專利名稱：芯片型led的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種將作為光源的發(fā)光二極管芯片，用透明體制成的封裝體密封后而成構(gòu)造的芯片型LED。
背景技術(shù)：
圖4是表示以往的芯片型LED的立體圖，該芯片型LED1，在芯片型絕緣基板2的上面，形成一對端子電極3、4，在這一對端子電極3，4中的一個的端子電極3的上面，搭載發(fā)光二極管芯片5，使其陽極電極5b向上，陰極電極5a按照與上述一個的端子電極3保持電連接而向下，使上面的陽極電極5b和另一個的端子電極4之間通過圖中未示的細金屬線的引線連接等保持電連接，還有，在上述絕緣基板2上面，設(shè)置有透明體封裝體6，密封上述發(fā)光二極管芯片5，形成這樣的構(gòu)成。(參照專利文獻1)。
而且，過去，將這種構(gòu)成的多個芯片型LED，在便攜電話機等當中，對于設(shè)置排列成矩陣狀的多個按鍵開關(guān)作為背光光源使用的情況下，其構(gòu)成如圖5所示，通過在便攜電話機A內(nèi)的各按鍵開關(guān)B的內(nèi)側(cè)的電路基板C中的上述各按鍵開關(guān)B之間的部位，配設(shè)上述構(gòu)成的芯片型LED1，使上述各按鍵開關(guān)B部分，利用從各芯片型LED1的封裝體6的側(cè)面橫向發(fā)射的光進行照明。
但是，上述構(gòu)成的芯片型LED1中，發(fā)光二極管芯片5所發(fā)出光中的大部分，從該發(fā)光二極管5的側(cè)面向橫向射出，但是由于一部分光，也從上面的陽極電極5b向上發(fā)射，因此從發(fā)光二極管芯片5的側(cè)面射出的光量，被減少了一部分的光從上面的陽極電極5b向上發(fā)射的量。
換言之，對上述各按鍵開關(guān)B的部分的照明，也消弱了發(fā)光二極管芯片5所發(fā)出光的一部分從上面的陽極電極5向上射出的量。
這里，最近，將上述構(gòu)成的芯片型LED1作為背光光源使用的情況下，在其封裝體6的上面，設(shè)置凹部，其按照將從上述發(fā)光二極管5的上面的陽極電極5所發(fā)射的光，在上述凹部沿著橫向的方向曲折那樣構(gòu)成。
然而，這樣的構(gòu)成，在上述封裝體6內(nèi)其上面和發(fā)光二極管5的上面之間，必須確保只有在上述上面設(shè)置的凹部的厚度的尺寸，因此，將設(shè)置該凹部的厚度尺寸，與上述封裝體6的高度尺寸H0′相加后，由于增大了芯片型LED1的整體高度尺寸H′，在上述芯片型LED作為背光光源使用的情況下，存在不能構(gòu)成薄型的問題。
專利文獻特開平10-50734號公報。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明，就是解決上述問題，使將芯片型LED作為背光光源使用的情況下能夠以薄型而構(gòu)成。
為解決該技術(shù)課題本發(fā)明之一，由絕緣基板、發(fā)光二極管、透明體組成芯片型LED；上述發(fā)光二極管搭載在上述絕緣基板的上面；上述封裝體由透明體構(gòu)成，該透明體在上述絕緣基板的上面按照密封上述發(fā)光二極管芯片那樣而設(shè)置，上述芯片型LED的特征在于，將上述發(fā)光二極管芯片，搭載在上述絕緣基板的上面，使該發(fā)光二極管芯片的陽極電極向下、陰極電極向上。
另外，本發(fā)明之二其特征在于，上述發(fā)明之一中，上述發(fā)光二極管芯片中的發(fā)光層，位于與該發(fā)光二極管芯片內(nèi)接近于上述陰極電極的部位，另一方面，將上述發(fā)光二極管芯片中的側(cè)面，從上述陰極電極一側(cè)向陽極電極一側(cè)內(nèi)向地傾斜。
還有，本發(fā)明之三，其特征在于，上述發(fā)明之一或之二中，上述絕緣基板上面至少使上述發(fā)光二極管芯片的周圍部分配色為白色。
(發(fā)明效果)發(fā)光二極管芯片，在該發(fā)光二極管芯片內(nèi)的陰極電極一側(cè)的部分，存在不透明的基板。
這里，將該發(fā)光二極管芯片，通過搭載在絕緣基板的上面，使該發(fā)光二極管芯片中的陽極電極向下，陰極電極向上，就能夠由該發(fā)光二極管芯片的基板阻止上述發(fā)光二極管芯片的發(fā)光層中所發(fā)出的光，從陰極電極一側(cè)向上射出。
即，根據(jù)本發(fā)明，通過阻止從發(fā)光二極管芯片上面向上射出的量，而增強從發(fā)光二極管芯片的側(cè)面橫向射出的光，由此就能省略如上述以往那樣，在對于發(fā)光二極管芯片進行封裝的封裝體上面設(shè)置凹部。因此，上述封裝體的高度尺寸，進而，將芯片型LED的整體高度尺寸以薄型構(gòu)成，使之作為用于便攜電話機的按鍵開關(guān)的背光光源。
這種情況下，根據(jù)本發(fā)明之二所述的構(gòu)成，使發(fā)光二極管芯片的發(fā)光層具有比較大面積后，由于從向內(nèi)傾斜的側(cè)面以光的衰減較少的狀態(tài)，使該發(fā)光層內(nèi)發(fā)出的光射出，因此能使橫向射出的光量，大幅地增強。
加之，根據(jù)本發(fā)明之三所述的構(gòu)成，因從發(fā)光二極管芯片向絕緣基板一側(cè)發(fā)射的光，通過白色的配色能夠被反射，因此橫向發(fā)射的光強能進一步增強。


圖1是表示本發(fā)明的實施形式的芯片型LED立體圖。
圖2是圖1的II-II向剖視圖。
圖3是將上述芯片型LED作為按鍵開關(guān)的背光光源使用的情況下的剖視圖。
圖4表示以往的芯片型LED的立體圖。
圖5表示以往的芯片型LED的使用例的立體圖。
圖中11-芯片型LED，12-絕緣基板，13、14-端子電極，15-發(fā)光二極管芯片，15a-發(fā)光二極管芯片的陰極電極，15b-發(fā)光二極管芯片的基板，15c-發(fā)光二極管芯片的n型半導(dǎo)體層，15d-發(fā)光二極管芯片的發(fā)光層，15e-發(fā)光二極管芯片的p型半導(dǎo)體層，15f-發(fā)光二極管芯片的陽極電極，16-封裝體，17-金屬線，18-白色配色膜。
具體實施例方式
以下，參照圖1以及圖2的附圖來說明本發(fā)明的實施形式。
該圖中，符號11表示本發(fā)明的實施形式的芯片型LED。
該芯片型LED11包括在上面形成一對端子電極13、14的芯片型絕緣基板12；在該絕緣基板12的上面搭載的發(fā)光二極管芯片15；和在上述絕緣基板12的上面按照密封上述發(fā)光二極管芯片15那樣設(shè)置的透明體制的封裝體16。
上述發(fā)光二極管芯片15包括重疊在基板15b，該基板15b通過里面具有陰極電極15a的硅等形成；n型半導(dǎo)體層15c；發(fā)光層15d；p型半導(dǎo)體層15e以及陽極電極15f。
而且，上述發(fā)光二極管芯片15，使上述n型半導(dǎo)體層15c變薄，另一方面，使p型半導(dǎo)體層15e變厚，由此使該發(fā)光層15d位于接近陰極電極15a的部位而構(gòu)成。
加之，上述發(fā)光二極管芯片15，將其一端的陰極電極15a一側(cè)的尺寸D1增大，其另一端的陽極電極15f一側(cè)的尺寸D2變小，由此使該發(fā)光二極管芯片15的側(cè)面15′，從其一端的陰極電極15a一側(cè)開始向其另一端的陽極電極15f一側(cè)向內(nèi)傾斜而構(gòu)成。
然后，將上述發(fā)光二極管芯片15，在上述絕緣基板12上，使該發(fā)光二極管芯片15的陰極電極15a向上，使陽極電極15f向下，并且，將陽極電極15f電連接地焊接在一個的端子電極13上，另一方面，該發(fā)光二極管芯片15的上面的陰極電極15a，和另一個的端子電極14之間，由通過細金屬線17由引線連接等保持電連接而構(gòu)成。
該構(gòu)成中，通過對上述發(fā)光二極管芯片15的通電，該發(fā)光層15d發(fā)出的光，因被發(fā)光二極管芯片15的基板15b阻止其從該發(fā)光二極管芯片15的上面向上射出，因而其發(fā)出的光幾乎全部成為從橫向發(fā)射的。
這樣，就能省略如過去那樣，在密封上述發(fā)光二極管芯片15的封裝體16的上面設(shè)置凹部，從而可使該封裝體16的上面和上述發(fā)光二極管芯片15的上面之間的厚度變薄，因而降低上述封裝體16的高度尺寸H0，進而，芯片型LED11的整體的高度尺寸H變低，換言之，能使芯片型LED11成為薄型。
即，根據(jù)本發(fā)明，橫向發(fā)射光的芯片型LED11能夠構(gòu)成薄型，可以將該構(gòu)成的芯片型LED，與上述圖5的情況一樣，通過將其配裝在按鍵開關(guān)B之間的部位，該部位位于配設(shè)在便攜電話機A的按鍵開關(guān)B里面?zhèn)鹊碾娐坊錍內(nèi)，在作為上述各按鍵開關(guān)B的背光光源使用的情況下，如圖3所示，因各按鍵開關(guān)B和電路基板C之間的間隙S能變窄，所以能如此之小型輕便。
而且，在上述發(fā)光二極管芯片15中的發(fā)光層15d，位于與該發(fā)光二極管芯片15內(nèi)的上層的陰極電極15a接近的部位，另一方面，上述發(fā)光二極管芯片15的側(cè)面15′，通過從該發(fā)光二極管芯片15中的陰極電極15a向陽極電極15f內(nèi)向傾斜，由此，使發(fā)光層15d面積比較大，然后，在該發(fā)光層15d中發(fā)出的光，能夠在從向內(nèi)傾斜的側(cè)面15′，以光衰減很少的狀態(tài)射出，因此能夠增加橫向發(fā)射的發(fā)光量。
然而，從上述發(fā)光二極管芯片15的側(cè)面15′橫向發(fā)射出的光的一部分，也到達了絕緣基板12的上面，在從該絕緣基板12的上面，上述發(fā)光二極管芯片15發(fā)出的光到達的部分，即在上述發(fā)光二極管芯片的周圍部分，形成白色的配色膜18。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，到達絕緣基板12的上面的光，因通過上述白色配色膜18能夠被橫向反射，因此橫向射出的光量能進一步增強。
另外，代替形成該白色的配色膜18，也可以是使上述絕緣基板12的上面成為白色。
權(quán)利要求
1.一種芯片型LED，是由絕緣基板、發(fā)光二極管、封裝體構(gòu)成芯片型LED；上述發(fā)光二極管搭載在上述絕緣基板的上面；上述封裝體由透明體構(gòu)成，該透明體是在上述絕緣基板的上面按照密封上述發(fā)光二極管芯片那樣設(shè)置，上述芯片型LED的特征在于，將上述發(fā)光二極管芯片，搭載在上述絕緣基板的上面，使上述發(fā)光二極管芯片的陽極電極向下、陰極電極向上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片型LED，其特征在于，上述發(fā)光二極管芯片中的發(fā)光層，位于與該發(fā)光二極管芯片內(nèi)接近于上述陰極電極的部位，另一方面，將上述發(fā)光二極管芯片中的側(cè)面，從上述陰極電極側(cè)向陽極電極一側(cè)內(nèi)向地傾斜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的芯片型LED，其特征在于，上述絕緣基板上面至少使上述發(fā)光二極管芯片的周圍部分配色為白色。
全文摘要
一種芯片型LED，其由絕緣基板(12)，在其上面搭載的發(fā)光二極管芯片(15)；和在上述絕緣基板的上面按照密封上述發(fā)光二極管芯片而設(shè)置的透明體(16)構(gòu)成的封裝體所組成，由上述發(fā)光二極管芯片所發(fā)出的光在按照橫向射出的情況下，將該芯片型LED以薄型構(gòu)成。將上述發(fā)光二極管芯片(15)，搭載在上述絕緣基板的上面，使該發(fā)光二極管芯片中的陽極電極(15f)向下，陰極電極(15a)向上。
文檔編號H01L33/62GK1698214SQ20048000036
公開日2005年11月16日 申請日期2004年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月24日
發(fā)明者板井順一 申請人:羅姆股份有限公司