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通過被釘扎磁性層的等離子體平滑增強的gmr磁頭信號的制作方法

文檔序號:7134971閱讀:225來源:國知局
專利名稱:通過被釘扎磁性層的等離子體平滑增強的gmr磁頭信號的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明總體涉及用于磁頭的自旋(spin)閥傳感器,特別涉及自旋閥傳感器結(jié)構(gòu)的釘扎磁性層表面的等離子體平滑。
背景技術(shù)
用于硬盤驅(qū)動器的磁頭通常具有讀取頭部分,讀取頭部分包括用于從硬盤驅(qū)動器的磁盤讀取數(shù)據(jù)的磁阻(MR)自旋閥傳感器結(jié)構(gòu)。正如本領(lǐng)域中的技術(shù)人員公知的,這種MR傳感器結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在限定讀取間隙的兩個磁屏蔽之間的多個薄膜層。薄膜層具有獨特的磁性質(zhì),并且對硬盤上的數(shù)據(jù)位的磁場敏感。
典型的MR自旋閥傳感器的薄膜層包括至少一個反鐵磁層、至少一個被釘扎的磁性層、隔離層以及至少一個自由磁性層。當(dāng)自由磁性層的磁場方向平行于被釘扎的磁性層的磁場方向時,MR傳感器的電阻R最低。當(dāng)讀取數(shù)據(jù)時,硬盤的磁數(shù)據(jù)位使自由磁性層的磁場方向改變,因此傳感器的電阻增加。電阻的這種改變(ΔR)影響了穿過傳感器的電流,由此被檢測為數(shù)據(jù)信號。
需要開發(fā)出厚度減小的MR傳感器,同時保持或者甚至增加ΔR值。在金屬MR傳感器層,特別是隔離層制得較薄時,較薄層的電阻增加,會有較少的分流電流穿過這些層并遠離自由磁性層。這導(dǎo)致傳感器電阻R和ΔR增加,提高了磁頭性能。自旋閥傳感器性能中另一重要參數(shù)是被釘扎的磁性層和自由磁性層之間的磁耦合場強度,保持所述耦合場強度以保持自旋閥性能很重要。
在現(xiàn)有技術(shù)中采用了許多不同材料和制造步驟以嘗試增加MR傳感器的ΔR。本發(fā)明涉及利用表面平滑的被釘扎磁性層制造MR自旋閥傳感器。這允許使用較薄的隔離層,由此導(dǎo)致傳感器的電阻R增加,并且ΔR更大,從而形成更強的讀取頭信號。
在現(xiàn)有的K.Tsunekawa,D.Nakagima和N.Watanabe在2001年11月12-16日于美國華盛頓州西雅圖的46thAnnual Conference onMagnetism and Magnetic Materials發(fā)表的論文BD-04(題目為“Effect of Plasma Treatment on the GMR Properties of PtMnBased Synthetic Spin Valve”)的摘要中介紹了有關(guān)GMR自旋閥傳感器,可以利用低電壓氬等離子體平滑被釘扎的磁性層表面。然后淀積銅隔離層和自由磁性層。所得GMR傳感器顯示信號強度增加。
本發(fā)明對所述現(xiàn)有技術(shù)的改進之處在于利用了由氬氣和氧氣組成的改進的等離子體,并且采用了在被釘扎和自由磁性層之間具有CuOx隔離層的MR頭。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的磁頭包括具有傳感器疊層的自旋閥傳感器,傳感器疊層包括被釘扎的磁性層、形成在被釘扎的磁性層上的隔離層以及形成在隔離層上的自由磁性層。在優(yōu)選的實施例中,隔離層由CuOx組成。通過在淀積隔離層之前等離子體平滑被釘扎的磁性層的上表面改善了自旋閥傳感器的性能。被釘扎磁性層的等離子體平滑具有增加被釘扎和自由磁性層之間磁場耦合場強度的負(fù)性(negativity)的效果,因而隔離層可以制得較薄,以將耦合場強度調(diào)節(jié)到需要的值。隔離層的厚度減小造成傳感器電阻增加和傳感器信號幅度增加。在優(yōu)選的實施例中,CuOx隔離層的厚度由約20減小到16。
本發(fā)明的磁頭的一個優(yōu)點是它包括了傳感器隔離層厚度減小的磁阻傳感器。
本發(fā)明的磁頭的另一個優(yōu)點是它包括傳感器隔離層厚度減小,并且傳感器信號幅度增加的磁阻傳感器。
本發(fā)明的磁頭的另一個優(yōu)點是它包括設(shè)置在具有平滑表面的被釘扎磁性層上的CuOx隔離層。
本發(fā)明的磁頭的另一個優(yōu)點是它包括層疊的被釘扎磁性層,層疊的被釘扎磁性層具有用等離子體平滑的上表面,減小厚度的CuOx隔離層設(shè)置其上,造成傳感器信號幅度增加。
本發(fā)明的硬盤驅(qū)動器的一個優(yōu)點為它包括本發(fā)明的含傳感器隔離層厚度減小的磁阻傳感器的磁頭。
本發(fā)明的硬盤驅(qū)動器的另一個優(yōu)點為它包括本發(fā)明的磁頭,磁頭具有傳感器隔離層厚度減小并且傳感器信號幅度增加的磁阻傳感器。
本發(fā)明的硬盤驅(qū)動器的另一個優(yōu)點為它包括含設(shè)置在具有平滑表面的被釘扎磁性層上的CuOx隔離層的本發(fā)明磁頭。
本發(fā)明的硬盤驅(qū)動器的另一個優(yōu)點為它包括含層疊的被釘扎磁性層的本發(fā)明磁頭,層疊的被釘扎磁性層具有等離子體平滑的上表面,減小厚度的CuOx隔離層設(shè)置其上,造成傳感器信號幅度增加。
本發(fā)明的磁頭制造方法的一個優(yōu)點為它包括具有等離子體平滑的上表面的被釘扎磁性層和減小厚度的CuOx隔離層,由此增加了傳感器的信號幅度。
從下面參考附圖的優(yōu)選實施例的詳細(xì)說明中,本發(fā)明的以上和其它目的、特點及優(yōu)點將變得很顯然。


下面的附圖沒有按器件的實際比例,提供附圖僅為了說明這里介紹的本發(fā)明。
圖1總體示出了包括本發(fā)明磁頭的硬盤驅(qū)動器的俯視圖;圖2示出了典型的現(xiàn)有技術(shù)的磁頭的自旋閥讀取頭部分的側(cè)剖面圖;圖3示出了可在本發(fā)明的自旋閥傳感器結(jié)構(gòu)的第一實施例的制造中采用的典型的薄膜層的側(cè)視剖面圖;圖4示出了本發(fā)明的磁頭的氬氣和氧氣等離子體平滑的被釘扎磁性層的性能特性曲線;以及圖5示出了本發(fā)明的磁頭的性能數(shù)據(jù)的曲線圖。
具體實施例方式
圖1示出了包括本發(fā)明磁頭的硬盤驅(qū)動器的主要部件的俯視圖。硬盤驅(qū)動器10包括可旋轉(zhuǎn)地安裝在電動軸14上的磁介質(zhì)硬盤12。致動器臂16樞軸地安裝在具有本發(fā)明的磁頭20的硬盤驅(qū)動器10內(nèi),本發(fā)明的磁頭20設(shè)置在致動器臂16的末端22。典型的硬盤驅(qū)動器10可包括可旋轉(zhuǎn)地安裝在軸14上的多個磁盤12和具有安裝在致動器臂的末端22上的一個或多個磁頭20的致動器臂16。正如本領(lǐng)域中的技術(shù)人員所公知的,當(dāng)硬盤驅(qū)動器10工作時,硬盤12繞軸14旋轉(zhuǎn),磁頭20作為適合于在旋轉(zhuǎn)盤表面上浮起的氣浮浮動塊。浮動塊包括基底,在其上制備有形成磁頭的各種層和結(jié)構(gòu)。在晶片襯底上大量制造這種頭,并隨后切割成分立的磁頭20。
典型的現(xiàn)有技術(shù)的磁頭制成包括從硬盤讀取數(shù)據(jù)的讀取頭部分以及用于寫入硬盤的寫入頭部分,圖2概括示出了磁頭的現(xiàn)有技術(shù)的讀取頭自旋閥部分,將作為介紹本發(fā)明的新穎讀取頭結(jié)構(gòu)的起始點。如圖2所示,自旋閥30包括在基底42的表面38上制造的第一磁屏蔽層(S1)34。第一絕緣層(G1)44制備在S1屏蔽層34上,然后在G1層44上制備多個自旋閥傳感器層50。下面詳細(xì)介紹傳感器層50,并討論本發(fā)明的新穎傳感器層。使用光刻和蝕刻技術(shù),除去部分傳感器層留下圖2中所示的中心部分50。此后,在傳感器層50之后制備硬偏置元件54,電引線60制備在硬偏置元件54上,第二電絕緣層(G2)64淀積在器件上,之后制備第二磁屏蔽層(S2)68,隨后制備寫入頭部分(總體示為72)以完成磁頭制備工序。
本發(fā)明涉及包括自旋閥的傳感器疊層50的特定層的改進,對比如可用做圖1的磁頭20中的本發(fā)明的改進傳感器80的磁阻(MR)自旋閥傳感器的更詳細(xì)描述示出在圖3中。如圖3所示,通常由Al2O3組成的G1絕緣層44制備在通常由NiFe組成的S1屏蔽層34上。之后制造自旋閥層結(jié)構(gòu)90,這是從可由AlOx子層、NiFeCr子層以及NiFe子層組成的第二籽晶層84開始。淀積籽晶層之后, 自旋閥層結(jié)構(gòu)90中的傳感器層序列包括PtMn反鐵磁層94、CoFe/Ru/CoFe層疊的被釘扎磁性層98、CuOx隔離層102、CoFe/NiFe自由磁性層106以及Ta帽蓋層110,各層的通常厚度列在圖3中。
這里所述的磁阻自旋閥這樣工作當(dāng)傳感器暴露到數(shù)據(jù)位的磁場時,通過自旋閥傳感器內(nèi)的電阻變化檢測寫在硬盤上的磁數(shù)據(jù)位。具體地,通過數(shù)據(jù)位的磁場改變自由磁性層場的磁場取向,自由層磁場的取向變化使傳感器的電阻R變化。當(dāng)自由層磁場的取向平行于被釘扎層磁場時,傳感器的電阻最低(Rmin),當(dāng)自由層磁場不是平行于被釘扎層磁場方向取向時,傳感器的電阻增加。電阻的這種變化R-Rmin通常表示為ΔR。重要的是,傳感器的電阻R主要由隔離層的電阻決定,通常較薄的隔離層通常具有較高的電阻R,通常導(dǎo)致較高的ΔR值,假如磁阻系數(shù)ΔR/R保持不變的話。自旋閥特性中的另一重要參數(shù)為被釘扎磁性層和自由磁性層之間的磁耦合場的強度。該磁耦合場保持在需要的范圍內(nèi),以提高良好的SV性能,這在下面更詳細(xì)地介紹。
因此,本發(fā)明的自旋閥傳感器的性能目標(biāo)是增加電阻R和ΔR,同時將磁耦合場保持在需要范圍內(nèi),并且不負(fù)面地影響其它的傳感器能,例如ΔR/R和矯頑磁力。從下面的介紹中可以看出,被釘扎磁性層上表面平滑度的改進提高了自旋閥傳感器的性能。
參考圖3,本發(fā)明關(guān)注的是被釘扎磁性層98的上表面120。具體地,在表面120平滑的地方,被釘扎和自由磁性層之間的磁性耦合變得更負(fù)。然后,為了將磁耦合值回到初始的、更希望的值,可以減小隔離層102的厚度。最后,由于隔離層厚度減小,隔離層(因此傳感器)的電阻增加,這也增加了ΔR(ΔR/R保持不變),由此增加了傳感器信號的信號幅度。因此,應(yīng)該理解被釘扎磁性層98的表面的平滑導(dǎo)致隔離層102更薄并且提高了傳感器特性。
平滑具有銅隔離層的GMR自旋閥傳感器的被釘扎磁性層表面的效果已被其它人報道,參見K.Tsunekawa,D.Nakagima和N.Watanabe在2001年11月12-16日在美國華盛頓西雅圖的46thAnnual Conference on Magnetism and Magnetic Materials上發(fā)表的論文BD-04(題目為“Effect of Plasma Treatment on the GMRProperties of PtMn Based Synthetic Spin Valve”)。在該現(xiàn)有的被釘扎層平滑工藝中使用了低電壓氬等離子體,之后Cu隔離層淀積在氬等離子體平滑的表面上。
在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中,如圖3所示,在傳感器結(jié)構(gòu)90中使用CuOx隔離層,在淀積隔離層之前使用氬氣加氧氣的等離子體加工氣體進行被釘扎磁性層的表面平滑。本領(lǐng)域中的技術(shù)人員應(yīng)該理解,在多室制造裝置中進行磁頭傳感器的制造工藝,在多室制造裝置中,一個或多個晶片設(shè)置在硅片夾上,硅片夾可移動到形成各種層和進行處理的多個室內(nèi)。參考本發(fā)明,硅片夾移動到依次淀積各種傳感器膜層的相繼的室內(nèi),所述膜層包括S1屏蔽、G1絕緣層、籽晶層、反鐵磁層以及被釘扎的磁性層。淀積被釘扎的磁性層之后,將等離子體處理氣體引入到處理室內(nèi)并將低偏置電壓施加到夾盤。進行等離子體轟擊很短的時間,在此期間,被釘扎的磁性層表面暴露到等離子體,實現(xiàn)了表面的平滑。
對于本發(fā)明的表面平滑工藝,具有其上淀積有被釘扎磁性層的晶片的硅片夾設(shè)置在工藝室中,壓力為約1×10-3乇到約3×10-3乇。以約50sccm的流速引入氬氣和氧氣等離子體氣體混合物,氣體混合物由約49.5sccm的純氬氣和0.5sccm的80%氬氣加20%的氧氣混合物組成。這與約2×10-6乇的氧氣分壓相關(guān)。現(xiàn)已發(fā)現(xiàn)從0.5×10-6乇到約6×10-6乇的氧氣分壓提供了優(yōu)異的表面平滑結(jié)果。從約25到約70伏并優(yōu)選從30到60伏的硅片夾偏置電壓用于支持等離子體,其中等離子體起弧電壓(striking voltage)約25伏。從約15到約60秒的表面平滑等離子體暴露時間足以獲得本發(fā)明的表面平滑效果。本領(lǐng)域中的技術(shù)人員應(yīng)該理解,表面平滑暴露時間為偏置電壓和等離子體組分之類的參數(shù)的函數(shù)。
等離子體表面平滑步驟之后,硅片夾移動到隔離層淀積室,接著CuOx隔離層102淀積在被釘扎的磁性層98的平滑表面120上。CuOx每秒淀積約1厚,由此在本發(fā)明中使用約16到20秒的淀積時間以得到約16到20厚度的CuOx,優(yōu)選的CuOx厚度約17。此后,依次淀積自由磁性層和帽蓋層(cap layer)。
與現(xiàn)有技術(shù)的Cu隔離層相比,CuOx隔離層的電阻增加。此外,CuOx隔離層的性質(zhì)導(dǎo)致被釘扎和自由磁性層之間的負(fù)磁耦合場。該耦合場的強度為重要的傳感器參數(shù),影響自由磁性層的磁場旋轉(zhuǎn),從而影響傳感器的性能。耦合場的強度受被釘扎和自由磁性層之間隔離層的厚度影響,如下面詳細(xì)所述,本發(fā)明的一個重要特征是將耦合場強度保持在需要的范圍內(nèi),從而減小了隔離層的厚度。
因此應(yīng)該理解對耦合場強度的主要影響因素在于被釘扎層隔離層界面的毫微級粗糙度(nano scale roughness),如圖4所示,粗糙度的降低導(dǎo)致對于給定隔離層厚度耦合場減小或者相反允許減小隔離層厚度同時保持給定的耦合場。隔離層厚度減小有兩個益處,隨著隔離層變薄,傳感器的ΔR/R增加,同時傳感器的電阻R變大。ΔR/R與R的乘積為ΔR,對于預(yù)測讀取頭中的信號幅度來說是一個優(yōu)良的品質(zhì)因素(figure of merit)。如圖5所示和下面討論的,通過減小被釘扎層的表面粗糙度改進了該品質(zhì)因數(shù),從而改善了磁頭信號。
圖4示出了通過GMR隔離層的耦合場強度Hf與隔離層厚度的函數(shù)關(guān)系。此時隔離層為摻氧的Cu,其中已知包含在Cu中的氧有助于減小耦合場。方形符號中的數(shù)據(jù)顯示了有CuO隔離層成分的正常淀積的傳感器層疊層的耦合場。菱形符號中的數(shù)據(jù)示出了由于僅使用氬氣進行等離子體平滑而減小的耦合場。最后三角形符號中的數(shù)據(jù)表示使用氬氣加氧氣等離子體時進一步減小的耦合場。因此可以看出不使用等離子體平滑時(方形符號)可以用約19的CuOx隔離層厚度獲得-5到-15Oe的耦合場強度,用氬等離子體平滑時(鉆石符號)可以用約18的CuOx隔離層厚度獲得-5到-15Oe的耦合場強度。使用氬氣加氧氣等離子體(三角形符號)和-5到-15Oe的耦合場強度的CuOx隔離層的本發(fā)明的優(yōu)選等離子體平滑得到約17的隔離層厚度。從這些曲線中可以看出顯然這些等離子體處理顯著擴大了負(fù)耦合(negative coupling)的工藝窗口(process window)。由此,可以使用等離子體平滑減小隔離層厚度同時保持固定的耦合場值。
圖5示出了品質(zhì)因素(ΔR,等于ΔR/R倍的表面電阻(R))如何隨CuOx隔離層厚度變化。方形符號中的數(shù)據(jù)示出了具有CuO隔離層成分的普通淀積傳感器層疊層的ΔR值。菱形符號中的數(shù)據(jù)表示由于僅使用氬氣等離子體平滑得到的ΔR值。最后三角形符號中的數(shù)據(jù)示出了使用氬氣加氧氣等離子體時的ΔR值。因此可以看出隨著CuO隔離層厚度減小ΔR總體上增加。由此,本發(fā)明能淀積較薄的隔離層,由此增加了ΔR,提高了GMR傳感器性能。
相對于以上介紹的現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明的自旋閥傳感器的改進之處在于利用包括氬氣和氧氣的等離子體氣體混合物進行被釘扎磁性層表面的平滑,還在于隔離層由CuOx組成而不是Cu。每個所述變化都是對現(xiàn)有技術(shù)的改進,當(dāng)在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中組合在一起時,產(chǎn)生了進一步改進的器件。
雖然參考一些優(yōu)選實施例示出和介紹了本發(fā)明,應(yīng)該理解本領(lǐng)域中的技術(shù)人員毫無疑問可以對其中的形式和細(xì)節(jié)進行某些修改和變化。因此下面的權(quán)利要求書覆蓋了包括本發(fā)明的實際精神和范圍的所有這種修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種包括自旋閾傳感器的磁頭,包括被釘扎磁性層、形成在所述被釘扎磁性層上的隔離層以及形成在所述隔離層上的自由磁性層;其中所述被釘扎磁性層形成有由氬氣加氧氣等離子體平滑的上表面,所述隔離層設(shè)置在所述被釘扎磁性層的所述平滑的上表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的磁頭,其中所述隔離層由Cu組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的磁頭,其中所述隔離層由CuOx組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的磁頭,其中所述被釘扎磁性層由CoFe組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的磁頭,其中所述自由磁性層由NiFe組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求3的磁頭,其中所述被釘扎磁性層由包括CoFe、Ru和CoFe層的層疊結(jié)構(gòu)組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求3的磁頭,其中所述自由磁性層由包括CoFe和NiFe層的層疊結(jié)構(gòu)組成。
8.一種包括自旋閥傳感器的磁頭,包括在基底上構(gòu)造的磁屏蔽層(S1);在所述S1層上構(gòu)造的第一電絕緣層(G1);設(shè)置在所述G1層上的自旋閥傳感器結(jié)構(gòu);其中所述自旋閥傳感器結(jié)構(gòu)包括在所述G1層上構(gòu)造的籽晶層,設(shè)置在所述籽晶層上的反鐵磁層,設(shè)置在所述反鐵磁層上的被釘扎磁性層,設(shè)置在所述被釘扎磁性層上的隔離層,以及設(shè)置在所述隔離層上的自由磁性層;以及其中所述被釘扎磁性層形成有等離子體平滑的上表面,并且所述隔離層由CuOx組成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的磁頭,其中存在跨越所述隔離層的磁耦合場,具有從約-5到-15Oe的耦合場強度,所述隔離層形成有約16到約20的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的磁頭,其中所述耦合場強度為約-10Oe,所述隔離層厚度約17。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的磁頭,其中所述被釘扎磁性層由CoFe組成。
12.根據(jù)權(quán)利要求9的磁頭,其中所述自由磁性層由NiFe組成。
13.根據(jù)權(quán)利要求9的磁頭,其中所述被釘扎磁性層由包括CoFe、Ru和CoFe層的層疊結(jié)構(gòu)組成。
14.根據(jù)權(quán)利要求9的磁頭,其中所述自由磁性層由包括CoFe和NiFe層的層疊結(jié)構(gòu)組成。
15.一種硬盤驅(qū)動器,包括含自旋閥傳感器的磁頭,所述磁頭包括在基底上構(gòu)造的磁屏蔽層(S1);在所述S1層上構(gòu)造的第一電絕緣層(G1);設(shè)置在所述G1層上的自旋閥傳感器結(jié)構(gòu);其中所述自旋閥傳感器結(jié)構(gòu)包括在所述G1層上構(gòu)造的籽晶層,設(shè)置在所述籽晶層上的反鐵磁層,設(shè)置在所述反鐵磁層上被釘扎磁性層,設(shè)置在所述被釘扎磁性層上的隔離層,以及設(shè)置在所述隔離層上的自由磁性層;其中所述被釘扎磁性層形成有等離子體平滑的上表面,并且所述隔離層由CuOx組成。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的包括磁頭的硬盤驅(qū)動器,其中存在跨越所述隔離層的磁耦合場,具有從約-5到-15Oe的耦合場強度,所述隔離層形成有約16到約20的厚度。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的包括磁頭的硬盤驅(qū)動器,其中所述耦合場強度約-10Oe,所述隔離層厚度約17。
18.根據(jù)權(quán)利要求15的包括磁頭的硬盤驅(qū)動器,其中所述被釘扎磁性層由CoFe組成。
19.根據(jù)權(quán)利要求15的包括磁頭的硬盤驅(qū)動器,其中所述自由磁性層由NiFe組成。
20.根據(jù)權(quán)利要求15的包括磁頭的硬盤驅(qū)動器,所述被釘扎磁性層由包括CoFe、Ru和CoFe層的層疊結(jié)構(gòu)組成。
21.根據(jù)權(quán)利要求15的包括磁頭的硬盤驅(qū)動器,其中所述自由磁性層由包括CoFe和NiFe層的層疊結(jié)構(gòu)組成。
22.一種包括讀取傳感器的磁頭的構(gòu)造方法,包括以下步驟淀積被釘扎磁性層;用氬氣加氧氣等離子體平滑所述被釘扎磁性層的上表面;在所述被釘扎磁性層的所述上表面上淀積隔離層;在所述隔離層上淀積自由磁性層。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的磁頭的構(gòu)造方法,其中所述氬氣加氧氣等離子體包括濃度從約0.05%到約0.6%的氧氣。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的磁頭的構(gòu)造方法,其中所述氬氣加氧氣等離子體使用約1×10-3乇到約3×10-3乇的壓力,氧氣的分壓從約0.5×10-6乇到約6×10-6乇。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的磁頭的構(gòu)造方法,其中所述隔離層形成有從約16到約20的厚度。
26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的磁頭的構(gòu)造方法,其中存在跨越所述隔離層的磁耦合場,具有從約-5到-15Oe的耦合場強度,所述隔離層形成有約16到約20的厚度。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的磁頭的構(gòu)造方法,其中所述氬氣加氧氣等離子體使用約1×10-3乇到約3×10-3乇的壓力,氧氣的分壓從約0.5×10-6乇到約6×10-6乇。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的磁頭的構(gòu)造方法,其中所述隔離層形成有從約16到約20的厚度。
全文摘要
本申請涉及通過被釘扎磁性層的等離子體平滑增強的GMR磁頭信號。具體地,一種具有含傳感器疊層的自旋閥傳感器的磁頭,所述疊層包括被釘扎磁性層、形成在被釘扎磁性層上的隔離層以及形成在隔離層上的自由磁性層。在優(yōu)選的實施例中,隔離層由CuO
文檔編號H01L43/12GK1504994SQ20031011492
公開日2004年6月16日 申請日期2003年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月13日
發(fā)明者李文揚, 林燦, 丹尼爾·莫里, 亞歷山大·邁克爾·澤爾特瑟, 莫里, 大 邁克爾 澤爾特瑟 申請人:日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司
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