專利名稱：電子槍組件用電阻器以及陰極射線管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及裝在陰極射線管上電子槍構(gòu)架用電阻器，特別是有關(guān)將按規(guī)定的電阻分壓比分壓的電壓加在電子槍組件具有的柵極電極上用的電子槍組件用電阻器及內(nèi)裝該電阻器的陰極射線管。
背景技術(shù)：
通常彩色電視接收機等使用的陰極射線管具備朝著面板射出電子束的電子槍組件。該電子槍組件具有多個柵極電極，除了外加陽極電壓的陽極以外，還有外加較高電壓的各種柵極電壓。
在這樣構(gòu)成的陰極射線管中，如從陰極射線管的管座對各柵極電極施加高壓，在耐壓上會產(chǎn)生問題。由此，在陰極射線管內(nèi)和電子槍組件一起還組裝入電壓分壓用電阻器，作為電子槍組件用電阻器(以后簡稱為電阻器)。該電阻器以規(guī)定的電阻分壓比將陽極電壓分壓，對各個柵極電極供給所需的電壓。
這樣的電阻器在絕緣基板上具備由低電阻材料形成的電極元件、及由與電極元件相同材料系列的高電阻材料形成的電阻元件。電極元件的一部分及電阻元件被絕緣被覆層覆蓋。金屬端子組成的端子部和電極元件電氣連接，并鉚接固定在絕緣基板上設(shè)置的通孔中。
這種外加高壓的陰極射線管，為了提高其耐壓性能，在其制造過程中，實施耐壓處理。該耐壓處理工序中，施加具有通常工作電壓的2至3倍左右的峰值電壓(60至70千伏)的脈沖狀交流高壓。據(jù)此，通過使其產(chǎn)生強制放電，除去將會導(dǎo)致耐壓性能下降的各種柵極電極的毛刺或附著物。
配置在高真空中的電阻器，因為電極元件的邊緣用絕緣被覆層覆蓋，所以形成三重接合。因此，在上述那樣的陰極射線管中，一加上高電壓，電場就集中于電極元件的邊緣。結(jié)果，在三重接合部附近，通過吸附在陰極射線管內(nèi)部的物質(zhì)表面的氣體等，電子或正離子激烈反應(yīng)，由于這一撞擊，使部分電極元件產(chǎn)生剝落。另外，在三重接合部分，不僅電極元件，在其正上方的絕緣被覆層也會剝落。
這樣剝落的部分在陰極射線管內(nèi)浮游，引起蔭罩孔阻塞。又由于電極元件的剝落，也可能會甚至殃及和電極元件連接的電阻元件。最壞時可能會致使電極元件斷線。再有，在電極元件部分剝落時，未剝落的剩余的部分作為陰極點在陰極射線管工作中可能會產(chǎn)生放電。由于過多的電流通過電阻器流入供給電壓的柵極電極，不能對柵極電極穩(wěn)定供給所需的電壓，所以這就成為引起陰極射線管聚焦不良的原因。
這樣，已有結(jié)構(gòu)的陰極射線管上就有可能存在電極元件的邊緣剝落、電阻元件損壞、剝落后的邊緣剩余部分處產(chǎn)生放電等現(xiàn)象。
作為對應(yīng)的措施，例如根據(jù)特開平6-68811號公報提出一種方法，它用比遠(yuǎn)離電極元件的部位的膜厚要薄的絕緣被覆層，來覆蓋與電極元件的邊緣相當(dāng)?shù)闹苓叢糠帧５?，在這樣構(gòu)成的陰極射線管中，因薄薄的絕緣被覆層下也存在電極元件，故就形成三重接合，在耐壓處理中，電極元件部分剝落等上述問題無法完全解決發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于上述問題而提出，其目的在于提供一種即使在外加高電壓的情況下也不會破損、并且可靠性高的電子槍組件用電阻器及內(nèi)裝該電阻器的陰極射線管。
本申請第一形態(tài)的電子槍構(gòu)成用電阻器，包括絕緣基板、在所述絕緣基板上呈島狀形成的多個電極元件、在所述電極元件之間連接并同時為了獲得規(guī)定的電阻值而設(shè)置的電阻元件、及具有所述電極元件與接觸的凸緣部并分別與所述電極元件電氣連接的多個金屬端子，在設(shè)至少一個所述電極元件的外形尺寸為L1、與外形尺寸L1的所述電極元件連接的所述金屬端子凸緣部的外形尺寸為L2時，設(shè)定成具有L1≤L2的關(guān)系。
本申請第二形態(tài)的陰極射線管，包括玻屏、與所述玻屏一體接合的玻錐、形成于所述玻屏內(nèi)表面的熒光屏、及配置在所述玻錐的管頸內(nèi)并朝所述熒光屏射出電子束的具有多個柵極電極的電子槍組件、以及與所述電子槍組件一起設(shè)置在所述管頸內(nèi)并將按照規(guī)定的電阻分壓比分壓后的電壓加在至少一個所述柵極電極上用的電子槍組件用電阻器，所述電子槍組件用電阻器包括絕緣基板、所述絕緣基板上呈島狀形成的多個電極元件、在所述電極元件之間連接并同時為了獲得規(guī)定的電阻值而設(shè)置的電阻元件、及具有與所述電極元件接觸的凸緣部并分別與所述電極元件電氣連接的多個金屬端子，在設(shè)至少一個所述電極元件的外形尺寸為L1、與形尺寸為L1的所述電極元件連接的所述金屬端子凸緣部的外形尺寸為L2時，設(shè)定成具有L1≤L2的關(guān)系。
根據(jù)該電子槍組件用電阻器及陰極射線管，即使產(chǎn)生輝光放電，也能抑制輝光放電產(chǎn)生的放電電流流入電極元件。由此，能防止電極元件絕緣損壞，能保持良好的特性。
本發(fā)明第三種形態(tài)的電子槍組件用電阻器，在將按照規(guī)定的電阻分壓比分壓的電壓加在電子槍組件具有的電極上用的電子槍組件用電阻器中，包括絕緣基板、設(shè)置在所述絕緣基板上的多個電極元件、在所述電極元件之間連接并同時具有獲得規(guī)定阻值用的圖形的電阻元件、覆蓋所述電阻元件的絕緣被覆層、及分別與所述各電極元件相對應(yīng)連接的多個金屬端子，所述金屬端子配置成不使所述電極元件露出，所述絕緣被覆層覆蓋所述金屬端子的周邊，不接觸所述電極元件。
根據(jù)這一電子槍組件用電阻器，金屬端子配置成不使電極元件露出。由此，與電極元件的邊緣相當(dāng)?shù)闹苓吘筒粫慕饘俣俗拥南旅媛冻?。另外，絕緣被覆層不接觸電極元件而隔開配置。因此，即使在高真空下外加高電壓的場合，也不形成三重接合，能消除電極元件的電場集中部分。因而能夠防止電極元件及絕緣被覆層剝落，同時亦能防止與電極元件連接的電阻元件的損壞。另外，能抑制由于電極元件的部分剝落導(dǎo)致以剩余的部分為基點的放電現(xiàn)象的發(fā)生。
另外，根據(jù)該電子槍組件用電阻器，絕緣被覆層配置成被覆將電極元件覆蓋的金屬端子的周邊。即能減少絕緣基板的外露面積。該絕緣基板由于與浮游電子的碰撞等而放出二次電子，將助長放電。因此，通過用絕緣被覆層覆蓋易放出二次電子的絕緣基板，從而能抑制放電現(xiàn)象。


圖1為簡要地表示本發(fā)明一實施形態(tài)涉及的彩色陰極射線管裝置的結(jié)構(gòu)圖。
圖2為簡要地表示適用于圖1所示彩色陰極射線管裝置的電子槍組件的結(jié)構(gòu)圖。
圖3為表示從形成外表部的絕緣被覆層上透視圖2所示電子槍組件所用的電子槍組件用電阻器的狀態(tài)的示意圖。
圖4為表示第一實施例涉及的電子槍組件用電阻器上按照圖3所示的X-X’線切斷時端子B附近的剖面結(jié)構(gòu)圖。
圖5為說明第一實施例的效果用的示意圖，表示電子槍組件用電阻器經(jīng)強制去磁試驗確認(rèn)不合格發(fā)生情況的結(jié)果。
圖6為表示在第一實施例涉及的其它電子槍組件用電阻器中按照圖3所示的X-X’線切斷時的端子部B附近的剖面結(jié)構(gòu)圖。
圖7為表示在第二實施例涉及的電子槍組件用電阻器上按照圖3所示的X-X’線切斷時的端子B附近的剖面結(jié)構(gòu)圖。
圖8為說明第二實施例的效果用的示意圖，表示電子槍組件用電阻器經(jīng)耐壓處理后確認(rèn)不合格發(fā)生情況的結(jié)果。
具體實施例方式
以下參照

本發(fā)明一實施形態(tài)涉及的電子槍組件用電阻器(以后簡稱為電阻器)。
如圖1所示，作為陰極射線管之一例的彩色陰極射線管具有真空管殼30。該真空管殼30有玻屏20、及與該玻屏20接合成一體的玻錐21。該玻屏20略呈矩形，其內(nèi)表面上具有熒光屏22。熒光屏22具有分別發(fā)出藍(lán)、綠、紅的帶狀或點狀的三色熒光層。蔭罩23與熒光屏22相向?qū)χ?，有許多形成于其內(nèi)側(cè)的電子束通過孔(小孔)。
一字型電子槍組件26配置在相當(dāng)于玻錐2 1的細(xì)徑部的園筒形的管頸24內(nèi)。該電子槍組件26沿管軸方向即Z軸方向朝熒光屏22射出三束電子束25B、25G、25R。上述三束電子束由沿同一平面上的水平方向即H軸方向排成一排的中束25G及一對邊束25B、25R組成。
供給高電壓用的陽極端子27設(shè)在玻錐21上。與陽極端子27連接的石墨制的內(nèi)部導(dǎo)電膜28形成于玻錐21的內(nèi)表面。偏轉(zhuǎn)線圈29設(shè)在玻錐21的外側(cè)。該偏轉(zhuǎn)線圈29產(chǎn)生使電子槍組件26射出的三束電子束25B、25G、25R偏轉(zhuǎn)用的不均勻偏轉(zhuǎn)磁場。該偏轉(zhuǎn)線圈29包括產(chǎn)生枕形水平偏轉(zhuǎn)磁場的水平偏轉(zhuǎn)線圈、及產(chǎn)生桶形垂直偏轉(zhuǎn)磁場的垂直偏轉(zhuǎn)線圈。
這樣構(gòu)成的彩色陰極射線管裝置中，電子槍組件26射出的三束電子束25B、25B、25R邊會聚，邊聚焦在熒光屏22的對應(yīng)的熒光層上。另外，上述的三束電子束25B、25G、25R由于偏轉(zhuǎn)線圈29產(chǎn)生的不均勻磁場的作用，在熒光屏22上偏轉(zhuǎn)，沿水平方向H及垂直方向V在熒光屏22上掃描。由此，能在熒光屏22上顯示彩色圖像。
如圖2所示，電子槍組件26具有沿水平方向H呈一排配置的三個陰極K(R、G、B)(圖中只畫出一個)，及沿管軸方向Z配置在同一軸上的多個電極。多個電極即第一柵極電極G1、第二柵極電極G2、第三柵極電極G3、第四柵極電極G4、第五柵極電極(聚焦電極)G5、第六柵極電極(第一中間電極)G6、第七柵極電極(第二中間電極)G7、第八柵極電極(最終加速電極)G8、及會聚電極CG，依次從陰極K向著熒光屏22配置。
上述三個陰極K及第一至第八柵極電極G1至G8，互相保持規(guī)定的位置關(guān)系，利用一對絕緣支持體即條形玻璃2在垂直方向V上夾住，保持成一體。會聚電極CG與第八柵極電極G8焊接，并電氣連接。
第一柵極電極G1及第二柵極電極G2各用板厚較薄的板狀電極形成。另外，第三、四、五、八柵極電極G3、G4、G5、G8分別用多個帽狀電極對接構(gòu)成的一體結(jié)構(gòu)的筒形電極形成。第六、及第七柵極電極G6、及G7用板厚較厚的板狀電極形成。上述各柵極電極都有與三個陰極K對應(yīng)的分別通過三束電子束用的三個電子束通過孔。
電阻器4一并設(shè)置在電子槍組件26的附近。即電阻器4在電子槍組件26的側(cè)面，沿珠狀玻璃2的長度方向配置。該電阻器4以規(guī)定的電阻分壓比對高壓分壓，分壓后的電壓供各柵極電極。該電阻器4的一個端部(高壓側(cè))，通過引出端子6接第八柵極電極。電阻器4的另一端部(低壓側(cè))，通過引出端子7連接管座引腳8A。管座引腳8A及8B在保持管內(nèi)氣密的狀態(tài)下，貫穿將管頸24的端部封接的管座ST。該管座引腳8A直接接地，或在管外通過可變電阻器接地。另外，該電阻器4在其中間部上，具有從一端部側(cè)起依次設(shè)置的三個引出端子5A、5B、5C。各引出端子5A、5B、5C分別與第七柵極電極G7、第六柵極電極G6、第五柵極電極G5連接。
通過管座引腳8B將規(guī)定電壓供給該電子槍組件26的陰極K及各柵極電極。即在陰極K上例如施加將圖像信號疊加在約190V的直流電壓上之后的電壓。另外，第一柵極電極G1接地。第二柵極電極G2上外加約800V的直流電壓。第三柵極電極G3及第五柵極電極G5通過導(dǎo)線3在管內(nèi)電氣連接。第四柵極電極G4上施加在約8至9kV的直流電壓上疊加與電子束偏轉(zhuǎn)同步按拋物線狀變化的交流分量電壓的動態(tài)聚焦電壓。
第八柵極電極G8上外加約30kV的陽極電壓。即，與第八柵極電極G8焊接的會聚電極CG具有多個與內(nèi)部導(dǎo)電膜28壓接的導(dǎo)電彈簧10。陽極電壓通過設(shè)在玻錐21上的陽極端子27、內(nèi)部導(dǎo)電膜28、及導(dǎo)電彈簧10，供給會聚電極CG及第八柵極電極G8。
另外，該陽極電壓通過與會聚電極CG電氣連接的引出端子6，還供給電阻器4。第七柵極電極G7、第六柵極電極G6、及第五柵極電極G5都通過電阻器4的各引出端子5A、5B、5C，加上以規(guī)定的電阻分壓比分壓的規(guī)定電壓。例如，加在第六柵極電極G6上的電壓相當(dāng)于25～35kV左右的陽極電壓的約35～45％左右。加在第七柵極電極G7上的電壓相當(dāng)于陽極電壓的50～70％左右。
通過在這樣的電子槍組件26的各柵極電極上分別施加上述的電壓，從而陰極K、第一、第二柵極電極G1、G2構(gòu)成產(chǎn)生電子束的電子束產(chǎn)生部。另外第二、第三柵極電極G2、G3構(gòu)成對電子束產(chǎn)生部產(chǎn)生的電子束進行預(yù)聚焦的預(yù)聚焦電子透鏡。
第三、第四、第五柵極電極G3、G4、G5構(gòu)成再對由預(yù)聚焦電子透鏡預(yù)聚焦后的電子束進行聚焦的輔助電子透鏡。第五、第六、第七、及第八柵極電極G5、G6、G7、及G8構(gòu)成將由輔助電子透鏡聚焦的電子束最終聚焦在熒光屏22上的主電子透鏡。
以下，更詳細(xì)說明電阻器4的結(jié)構(gòu)。
即，如圖3及圖4所示，電阻器4的構(gòu)成為包括絕緣基板52、設(shè)在絕緣基板52上的多個電極用電阻元件即電極元件53、在電極元件之間連接同時具有獲得規(guī)定電阻值用的圖形的電阻用電阻元件即電阻元件54、覆蓋電阻元件54的絕緣被覆層55、及分別與各電極元件53對應(yīng)連接的多個金屬端子56。
絕緣基板52由主成分為例如氧化鋁等的陶瓷材料形成。該絕緣基板52例如做成長方形的板狀。絕緣基板52在規(guī)定位置上具有預(yù)先形成的從表面向背面貫穿的多個通孔51。這些通孔51形成于與端子部A至D對應(yīng)的位置。
電極元件53由例如含氧化釕等金屬氧化物、或硼硅酸鉛玻璃等玻璃材料的電阻相對較低的材料(例如具有表面電阻值為10KΩ/□的低電阻糊狀材料)形成。該電極元件53配置在絕緣基板52表面上的規(guī)定位置。即，各電極元件53在絕緣基板52的端子部A至D上呈島狀配置，使其與設(shè)在絕緣基板52上的通孔51對應(yīng)。這時，通孔51位于電極元件53的大致中央的部位。
電阻元件54由例如含氧化釕等金屬氧化物或硼硅酸鉛玻璃等玻璃材料的比電極元件53的電阻相對較高的材料(例如具有表面電阻值為5MΩ/□的高電阻糊狀材料)形成。該電阻元件54在絕緣基板52的表面上以規(guī)定的圖形、例如波狀圖形進行配置，與各電極元件53電氣連接。該電阻元件54的長、寬、厚等這樣設(shè)定，使其能在電極元件53之間得到規(guī)定的電阻值。
絕緣被覆層55例如由過渡金屬氧化物及硼硅酸鉛玻璃為主成分的電阻相對較高的材料形成。該絕緣被覆層55這樣配置，使其避開部分電極元件53，包括電阻元件54在內(nèi)覆蓋絕緣基板52的表面，同時也覆蓋整個背面。由此，提高電阻器4的耐壓性能。
還有，電極元件53和絕緣被覆層55的間隔可以這樣設(shè)定，使得島狀的電極元件53的全部外周區(qū)域為等間隔。也可以不均勻設(shè)定，使得放電幾率低的低壓側(cè)的部分較窄，或者為零。
金屬端子56可以用不銹鋼材料或帶鉻氧化膜的金屬鋼材等形成。該金屬端子56最好由對偏轉(zhuǎn)線圈29產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)磁場或電子槍組件26中形成電子透鏡的電場無影響的非磁合金形成。例如金屬端子56用由Fe-Ni-Cr合金組成的非磁性不銹鋼等相對磁導(dǎo)率為1.01以下、最好為1.005以下的材料形成。
金屬端子56具有設(shè)在其一端上的凸緣部56F、從凸緣部56F延伸出的簧片狀的端子片56T、及與凸緣部56F連接的筒狀部56C等。金屬端子56將筒狀部56C從緣緣基板52表面一側(cè)插入通孔51后，將凸出在絕緣基板52背面一側(cè)的筒狀部56C的前端部56X鉚接，通過這樣進行安裝。由此，各金屬端子56利用凸緣部56F，在和絕緣基板52之間，鉚接對應(yīng)的電極元件53，與電極元件53電氣連接。這樣形成各個端子部A至D。
端子部A通過金屬端子56連接引出端子6，外加最高的電壓即陽極電壓。端子部D通過金屬端子56連接引出端子7，外加最低的電壓(本例中端子部D接地)。端子部B通過金屬端子56例如連接引出端子5A，加上次于端子部A的高電壓。端子部C通過金屬端子56例如連接引出端子5B，加上次于端子部B的高電壓。再者，圖3示出的例中，為便于說明，圖中未示出連接引出端子5C的端子部，但在端子部C和端子部D之間能設(shè)置對應(yīng)的端子部。
(第一實施例)如圖4所示，第一實施例的電阻器4至少在設(shè)一個電極元件53的外形尺寸為L1、與外形尺寸L1連接的電極元件53的金屬端子56的凸緣部56F的外形尺寸為L2時，設(shè)定為具有L1≤L2的關(guān)系。本例中，例如對于與第七柵極電極G7連接的端子部B，將電極元件53的外形尺寸L1和凸緣部56F的外形尺寸L2之間的關(guān)系設(shè)定成L2＞L1。電極元件53例如有0.8mm的外形尺寸L1，對此凸緣部56F例如有1.3mm的外形尺寸L2。因此，凸緣部56F是這樣配置，它從電極元件53的外緣平行于絕緣基板52的主表面向外延伸，覆蓋電極元件53。
這樣，通過將各自的L1及L2設(shè)定成L2＞L1，從而用凸緣部56F覆蓋電極元件53。也就是電極元件53的周邊不露出在外。因此，即使在電極元件53和高電壓電位點之間產(chǎn)生輝光放電，由于凸緣部56F凸出在電極元件53的外側(cè)之外，因此二次電子不易從電極元件53上放出。另外，放電電流流入靠近更高電壓電位點配置的凸緣部56F一側(cè)，不直接流入電極元件53。因而，能防止由于輝光放電的放電電流造成的電極元件53的損壞，也能防止絕緣被覆層55的破損。另外，能對柵極電極穩(wěn)定供給所要的電壓，能良好地保持陰極射線管的聚焦性能。
這樣，因為能防止隨著絕緣被覆層55的破損而產(chǎn)生的碎沫飛散現(xiàn)象，故能防止蔭罩23的罩孔阻塞。另外，能覆蓋成為輝光放電的基點的電極元件53的外緣部，故能抑制因電阻器4引起的輝光放電。再有，不會因輝光放電電流而對電阻元件54造成損壞，能改善電阻元件54斷線等不良情況的發(fā)生。
以下，對具有第一實施例涉及的結(jié)構(gòu)的電阻器4的效果進行驗證。這里，采用內(nèi)裝圖4所示結(jié)構(gòu)的電阻器4的陰極射線管(實施品)、及內(nèi)裝現(xiàn)有的電阻器的陰極射線管(比較品)，進行強制去磁試驗。在比較品的電阻器上，設(shè)定L2＜L1的關(guān)系。即在比較品的電阻器中，凸緣部的外形尺寸L2為1.3mm，電極元件的外形尺寸L1為1.5mm，電極元件的外緣部從凸緣部露出在外。
所謂強制去磁試驗，是一種從陰極射線管的外部強制地將強大的磁場加在電子槍組件部分而有意引起輝光放電的試驗。在輝光放電停止時，判定為合格品，在輝光放電繼續(xù)發(fā)生時判定為不合格品。
還有，也一并進行耐壓處理試驗，測量耐壓處理前和耐壓處理后的電阻分壓比的變化率ΔE。對實施品及比較品各50件試樣進行這些強制去磁試驗及耐壓處理試驗后，可以得到圖5所示的結(jié)果。
如圖5所示，強制去磁試驗中實施品的不合格件數(shù)為0，相反在比較品中，確認(rèn)50件試樣中有5件發(fā)生繼續(xù)輝光放電。
另外，關(guān)于耐壓處理試驗，其結(jié)果為實施品的分壓比變化率ΔE在-0.4％～+0.2％之間變化，其平均為ΔE＝-0.1％。與此相反，比較品的分壓比變化率ΔE在-0.5％～+0.1％之間變化，其平均為ΔE＝-0.2％。耐壓處理試驗中，實施品即使與比較品相比，也能得到毫不遜色的結(jié)果。即對于實施了防止輝光放電用的對應(yīng)措施的實施品，可以確認(rèn)在耐壓處理這一點上，可以達(dá)到和比較品同等程度的效果，并也可確認(rèn)不會對其它的性能或特性帶來不良的影響。
這樣，通過將結(jié)構(gòu)做成利用凸緣部56F使得從外部遮蓋電極元件53，從而能防止輝光放電，但為了更進一步提高該效果，也可以采用如圖6所示的結(jié)構(gòu)。即也可以使比電極元件53更凸出在外的凸緣部56F的前端彎曲，用于覆蓋電極元件53。即采用這樣的結(jié)構(gòu)，它保持凸緣部56F的外形尺寸L2和電極元件53的外形尺寸L1之間具有L2＞L1的關(guān)系，同時，還使凸緣部56F的外周部分向電極元件53的外側(cè)面方向彎曲。
這樣，通過使凸緣部56F的外周部分彎向絕緣基板52一側(cè)，大致能從外部遮蓋(蓋沒)電極元件53直至其外周邊部分。這時，通過只讓凸緣部56F的前端彎曲電極元件53的厚度部分，使凸緣部56F的外周部分與絕緣基板52接觸，就能完全覆蓋電極元件53，能從外部進行遮蓋。
由此，能更進一步可靠地抑制電極元件53上發(fā)生的輝光放電，同時也能牢固地固定金屬端子56。而且，這一彎曲作業(yè)能在鉚接金屬端子56的前端部56X時同時進行，能不增加作業(yè)工序而實施。
再者，上述說明中，以設(shè)定L2＞L1為前提，但凸緣部的外形尺寸L2即使最低限度和電極元件的外形尺寸L1為相同大小，也能發(fā)揮抑制輝光放電的效果。
(第二實施例)第二實施例涉及的電阻器4中，金屬端子56配置成不使電極元件53露出。另外絕緣被覆層55覆蓋金屬端子56的周邊，不與電極元件53接觸。
即與電極元件53接觸的金屬端子56的凸緣部56F，具有大于電極元件53的外形尺寸L1的外形尺寸L2。通過這樣，凸緣部56F這樣配置，使其自電極元件53的外緣向外延伸，覆蓋電極元件53。即金屬端子56的凸緣部56F與電極元件53重疊，覆蓋電極元件53的整個表面。由此，電極元件53的表面不露出來。
另外，絕緣被覆層55覆蓋金屬端子56的凸緣部56F的周邊。這時，絕緣被覆層55不配置在與凸緣部56F的外形尺寸L2相當(dāng)?shù)牟糠?。即配置金屬端?6時，凸緣部56F和絕緣基板52之間不配置絕緣被覆層56。因而，以比凸緣部56F的外形尺寸L2小的外形尺寸L1配置的電極元件53和絕緣被覆層55不接觸。另外，除了凸緣部56F的外形尺寸L2部分以外，通過配置絕緣被覆層55，在凸緣部56F和絕緣被覆層55之間不存在間隙。因此，電極元件53和絕緣被覆層55之間的絕緣基板52表面用凸緣部56F覆蓋。由此，端子部周圍的絕緣基板52不會露出來。
圖3及圖7所示例中，電極元件53設(shè)置成具有以絕緣基板52的通孔51的中心O為圓心、半徑為第一半徑R1(例如約0.8mm)的圓圈狀。另外，金屬端子56的凸緣部56F形成具有以通孔51的中心O為圓心、比第一半徑R1大的第二半徑R2(例如約1.3mm)的圓圈狀。以這樣的狀態(tài)，通過利用絕緣被覆層55覆蓋金屬端子56的凸緣部56F，遍及其整個周邊，從而亦就將絕緣基板52的表面完全覆蓋。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，相當(dāng)于電極元件53邊緣的周邊就不會從金屬端子56的下面露出來。另外，絕緣被覆層55與電極元件53不接觸，而分開配置。因此，即使在高真空中外加高電壓的情況下，也不會形成三重接合，能消除電極元件53上的電場集中部分。
因此，能防止電極元件53、與該電極元件53接觸的金屬端子56、及覆蓋該金屬端子56的一部分的絕緣被覆層55產(chǎn)生剝落，同時也能防止與電極元件53連接的電阻元件54的損壞。另外，能抑制由于電極元件53部分剝落而以剩余部分為基點發(fā)生的放電現(xiàn)象。
另外，絕緣被覆層55配置成蓋住覆蓋電極元件53的金屬端子56的周邊。即能減少絕緣基板52的露出面積。通過利用絕緣被覆層55覆蓋金屬端子56的邊緣，遍及其整個周邊，完全覆蓋絕緣基板52。這樣，通過用絕緣被覆層55覆蓋易發(fā)射二次電子的絕緣基板52的表面，從而能抑制放電現(xiàn)象的發(fā)生。
以下，說明所述電阻器4的制造方法。
首先準(zhǔn)備具有預(yù)先在規(guī)定位置配置好通孔51的絕緣基板52。而且用絲網(wǎng)印刷法在該絕緣基板52上印刷涂布低電阻糊狀材料。這時所用的絲網(wǎng)具有與各通孔5 1對應(yīng)呈島狀形成圓圈狀的電極元件53那樣的圖形。此后，將涂布好的低電阻糊狀材料干燥后、燒結(jié)。由此形成多個電極元件53。
接著，用絲網(wǎng)印刷法將高電阻糊狀材料印刷涂布在絕緣基板52上。這時，所用的絲網(wǎng)具有與島狀的電極元件53連接同時調(diào)整得到規(guī)定電阻值的圖形。此后，在將涂布好的高電阻糊狀材料干燥后、燒結(jié)。由此，在整個電阻器4中形成有規(guī)定的電阻值、例如有0.1×109至2.0×109Ω的電阻元件54。
接著，利用絲網(wǎng)印刷法將絕緣被覆層55印刷涂布在整個絕緣基板52上，使得除了電極元件53的周圍以外，覆蓋電阻元件54，然后再干燥、燒結(jié)。這時所用的絲網(wǎng)具有只避開配置成覆蓋電極元件53的金屬端子56的凸緣部56F的外形部分那樣的圖形。
然后從絕緣基板52的正面向通孔51中插入金屬端子56的筒狀部56C，鉚接凸出在背面?zhèn)鹊那岸瞬?6X。由此與凸緣部56F對應(yīng)的電極元件53電氣連接。這時先期形成的電極元件53和絕緣被覆層55之間露出的絕緣基板52被凸緣部56F覆蓋。由此，絕緣基板52的露出面積幾乎為零。
還有，在形成絕緣被覆層55的工序中，考慮到絲網(wǎng)對準(zhǔn)偏差等最好確保比凸緣部56F的外形大的余量。在這樣的狀態(tài)下，如安裝金屬端子56，就能在凸緣部56F的周圍形成露出絕緣基板52的區(qū)域。這種情況下，最好在金屬端子56的安裝工序之后，再追加絕緣被覆層55的形成工序，如圖7所示，利用絕緣被覆層55覆蓋凸緣部56F的邊緣，遍及整個周邊。由此，用絕緣被覆層55覆蓋凸緣部56F周圍的露出區(qū)域，絕緣基板52就被絕緣被覆層55完全覆蓋，沒有露出(露出面積可以為零)。
利用上述工序形成電阻器4。本次制成的電阻器4的端子部B是采用上述結(jié)構(gòu)，但對于其它的端子部，也可以采用上述那樣的結(jié)構(gòu)。
將如此形成的電阻器4組裝入陰極射線管內(nèi)，并進行耐壓處理。然后，在耐壓處理后，確認(rèn)有無電極元件53剝落、及有無放電現(xiàn)象發(fā)生。圖8表示其確認(rèn)結(jié)果。這里對圖7所示結(jié)構(gòu)的電阻器(實施品)及特開平6-68811號說明過的結(jié)構(gòu)的電阻器(比較品)各50件進行了確認(rèn)。
如圖8所示。關(guān)于電極元件53有無剝落的情況，在比較品中所有的電阻器都被發(fā)現(xiàn)有，相反，實施品中1件也沒有發(fā)現(xiàn)。另外，關(guān)于有無放電發(fā)生，比較品中有5件電阻器發(fā)生，相反，實施品中1件也沒有發(fā)生。
順便說明一下，在耐壓處理前和處理后，還測量了電阻分壓比的變化率ΔE。其結(jié)果，實施品中變化率ΔE在-0.3％～+0.2之間變化，其平均為ΔE＝-0.1％。與之相對應(yīng)的是，比較品中，變化率ΔE在-0.4％～+0.1％之間變化，其平均ΔE＝-0.2％，得到同等的結(jié)果。
如上所說，根據(jù)本實施形態(tài)涉及的電子槍組件用電阻器，能抑制在陰極射線管內(nèi)成為問題的由于電阻器的電極元件或絕緣被覆層等剝落造成蔭罩罩孔阻塞、或放電等現(xiàn)象的產(chǎn)生。另外，得到在陰極射線管內(nèi)能穩(wěn)定供給電壓、可靠性高的電阻器。
還有，上述實施形態(tài)中，是將金屬端子56的凸緣部56F的周圍覆蓋，遍及其整個周邊，但是也知道，即使只有一部分也有效果。即對于金屬端子56的電位，只要用絕緣被覆層55至少覆蓋電氣上帶高壓電的絕緣基板52的表面即可。這是由于在陰極射線管內(nèi)，金屬端子56的附近產(chǎn)生放電時，金屬端子56在易成為陰極、變成放電的基點時，有抑制電子在帶高壓電的絕緣基板表面跳動引起的二次電子發(fā)射的效果。
另外，上述的實施形態(tài)中，是對電阻器用于彩色陰極射線管裝置的情況作了說明，但并不限于此，也能適用于不同柵極電極的構(gòu)成的電子槍組件，當(dāng)然對于需要分壓電阻器的其它電子管，上述結(jié)構(gòu)的電阻器也適用。
再有絕緣基板的形狀不限于長方形，如形成與陰極射線管內(nèi)的空間相對應(yīng)的方形也能使用。另外從絕緣基板的占空因數(shù)角度考慮，若在基板兩面形成電阻元件，用通孔柱等對其間進行電氣連接而構(gòu)成，則能在圖形配置上留有余地，而且基板本身也能小型化。
另外，也能再將絕緣基板和絕緣支持體(條狀玻璃)的功能合在一起而形成。另外筒狀部的形狀也不限于圓筒狀，也可以采用叉形鉤狀物或方形柱狀體等各種形狀。
還有本發(fā)明不限于上述各實施形態(tài)，在其實施階段中在不背離其主要內(nèi)容的范圍內(nèi)可作各種變形、變更。另外各實施形態(tài)也可以在可能的限度內(nèi)作適當(dāng)?shù)慕M合并實施，這種情況下的組合也能獲得效果。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，能提供即使在施加高電壓的場合也不會破損、可靠性高的電子槍組件用電阻器及內(nèi)裝該電阻器的陰極射線管。
權(quán)利要求
1.一種電子槍組件用電阻器，其特征在于，包括在所述絕緣基板上形成島狀的多個電極元件、在所述電極元件之間連接并同時為了得到規(guī)定的電阻值而設(shè)置的電阻元件、及具有與所述電極元件接觸的凸緣部并分別與所述電極元件電氣連接的多個金屬端子，在設(shè)至少一個所述電極端子的外形尺寸為L1、與外形尺寸L1的所述電極元件連接的所述金屬端子凸緣部的外形尺寸為L2時，設(shè)定具有L1≤L2的關(guān)系。
2.如權(quán)利要求1所述的電子槍組件用電阻器，其特征在于，所述凸緣部自所述電極元件的外緣向外延伸。
3.如權(quán)利要求1所述的電子槍組件用電阻器，其特征在于，包括所述凸緣部的前端彎曲，以覆蓋所述電極元件。
4.一種陰極射線管，其特征在于，包括玻屏、與所述玻屏一體接合的玻錐、所述玻屏內(nèi)表面上形成的熒光屏、及配置在所述玻錐的管頸內(nèi)并向所述熒光屏發(fā)射電子束的具有多個柵極電極的電子槍組件、以及與所述電子槍組件一起設(shè)置在所述管頸內(nèi)并至少對1個所述的柵極電極加上用規(guī)定的電阻分壓比分壓的電壓用的電子槍組件用電阻器，所述電子槍組件用電阻器包括，絕緣基板、在所述絕緣基板上形成島狀的多個電極元件、在所述電極元件之間連接并同時為了得到規(guī)定的電阻值而配置的電阻元件、及具有與所述電極元件接觸的凸緣部并分別與所述電極元件電氣連接的多個金屬端子，在設(shè)至少1個所述電極元件的外形尺寸為L1、與外形尺寸L1的所述電極元件連接的所述金屬端子凸緣部的外形尺寸為L2時，設(shè)定具有L1≤L2的關(guān)系。
5.如權(quán)利要求4所述的陰極射線管，其特征在于，所述凸緣部自所述電極元件的外緣向外延伸。
6.如權(quán)利要求4所述的陰極射線管，其特征在于，所述凸緣部的前端彎曲，以覆蓋所述電極端子。
7.一種電子槍組件用電阻器，其特征在于，包括絕緣基板、設(shè)在所述絕緣基板上的多個電極元件、在所述電子元件之間連接并同時具有為了得到規(guī)定的電阻值而用的圖形的電阻元件、覆蓋所述電阻元件的絕緣被覆層、及分別與所述各種電極元件對應(yīng)連接的多個金屬端子，所述金屬端子配置成不使所述電極元件露出，所述絕緣被覆層覆蓋所述金屬端子的周邊，不接觸所述電極元件。
8.如權(quán)利要求7所述的電子槍組件用的電阻器，其特征在于，覆蓋所述金屬端子周邊的所述絕緣層的區(qū)域，對于所述金屬端子的電位，是所述絕緣基板表面在電氣上高壓帶電的區(qū)域。
9.如權(quán)利要求7所述的電子槍組件用電阻器，其特征在于，所述金屬端子包括與所述電極元件接觸的凸緣部，所述凸緣部具有比所述電極元件的外形尺寸要大的外形尺寸，自所述電極元件的外緣向外延伸。
10.如權(quán)利要求9所述的電子槍組件用電阻器，其特征在于，所述絕緣被覆層覆蓋所述金屬端子的所述凸緣部周邊，不使所述絕緣基板露出。
全文摘要
本發(fā)明提供一種對電子槍組件具有的電極施加按規(guī)定的電阻分壓比分壓用的電子槍組件用的電阻器(4)，該電阻器(4)包括絕緣基板(52)、設(shè)在絕緣基板上的多個電極元件(53)、在電極元件之間連接同時具有為了得到規(guī)定的電阻值用的圖形的電阻元件(54)、覆蓋電阻元件的絕緣被覆層(55)、和分別與各電極元件對應(yīng)連接的多個金屬端子(56)。各金屬端子配置成不使電極元件露出。絕緣被覆層覆蓋金屬端子的周邊，不與電極元件接觸。
文檔編號H01C3/00GK1572010SQ0380133
公開日2005年1月26日 申請日期2003年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月20日
發(fā)明者神長善久, 宮本紀(jì)幸 申請人:株式會社東芝