專利名稱：真空蒸鍍裝置及用該裝置制造有機el顯示面板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種蒸鍍裝置，尤其涉及一種真空蒸鍍裝置以及用該裝置制造有機EL顯示面板的方法。
背景技術(shù)：
作為在基板上形成薄膜的技術(shù)，現(xiàn)有技術(shù)中有真空蒸鍍法。這種真空蒸鍍法，是在真空蒸鍍槽內(nèi)，在蒸鍍源的對面，配置以基板，而將加熱蒸鍍源所產(chǎn)生的蒸鍍流照射于基板表面，從而在基板上形成蒸鍍材料的薄膜。實行該真空蒸鍍用的真空蒸鍍裝置，其基本構(gòu)成有真空槽、蒸鍍源、加熱·蒸發(fā)裝置以及基板固定器等。作為加熱·蒸發(fā)裝置的可以采用感應(yīng)加熱裝置，它是在蒸鍍源的容器中使用因電磁感應(yīng)會發(fā)熱的材料從而對該容器進行感應(yīng)加熱，或采用電阻加熱裝置，它是在蒸鍍源的容器中使用電阻較高的金屬材料而對該容器通以電流，藉由其發(fā)熱使蒸鍍材料蒸發(fā)，或者是采用電子束·激光束蒸發(fā)裝置，它是對蒸鍍源的蒸鍍材料直接照射電子束或激光束，以其能量使蒸鍍材料蒸發(fā)。
圖1為現(xiàn)有的真空蒸鍍裝置，見專利文獻特開平11-100663號公報。該真空蒸鍍裝置，在真空槽1內(nèi)的底部配置蒸鍍源2，而在真空槽1的頂端以基板固定器4固定著蒸鍍對象的基板3。真空槽1的內(nèi)部被用閥門5連接的真空泵6抽吸成真空狀態(tài)。又，蒸鍍源2由收容蒸鍍材料7的容器8與加熱此容器用的加熱·蒸發(fā)手段所構(gòu)成。
在蒸鍍源2與基板3之間配置有準直儀(collimator)9。該準直儀9僅使朝向基板的略直線流動的蒸鍍流通過，是一種抑制蒸鍍流擴散的儀器，且在與連接于蒸鍍源2和基板固定器3的中心的連接線平行的方向上形成有貫通孔9A。
現(xiàn)有的真空蒸鍍裝置，由于蒸鍍流間設(shè)有準直儀9，可限定蒸鍍流的方向，具有使蒸鍍流相對于基板作垂直照射的優(yōu)點。
但是，不經(jīng)過貫通孔9A而被準直儀9阻塞進路的蒸鍍流，回到真空槽1的底面的一側(cè)后堆積在此底面上。因此，在基板3上形成薄膜的材料僅為自蒸鍍源蒸發(fā)出的材料的極小一部分，而大部分僅放出到真空槽1中，不被利用而被廢棄。因此，不僅無法有效利用蒸鍍材料，且在同一真空層內(nèi)，當蒸鍍不同材料時，殘留于真空層內(nèi)的材料，在其它材料形成薄膜時會成為不純物而混入，使成形薄膜的品質(zhì)降低。
在使用現(xiàn)有的真空蒸鍍裝置實行薄膜形成時，特別是使用昂貴的有機材料在基板上的各發(fā)光色領(lǐng)域形成不同的多層有機層這種有機EL顯示面板的制造過程中，此問題更加突出。
另外，在現(xiàn)有的真空蒸鍍裝置中，從蒸鍍源2向外擴散的蒸鍍流越多，則該蒸鍍流受準直儀9阻礙的情況也越嚴重。因此想要在大面積的基板的整個面上形成薄膜時，比起中心部分，其四周部分上的膜厚將變薄，無法實現(xiàn)均勻的蒸鍍。
發(fā)明內(nèi)容
綜上所述，為了解決現(xiàn)有的真空蒸鍍裝置成形薄膜的品質(zhì)降低以及無法均勻蒸鍍的問題，本發(fā)明提供了一種能夠提高蒸鍍材料的利用率與提高形成薄膜之品質(zhì)的、并且能對大面積的基板實行均勻蒸鍍的裝置。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明具有以下之構(gòu)成。
即，本發(fā)明為一種真空蒸鍍裝置，其特征在于該真空蒸鍍裝置包含有由積層的框體所構(gòu)成的蒸鍍源，該框體的最底層形成有收容有機材料并將該有機材料加熱蒸發(fā)的加熱部，而前述框體的其它層形成有蒸鍍流控制部，控制自加熱部朝向蒸鍍對象的蒸鍍流之方向。
再者，本發(fā)明的真空蒸鍍裝置之特征在于該真空蒸鍍裝置包含有由積層的框體所構(gòu)成的蒸鍍源，該框體的最底層形成有收容有機材料并將該有機材料加熱蒸發(fā)的加熱部，而前述框體的其它層形成有蒸鍍流控制部，控制自加熱部朝向蒸鍍對象的蒸鍍流之方向，在該蒸鍍流控制部的最上游位置還設(shè)有使所述蒸鍍流均勻化的均勻化層。
又，本發(fā)明為一種有機EL顯示面板的制造方法，即在一對電極間形成有機層的有機EL顯示面板的制造方法；其特征在于在基板表面形成一對電極中的一個；在該形成的電極上要形成前述有機層時，使用一真空蒸鍍裝置，該真空蒸鍍裝置包含有由積層的框體所構(gòu)成的蒸鍍源，該框體的最底層形成有收容有機材料并將該有機材料加熱蒸發(fā)的加熱部，而前述框體的其它層形成有蒸鍍流控制部，控制自加熱部朝向蒸鍍對象的蒸鍍流之方向。
再者，本發(fā)明的有機EL顯示面板的制造方法之特征在于在基板表面形成一對電極中的一個；在該形成的電極上要形成前述有機層時，使用一真空蒸鍍裝置，該真空蒸鍍裝置包含有由積層的框體所構(gòu)成的蒸鍍源，該框體的最底層形成有收容有機材料并將該有機材料加熱蒸發(fā)的加熱部，而前述框體的其它層形成有蒸鍍流控制部，控制自加熱部朝向蒸鍍對象的蒸鍍流之方向，并且在該蒸鍍流控制部的最上游位置上還設(shè)有使所述的蒸鍍流均勻化的均勻化層。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)的真空蒸鍍裝置的示意圖。
圖2為根據(jù)本發(fā)明之第一實施形態(tài)的真空蒸鍍裝置的示意圖。
圖3為根據(jù)本發(fā)明之第二實施形態(tài)的真空蒸鍍裝置的示意圖。
圖4為根據(jù)本發(fā)明之實施例的真空蒸鍍裝置的示意圖(部分剖面圖)。
圖5為根據(jù)本發(fā)明之實施例的真空蒸鍍裝置的蒸鍍流限制層的示意圖。
圖6為本發(fā)明之其他實施例的示意圖。
圖7為均勻化層的更具體之實施例的示意圖。
圖8為真空蒸鍍裝置的分散板的剖面圖。
圖9為本發(fā)明之其他實施例的示意圖。
圖10為本發(fā)明實施例的真空蒸鍍裝置的示意圖，該真空蒸鍍裝置采用蒸鍍源對大面積的基板進行蒸鍍。
圖11為本發(fā)明其他實施例的真空蒸鍍裝置的示意圖，該真空蒸鍍裝置采用蒸鍍源對大面積的基板進行蒸鍍。
具體實施例方式
如圖2所示，由積層框體10A、10B所構(gòu)成的蒸鍍源10，而最低層的框體10A形成加熱部11，加熱部11含有機材料，并將該有機材料加熱蒸發(fā)，而另一層的框體10B形成蒸鍍流控制部12，控制從加熱部11起朝向蒸鍍對象(基板3)的蒸鍍流方向。
以加熱部11蒸發(fā)的有機材料的蒸鍍流被蒸鍍流控制部12控制其方向，因此，僅通過該處的蒸鍍流A朝基板3方向流動。此時，未通過蒸鍍流控制部12的有機材料并不從積層框體10A、10B內(nèi)逸出，因此全部被回收到最低層的框體10A內(nèi)，可有效地利用蒸鍍源的有機材料。積層的更多個框體，可使蒸鍍源的出射口較接近基板，可將自該出射口所放射的蒸鍍流有效地照射在基板上。
如圖3所示，是由積層框體10A～10C所形成的蒸鍍源10，而最低層的框體10A形成加熱部11，加熱部11含有機材料，并將該有機材料加熱蒸發(fā)，而其它層的框體10B、10C形成蒸鍍流控制部12，控制從加熱部11起，朝向蒸鍍對象(基板3)的蒸鍍流方向。而蒸鍍流控制部12在其上游位置上設(shè)有一可將蒸鍍流均勻化的均勻化層12A。
通過設(shè)置均勻化層12A，可在從加熱部11射出的全部領(lǐng)域獲得均勻的蒸鍍流密度，且即使朝向大面積的基板從蒸鍍源10射出大面積的蒸鍍流時，從中心部分到四周都可形成均勻的蒸鍍膜。
均勻化層12A設(shè)有分配板12p、12q、12r，該分配板設(shè)有能切換蒸鍍流方向的數(shù)個引導(dǎo)突起，以及形成于該引導(dǎo)突起間的開口12s1，12s2，12s3。依此，配合前述的特征，朝向均勻化層12A的蒸鍍流被引導(dǎo)突起的傾斜面改變其方向而自開口射出，藉由數(shù)個引導(dǎo)突起的存在，可使蒸鍍流的密度從中心部分到外圍都均勻化。
均勻化層12A設(shè)有多段分配板，且由下端側(cè)擴寬的圓錐形狀的框體所構(gòu)成。設(shè)置多段分配板，可達成更加良好的均勻化目的，并且當蒸鍍大面積的基板而將蒸鍍流的射出領(lǐng)域予以擴大時，也可將加熱部11的開口設(shè)小，而從該處起，藉由下端側(cè)擴大的圓錐形狀的框體將射出開口擴大。
前述均勻化層12A由被加熱手段所加熱的組件構(gòu)成。因此，通過加熱該均勻化層12A可消除附著于均勻化層12A上的未回收的蒸鍍材料，于是可提高有機材料朝向加熱部被回收時的回收率。
蒸鍍流控制部12設(shè)有蒸鍍流限制層，該限制層具有被限制板區(qū)劃的數(shù)個流通區(qū)。因此，可將蒸鍍流的方向限定在沿流通區(qū)域25A上的限制板側(cè)面的方向上，于是可使蒸鍍流A相對于蒸鍍對象的基板3自一定的方向作照射。前述數(shù)個流通區(qū)域可為條狀、格子狀、圓筒狀、錐狀或者蜂窩狀構(gòu)造等形狀。
前述蒸鍍流控制部12之限制板25的至少一部分由可被加熱手段加熱的材料制成，且設(shè)有加熱該限制板的加熱手段。因此，配合前述特征，通過加熱限制板25，可消除附著于限制板25的未能回收的蒸鍍材料，于是可提高把有機材料回收到加熱部時的回收率。
所述的加熱部11在收容上述有機材料的同時還收容由至少一部分會因電磁感應(yīng)而發(fā)熱的材料所形成的填充材料21，該加熱部還包括將該填充材料以電磁感應(yīng)加熱的加熱手段。因此，配合前述特征，被加熱的填充材料分散收容于加熱部11內(nèi)，可將加熱部內(nèi)的有機材料均勻加熱，可使從加熱部射出的蒸鍍流A的分布均勻化。
在加熱部11與蒸鍍流控制部12的層間或者在蒸鍍流控制部上的層間設(shè)置可加熱的網(wǎng)狀的粒子捕獲體30。配合前述特征，通過被加熱部的加熱裝備所加熱的網(wǎng)狀的粒子捕獲體捕獲不純物，因此可在基板3上形成高品質(zhì)的有機材料的薄膜。
蒸鍍源2、10設(shè)置成多個面狀。配合前述特征，對于更大面積的基板3可僅通過一個步驟來形成均勻的薄膜，因此可達到縮短蒸鍍時間之目的。
若干個所述的蒸鍍源2，10被并列排成線狀，該真空蒸鍍裝置還設(shè)置有移動手段用于使蒸鍍源或者蒸鍍對象基板在垂直于其并列方向的方向上移動。通過利用移動手段僅作一個行程的移動，便可對更大面積的基板形成均勻的薄膜，于是可達到縮短蒸鍍時間的目的。
有機EL顯示面板，使用真空蒸鍍裝置所制造出來。通過此種真空蒸鍍裝置，采用高價有機材料在基板上的各發(fā)光色領(lǐng)域形成不同的多層有機層來制造有機EL顯示面板時，原材料可有效利用，于是可降低制造成本。并且還可形成均勻且高品質(zhì)的薄膜，可抑制發(fā)光不均勻現(xiàn)象，及延長顯像裝置的壽命。還可使有機EL顯示面板具有優(yōu)質(zhì)的發(fā)光功能。
一種在一對電極間形成有機層的有機EL顯示面板的制造方法，在基板表面形成一對電極的一方，而在已形成于基板表面的電極上再形成前述有機層時，使用包括蒸鍍源、加熱部以及蒸鍍流控制部的真空蒸鍍裝置。
以加熱部11蒸發(fā)的有機材料的蒸鍍流A被蒸鍍流控制部12控制其方向，通過此處，僅蒸鍍流A朝向蒸鍍對象的基板3，而未通過蒸鍍流控制部12的有機材料因為不從積層框體10A、10B內(nèi)露出，所以可全部被回收至最低層的框體10A內(nèi)。借此，在有機EL顯示面板上形成有機層的有機材料可被有效地利用。又，通過堆積多個框體，可使蒸鍍源的出射口接近基板，從而可使自此出射口所放射的蒸鍍流有效地照射于基板上，因此可提高有機EL顯示面板的制造效率。
一種在一對電極間形成有機層的有機EL顯示面板的制造方法，在基板表面形成一對電極的一方，而在已形成于基板表面的電極上再形成有機層時，使用包括蒸鍍源、加熱部、蒸鍍流控制部以及均勻化層的真空蒸鍍裝置。
通過設(shè)置均勻化層12A，可在從加熱部11射出的全部領(lǐng)域上取得均勻的蒸鍍流密度。且朝向大面積的基板之蒸鍍源10有較大的射出面積時，可從中心部到四周部形成均勻的蒸鍍膜。因此，可有效地均勻地制造出大面積基板的有機EL顯示面板。
以具有前述特征的有機EL顯示面板的制造方法為前提，其中前述加熱部包括有機材料與至少一部分通過電磁感應(yīng)而發(fā)熱的材料所形成的填充材料，以及將該填充材料以電磁感應(yīng)加熱的加熱手段。通過將被加熱的填充材料分散收容在加熱部內(nèi)，可使從加熱部射出的蒸鍍流分布均勻化，從而在制造有機EL顯示面板時可更提高品質(zhì)。
以下參照
本發(fā)明的更具體的實施例。
如圖4所示，在未圖示的真空槽1內(nèi)將蒸鍍源10與蒸鍍對象之基板3面對面設(shè)置。蒸鍍源10由三個積層框體10A、10B、10C所構(gòu)成。在該框體的周圍卷繞著加熱用線圈20。最底層的框體10A形成加熱部，在其上的框體10B、10C形成蒸鍍流控制部12。
加熱部11，框體10A形成收容蒸鍍材料即有機材料B的容器，在該框體10A的容器內(nèi)有填充材料21，該填充材料21由有機材料B與通過電磁感應(yīng)會發(fā)熱的材料組成。另外，在框體10A的內(nèi)面設(shè)有監(jiān)視溫度用的磁性體探測器22。這里所說的框體10A或者填充材料21的材料可作如下說明。即，由通過電磁感應(yīng)會發(fā)熱的材料所形成的填充材料21，可由例如強磁性體的鎳、鐵，磁性不銹鋼，鈷、鎳合金等金屬材料制成?？紤]到耐熱性及防腐蝕性，可使用不銹鋼、黑鉛及氮化鈦等磁性陶瓷。在這種情形下，框體10A的材料為非導(dǎo)電性及非磁性的材料，可使用陶瓷、玻璃、琺瑯以及耐熱性樹脂等。在使用感應(yīng)加熱作為加熱手段時，對填充材料21施以均等的磁場，以此觀點，框體10A的形狀設(shè)為圓筒狀較佳。
蒸鍍流控制部12，框體10B及框體10C的內(nèi)部形成有由限制板25所區(qū)劃的若干個流通區(qū)域25A，從而形成蒸鍍流限制層。限制板25以前述的利用電磁感應(yīng)而發(fā)熱的材料制成，而框體10B及框體10C可用前述的非導(dǎo)電性、非磁性的材料形成，或者也可以將框體10B及框體10C本身用因電磁感應(yīng)會發(fā)熱的材料直接制成。
構(gòu)成該蒸鍍流限制層的若干流通區(qū)域25A可具有各式各樣的形態(tài)，如圖5所示。圖5(a)所示的以縱形的限制板25形成長方形的流通區(qū)劃25A，圖5(b)所示的以橫狀的限制板25形成長方形的流通區(qū)劃25A，圖5(c)所示的以格子狀的限制板25形成正方形或者長方形的流通區(qū)劃25A，圖5(d)所示的以交錯狀的限制板25形成正方形或長方形的流通區(qū)劃25A，圖5(e)所示的以蜂窩構(gòu)造狀的限制板25形成六角形的流通區(qū)劃25A。還可設(shè)成圓柱狀或圓錐狀等形狀的流通區(qū)劃。在此，圖中所示的矩形的框體10B及10C，在使用感應(yīng)加熱的場合，框體10B及框體10C的形狀設(shè)為圓筒狀較佳。
又，通過對加熱用線圈20施加一定頻率(10Hz～100kHz)的交流電流時，使填充材料21發(fā)熱，而將收容在框體10A內(nèi)的有機材料蒸發(fā)。這種利用加熱用線圈20的加熱手段，應(yīng)該按照供給電流量來控制其加熱狀態(tài)。在此，為監(jiān)視加熱狀態(tài)，可設(shè)置磁性體探測器22。
該實施例中，在框體10A的容器中的加熱部11中設(shè)有有機材料B與填充材料21，因?qū)⒋颂畛洳牧暇鹊胤植荚诳蝮w10A內(nèi)，有機材料B被均勻地加熱，這樣，從框體10A的開口就能放射出相等密度的蒸鍍流A。
又，從加熱部11放射出的蒸鍍流A，在蒸鍍流控制部12中被限制其方向，且在從蒸鍍流控制部12的上部開口射出之前不會從連續(xù)積層的框體10A～10C泄出。這樣，使蒸鍍流的方向被限制，未從上部開口射出的蒸鍍流全部被回收至最底部的框體10A內(nèi)，從而使得昂貴的有機材料不會浪費地放射在真空槽內(nèi)。
又，被蒸鍍流控制部12限制方向而射出的蒸鍍流A多數(shù)是朝同方向出射，即朝向作為蒸鍍對象的基板3，因此，即使是微細圖案的罩體也可以形成高精細的薄膜。再者，通過加寬蒸鍍流控制部12的開口，可更大范圍地形成均勻的蒸鍍膜。
又，因為在真空槽內(nèi)不會放出將被浪費的有機材料，因此即使在相同的真空層內(nèi)蒸鍍不同材料時，亦不會有殘留材料混入薄膜內(nèi)而降低成形膜的質(zhì)量。
蒸鍍流控制部12內(nèi)的限制板25或者框體10B、10C被加熱，故附著在限制板或者框體上的蒸鍍材料可被回收至加熱部11內(nèi)。
圖6為本發(fā)明的其它實施例的示意圖。在此，僅對蒸鍍源10作說明，而真空蒸鍍裝置的其它構(gòu)成則與前述相同。此例的蒸鍍源10由圓筒狀的框體10A、10C與圓錐形的框體10B所構(gòu)成。在框體10C上的若干個流通區(qū)域25A設(shè)為圓柱形狀。加熱部11的構(gòu)造與前述實施例的相同，蒸鍍流控制部12的構(gòu)成材料也與前述的實施例相同。因為通過電磁感應(yīng)而實行加熱，故在框體10A～10C的周圍卷繞有加熱用線圈20。
作為該實施例的特征，是使蒸鍍流控制部12的最上游的框體10B所構(gòu)成的層成為朝向下游側(cè)擴大的圓錐狀的框體，從而形成均勻化層。均勻化層12A將加熱部11射出的蒸鍍流的方向隨機地變更，而在該均勻化層12A的射出階段就可獲得遍及出射口全域的均勻的蒸鍍流密度。又，由于下游側(cè)為擴大的圓錐形狀，可使出射口擴大，從而可實現(xiàn)對大面積基板的蒸鍍。
圖7，為此均勻化層12A的更具體的實施例。在形成均勻化層12A的框體10B內(nèi)配置多段的分配板12p，12q，12r。此分配板12p，12q，12r其外徑階段性地減小，被平行配置于框體10B的自上游至下游之間。各分配板12p，12q，12r上分別形成有多個的開口12s1，12s2，12s3，這樣的開口12s1，12s2，12s3不只限定于圓形，大小也可以有所不同，配置在多段(3段)的分配板上，以使開口位置不重疊的方式為較佳。此分配板的材料可以是因電磁感應(yīng)會發(fā)熱的材料，接受加熱用線圈20的加熱作用而發(fā)熱，且可防止產(chǎn)生塞孔現(xiàn)象。
圖8為分配板12q(12p，12r)的X-X剖面圖。此分配板12q(12p，12r)上形成有朝上游側(cè)方向突出的引導(dǎo)突起12t，在該引導(dǎo)突起12t的間隙形成開口12q(12p，12r)。引導(dǎo)突起12t具有可將蒸鍍流導(dǎo)引至開口12q(12p，12r)的錐狀面。沿此錐狀面的蒸鍍流，經(jīng)過這些開口時可將蒸鍍流的方向作隨機切換。于是，在蒸鍍流通過分配板12p、12q、12r時，蒸鍍流方向可被隨機變更，在均勻化層12A的出射開口上，整個開口領(lǐng)域可得到均一的蒸鍍流密度。
該實施例的真空蒸鍍裝置因具備有前述的構(gòu)成，除前述實施例的特征外，相對于大面積的基板，在使蒸鍍源10具有寬闊的出射面積時，自中心部到外圍可形成均勻的蒸鍍膜。
如圖9，蒸鍍源10的框體10A與框體10B的間隙設(shè)有粒子捕獲體30。此粒子捕獲體30在成為加熱部11的框體10A的正上方時十分有效，然而并不限定于此，也可設(shè)置在積層框體層間的任一層上。依本發(fā)明，蒸鍍源10因以積層的框體形成，故可以在該框體的層間配置粒子捕獲體30，其構(gòu)造上可簡單配置。
此粒子捕獲體30可由通過電磁感應(yīng)而發(fā)熱的網(wǎng)眼形狀的金屬材料制成，以捕獲從加熱部11飛出成粒子狀的蒸鍍材料，將加熱部11以高溫加熱欲提高蒸鍍速度時，蒸鍍材料成粒子狀自加熱部11飛出的噴流將變多。這種粒子狀的蒸鍍材料在附著于基板上后，將降低蒸鍍膜的均一性，因而將降低成形薄膜的品質(zhì)。為防止此現(xiàn)象，需設(shè)置粒子捕獲體30捕獲粒子狀的蒸鍍材料，又，通過加熱粒子捕獲體30，可將粒子狀的蒸鍍材料回收至加熱部11。
圖10是使用前述實施例的蒸鍍源10對大面積的基板實行蒸鍍的真空蒸鍍裝置的示意圖。將若干個蒸鍍源10并列成線狀，形成蒸鍍源集合體40，并設(shè)置將此蒸鍍源集合體40按垂直于其并列方向的方向(圖中箭頭方向)移動的移動手段，對基板3用遮蔽罩50實行蒸鍍。通過蒸鍍源集合體40的移動，即可實行基板全體的蒸鍍，因此可達到將蒸鍍時間縮短的目的。
圖11是使用前述實施例的蒸鍍源10實行大面積基板的蒸鍍的真空蒸鍍裝置之示意圖。如圖所示，若干個蒸鍍源10呈矩陣狀，而形成蒸鍍源集合體60，是對大面積的基板實行一次性蒸鍍的裝置。蒸鍍源10的配置并不需要特別緊密，考慮到蒸鍍流的分布，可以適當?shù)拈g隔來配置。采用具有N×M個蒸鍍源10的蒸鍍源集合體60的一道工序即可將基板全體蒸鍍，因此可大幅度縮短蒸鍍時間。
圖10及圖11中，蒸鍍源10的加熱用線圈，可設(shè)置在各個蒸鍍源上，而蒸鍍源集合體40或60的整體被予以卷包也可。在各蒸鍍源10設(shè)置加熱用線圈的場合，因可個別控制各個蒸鍍源的加熱狀態(tài)，所以可在大面積的基板上部分地形成符合要求的成膜狀態(tài)的薄膜。
采用本實施例的真空蒸鍍裝置，可有效地制造出有機EL顯示面板，特別是制造由大面積面板所構(gòu)成的有機EL顯示面板。有機EL顯示面板在陽極與陰極之間形成電洞輸送層、發(fā)光層以及電子輸送層等有機薄膜層。然而，本發(fā)明實施例所涉及的真空蒸鍍裝置所蒸鍍的有機材料為形成這些有機薄膜層的至少一種有機材料。
真空蒸鍍裝置所蒸鍍的前述有機材料，例如作為形成電洞輸送層的材料，包括有三(8-quinolinolat)鋁配位化合物、二(苯并quinolinolat)氦配位化合物、三(二苯甲?；谆?菲咯啉銪配位化合物等，而作為形成電子輸送層的材料可舉出1，3，4-惡唑衍生物、1，2，4-三唑衍生物等，但并不只特別限定于此，只要是能形成有機EL顯示面板的有機功能層的材料皆可適用。又，如彩色顯示面板，在實行有機材料的多元蒸鍍時的正確的蒸鍍流控制，在使用本發(fā)明涉及的真空蒸鍍裝置十分有效。
又，如前所述的對蒸鍍源10全體卷繞加熱用線圈20，但不限定于此，加熱用線圈20可僅形成于加熱部11的框體周圍，而其它框體則通過來自加熱部11的熱傳導(dǎo)實行加熱即可。本發(fā)明的各實施例因通過積層的框體形成蒸鍍源10，故可使加熱部11至蒸鍍流控制部12的熱傳導(dǎo)迅速進行。
又，在上述實施例中，對蒸鍍源10的全體卷繞單一的加熱用線圈20，而在各個框體10A～10C上的獨立的加熱用線圈可對應(yīng)框體10A～10C的功能進行個別地控制加熱。此場合，前述的磁性體探測器22可配備在各框體10A～10C。
上述本發(fā)明的各個實施例因為具有上述特征，所以可獲得以下效果(1)可提高蒸鍍材料的利用率，(2)可提高成形薄膜的質(zhì)量，(3)可對大面積基板實行均勻的蒸鍍。
權(quán)利要求
1.一種真空蒸鍍裝置，其特征在于該真空蒸鍍裝置包含有由積層的框體所構(gòu)成的蒸鍍源，該框體的最底層形成有收容有機材料并將該有機材料加熱蒸發(fā)的加熱部，而前述框體的其它層形成有蒸鍍流控制部，控制自加熱部朝向蒸鍍對象的蒸鍍流之方向。
2.一種真空蒸鍍裝置，其特征在于該真空蒸鍍裝置包含有由積層的框體所構(gòu)成的蒸鍍源，該框體的最底層形成有收容有機材料并將該有機材料加熱蒸發(fā)的加熱部，而前述框體的其它層形成有蒸鍍流控制部，控制自加熱部朝向蒸鍍對象的蒸鍍流之方向，在該蒸鍍流控制部的最上游位置還設(shè)有使所述蒸鍍流均勻化的均勻化層。
3.如權(quán)利要求2所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于所述的均勻化層具有分配板，而該分配板設(shè)有切換前述蒸鍍流方向的導(dǎo)引突起以及形成于該導(dǎo)引突起間的開口。
4.如權(quán)利要求3所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于所述的均勻化層設(shè)有多段前述分配板，且由朝向下游側(cè)擴大的圓錐形狀的框體所構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求2～4之任何一項所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于所述的均勻化層包含有加熱組件。
6.如權(quán)利要求1～5之任何一項所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于所述的蒸鍍流控制部設(shè)有蒸鍍流限制層，該限制層含有被限制板所劃分的若干流通區(qū)域。
7.如權(quán)利要求6所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于其中，上述蒸鍍流控制部的限制板之至少一部分由可被加熱手段加熱的材料所形成，而該蒸鍍流控制部具有加熱這些限制板的加熱手段。
8.如權(quán)利要求1～7之任何一項所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于其中，所述的加熱部在收容上述有機材料的同時還收容由至少一部分會因電磁感應(yīng)而發(fā)熱的材料所形成的填充材料，該加熱部還包括將該填充材料以電磁感應(yīng)加熱的加熱手段。
9.如權(quán)利要求1～8之任何一項所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于其中，所述的加熱部與蒸鍍流控制部的層間或者是在蒸鍍流控制部的層間設(shè)有可加熱的網(wǎng)狀的粒子捕獲體。
10.如權(quán)利要求1～9之任何一項所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于其中，所述的蒸鍍源被配置在復(fù)數(shù)個平面上。
11.如權(quán)利要求1～9之任何一項所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于其中，若干個所述的蒸鍍源被并列排成線狀，該真空蒸鍍裝置還設(shè)置有移動手段用于使蒸鍍源或者蒸鍍對象基板在垂直于其并列方向的方向上移動。
12.采用權(quán)利要求第1～11之任一項所述的真空蒸鍍裝置制造的一種有機EL顯示面板。
13.一種有機EL顯示面板的制造方法，即在一對電極間形成有機層的有機EL顯示面板的制造方法；其特征在于在基板表面形成一對電極中的一個；在該形成的電極上要形成前述有機層時，使用一真空蒸鍍裝置，該真空蒸鍍裝置包含有由積層的框體所構(gòu)成的蒸鍍源，該框體的最底層形成有收容有機材料并將該有機材料加熱蒸發(fā)的加熱部，而前述框體的其它層形成有蒸鍍流控制部，控制自加熱部朝向蒸鍍對象的蒸鍍流之方向。
14.一種有機EL顯示面板的制造方法，即在一對電極間形成有機層的有機EL顯示面板的制造方法；其特征在于在基板表面形成一對電極中的一個；在該形成的電極上要形成前述有機層時，使用一真空蒸鍍裝置，該真空蒸鍍裝置包含有由積層的框體所構(gòu)成的蒸鍍源，該框體的最底層形成有收容有機材料并將該有機材料加熱蒸發(fā)的加熱部，而前述框體的其它層形成有蒸鍍流控制部，控制自加熱部朝向蒸鍍對象的蒸鍍流之方向，并且在該蒸鍍流控制部的最上游位置上還設(shè)有使所述的蒸鍍流均勻化的均勻化層。
15.如權(quán)利要求13或14所述的有機EL顯示面板的制造方法，其特征在于所述的加熱部在收容上述有機材料的同時還收容由至少一部分會因電磁感應(yīng)而發(fā)熱的材料所形成的填充材料，該加熱部還包括將該填充材料以電磁感應(yīng)加熱的加熱手段。
全文摘要
一種真空蒸鍍裝置及用該裝置制造有機EL顯示面板的方法，該真空蒸鍍裝置包含有由積層的框體所構(gòu)成的蒸鍍源，該框體的最底層形成有收容有機材料并將該有機材料加熱蒸發(fā)的加熱部，而前述框體的其它層形成有蒸鍍流控制部，控制從加熱部起到蒸鍍對象的蒸鍍流方向；在一對電極間形成有機層的有機EL顯示面板的制造方法，在基板表面形成一對電極中的一個；在該形成的電極上要形成前述有機層時使用上述真空蒸鍍裝置，使用該真空蒸鍍裝置可提高蒸鍍材料的利用效率；可提高所形成的薄膜的品質(zhì)；對于大面積的面板可實行均勻的蒸鍍。
文檔編號H01L51/05GK1500904SQ20031010170
公開日2004年6月2日 申請日期2003年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月21日
發(fā)明者澤田恭彥, 結(jié)城敏尚, 村山竜史, 尾越國三, 石井和男, 三, 史, 尚, 男 申請人:日本東北先鋒公司, 新日鐵化學(xué)株式會社