專利名稱:非周期極化晶體雙波長光學(xué)參量振蕩器產(chǎn)生太赫茲的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種非周期極化晶體雙波長光學(xué)參量振蕩器產(chǎn)生太赫茲的裝置,屬于產(chǎn)生太赫茲波源的技術(shù)。
背景技術(shù):
太赫茲(太赫茲,1THz=1012Hz)頻段是指頻率從0.3THz到10THz,介于毫米波與紅外光之間的電磁輻射區(qū)域。這是一個(gè)非常具有科學(xué)價(jià)值但尚未開發(fā)的電磁輻射區(qū)域。長期以來,由于缺乏有效的太赫茲產(chǎn)生和檢測方法,人們對于該波段電磁輻射性質(zhì)的了解非常有限,以致于該波段被稱為電磁波譜中的太赫茲空隙,也是電磁波譜中有待進(jìn)行全面研究的最后一個(gè)頻率窗口。
近年來太赫茲技術(shù)之所以引起人們的廣泛關(guān)注,是因?yàn)樗谖矬w成像、環(huán)境監(jiān)測、醫(yī)療診斷、射電天文、寬帶移動通訊、衛(wèi)星通信和軍用雷達(dá)等方面具有重大的科學(xué)價(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景。
由于太赫茲電磁波的上述重大應(yīng)用前景,目前國際上已有多個(gè)課題組開展了太赫茲領(lǐng)域的科學(xué)研究工作。
截止到2002年,在美國,Jefferson試驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)了大功率太赫茲光源。倫斯勒理工學(xué)院太赫茲研究中心實(shí)現(xiàn)了T-射線層析成像術(shù),T-射線用于生化樣品識別和成像。在美國的其他實(shí)驗(yàn)室開始了非線性太赫茲光譜分析學(xué)的研究,太赫茲波量子光學(xué)和量子計(jì)算等。意大利和英國實(shí)現(xiàn)了全固態(tài)太赫茲激光器。在美國和歐洲,也已實(shí)現(xiàn)太赫茲波的醫(yī)學(xué)應(yīng)用。在德國,實(shí)現(xiàn)了太赫茲共振結(jié)構(gòu)用于無標(biāo)記DNA識別。日本則提出了在強(qiáng)磁場下利用半導(dǎo)體產(chǎn)生太赫茲射線的物理機(jī)制。
獲得太赫茲波的方法雖然很多,原理也各異,但利用非線性差頻(DFG)過程是其中的一種重要手段,它的最大優(yōu)點(diǎn)是沒有閾值,且試驗(yàn)設(shè)備很容易搭建,容易實(shí)現(xiàn)差頻轉(zhuǎn)換,其關(guān)鍵是要獲得波長相近的泵浦光和信號光,有如下幾種常用的方法(1)雙波長輸出TiAl2O3激光器;(2)工作在簡并點(diǎn)附近的光學(xué)參量振蕩器;(3)利用雙非線性晶體實(shí)現(xiàn)雙信號光運(yùn)轉(zhuǎn)的光學(xué)參量振蕩器;(4)利用雙重周期極化晶體實(shí)現(xiàn)雙信號光運(yùn)轉(zhuǎn)的光學(xué)參量振蕩器。
上述方法轉(zhuǎn)換效率低,光學(xué)系統(tǒng)復(fù)雜,不便于光路調(diào)節(jié)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種非周期極化晶體雙波長光學(xué)參量振蕩器產(chǎn)生太赫茲的裝置,該裝置易于組建,產(chǎn)生的太赫茲無閾值。
本發(fā)明是通過一下技術(shù)方案加以實(shí)現(xiàn)的。一種以非周期極化晶體雙波長光學(xué)參量振蕩器產(chǎn)生太赫茲的裝置,太赫茲波的頻率范圍為1.19THz~1.45THz,該裝置包括泵浦源1,光學(xué)耦合透鏡組2、7,輸入鏡3,輸出鏡6,非線性晶體C28及其溫控爐9,其中泵浦源包括半導(dǎo)體激光器1-1,光學(xué)耦合透鏡組1-2,NdYAG晶體1-3,聲光Q開關(guān)1-4,小孔光1-5欄,輸出耦合鏡1-6。其特征在于,裝置還包括,在輸入鏡3和輸出鏡6之間設(shè)置了鈮酸鋰的晶體尺寸為30mm×5mm×1mm、單個(gè)電疇寬度L=10μm的非周期極化晶體C14及其溫控爐5,溫控爐5工作溫度100℃~200℃,且在泵浦光λp=波長1064nm時(shí),該非周期極化晶體以λ1=1500nm和λ2=1510nm的兩個(gè)信號光入射非線性晶體C2(8),在非線性晶體C2的端面鍍1450nm~1550nm的增透膜,極化周期為35μm,α=23°,非線性晶體C2的溫控爐(9)的工作溫度為100℃~200℃,則由非線性晶體C2差頻產(chǎn)生頻率范圍為1.19THz~1.45THz太赫茲波。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于,裝置易于組建,產(chǎn)生的太赫茲無閾值。而且轉(zhuǎn)換效率高,便于光路調(diào)節(jié)。
圖1為一段非周期極化晶體的結(jié)構(gòu)圖;圖2為本發(fā)明的裝置結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為圖2中1泵浦的結(jié)構(gòu)示意圖;圖4為傾斜周期的非線性晶體結(jié)構(gòu)及產(chǎn)生太赫茲波的原理圖。
圖中1為泵浦源,2為光學(xué)耦合透鏡組,3為輸入鏡,4為非周期極化晶體C1,5為溫控爐,6為輸出鏡,7為光學(xué)耦合透鏡組,8為非線性晶體C2,9為溫控爐,1-1為LD泵浦源,1-2為耦合透鏡組,1-3為Nd:YAG晶體,1-4為聲光Q開關(guān),1-5為小孔光欄,1-6為輸出耦合鏡。
具體實(shí)施例方式
下面具體介紹一下各光學(xué)器件的參數(shù)。半導(dǎo)體激光器1-1在25℃時(shí)中心波長808nm,譜線寬度為2.5nm,光纖芯徑為400μm,數(shù)值孔徑為0.22,自帶溫度控制和冷卻系統(tǒng)。光學(xué)耦合透鏡組1-2把光纖輸出的808nm泵浦光耦合進(jìn)Nd:YAG晶體,要求聚焦光斑直徑大?。?mm,焦深>10mm,損耗<10%。激光腔采用結(jié)構(gòu)簡單的平-平腔結(jié)構(gòu),半導(dǎo)體激光器輸出的808nm光經(jīng)過耦合系統(tǒng)1-2后泵浦Nd:YAG晶體1-3,晶體前端面鍍808nm高透、1064nm全反膜,做為輸入鏡,輸出端鍍808nm、1064nm增透膜,Nd:YAG晶體尺寸為3mm×3mm×5mm,摻雜濃度為0.5atm%,晶體采用恒溫水循環(huán)器將溫度控制在22.5℃。為了提高峰值功率,我們加入聲光Q開關(guān)1-4,實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)連續(xù)1064nm輸出。重復(fù)頻率1-19KHz可調(diào)。為了提高光束質(zhì)量,加入了小孔光欄1-5限束,但使得閾值提高,輸出功率有所降低。輸出耦合鏡1-6對1064nm的透過率為10%,腔長約為95mm。
1064nm光經(jīng)過耦合系統(tǒng)2后,聚焦在到非周期極化晶體C1的中心位置,光斑半徑約為100μm。OPO腔由一平面輸入耦合鏡3和一曲率半徑為100mm的平凹輸出耦合鏡6組成。腔長約為90mm,輸入耦合鏡3對1064nm波長的光95%高透,對雙信號光>99%高反,輸出耦合鏡[6對雙信號光12%透過,對泵浦光80%透射。它們對閑頻光(3-4μm)都是高吸收,這樣OPO對信號光單諧振。
非周期極化晶體C1兩端鍍有對1064nm和1450nm~1550nm的增透膜。由于LiNbO3晶體的光損傷閾值與溫度有關(guān),溫度升高光損傷閾值也明顯升高。所以,為避免晶體光折變損傷,我們把晶體C1裝在溫控爐5里,工作范圍為室溫到200℃,加熱到137℃平均需要12分鐘。溫度控制器工作電壓為85~235VAC,正常工作的環(huán)境溫度可以從-10℃~55℃。采用pt100作為溫度傳感器,溫度控制精度高于±0.1℃。把由6輸出的雙信號光經(jīng)過耦合系統(tǒng)7后聚焦在第二塊非線性晶體C28的中心位置。一般的非線性晶體對THz的吸收比較強(qiáng),所以非線性晶體我們選擇傾斜周期的周期極化晶體,這樣可以獲得側(cè)向輻射太赫茲波,并利用輻射熱探測器進(jìn)行THz探測。非線性晶體C28的晶體端面鍍1450nm~1550nm的增透膜,極化周期為35μm,α=23°。非線性晶體C2放在溫控爐9中,通過改變晶體C2的溫度,來實(shí)現(xiàn)不同入射波長條件下的相位匹配。在100℃~200℃范圍內(nèi)改變非周期極化晶體溫度,可獲得光學(xué)參量振蕩器雙信號光的波長調(diào)諧范圍為1491.3nm(1500.2nm)~1519.4nm(1530.7nm)。將此雙信號光入射到傾斜周期的非線性晶體C2上,再通過調(diào)節(jié)C2的溫度,差頻產(chǎn)生太赫茲波的頻率范圍為1.19THz~1.45THz。
權(quán)利要求
1.一種以非周期極化晶體雙波長光學(xué)參量振蕩器產(chǎn)生太赫茲的裝置,所述的太赫茲波的頻率為1.19THz~1.45THz,該裝置包括泵浦源(1),光學(xué)耦合透鏡組(2)、(7),輸入鏡(3),輸出鏡(6),非線性晶體C2(8)及其溫控爐(9),其中泵浦源包括半導(dǎo)體激光器(1-1),光學(xué)耦合透鏡組(1-2),Nd:YAG晶體(1-3),聲光Q開關(guān)(1-4),小孔光(1-5)欄,輸出耦合鏡(1-6),其特征在于,裝置還包括,在輸入鏡(3)和輸出鏡(6)之間設(shè)置了鈮酸鋰的晶體尺寸為30mm×5mm×1mm、單個(gè)電疇寬度L=10μm的非周期極化晶體C1(4)及其溫控爐(5),溫控爐(5)工作溫度100℃~200℃,且在泵浦光λp=波長1064nm時(shí),該非周期極化晶體以λ1=1500nm和λ2=1510nm的兩個(gè)信號光入射非線性晶體C2(8),在非線性晶體C2的端面鍍1450nm~1550nm的增透膜,極化周期為35μm,α=23°,非線性晶體C2的溫控爐(9)的工作溫度為100℃~200℃,則由非線性晶體C2差頻產(chǎn)生頻率范圍為1.19THz~1.45THz太赫茲波。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種非周期極化晶體雙波長光學(xué)參量振蕩器產(chǎn)生太赫茲的裝置,屬于產(chǎn)生太赫茲波源的技術(shù)。所述的裝置包括泵浦源,光學(xué)耦合透鏡組,輸入鏡,輸出鏡,非線性晶體C
文檔編號H01S3/00GK1747260SQ20051001448
公開日2006年3月15日 申請日期2005年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月15日
發(fā)明者姚建銓, 紀(jì)峰, 張百鋼, 路洋, 張鐵犁, 王濤 申請人:天津大學(xué)