專利名稱：具增進亮度的半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一具有增進亮度的半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法，特別是涉及一具有增進亮度的LED元件及其制造此LED元件的方法。
背景技術(shù)：
自從發(fā)光二極管(light emitting diode，LED)問世以來，隨著其性能不斷的改進，應(yīng)用的范圍也不斷地在增加。從早期的光學(xué)顯示裝置，直至通訊裝置、醫(yī)療裝置、甚至于用以取代傳統(tǒng)的照明裝置。但是，如何增進發(fā)光二極管元件的亮度，一直是此研發(fā)領(lǐng)域中一個極為重要的課題。元件的亮度并不會隨著電流的增加而無限增大，而是受限于先天上元件中飽和電流的因素。
在影響亮度的諸多因素中，元件的尺寸與元件的散熱性扮演著關(guān)鍵性的影響力。在相同的發(fā)光面積條件下，元件尺寸愈小，理論上總亮度就會愈大。此外，若元件本身具有良好的散熱性，不但使用壽命會增加，亦可將其應(yīng)用領(lǐng)域延伸至高電流需求的產(chǎn)品中。
臺灣專利公告號00567618，發(fā)明名稱「具有粘結(jié)反射層的發(fā)光二極管及其制法」中揭示一種具有粘結(jié)反射層的發(fā)光二極管及其制法。藉由一透明粘結(jié)層將一發(fā)光二極管及一金屬反射層粘結(jié)在一起，可用來提高發(fā)光二極管的亮度。
頒與本發(fā)明相同申請人的臺灣專利證書號149911發(fā)明「將半導(dǎo)體元件表面粗化以提升外部量子效率的方法」，其中提出一表面經(jīng)控制成長溫度而粗化的化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件。對氮化鋁銦鎵系列的發(fā)光元件而言，此發(fā)明得到的效果，相對于對照組，可使亮度提升40％以上。但并未提及在元件尺寸或散熱性上的改良。
因此，若能提供一種增進亮度與具有良好的散熱性的半導(dǎo)體元件及其制法，就能賦予傳統(tǒng)發(fā)光二極管更加出色的亮度、使用壽命、以及滿足高電流產(chǎn)品嚴格的需求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的之一，在于提供一種具有增進亮度的半導(dǎo)體元件。由于具有較小的元件尺寸，理論上在相同的發(fā)光面積條件下，總亮度就會增加。
本發(fā)明的另一目的，在于提供一種具有增進亮度的半導(dǎo)體元件。由于元件本身具有良好的散熱性，所以增加了元件的使用壽命。
本發(fā)明的又一目的，即在提供一種具有增進亮度的半導(dǎo)體元件。由于元件本身具有良好的散熱性，十分適合應(yīng)用在高電流需求的產(chǎn)品中。由此方法所獲得的半導(dǎo)體元件具有較小的元件尺寸、較長的使用壽命、與更適合應(yīng)用在高電流需求的產(chǎn)品中。
本發(fā)明于是揭示一種具增進亮度的半導(dǎo)體元件，包括一基板(substrate)，具有良好的導(dǎo)電性與導(dǎo)熱性；一保護層(passivation layer)，位于此基板上，此保護層包括由選自一合金、一氧化物、一氮化物或其組合的一材料所組成；一反射層，位于此保護層上，對一電磁波具有高反射率；一第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層，位于此反射層上；一多層量子阱結(jié)構(gòu)層，位于此第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層上；與一第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層，位于此多層量子阱結(jié)構(gòu)層上。
另外，本發(fā)明尚揭示一種制造一半導(dǎo)體發(fā)光元件的方法，包括下列步驟(a)提供一第一基板，具有導(dǎo)電性與導(dǎo)熱性；(b)形成一第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層，位于此第一基板上；(c)形成一多層量子阱結(jié)構(gòu)層，位于此第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層上；(d)形成一第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層，位于此多層量子阱結(jié)構(gòu)層上；(e)形成一反射層，位于此第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層上，此反射層對一電磁波具有高反射率；(f)形成一保護層，位于此反射層上，此保護層由選自一合金、一氧化物、一氮化物或其組合的一材料所組成；(g)形成一第二基板，位于此保護層上，此第二基板具有高于此第一基板的導(dǎo)電性與導(dǎo)熱性；與(h)移除此第一基板。
圖1為本發(fā)明增進亮度半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明增進亮度半導(dǎo)體元件中，當保護層為導(dǎo)電時，電極位置的示意圖；圖3為本發(fā)明增進亮度半導(dǎo)體元件中，當保護層為不導(dǎo)電時，電極位置的示意圖；圖4為本發(fā)明增進亮度半導(dǎo)體元件的一優(yōu)選實施例結(jié)構(gòu)示意圖；圖5A至5C揭示本發(fā)明方法制造一半導(dǎo)體發(fā)光元件過程的剖面示意圖；圖6為根據(jù)本發(fā)明制造方法所制得的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，當保護層為導(dǎo)電時，電極位置的示意圖；以及圖7為根據(jù)本發(fā)明制造方法所制得的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，當保護層為不導(dǎo)電時，電極位置的示意圖。
簡單符號說明1第一基板 10基板11、41、63第一電極12第二基板13、43、61第二電極20保護層30反射層 40、62第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層50多層量子阱結(jié)構(gòu)層42、60第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層70透明導(dǎo)電層 80粘接層具體實施方式
藉由參考本發(fā)明圖式與下列說明，本領(lǐng)域技術(shù)人員將可更容易理解及掌握本發(fā)明的各細節(jié)的與所伴隨的優(yōu)點。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解到，本發(fā)明的保護范圍不僅限于說明書中的具體例示。
于本發(fā)明的方法中建立在基材上的各層物質(zhì)，可以經(jīng)由本領(lǐng)域技術(shù)人員所知悉的方法來執(zhí)行，例如有機氣相分子沉積(MOCVD)、分子束外延成長(molecular beam epitaxy，MBE)工藝、氫化物氣相外延成長(hydride vaporphase epitaxy，HVPE)工藝、液態(tài)外延(LPE)或蒸鍍法。而層與層間的接合可用共融鍵結(jié)法(eutectic bonding)來達成。
本發(fā)明首先涉及一具有增進亮度的半導(dǎo)體元件，其結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括一基板10、一保護層20、一反射層30、一第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層40、一多層量子阱結(jié)構(gòu)層50、與一第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層60。
上述結(jié)構(gòu)中的基板10，優(yōu)選具有良好的導(dǎo)電性與導(dǎo)熱性，舉例來說，高于藍寶石(sapphire)、鋰鋁氧化物(LAO)、鋰鎵氧化物(LGO)、鎂鋁氧化物(AlMgO)等材料的導(dǎo)電性與導(dǎo)熱性，例如，硅、氮化鎵、碳化硅、或銅、鋁等各種金屬。此等材料的性質(zhì)與種類，為本領(lǐng)域技術(shù)人員所共知。位于基板10上的保護層20，包括由選自一合金、一氧化物、一氮化物或其組合的一材料。保護層20的性質(zhì)可分為導(dǎo)電或不導(dǎo)電，導(dǎo)電性保護層材料例如Ni、W、Pt、Ti等金屬及其合金、銦錫氧化物(ITO)、鋅氧化物、氮化鈦或鈦鎢氮化物等，不導(dǎo)電性保護層材料，例如聚酰亞胺、BCB(bisbenzocyclobutadiene)等有機材料、或氧化硅、氮化硅等無機材料等。位于此保護層20上的反射層30，對一電磁波具有高反射率，例如Ag、Al、Rh、Au等金屬。此處所指的電磁波，優(yōu)選包括紅外線光區(qū)、可見光區(qū)與紫外線光區(qū)等，反射率優(yōu)選高于90％以上。位于反射層30上的一第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層40、一多層量子阱結(jié)構(gòu)層50、或一第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層60等的半導(dǎo)體導(dǎo)電層，可包括任何現(xiàn)有或未來中可見者的半導(dǎo)體材料，優(yōu)選者為III-V(三/五)族化合物半導(dǎo)體，例如氮化鋁鎵銦(AlxGayIn1-x-yN)，其中(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)，并視情況還被P/N型摻雜劑所摻雜。此等材料的性質(zhì)與種類，為本領(lǐng)域技術(shù)人員所共知。
于建立本發(fā)明半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)時，可先于一般現(xiàn)有的底層基材(basesubstrate)上建立一材料如氮化鎵的緩沖層。隨后再建立一第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層60、一多層量子阱結(jié)構(gòu)層50、一第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層40、一反射層30、與一保護層20后，再將所選用的基板10建立在保護層20上，并除去先前建立的底層基材，以完成本發(fā)明的半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)。
當保護層為導(dǎo)電時，基板10可還包括一第一電極11，第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層60可還包括一第二電極61，且第一電極與第二電極位于半導(dǎo)體發(fā)光元件的同側(cè)或異側(cè)，優(yōu)選為異側(cè)，如圖2所示。元件如此排列可使其具有較小的元件尺寸，理論上在相同的發(fā)光面積條件下，元件數(shù)量增加，總亮度就會增加。
當保護層的性質(zhì)為不導(dǎo)電時，第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層40還包括一第一電極41，第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層60還包括一第二電極61，且第一電極41與第二電極61位于半導(dǎo)體發(fā)光元件的同側(cè)，如圖3所示，或異側(cè)。若為異側(cè)時，優(yōu)選制作通道(channel)使之導(dǎo)通。
本發(fā)明半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)中的反射層30與第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層40間，可還包括一透明導(dǎo)電層70，以增加元件的發(fā)光效率。此透明導(dǎo)電層70的材料可為厚度不大的金屬或是合金，例如Ag或Ni/Au、或者氧化物，如銦錫氧化物(ITO)、鋅氧化物、鎳氧化物、銦氧化物、錫氧化物或銻氧化物等、或氮化物，如氮化鈦或鈦鎢氮化物等。
另外，本發(fā)明半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)中的基板10與保護層20之間，亦可還包括一粘接層80，用以確?；迮c保護層等異質(zhì)(hetro-materials)材料間的接合穩(wěn)固。通常是利用會產(chǎn)生共融鍵結(jié)的任何材料來達成此功效，優(yōu)選者如使用銀膠、Au/Sn、In/Au或In/Pd等以形成所需的粘接層80，或是使用有機材料，如聚酰亞胺、BCB等。
若要進一步增進本發(fā)明半導(dǎo)體元件的發(fā)光效率，本發(fā)明半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)于建立完成后，可適當經(jīng)過一表面粗化的過程。達成表面粗化的方法，可為蝕刻、或噴砂(sand-blast)。此外，前述的與本發(fā)明相同申請人的臺灣專利證書號149911發(fā)明《將半導(dǎo)體元件表面粗化以提升外部量子效率的方法》中所提出的粗化半導(dǎo)體元件，在此亦列入考慮。一般地，經(jīng)表面粗化后能降低半導(dǎo)體元件的全反射，進而提升半導(dǎo)體元件的外部量子效率。
為了確保本發(fā)明半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)于除去先前建立的底層基材后的電性與可靠性，本發(fā)明半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)于建立完成后，可經(jīng)過一能量波的處理。此能量波優(yōu)選為聲波、微波或是準分子激光光。能量波處理是一低溫工藝，晶片本身吸收微波能量并不使晶片本身產(chǎn)生高溫，因此不會造成反射層、金屬層及透明導(dǎo)電層的破壞，以及發(fā)光元件組成元素的變異，是一既不破壞整個元件本身組成結(jié)構(gòu)又可修復(fù)元件表面結(jié)晶缺陷，更進一步又可活化半導(dǎo)體元件中P/N型半導(dǎo)體層的電性，可說是一舉三得。
一般相信，利用能量波處理會使得半導(dǎo)體元件表面，由于處理程序中所造成的結(jié)晶缺陷因吸收微波能量，讓表面的原子移動，自動修復(fù)表面的結(jié)晶性，恢復(fù)原來的半導(dǎo)體特性。
本發(fā)明其次關(guān)于一種制造一半導(dǎo)體發(fā)光元件的方法，可參考圖5A至5C的結(jié)構(gòu)剖面示意圖，包括下列步驟(a)提供一第一基板1，具有導(dǎo)電性與導(dǎo)熱性；(b)形成一第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層62，位于此第一基板上；
(c)形成一多層量子阱結(jié)構(gòu)層50，位于此第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層62上；(d)形成一第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層42，位于此多層量子阱結(jié)構(gòu)層50上；(e)形成一反射層30，位于此第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層42上，反射層30對一電磁波具有高反射率；(f)形成一保護層20，位于反射層30上，保護層20由選自一合金、一氧化物、一氮化物或其組合的一材料所組成；(g)形成一第二基板12，位于保護層20上，第二基板12具有高于第一基板1的導(dǎo)電性與導(dǎo)熱性；與(h)移除第一基板1。
于此方法中所使用的第一基板1(即為前述的底層基材)、第二基板12(即為前述的基板10)、保護層20、反射層30、第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層62、多層量子阱結(jié)構(gòu)層50、與第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層42等各材料的性質(zhì)與種類，詳如前述，并為本領(lǐng)域技術(shù)人員所共知而不再贅述。
而為了要順利移除第一基板1，可以使用物理性或是化學(xué)性研磨法，或是激光分離法(laser detaching)。而建立保護層20的目的，是在保護反射層30，使之免于工藝中不可避免的破壞與傷害。依據(jù)前述方法建立本發(fā)明半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)時，可先于一般現(xiàn)有的底層基材(base substrate)，即第一基板1上建立一材料如氮化鎵的緩沖層。
于本發(fā)明制造一半導(dǎo)體發(fā)光元件的方法中，在(d)步驟后可還包括(i)形成一透明導(dǎo)電層70，位于第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層42上。建立透明導(dǎo)電層70可以增加元件的發(fā)光效率。
另外，于本發(fā)明制造一半導(dǎo)體發(fā)光元件的方法中，于(f)步驟后可還包括(i)形成一粘接層80，位于保護層20上。形成粘接層80的目的，可以確保第二基板12與保護層20間等異質(zhì)材料間在接合時，增加接合面的機械強度。
以及，在本發(fā)明制造一半導(dǎo)體發(fā)光元件的方法中，在移除此第一基板后可還包括(m)以一能量波處理此半導(dǎo)體發(fā)光元件，此能量波優(yōu)選為聲波、微波或是準分子激光光。利用能量波處理可讓表面的原子移動，自動修復(fù)表面的結(jié)晶性，與恢復(fù)原來的半導(dǎo)體特性。
當(f)步驟中所建立的保護層具有導(dǎo)電時，第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層62可還包括一第一電極63，第二基板12可還包括一第二電極13，且第一電極63與第二電極13位于半導(dǎo)體發(fā)光元件的異側(cè)，如圖6所示。元件如此排列可增加總亮度。
若(f)步驟中所建立的保護層不具有實質(zhì)導(dǎo)電性時，第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層62還包括一第一電極63，第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層42還包括一第二電極43，且第一電極63與第二電極43位于半導(dǎo)體發(fā)光元件的同側(cè)，如圖7所示。
金屬鍵結(jié)(Metal Bonding)藍光LED實施例第一實施例將一可直接外延成長的藍寶石(epitaxy-ready sapphire)基底裝載于一有機金屬氣相外延成長反應(yīng)爐(此處未示)中。此單晶基底可為氧化鋁、碳化硅或砷化鎵材料。首先，于1150℃的溫度下，將藍寶石基底預(yù)熱十分鐘。然后，將藍寶石基底的溫度降至約500～600℃左右。當藍寶石基底的溫度處于520℃時，在其表面上成長一厚度為25nm的氮化鎵緩沖層。接著，當藍寶石基底的溫度提升至1100℃時，在緩沖層的表面上以約2μm/hr的成長速率長成出一Si摻雜(N型硅摻雜)氮化鎵層，其厚度約為4μm。跟著，將藍寶石基底冷卻至約820℃，緊接著于N型硅摻雜氮化鎵層表面上成長一氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)多層量子阱結(jié)構(gòu)(multiple quantum well structure)。此多層量子阱結(jié)構(gòu)是作為發(fā)光有源層之用。之后，升高溫度至1100℃，于氮化銦鎵/氮化鎵多層量子阱結(jié)構(gòu)表面上成長一P型鎂摻雜氮化銦鎵層，如此便制作完成發(fā)光二極管外延晶片(epi-wafer)。然后先在晶片表面蒸鍍透明導(dǎo)電層銦錫氧化物(Indium Tin Oxide)，厚度為2650，經(jīng)通氮氣的情況下500℃融合10分鐘后，接著蒸鍍上反射層金屬銀(silver)，厚度為2000。保護層銦錫氧化物(Indium Tin Oxide)厚度為3000。最后鍍上粘接層的一成份金(Gold)18000。將晶片與鍍上25000銦的硅晶片做表面貼合，并置于200℃烤箱內(nèi)2小時，外加一3kg的重物于貼合晶片上，最后自然冷卻一小時以上，確定以達室溫再取出晶片。
以能量密度400mJ/cm2，波長248nm，脈沖寬度38ns的準分子激光均勻照射在藍寶石(Sapphire)基板上，并置于加熱板升溫至60℃使藍寶石(Sapphire)基板脫離，以干蝕刻(dry etching)定義出300μm×300μm元件大小，并在N型GaN材料鍍上鈦及鋁(Ti/Al 600/2000)，在硅基板鍍上鈦及金(Ti/Au 600/2000)做為歐姆電極。
第二實施例如實施例一制作外延晶片后，在晶片表面蒸鍍上金屬鎳(Nickel)，厚度小于50，經(jīng)通氧氣的情況下500℃融合10分鐘后，接著蒸鍍上反射層金屬鋁(Al)，厚度為2000，保護層TiWN，厚度為3000，最后鍍上粘接層的一成份金(Gold)18000。將晶片與鍍上25000銦的硅晶片做表面貼合，并置于200℃烤箱內(nèi)2小時，外加一3kg的重物于貼合晶片上，最后自然冷卻一小時以上，確定以達室溫再取出晶片。
以能量密度400mJ/cm2，波長248nm，脈沖寬度38ns的準分子激光均勻照射在藍寶石(Sapphire)基板上，并置于加熱板升溫至60℃使藍寶石(Sapphire)基板脫離，以干蝕刻(dry etching)定義出300μm×300μm元件大小，并在N型GaN材料鍍鈦及鋁(Ti/Al 600/2000)，在硅基板上鍍鈦及金(Ti/Au600/2000)做為歐姆電極。
藉由以上目前被視為本發(fā)明優(yōu)選具體實施例的敘述，希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神。然而，以上所揭露的優(yōu)選具體實施例非為本發(fā)明所欲保護范疇的限制。相反地，前述的說明及其各種均等性的改變安排皆為本發(fā)明所欲受到的保護范疇。因此本發(fā)明權(quán)利要求的范疇應(yīng)該根據(jù)上述的說明作最寬廣的解釋，同時涵蓋權(quán)利要求所述以及其所有可能實質(zhì)上均等的改變以及均等的安排。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，包括一基板，具有導(dǎo)電性與導(dǎo)熱性；一保護層，位于該基板上，該保護層包括由選自一合金、一氧化物、一氮化物或其組合的一材料所組成；一反射層，位于該保護層上，對一電磁波具有高反射率；一第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層，位于該反射層上；一多層量子阱結(jié)構(gòu)層，位于該第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層上；與一第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層，位于該多層量子阱結(jié)構(gòu)層上。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中該反射層與該第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間還包括一透明導(dǎo)電層。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中該基板與該保護層之間還包括一粘接層。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中該保護層具有導(dǎo)電性。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中該基板還包括一第一電極，該第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層還包括一第二電極，且該第一電極與該第二電極位于該半導(dǎo)體發(fā)光元件的異側(cè)。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中該第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層還包括一第一電極，該第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層還包括一第二電極，且該第一電極與該第二電極位于該半導(dǎo)體發(fā)光元件的同一側(cè)。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，經(jīng)過一能量波的處理。
8.一種制造一半導(dǎo)體發(fā)光元件的方法，包括下列步驟(a)提供一第一基板；(b)形成一第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層，位于該第一基板上；(c)形成一多層量子阱結(jié)構(gòu)層，位于該第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層上；(d)形成一第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層，位于該多層量子阱結(jié)構(gòu)層上；(e)形成一反射層，位于該第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層上，該反射層對一電磁波具有高反射率；(f)形成一保護層，位于該反射層上，該保護層由選自一合金、一氧化物、一氮化物或其組合的一材料所組成；(g)形成一第二基板，位于該保護層上，該第二基板具有高于該第一基板的導(dǎo)電性與導(dǎo)熱性；與(h)移除該第一基板。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中于該(d)步驟后還包括(i)形成一透明導(dǎo)電層，位于該第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層上。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中于該(f)步驟后還包括(j)形成一粘接層，位于該保護層上。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，其中該保護層不具有導(dǎo)電性。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，還包括(k)于該第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層上形成一第一電極，且于該第二基板上形成一第二電極，其中該第一電極與該第二電極位于該半導(dǎo)體發(fā)光元件的異側(cè)。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括(l)于該第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層上形成一第一電極，且于該第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層上形成一第二電極，其中該第一電極與該第二電極位于該半導(dǎo)體發(fā)光元件的同一側(cè)。
14.如權(quán)利要求8所述的方法，還包括(m)以一能量波處理該半導(dǎo)體發(fā)光元件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具增進亮度的半導(dǎo)體元件及其制法。此半導(dǎo)體元件包括一基板(substrate)；一保護層(passivation layer)，包括由選自一金屬合金、一金屬氧化物、一金屬氮化物、有機材料、無機材料或其組合的一材料所組成；一反射層；一第一半導(dǎo)體導(dǎo)電層；一多層量子阱結(jié)構(gòu)層；與一第二半導(dǎo)體導(dǎo)電層，其中此基板具有良好的導(dǎo)電性與導(dǎo)熱性。
文檔編號H01L33/00GK1758449SQ20041008492
公開日2006年4月12日 申請日期2004年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月10日
發(fā)明者蔡宗良, 張智松, 溫偉值, 陳澤澎 申請人:國聯(lián)光電科技股份有限公司