔內(nèi)的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的一部分的開孔，及每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的該一部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
58.一種發(fā)光二極管封裝體，其特征在于包含一個(gè)能夠被激勵(lì)來發(fā)出光線的主發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)光線射出表面、一個(gè)與該光線射出表面相對(duì)的非光線射出表面、一個(gè)安裝于該二表面中的一表面上的具有一第一極性的第一電極、及一個(gè)安裝于該二表面中的一表面上的具有與該第一極性相反的第二極性的第二電極；一個(gè)設(shè)置于該發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的逆向電壓保護(hù)裝置的逆向電壓保護(hù)元件，該逆向電壓保護(hù)元件具有與該主發(fā)光二極管芯片的電極對(duì)準(zhǔn)的第一和第二電極區(qū)域，該第一電極區(qū)域具有該第一極性而該第二電極區(qū)域具有該第二極性，該等電極區(qū)域各形成有一個(gè)暴露該主發(fā)光二極管芯片的一具有與其的極性相反的極性的電極的貫孔；及至少兩個(gè)用于把該等電極電氣連接至外部電路之外部連接導(dǎo)電體單元。
59.如權(quán)利要求58所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于該主發(fā)光二極管芯片的第一和第二電極是設(shè)置于該非光線射出表面上，該逆向電壓保護(hù)元件為一副發(fā)光二極管芯片，及每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包括一個(gè)在一對(duì)應(yīng)的貫孔內(nèi)與該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極和該副發(fā)光二極管的對(duì)應(yīng)的電極區(qū)域電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的貫孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
60.如權(quán)利要求58所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于該主發(fā)光二極管芯片的第一和第二電極是設(shè)置于該非光線射出表面上，該逆向電壓保護(hù)元件為一齊納二極管芯片，及每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包括一個(gè)在一對(duì)應(yīng)的貫孔內(nèi)可與該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極和該齊納二極管的對(duì)應(yīng)的電極區(qū)域電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的貫孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
61.一種發(fā)光二極管封裝體，其特征在于包含一個(gè)能夠被激勵(lì)來發(fā)出光線的發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)光線射出表面、一個(gè)與該光線射出表面相對(duì)的非光線射出表面、一個(gè)安裝于該二表面中的一表面上的具有一第一極性的第一電極、及一個(gè)安裝于與該第一電極相同的表面上的具有與該第一極性相反的第二極性的第二電極；一個(gè)設(shè)置于該發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的逆向電壓保護(hù)裝置的逆向電壓保護(hù)元件，該逆向電壓保護(hù)元件為一電容器，該電容器具有兩個(gè)各延伸至該發(fā)光二極管芯片的兩個(gè)電極中的一電極附近的具有彼此相反的極性的電極；一個(gè)形成于該發(fā)光二極管芯片的電極安裝表面上的絕緣層，該絕緣層是借助暴光與顯影處理來被定以圖案可形成兩個(gè)用于暴露該發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極及該逆向電壓保護(hù)元件的延伸在發(fā)光二極管芯片的該對(duì)應(yīng)的電極附近的電極的貫孔；一個(gè)電極連接導(dǎo)體單元，該電極連接導(dǎo)體單元包含兩個(gè)各在該絕緣層的一貫孔內(nèi)可使由該絕緣層的該一貫孔所暴露的該發(fā)光二極管芯片的電極與該逆向電壓保護(hù)元件的電極電氣連接的導(dǎo)體；一個(gè)形成于該絕緣層的表面上的覆蓋層，該覆蓋層形成有兩個(gè)用于暴露該電極連接導(dǎo)體單元的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的一部分的暴露孔；及至少兩個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包括一個(gè)在一對(duì)應(yīng)的暴露孔內(nèi)與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的該部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該暴露孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
62.一種發(fā)光二極管封裝體，其特征在于包含一主發(fā)光二極管芯片，該主發(fā)光二極管芯片具有一允許外部光線穿透的非光線射出表面、一與該非光線射出表面相對(duì)的光線射出表面、一設(shè)置于該非光線射出表面的具有一第一極性的第一電極、及一設(shè)置于該非光線射出表面的具有一與該第一極性相反的第二極性的第二電極；一個(gè)電極連接導(dǎo)體單元，該電極連接導(dǎo)體單元包含一個(gè)形成于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面的在該第一電極及其附近的表面區(qū)域上的透明導(dǎo)電金屬層；一個(gè)設(shè)置于該導(dǎo)電金屬層上的副發(fā)光二極管芯片，該副發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)安裝有該第一電極的第一表面和一個(gè)安裝有該第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該副發(fā)光二極管芯片是以其第二表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面而設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的導(dǎo)電金屬層上以使該副發(fā)光二極管芯片的第二電極是經(jīng)由該導(dǎo)電金屬層來與該主發(fā)光二極管芯片的第一電極電氣連接；一個(gè)形成于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的不透明覆蓋層以致于該副發(fā)光二極管芯片被覆蓋，該覆蓋層形成有兩個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的第二電極和該副發(fā)光二極管芯片的第一電極的開孔，及形成于該覆蓋層的每個(gè)開孔內(nèi)之外部連接導(dǎo)電體單元，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的電極電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
63.一種發(fā)光二極管封裝體，其特征在于包含一個(gè)能夠被激勵(lì)來發(fā)出光線的主發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)光線射出表面、一個(gè)與該光線射出表面相對(duì)且允許外部光線穿透的非光線射出表面、一個(gè)安裝于該非光線射出表面上的具有一第一極性的第一電極、及一個(gè)安裝于該非光線射出表面上的具有與該第一極性相反的第二極性的第二電極；一個(gè)設(shè)置于該發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的副發(fā)光二極管芯片，該副發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)有該第一極性的第一電極、及一個(gè)具有該第二極性的第二電極；一個(gè)用于建立至少一個(gè)在該主發(fā)光二極管芯片的其中一個(gè)電極與該逆向電壓保護(hù)元件的一個(gè)具有與該主發(fā)光二極管芯片的該其中一個(gè)電極的極性相同的極性的電極之間的電氣連接的電極連接導(dǎo)體單元；及至少兩個(gè)用于把該等電極電氣連接至外部電路之外部連接導(dǎo)電體單元。
64.如權(quán)利要求63所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該非光線射出表面上的絕緣層及一個(gè)形成于該絕緣層上的保護(hù)層，該絕緣層形成有兩個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，該保護(hù)層形成有兩個(gè)與對(duì)應(yīng)的暴露孔連通且在尺寸上較大的貫孔，該副發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)第一表面和一個(gè)安裝有該第一和第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該第二表面上的絕緣層及一個(gè)形成于該絕緣層上的保護(hù)層，該絕緣層形成有兩個(gè)用于暴露該副發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，該保護(hù)層形成有兩個(gè)與對(duì)應(yīng)的暴露孔連通且在尺寸上較大的貫孔，該副發(fā)光二極管芯片是在其的第二表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面下設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層上，該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層的貫孔在尺寸上比該副發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層的貫孔大，該電極連接導(dǎo)體單元包含數(shù)個(gè)各形成于一對(duì)應(yīng)的貫孔及與該對(duì)應(yīng)的貫孔連通的暴露孔內(nèi)與一對(duì)應(yīng)的電極電氣連接的導(dǎo)體以使該主發(fā)光二極管芯片的第一電極是經(jīng)由對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體來電氣連接至該副發(fā)光二極管芯片的第一電極而該主發(fā)光二極管芯片的第二電極是經(jīng)由對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體來電氣連接至該副發(fā)光二極管芯片的第二電極，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層上的不透明覆蓋層，該覆蓋層覆蓋該副發(fā)光二極管芯片而且形成有兩個(gè)各用于暴露形成在該主發(fā)光二極管芯片的保護(hù)層的一對(duì)應(yīng)的貫孔內(nèi)的導(dǎo)體的一部分的開孔，及每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的該部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
65.如權(quán)利要求63所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于該副發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)第一表面和一個(gè)于其上安裝有該第一和第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該副發(fā)光二極管芯片是在其的第一表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面下設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的絕緣層及一個(gè)形成于該絕緣層上的保護(hù)層，該絕緣層形成有數(shù)個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片與該副發(fā)光二極管的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，該保護(hù)層形成有兩個(gè)各連通該絕緣層的兩個(gè)分別暴露該主發(fā)光二極管芯片的一對(duì)應(yīng)的電極和該副發(fā)光二極管芯片的一個(gè)具有與該主發(fā)光二極管芯片的該對(duì)應(yīng)的電極的極性相同的極性的電極的貫孔，該電極連接導(dǎo)體單元包含兩個(gè)導(dǎo)體，每個(gè)導(dǎo)體包括一個(gè)在該絕緣層的一暴露該主發(fā)光二極管芯片的一對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔內(nèi)與該主發(fā)光二極管芯片的該一對(duì)應(yīng)的電極電氣連接的第一部分、一個(gè)在該保護(hù)層的一連通該絕緣層的于其內(nèi)形成有該第一部分的暴露孔的貫孔內(nèi)且與該第一部分電氣連接的第二部分、及一個(gè)在該絕緣層的一連通該于其內(nèi)形成有該第二部分的貫孔的暴露孔內(nèi)與該副發(fā)光二極管芯片的該二電極及與該第二部分電氣連接的第三部分，該發(fā)光二極管封裝體更包含于該保護(hù)層上形成一不透明覆蓋層的步驟，該覆蓋層形成有兩個(gè)各用于暴露一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的第二部分的開孔，及每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的第二部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
66.如權(quán)利要求63所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的絕緣層，該絕緣層形成有兩個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極的暴露孔，每個(gè)暴露孔在尺寸上是比該主發(fā)光二極管芯片的電極大，該電極連接導(dǎo)體單元包含兩個(gè)形成于該絕緣層的對(duì)應(yīng)的暴露孔內(nèi)的導(dǎo)體以致于該等導(dǎo)體是與該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極電氣連接，該副發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)第一表面和一個(gè)安裝有該第一和第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該副發(fā)光二極管芯片是以其第二表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面而設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上以致于該副發(fā)光二極管芯片的第一電極是經(jīng)由該電極連接導(dǎo)體單元的一個(gè)導(dǎo)體來與該主發(fā)光二極管芯片的第一電極電氣連接，而該副發(fā)光二極管芯片的第二電極是經(jīng)由該電極連接導(dǎo)體單元的另一個(gè)導(dǎo)體來與該主發(fā)光二極管芯片的第二電極電氣連接，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該絕緣層上的不透明覆蓋層，該覆蓋層形成有兩個(gè)各用于暴露一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的一部分的開孔，及每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)可與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的該部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
67.如權(quán)利要求63所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的絕緣層，該絕緣層形成有一個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的第一電極的第一暴露孔和一個(gè)用于暴露該主發(fā)光二極管芯片的第二電極的第二暴露孔，該第一暴露孔在尺寸上是比該主發(fā)光二極管芯片的電極大，該電極連接導(dǎo)體單元包含一個(gè)形成于該絕緣層的第一暴露孔內(nèi)的導(dǎo)體以致于該導(dǎo)體是與該主發(fā)光二極管芯片的的第一電極電氣連接，該副發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)于其上安裝有該第一電極的第一表面和一個(gè)安裝有該第二電極且與該第一表面相對(duì)的第二表面，該副發(fā)光二極管芯片是以其第一表面面向該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面而設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上，以使該副發(fā)光二極管芯片的第一電極是經(jīng)由該電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)體來與該主發(fā)光二極管芯片的第一電極電氣連接，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該絕緣層上的第一保護(hù)層及一個(gè)形成于該第一保護(hù)層上的第二保護(hù)層，該第一保護(hù)層形成有三個(gè)分別用于暴露該副發(fā)光二極管芯片的第二電極、該主發(fā)光二極管芯片的第二電極、和該導(dǎo)體的一部分的貫孔，該第二保護(hù)層形成有一個(gè)與該第一保護(hù)層的暴露該電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)體的該一部分的貫孔連通可暴露該電極連接導(dǎo)體單元的導(dǎo)體的該一部分的第一貫孔和一個(gè)使該第一保護(hù)層的其他貫孔連通的第二通孔，該電極連接導(dǎo)體單元更包含一個(gè)在該第一保護(hù)層的貫孔和該第二保護(hù)層的第一貫孔內(nèi)與該導(dǎo)體的該一部分電氣連接的導(dǎo)體，及一個(gè)在該第一保護(hù)層的該其他貫孔和該第二保護(hù)層的第二貫孔內(nèi)使該主發(fā)光二極管芯片的第二電極與該副發(fā)光二極管芯片的第二電極電氣連接的導(dǎo)體，該發(fā)光二極管封裝體更包含一個(gè)形成于該第二保護(hù)層上的不透明覆蓋層，該覆蓋層形成有兩個(gè)用于暴露在該第一和第二貫孔內(nèi)的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體的一部分的開孔，及每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包含一個(gè)在該覆蓋層的一對(duì)應(yīng)的開孔內(nèi)與由該對(duì)應(yīng)的開孔所暴露的導(dǎo)體的該一部分電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的開孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
68.一種發(fā)光二極管封裝體，其特征在于包含一個(gè)能夠被激勵(lì)來發(fā)出光線的主發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一個(gè)光線射出表面、一個(gè)與該光線射出表面相對(duì)的非光線射出表面、一個(gè)安裝于該二表面中的一表面上的具有一第一極性的第一電極、及一個(gè)安裝于該二表面中的一表面上的具有與該第一極性相反的第二極性的第二電極；一個(gè)設(shè)置于該主發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上的副發(fā)光二極管芯片，該副發(fā)光二極管芯片具有與該主發(fā)光二極管芯片的電極對(duì)準(zhǔn)的第一和第二電極區(qū)域，該第一電極區(qū)域具有該第一極性而該第二電極區(qū)域具有該第二極性，該等電極區(qū)域各形成有一個(gè)暴露該主發(fā)光二極管芯片的一具有與其的極性相同的極性的電極的貫孔；及至少兩個(gè)用于把該等電極電氣連接至外部電路之外部連接導(dǎo)電體單元，每個(gè)外部連接導(dǎo)電體單元包括一個(gè)在一對(duì)應(yīng)的貫孔內(nèi)與該主發(fā)光二極管芯片的對(duì)應(yīng)的電極和該副發(fā)光二極管的對(duì)應(yīng)的電極區(qū)域電氣連接的第一導(dǎo)電體部分及一個(gè)與該第一導(dǎo)電體部分電氣連接且突伸在該對(duì)應(yīng)的貫孔之外的第二導(dǎo)電體部分。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝體及其封裝方法，該封裝方法包含如下的步驟提供一個(gè)主發(fā)光二極管芯片，該主發(fā)光二極管芯片具有一光線射出表面、一與該光線射出表面相對(duì)的非光線射出表面及安裝于該非光線射出表面上的第一和第二電極；于該發(fā)光二極管芯片的非光線射出表面上設(shè)置一個(gè)作為逆向電壓保護(hù)裝置的逆向電壓保護(hù)元件，該逆向電壓保護(hù)元件具有一第一電極及一第二電極；形成一個(gè)用于建立至少一個(gè)在該主發(fā)光二極管芯片的其中一個(gè)電極與該逆向電壓保護(hù)元件的一個(gè)具有與該主發(fā)光二極管芯片的該其中一個(gè)電極的極性相反的極性的電極之間的電氣連接的電極連接導(dǎo)體單元；及形成至少兩個(gè)用于把該等彼此電氣連接的電極電氣連接至外部電路之外部連接導(dǎo)電體單元。
文檔編號(hào)H01L33/00GK1866554SQ20051007395
公開日2006年11月22日 申請(qǐng)日期2005年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月19日
發(fā)明者沈育濃 申請(qǐng)人:沈育濃