專利名稱：電子部件封裝構(gòu)件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子部件封裝構(gòu)件及其制造方法。更具體地，本發(fā)明涉及其中半導(dǎo)體芯片等以埋藏于絕緣膜中的狀態(tài)安裝在布線基底上的電子部件封裝構(gòu)件及其制造方法。
背景技術(shù)：
LSI技術(shù)是實(shí)現(xiàn)多媒體器件的關(guān)鍵技術(shù)，LSI技術(shù)穩(wěn)定地發(fā)展為更高速度和更大容量的數(shù)據(jù)傳送。據(jù)此，對(duì)于LSI和電子器件之間的接口，也要求更高密度的封裝技術(shù)。
基于對(duì)進(jìn)一步增加密度的需求，已經(jīng)開發(fā)以下半導(dǎo)體器件，在此器件中，多個(gè)半導(dǎo)體芯片是三維層疊的并且安裝在布線基底上。例如，專利文獻(xiàn)1(未經(jīng)審查的日本專利公開號(hào)2001-177045)和專利文獻(xiàn)2(未經(jīng)審查的日本專利公開號(hào)2000-323645)公開了具有以下結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件多個(gè)半導(dǎo)體芯片以埋藏于絕緣膜中的狀態(tài)而三維安裝在布線基底上，并且，多個(gè)半導(dǎo)體芯片用多層布線圖案等相互連接，其中，在多層布線圖案等之間插入有絕緣膜。
然而，在上述專利文獻(xiàn)1和2中，沒(méi)有考慮以下事實(shí)當(dāng)在安裝的半導(dǎo)體芯片上形成層間絕緣膜時(shí)，層間絕緣膜在因半導(dǎo)體芯片厚度而產(chǎn)生臺(tái)階的狀態(tài)下形成。
具體地，如果在半導(dǎo)體芯片上的層間絕緣膜中產(chǎn)生臺(tái)階，當(dāng)在層間絕緣膜上形成布線圖案時(shí)，在光刻方法中容易發(fā)生散焦。相應(yīng)地，難以高精度地形成所需布線圖案。
進(jìn)而，由于還在形成于層間絕緣膜上的布線圖案中產(chǎn)生臺(tái)階，因此，當(dāng)半導(dǎo)體芯片倒裝接合到該布線圖案時(shí)，接合的可靠性可能降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種具有以下結(jié)構(gòu)的電子部件封裝構(gòu)件及其制造方法，在此結(jié)構(gòu)中，電子部件埋藏于布線基底上的絕緣膜中，其中，容易消除因電子部件厚度而產(chǎn)生的臺(tái)階，以平面化。
本發(fā)明涉及一種電子部件封裝構(gòu)件，包括具有布線圖案的布線基底；在布線基底上形成的第一絕緣膜，第一絕緣膜在安裝電子部件的封裝區(qū)域中具有開口部分；電子部件，其連接端子倒裝安裝在第一絕緣膜的開口部分的布線圖案上；用于覆蓋電子部件的第二絕緣膜；在布線圖案上的第一和第二絕緣膜的預(yù)定部分中形成的通孔；以及在第二絕緣膜上形成的上布線圖案，上布線圖案通過(guò)通孔連接到所述布線圖案。
在本發(fā)明中，在布線基底上形成第一絕緣膜，第一絕緣膜在封裝區(qū)域中具有開口部分，并且，電子部件(較薄的半導(dǎo)體芯片等)的連接端子倒裝安裝到開口部分中的布線圖案上。而且，形成用于覆蓋電子部件的第二絕緣膜，并且在布線圖案上的第一和第二絕緣膜中形成通孔。進(jìn)而，在第二絕緣膜上形成通過(guò)通孔連接到所述布線圖案的上布線圖案。
如上所述，在本發(fā)明中，第一絕緣膜形成得圍繞電子部件。從而，本發(fā)明具有用第一絕緣膜消除因電子部件厚度而產(chǎn)生的臺(tái)階的結(jié)構(gòu)。相應(yīng)地，用于覆蓋電子部件的第二絕緣膜以第二絕緣膜上表面為平面的狀態(tài)形成，不受電子部件厚度的影響。
從而，由于當(dāng)形成上布線圖案時(shí)在光刻方法中不發(fā)生散焦，因此，高精度地穩(wěn)定形成上布線圖案。
因而，電子部件以埋藏于平面絕緣膜中的狀態(tài)倒裝安裝在布線圖案上，并且在第二絕緣膜上形成用于三維層疊多個(gè)電子部件的上布線圖案，而不會(huì)產(chǎn)生任何問(wèn)題。進(jìn)而，在上電子部件倒裝安裝在上布線圖案上的情況下，上布線圖案的連接部分設(shè)置在基本相同的高度。相應(yīng)地，上電子部件高度可靠地接合到上布線圖案。
對(duì)于上述發(fā)明的修改例，通過(guò)在電子部件的背部設(shè)置保護(hù)膜而省略第二絕緣膜。在此情況下，在第一絕緣膜和保護(hù)膜上形成上布線圖案。可替換地，可采用以下結(jié)構(gòu)不在布線圖案上的絕緣膜中形成通孔，而在連接端子上的電子部件的預(yù)定部分中形成貫穿電子部件的通孔，并且，上布線圖案通過(guò)電子部件的通孔而連接到連接端子。
在上述發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選方面中，采用以下結(jié)構(gòu)電子部件的連接端子由金制成，在絕緣膜的開口部分中在布線圖案表面上形成金膜，并且，電子部件的連接端子通過(guò)金-金接合而倒裝安裝到布線圖案上。
在此情況下，用于消除因電子部件厚度而產(chǎn)生的臺(tái)階的第一絕緣膜還作為掩蔽層，用于有選擇性地在第一樹脂膜的開口部分(封裝區(qū)域)中的布線圖案(銅線等)上形成金膜。這使得有可能通過(guò)提供高可靠性接合的金-金接合，而容易在布線圖案上倒裝安裝其連接端子由金制成的電子部件。
而且，本發(fā)明涉及以下電子部件封裝構(gòu)件，包括具有布線圖案的布線基底；在布線基底上形成的第一絕緣膜，第一絕緣膜在安裝電子部件的封裝區(qū)域中具有開口部分；電子部件，該部件以連接端子朝上的狀態(tài)安裝在第一絕緣膜的開口部分的封裝區(qū)域中；用于覆蓋電子部件的第二絕緣膜；分別在連接端子和布線圖案上的絕緣膜預(yù)定部分中形成的通孔；以及在第二絕緣膜上形成的上布線圖案，上布線圖案通過(guò)通孔而分別連接到連接端子和所述布線圖案。在本發(fā)明中，在布線基底上形成第一絕緣膜，第一絕緣膜在封裝區(qū)域中具有開口部分，并且，電子部件以連接端子朝上的狀態(tài)安裝在開口部分中。
在電子部件以此方式安裝的情況下，與上述發(fā)明相似，也容易用第一絕緣膜消除因電子部件厚度而產(chǎn)生的臺(tái)階。進(jìn)而，在用于覆蓋電子部件的第二絕緣膜以平面狀態(tài)形成之后，分別在連接端子和布線圖案上的第二絕緣膜預(yù)定部分中形成通孔。另外，在第二絕緣膜上高精度地穩(wěn)定形成上布線圖案，上布線圖案通過(guò)通孔而分別連接到連接端子和所述布線圖案。
對(duì)于上述發(fā)明的修改例，通過(guò)使用在元件形成表面上設(shè)置有鈍化膜的電子部件而省略用于覆蓋電子部件的第二絕緣膜，鈍化膜具有用于暴露連接端子的開口部分。在此情況下，在絕緣膜和鈍化膜上形成上布線圖案。


圖1A-1N為順序示出本發(fā)明第一實(shí)施例的電子部件封裝構(gòu)件的制造方法的剖面圖。
圖2A-2F為順序示出本發(fā)明第二實(shí)施例的電子部件封裝構(gòu)件的制造方法的剖面圖。
圖3A-3E為示出本發(fā)明第三實(shí)施例的電子部件封裝構(gòu)件的制造方法的剖面圖，并且圖4為示出本發(fā)明第三實(shí)施例之修改例的電子部件封裝構(gòu)件的剖面圖。
圖5A-5G為順序示出本發(fā)明第四實(shí)施例的電子部件封裝構(gòu)件的制造方法的剖面圖，并且圖6為示出本發(fā)明第四實(shí)施例之修改例的電子部件封裝構(gòu)件的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。
(第一實(shí)施例)圖1A-1N為順序示出本發(fā)明第一實(shí)施例的電子部件封裝構(gòu)件的制造方法的剖面圖。在制造第一實(shí)施例的電子部件封裝構(gòu)件的方法中，如圖1A所示，首先，制備用于制造裝配印刷電路板的基底30?；?0由絕緣材料如樹脂制成。在基底30中設(shè)置通孔30a，并且，在通孔30a的內(nèi)表面上形成通孔鍍層30b，通孔鍍層30b連接到基底30上的第一布線圖案32。通孔30a的開口用樹脂體30c填充。
隨后，形成第一層間絕緣膜34，此膜由樹脂等制成并覆蓋第一布線圖案32。接著，用激光、RIE等蝕刻第一布線圖案32上的第一層間絕緣膜34的預(yù)定部分，由此形成其深度達(dá)到第一布線圖案32的第一通孔34x。
然后，在第一層間絕緣膜34上形成通過(guò)第一通孔34x連接到第一布線圖案32的第二布線圖案32a。第二布線圖案32a由Cu線等制成，并且用與形成后述第三布線圖案的方法相似的方法形成。因而，獲得其上安裝半導(dǎo)體芯片的布線基底2。
其次，如圖1B所示，在第二布線圖案32a和第一層間絕緣膜34上形成第一絕緣膜36a，其中，第一絕緣膜36a在倒裝安裝半導(dǎo)體芯片的封裝區(qū)域A中具有開口部分39。
對(duì)于第一絕緣膜36a，使用環(huán)氧類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、酚醛清漆類樹脂、丙烯酸類樹脂、等等。形成第一絕緣膜36a的方法包括用光刻術(shù)對(duì)感光樹脂膜構(gòu)圖的方法?？商鎿Q地，可采用以下方法，其中層壓膜狀樹脂層而形成，或通過(guò)自旋涂敷或印刷形成樹脂膜；接著，用激光或RIE蝕刻樹脂膜，由此形成開口部分。而且，可采用以下方法，其中膜狀樹脂層的所需部分用沖模切割，形成開口部分，并附上樹脂膜。此外，樹脂膜可通過(guò)絲網(wǎng)印刷而構(gòu)圖成具有開口部分的形狀。
接著，此樹脂膜在130-200℃溫度下進(jìn)行熱處理而固化，由此得到第一絕緣膜36a。
本實(shí)施例的一個(gè)特征在于，當(dāng)形成半導(dǎo)體芯片以埋藏于絕緣膜內(nèi)的狀態(tài)安裝的結(jié)構(gòu)時(shí)，容易消除因半導(dǎo)體芯片厚度而產(chǎn)生的臺(tái)階。相應(yīng)地，在本實(shí)施例中，在封裝區(qū)域A中具有開口部分39的第一絕緣膜36a的厚度形成得與半導(dǎo)體芯片厚度相對(duì)應(yīng)，并且半導(dǎo)體芯片安裝在開口部分39中。因而，容易用第一絕緣膜36a消除因半導(dǎo)體芯片厚度而產(chǎn)生的臺(tái)階。
從而，根據(jù)各種半導(dǎo)體芯片的厚度來(lái)適當(dāng)調(diào)節(jié)第一絕緣膜36a的厚度。在使用薄至厚度約為150μm或更小(優(yōu)選30-70μm，包括凸起的高度)的半導(dǎo)體芯片的情況下，第一絕緣膜36a的厚度設(shè)定為等于此半導(dǎo)體芯片的厚度。而且，第一絕緣膜36a的開口部分39優(yōu)選形成得圍繞以后安裝的半導(dǎo)體芯片。
接著，如圖1C所示，在暴露于第一絕緣膜36a的開口部分39中的第二布線圖案(Cu線)32a上，通過(guò)無(wú)電鍍而有選擇性地形成0.1-1μm厚的金(Au)膜37。此時(shí)，由于第一絕緣膜36a用固化樹脂膜制成，因此，第一絕緣膜36a對(duì)無(wú)電鍍所用鍍覆化學(xué)物是有抗性的。應(yīng)指出，可在第二布線圖案(Cu線)32a上用無(wú)電鍍形成鎳(Ni)膜之后，形成Au膜37，其中，Ni膜作為阻擋膜。
如上所述，除了消除當(dāng)半導(dǎo)體芯片以后述方式安裝時(shí)因半導(dǎo)體芯片厚度而產(chǎn)生的臺(tái)階以外，第一絕緣膜36a還用作掩蔽層，用于在封裝區(qū)域A中在第二布線圖案(Cu線)32a的連接部分B上有選擇性地形成Au膜37。
接著，制備如圖1D所示的具有Au凸起21的半導(dǎo)體芯片20。按如下方式獲得半導(dǎo)體芯片20通過(guò)研磨半導(dǎo)體晶片(未示出)的背部而使半導(dǎo)體晶片變薄為厚約150μm(優(yōu)選50μm或更小)，其中，半導(dǎo)體晶片具有諸如晶體管的元件以及在元件形成表面上的連接墊；接著，切割半導(dǎo)體晶片，分成獨(dú)立的片。在半導(dǎo)體晶片切割之前或之后在連接墊上形成半導(dǎo)體芯片20的Au凸起21。
盡管已用半導(dǎo)體芯片20作為電子部件的實(shí)例，但也可使用各種電子部件，包括電容器部件。應(yīng)指出，半導(dǎo)體芯片20的連接墊和凸起21是連接端子的實(shí)例。
隨后，用超聲波工具拾起的半導(dǎo)體芯片20以半導(dǎo)體芯片20的Au凸起21朝下的狀態(tài)放置在第二布線圖案32a的連接部分B的Au膜37上，并且水平施加超聲波振動(dòng)，同時(shí)向下施加壓力。因而，半導(dǎo)體芯片20的Au凸起21與第二布線圖案32a的Au膜37接合在一起。以此方式，半導(dǎo)體芯片20通過(guò)超聲波倒裝接合而安裝在第二布線圖案32a上。
此時(shí)，第一絕緣膜36a的開口部分39的尺寸優(yōu)選根據(jù)半導(dǎo)體芯片20的尺寸進(jìn)行調(diào)節(jié)，使得在半導(dǎo)體芯片20的側(cè)面和開口部分39的側(cè)面之間留下0.5-2mm(優(yōu)選約1mm)的間隙。
通過(guò)以上方式，半導(dǎo)體芯片20的背部和第一絕緣膜36a的上表面為幾乎相同的高度，并且消除因半導(dǎo)體芯片20厚度而產(chǎn)生的臺(tái)階，因?yàn)槿缜八?，第一絕緣膜36a在除封裝區(qū)域A之外的區(qū)域中形成為其厚度與半導(dǎo)體芯片20的厚度幾乎相同。當(dāng)然，應(yīng)該指出，在后續(xù)步驟中不產(chǎn)生麻煩的程度上，半導(dǎo)體芯片20背部的高度和第一絕緣膜36a上表面的高度可互不相同。
另外，由于使用第一絕緣膜36a作為掩模，在第二布線圖案32a的連接部分B上有選擇性地形成Au膜37，因此，第二布線圖案32a的連接部分B和半導(dǎo)體芯片20的Au凸起21可通過(guò)低成本的Au-Au接合而接合。
通常，在半導(dǎo)體芯片20的Au凸起21倒裝安裝在由Cu膜制成的第二布線圖案32a上的情況下，由于Au-Cu接合可靠性低，容易發(fā)生接合故障。然而，在本實(shí)施例中通過(guò)采用Au-Au接合，可降低與接合有關(guān)的電阻，并且提高接合的可靠性。
如上所述，對(duì)于半導(dǎo)體芯片20的Au凸起21和第二布線圖案32a通過(guò)Au-Au接合而接合的情形，通過(guò)形成在封裝區(qū)域A中具有開口部分39的第一絕緣膜36a而消除因半導(dǎo)體芯片20的厚度而產(chǎn)生的臺(tái)階是非常方便的，因?yàn)樵诘诙季€圖案32a的連接部分B上有選擇性地形成Au膜37。
順便提一下，其表面未形成Au膜的Cu布線用作第二布線圖案32a，并且，具有焊料凸起的半導(dǎo)體芯片20可倒裝接合到第二布線圖案32a的Cu布線上?？商鎿Q地，如前所述，具有焊料凸起的半導(dǎo)體芯片20可倒裝接合到其表面上形成有Au膜37的第二布線圖案32a。當(dāng)然，可采用其它各種倒裝安裝。
對(duì)于前述在第一絕緣膜36a的開口部分39中安裝半導(dǎo)體芯片20的結(jié)構(gòu)，舉一個(gè)獲得此結(jié)構(gòu)的方法的修改實(shí)例，其中，在半導(dǎo)體芯片20倒裝安裝到封裝區(qū)域A中的第二布線圖案32a上之后，附加樹脂膜，此樹脂膜在與封裝區(qū)域A相應(yīng)的區(qū)域中具有開口部分。在此情況下，樹脂膜的開口部分事先用沖模切割而形成。
其次，如圖1E所示，從半導(dǎo)體芯片20和第一絕緣膜36a的開口部分39之間的間隙注入樹脂材料，由此用樹脂材料填充半導(dǎo)體芯片20和布線基底2之間的間隙以及半導(dǎo)體芯片20和第一絕緣膜36a的開口部分39的側(cè)面之間的間隙。然后，樹脂材料通過(guò)熱處理而固化，變?yōu)榈讓犹畛錁渲?6c(填充絕緣膜)。因而，半導(dǎo)體芯片20的背部、底層填充樹脂36c的上表面和第一絕緣膜36a的上表面為幾乎相同的高度，以平面化。
應(yīng)指出，底層填充樹脂36c按如下形成在半導(dǎo)體芯片20倒裝安裝之前，在包括封裝區(qū)域A的預(yù)定區(qū)域中預(yù)先涂敷絕緣樹脂(NCF或NCP)；以此樹脂介于中間的狀態(tài)執(zhí)行倒裝接合；接著，此樹脂通過(guò)熱處理而固化，變?yōu)榈讓犹畛錁渲?6c。
而且，底層填充樹脂36c至少填充半導(dǎo)體芯片20下表面和布線基底2之間的間隙就足夠。這是因?yàn)榧词乖诎雽?dǎo)體芯片20的側(cè)面和第一絕緣膜36a的開口部分39的側(cè)面之間的間隙中保留凹入部分，這些凹入部分也被在下一步驟中形成的第二絕緣膜填充，以平面化。
接著，如圖1F所示，形成5-20μm厚的第二絕緣膜36b，此膜覆蓋半導(dǎo)體芯片20。對(duì)于第二絕緣膜36b，使用環(huán)氧類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、聚苯醚類樹脂、等等。而且，對(duì)于形成第二絕緣膜36b的方法，采用層壓樹脂膜的方法、或通過(guò)自旋涂敷或印刷形成樹脂膜并接著在130-200℃溫度下熱處理而固化該樹脂膜的方法。
此時(shí)，在消除因半導(dǎo)體芯片20厚度而產(chǎn)生的臺(tái)階的底層結(jié)構(gòu)上形成第二絕緣膜36b。相應(yīng)地，以其上表面平面化的狀態(tài)形成第二絕緣膜36b，而不受半導(dǎo)體芯片20厚度的影響。
因而，獲得處于平面化狀態(tài)的第二層間絕緣膜36，此膜由第一絕緣膜36a、底層填充樹脂36c和第二絕緣膜36b組成。以此方式，形成半導(dǎo)體芯片20以埋藏于第二層間絕緣膜36中的狀態(tài)而倒裝安裝到第二布線圖案32a上的結(jié)構(gòu)。
接著，如圖1G所示，用YAG或CO2激光或RIE蝕刻在第二布線圖案32a上的第二層間絕緣膜36的預(yù)定部分，由此形成其深度直抵第二布線圖案32a的第二通孔36x。
其次，如圖1H所示，通過(guò)無(wú)電鍍或?yàn)R射在第二通孔36x的內(nèi)表面上和在第二層間絕緣膜36上形成籽晶Cu膜32x。然后，如圖1I所示，用光刻方法在籽晶Cu膜32x上形成具有開口部分33a的抗蝕膜33，開口部分33a與后面形成的第三布線圖案相對(duì)應(yīng)。此時(shí)，由于第二層間絕緣膜36全部以平面化的狀態(tài)形成，因此，在光刻方法中不會(huì)發(fā)生散焦。從而，抗蝕膜33的所需圖案被高精度地穩(wěn)定形成。
然后，如圖1J所示，使用抗蝕膜33作為掩模，通過(guò)以籽晶Cu膜32x作為電鍍電源層的電鍍而在第二通孔36x和抗蝕膜33的開口部分33a中形成Cu膜圖案32y。
接著，在除去抗蝕膜33之后，用Cu膜圖案32y作為掩模而蝕刻籽晶Cu膜32x。
因而，如圖1K所示，在第二層間絕緣膜36上形成包括籽晶Cu膜32x和Cu膜圖案32y的第三布線圖案32b(上布線圖案)。這些第三布線圖案32b通過(guò)第二通孔36x連接到第二布線圖案32a。
第三布線圖案32b在用高精度形成的抗蝕膜33的圖案劃分界線的條件下形成。從而，可穩(wěn)定地獲得所要求的第三布線圖案32b。
除了上述半添加工藝之外，第二和第三布線圖案32a和32b還可通過(guò)消去工藝或全添加工藝形成。
順便提一下，通過(guò)將從步驟(圖1B)到步驟(圖1K)的工藝重復(fù)預(yù)定次數(shù)，可形成多個(gè)半導(dǎo)體芯片20以埋藏于各個(gè)層間絕緣膜內(nèi)的狀態(tài)進(jìn)行多層疊加而相互連接的模式，其中，在步驟(圖1B)中，形成在布線基底2的封裝區(qū)域A中具有開口部分39的第一絕緣膜36a，而在步驟(圖1K)中形成第三布線圖案32b。在此情況下，每個(gè)層間絕緣膜同樣以平面化狀態(tài)形成。相應(yīng)地，其中具有半導(dǎo)體芯片的層間絕緣膜和布線圖案能以層疊方式形成，而不產(chǎn)生任何問(wèn)題。
進(jìn)一步地，也可采用以下模式半導(dǎo)體芯片20相似地埋藏在多個(gè)層間絕緣膜之中的任意層間絕緣膜中。進(jìn)而，還可采用以下模式半導(dǎo)體芯片20也以相似地埋藏于層間絕緣膜中的狀態(tài)而層疊在基底30的背部上。
在圖1K中，繪出第三布線圖案32b中的連接部分B的片段，在后面，上半導(dǎo)體芯片的凸起連接到這些片段。
其次，如圖1L所示，形成具有開口部分38a的阻焊膜38，開口部分38a用于一次全部地暴露第三布線圖案32b的連接部分B。換句話說(shuō)，阻焊膜38形成得圍繞一個(gè)封裝區(qū)域，后面在此區(qū)域中安裝上半導(dǎo)體芯片。
在本實(shí)施例中，作為第三布線圖案32b的連接部分B，示出間距為約150μm(如，線路100μm，間隔50μm)或更小的細(xì)微部分。相應(yīng)地，如果形成具有開口部分的連續(xù)阻焊膜，所述開口部分用于暴露第三布線圖案32b的連接部分B的各個(gè)主要部分，就有以下情形由于形成工藝中的偏移，阻焊膜的開口部分以從連接部分B的主要部分偏移的狀態(tài)而形成。如果阻焊膜的開口部分以從連接部分B的主要部分偏移的狀態(tài)設(shè)置，就減小了上半導(dǎo)體芯片的凸起與連接部分B之間的接合面積。從而，由于凸起接合強(qiáng)度的降低而容易發(fā)生接合故障等。
然而，在本實(shí)施例中，在放置第三布線圖案32b的連接部分B的封裝區(qū)域中，沒(méi)有形成阻焊膜38的圖案，而在封裝區(qū)域中一次全部地設(shè)置開口部分38a。因而，在第三布線圖案32b的連接部分B中，不會(huì)發(fā)生倒裝接合的接合面積變小的問(wèn)題。
其次，如圖1M所示，使用阻焊膜38作為掩模，通過(guò)無(wú)電鍍，在暴露于開口部分38a中的第三布線圖案32b上有選擇性地相繼形成鎳(Ni)膜40和Au膜42。應(yīng)指出，在不需要阻擋膜的情況下可省略Ni膜40。
然后，如圖1N所示，制備具有凸起21的上半導(dǎo)體芯片20x(上電子部件)，并且，上半導(dǎo)體芯片20x的凸起21倒裝接合到第三布線圖案32b的連接部分B的Au膜42上。對(duì)于上半導(dǎo)體芯片20x的凸起21，使用Au凸起或焊料凸起。在使用Au凸起的情況下，用超聲波執(zhí)行Au-Au接合。同時(shí)，在使用焊料凸起的情況下，通過(guò)回流加熱而執(zhí)行接合。
此時(shí)，在放置第三布線圖案32b的連接部分B的封裝區(qū)域中，阻焊膜38不存在。相應(yīng)地，上半導(dǎo)體芯片20x的凸起21以能獲得必需接合面積的狀態(tài)而高可靠性地接合到第三布線圖案32b的連接部分B上。
另外，由于第二層間絕緣膜36全部以平面化的狀態(tài)形成，因此，第三布線圖案32b的各個(gè)連接部分B在幾乎相同的高度放置。從而，防止在上半導(dǎo)體芯片20x和第三布線圖案32b的連接部分B之間發(fā)生接合故障。
應(yīng)指出，可采用以下方式通過(guò)在第三布線圖案32b的連接部分B上安裝焊接球而在連接部分B上形成凸起，并且，上半導(dǎo)體芯片20x的連接端子接合到這些凸起上。
以此方式，即使第三布線圖案32b的連接部分B具有約150μm或更小的細(xì)微間距，上半導(dǎo)體芯片20x的凸起21也能高可靠性地倒裝接合到第三布線圖案32b的連接部分B上。
此時(shí)，優(yōu)選根據(jù)上半導(dǎo)體芯片20x的尺寸而適當(dāng)調(diào)節(jié)阻焊膜38的開口部分38a的尺寸，從而，從上半導(dǎo)體芯片20x外圍部分到阻焊膜38的開口部分38a的側(cè)面的尺寸可為0.5-2mm(優(yōu)選約1mm)。
隨后，又如圖1N所示，用底層填充樹脂35填充上半導(dǎo)體芯片20x的元件形成表面(下表面)和第三布線圖案32b之間的間隙以及上半導(dǎo)體芯片20x的元件形成表面和第二層間絕緣膜36之間的間隙。底層填充樹脂35填充在上半導(dǎo)體芯片20x下表面之下的間隙中，并且在被阻焊膜38的開口部分38a的側(cè)面阻擋的狀態(tài)下形成。
順便提一下，當(dāng)?shù)寡b接合具有微小間距的凸起21的上半導(dǎo)體芯片20x時(shí)，在放置第三布線圖案32b的各個(gè)連接部分B的封裝區(qū)域中不形成阻焊膜38的上述模式是一個(gè)優(yōu)選實(shí)例。從而，可采用以下模式在封裝區(qū)域中連續(xù)地形成具有開口部分的阻焊膜38，所述開口部分用于第三布線圖案32b的各個(gè)連接部分B的主要部分。
以此方式，完成第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1(電子部件封裝構(gòu)件)。
在本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1中，形成在布線基底2的封裝區(qū)域A中具有開口部分39的第一絕緣膜36a。而且，在第一絕緣膜36a的開口部分39中，在第二布線圖案32a的連接部分B上倒裝安裝半導(dǎo)體芯片20。進(jìn)而，用底層填充樹脂36c以整體化狀態(tài)填充半導(dǎo)體芯片20下表面之下的間隙和與其側(cè)面相鄰的間隙。
因而，半導(dǎo)體芯片20的背部(上表面)、第一絕緣膜36a的上表面和底層填充樹脂36c的上表面被調(diào)節(jié)為幾乎相同的高度，并且通過(guò)消除因半導(dǎo)體芯片20厚度所產(chǎn)生的臺(tái)階而平面化。進(jìn)一步地，在第二絕緣膜的上表面被平面化的狀態(tài)下形成用于覆蓋半導(dǎo)體芯片20的第二絕緣膜。
而且，半導(dǎo)體芯片20以埋藏于平面第二層間絕緣膜36內(nèi)的狀態(tài)倒裝安裝在第二布線圖案32a的連接部分B上，其中，第二層間絕緣膜36由第一絕緣膜36a、第二絕緣膜36b和底層填充樹脂36c組成。
進(jìn)一步地，在第二布線圖案32a上的第二層間絕緣膜36的預(yù)定部分中形成第二通孔36x，并且，在第二層間絕緣膜36上形成通過(guò)第二通孔36x連接到第二布線圖案32a的第三布線圖案32b。
在第二層間絕緣膜36上，形成具有開口部分38a的阻焊膜38，開口部分38a一次全部地敞開其中放置第三布線圖案32b的連接部分B的封裝區(qū)域。上半導(dǎo)體芯片20x的凸起21倒裝接合到第三布線圖案32b的連接部分B上。進(jìn)而，用底層填充樹脂35填充上半導(dǎo)體芯片20x下表面之下的間隙。
如上所述，在本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1中，半導(dǎo)體芯片20倒裝安裝在第一絕緣膜36a的開口部分39中，第一絕緣膜36a部分地構(gòu)成第二層間絕緣膜。本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1具有用第一絕緣膜36a消除因半導(dǎo)體芯片20厚度而產(chǎn)生的臺(tái)階的結(jié)構(gòu)。
因而，由于用于覆蓋半導(dǎo)體芯片20的第二絕緣膜36b以第二絕緣膜36b上表面是平面的狀態(tài)形成，因此，在第二絕緣膜36b上高精度地穩(wěn)定形成第三布線圖案32b。而且，由于第三布線圖案32b的連接部分B設(shè)置為幾乎相同的高度，因此，上半導(dǎo)體芯片20x的凸起21與第三布線圖案32b的連接部分B之間的接合可靠性得以提高。
從而，容易制造多個(gè)半導(dǎo)體芯片20以埋藏于各個(gè)層間絕緣膜中的狀態(tài)進(jìn)行三維層疊而相互連接的封裝構(gòu)件，而不會(huì)產(chǎn)生任何問(wèn)題。
(第二實(shí)施例)圖2A-2F為順序示出本發(fā)明第二實(shí)施例的電子部件封裝構(gòu)件的制造方法的剖面圖。第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于使用在其背部上設(shè)置保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片；以及，不形成用于覆蓋半導(dǎo)體芯片的絕緣膜。在第二實(shí)施例中，與第一實(shí)施例相似的步驟不再詳細(xì)描述。
在制造第二實(shí)施例的電子部件封裝構(gòu)件的方法中，如圖2A所示，首先，制備與第一實(shí)施例的圖1C中相似的布線基底2。隨后，制備在元件形成表面上具有凸起21并在其背部設(shè)置有絕緣保護(hù)膜44的半導(dǎo)體芯片20a(電子部件)。與第一實(shí)施例相似，半導(dǎo)體芯片20a是薄至厚度為約150μm(優(yōu)選大約50μm)或更小的芯片。
對(duì)于保護(hù)膜44的材料，使用環(huán)氧類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、聚苯醚類樹脂、丙烯酸類樹脂、等等。而且，對(duì)于形成保護(hù)膜44的方法，采用層壓樹脂膜的方法、通過(guò)自旋涂敷形成樹脂膜的方法、或浸涂方法等等。在提高半導(dǎo)體芯片20a和保護(hù)膜44之間粘性的情況下，保護(hù)膜44可在半導(dǎo)體芯片20a背部上涂敷硅烷接合劑之后形成。
隨后，又如圖2A所示，通過(guò)與第一實(shí)施例中相似的方法，半導(dǎo)體芯片20a的凸起21倒裝接合到暴露于第一絕緣膜36a的開口部分39(封裝區(qū)域A)中的第二布線圖案32a的Au膜37上。
接著，如圖2B所示，與第一實(shí)施例相似，用底層填充樹脂36c(填充樹脂膜)填充半導(dǎo)體芯片20a下表面之下的間隙和與其側(cè)面相鄰的間隙。因而，絕緣膜36a的上表面、半導(dǎo)體芯片20a的保護(hù)膜44的上表面和底層填充樹脂36c的上表面為幾乎相同的高度，以平面化。
在第二實(shí)施例中，由于使用在其背部上具有保護(hù)膜44的半導(dǎo)體芯片20a，因此，與第一實(shí)施例不同，不需在半導(dǎo)體芯片20a上形成第二絕緣膜。相應(yīng)地，在本實(shí)施例中，其中埋藏半導(dǎo)體芯片20a的第二層間絕緣膜36由絕緣膜36a、保護(hù)膜44和底層填充樹脂36c組成。
其次，如圖2C所示，用激光或RIE蝕刻在第二布線圖案32a上的第二層間絕緣膜36的預(yù)定部分，由此形成其深度直抵第二布線圖案32a的第二通孔36x。
隨后，如圖2D所示，通過(guò)與第一實(shí)施例相似的方法，在第二層間絕緣膜36上形成通過(guò)第二通孔36x連接到第二布線圖案32a的第三布線圖案32b(上布線圖案)。
接著，如圖2E所示，與第一實(shí)施例相似，在圖2D的結(jié)構(gòu)上形成具有開口部分38a的阻焊膜38，開口部分38a用于一次全部地暴露第三布線圖案32b的各個(gè)連接部分B。進(jìn)而，通過(guò)無(wú)電鍍，在第三布線圖案32b的連接部分B上相繼形成Ni膜40和Au膜42。
然后，如圖2F所示，通過(guò)與第一實(shí)施例相似的方法，上半導(dǎo)體芯片20x(上電子部件)的凸起21倒裝接合到第三布線圖案32b的連接部分B的Au膜42上。隨后，與第一實(shí)施例相似，用底層填充樹脂35填充半導(dǎo)體芯片20x下面的間隙。
以此方式，獲得第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1a(電子部件封裝構(gòu)件)。
在第二實(shí)施例中，發(fā)揮與第一實(shí)施例中相似的效果。除此之外，由于使用使用在其背部上具有保護(hù)膜44的半導(dǎo)體芯片20a，因此，與在第一實(shí)施例中形成用于覆蓋半導(dǎo)體芯片的第二絕緣膜的方法相比，本實(shí)施例的制造方法得到簡(jiǎn)化，并且制造成本下降。而且，通過(guò)使用在其背部上具有保護(hù)膜44的半導(dǎo)體芯片20a，半導(dǎo)體器件可制造得比第一實(shí)施例更薄。
(第三實(shí)施例)圖3A-3E為順序示出本發(fā)明第三實(shí)施例的電子部件封裝構(gòu)件的制造方法的剖面圖。第三實(shí)施例與第一和第二實(shí)施例的不同之處在于在半導(dǎo)體芯片倒裝安裝之后，在其中形成貫穿半導(dǎo)體芯片的通孔，因而實(shí)現(xiàn)互連。在第三實(shí)施例中，與第一實(shí)施例相似的步驟不再詳細(xì)描述。
在制造第三實(shí)施例的電子部件封裝構(gòu)件的方法中，如圖3A所示，首先，制備與第一實(shí)施例的圖1C中相似的布線基底2。隨后，制備半導(dǎo)體芯片20b，半導(dǎo)體芯片20b在其元件形成表面上具有連接墊23和與其相連的凸起21，并且在其背部上具有與第二實(shí)施例中相似的保護(hù)膜44。盡管未清楚示出，但通過(guò)重新布設(shè)Cu線把電極墊(未示出)重新布置為區(qū)域陣列型布置而獲得半導(dǎo)體芯片20b的連接墊23，在外圍型布置中，電極墊布置在半導(dǎo)體芯片20b的外圍部分上。
接著，通過(guò)與第一實(shí)施例中相似的方法，半導(dǎo)體芯片20b的凸起21倒裝接合到第二布線圖案32a的連接部分B的Au膜37上。相連接的連接墊23和凸起21是連接端子的實(shí)例。
隨后，如圖3B所示，通過(guò)與第一實(shí)施例中相似的方法，用底層填充樹脂36c(填充絕緣膜)填充半導(dǎo)體芯片20b下表面之下的間隙和與其側(cè)面相鄰的間隙。因而，與第二實(shí)施例相似，獲得平面化的第二層間絕緣膜36，此膜由絕緣膜36a、保護(hù)膜44和底層填充樹脂36c組成。
接著，如圖3C所示，在連接墊23的除接合凸起21之外的區(qū)域上，用激光或RIE在半導(dǎo)體芯片20b和保護(hù)膜44的預(yù)定部分中形成其深度直抵連接墊23的第二通孔19。
在連接墊23的除接合凸起21之外的區(qū)域上形成第二通孔19的理由是如果在接合凸起21的區(qū)域之上形成第二通孔19，激光或RIE就會(huì)在連接墊23和凸起21之間的接合處造成損壞，降低接合可靠性。
其次，如圖3D所示，通過(guò)已在第一實(shí)施例中描述的半添加工藝等，在保護(hù)膜44和絕緣膜36a上形成第三布線圖案32b(上布線圖案)，第三布線圖案32b通過(guò)在半導(dǎo)體芯片20b中形成的第二通孔19而連接到連接墊23。
隨后，與第一實(shí)施例相似，形成具有開口部分38a的阻焊膜38，開口部分38a用于一次全部地暴露第三布線圖案32b的連接部分B。
接著，如圖3E所示，通過(guò)與第一實(shí)施例中相似的方法，在暴露于阻焊膜38的開口部分38a中的第三布線圖案32b的各個(gè)連接部分B上相繼形成Ni膜40和Au膜42。進(jìn)而，在具有凸起21的上半導(dǎo)體芯片20x(上電子部件)的凸起21倒裝接合到第三布線圖案32b的連接部分B的Au膜42上之后，用底層填充樹脂35填充半導(dǎo)體芯片20x下表面之下的間隙。
以此方式，完成第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1b(電子部件封裝構(gòu)件)。
下面，描述第三實(shí)施例的修改例的電子部件封裝構(gòu)件。圖4為示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的修改例的電子部件封裝構(gòu)件的截面圖。
如圖4所示，在第三實(shí)施例修改例的半導(dǎo)體器件1c中，使用在其背部上沒(méi)有保護(hù)膜44的半導(dǎo)體芯片20b。而且，在半導(dǎo)體芯片20b倒裝接合到第二布線圖案32a并用底層填充樹脂36c填充之后，與第一實(shí)施例相似地，在半導(dǎo)體芯片20b上形成第二絕緣膜36b。
進(jìn)一步地，在本修改例中，在形成第二通孔19的步驟中，用激光或RIE蝕刻用于覆蓋半導(dǎo)體芯片20b的第二絕緣膜36b以及半導(dǎo)體芯片20b。進(jìn)而，在第二絕緣膜36b上形成第三布線圖案32b。其它組件與圖3E中的相同，因此不再進(jìn)一步描述。
第三實(shí)施例具有與第一實(shí)施例相似的效果。除此之外，由于通過(guò)在半導(dǎo)體芯片20b中形成的第二通孔19實(shí)現(xiàn)互連，因此，可縮短連接長(zhǎng)度。從而，它可適應(yīng)高頻應(yīng)用的半導(dǎo)體器件中信號(hào)速度的提高。
(第四實(shí)施例)圖5A-5G為順序示出本發(fā)明第四實(shí)施例的電子部件封裝構(gòu)件的制造方法的剖面圖。第四實(shí)施例與第一至第三實(shí)施例的不同之處在于半導(dǎo)體芯片面朝上地安裝。在第四實(shí)施例中，與第一實(shí)施例中相似的步驟不再詳細(xì)描述。
在制造第四實(shí)施例的電子部件封裝構(gòu)件的方法中，如圖5A所示，首先，制備與第一實(shí)施例的圖1C中相似的布線基底2。隨后，通過(guò)與第一實(shí)施例中相似的方法，在布線基底2上形成在封裝區(qū)域A中具有開口部分39的第一絕緣膜36a。
在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片面朝上地安裝在封裝區(qū)域A(開口部分39)中。從而，與第一至第三實(shí)施例不同，不必在封裝區(qū)域A內(nèi)的第二布線圖案32a的部分中形成Au膜。除此之外，暴露于第一絕緣膜36a的開口部分39中的布線基底2的封裝區(qū)域A可以是如圖5A所示的第二布線圖案32a一部分、第一層間絕緣膜34一部分、其中第二布線圖案32a和第一層間絕緣膜34共存的一部分中的任意一個(gè)。
接著，制備如圖5B所示的半導(dǎo)體芯片20c(電子部件)。在半導(dǎo)體芯片20c中，在其元件形成表面上設(shè)置連接墊23(連接端子)，并且用鈍化膜25覆蓋該表面上的其它部分。隨后，半導(dǎo)體芯片20c以其連接墊23朝上(面向上)的狀態(tài)固定在暴露于第一絕緣膜36a的開口部分39中的第二布線圖案32a上，并且在它們之間插入粘附層46。
此時(shí)，半導(dǎo)體芯片20c的元件形成表面和第一絕緣膜36a的上表面為幾乎相同的高度，因而，消除因半導(dǎo)體芯片20c厚度而產(chǎn)生的臺(tái)階。
然后，如圖5C所示，在半導(dǎo)體芯片20c和第一絕緣膜36a上形成第二絕緣膜36b。第二絕緣膜36b用與第一實(shí)施例相似的材料和方法形成。
第二絕緣膜36b以其上表面被平面化的狀態(tài)而形成，它不受因半導(dǎo)體芯片20c厚度而產(chǎn)生的臺(tái)階的影響。此時(shí)，用第二絕緣膜36b填充半導(dǎo)體芯片20c的側(cè)面和第一絕緣膜36a的開口部分39的側(cè)面之間的間隙，以平面化。
因而，獲得由第一和第二絕緣膜36a和36b組成的第二層間絕緣膜36，并且形成半導(dǎo)體芯片20c埋藏于平面第二層間絕緣膜36中并且面朝上安裝的結(jié)構(gòu)。
接著，如圖5D所示，用激光或RIE蝕刻在半導(dǎo)體芯片20c的連接墊23上的第二層間絕緣膜36的預(yù)定部分，由此形成其深度直抵連接墊23的第二通孔36x。此時(shí)，同時(shí)蝕刻在第二布線圖案32a上的第二層間絕緣膜36的預(yù)定部分，由此同時(shí)形成其深度直抵第二布線圖案32a的第二通孔36x。
隨后，如圖5E所示，通過(guò)在第一實(shí)施例中描述的半添加工藝，在第二層間絕緣膜36上形成第三布線圖案32b(上布線圖案)，第三布線圖案32b通過(guò)第二通孔36x而分別連接到半導(dǎo)體芯片20c的連接墊23和第二布線圖案32a。
順便提一下，從步驟(圖5B)到步驟(圖5E)的工藝可重復(fù)預(yù)定次數(shù)，在步驟(圖5B)中，在第一絕緣膜36a的開口部分39中面朝上地安裝半導(dǎo)體芯片20c，在步驟(圖5E)中形成第三布線圖案32b。在此情況下，容易獲得以下封裝構(gòu)件而不產(chǎn)生任何問(wèn)題，在此封裝構(gòu)件中，多個(gè)半導(dǎo)體芯片20c面朝上地埋藏在各個(gè)層間絕緣膜中并通過(guò)通孔而互連。
接著，如圖5F所示，與第一實(shí)施例相似，形成具有開口部分38a的阻焊膜38，開口部分38a用于一次全部地暴露第三布線圖案32b的各個(gè)連接部分B。接著，在暴露于阻焊膜38的開口部分38a中的第三布線圖案32b上相繼形成Ni膜40和Au膜42。
隨后，如圖5G所示，制備具有凸起21的上半導(dǎo)體芯片20x(上電子部件)，并且，上半導(dǎo)體芯片20x的凸起21倒裝接合到第三布線圖案32b的連接部分B的Au膜42上。隨后，與第一實(shí)施例相似，用底層填充樹脂35填充半導(dǎo)體芯片20x下表面之下的間隙。
以此方式，完成第四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1d(電子部件封裝構(gòu)件)。
在第四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1d中，在布線基底2上形成在封裝區(qū)域A中具有開口部分39的第一絕緣膜36a。而且，半導(dǎo)體芯片20c以其連接墊23向上(面朝上)的狀態(tài)安裝在第一絕緣膜36a的開口部分39中。因而，用第一絕緣膜36a消除因半導(dǎo)體芯片20c厚度而產(chǎn)生的臺(tái)階。
進(jìn)而，以第二絕緣膜36b的上表面被平面化的狀態(tài)形成用于覆蓋半導(dǎo)體芯片20c的第二絕緣膜36b，并且，第二層間絕緣膜36由第一和第二絕緣膜36a和36b組成。因而，半導(dǎo)體芯片20c以埋藏于平面第二層間絕緣膜36中的狀態(tài)面朝上地安裝。
另外，分別在半導(dǎo)體芯片20c的連接墊23和第二布線圖案32a上的第二層間絕緣膜36中形成第二通孔36x。進(jìn)一步地，在第二層間絕緣膜36上形成通過(guò)第二通孔36x連接到連接墊23和第二布線圖案32a的第三布線圖案32b。進(jìn)而，上半導(dǎo)體芯片20x的凸起21倒裝接合到第三布線圖案32b的連接部分B上。
下面，描述第四實(shí)施例的修改例的電子部件封裝構(gòu)件。圖6為示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的修改例的電子部件封裝構(gòu)件的截面圖。如圖6所示，在第四實(shí)施例的修改例的半導(dǎo)體器件1e中，在半導(dǎo)體芯片20c上未形成第二絕緣膜36b。在此模式的情況下，其絕緣電阻具有高可靠性并且在連接墊23上具有開口部分25a的一種絕緣膜用作半導(dǎo)體芯片20c的鈍化膜25。
對(duì)于此鈍化膜25，不特別限制它的材料和厚度。然而，例如，鈍化膜25由厚約0.5μm的氮化硅膜和厚約3μm或更厚的聚酰亞胺樹脂膜組成。進(jìn)一步地，具有開口部分的樹脂膜可附加到半導(dǎo)體芯片20c上而變?yōu)殁g化膜25，所述開口部分用于暴露連接墊23。
隨后，用底層填充樹脂36c填充半導(dǎo)體芯片20c的側(cè)面和第一絕緣膜36a的開口部分39的側(cè)面之間的間隙，以完全實(shí)現(xiàn)平面化。接著，蝕刻第二布線圖案32a上的第一絕緣膜36a，由此形成第二通孔36x。
然后，在第一絕緣膜36a和鈍化膜25上形成第三布線圖案32b，第三布線圖案32b通過(guò)第二通孔36x連接到第二布線圖案32a，并通過(guò)鈍化膜25的開口部分25a連接到連接墊23。通過(guò)采用上述修改例，可省略用于覆蓋半導(dǎo)體芯片20c的第二絕緣膜36b。其它組件與圖5G中的相同，因此不再進(jìn)一步描述。
在第四實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片20c面朝上地安裝在第一絕緣膜36a的開口部分39中。相應(yīng)地，與第一至第三實(shí)施例中半導(dǎo)體芯片面朝下地倒裝安裝的情況相似，容易用第一絕緣膜36a消除因半導(dǎo)體芯片20c厚度而產(chǎn)生的臺(tái)階。從而，第四實(shí)施例具有與第一實(shí)施例相似的效果。
權(quán)利要求
1.一種電子部件封裝構(gòu)件，包括具有布線圖案的布線基底；在布線基底上形成的第一絕緣膜，第一絕緣膜在安裝電子部件的封裝區(qū)域中具有開口部分；電子部件，其有一個(gè)連接端子倒裝安裝到暴露于第一絕緣膜開口部分中的布線圖案上；用于覆蓋電子部件的第二絕緣膜；在布線圖案上的第一和第二絕緣膜的預(yù)定部分中形成的通孔；以及在第二絕緣膜上形成的上布線圖案，上布線圖案通過(guò)通孔連接到上述布線圖案。
2.一種電子部件封裝構(gòu)件，包括具有布線圖案的布線基底；在布線基底上形成的絕緣膜，該絕緣膜在安裝電子部件的封裝區(qū)域中具有開口部分；電子部件，它在其元件形成表面上具有連接端子并在其背部上具有保護(hù)膜，電子部件的連接端子倒裝安裝到暴露于所述絕緣膜開口部分中的布線圖案上；在布線圖案上的絕緣膜預(yù)定部分中形成的通孔；以及在絕緣膜和保護(hù)膜上形成的上布線圖案，上布線圖案通過(guò)通孔連接到上述布線圖案。
3.一種電子部件封裝構(gòu)件，包括具有布線圖案的布線基底；在布線基底上形成的絕緣膜，該絕緣膜在安裝電子部件的封裝區(qū)域中具有開口部分；電子部件，它在其元件形成表面上具有連接端子并在其背部上具有保護(hù)膜，所述電子部件的連接端子倒裝安裝到暴露于所述絕緣膜開口部分中的布線圖案上；貫穿所述連接端子上的電子部件和保護(hù)膜的預(yù)定部分的通孔；以及在絕緣膜和保護(hù)膜上形成的上布線圖案，上布線圖案通過(guò)電子部件的通孔而連接到所述連接端子。
4.一種電子部件封裝構(gòu)件，包括具有布線圖案的布線基底；在布線基底上形成的第一絕緣膜，第一絕緣膜在安裝電子部件的封裝區(qū)域中具有開口部分；電子部件，其有一個(gè)連接端子倒裝安裝到暴露于第一絕緣膜開口部分中的布線圖案上；用于覆蓋電子部件的第二絕緣膜；貫穿所述連接端子上的電子部件和第二絕緣膜的預(yù)定部分的通孔；以及在第二絕緣膜上形成的上布線圖案，上布線圖案通過(guò)電子部件的通孔連接到所述連接端子。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的電子部件封裝構(gòu)件，其中，電子部件的連接端子由金制成，在絕緣膜的開口部分中的布線圖案表面上形成金膜，并且，電子部件的連接端子通過(guò)金-金接合而倒裝安裝到布線圖案上。
6.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的電子部件封裝構(gòu)件，其中，電子部件倒裝安裝在絕緣膜開口部分中的結(jié)構(gòu)包括這樣的結(jié)構(gòu)在電子部件和布線基底之間的間隙以及電子部件和開口部分側(cè)面之間的間隙中，至少在電子部件和布線基底之間的間隙中形成填充絕緣膜。
7.一種電子部件封裝構(gòu)件，包括具有布線圖案的布線基底；在布線基底上形成的第一絕緣膜，第一絕緣膜在安裝電子部件的封裝區(qū)域中具有開口部分；電子部件，該部件以連接端子朝上的狀態(tài)安裝在第一絕緣膜的開口部分的封裝區(qū)域中；用于覆蓋電子部件的第二絕緣膜；分別在連接端子和布線圖案上的絕緣膜預(yù)定部分中形成的通孔；以及在第二絕緣膜上形成的上布線圖案，上布線圖案通過(guò)通孔而分別連接到所述連接端子和上述布線圖案。
8.一種電子部件封裝構(gòu)件，包括具有布線圖案的布線基底；在布線基底上形成的絕緣膜，該絕緣膜在安裝電子部件的封裝區(qū)域中具有開口部分；電子部件，該部件在其元件形成表面上具有連接端子和鈍化膜，并以連接端子朝上的狀態(tài)安裝在絕緣膜的開口部分中的封裝區(qū)域中，所述鈍化膜具有用于暴露所述連接端子的開口部分；在布線圖案上的絕緣膜預(yù)定部分中形成的通孔；以及在絕緣膜和鈍化膜上形成的上布線圖案，上布線圖案通過(guò)通孔連接到布線圖案，并通過(guò)開口部分連接到所述連接端子。
9.如權(quán)利要求1-4、7和8中任一項(xiàng)所述的電子部件封裝構(gòu)件，其中，電子部件的上表面和具有開口部分的絕緣膜的上表面被調(diào)節(jié)為處于幾乎相同的高度。
10.如權(quán)利要求1-4、7和8中任一項(xiàng)所述的電子部件封裝構(gòu)件，進(jìn)一步包括具有倒裝安裝到上布線圖案上的連接端子的上電子部件。
11.如權(quán)利要求10所述的電子部件封裝構(gòu)件，其中，在絕緣膜和上布線圖案上形成具有開口部分的阻焊膜，所述開口部分一次全部地敞開安裝上電子部件的封裝區(qū)域，并且，在上電子部件下表面之下的間隙中形成填充絕緣膜。
12.如權(quán)利要求1-4、7和8中任一項(xiàng)所述的電子部件封裝構(gòu)件，其中，電子部件是厚度為約150μm或更小的半導(dǎo)體芯片，并且絕緣膜由樹脂制成。
13.一種制造電子部件封裝構(gòu)件的方法，包括以下步驟制備具有布線圖案的布線基底；在布線基底上形成第一絕緣膜，第一絕緣膜在安裝電子部件的封裝區(qū)域中具有開口部分；將電子部件的連接端子倒裝安裝到暴露于第一絕緣膜開口部分中的布線圖案上；形成用于覆蓋電子部件的第二絕緣膜；在布線圖案上的第一和第二絕緣膜的預(yù)定部分中形成其深度直抵布線圖案的通孔；以及在第二絕緣膜上形成上布線圖案，上布線圖案通過(guò)通孔連接到上述布線圖案。
14.一種制造電子部件封裝構(gòu)件的方法，包括以下步驟制備具有布線圖案的布線基底；在布線基底上形成絕緣膜，該絕緣膜在安裝電子部件的封裝區(qū)域中具有開口部分；將電子部件的連接端子倒裝安裝到暴露于絕緣膜開口部分中的布線圖案上，電子部件在其元件形成表面上具有所述連接端子并在其背部上具有保護(hù)膜；在布線圖案上的絕緣膜預(yù)定部分中形成其深度直抵布線圖案的通孔；以及在絕緣膜和保護(hù)膜上形成上布線圖案，上布線圖案通過(guò)通孔連接到上述布線圖案。
15.一種制造電子部件封裝構(gòu)件的方法，包括以下步驟制備具有布線圖案的布線基底；在布線基底上形成絕緣膜，該絕緣膜在安裝電子部件的封裝區(qū)域中具有開口部分；將電子部件的連接端子倒裝安裝到暴露于絕緣膜開口部分中的布線圖案上，電子部件在其元件形成表面上具有所述連接端子并在其背部上具有保護(hù)膜；通過(guò)蝕刻所述連接端子上的電子部件和保護(hù)膜的預(yù)定部分而形成其深度直抵連接端子的通孔；以及在絕緣膜和保護(hù)膜上形成上布線圖案，上布線圖案通過(guò)通孔而連接到所述連接端子。
16.一種制造電子部件封裝構(gòu)件的方法，包括以下步驟制備具有布線圖案的布線基底；在布線基底上形成第一絕緣膜，第一絕緣膜在安裝電子部件的封裝區(qū)域中具有開口部分；將電子部件的連接端子倒裝安裝到暴露于第一絕緣膜開口部分中的布線圖案上；形成用于覆蓋電子部件的第二絕緣膜；通過(guò)蝕刻所述連接端子上的電子部件和第二絕緣膜的預(yù)定部分而形成其深度直抵連接端子的通孔；以及在第二絕緣膜上形成上布線圖案，上布線圖案通過(guò)通孔連接到所述連接端子。
17.如權(quán)利要求13-16中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在形成具有開口部分的絕緣膜的步驟之后，并在倒裝安裝電子部件的步驟之前，進(jìn)一步包括以下步驟使用絕緣膜作為掩模，通過(guò)無(wú)電鍍?cè)诒┞队诮^緣膜開口部分中的布線圖案上有選擇地形成金膜，其中，在倒裝安裝電子部件的步驟中，由金制成的電子部件的連接端子倒裝安裝到布線圖案的金膜上。
18.如權(quán)利要求13-16中任一項(xiàng)所述的方法，其中，倒裝安裝電子部件的步驟包括在電子部件和布線圖案之間形成填充絕緣膜。
19.一種制造電子部件封裝構(gòu)件的方法，包括以下步驟制備具有布線圖案的布線基底；在布線基底上形成第一絕緣膜，第一絕緣膜在安裝電子部件的封裝區(qū)域中具有開口部分；將電子部件以其連接端子朝上的狀態(tài)安裝在布線基底上的第一絕緣膜的開口部分中；形成用于覆蓋電子部件的第二絕緣膜；分別在連接端子和布線圖案上的絕緣膜預(yù)定部分中形成通孔；以及在第二絕緣膜上形成上布線圖案，上布線圖案通過(guò)所述通孔而分別連接到所述連接端子和上述布線圖案。
20.一種制造電子部件封裝構(gòu)件的方法，包括以下步驟制備具有布線圖案的布線基底；在布線基底上形成絕緣膜，該絕緣膜在安裝電子部件的封裝區(qū)域中具有開口部分；將電子部件以連接端子朝上的狀態(tài)安裝在布線基底上的絕緣膜開口部分中，電子部件在其元件形成表面上具有連接端子和鈍化膜，鈍化膜具有用于暴露所述連接端子的開口部分；在布線圖案上的絕緣膜預(yù)定部分中形成其深度直抵布線圖案的通孔；以及在絕緣膜和鈍化膜上形成上布線圖案，上布線圖案通過(guò)通孔連接到布線圖案，并通過(guò)開口部分連接到所述連接端子。
21.如權(quán)利要求13-16、19和20中任一項(xiàng)所述的方法，其中，電子部件的上表面和具有開口部分的絕緣膜的上表面設(shè)定為處于幾乎相同的高度。
22.如權(quán)利要求13-16、19和20中任一項(xiàng)所述的方法，其中，電子部件是厚度為約150μm或更小的半導(dǎo)體芯片，并且絕緣膜是樹脂膜。
全文摘要
本發(fā)明的電子部件封裝構(gòu)件包括具有布線圖案的布線基底；在布線基底上形成的第一絕緣膜，該絕緣膜在安裝電子部件的封裝區(qū)域中具有開口部分；電子部件，它的連接端子倒裝安裝到暴露于第一絕緣膜開口部分中的布線圖案上；用于覆蓋電子部件的第二絕緣膜；在布線圖案上的第一和第二絕緣膜的預(yù)定部分中形成的通孔；以及在第二絕緣膜上形成的上布線圖案，上布線圖案通過(guò)通孔連接到所述布線圖案。
文檔編號(hào)H01L23/12GK1521847SQ200410004950
公開日2004年8月18日 申請(qǐng)日期2004年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月13日
發(fā)明者春原昌宏, 德, 村山啟, 小山利德, 貴, 小林和貴, 東光敏 申請(qǐng)人:新光電氣工業(yè)株式會(huì)社