專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造和安裝方法、電路基板以及電子機(jī)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法及其安裝方法，電路基板以及電子機(jī)器。
背景技術(shù)：
作為半導(dǎo)體裝置的組件，晶片級(jí)CSP(芯片尺寸組件)的普及日益提高，但是以往，以在與元件形成面相反的面上施加的標(biāo)記特定為制成品的半導(dǎo)體裝置的方向。也就是說(shuō)，由以往的技術(shù)，在半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造上，無(wú)法從半導(dǎo)體裝置的元件形成面?zhèn)龋ㄟ^(guò)識(shí)別標(biāo)記而判別半導(dǎo)體裝置的方向。特別是當(dāng)將多個(gè)外部端子左右對(duì)稱地排列的情況下，從其構(gòu)造判別半導(dǎo)體裝置的方向是極其困難的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于可以容易地判別半導(dǎo)體裝置的方向(1)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，包含具有與集成電路電連接的電極的基板；與所述電極電連接的外部端子；設(shè)置在所述基板的所述外部端子側(cè)的面上的具有光穿透性的絕緣層；設(shè)置在所述基板上被所述絕緣層所覆蓋，并可以透過(guò)所述絕緣層而識(shí)別的標(biāo)記。
根據(jù)本發(fā)明，由于從基板的外部端子側(cè)的面上，透過(guò)絕緣層而識(shí)別標(biāo)記，因此，可以容易地判別半導(dǎo)體裝置的方向。由此，可以從半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造本身判別其方向，半導(dǎo)體裝置的處理更方便。
(2)在該半導(dǎo)體裝置中，所述基板是半導(dǎo)體基板，所述集成電路也可以形成在所述半導(dǎo)體基板上。
(3)在該半導(dǎo)體裝置中，還包含
在形成所述半導(dǎo)體基板的所述電極的面上，避開(kāi)所述電極而形成的樹(shù)脂層；從所述電極延伸到所述樹(shù)脂層上，包含形成在所述樹(shù)脂層上的凸臺(tái)的布線層，在所述凸臺(tái)上設(shè)置所述外部端子，也可以形成所述絕緣層，使之露出所述外部端子的至少一部分，并覆蓋所述布線層。
(4)在該半導(dǎo)體裝置中，也可以在所述樹(shù)脂層上形成所述標(biāo)記。
(5)在該半導(dǎo)體裝置中，在所述半導(dǎo)體基板上形成鈍化膜，也可以在所述鈍化膜上形成所述標(biāo)記。
(6)在半導(dǎo)體裝置中，也可以以與所述布線層材料的至少一部分相同的材料形成所述標(biāo)記。由此，比如，可以以與布線層同一工序形成標(biāo)記。
(7)在該半導(dǎo)體裝置中，也可以在與所述布線層非接觸區(qū)域形成所述標(biāo)記。
(8)在該半導(dǎo)體裝置中，具有多個(gè)所述凸臺(tái)，在所述多個(gè)凸臺(tái)中，第一個(gè)凸臺(tái)的形狀具有所述標(biāo)記，并且也可以第二個(gè)凸臺(tái)的形狀與第一個(gè)凸臺(tái)的形狀不同。由此，第一個(gè)凸臺(tái)的一部分或者全體成為標(biāo)記，因此可以減少部件數(shù)量。
(9)在該半導(dǎo)體裝置中，所述外部端子是焊料球所述絕緣層也可以是焊料保護(hù)層。
(10)在該半導(dǎo)體裝置中，所述半導(dǎo)體基板也可以是半導(dǎo)體芯片。
(11)在該半導(dǎo)體裝置中，也可以在所述半導(dǎo)體芯片的四角的至少一個(gè)角部設(shè)置所述標(biāo)記。
(12)在該半導(dǎo)體裝置中，
所述半導(dǎo)體基板也可以是半導(dǎo)體晶片，并在多個(gè)區(qū)域具有所述集成電路。
(13)在本發(fā)明的電路基板上，安裝上述半導(dǎo)體裝置。
(14)本發(fā)明的電子機(jī)器，具有上述半導(dǎo)體裝置。
(15)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的安裝方法，包含將上述半導(dǎo)體裝置安裝在電路基板上的步驟，通過(guò)透過(guò)所述絕緣層識(shí)別所述標(biāo)記，來(lái)判別所述半導(dǎo)體裝置在安裝時(shí)的方向。
(16)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包含在具有與集成電路電連接的電極的基板的一方的面上形成標(biāo)記的步驟；在所述基板的所述標(biāo)記側(cè)的面上，形成與所述電極電連接的外部端子的步驟；為了覆蓋所述標(biāo)記而設(shè)置具有光穿透性的絕緣層的步驟。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
圖2是本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
圖3是本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的部分俯視圖。
圖4是本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的部分俯視圖。
圖5是本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的部分俯視圖。
圖6是本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的部分俯視圖。
圖7是本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的部分俯視圖。
圖8是本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的部分俯視圖。
圖9是表示本發(fā)明實(shí)施例的電路基板的圖。
圖10是表示本發(fā)明實(shí)施例的電子機(jī)器的圖。
圖11是表示本發(fā)明實(shí)施例的電子機(jī)器的圖。
圖中10-半導(dǎo)體基板，12-集成電路，14-電極，18-樹(shù)脂層，20-布線層，22-第一凸臺(tái)，24-第二凸臺(tái)，30-標(biāo)記，32-標(biāo)記，34-標(biāo)記，36-標(biāo)記，38-標(biāo)記，40-外部端子，50-絕緣層，60-標(biāo)記，62-標(biāo)記
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
圖1是除去本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的一部分(絕緣層50)的俯視圖。圖2是本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的剖面圖(圖1的II-II剖面圖)。圖3～圖6是表示標(biāo)記的其它形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的部分俯視圖。
半導(dǎo)體裝置1包含基板(在本實(shí)施例中就是半導(dǎo)體基板10)。半導(dǎo)體基板10，如圖1所示，可以是半導(dǎo)體芯片，或者也可以是半導(dǎo)體晶片。在半導(dǎo)體基板10上，形成集成電路12(參照?qǐng)D2)，在集成電路12上形成電連接的電極(比如襯墊)14。當(dāng)是半導(dǎo)體芯片時(shí)，多在一個(gè)區(qū)域形成集成電路12。當(dāng)是半導(dǎo)體晶片時(shí)，在多個(gè)區(qū)域形成形成集成電路12的情況較多。在半導(dǎo)體基板10的任意面上形成多個(gè)電極14。也可以沿著半導(dǎo)體芯片(或成為半導(dǎo)體芯片的區(qū)域)的端部(比如對(duì)向的兩邊或四邊)排列多個(gè)電極14。在半導(dǎo)體基板10的表面(形成電極14的面)上，形成鈍化膜(比如硅氮化膜或硅氧化膜)16。
在本實(shí)施例中，在形成半導(dǎo)體基板10的電極14的面上(比如鈍化膜16上)，形成一層或由多層構(gòu)成的樹(shù)脂層18。避開(kāi)電極14而形成樹(shù)脂層18。如圖1所示，樹(shù)脂層18也可以形成在半導(dǎo)體芯片的中央部。也可以使樹(shù)脂層18側(cè)面傾斜，以便使其相反的面(底面)比上面更大。樹(shù)脂層18也可以具有應(yīng)力緩和功能。樹(shù)脂層18可以由聚酰亞胺樹(shù)脂、硅變性聚酰亞胺樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、硅變性環(huán)氧樹(shù)脂、苯并環(huán)丁烷(BCBbenzocyclobutene)、聚苯并鍔唑(PBOpolybenzoxazole)等樹(shù)脂形成。樹(shù)脂層18也可以形成在半導(dǎo)體基板10與后述的外部端子40之間。
在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置1包含布線層20。在形成半導(dǎo)體基板10的電極14的面上形成布線層20。由導(dǎo)電材料(比如金屬)形成布線層20。如圖1所示形成多個(gè)布線層20，由一層或者多層形成各布線層20。當(dāng)為多層時(shí)，考慮構(gòu)造的可靠性以及電特性，也可以將不同的材料(比如銅(Cu)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鈦鎢(TiW)、金(Au)、鋁(Al)、鎳釩(NiV)、鎢(W)等)組合起來(lái)而形成布線層。形成的布線層20覆蓋電極14，并與電極14電連接。布線層20從電極14延續(xù)到樹(shù)脂層18上面。形成的布線層20通過(guò)樹(shù)脂層18的側(cè)面(傾斜面)并到達(dá)其上面。
布線層20包含多個(gè)凸臺(tái)(在本實(shí)施例中為第一以及第二凸臺(tái)22、24)。凸臺(tái)是電連接部，為了提高電特性，在表面上形成電鍍層(圖中未示)。凸臺(tái)形成在樹(shù)脂層18上。凸臺(tái)也可以比布線層20的線更寬，比如也可以是圓形凸臺(tái)。
半導(dǎo)體裝置1包含多個(gè)外部端子40。在形成半導(dǎo)體基板10的電極14的面上形成外部端子40。外部端子40與電極14電連接。如圖1以及圖2所示，外部端子40與布線層20電連接。外部端子也可以設(shè)置在凸臺(tái)上。外部端子40也可以由具有導(dǎo)電性的金屬形成。外部端子40也可以由焊接材料形成。外部端子40，比如可以做成球狀，比如也可以是焊錫球。在圖1所示的例中，多個(gè)外部端子40在半導(dǎo)體基板10的平面上來(lái)看，左右對(duì)稱地配置。
半導(dǎo)體裝置1包含絕緣層(比如由樹(shù)脂構(gòu)成的層)50。絕緣層50具有光穿透性，比如可以是由透明或半透明的材料形成。絕緣層50，由一層或多層(圖2所示的例子中是第一以及第二絕緣層52、54)形成。絕緣層50設(shè)置在半導(dǎo)體基板10的外部端子40側(cè)的面上。更具體地，形成的絕緣層50使得外部端子40的至少一部分露出(使外部端子40的前端部露出)，并覆蓋布線層20。絕緣層50也可以作為焊料保護(hù)層使用。
在圖2所示的例中，絕緣層50包含第一以及第二絕緣層52、54。第一以及第二絕緣層52、54如上所述具有光穿透性。也可以在形成布線層20以后，使其覆蓋布線層20的至少一部分而形成第一絕緣層52。如圖2所示，也可以至少除去凸臺(tái)的中央部而形成第一絕緣層52。通過(guò)形成第一絕緣層52，可以防止布線層20的氧化、腐蝕或者斷線等。
第二絕緣層54層疊在第一絕緣層52的上面。也可以在形成了外部端子40以后，在第一絕緣層52上形成第二絕緣層54。設(shè)置第二絕緣層54并使外部端子40的前端部露出。此時(shí)，第二絕緣層54覆蓋外部端子40的根基部(下端部)。由此，可以對(duì)外部端子40的根基部進(jìn)行強(qiáng)固。
半導(dǎo)體裝置1包含標(biāo)記30。標(biāo)記30形成在半導(dǎo)體基板10的外部端子40側(cè)的面上(比如樹(shù)脂層18上)，被絕緣層50(在圖2中是第一以及第二絕緣層52、54)所覆蓋。由于絕緣層50具有光穿透性，所以可以透過(guò)絕緣層50而識(shí)別標(biāo)記30。由此，由于在標(biāo)記20上設(shè)置絕緣層50，因此可以防止標(biāo)記30的破損、剝離或者由氧化而引起的變色，通過(guò)標(biāo)記30可以確實(shí)地判別半導(dǎo)體裝置的方向。
在至少以可以知道半導(dǎo)體裝置1(或半導(dǎo)體基板10)的方向(平面方向)的位置或者形狀上形成標(biāo)記30。比如，可以將標(biāo)記30的形狀形成為能夠判別任意方向的形狀(比如箭頭形狀)?；蛘咭部梢栽诎雽?dǎo)體基板10的端部(比如角部)形成標(biāo)記30。這樣，只要識(shí)別標(biāo)記30的位置(即使不識(shí)別其形狀)，也可以判別半導(dǎo)體裝置的方向。另外，標(biāo)記30可以是一個(gè)也可以是多個(gè)。
標(biāo)記30可以由與布線層20的材料的至少一部分(當(dāng)布線層20為多層的情況下，則為其中的至少一層)相同的材料形成。比如，當(dāng)布線層20由金屬構(gòu)成時(shí)，標(biāo)記也可以由金屬形成。當(dāng)布線層20由多層形成的情況下，標(biāo)記也可以由多層形成。
這樣，由于可以在與布線層30同一工序中形成標(biāo)記30，因此，可以消減成本以及工序數(shù)量。
在圖1以及圖2所示的例中，在多個(gè)之中任意一個(gè)凸臺(tái)的一部分成為標(biāo)記30。更具體地，至少一個(gè)第一凸臺(tái)22的形狀具有標(biāo)記30，第二凸臺(tái)24的形狀與第一凸臺(tái)22的形狀不同。在圖1所示例中，第一凸臺(tái)22的形狀具有設(shè)置在中央部的外部端子40的圓形部分、以及從該圓形部分突出的突出部分(在圖1中為四角形的部分)，該突出部分也可以是標(biāo)記30。該突出部分也可以設(shè)置在與第一凸臺(tái)22的線相反側(cè)上。與上述不同，也可以說(shuō)第一凸臺(tái)22的形狀的整體是標(biāo)記30。因此，由于第一凸臺(tái)22的一部分或者全體成為標(biāo)記30，因此可以減少半導(dǎo)體裝置的部件數(shù)量。而且，與獨(dú)立形成標(biāo)記30的情況相比，可以有效地利用半導(dǎo)體裝置的空間。如果將此事適用于半導(dǎo)體裝置與半導(dǎo)體芯片尺寸基本相等的CSP(Chip Size Package)時(shí)，則特別有效。
對(duì)標(biāo)記的形狀(或者第一凸臺(tái)22的表面形狀)沒(méi)有特別的限制，如圖3～圖6所示，可以有各種各樣的變形。如圖3所示，也可以將作為標(biāo)記32的所述的突出部分做成三角形。如圖4所示，也可以將作為標(biāo)記34的所述突出部分做成組合多個(gè)多角形的形狀(比如凸形)。如圖5所示，作為標(biāo)記36的所述突出部分并不限定于在第一凸臺(tái)22的線的相反側(cè)，比如，也可以設(shè)置在與線呈直角的側(cè)。如圖6所示，作為標(biāo)記38的所述突出部，也可以設(shè)置在多個(gè)部位(比如在圖1以及圖5的兩方的部位)。
作為本實(shí)施例的變形例，如圖7以及圖8所示，也可以從布線層20獨(dú)立而形成標(biāo)記60(標(biāo)記62)。即，也可以在與布線層20(凸臺(tái)22)非接觸的區(qū)域上設(shè)置標(biāo)記60(標(biāo)記62)。如圖7所示，也可以在鈍化層16(參照?qǐng)D2)的上面，以與前述的布線層同一的工藝形成標(biāo)記60。如圖8所示，也可以在樹(shù)脂層18上面，以與前述的布線層同一的工藝形成標(biāo)記62。這樣，由于可以不受凸臺(tái)配置的限制而設(shè)置標(biāo)記，所以可以在容易識(shí)別的位置上形成標(biāo)記，可以容易地判別半導(dǎo)體裝置的方向。進(jìn)而，由于沒(méi)有必要鄰接布線層20設(shè)置標(biāo)記，因此也可以提高從電極14到凸臺(tái)22之間的布線層20的引繞線的自由度。而且，如圖7、圖8所示，也可以在半導(dǎo)體芯片的四角之中的至少一個(gè)角部設(shè)置標(biāo)記60(標(biāo)記62)。
作為本實(shí)施例的變形例，半導(dǎo)體裝置也可以包含基板(比如可變尺寸夾層基板)以及安裝在基板上的半導(dǎo)體芯片(形成集成電路)。此時(shí)，在基板上，形成與半導(dǎo)體芯片的集成電路電連接的電極(比如布線模型的端子部)。在基板(具體地是在形成基板電極的面?zhèn)?上形成用于判別半導(dǎo)體裝置的方向的標(biāo)記。
根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置，由于從基板(半導(dǎo)體基板10)的外部端子40側(cè)的面上，透過(guò)絕緣層50而識(shí)別標(biāo)記，因此可以容易地判別半導(dǎo)體裝置的方向。由此，可以從半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造本身判別其方向，方便半導(dǎo)體裝置的處理。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包含在基板(在本實(shí)施例是半導(dǎo)體基板10)的一方的面上(比如電極14的形成面)形成標(biāo)記30，并在形成半導(dǎo)體基板10的標(biāo)記30的側(cè)的面上形成外部端子40，并設(shè)置絕緣層50使之覆蓋標(biāo)記30。如上所述，由于絕緣層50具有光穿透性，所以，可以透過(guò)絕緣層50而識(shí)別標(biāo)記30。當(dāng)半導(dǎo)體基板10是半導(dǎo)體晶片的情況下，將半導(dǎo)體基板10切割成多個(gè)集成電路12的每個(gè)區(qū)域。將半導(dǎo)體基板10切割開(kāi)而得到多個(gè)半導(dǎo)體裝置。由此，以晶片為單位作成組件。另外，由于可以從上述的半導(dǎo)體裝置中說(shuō)明的內(nèi)容導(dǎo)出其它的事項(xiàng)以及效果，因此予以省略。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的安裝方法，包含將半導(dǎo)體裝置1(包含半導(dǎo)體芯片)安裝到電路基板(比如主板(參照?qǐng)D9))上，并且通過(guò)透過(guò)絕緣層50識(shí)別標(biāo)記30而判別半導(dǎo)體裝置1的安裝方向。由此，可以從半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造本身判別其方向。另外，由于可以從上述的半導(dǎo)體裝置中說(shuō)明的內(nèi)容導(dǎo)出其它的事項(xiàng)以及效果，因此予以省略。
在圖9中，表示安裝了本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置1的電路基板1000。作為具有本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的電子機(jī)器，在圖10中，表示筆記本型微機(jī)2000，而在圖11中，表示手持電話3000。
本發(fā)明，并不限定上述的實(shí)施例，可以有各種各樣的變形。比如，本發(fā)明包含與實(shí)施例中說(shuō)明的構(gòu)成在實(shí)質(zhì)上同一的構(gòu)成(比如在功能、方法以及結(jié)果上同一構(gòu)成，或者在目的以及結(jié)果上同一的構(gòu)成)。而且，本發(fā)明包含將在實(shí)施例中說(shuō)明的構(gòu)成的非本質(zhì)的部分進(jìn)行置換的構(gòu)成。而且，本發(fā)明包含與實(shí)施例中說(shuō)明的構(gòu)成發(fā)揮同一作用的構(gòu)成或者可以達(dá)到同一目的構(gòu)成。而且，本發(fā)明包含在實(shí)施例中說(shuō)明的構(gòu)成中附加周知技術(shù)的構(gòu)成。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包含具有與集成電路電連接的電極的基板；與所述電極電連接的外部端子；設(shè)置在所述基板的所述外部端子側(cè)的面上的具有光穿透性的絕緣層；設(shè)置在所述基板上，被所述絕緣層所覆蓋，并可以透過(guò)所述絕緣層而識(shí)別的標(biāo)記。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述基板是半導(dǎo)體基板，將所述集成電路形成在所述半導(dǎo)體基板上。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于還包含在形成所述半導(dǎo)體基板的所述電極的面上，避開(kāi)所述電極而形成的樹(shù)脂層；從所述電極延伸到所述樹(shù)脂層上，包含形成所述樹(shù)脂層上的凸臺(tái)的布線層，在所述凸臺(tái)上設(shè)置所述外部端子，形成所述絕緣層，使之露出所述外部端子的至少一部分，并覆蓋所述布線層。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于在所述樹(shù)脂層上形成所述標(biāo)記。
5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于在所述半導(dǎo)體基板上形成鈍化膜，在所述鈍化膜上形成所述標(biāo)記。
6.如權(quán)利要求3～5中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于用與所述布線層材料的至少一部分相同的材料形成所述標(biāo)記。
7.如權(quán)利要求3～6中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于在與所述布線層非接觸區(qū)域形成所述標(biāo)記。
8.如權(quán)利要求3～6中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于具有多個(gè)所述凸臺(tái)，在所述多個(gè)凸臺(tái)中，第一個(gè)凸臺(tái)的形狀具有所述標(biāo)記，第二個(gè)凸臺(tái)的形狀與第一個(gè)凸臺(tái)的形狀不同。
9.如權(quán)利要求1～8中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述外部端子是焊料球所述絕緣層是焊料保護(hù)層。
10.如權(quán)利要求1～9中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體基板是半導(dǎo)體芯片。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于在所述半導(dǎo)體芯片的四角的至少一個(gè)角部設(shè)置所述標(biāo)記。
12.如權(quán)利要求1～9中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體基板是半導(dǎo)體晶片，并在多個(gè)區(qū)域具有所述集成電路。
13.一種電路基板，其特征在于安裝了如權(quán)利要求1～12中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置。
14.一種電子機(jī)器，其特征在于安裝了如權(quán)利要求1～12中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置。
15.一種半導(dǎo)體裝置的安裝方法，其特征在于包含將權(quán)利要求1～12中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置安裝在電路基板上的工序，通過(guò)透過(guò)所述絕緣層識(shí)別所述標(biāo)記，來(lái)判別所述半導(dǎo)體裝置在安裝時(shí)的方向。
16.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包含在具有與集成電路電連接的電極的基板的一方的面上形成標(biāo)記的步驟；在所述基板的所述標(biāo)記側(cè)的面上，形成與所述電極電連接的外部端子的步驟；為了覆蓋所述標(biāo)記而設(shè)置光穿透性的絕緣層的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置，包含具有與集成電路(12)電連接的電極(14)的基板(10)；與電極(14)電連接的外部端子(40)；設(shè)置在基板(10)的外部端子(40)側(cè)的面上的具有光穿透性的絕緣層(50)；設(shè)置在基板(10)上并被絕緣層(50)所覆蓋，可以透過(guò)絕緣層(50)而識(shí)別的標(biāo)記(30)。由此，可以容易地判別半導(dǎo)體裝置的方向。
文檔編號(hào)H01L23/544GK1525555SQ200410006820
公開(kāi)日2004年9月1日 申請(qǐng)日期2004年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月27日
發(fā)明者橋元伸晃 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社