專(zhuān)利名稱(chēng):Tft背電極電子紙顯示模組的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種TFT背電極電子紙顯示模組，包括從上至下依次層疊設(shè)置的一離心膜、一上電極基板、一ITO導(dǎo)電膜、一電子墨水層、一膠水層和一底板背電極，所述底板背電極為碳納米管材料制成的TFT晶體管。其底板背電極采用碳納米管材料，消除了短溝效應(yīng)，底板背電極的響應(yīng)速度快，效率高，通常碳納米管的電流密度比一般金屬要高四個(gè)數(shù)量級(jí)，可以減小集成電路的尺寸，散熱效果好，生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單，這些優(yōu)越的性能可以促使碳納米管取代傳統(tǒng)半導(dǎo)體硅材料來(lái)制作場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
【專(zhuān)利說(shuō)明】TFT背電極電子紙顯示模組

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種TFT背電極電子紙顯示模組。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，現(xiàn)有的電子紙模組的底板背電極是由硅材料制作而成，但以硅材料制作的半導(dǎo)體集成電路加工精度已經(jīng)接近極限尺寸，而且，對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料制作的CMOS晶體管尺寸較大，進(jìn)一步減小尺寸會(huì)由于到達(dá)物理學(xué)極限而引起諸多問(wèn)題，如量子漲落和散熱等問(wèn)題，會(huì)影響芯片性能的穩(wěn)定；提高集成度的成本越來(lái)越高，市場(chǎng)將難以承受，而且散熱效果不好，生產(chǎn)工藝復(fù)雜。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種集成電路尺寸小、散熱效果好和生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單的TFT背電極電子紙顯示模組。
[0004]本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種TFT背電極電子紙顯示模組，包括從上至下依次層疊設(shè)置的一離心膜、一上電極基板、一 ITO導(dǎo)電膜、一電子墨水層、一膠水層和一底板背電極，所述底板背電極為碳納米管材料制成的TFT晶體管。
[0005]本實(shí)用新型提供的TFT背電極電子紙顯示模組，其底板背電極采用碳納米管材料，與現(xiàn)有技術(shù)相比，有以下優(yōu)點(diǎn):1、具有與硅材料明顯不同的電特征，載流子的傳輸是一維的，意味著載流子散射的相空間減小，產(chǎn)生彈道傳輸和使相應(yīng)功耗降低；2、C原子的所有化學(xué)鍵完整，不需要像硅表面由于存在懸掛鍵而需化學(xué)鈍化，這意味著底板背電極不必一定使用二氧化硅作為絕緣體，而是可以使用其他高介質(zhì)常數(shù)和晶體的絕緣體進(jìn)行三維結(jié)構(gòu)的制作；3、強(qiáng)共價(jià)鍵使碳納米管具有高的機(jī)械和熱穩(wěn)定性和抗電遷移性，目前可以承受高達(dá)6A/cm2的電流密度；4、碳納米管的直徑不是由常規(guī)工藝制作，而是化學(xué)工藝控制；5、有源器件和互連可以分別采用半導(dǎo)體性和金屬性碳納米管來(lái)制作。另外，半導(dǎo)體性碳納米管具有接近自然界材料理論上的最高電子遷移率和機(jī)械強(qiáng)度，用碳納米管做成的晶體管有很多傳統(tǒng)晶體管所不能比擬的優(yōu)點(diǎn)，消除了短溝效應(yīng)，底板背電極的響應(yīng)速度快，效率高。通過(guò)碳納米管的電流密度比一般金屬要高四個(gè)數(shù)量級(jí)，這些優(yōu)越的性能可以促使碳納米管取代傳統(tǒng)半導(dǎo)體硅材料來(lái)制作場(chǎng)效應(yīng)晶體管。本實(shí)用新型提供的TFT背電極電子紙顯示模組，其底板背電極采用碳納米管材料，可以減小集成電路的尺寸，散熱效果好，生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單。

【附圖說(shuō)明】

[0006]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0007]圖1是本實(shí)用新型提供的TFT背電極電子紙顯示模組示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0008]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0009]如圖1所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種TFT背電極電子紙顯示模組，包括從上至下依次層疊設(shè)置的一離心膜1、一上電極基板2、一 ITO導(dǎo)電膜3、一電子墨水層4、一膠水層5和一底板背電極6，底板背電極6為碳納米管材料制成的TFT晶體管。
[0010]本實(shí)用新型的工作原理為:首先，在上電極基板2的上表面設(shè)置一層離心膜1，離心膜I主要用于保護(hù)上電極基板2，起到防塵的作用，還能避免上電極基板2表面被硬物劃傷，從而延長(zhǎng)TFT背電極電子紙顯示模組的使用壽命；然后，在上電極基板2的下表面鍍上一層ITO導(dǎo)電膜3，形成ITO上電極，其作用是通電后與底板背電極6形成電場(chǎng)；接著，在ITO導(dǎo)電膜3下設(shè)置電子墨水層4，電子墨水層4自身是具有粘附性的懸浮物，可通過(guò)涂覆工藝，把電子墨水層4涂覆在ITO導(dǎo)電膜3上；再在電子墨水層4上涂覆一層具有粘連性的膠水層5，便于與底板背電極貼合；最后通過(guò)翻蓋貼合機(jī)將膠水層5與底板背電極6緊密貼合。
[0011]TFT背電極電子紙顯示模組通電后，ITO上電極與底板背電極6之間形成電壓，通過(guò)底板背電極6電流大小來(lái)控制每個(gè)TFT晶體管與ITO上電極形成電壓的不同，從而在微觀上控制電子墨水層4內(nèi)的正、負(fù)電微粒呈現(xiàn)不同方向和不同程度的轉(zhuǎn)動(dòng)，TFT背電極電子紙顯示模組即可顯示不同圖形。
[0012]本實(shí)用新型提供的TFT背電極電子紙顯示模組，其底板背電極6采用碳納米管材料，與現(xiàn)有技術(shù)相比，有以下優(yōu)點(diǎn):1、具有與硅材料明顯不同的電特征，載流子的傳輸是一維的，意味著載流子散射的相空間減小，產(chǎn)生彈道傳輸和使相應(yīng)功耗降低；2、C原子的所有化學(xué)鍵完整，不需要像硅表面由于存在懸掛鍵而需化學(xué)鈍化，這意味著底板背電極5不必一定使用二氧化硅作為絕緣體，而是可以使用其他高介質(zhì)常數(shù)和晶體的絕緣體進(jìn)行三維結(jié)構(gòu)的制作；3、強(qiáng)共價(jià)鍵使碳納米管具有高的機(jī)械和熱穩(wěn)定性和抗電遷移性，目前可以承受高達(dá)6A/cm2的電流密度；4、碳納米管的直徑不是由常規(guī)工藝制作，而是化學(xué)工藝控制；5、有源器件和互連可以分別采用半導(dǎo)體性和金屬性碳納米管來(lái)制作。另外，半導(dǎo)體性碳納米管具有接近自然界材料理論上的最高電子遷移率和機(jī)械強(qiáng)度，用碳納米管做成的晶體管有很多傳統(tǒng)晶體管所不能比擬的優(yōu)點(diǎn)，消除了短溝效應(yīng)，底板背電極6的響應(yīng)速度快，效率高。通過(guò)碳納米管的電流密度比一般金屬要高四個(gè)數(shù)量級(jí)，這些優(yōu)越的性能可以促使碳納米管取代傳統(tǒng)半導(dǎo)體硅材料來(lái)制作場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
[0013]綜上所述，本實(shí)用新型提供的TFT背電極電子紙顯示模組，其底板背電極6采用碳納米管材料，可以減小集成電路的尺寸，散熱效果好，生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單。
[0014]以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT背電極電子紙顯示模組，其特征在于，包括從上至下依次層疊設(shè)置的一離心膜、一上電極基板、一 ITO導(dǎo)電膜、一電子墨水層、一膠水層和一底板背電極,所述底板背電極為碳納米管材料制成的TFT晶體管。
【文檔編號(hào)】H01L27-12GK204289447SQ201420695669
【發(fā)明者】廖承龍, 謝杰 [申請(qǐng)人]江西合力泰科技有限公司