專利名稱：反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)與制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制程的改進(jìn)，特別是關(guān)于一種改進(jìn)反熔絲型存儲器組件多晶硅和金屬硅化物制程的結(jié)構(gòu)與方法。
背景技術(shù)：
反熔絲型存儲器組件是一種三維的存儲器組件(即存儲器組件)，其存儲單元是設(shè)在二極管的正極和負(fù)極之間的反熔絲層以做控制。當(dāng)反熔絲層完好時，其正極和負(fù)極彼此斷路，但是當(dāng)反熔絲層被破壞時，其正極和負(fù)極形成二極管，且其線路設(shè)計(jì)為正極和負(fù)極的材料彼此正交。三維結(jié)構(gòu)的反熔絲型存儲器組件和傳統(tǒng)的二維結(jié)構(gòu)存儲器比較，其所需使用的硅積底面積較傳統(tǒng)的存儲器小，也因此，可以增加存儲器的積極度，減少單位面積的成本。此外反熔絲型存儲器組件由于具有一次燒錄(OTP)的特性，可在保密性上提供較佳的保護(hù)。
請參閱圖1A至圖1D，為公知反熔絲型存儲器組件多晶硅的金屬硅化物制程的剖面示意圖。如圖1A所示，金屬導(dǎo)線及其導(dǎo)線間介電層制程已完成在半導(dǎo)體基底100上，此處為簡略圖示予以省略，于金屬導(dǎo)線及其導(dǎo)線間介電層上沉積一摻雜P+的多晶硅層，以做為底部多晶硅層110。其后，沉積一無摻雜的多晶硅或非晶硅層做為反應(yīng)多晶硅層111于底部多晶硅層110上。接著，沉積一鈦金屬層119及后續(xù)的氮化鈦層120于無摻雜的多晶硅或非晶硅層111上。
接下來，如圖1B所示，使用一快速回火制程，以使反應(yīng)多晶硅層和鈦金屬層119及部分氮化鈦層120反應(yīng)形成一鈦硅化合物層130。其形成的鈦硅化合物層130具有低的導(dǎo)電系數(shù)及良好的熱穩(wěn)定性，可減少導(dǎo)線間的阻值。之后，于鈦硅化合物上沉積一層摻雜P+的多晶硅層做為第一型導(dǎo)電層135。
后續(xù)，如圖1C所示，進(jìn)行一熱氧化制程以第一型導(dǎo)電層135上形成一反熔絲層136。其形成的反熔絲層136是做為控制反熔絲型存儲器單元的主要組件。其后，定義之前形成的反熔絲層136，鈦硅化合物層130，第一型導(dǎo)電層135及底部多晶硅層110以形成字符線，其包括微影，蝕刻及形成導(dǎo)線后于導(dǎo)線間填入介電材料和后續(xù)的化學(xué)機(jī)械研磨制程，其為一般公知的技藝，不在此詳加描述。最后，如圖1D所示，沉積一摻雜N的多晶硅層做為第二型導(dǎo)電層140，并定義第二型導(dǎo)電層140以形成位線。
請參閱圖3所示，其為公知反熔絲型存儲器組件多晶硅的金屬硅化物制程的立體圖，底部多晶硅層110形成在半導(dǎo)體基底100上，其上依序有底部多晶硅層110、鈦硅化合物層130、氮化鈦層120、第一型導(dǎo)電層135。底部多晶硅層110、鈦硅化合物層130和第一型導(dǎo)電層135做為字符線(WL)。第二型導(dǎo)電層140做為位線(BL)且其和第一型導(dǎo)電層135中夾有一反熔絲層136。
此制程在形成鈦金屬硅化物時，需先沉積一P+的多晶硅層及后續(xù)無摻雜的多晶硅或非晶硅層。加熱沉積的鈦金屬層以使鈦金屬層和其下的無摻雜的多晶硅或非晶硅層反應(yīng)形成鈦金屬硅化物層。其后再沉積一層摻雜P+的多晶硅層。其形成第一型導(dǎo)電層的步驟相當(dāng)繁瑣，并且多層的多晶硅沉積必需不斷將整批晶圓由先前的反應(yīng)器取出再置入預(yù)進(jìn)行反應(yīng)的反應(yīng)器中，不但步驟繁雜，且需要長時間等待抽真空，以達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)的反應(yīng)室壓力，相當(dāng)耗費(fèi)制程時間。
美國專利申請?zhí)柕?9/560626號揭示了一種低漏電流的存儲單元，其中在正極和負(fù)極的二極管間放置一反熔絲層，當(dāng)反熔絲層是完好時，其正極和負(fù)極彼此斷路，但是當(dāng)反熔絲層被破壞時，其正極和負(fù)極在一小區(qū)域的反熔絲層接通，也因此形成二極管，也因?yàn)槠浜苄^(qū)域的熔絲使其二極管具有很小的范圍區(qū)域，也因此其具相對小的漏電流。另外美國專利第6525953號揭示一種三維，可程序化，非揮發(fā)性的存儲單元，其是藉由一自我對準(zhǔn)的柱狀物，其中包含二極管的正極和負(fù)極組件，以及介于其中的反熔絲層，并依此柱狀物形成其存儲器單元，其運(yùn)作原理亦是根據(jù)反熔絲層是完好和破壞與否，形成電路，并決定儲存的數(shù)據(jù)。
因此，為克服上述公知的方法，即在形成二極管的正極和負(fù)極組件皆是使用摻雜的多晶硅的缺點(diǎn)，產(chǎn)生了本發(fā)明。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種簡化的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)和制造方法，其可以減少多晶硅的沉積步驟，以簡化形成金屬硅化物的制程，縮減制程時間，并減低制造成本。
本發(fā)明要解決的另一技術(shù)問題是提供一種反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)和制造方法，其借著減少一多晶硅層，可以達(dá)到減少多晶硅和硅化物層的總體阻質(zhì)，并藉此增加反熔絲型存儲器組件的驅(qū)動電流。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是一種反熔絲型存儲器組件的制造方法，包括下列步驟提供一基板；形成一黏合層于該基板上；形成一金屬層于該黏合層上；形成一硅層于該金屬層上；使該金屬層及部分該黏合層與部分該硅層反應(yīng)以形成一金屬硅化物層且未被反應(yīng)的硅層做為第一型導(dǎo)電層；形成一反熔絲層于該第一型導(dǎo)電層上；圖形化該第一型導(dǎo)電層、金屬硅化物層、反熔絲層以形成字符線；形成一第二型導(dǎo)電層于該反熔絲層上；以及圖形化該第二型導(dǎo)電層以形成位線。
所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，該基板為一半導(dǎo)體基板。
所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，該金屬層為鈦，鈷，或是鎳所組成。
所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，該黏合層為鈦的氮化物、鈷的氮化物或鎳的氮化物。
所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，該硅層為依序一未摻雜的多晶硅及一第一型離子摻雜的多晶硅堆棧構(gòu)成。
所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，該金屬硅化物層的形成為金屬層和該硅層的未摻雜的多晶硅層反應(yīng)所形成。
所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，該第一型導(dǎo)電層是P型且第二型導(dǎo)電層是N型。
所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，該第一型導(dǎo)電層是N型且第二型導(dǎo)電層是P型。
所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，該金屬硅化物層是鈦硅化合物，鈷硅化合物，或是鎳硅化合物所組成。
所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，形成一反熔絲層的方法為加熱該第一型導(dǎo)電層。
所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，該反熔絲層為二氧化硅或是氮化硅。
一種反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，其包括一金屬硅化物層；一第一型導(dǎo)電層于該金屬硅化物層上；一反熔絲層于該第一型導(dǎo)電層上；以及一第二型導(dǎo)電層于該反熔絲層上。
所述的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，該第一型導(dǎo)電層是P型且第二型導(dǎo)電層是N型。
所述的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，該第一型導(dǎo)電層是N型且第二型導(dǎo)電層是P型。
所述的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，該金屬硅化物層是鈦硅化合物，鈷硅化合物，或是鎳硅化合物所組成。
所述的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，該反熔絲層為二氧化硅或是氮化硅。
一種反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，其包括一第一導(dǎo)線；一黏合層位于該第一導(dǎo)線上；一金屬硅化物層位于該黏合層上；一第一型導(dǎo)電層位于該第一導(dǎo)線上；一反熔絲層位于該第一型導(dǎo)電層上；以及一第二型導(dǎo)電層位于一第二導(dǎo)線下，該第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線互相垂直，且該第一型導(dǎo)電層和該第二型導(dǎo)電層中間的反熔絲層是一矩型區(qū)域，且只有在該反熔絲層崩裂時第一型導(dǎo)電層和第二型導(dǎo)電層才會形成二極管。
所述的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，該第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線為鎢、鋁、或是銅所構(gòu)成。
所述的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，該金屬硅化物層是鈦硅化合物，鈷硅化合物，或是鎳硅化合物所組成。
所述的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，該第一型導(dǎo)電層和第二型導(dǎo)電層是P型或是N型。
所述的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，該第一型導(dǎo)電層和第二型導(dǎo)電層彼此型態(tài)不同。
所述的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，該反熔絲層為二氧化硅或是氮化硅。
所述的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，該黏合層為鈦的氮化物、鈷的氮化物或鎳的氮化物。
一種反熔絲型存儲器組件的制造方法，包括下列步驟提供一基板；
形成一金屬層于該基板上；形成一硅層于該金屬層上；使該金屬層與部分該硅層反應(yīng)以形成一金屬硅化物層且未被反應(yīng)的硅層系做為第一型導(dǎo)電層；形成一反熔絲層于該第一型導(dǎo)電層上；以及圖形化該第一型導(dǎo)電層、金屬硅化物層、反熔絲層以形成字符線。
所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，該基板為一半導(dǎo)體基板。
所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，該金屬層為鈦，鈷，或是鎳所組成。
所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，該金屬層和該基板間尚包含一黏合層。
所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，該黏合層為鈦的氮化物、鈷的氮化物或鎳的氮化物。
所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，該硅層為依序一未摻雜的多晶硅及一第一型離子摻雜的多晶硅堆棧構(gòu)成。
所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，該金屬硅化物層的形成為金屬層和該硅層的未摻雜的多晶硅層反應(yīng)所形成。
所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，該金屬硅化物層是鈦硅化合物，鈷硅化合物，或是鎳硅化合物所組成。
所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，形成一反熔絲層的方法為加熱該第一型導(dǎo)電層。
所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，該反熔絲層為二氧化硅或是氮化硅。
本發(fā)明提供一種簡化的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)與制造方法，包括下列步驟首先，提供一基板并形成一金屬層于該基板上。其后，形成一硅層于該金屬層上并使該金屬層與部分該硅層反應(yīng)以形成一金屬硅化物層且未被反應(yīng)的硅層做為第一型導(dǎo)電層。接下來，形成一反熔絲層于該第一型導(dǎo)電層上。圖形化該第一型導(dǎo)電層、金屬硅化物層、反熔絲層以形成字符線并形成一第二型導(dǎo)電層于反熔絲層上，最后圖形化第二型導(dǎo)電層以形成位線。
此外本發(fā)明又提出一種反熔絲型存儲器組件的多晶硅和硅化物結(jié)構(gòu)，其包括一金屬硅化物層、一第一型導(dǎo)電層于該金屬硅化物層上、一反熔絲層于該第一型導(dǎo)電層上、以及一第二型導(dǎo)電層于該反熔絲層上。
本發(fā)明的特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)是本發(fā)明在反熔絲存儲器組件的制程中，于在金屬導(dǎo)線上沉積一金屬層，于其后沉積一反應(yīng)層，并藉由加熱制程，使金屬層向上反應(yīng)形成一金屬硅化物，可減少公知技術(shù)的多晶硅沉積步驟，以簡化形成金屬硅化物的制程，縮減制程時間，并減低制造成本。
本發(fā)明由于其比公知技術(shù)減少一多晶硅層，故其多晶硅和硅化物層的總體阻質(zhì)較低，可增加反熔絲型存儲器組件的驅(qū)動電流。
本發(fā)明于多晶硅下所形成的金屬硅化物層，僅需增加一制程即可減少多晶硅和硅化物層的總體阻質(zhì)，并藉此增加反熔絲型存儲器組件的驅(qū)動電流。
圖1A至圖1D為公知反熔絲型存儲器組件多晶硅和金屬硅化物制程的剖面示意圖；圖2A至圖2D為本發(fā)明實(shí)施例的反熔絲型存儲器組件多晶硅和金屬硅化物制程剖面示意圖；圖3為公知反熔絲型存儲器組件多晶硅的金屬硅化物制程的立體圖；圖4為本發(fā)明反熔絲型存儲器組件多晶硅的金屬硅化物制程的立體圖。
符號說明公知技術(shù)100、半導(dǎo)體基底110、底部多晶硅層111、反應(yīng)多晶硅層
119、鈦金屬層 120、氮化鈦層130、鈦硅化合物層135、第一型導(dǎo)電層 136、反熔絲層140、第二型導(dǎo)電層本發(fā)明技術(shù)200、半導(dǎo)體基板210、氮化鈦層212、鈦金屬層220、反應(yīng)多晶硅層 230、第一型導(dǎo)電層240、鈦金屬硅化物層235、反熔絲層 250、第二型導(dǎo)電層具體實(shí)施方式
為了讓本發(fā)明的技術(shù)問題、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下請參閱圖2A至圖2D，其為本發(fā)明簡化的反熔絲型存儲器組件的制造方法的實(shí)施例的制程剖面圖。在本實(shí)施例的敘述中，基板包括半導(dǎo)體晶圓上已形成的組件，例如閘極等。
首先，如圖2A所示，提供一半導(dǎo)體基板200，并且金屬導(dǎo)線及其導(dǎo)線間介電層已形成在半導(dǎo)體基板200上，其金屬導(dǎo)線可以是銅金屬或是鎢金屬，且其導(dǎo)線間介電層可以是未摻雜的硅玻璃，四乙氧基硅烷為硅源的二氧化硅或是其它介電材料。其后，沉積一氮化鈦層210及后續(xù)的鈦金屬層212，氮化鈦可應(yīng)用化學(xué)氣相沉積法(CVD)或是物理氣相沉積法(PVD)的方式形成，鈦金屬是應(yīng)用物理氣相沉積法(PVD)沉積。氮化鈦的厚度為25-250埃，其做為鈦硅化合物和其下金屬導(dǎo)線的黏合層，鈦金屬的厚度為200-800埃，其做為之后形成鈦硅化合物的來源。
其后，沉積一無摻雜的多晶硅層或非晶硅層做為反應(yīng)多晶硅層220于鈦金屬層212上，其應(yīng)用一化學(xué)氣相沉積法(CVD)，在反應(yīng)溫度在450℃-800℃，反應(yīng)壓力在0.1Torr-10Torr的條件下沉積，其反應(yīng)多晶硅層220的厚度為200-1500埃，是做為和其下的鈦金屬層212及部分氮化鈦層210反應(yīng)以形成后續(xù)的鈦硅化合物層。接下來，于反應(yīng)多晶硅層上沉積第一型導(dǎo)電層230，其可以是摻雜P+的多晶硅層，亦是應(yīng)用化學(xué)氣相沉積法(CVD)形成，但此多晶硅層做為傳導(dǎo)及形成二極管作用，需具較低的電阻率，故藉由摻雜以降低其本身的電阻率，所摻雜的雜質(zhì)為硼或其它三價(jià)元素。并且，可在其多晶硅的化學(xué)氣相沉積(CVD)反應(yīng)后，藉由一高溫?cái)U(kuò)散法把雜質(zhì)趨入，或是于沉積后采離子植入的方式，將雜質(zhì)以離子型態(tài)，植入多晶硅內(nèi)，或是在多晶硅的沉積反應(yīng)時，同時(In-situ)進(jìn)行雜質(zhì)的滲入，其形成的第一型導(dǎo)電層230厚度為300-2000埃。
后續(xù)，如圖2B所示，以一熱制程，其可以是快速加熱制程或是爐管制程，在溫度為400℃-1200℃，通入惰性氣體，以使之前形成的鈦/氮化鈦層210和反應(yīng)多晶硅層220反應(yīng)以形成鈦金屬硅化物層240，其形成的鈦金屬硅化物層240具有低阻質(zhì)及熱穩(wěn)定的特性。
其后，如圖2C所示，進(jìn)行一熱制程，其可以是快速加熱制程或是爐管制程，在溫度為400℃-1200℃，通入氧氣，使第一型導(dǎo)電層表面產(chǎn)生二氧化硅層，其二氧化硅層厚度為5-200埃，做為控制反熔絲型存儲器組件的反熔絲層235，因此反熔絲層235的品質(zhì)和均勻性的控制相當(dāng)?shù)闹匾?br>
接著，定義之前形成的反熔絲層235，鈦硅化合物層240和第一型導(dǎo)電層230以形成字符線，其包括微影及蝕刻等公知技術(shù)在此不詳加描述。形成導(dǎo)線后于導(dǎo)線間填入介電材料，其可以是以一高密度電漿(HDP)的化學(xué)氣相沉積法所形成的二氧化硅，其電漿內(nèi)的離子濃度較一般的電漿激發(fā)化學(xué)氣相沉積法為濃，故能利用沉積/蝕刻/沉積的方法，具有較佳的溝填能力，可填入形成導(dǎo)線后的間隙中。接下來，以化學(xué)機(jī)械研磨法(CMP)移除多余的介電層，并使其平坦化。
接下來，如圖2D所示，沉積第二型導(dǎo)電層250在反熔絲層235上，其可以是摻雜N+的多晶硅層，是應(yīng)用一化學(xué)氣相沉積法(CVD)，在反應(yīng)溫度在450℃-800℃，反應(yīng)壓力在0.1Torr-10Torr的條件下沉積，其厚度為1000-6500埃。第二型導(dǎo)電層做為傳導(dǎo)及和之前形成的第一型導(dǎo)電層形成二極管作用，所以其亦需較低的電阻率，并且其所摻雜的雜質(zhì)為砷或其它五價(jià)元素。其植入的方法，亦是可藉由高溫?cái)U(kuò)散法把雜質(zhì)趨入，或是于采用離子植入的方式。需注意的是，第二型導(dǎo)電層250的型態(tài)需和之前形成的第一型導(dǎo)電層230相反，易言之，在此步驟沉積的多晶硅層亦可以是P+型，而之前沉積的多晶硅為N+型。
其后，定義第二型導(dǎo)電層250以形成位線，其包括光罩，顯影，及蝕刻。形成導(dǎo)線后于導(dǎo)線間填入介電材料，其亦是以一高密度電漿(HDP)的化學(xué)氣相沉積法所形成的二氧化硅，填入形成導(dǎo)線后的間隙中，其后，以化學(xué)機(jī)械研磨法(CMP)移除多余的介電層，并使其平坦化。
請參閱圖4所示，其為顯示本發(fā)明反熔絲型存儲器組件多晶硅的金屬硅化物制程的立體圖，鈦金屬硅化物層240形成在半導(dǎo)體基底200上，其和第一型導(dǎo)電層230做為字符線(WL)且第二型導(dǎo)電層250做為位線(BL)。其中鈦金屬硅化物層240和半導(dǎo)體基底200間有一氮化鈦層210做為黏合作用，且第一型導(dǎo)電層230和第二型導(dǎo)電層250中間有一反熔絲層235。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的構(gòu)思和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種反熔絲型存儲器組件的制造方法，包括下列步驟提供一基板；形成一黏合層于該基板上；形成一金屬層于該黏合層上；形成一硅層于該金屬層上；使該金屬層及部分該黏合層與部分該硅層反應(yīng)以形成一金屬硅化物層且未被反應(yīng)的硅層做為第一型導(dǎo)電層；形成一反熔絲層于該第一型導(dǎo)電層上；圖形化該第一型導(dǎo)電層、金屬硅化物層、反熔絲層以形成字符線；形成一第二型導(dǎo)電層于該反熔絲層上；以及圖形化該第二型導(dǎo)電層以形成位線。
2.如權(quán)利要求1所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，其特征在于該基板為一半導(dǎo)體基板。
3.如權(quán)利要求1所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，其特征在于該金屬層為鈦，鈷，或是鎳所組成。
4.如權(quán)利要求1所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，其特征在于該黏合層為鈦的氮化物、鈷的氮化物或鎳的氮化物。
5.如權(quán)利要求1所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，其特征在于該硅層為依序一未摻雜的多晶硅及一第一型離子摻雜的多晶硅堆棧構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，其特征在于該金屬硅化物層的形成為金屬層和該硅層的未摻雜的多晶硅層反應(yīng)所形成。
7.如權(quán)利要求1所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，其特征在于該第一型導(dǎo)電層是P型且第二型導(dǎo)電層是N型。
8.如權(quán)利要求1所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，其特征在于該第一型導(dǎo)電層是N型且第二型導(dǎo)電層是P型。
9.如權(quán)利要求1所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，其特征在于該金屬硅化物層是鈦硅化合物，鈷硅化合物，或是鎳硅化合物所組成。
10.如權(quán)利要求1所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，其特征在于形成一反熔絲層的方法為加熱該第一型導(dǎo)電層。
11.如權(quán)利要求1所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，其特征在于該反熔絲層為二氧化硅或是氮化硅。
12.一種反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一金屬硅化物層；一第一型導(dǎo)電層于該金屬硅化物層上；一反熔絲層于該第一型導(dǎo)電層上；以及一第二型導(dǎo)電層于該反熔絲層上。
13.如權(quán)利要求12所述的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一型導(dǎo)電層是P型且第二型導(dǎo)電層是N型。
14.如權(quán)利要求12所述的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一型導(dǎo)電層是N型且第二型導(dǎo)電層是P型。
15.如權(quán)利要求12所述的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，其特征在于該金屬硅化物層是鈦硅化合物，鈷硅化合物，或是鎳硅化合物所組成。
16.如權(quán)利要求12所述的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，其特征在于該反熔絲層為二氧化硅或是氮化硅。
17.一種反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一第一導(dǎo)線；一黏合層位于該第一導(dǎo)線上；一金屬硅化物層位于該黏合層上；一第一型導(dǎo)電層位于該第一導(dǎo)線上；一反熔絲層位于該第一型導(dǎo)電層上；以及一第二型導(dǎo)電層位于一第二導(dǎo)線下，該第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線互相垂直，且該第一型導(dǎo)電層和該第二型導(dǎo)電層中間的反熔絲層是一矩型區(qū)域，且只有在該反熔絲層崩裂時第一型導(dǎo)電層和第二型導(dǎo)電層才會形成二極管。
18.如權(quán)利要求17所述的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線為鎢、鋁、或是銅所構(gòu)成。
19.如權(quán)利要求17所述的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，其特征在于該金屬硅化物層是鈦硅化合物，鈷硅化合物，或是鎳硅化合物所組成。
20.如權(quán)利要求17所述的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一型導(dǎo)電層和第二型導(dǎo)電層是P型或是N型。
21.如權(quán)利要求17所述的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一型導(dǎo)電層和第二型導(dǎo)電層彼此型態(tài)不同。
22.如權(quán)利要求17所述的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，其特征在于該反熔絲層為二氧化硅或是氮化硅。
23.如權(quán)利要求17所述的反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)，其特征在于該黏合層為鈦的氮化物、鈷的氮化物或鎳的氮化物。
24.一種反熔絲型存儲器組件的制造方法，包括下列步驟提供一基板；形成一金屬層于該基板上；形成一硅層于該金屬層上；使該金屬層與部分該硅層反應(yīng)以形成一金屬硅化物層且未被反應(yīng)的硅層系做為第一型導(dǎo)電層；形成一反熔絲層于該第一型導(dǎo)電層上；以及圖形化該第一型導(dǎo)電層、金屬硅化物層、反熔絲層以形成字符線。
25.如權(quán)利要求24所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，其特征在于該基板為一半導(dǎo)體基板。
26.如權(quán)利要求24所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，其特征在于該金屬層為鈦，鈷，或是鎳所組成。
27.如權(quán)利要求24所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，其特征在于該金屬層和該基板間尚包含一黏合層。
28.如權(quán)利要求27所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，其特征在于該黏合層為鈦的氮化物、鈷的氮化物或鎳的氮化物。
29.如權(quán)利要求24所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，其特征在于該硅層為依序一未摻雜的多晶硅及一第一型離子摻雜的多晶硅堆棧構(gòu)成。
30.如權(quán)利要求24所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，其特征在于該金屬硅化物層的形成為金屬層和該硅層的未摻雜的多晶硅層反應(yīng)所形成。
31.如權(quán)利要求24所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，其特征在于該金屬硅化物層是鈦硅化合物，鈷硅化合物，或是鎳硅化合物所組成。
32.如權(quán)利要求24所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，其特征在于形成一反熔絲層的方法為加熱該第一型導(dǎo)電層。
33.如權(quán)利要求24所述的反熔絲型存儲器組件的制造方法，其特征在于該反熔絲層為二氧化硅或是氮化硅。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種反熔絲型存儲器組件的結(jié)構(gòu)與制造方法，包括下列步驟首先，提供一基板并形成一金屬層于該基板上。其后，形成一硅層于該金屬層上并使該金屬層與部分該硅層反應(yīng)以形成一金屬硅化物層且未被反應(yīng)的硅層做為第一型導(dǎo)電層。接下來，形成一反熔絲層于該第一型導(dǎo)電層上。圖形化該第一型導(dǎo)電層、金屬硅化物層、反熔絲層以形成字符線并形成一第二型導(dǎo)電層于該反熔絲層上，最后圖形化該第二型導(dǎo)電層以形成位線。本發(fā)明可以減少多晶硅的沉積步驟，以簡化形成金屬硅化物的制程，縮減制程時間，減低制造成本及減少傳導(dǎo)層的總體阻質(zhì)。
文檔編號H01L27/10GK1577797SQ20041005942
公開日2005年2月9日 申請日期2004年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月22日
發(fā)明者林智明, 汪坤發(fā), 劉家成 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司