專利名稱：安裝電子器件的薄膜型載帶及使用該載帶的最后缺陷標(biāo)記方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于在其上安裝電子器件的薄膜型載帶，其能夠根據(jù)對該薄膜型載帶(包括TAB(帶式自動(dòng)粘接)帶、T-BGA(帶式球柵陣列)帶、CSP(芯片尺寸封裝)帶、ASIC(專用集成電路)帶和COF(薄膜芯片)帶)進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)如目視檢查或電參數(shù)檢查所獲得的結(jié)果，準(zhǔn)確地設(shè)定高精度的缺陷顯示(標(biāo)記)，該薄膜型載帶具有設(shè)置其上的標(biāo)記。本發(fā)明還涉及該薄膜型載帶的缺陷標(biāo)記方法。
背景技術(shù)：
隨著電子工業(yè)的發(fā)展，對于安裝電子器件如IC(集成電路)或LSI(大規(guī)模集成電路)的印刷電路板的需求迅速增長，而且需要在尺寸和重量上有所降低，在電子設(shè)備的功能上有所提高。作為滿足這些要求的安裝電子器件的方法，近來采用了一種用薄膜型載帶如TAB帶、T-BGA帶和ASIC帶的安裝方法。特別是，在使用需要提高精密度、減小厚度和降低液晶屏的幀面積的液晶顯示器(LCD)的電子工業(yè)如在個(gè)人電腦等中，其重要性增大。
圖6示出了一般常規(guī)使用的TAB帶的結(jié)構(gòu)。TAB帶110分別在橫向的雙側(cè)端上具有多個(gè)沿縱向連續(xù)排列的用于傳送該帶的齒孔112和114，且在齒孔112和114之間幾乎中心的位置上形成用于連接某些器件如IC的器件孔116。另外形成器件孔116中的內(nèi)部引線118和外部引線120相互連接的布線圖122。
TAB帶通常按下述方法制造。銅箔被層壓到基體材料膜如聚酰亞胺膜上，該基體材料膜具有被涂覆到其表面上的粘合劑。然后，銅箔的表面以光致抗蝕劑覆蓋。對于光致抗蝕劑表面，要形成的銅布線圖之外的部分被暴露，且被暴露的光致抗蝕劑被除去。接著，通過蝕刻法除去在已除去光致抗蝕劑的部分中的銅箔，進(jìn)一步，光致抗蝕劑被除去而因此形成銅布線圖。換句話說，要形成的銅布線圖部分被曝光，且未曝光的光致抗蝕劑根據(jù)使用的光致抗蝕劑的類型被從抗蝕表面上除去。然后，通過蝕刻法除去在已除去光致抗蝕劑的部分中的銅箔，進(jìn)一步，光致抗蝕劑被除去而因此形成銅布線圖。
作為電路的保護(hù)層的阻焊劑被涂覆到除內(nèi)部引線等的連接部分之外的已如上所述形成布線圖的帶上。在涂覆的阻焊劑固化后，在接線端子部分上形成鍍層如錫。
在上述制造程序完成后，對排列在TAB帶上的各安裝單元進(jìn)行布線圖缺陷等的質(zhì)量檢驗(yàn)。更具體地說，例如，進(jìn)行人工目視檢查(光透射檢查等)、在日本專利特開平6-174774中描述的用于電學(xué)檢查布線圖、短路和絕緣電阻等的電學(xué)斷路的方法。
作為質(zhì)量檢驗(yàn)的結(jié)果，缺陷標(biāo)記被設(shè)置在確定為有缺陷的安裝單元上。設(shè)置缺陷標(biāo)記的標(biāo)記手段的例子包括在有缺陷的單元上形成沖孔的方法或通過壓印部件在有缺陷的單元上進(jìn)行涂墨標(biāo)記。各產(chǎn)品缺陷標(biāo)記的位置不同。
如此進(jìn)行缺陷標(biāo)記的TAB帶以一種被卷繞在軸上的狀態(tài)運(yùn)送，這時(shí)，一系列的排列在TAB帶上的安裝單元包括大量的合格布線圖單元和少數(shù)的有缺陷的單元(其上進(jìn)行了標(biāo)記)。
另一方面，近來也使用了沒有器件孔的帶，例如，除圖6中所示的TAB帶外，用于通過在TAB帶上開設(shè)的取代外部引線的孔將IC基片等與焊球連接的被稱為BGA(球柵陣列)的TAB帶，和包括與IC具有同樣尺寸和大體上具有與BGA相同的連接方法的插件的被稱為CSP(芯片尺寸封裝)的TAB帶。
另外，被稱為COF(薄膜芯片)的安裝技術(shù)也已被用作提高布線間距密度的有效技術(shù)。COF使用具有聚酰亞胺層和不帶粘合劑層的銅箔層的雙層帶，該帶是通過用聚酰亞胺材料覆蓋電解銅箔并進(jìn)行熱處理以形成具有銅箔的聚酰亞胺膜的澆鑄法，或以電鍍在聚酰亞胺膜上形成銅箔的電鍍法制造。
圖7顯示了COF帶的結(jié)構(gòu)例。COF帶210分別在橫向的雙側(cè)端上具有多個(gè)沿縱向連續(xù)排列的用于傳送該帶的齒孔212和214，且如IC的器件被安裝到，例如，齒孔212和214之間的幾乎中心的部分216。另外形成內(nèi)部引線218和外部引線220相互連接的布線圖。
COF帶在IC安裝過程中具有極好的耐熱性等，且其結(jié)構(gòu)上沒有器件孔，而是由薄膜支持內(nèi)部引線，而IC被安裝在薄膜上(不是在器件孔上)。
參照這些類型的用于在其上安裝電子器件的薄膜型載帶，情況是類似的，完成形成布線圖的制造程序等等，然后進(jìn)行薄膜型載帶上的布線圖缺陷的質(zhì)量檢驗(yàn)等等。更具體地說，例如，進(jìn)行人工目視檢查或采用在日本專利特開平7-110863號(hào)中描述的方法，即應(yīng)用被稱為線性傳感器相機(jī)(line sensor camera)的CCD相機(jī)采集在COF帶上的布線圖的圖象并將如此獲得的圖象采集信息與預(yù)先儲(chǔ)存的合格品的標(biāo)準(zhǔn)模型的數(shù)據(jù)比較以檢查布線圖的缺陷。
作為質(zhì)量檢驗(yàn)的結(jié)果，缺陷標(biāo)記被設(shè)置在確定為有缺陷的安裝單元上，然后完成了缺陷顯示的薄膜型載帶被卷繞在卷軸上并在此情況下被運(yùn)送。
缺陷標(biāo)記是按照由電子器件制造商的用戶根據(jù)在該薄膜型載帶上安裝如IC的器件的用戶的要求所確定的預(yù)定的形狀在預(yù)定的部分進(jìn)行。更具體地說，薄膜型載帶是在如上所述的包括排列在帶上的少量有缺陷的單元(被標(biāo)記)和大量的正常安裝單元的狀態(tài)下被運(yùn)送給用戶，當(dāng)用戶要在薄膜型載帶的安裝單元上安裝如IC的器件時(shí)，如果用于缺陷識(shí)別的標(biāo)記不是位于固定位置，安裝單元未被正常識(shí)別為有缺陷的產(chǎn)品而被安裝，這會(huì)引起不便。
在用于安裝電子器件的具有預(yù)定的孔如在圖6中所示的按常規(guī)被廣泛使用的器件孔的薄膜型載帶中，在進(jìn)行缺陷標(biāo)記時(shí)，通過將器件孔設(shè)定為觀察基準(zhǔn)進(jìn)行校正。例如，在包括如圖6中所示的器件孔116的位置上形成比器件孔116更大的沖孔，因此，校正簡單且高精度的缺陷標(biāo)記可以輕易地在預(yù)定的位置上準(zhǔn)確完成。
然后，被用于BGA、CSP和COF的薄膜型載帶沒有如器件孔的孔。由于這種原因，缺陷識(shí)別標(biāo)記不能根據(jù)作為校正的簡單基準(zhǔn)的目標(biāo)物設(shè)定。
如上所述，在各產(chǎn)品的用戶要求的位置上準(zhǔn)確地完成高精度的缺陷標(biāo)記是必要的。在某些沒有簡單基準(zhǔn)的情況下，缺陷標(biāo)記的位置精度下降，或者缺陷位置控制錯(cuò)誤而在與用戶所要求的位置不同的位置上進(jìn)行標(biāo)記。特別是在某些情況下，實(shí)際上同時(shí)制造多種產(chǎn)品，因而同時(shí)符合對產(chǎn)品的各種不同的要求是必要的，因此，標(biāo)記精確度可能受到破壞或標(biāo)記位置可能被識(shí)別錯(cuò)誤的可能性特別高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種用于在其上安裝電子器件的能夠正確地在安裝單元的目標(biāo)位置進(jìn)行高精度的缺陷標(biāo)記的薄膜型載帶、用于在其上安裝電子器件的能夠在IC安裝等等中降低由缺陷標(biāo)記的偏移引起的缺陷識(shí)別的錯(cuò)誤的薄膜型載帶，及用于在其上安裝電子器件的薄膜型載帶的缺陷標(biāo)記方法，該方法可以正確地在安裝單元的目標(biāo)位置進(jìn)行高精度的缺陷標(biāo)記。
本發(fā)明提供了一種用于在其上安裝電子器件的具有安裝單元的薄膜型載帶，在該安裝單元中通過蝕刻法在基體材料上形成布線圖，其中安裝單元具有作為使用標(biāo)記手段，如由蝕刻在基體材料上形成圖案，進(jìn)行最后缺陷標(biāo)記的校正基準(zhǔn)的目標(biāo)標(biāo)志的安裝單元。
在該薄膜型載帶中，適宜的情況是目標(biāo)標(biāo)志不應(yīng)被電性連接到布線圖上，或者應(yīng)被形成以通過布線圖的布線形態(tài)被清楚地顯示出來。另外，適宜的情況是目標(biāo)標(biāo)志的標(biāo)記形態(tài)應(yīng)與標(biāo)記手段的標(biāo)記形態(tài)幾乎相同?；蛘撸m宜的情況是目標(biāo)標(biāo)志應(yīng)在除了要進(jìn)行最后缺陷標(biāo)記的目標(biāo)位置A1之外的且沒有布線圖的基體材料上的任意位置A2上形成，及在沒有布線圖的基體材料上、與位置A1和A2的連線垂直且經(jīng)過位置A1的線上的任意位置A2’上形成，或者在沒有布線圖的、位置A2相對于位置A1的投影上的位置A2”上形成。
按照符合本發(fā)明的薄膜型載帶，作為進(jìn)行最后缺陷標(biāo)記的校正基準(zhǔn)的目標(biāo)標(biāo)志使用標(biāo)記手段設(shè)置在安裝單元的目標(biāo)位置。因此，在安裝單元的目標(biāo)位置正確地進(jìn)行高精度的缺陷標(biāo)記是可能的。
另外，本發(fā)明提供了一種用于在其上安裝電子器件的薄膜型載帶，該載帶具有多個(gè)在基體材料上通過蝕刻形成布線圖的安裝單元且進(jìn)行最后缺陷標(biāo)記的步驟，其中在質(zhì)量檢驗(yàn)步驟中被確定為合格的安裝單元具有在單元的預(yù)定位置上形成的目標(biāo)標(biāo)志，如通過蝕刻形成的圖案以作為在質(zhì)量檢驗(yàn)步驟中單元被確定為有缺陷的情況下使用標(biāo)記手段在單元的目標(biāo)位置進(jìn)行最后缺陷標(biāo)記的校正基準(zhǔn)，而在質(zhì)量檢驗(yàn)步驟中被確定為有缺陷的安裝單元具有根據(jù)目標(biāo)標(biāo)志在預(yù)定位置上進(jìn)行的最后缺陷標(biāo)記。
按照符合本發(fā)明的薄膜型載帶，在質(zhì)量檢驗(yàn)步驟中被確定為有缺陷的多個(gè)安裝單元具有根據(jù)目標(biāo)標(biāo)志在預(yù)定位置中以高精度設(shè)定的最后缺陷標(biāo)記。因此，在IC安裝等中減少由缺陷標(biāo)記的偏移引起的缺陷識(shí)別的錯(cuò)誤是可能的。
此外，本發(fā)明提供了一種用于在其上安裝電子器件的具有安裝單元的薄膜型載帶的最后缺陷標(biāo)記方法，所說的安裝單元具有通過蝕刻在基體材料上形成的布線圖，該方法用于對在質(zhì)量檢驗(yàn)步驟中被確定為有缺陷的安裝單元進(jìn)行最后標(biāo)記，其中缺陷標(biāo)記是通過根據(jù)所形成的目標(biāo)標(biāo)志，如由蝕刻在基體材料上形成的圖案，的位置校正安裝單元標(biāo)記方法所確定的標(biāo)記位置中進(jìn)行的。
按照符合本發(fā)明的薄膜型載帶的缺陷標(biāo)記方法，缺陷標(biāo)記是在通過根據(jù)目標(biāo)標(biāo)志的位置進(jìn)行標(biāo)記手段和安裝單元的校正所確定的標(biāo)記位置中進(jìn)行的，因此，在安裝單元的目標(biāo)位置中進(jìn)行高精度的缺陷標(biāo)記是可能的。
特別適宜的情況是各發(fā)明應(yīng)被應(yīng)用于在安裝單元上沒有器件孔的類型。


圖1為顯示按照本發(fā)明的一種實(shí)施方式的用于在其上安裝電子器件的薄膜型載帶的局部頂視圖。
圖2為顯示按照本發(fā)明的一種實(shí)施方式的用于在其上安裝電子器件的薄膜型載帶的局部頂視圖。
圖3為顯示按照本發(fā)明的一種實(shí)施方式的用于在其上安裝電子器件的薄膜型載帶的局部頂視圖。
圖4為顯示使用按照本發(fā)明的用于在其上安裝電子器件的薄膜型載帶進(jìn)行缺陷標(biāo)記的方法的實(shí)施例的示意圖。
圖5為顯示使用按照本發(fā)明的用于在其上安裝電子器件的薄膜型載帶自動(dòng)進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)和缺陷標(biāo)記的裝置的示意圖。
圖6為顯示傳統(tǒng)的TAB帶的局部頂視圖，及圖7為顯示傳統(tǒng)的COF帶的局部頂視圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說明。
圖1-3為顯示按照本發(fā)明的一種實(shí)施方式的用于在其上安裝電子器件的薄膜型載帶的局部頂視圖，圖4為顯示使用按照本發(fā)明的用于在其上安裝電子器件的薄膜型載帶進(jìn)行缺陷標(biāo)記的方法的實(shí)施例的示意圖，而圖5為顯示使用按照本發(fā)明的用于在其上安裝電子器件的薄膜型載帶自動(dòng)進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)和缺陷標(biāo)記的裝置的示意圖。
用于在其上安裝電子器件的薄膜型載帶10分別在橫向的雙側(cè)端上具有多個(gè)沿縱向連續(xù)排列的用于傳送該帶的齒孔12和14，且在齒孔12和14之間幾乎中心的位置16上安裝電子器件如IC。另外在薄膜上形成用于連接內(nèi)部引線18和外部引線20的布線圖22。
薄膜型載帶10的布線圖是按例如下述的方式制造的。首先，光致抗蝕劑被涂在基體材料膜如聚酰亞胺膜上的銅箔的表面上。對于該光致抗蝕劑表面，除了要形成銅布線圖之外的部分被暴露并除去被暴露的光致抗蝕劑。接著，通過蝕刻除去在光致抗蝕劑被除去的部分中的銅箔，進(jìn)一步光致抗蝕劑被除去以便形成銅布線圖?；蛘撸纬傻你~布線圖部分被暴露，且未暴露的光致抗蝕劑根據(jù)使用的光致抗蝕劑的類型被從抗蝕表面上除去。然后，通過蝕刻法除去在已除去光致抗蝕劑的部分中的銅箔，進(jìn)一步，光致抗蝕劑被除去而因此形成銅布線圖。
在本發(fā)明中，同時(shí)在上述的步驟中形成目標(biāo)標(biāo)志30，如上述步驟中，目標(biāo)標(biāo)志30是用于在薄膜型載帶10的安裝單元的目標(biāo)位置中使用標(biāo)記手段如沖壓裝置的沖壓部件或涂墨標(biāo)記裝置的壓印部件進(jìn)行最后缺陷標(biāo)記時(shí)進(jìn)行校正的基準(zhǔn)。
更具體地說，進(jìn)行如布線圖的形成等等的制造過程，然后再通過人工目視檢查或使用被稱為線性傳感器相機(jī)的CCD相機(jī)采集帶上的布線圖的圖象并將如此獲得的圖象采集信息與預(yù)先儲(chǔ)存的合格產(chǎn)品的原型圖案的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較的方法，進(jìn)行載帶10上的布線圖缺陷等等的質(zhì)量檢驗(yàn)，從而檢查例如布線圖的缺陷等等。按照其結(jié)果，缺陷標(biāo)記被設(shè)置在確定為有缺陷的安裝單元上，從而完成缺陷顯示。缺陷標(biāo)記按例如在圖4中大致顯示的方式進(jìn)行。下面將詳細(xì)描述一個(gè)實(shí)施例，其中通過個(gè)人使用沖壓裝置的沖壓桿42作為標(biāo)記手段進(jìn)行校正和沖壓。
在圖4中，具有排列其中的各安裝單元44的薄膜型載帶10通過在橫向的雙側(cè)端上形成的齒孔與未在圖中顯示出來的旋轉(zhuǎn)齒輪的咬合沿箭頭方向傳送。
在缺陷標(biāo)記步驟之前進(jìn)行的質(zhì)量檢驗(yàn)步驟中，當(dāng)被確定為有缺陷的安裝單元到達(dá)標(biāo)記段40時(shí)，薄膜型載帶10的傳送被停止，目視確認(rèn)在安裝單元上形成的目標(biāo)標(biāo)志。通過將目視確認(rèn)設(shè)定為標(biāo)準(zhǔn)，沖壓桿42的尖端部分與要被沖壓的安裝單元的目標(biāo)位置對齊。
這種校正可以，例如，通過適當(dāng)?shù)恼{(diào)節(jié)裝置沿著載帶10的縱向或橫向移動(dòng)沖壓桿42而實(shí)現(xiàn)。
在校正如上所述被完成后，沖壓桿42沿垂直方向下降到安裝單元的目標(biāo)位置，從而進(jìn)行沖壓。
因此，作為校正的基準(zhǔn)而被清楚地設(shè)定的目標(biāo)標(biāo)志是作為各安裝單元上的圖案形成的，所以，在目標(biāo)位置上準(zhǔn)確地完成高精度的缺陷標(biāo)記是可能的。
參照圖4，已經(jīng)對通過個(gè)人使用沖壓裝置的沖壓部件(沖壓桿)作為標(biāo)記手段進(jìn)行校正和沖壓的實(shí)施例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不局限于此。例如，通過使用涂墨標(biāo)記裝置的壓印部件作為標(biāo)記手段，可以通過在安裝單元上的目標(biāo)位置進(jìn)行涂墨標(biāo)記實(shí)現(xiàn)缺陷顯示。此外，缺陷標(biāo)記可以，例如，與質(zhì)量檢驗(yàn)步驟一起機(jī)械地和自動(dòng)地完成。在這種情況下，第一次校正可以由人工來完成，然后，質(zhì)量檢驗(yàn)和缺陷標(biāo)記可以自動(dòng)地進(jìn)行。
通過使用例如圖5的檢查裝置50，將對與質(zhì)量檢驗(yàn)步驟一起自動(dòng)完成缺陷標(biāo)記的情況進(jìn)行說明。
在圖5中，用于在其上安裝電子器件的薄膜型載帶的檢查裝置50包括進(jìn)給裝置60、缺陷圖案檢測裝置70、標(biāo)記裝置80和卷繞裝置90。
在進(jìn)給裝置60中，卷軸R被連接到進(jìn)給驅(qū)動(dòng)軸62上，全部經(jīng)過了制造程序的薄膜型載帶T通過隔片S被卷繞在卷軸R上。然后，通過未在圖中顯示的驅(qū)動(dòng)馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)作用，進(jìn)給裝置軸62被轉(zhuǎn)動(dòng)且?guī)與隔片S一起被放出卷軸R并通過導(dǎo)輥61被供給到缺陷圖案檢測裝置70。
當(dāng)被供給到缺陷圖案檢測裝置70的帶T通過導(dǎo)輥71經(jīng)過被設(shè)置在缺陷圖案檢測裝置70中的后張力齒輪72和驅(qū)動(dòng)齒輪74之間時(shí)，驅(qū)動(dòng)齒輪74的驅(qū)動(dòng)作用暫時(shí)停止以便停止帶T的進(jìn)給并通過與帶T的齒孔咬合的后張力齒輪72的反向旋轉(zhuǎn)將帶T精確地安置在預(yù)定的位置上。在這種狀態(tài)中，由CCD相機(jī)78識(shí)別的引線的布線圖被輸入到缺陷圖案檢測裝置70中的控制裝置并與被預(yù)先輸入到控制裝置中的存儲(chǔ)部件如RAM的正常布線圖比較。如果布線圖被確定為有缺陷的，缺陷部分的位置被輸出到下面描述的標(biāo)記裝置80的控制裝置。
另一方面，通過缺陷圖案檢測裝置70檢測出布線圖缺陷的帶T隨后通過導(dǎo)輥73和81被供給到標(biāo)記裝置80。然后，在被供給到標(biāo)記裝置80的帶T經(jīng)過導(dǎo)輥80到導(dǎo)輥82時(shí)，在由缺陷圖案檢測裝置70檢測出的缺陷安裝單元上，根據(jù)關(guān)于同一單元的缺陷信息通過墨水進(jìn)行標(biāo)記。
在這種情況下，標(biāo)記裝置80中的壓印部件的頂端的位置預(yù)先與安裝單元上的目標(biāo)位置對齊，這時(shí)，在安裝單元上形成的目標(biāo)標(biāo)志首先被目視確認(rèn)，再通過將目視確認(rèn)設(shè)定為標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行校正，隨后根據(jù)確定的校正進(jìn)行自動(dòng)光學(xué)檢查和自動(dòng)標(biāo)記。
因此在本發(fā)明中，薄膜型載帶的各安裝單元具有目標(biāo)標(biāo)志。所以，在目標(biāo)位置中準(zhǔn)確地完成高精度的缺陷標(biāo)記是可能的。當(dāng)目標(biāo)標(biāo)志如圖1中所示形成圓形時(shí)，標(biāo)志的形狀沒有特別的限制，而可以采用任何形狀，如三角形或方形。此外，標(biāo)志可以是數(shù)字、字母、中文字符、符號(hào)等等。進(jìn)一步考慮到目視判斷的便利，目標(biāo)標(biāo)志的尺寸優(yōu)選具有大約0.1mm2-12.5mm2的面積。
對于目標(biāo)標(biāo)志的方式，例如，目標(biāo)標(biāo)志的圖案沒有被電性連接到如圖1中所示的布線圖上，更進(jìn)一步，目標(biāo)標(biāo)志可以通過如在圖2中清楚地顯示的布線圖的形態(tài)而形成。更具體地說，如圖2(a)中所示，目標(biāo)標(biāo)志也可以根據(jù)布線圖的寬度的變換，例如布線圖的寬度局部增加而形成以清楚地顯示目標(biāo)標(biāo)志。
另外，如圖2(b)中所示，目標(biāo)標(biāo)志也可以通過布線圖的彎曲度的變換，例如布線圖被局部彎曲以清楚地顯示目標(biāo)標(biāo)志。
因此在目標(biāo)標(biāo)志是通過布線圖的布線形態(tài)而清楚地顯示的情況下，考慮到目視判斷的便利，清楚顯示區(qū)域如布線圖的寬度或彎曲度的變換的面積優(yōu)選為大約0.1mm2-5mm2。
另外在某些情況下，進(jìn)行缺陷標(biāo)記的目標(biāo)位置與布線圖部分或全部重疊。在這些情況下，如圖3中所示，在沒有布線圖的基片上具有多個(gè)目標(biāo)標(biāo)志，而且也可以根據(jù)這些目標(biāo)標(biāo)志間接地確定目標(biāo)位置。
在圖3(a)中，目標(biāo)標(biāo)志在除了要進(jìn)行最后缺陷標(biāo)記的目標(biāo)位置A1之外的且沒有布線圖的基體材料上的任意位置A2上，和在沒有布線圖的基體材料上、與位置A1和A2的連線垂直且經(jīng)過位置A1的線上的任意位置A2’上形成，且目標(biāo)位置被目視確定在經(jīng)過位置A2的直線和經(jīng)過位置A2’的直線的垂直交點(diǎn)上。
在圖3(b)中，目標(biāo)標(biāo)志在除了要進(jìn)行最后缺陷標(biāo)記的目標(biāo)位置A1之外的且沒有布線圖的基體材料上的任意位置A2上，和在沒有布線圖的、位置A2相對于位置A1的投影上的位置A2”上形成，且目標(biāo)位置被目視確定在位置A2和A2”的中點(diǎn)上。
另外，適宜的情況是目標(biāo)標(biāo)志應(yīng)具有與標(biāo)記手段(如通過使用沖壓裝置的沖壓部件的穿孔或通過使用涂墨標(biāo)記裝置的壓印部件的墨水標(biāo)記)的標(biāo)記形態(tài)幾乎相同的形態(tài)，可以在目標(biāo)位置中高精度地進(jìn)行缺陷標(biāo)記。
在這些方式中，盡管具有目標(biāo)標(biāo)志的薄膜型載帶沒有器件孔，也可以在目標(biāo)位置中高精度地進(jìn)行缺陷標(biāo)記。因此，特別適宜的情況是本發(fā)明應(yīng)被應(yīng)用于沒有器件孔的這一類型的用于在其上安裝電子器件的薄膜型載帶，例如，COF帶。但是，本發(fā)明并不局限于此，而是也可以被應(yīng)用于有器件孔的這一類型的用于在其上安裝電子器件的薄膜型載帶。
因此，缺陷標(biāo)記對所有的排列在薄膜型載帶上的有缺陷的單元進(jìn)行，然后它們被卷繞在卷軸上并在此種情況下被運(yùn)送。在按照本發(fā)明的根據(jù)目標(biāo)標(biāo)志進(jìn)行了缺陷標(biāo)記的薄膜型載帶中，缺陷標(biāo)記被高精度地設(shè)置在目標(biāo)位置中。因此在IC安裝中，減少由缺陷標(biāo)記的偏移而引起的缺陷識(shí)別的錯(cuò)誤是可能的。
按照符合本發(fā)明的薄膜型載帶，作為進(jìn)行最后缺陷標(biāo)記的校正基準(zhǔn)的目標(biāo)標(biāo)志通過標(biāo)記手段被設(shè)置在安裝單元的目標(biāo)位置中。因此，在安裝單元的目標(biāo)位置中準(zhǔn)確地完成高精度的缺陷標(biāo)記是可能的。
此外，按照符合本發(fā)明的薄膜型載帶，在質(zhì)量檢驗(yàn)步驟中被確定為有缺陷的多個(gè)安裝單元具有根據(jù)目標(biāo)標(biāo)志在目標(biāo)位置中高精度地完成的最后缺陷標(biāo)記。因此，在IC安裝等中減少由缺陷標(biāo)記的偏移引起的缺陷識(shí)別的錯(cuò)誤是可能的。
更進(jìn)一步，按照符合本發(fā)明的薄膜型載帶，缺陷標(biāo)記是在通過根據(jù)目標(biāo)標(biāo)志的位置進(jìn)行標(biāo)記手段和安裝單元的校正所確定的標(biāo)記位置中完成的。因此，在安裝單元的目標(biāo)位置中準(zhǔn)確地完成高精度的缺陷標(biāo)記是可能的。
實(shí)施例具有目標(biāo)標(biāo)志和蝕刻的銅布線圖的COF帶被制造出來以作為實(shí)施例。通過使用按照本發(fā)明的COF帶，由檢驗(yàn)員進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)和缺陷標(biāo)記。
此外，沒有目標(biāo)標(biāo)志的COF帶被制造出來以作為對照實(shí)施例。通過使用按照對照實(shí)施例的COF帶，由檢驗(yàn)員進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)和缺陷標(biāo)記。
參照按照實(shí)施例和對照實(shí)施例的COF帶，相互比較在IC安裝之前的缺陷標(biāo)記的識(shí)別中由標(biāo)記的偏移引起的缺陷識(shí)別的錯(cuò)誤。其結(jié)果，在對照實(shí)施例中缺陷識(shí)別的錯(cuò)誤的比例大約為10％，而在實(shí)施例中該比例顯著降低至大約0.1％。
權(quán)利要求
1.用于在上面安裝電子器件的具有安裝單元的薄膜型載帶，在該安裝單元中通過蝕刻在基體材料上形成布線圖，其中所說的安裝單元具有作為校正的基準(zhǔn)的目標(biāo)標(biāo)志，該目標(biāo)標(biāo)志用于使用標(biāo)記手段，如在基體材料上蝕刻形成圖案，在安裝單元的目標(biāo)位置進(jìn)行最后的缺陷標(biāo)記。
2.如權(quán)利要求1所述的用于在上面安裝電子器件的薄膜型載帶，其中所說的目標(biāo)標(biāo)志不被電性連接到布線圖上。
3.如權(quán)利要求1所述的用于在上面安裝電子器件的薄膜型載帶，其中形成的目標(biāo)標(biāo)志通過布線圖的布線形態(tài)被清楚地顯示。
4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的用于在上面安裝電子器件的薄膜型載帶，其中所說的目標(biāo)標(biāo)志的標(biāo)記形態(tài)與所說的標(biāo)記方式的標(biāo)記形態(tài)幾乎相同。
5.如權(quán)利要求1所述的用于在上面安裝電子器件的薄膜型載帶，其中所說的目標(biāo)標(biāo)志在除了要進(jìn)行最后缺陷標(biāo)記的目標(biāo)位置A1之外的且沒有布線圖的基體材料上的任意位置A2上形成，及在沒有布線圖的基體材料上、與位置A1和A2的連線垂直且經(jīng)過位置A1的線上的任意位置A2’上形成，或者在沒有布線圖的、位置A2相對于位置A1的投影上的位置A2”上形成。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的用于在其上安裝電子器件的薄膜型載帶，其中所說的安裝單元沒有器件孔。
7.用于在其上安裝電子器件的薄膜型載帶，該載帶具有多個(gè)在基體材料上通過蝕刻形成布線圖的安裝單元且進(jìn)行最后缺陷標(biāo)記的步驟，其中在質(zhì)量檢驗(yàn)步驟中被確定為合格的安裝單元具有在單元的預(yù)定位置上形成的目標(biāo)標(biāo)志，如通過蝕刻形成的圖案以作為在質(zhì)量檢驗(yàn)步驟中單元被確定為有缺陷的情況下使用標(biāo)記手段在單元的目標(biāo)位置進(jìn)行最后缺陷標(biāo)記的校正基準(zhǔn)，而在質(zhì)量檢驗(yàn)步驟中被確定為有缺陷的安裝單元具有根據(jù)目標(biāo)標(biāo)志在預(yù)定位置上進(jìn)行的最后缺陷標(biāo)記。
8.如權(quán)利要求7所述的用于在其上安裝電子器件的薄膜型載帶，其中所說的安裝單元沒有器件孔。
9.用于在其上安裝電子器件的具有安裝單元的薄膜型載帶的最后缺陷標(biāo)記方法，所說的安裝單元具有通過蝕刻在基體材料上形成的布線圖，該方法用于對在質(zhì)量檢驗(yàn)步驟中被確定為有缺陷的安裝單元進(jìn)行最后標(biāo)記，其中缺陷標(biāo)記是通過根據(jù)所形成的目標(biāo)標(biāo)志，如由蝕刻在基體材料上形成的圖案，的位置安裝單元校正標(biāo)記方法所確定的標(biāo)記位置中進(jìn)行的。
10.如權(quán)利要求9所述的用于在其上安裝電子器件的薄膜型載帶的最后缺陷標(biāo)記方法，其中所說的安裝單元沒有器件孔。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于在上面安裝電子器件的具有安裝單元的薄膜型載帶，在該安裝單元中通過蝕刻在基體材料上形成布線圖，其中所說的安裝單元具有作為校正的基準(zhǔn)的目標(biāo)標(biāo)志，該目標(biāo)標(biāo)志用于使用標(biāo)記手段，如在基體材料上蝕刻形成圖案，在安裝單元的目標(biāo)位置進(jìn)行最后的缺陷標(biāo)記。本發(fā)明還提供使用該薄膜型載帶的缺陷標(biāo)記方法。
文檔編號(hào)H01L23/544GK1518083SQ200410003358
公開日2004年8月4日 申請日期2004年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月28日
發(fā)明者桐山達(dá)也 申請人:三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社