專利名稱：半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，并且尤其涉及一種適合于防止由于在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝通過使用倒裝晶片凸塊工藝(flip chip bumping)制造的情況下半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的表面損壞而導(dǎo)致的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝的光學(xué)特性惡化的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常的，半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備是指圖像傳感器芯片或者固態(tài)圖像采集設(shè)備。其通過光電傳感器將物體圖像轉(zhuǎn)換為電信號和電荷耦合設(shè)備傳送通過所述光電傳感器轉(zhuǎn)換的電信號而采集物體圖像并且將其輸出為電信號。
為了將半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備封裝到陶瓷基底，采用通用的引線結(jié)合法(wire bonding)。
下面參考附圖詳細描述上述的采用引線結(jié)合法的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備和半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝。
圖1為顯示通常的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的平面結(jié)構(gòu)的示例圖。如圖所示，半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備10在中心設(shè)置了圖像傳感單元20用于將物體圖像轉(zhuǎn)換為電信號并且傳送所轉(zhuǎn)換的電信號，并且在圖像傳感單元20的邊緣設(shè)置了多個電極板30用于接收圖像傳感單元20的電信號。
圖2為顯示采用引線結(jié)合法的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備封裝的截面構(gòu)造的示例圖。如圖所示，所述半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝包括通過第一粘附層101而依附在第一基底100的中上部的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備110；通過第一粘附層101依附到第一基底100的邊緣的第二基底120，與半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備110距離預(yù)定間隔；電連接到設(shè)置在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備110的邊緣上的多個第一電極板111和設(shè)置在第二基底120上的多個第二電極板121的多個導(dǎo)線130；從第一基底100的底部表面的兩側(cè)延伸到第二基底120的頂部表面的兩側(cè)的多個導(dǎo)線140；在第二基底120的頂部表面上設(shè)置的導(dǎo)線140的頂部形成的支撐物150；以及通過第二粘附層102而依附到支撐物150的頂部的玻璃板160。
圖3為顯示半導(dǎo)體圖像傳感器模塊的示例圖，其中透鏡單元耦合到如圖2所示的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝。如圖所示，圖2所示的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝200設(shè)置在模塊基底210上，并且透鏡單元220設(shè)置在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝200的頂部上。此時，透鏡單元220由通過模塊基底200支撐的透鏡固定器230而固定并且設(shè)置在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝200的頂部。
如上所述的半導(dǎo)體圖像傳感器的模塊尺寸完全依賴于半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝的尺寸，并且如圖2所示的采用引線結(jié)合方法的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝具有如下問題，即由于距離半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備110預(yù)定間隔的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備110的第一電極板111和第二基底120的第二電極板121互相電連接，半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝尺寸相對于半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備110的尺寸顯得過大，因此不能適應(yīng)產(chǎn)品微型化的趨勢。
而且，還存在這樣的問題，即通過引線結(jié)合工藝制造半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝需要引線結(jié)合工藝、塑模工藝、陶瓷工藝等，因此導(dǎo)致了時間延滯并且降低了生產(chǎn)率。
為了解決上述引線結(jié)合方法的問題，近來提出了一種使用倒裝晶片凸塊工藝制造半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備封裝的方法。
總的來說，所述使用倒裝晶片凸塊工藝制造半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備封裝的方法包括薄膜步驟，其中選擇性暴露半導(dǎo)體設(shè)備的電極板并且然后沉積金屬結(jié)合層和電鍍金屬層；照相步驟，其中形成光敏材料，選擇性暴露形成半導(dǎo)體設(shè)備的電極板的區(qū)域；金屬電鍍步驟，其中在金屬層的頂部形成凸塊以對形成電極板的區(qū)域進行電鍍；蝕刻步驟，其中去除光敏材料并且去除沒有形成凸塊的區(qū)域的電鍍金屬層和金屬結(jié)合層；以及熱處理步驟，其中根據(jù)使用目的而調(diào)節(jié)凸塊的硬度。
如上所述，所述使用倒裝晶片凸塊工藝制造半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備封裝的各個步驟在高于室溫的溫度條件下進行，特別的，所述沉積金屬結(jié)合層和電鍍金屬層的薄膜法是在高于300℃的條件下進行的。
通常的，在半導(dǎo)體設(shè)備的表面上形成陶瓷材料的氮化硅薄膜或者氧化硅薄膜以保護形成在半導(dǎo)體設(shè)備內(nèi)部的微電路。
然而，在半導(dǎo)體設(shè)備需要特定用途的情況下，例如機械保護、導(dǎo)電性(絕緣性)增強、半導(dǎo)體設(shè)備表面或者其光學(xué)特性的化學(xué)保護，在半導(dǎo)體設(shè)備的表面上形成無機物例如聚合體。此時，在半導(dǎo)體設(shè)備表面上形成的例如聚合體等無機物與例如上述的氮化硅薄膜或者氧化硅薄膜等陶瓷材料相比機械抵抗力和抗熱度都較弱。
通常的，在半導(dǎo)體設(shè)備表面形成的聚合體分為二酰亞胺類型和環(huán)氧樹脂類型。聚合體的物理性質(zhì)發(fā)生突變的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)的范圍為100至350℃。
而且，形成在半導(dǎo)體設(shè)備表面的聚合體能夠承受而不發(fā)生形變的張力大約最大為400MPa。溫度越高，則半導(dǎo)體設(shè)備表面上形成的聚合體能夠承受而不發(fā)生形變的最大張力越低。
同時，作為表面上形成了具有光學(xué)特性的聚合體材料的典型功能設(shè)備的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備，具有包括平面層、濾色層以及堆疊在其表面上的微透鏡的聚合體層。此時，濾色層對于溫度條件很脆弱，并且其特性在高于250℃的高溫下發(fā)生惡化。
而且，包括平面層、濾色層以及堆疊在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備表面上的微透鏡的聚合體層即使在250℃的溫度下也可能發(fā)生機械強度惡化。也就是說，在使用前述的倒裝晶片凸塊工藝方法制造具有堆疊在其上的聚合體層的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備封裝的情況下，即使沉積金屬結(jié)合層和電鍍金屬層的薄膜步驟的溫度條件被控制在大約250℃左右，在沉積步驟中產(chǎn)生的薄膜壓力會超過聚合體材料能夠承受不發(fā)生形變的最大張力(400MPa)并且變得超過500MPa，這導(dǎo)致了半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的表面發(fā)生形變并且產(chǎn)生裂紋或者褶皺。
因此，傳統(tǒng)的作為表面上形成聚合體材料的代表性功能設(shè)備的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備具有如下問題，即很難通過倒裝晶片凸塊工藝制造半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備封裝。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目標是提供一種適合于防止由于在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝通過使用倒裝晶片凸塊工藝制造的情況下半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的表面損壞而導(dǎo)致的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝的光學(xué)特性惡化的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
在實現(xiàn)本發(fā)明目標的第一實施方式中，提供了一種半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備，具有形成在其中心的圖像傳感單元的表面上的至少一個功能聚合體層和沿著邊緣形成的通過絕緣薄膜選擇性暴露的多個電極板；至少一個金屬薄膜層，形成在所述暴露的電極板的各個頂部上；凸塊，形成在所述金屬薄膜層的各個頂部上；印刷電路板，設(shè)置有開口以暴露所述功能聚合體層和通過各向異性的導(dǎo)電聚合體層結(jié)合到所述凸塊的多個電極板；以及玻璃濾波器，依附在所述印刷電路板上并且對通過所述開口入射到所述功能聚合體層上的光線進行過濾。
在實現(xiàn)本發(fā)明目標的第一實施方式中，提供了一種半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括步驟在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的表面上形成絕緣薄膜并且然后選擇性蝕刻所述絕緣薄膜從而暴露形成在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的邊緣上的電極板；在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的中心處形成的圖像傳感單元上形成至少一個功能聚合體層；在產(chǎn)生的材料頂部上形成至少一個金屬薄膜層，同時在室溫至200℃的范圍之間調(diào)節(jié)半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的表面溫度；在所述金屬薄膜層的頂部上形成光敏薄膜并且然后對所述光敏薄膜進行曝光和沖洗從而將形成所述半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的電極板的區(qū)域的金屬薄膜層暴露；在暴露于形成所述半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的電極板的區(qū)域的金屬薄膜層的頂部形成凸塊；以及去除所述光敏薄膜并且然后使用所述凸塊為掩模(mask)而蝕刻所述金屬薄膜層。
在實現(xiàn)本發(fā)明目標的第二實施方式中，提供了一種半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括步驟在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的表面上形成絕緣薄膜并且然后選擇性蝕刻所述絕緣薄膜從而暴露形成在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的邊緣上的電極板；在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的中心處形成的圖像傳感單元上形成至少一個功能聚合體層；在所述圖像傳感單元上形成所述功能聚合體層的位置形成抗壓聚合體層；在產(chǎn)生的材料頂部上形成至少一個金屬薄膜層；在所述金屬薄膜層的頂部上形成光敏薄膜并且然后對所述光敏薄膜進行曝光和沖洗從而將形成所述半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的電極板的區(qū)域的金屬薄膜層暴露；在暴露于形成所述半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的電極板的區(qū)域的金屬薄膜層的頂部形成凸塊；去除所述光敏薄膜并且然后使用所述凸塊為掩模而蝕刻所述金屬薄膜層；以及去除所述圖像傳感單元上形成所述功能聚合體層的位置處形成的抗壓聚合體層。


結(jié)合附圖以幫助理解本發(fā)明，并且附圖被包含并組成本說明書的一部分，顯示了本發(fā)明的實施方式并且與詳細描述一起解釋了本發(fā)明的原理。在附圖中圖1為顯示通常的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的平面構(gòu)造的示例圖；圖2為采用引線結(jié)合方法的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備封裝的截面構(gòu)造的示例圖；圖3為顯示透鏡單元耦合到圖2所示的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備封裝的半導(dǎo)體圖像傳感器模塊的示例圖；圖4至圖9為順次顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的示例圖；圖10為顯示對圖6所示的支撐板上加載的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備進行薄膜法的示例圖；圖11為顯示對圖6所示的支撐物上加載的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備進行薄膜法的示例圖；圖12為顯示圖10和圖11所示的支撐板和支撐物的平面構(gòu)造的第一示例的示例圖；圖13為顯示圖10和圖11所示的支撐板和支撐物的平面構(gòu)造的第二示例的示例圖；圖14至圖21為順次顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的示例圖；圖22至圖25為順次顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施方式或者第二實施方式的安裝凸塊到半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的組裝工藝的示例圖；以及圖26為顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施方式或者第二實施方式制造的透鏡單元耦合到半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備封裝的半導(dǎo)體圖像傳感器模塊的示例圖。
具體實施例方式
下面參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
圖4至圖9為順次顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的示例圖。
首先，如圖4所示，在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備310的表面上形成絕緣薄膜320并且然后選擇性蝕刻所述絕緣薄膜320從而暴露形成在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備310的邊緣上的電極板311和形成在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備310中心處的圖像傳感單元(未顯示)。
如圖5所示，在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備310的中心處上形成的圖像傳感單元上選擇性形成功能聚合體層330。此時，堆疊平面層、濾色層和微透鏡以形成功能聚合體層330從而半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備310具有光學(xué)特性。
如圖6所示，在產(chǎn)生的材料頂部上順次沉積金屬結(jié)合層340和電鍍金屬層350。
金屬結(jié)合層340由Ti、Al或者Cr等金屬制成，對絕緣層320和電極板311具有很強的粘合力，厚度為100至5000，或者由至少包含Ti、Al以及Cr中一者的厚度為100至5000的合金制成。此時，金屬結(jié)合層340由相對于其他金屬具有很強的粘合力的Ti或者基于Ti的合金制成。
電鍍金屬層350由Au、Cu或者Ni等金屬制成，具有很強的導(dǎo)電性，厚度為100至5000，或者由包含Au、Cu以及Ni中至少一者的厚度為100至5000的合金制成。此時，電鍍金屬層350由相對于其他金屬具有很強導(dǎo)電性和抗氧化性的金屬Au制成。
同時，在稍后形成的凸塊370為通過焊料制成的情況下，電鍍金屬層350由例如Cu或者Ni等金屬制成。在應(yīng)用例如Cu或者Ni等金屬的情況下，在形成由焊料制成的凸塊370之前，覆蓋厚度為1至15微米的焊料或者類似金屬，從而改善由焊料制成的凸塊370的可靠性。
如上所述，在現(xiàn)有技術(shù)中，由于在200至300℃或者更高的高溫條件下進行沉積金屬結(jié)合層340和電鍍金屬層350的薄膜法，因此存在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備310的表面上形成的功能聚合體層330的特性惡化的問題，并且半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備310的表面也會發(fā)生形變從而產(chǎn)生裂紋或者皺褶。
因此，在根據(jù)第一實施方式的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法中，為了抑制在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備310的表面上形成的功能聚合體層330的特性惡化以及半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備310的表面形變，金屬結(jié)合層340和電鍍金屬層350在沉積的同時保持半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備310的表面溫度在室溫至200℃的范圍內(nèi)。此時，優(yōu)選的將半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備310的表面溫度保持在50至180℃從而不超過180℃。
如上所述，為了將半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備310的表面溫度保持在室溫至200℃的范圍內(nèi)，可以利用在沉積金屬結(jié)合層340和電鍍金屬層350的薄膜法中使用的調(diào)節(jié)壓力和電源的方法。
在薄膜法中使用的將半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備310的表面溫度保持在室溫至200℃的范圍內(nèi)的壓力和電功率可以根據(jù)設(shè)備規(guī)格而設(shè)定為各種范圍。例如，待安裝在支撐板并且移動的薄膜制造設(shè)備設(shè)定為具有0.5至5KW的電功率范圍和2至15mTorr的壓力范圍。特別的，在1至3KW的電功率范圍和5至10mTorr的壓力范圍內(nèi)，薄膜可以更有效的沉積，同時保持半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備310的表面溫度在50至180℃之間而不超過180℃。
而且，待加載并且固定到支撐物的薄膜制造設(shè)備設(shè)定為具有50至1500W的電功率范圍和2至15mTorr的壓力范圍。特別的，在100至7半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備KW的電功率范圍和5至10mTorr的壓力范圍內(nèi)，薄膜可以更有效的沉積，同時保持半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備310的表面溫度在50至180℃之間而不超過180℃。
同時，為了保持半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備310的表面溫度在室溫和200℃之間，可以利用在沉積金屬結(jié)合層340和電鍍金屬層350的薄膜法中使用的改進承載半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備310的支撐板或者支撐物的結(jié)構(gòu)和接觸狀態(tài)的方法。
圖10為顯示對支撐板上加載的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備進行薄膜法的示例圖，并且圖11為顯示對支撐物上加載的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備進行薄膜法的示例圖。如圖所示，在平板支撐板400或者圓柱支撐物450上加載具有半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備410的多個基底420，并且然后移動支撐板400或者支撐物450以定位于金屬材料430下方，并且在支撐板400或者支撐物450停止或者在一個方向上移動的同時沉積金屬材料430，從而形成薄膜例如金屬結(jié)合層340和電鍍金屬層350。此時，在沉積金屬材料430的工藝期間產(chǎn)生的200至300℃或者更高的高溫通過改進承載半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備410的支撐板400或者支撐物450的結(jié)構(gòu)和接觸狀態(tài)而分散。
圖12為顯示支撐板400和支撐物450的平面構(gòu)造的第一示例的示例圖。如圖所示，承載半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備410的支撐板400或者支撐物450可以由Al或者Al合金、Cu或者Cu合金或Fe或者Fe合金制成。通過在接觸形成半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備410的基底420的區(qū)域上形成具有很強熱傳導(dǎo)率的硅基聚合體430，可以分散薄膜法中產(chǎn)生的熱量。因此，半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備410的表面溫度可以保持在室溫至200℃之間的范圍。
圖13為顯示支撐板400和支撐物450的平面構(gòu)造的第二示例的示例圖。如圖所示，承載半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備410的支撐板400或者支撐物450可以由Al或者Al合金、Cu或者Cu合金或Fe或者Fe合金制成。通過在接觸形成半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備410的基底420的區(qū)域上形成水冷卻管440，如圖6a所示的第一示例相比，可以更加有效的分散薄膜法中產(chǎn)生的熱量。因此，半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備410的表面溫度可以保持在室溫至200℃之間的范圍。
如圖7所示，在電鍍金屬層350的頂部形成光敏薄膜360并且然后進行曝光和沖洗從而暴露形成半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備310的電極板311的區(qū)域的電鍍金屬層350。
如圖8所示，在暴露于形成半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備310的電極板311的區(qū)域的電鍍金屬層350的頂部形成凸塊370。此時，凸塊370由包括Au、焊料和Cu的組合中選擇的一者制成。
如圖9所示，去除殘留的光敏薄膜360并且然后使用凸塊370作為掩模而蝕刻電鍍金屬層350和金屬結(jié)合層340。
圖14至圖21為順次顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的示例圖。
首先，如圖14所示，在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備510的表面上形成絕緣薄膜520并且然后選擇性蝕刻所述絕緣薄膜520從而暴露形成在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備510的邊緣上的電極板511和形成在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備510的中心處的圖像傳感單元(未顯示)。
如圖15所示，在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備510的中心處形成的圖像傳感單元上選擇性形成功能聚合體層530。此時，堆疊平面層、濾色層和微透鏡以形成功能聚合體層530從而半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備510具有光學(xué)特性。
如圖16所示，在形成功能聚合體530的圖像傳感單元的區(qū)域上形成抗壓聚合體層580。此時，抗壓聚合體層580可以由光敏薄膜形成，并且可以通過光敏薄膜的涂覆、曝光和沖洗等方式而在圖像傳感單元上選擇性形成。而且，抗壓聚合體層580相比于功能聚合體層530可以由具有很強的蝕刻選擇性(etching selectivity)的聚合體材料制成。
功能聚合體層530和抗壓聚合體層580順次形成，并且然后同時通過作為抗壓聚合體層580的光敏薄膜的涂覆、曝光和沖洗而形成圖案并且形成在圖像傳感單元上。
如圖17所示，金屬結(jié)合層540和電鍍金屬層550順次沉積在產(chǎn)生的材料的頂部。
金屬結(jié)合層540由Ti、Al或者Cr等金屬制成，對絕緣層520和電極板511具有很強的粘合力，厚度為100至5000，或者由至少包含Ti、Al以及Cr中一者的厚度為100至5000的合金制成。此時，金屬結(jié)合層540由相對于其他金屬具有很強的粘合力的Ti或者Ti合金制成。
電鍍金屬層550由Au、Cu或者Ni等制成，具有很強的導(dǎo)電性，厚度為100至5000，或者由包含Au、Cu以及Ni中至少一者的厚度為100至5000的合金制成。此時，電鍍金屬層550由相對于其他金屬具有很強導(dǎo)電性和抗氧化性的金屬Au制成。
同時，在稍后形成的凸塊570為通過焊料制成的情況下，電鍍金屬層550由例如Cu或者Ni等金屬制成。在應(yīng)用例如Cu或者Ni等金屬的情況下，在形成由焊料制成的凸塊570之前，覆蓋厚度為1至15微米的焊料或者類似金屬，從而改善由焊料制成的凸塊570的可靠性。
如上所述，在現(xiàn)有技術(shù)中，由于在沉積金屬結(jié)合層540和電鍍金屬層550的薄膜法中產(chǎn)生的金屬結(jié)合層540和電鍍金屬層550的壓力超過了聚合體材料能夠承受而不發(fā)生形變的最大張力(400MPa)，因此存在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備510的表面發(fā)生形變從而產(chǎn)生裂紋或者皺褶的問題。例如，主要作為金屬結(jié)合層540的TiW具有500MPa至1GPa的壓力分布。
接著，在根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法中，在形成功能聚合體層530的圖像傳感單元的區(qū)域上形成抗壓聚合體層580，從而抗壓聚合體層580吸收在沉積金屬結(jié)合層540和電鍍金屬層550的薄膜法中產(chǎn)生的金屬結(jié)合層540和電鍍金屬層550的壓力，從而保護半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備510的功能聚合體層530。
如圖18所示，在電鍍金屬層550的頂部形成光敏薄膜560并且然后進行曝光和沖洗從而暴露形成半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備510的電極板511的區(qū)域的電鍍金屬層550。
如圖19所示，在暴露于形成半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備510的電極板511的區(qū)域的電鍍金屬層550的頂部形成凸塊570。此時，凸塊570由包括Au、焊料和Cu的組合中選擇的一者制成。
如圖20所示，去除殘留的光敏薄膜560并且然后使用凸塊570作為掩模而蝕刻電鍍金屬層550和金屬結(jié)合層540。
如圖21所示，在形成功能聚合體層530的圖像傳感單元的區(qū)域上形成的抗壓聚合體層580被選擇性去除。此時，在使用光敏材料作為抗壓聚合體層580的情況下，可以通過再次曝光和沖洗的方式而選擇性去除。另一方面，在使用相對于功能聚合體層530具有很強的蝕刻選擇性的聚合體作為抗壓聚合體層580時，可以通過對應(yīng)的蝕刻溶液而選擇性去除。
上述的根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的具有凸塊370的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備310和上述的根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的具有凸塊570的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備510最終具有相同結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的第一和第二實施方式可以單獨應(yīng)用或者在需要時結(jié)合在一起應(yīng)用。
圖22至圖25為順次顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施方式或者第二實施方式的安裝凸塊到半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的組裝工藝的示例圖。
首先，如圖22所示，用于安裝其上具有凸塊的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的印刷電路板600具有開口610以暴露在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的中心處設(shè)置的圖像傳感單元，沿著開口610的邊緣形成的多個電極板620。此時，多個電極板620電連接到通過在印刷電路板600的一個方向上延伸的多個電路圖案630連接到電極板640的外部系統(tǒng)。
如圖23所示，沿著形成多個電極板620的開口610的邊緣形成各向異性的導(dǎo)電聚合體650。
各向異性的導(dǎo)電聚合體650可以形成為各種形狀和材料，例如，液態(tài)各向異性導(dǎo)電膠(ACA)或者半硬化并且具有預(yù)定形狀的固體各向異性導(dǎo)電膜(ACF)。
而且，各向異性導(dǎo)電聚合體650主要包括熱固性樹脂、熱塑性樹脂或者其組合，并且包括均勻分布的由Au、Ni、Ag或者Cu制成的預(yù)定量的球形或者方形導(dǎo)電金屬球651。此時，導(dǎo)電金屬球651的粒度依賴于電極板620之間的間隔，通常為0.5至10微米。
如圖24所示，各向異性導(dǎo)電聚合體650在數(shù)十攝氏度至200攝氏度之間的溫度下被壓縮，被夾在形成在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備700上的多個印刷電路板600的電極板620和凸塊710之間，以流動各向異性導(dǎo)電聚合體650的樹脂成分并且然后通過保存若干秒至幾分鐘而使其硬化。因此，形成在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備700上的多個印刷電路板600的電極板620和凸塊710通過包含在各向異性導(dǎo)電聚合體650中包含的導(dǎo)電金屬球651而電接觸。并且，各向異性導(dǎo)電聚合體650的樹脂成分被硬化并且機械依附到未形成多個電極板620的印刷電路板600的開口610的邊緣和未形成凸塊710的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備700的圖像傳感單元的邊緣。
同時，在各向異性導(dǎo)電聚合體650在數(shù)十攝氏度至200攝氏度之間的溫度下被壓縮并且然后通過保存若干秒至幾分鐘而硬化后，各向異性導(dǎo)電聚合體650可以通過再次加熱而附加硬化。
如圖25所示，玻璃濾波器660通過粘膠661而依附到印刷電路板600的開口610的邊緣。此時，玻璃濾波器660允許特定波長范圍的光線通過印刷電路板600的開口610而入射到半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備700的圖像傳感單元上。并且，玻璃濾波器660在惰性氣體環(huán)境下依附從而在惰性氣體環(huán)境下密封并且保護半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備700的圖像傳感單元。
圖26為顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施方式或者第二實施方式制造的透鏡單元耦合到半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備封裝的半導(dǎo)體圖像傳感器模塊的示例圖。如圖所示，半導(dǎo)體圖像傳感器模塊包括半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備800，具有功能聚合體層810，并且具有通過沿著邊緣形成的絕緣膜820而選擇性暴露的多個電極板830，所述功能聚合體層810包括平面層、濾色層和堆疊其上的微透鏡，形成在圖像傳感單元中心處的表面上；形成在暴露的電極板830的各個頂部上的金屬結(jié)合層840和電鍍金屬層850；形成在電鍍金屬層850的各個頂部上的凸塊860；印刷電路板870，設(shè)置有開口871以暴露功能聚合體層810和通過各向異性導(dǎo)電聚合體880而與凸塊860結(jié)合的多個電極板872；玻璃濾波器890，通過粘膠891依附在印刷電路板870上并且對通過開口871入射在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備810的圖像傳感單元上的光線進行過濾；以及設(shè)置在印刷電路板870上的透鏡單元900。此時，透鏡單元900通過印刷電路板870上支撐的透鏡固定器910而固定并且設(shè)置在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備800的圖像傳感單元的頂部處。
因此，根據(jù)本發(fā)明的第一或者第二實施方式的通過倒裝芯片凸塊工藝制造的半導(dǎo)體圖像傳感器模塊具有與半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備800相同的尺寸，因此可以顯著減小半導(dǎo)體圖像傳感器模塊尺寸。
盡管參考半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備描述了本發(fā)明，但是所附權(quán)利要求書并不局限于此，而是可以非常有效的應(yīng)用到通過倒裝芯片凸塊工藝以表面上形成的聚合體層封裝半導(dǎo)體設(shè)備的領(lǐng)域，并且包括本領(lǐng)域技術(shù)人員可以實現(xiàn)的所有修改和替換結(jié)構(gòu)，均包含在本發(fā)明的范圍和實質(zhì)內(nèi)。
如上所述，在所述半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法中，所述封裝結(jié)構(gòu)通過倒裝芯片凸塊工藝而制造。在沉積金屬結(jié)合層和電鍍金屬層的薄膜法中，半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的表面保持在室溫至200℃的范圍內(nèi)?？箟壕酆象w可以吸收薄膜法期間產(chǎn)生的壓力。因此，可以防止半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的表面上的功能聚合體層的性質(zhì)惡化和表面形變。
因此，所述通過倒裝芯片凸塊工藝制造的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝結(jié)構(gòu)可以防止由于半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的表面損壞而導(dǎo)致的光學(xué)特性惡化。
而且，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述半導(dǎo)體圖像傳感器模塊可以通過倒裝芯片凸塊工藝而制造，因此可以按照與半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備相同的尺寸制造半導(dǎo)體圖像傳感器模塊。這樣能夠顯著減小半導(dǎo)體圖像采集模塊的尺寸，從而非常有效的適應(yīng)了產(chǎn)品微型化趨勢。而且，與傳統(tǒng)的利用引線結(jié)合的半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備封裝結(jié)構(gòu)的制造方法相比，本發(fā)明提供了一種簡單的方法并且節(jié)省了時間。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備，具有形成在其中心的圖像傳感單元的表面上的至少一個功能聚合體層和沿著邊緣形成的通過絕緣薄膜選擇性暴露的多個電極板；至少一個金屬薄膜層，形成在所述暴露的電極板的各個頂部上；凸塊，形成在所述金屬薄膜層的各個頂部上；印刷電路板，設(shè)置有開口以暴露所述功能聚合體層和通過各向異性導(dǎo)電聚合體結(jié)合到所述凸塊的多個電極板；以及玻璃濾波器，依附在所述印刷電路板上并且對通過所述開口入射到所述功能聚合體層上的光線進行過濾。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所述功能聚合體層包括平面層、濾色層和微透鏡。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所述金屬薄膜層包括金屬結(jié)合層和電鍍金屬層的堆疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的結(jié)構(gòu)，其中所述金屬結(jié)合層由金屬Ti、Al或者Cr制成，或者由包含Ti、Al以及Cr中至少一者的合金制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的結(jié)構(gòu)，其中所述金屬結(jié)合層形成厚度為100至5000。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的結(jié)構(gòu)，其中所述電鍍金屬層由金屬Au、Cu或者Ni制成，或者由包含Au、Cu以及Ni中至少一者的合金制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的結(jié)構(gòu)，其中所述電鍍金屬層形成厚度為100至5000。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所述凸塊由選自由Au、焊料以及Cu所組成的組中的的一者制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所述各向異性導(dǎo)電聚合體為液態(tài)各向異性導(dǎo)電膠或者半硬化并且具有預(yù)定形狀的固體各向異性導(dǎo)電膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所述各向異性導(dǎo)電聚合體主要包括熱固性樹脂、熱塑性樹脂或者其組合，并且包括均勻分布的預(yù)定量的球形或者方形導(dǎo)電金屬球。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電金屬球由選自由Au、Ni、Ag和Cu所組成的的組中的一者制成。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電金屬球的粒度為0.5至10微米。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其進一步包括支撐在所述印刷電路板上的透鏡固定器；以及設(shè)置在所述半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的圖像傳感單元的頂部上的透鏡單元。
14.一種半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括步驟在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的表面上形成絕緣薄膜并且然后選擇性蝕刻所述絕緣薄膜從而暴露形成在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的邊緣上的電極板；在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的中心處形成的圖像傳感單元上形成至少一個功能聚合體層；在產(chǎn)生的材料頂部上形成至少一個金屬薄膜層，同時在室溫至200℃的范圍之間調(diào)節(jié)半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的表面溫度；在所述金屬薄膜層的頂部上形成光敏薄膜并且然后對所述光敏薄膜進行曝光和沖洗從而將形成所述半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的電極板的區(qū)域的金屬薄膜層暴露；在暴露于形成所述半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的電極板的區(qū)域的金屬薄膜層的頂部形成凸塊；以及去除所述光敏薄膜并且然后使用所述凸塊為掩模而蝕刻所述金屬薄膜層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述功能聚合體層包括平面層、濾色層和微透鏡。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述金屬薄膜層包括金屬結(jié)合層和電鍍金屬層的堆疊。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述金屬結(jié)合層由金屬Ti、Al或者Cr制成，或者由包含Ti、Al以及Cr中至少一者的合金制成。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述金屬結(jié)合層形成厚度為100至5000。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述電鍍金屬層由金屬Au、Cu或者Ni制成，或者由包含Au、Cu以及Ni中至少一者的合金制成。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述電鍍金屬層形成厚度為100至5000。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述凸塊由選自由Au、焊料以及Cu所組成的組中的一者制成。
22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中在所述形成金屬薄膜層的步驟中，所述半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的表面溫度調(diào)節(jié)至50-180℃。
23.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的表面溫度通過所述形成金屬薄膜層的薄膜法中使用的壓力和電功率而調(diào)節(jié)。
24.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述形成金屬薄膜層的薄膜法包括步驟在平臺上安置具有多個半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的基底；移動所述平臺以定位于金屬材料下方；以及在所述平臺在停止或者在一個方向上移動的同時沉積所述金屬材料。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述平臺形成在平板支撐板中或者在圓柱支撐物上。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述平臺由Al或者Al合金、Cu或者Cu合金或Fe或者Fe合金制造。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中在與所述形成半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的基底和平臺接觸的區(qū)域處的所述平臺的表面上形成硅基聚合體。
28.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中在與所述形成半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的基底和平臺接觸的區(qū)域處的所述平臺內(nèi)側(cè)形成水冷卻管。
29.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述形成金屬薄膜層的薄膜法進一步包括步驟在所述具有多個安裝在其上的電路圖案的印刷電路板上形成開口從而暴露設(shè)置在所述半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的中心處的圖像傳感單元；沿著所述開口的邊緣形成基底電極板；沿著所述開口的邊緣形成各向異性導(dǎo)電聚合體；對夾在所述印刷電路板的基底電極板和形成在所述半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備處的凸塊之間的各向異性導(dǎo)電聚合體進行熱壓縮和硬化；依附玻璃濾波器到所述印刷電路板的開口的邊緣從而覆蓋所述印刷電路板的開口；以及在所述半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的圖像傳感單元的頂部上安裝透鏡單元。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中所述各向異性導(dǎo)電聚合體(650)由液態(tài)各向異性導(dǎo)電膠或者半硬化并且具有預(yù)定形狀的固體各向異性導(dǎo)電膜形成。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中所述各向異性導(dǎo)電聚合體主要包括熱固性樹脂、熱塑性樹脂或者其組合，并且包括均勻分布的預(yù)定量的球形或者方形導(dǎo)電金屬球。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述導(dǎo)電金屬球由選自由Au、Ni、Ag和Cu所組成的的組中的一者制成。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述導(dǎo)電金屬球的粒度為0.5至10微米。
34.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中在所述熱壓縮并且硬化所述各向異性導(dǎo)電聚合體的步驟中，所述各向異性導(dǎo)電聚合體在數(shù)十攝氏度至200攝氏度之間的溫度下熱壓縮并且然后通過保存若干秒至幾分鐘而硬化。
35.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中所述形成金屬薄膜層的薄膜法進一步包括步驟在熱壓縮并且硬化所述各向異性導(dǎo)電聚合體之后再次加熱并且再次硬化所述各向異性導(dǎo)電聚合體。
36.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中所述依附玻璃濾波器到所述印刷電路板的開口邊緣以覆蓋所述印刷電路板的開口的步驟是在惰性氣體環(huán)境下進行的。
37.一種半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括步驟在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的表面上形成絕緣薄膜并且然后選擇性蝕刻所述絕緣薄膜從而暴露形成在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的邊緣上的電極板；在半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的中心處形成的圖像傳感單元上形成至少一個功能聚合體層；在所述圖像傳感單元上形成所述功能聚合體層的位置形成抗壓聚合體層；在產(chǎn)生的材料頂部上形成至少一個金屬薄膜層；在所述金屬薄膜層的頂部上形成光敏薄膜并且然后對所述光敏薄膜進行曝光和沖洗從而將形成所述半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的電極板的區(qū)域的金屬薄膜層暴露；在暴露于形成所述半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的電極板的區(qū)域的金屬薄膜層的頂部形成凸塊；去除所述光敏薄膜并且然后使用所述凸塊為掩模而蝕刻所述金屬薄膜層；以及去除在所述圖像傳感單元上形成所述功能聚合體層的位置形成的抗壓聚合體層。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，其中所述功能聚合體層包括平面層、濾色層和微透鏡。
39.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，其中所述抗壓聚合體層通過涂覆、曝光和沖洗而形成。
40.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，其中所述功能聚合體層和抗壓聚合體層順次形成，并且然后同時通過涂覆、曝光和沖洗用作抗壓聚合體層的光敏薄膜而形成圖案并且形成在所述圖像傳感單元上。
41.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，其中所述金屬薄膜層包括金屬結(jié)合層和電鍍金屬層的堆疊。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其中所述金屬結(jié)合層由金屬Ti、Al或者Cr制成，或者由包含Ti、Al以及Cr中至少一者的合金制成。
43.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其中所述金屬結(jié)合層形成厚度為100至5000。
44.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其中所述電鍍金屬層由金屬Au、Cu或者Ni制成，或者由包含Au、Cu以及Ni中至少一者的合金制成。
45.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其中所述電鍍金屬層形成厚度為100至5000。
46.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，其中所述凸塊由選自由Au、焊料以及Cu所組成的組中的一者制成。
47.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，其中所述形成金屬薄膜層的薄膜法進一步包括步驟在所述具有多個安裝在其上的電路圖案的印刷電路板上形成開口從而暴露設(shè)置在所述半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的中心處的圖像傳感單元；沿著所述開口的邊緣形成基底電極板；沿著所述開口的邊緣形成各向異性導(dǎo)電聚合體；對夾在所述印刷電路板的基底電極板和形成在所述半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備處的凸塊之間的各向異性導(dǎo)電聚合體進行熱壓縮和硬化；依附玻璃濾波器到所述印刷電路板的開口的邊緣從而覆蓋所述印刷電路板的開口；以及在所述半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的圖像傳感單元的頂部上安裝透鏡單元。
48.根據(jù)權(quán)利要求47所述的方法，其中所述各向異性聚合體由液態(tài)各向異性導(dǎo)電膠或者半硬化并且具有預(yù)定形狀的固體各向異性導(dǎo)電膜形成。
49.根據(jù)權(quán)利要求47所述的方法，其中所述各向異性導(dǎo)電聚合體主要包括熱固性樹脂、熱塑性樹脂或者其組合，并且包括均勻分布的預(yù)定量的球形或者方形導(dǎo)電金屬球。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中所述導(dǎo)電金屬球由選自由Au、Ni、Ag和Cu所組成的組中的一者制成。
51.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中所述導(dǎo)電金屬球的粒度為0.5至10微米。
52.根據(jù)權(quán)利要求47所述的方法，其中在所述熱壓縮并且硬化所述各向異性導(dǎo)電聚合體的步驟中，所述各向異性導(dǎo)電聚合體在數(shù)十攝氏度至200攝氏度之間的溫度下熱壓縮并且然后通過保存若干秒至幾分鐘而硬化。
53.根據(jù)權(quán)利要求47所述的方法，其中所述形成金屬薄膜層的薄膜法進一步包括步驟在熱壓縮并且硬化所述各向異性導(dǎo)電聚合體之后再次加熱并且再次硬化所述各向異性導(dǎo)電聚合體。
54.根據(jù)權(quán)利要求47所述的方法，其中所述依附玻璃濾波器到所述印刷電路板的開口邊緣以覆蓋所述印刷電路板的開口的步驟是在惰性氣體環(huán)境下進行的。
全文摘要
提供了一種半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的封裝。所述封裝通過倒裝芯片凸塊工藝制造。根據(jù)第一實施方式，在形成金屬結(jié)合層和電鍍金屬層的沉積工藝中，半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的表面保持在室溫和200℃之間的范圍內(nèi)。根據(jù)第二實施方式，防止產(chǎn)生壓力的聚合體層可以吸收沉積工藝中產(chǎn)生的壓力。根據(jù)本發(fā)明，可以防止半導(dǎo)體圖像采集設(shè)備的表面上的功能聚合體層的性質(zhì)惡化和表面變形。
文檔編號H01L23/00GK1864264SQ200480028857
公開日2006年11月15日 申請日期2004年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月1日
發(fā)明者金鐘憲, 宋致仲 申請人:Nepes株式會社