專利名稱：低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種低溫多晶硅(LTPS)薄膜晶體管的制作技術(shù)，尤指一種低溫多晶硅薄膜晶體管的CMOS制程改良。
背景技術(shù)：
隨著薄膜晶體管(thin-film transistors；TFTs)制作技術(shù)的快速進(jìn)步，具備了輕薄、省電和無幅射線等優(yōu)點的液晶顯示器(liquid crystaldisplay；LCD)已大量應(yīng)用于計算機(jī)、個人數(shù)字助理器(PDA)、手表、筆記型電腦、數(shù)碼相機(jī)、液晶顯示器和移動電話等各式電子產(chǎn)晶。再加上業(yè)界積極的投入研發(fā)以及采用大型化的生產(chǎn)設(shè)備，使液晶顯示器的生產(chǎn)成本不斷下降，更令液晶顯示器的需求量大增。
目前的TFTLCD分為非晶硅(a-Si)薄膜晶體管液晶顯示器與多晶硅(Poly-Si)薄膜晶體管液晶顯示器二種。低溫多晶硅(Low TemperaturePoly-Silicon；LTPS)是新一代薄膜晶體管液晶顯示器制造流程，所謂低溫多晶硅(LTPS)技術(shù)主要是通過雷射退火制程(Laser Anneal)將a-Si的薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч?Poly-Si)薄膜層。多晶硅的晶體管電子移動速度較非晶硅提高百倍，具有顯示畫面反映速度快、高亮度和高解析度等優(yōu)點；此外，由于電子移動速度快，Poly-Si可作為驅(qū)動電路，因此可將周邊驅(qū)動電路制作在玻璃基板上，以減輕其重量，達(dá)到輕薄化的要求。再者，由于LTPS TFT將驅(qū)動IC整合在LCD面板內(nèi)，因此可降低IC成本，而且可減少IC后段加工所產(chǎn)生的不良率，因此亦可提升良率。
有鑒于此，在低溫多晶硅制程中，必須同時顧及像素內(nèi)部晶體管和驅(qū)動電路的元件特性需求。為了同時可以提高驅(qū)動電路的可靠度以及降低像素的漏電流，具有輕摻雜漏極結(jié)構(gòu)(LDD)的N-MOS是較佳的電路設(shè)計，因其可降低熱傳導(dǎo)對元件或電路所造成的劣化現(xiàn)象，亦可在負(fù)偏壓時降低漏極附近空乏層中電子和電洞的生成速率而進(jìn)一步降低漏電流，以維持驅(qū)動LCD所需的元件特性。
請參見圖1A至圖1K，該等圖式為習(xí)知技術(shù)一有關(guān)自我對準(zhǔn)的頂部柵極(top gate)LTPS CMOS制程(周邊驅(qū)動電路)的步驟流程示意圖。在習(xí)知技術(shù)一中，總共使用了八道光罩來制作出周邊驅(qū)動電路的CMOS TFT元件，其中N-TFT具有LDD結(jié)構(gòu)。
如圖1A所示，首先在一絕緣基板1(例如玻璃基板)上，依序沉積一緩沖層2和一非晶硅膜層3，該緩沖層2的作用是在避免該玻璃基板1內(nèi)的雜質(zhì)因后續(xù)的高溫制程而擴(kuò)散出來。接著，使用準(zhǔn)分子雷射技術(shù)(Excimer Laser；EL)掃瞄該非晶硅膜層3，使該非晶硅結(jié)晶變成多晶硅而形成一多晶硅膜層3’。之后，進(jìn)行微影蝕刻制程，如圖1B所示，通過一第一光阻圖案4(使用第一道光罩)，將在該玻璃基板1上的多晶硅膜層3’圖案化，以形成欲作為N-TFT和P-TFT的一多晶硅島狀物(poly island)5，并接著沉積一柵極絕緣層6，如圖1C所示。
接下來，進(jìn)行N-TFT的N+離子植入步驟，如圖1D所示，形成一第二光阻圖案7(使用第二道光罩)于該柵極絕緣層6上，其中該第二光阻圖案7將位于N-TFT的LDD結(jié)構(gòu)和柵極區(qū)域的該多晶硅島狀物5部份罩住以及將位于整個P-TFT區(qū)域的該多晶硅島狀物5部份罩住，并接著對該多晶硅島狀物5進(jìn)行N+離子植入，形成N-TFT的S/D區(qū)域8。
然后，剝除該第二光阻圖案7，并沉積一柵極金屬層9，如圖1E所示，再進(jìn)行微影蝕刻制程，通過一第三光阻圖案10(使用第三道光罩)，將該柵極金屬層9圖案化，以形成N-TFT和P-TFT的柵極金屬9’，如圖1F所示。之后，直接以該柵極金屬9’作為罩幕進(jìn)行N-離子植入步驟，形成N-TFT的LDD結(jié)構(gòu)11。
然后，如圖1G所示，形成一第四光阻圖案13(使用第四道光罩)以覆罩整個N-TFT區(qū)域，并對P-TFT區(qū)域進(jìn)行P+離子植入步驟，以形成P-TFT的S/D區(qū)域14。進(jìn)行至此，N-TFT和P-TFT的主要結(jié)構(gòu)已大致完成。
接下來，剝除該第四光阻圖案13，并沉積一介電層12于該玻璃基板1上，并覆蓋住該柵極金屬9’，然后對該介電層12和該柵極絕緣層6進(jìn)行微影蝕刻制程，通過一光阻圖案(圖未顯示，使用第五道光罩)，形成N-TFT和P-TFT的第一介層洞50，以裸露出N-TFT和P-TFT的S/D，如圖1H所示。接著，沉積一金屬層并填充該第一介層洞50，然后對該金屬層進(jìn)行微影蝕刻制程，通過一光阻圖案(圖未顯示，使用第六道光罩)，形成N-TFT和P-TFT的S/D金屬電極51，可作為資料線(dataline)，與該LCD面板上的像素區(qū)域和該面板外部的電路作連接，如圖1I所示。
接下來，如圖1J所示，沉積一保護(hù)層52于玻璃基板1上，并覆蓋住該S/D金屬電極51，對該保護(hù)層52進(jìn)行微影蝕刻制程，通過一光阻圖案(圖未顯示，使用第七道光罩)，形成N-TFT和P-TFT的第二介層洞53，以裸露出部份的S/D金屬電極51。接著，沉積一氧化銦錫層(ITO)并填充該第二介層洞53，然后對該氧化銦錫層進(jìn)行微影蝕刻制程，通過一光阻圖案(圖未顯示，使用第八道光罩)，形成ITO連接電極54，可與該LCD面板外部的電路作連接，如圖1K所示。
另外，請參見圖2A至圖2D，該等圖式為習(xí)知技術(shù)二有關(guān)自我對準(zhǔn)的頂部柵極(top gate)LTPS CMOS制程異于習(xí)知技術(shù)一的步驟流程示意圖。在習(xí)知技術(shù)二中，首先以相同于前述圖1A至圖1C的步驟形成欲作為N-TFT和P-TFT的該多晶硅島狀物(poly island)5；接著沉積柵絕緣層6。
然后，如圖2 A所示，沉積一柵極金屬層19于該柵極絕緣層6上，再進(jìn)行微影蝕刻制程，通過一第二光阻圖案17(使用第二道光罩)，將在該柵極金屬層19圖案化，以形成N-TFT的柵極金屬19’和P-TFT的柵極金屬罩19”，并剝除該第二光阻圖案17，如圖2B所示，其中該柵極金屬罩19”將在整個P-TFT區(qū)域的該多晶硅島狀物5的部份完全罩住。之后，直接以該柵極金屬19’和該柵極金屬罩19”作為罩幕，進(jìn)行N+離子植入步驟，形成N-TFT的S/D區(qū)域18。
接著，進(jìn)行P-TFT的P+離子植入步驟，如圖2C所示，形成一第三光阻圖案20(使用第三道光罩)于該柵極金屬19’和該柵極金屬罩19”上，其中該第三光阻圖案20將在P-TFT的柵極金屬19’區(qū)域的多晶硅島狀物5部份以及在整個N-TFT區(qū)域的多晶硅島狀物5部份罩住，并接著將未被第三光阻圖案20遮蓋住的該柵極金屬罩19”部份蝕刻棹，而形成P-TFT的柵極金屬19’，然后對該多晶硅島狀物5進(jìn)行P+離子植入而形成P-TFT的S/D區(qū)域24。然后，剝除該第三光阻圖案20，如圖2D所示。此習(xí)知技術(shù)二在進(jìn)行第三道光罩后，即已完成N-TFT和P-TFT的主要結(jié)構(gòu)。
接下來，以相同于前述圖1H至圖1K的步驟，使用四道光罩來形成N-TFT和P-TFT的S/D金屬電極51和ITO連接電極54。
在習(xí)知技術(shù)二中，雖然總共僅只使用七道光罩，來制作出CMOS TFT元件，但所制作的N-TFT并不具有LDD結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的，即是提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管的CMOS制程改良方法，可減少LTPS CMOS制程所需使用的光罩?jǐn)?shù)目，并同時制作具有LDD結(jié)構(gòu)的N-MOS電路設(shè)計。
為達(dá)成上述目的，本發(fā)明揭示一種低溫多晶硅薄膜晶體管的CMOS制作方法。首先，在一絕緣基板上，形成欲作為一N-TFT和一P-TFT的多晶硅島狀物(poly island)，然后依序沉積一柵極絕緣層和一柵極金屬層于該絕緣基板上；之后，圖案化該柵極金屬層，以形成該N-TFT的柵極金屬和該P-TFT的柵極金屬罩，其中，該柵極金屬罩將在整個該P-TFT區(qū)域的該多晶硅島狀物的部份完全罩住。接著，以該N-TFT的柵極金屬和該柵極金屬罩作為罩幕，對該多晶硅島狀物進(jìn)行N-離子植入步驟，形成該N-TFT的N-區(qū)域；然后形成一光阻圖案于該N-TFT的柵極金屬和該P-TFT的柵極金屬罩上，其中一部份光阻圖案定義出該P-TFT的柵極金屬，而該光阻圖案的另一部份罩覆住該N-TFT的柵極金屬以及鄰接的部份柵極絕緣層表面，以定義出該N-TFT的LDD結(jié)構(gòu)；接著對該多晶硅島狀物進(jìn)行N+離子植入，形成該N-TFT的S/D區(qū)域，并蝕刻未被該光阻圖案遮蓋住的該柵極金屬罩部分，形成該P-TFT的柵極金屬。接下來，以該光阻圖案和該P-TFT的柵極金屬作為罩幕，對該多晶硅島狀物進(jìn)行P+離子植入，形成該P-TFT的S/D區(qū)域，然后剝除該光阻圖案；之后形成該N-TFT和該P-TFT的S/D金屬電極。
在上述的制作方法中，通過在形成該光阻圖案于該N-TFT的柵極金屬和該P-TFT的柵極金屬罩上的步驟時，使形成在該N-TFT的柵極金屬上的光阻圖案的位置與該N-TFT的柵極金屬相對稱或不對稱，可形成對稱型或不對稱的N-TFT的S/D區(qū)域。
再者，本發(fā)明另揭示一種通過蝕刻方法來定義N-TFT的LDD結(jié)構(gòu)的LTPSCMOS制作方法。首先，在一絕緣基板上形成欲作為一N-TFT和一P-TFT的多晶硅島狀物(poly island)，然后依序沉積一柵極絕緣層和一柵極金屬層于該絕緣基板上。之后，圖案化該柵極金屬層，以形成該P-TFT的柵極金屬和該N-TFT的第一柵極金屬罩，其中該第一柵極金屬罩將在整個該N-TFT區(qū)域的該多晶硅島狀物的部分完全罩住；接著，以該P-TFT的柵極金屬和該第一柵極金屬罩作為罩幕，對該多晶硅島狀物進(jìn)行P+離子植入步驟，形成該P-TFT的S/D區(qū)域。然后，形成一光阻圖案于該P-TFT的柵極金屬和該柵極金屬罩上，其中該光阻圖案將整個該P-TFT區(qū)域以及該N-TFT的柵極金屬和LDD結(jié)構(gòu)區(qū)域罩??；接著，蝕刻未被該光阻圖案遮蓋住的該第一柵極金屬罩部份，形成該N-TFT的第二柵極金屬罩，并對該多晶硅島狀物進(jìn)行N+離子植入，形成該N-TFT的S/D區(qū)域。之后，以該光阻圖案作為罩幕，對該第二柵極金屬罩的側(cè)壁進(jìn)行蝕刻程序，使該第二柵極金屬罩的該側(cè)壁產(chǎn)生回縮，而形成該N-TFT的柵極金屬，同時定義出該N-TFT的LDD結(jié)構(gòu)區(qū)域。然后剝除該光阻圖案，以該N-TFT的柵極金屬作為罩幕，對該多晶硅島狀物進(jìn)行外離子植入，形成該N-TFT的LDD結(jié)構(gòu)，再形成該N-TFT和該P-TFT的S/D金屬電極。
本發(fā)明的有益效果在于，本發(fā)明的LTPS CMOS制作方法可減少光罩的使用數(shù)目而使成本降低并提高產(chǎn)能，而且所制作的N-TFT具有LDD結(jié)構(gòu)，可同時提高驅(qū)動電路的可靠度以及降低像素的漏電流，而使良率提升。


圖1A至圖1K，為習(xí)知技術(shù)一有關(guān)自我對準(zhǔn)的頂部柵極(topgate)LTPSCMOS制程(周邊驅(qū)動電路)的步驟流程示意圖；圖2A至圖2D，為習(xí)知技術(shù)二有關(guān)自我對準(zhǔn)的頂部柵極LTPS CMOS制程異于習(xí)知技術(shù)一的步驟流程示意圖；圖3A至圖3G，為本發(fā)明的低溫多晶硅(LTPS)薄膜晶體管的CMOS制作方法的第一實施例異于習(xí)知技術(shù)的步驟流程示意圖；其中圖3B’，為圖3B的平面圖；圖3G’，為圖3G的平面圖；圖4A至圖4B，為本發(fā)明的低溫多晶硅(LTPS)薄膜晶體管的CMOS制作方法的第二實施例異于第一實施例的步驟流程示意圖；其中圖4B’為圖4B的平面圖；圖5A至圖5G，為本發(fā)明的低溫多晶硅(LTPS)薄膜晶體管的CMOS制作方法的第三實施例異于習(xí)知技術(shù)的步驟流程示意圖。
具體實施例方式
請參見圖3A至圖3G，該等圖式為本發(fā)明的低溫多晶硅(LTPS)薄膜晶體管的CMOS制作方法的第一實施例異于習(xí)知技術(shù)的步驟流程示意圖。
首先，同樣地，以相同于前述圖1A至圖1C的步驟，形成欲作為N-TFT和P-TFT的該多晶硅島狀物(poly island)5，并接著沉積該柵極絕緣層6。
然后，如圖3A所示，沉積一柵極金屬層29于該柵極絕緣層6上，再進(jìn)行微影蝕刻制程，通過一第二光阻圖案27(使用第二道光罩)，將在該柵極金屬層29圖案化，以形成N-TFT的柵極金屬29’和P-TFT的柵極金屬罩29”，并剝除該第二光阻圖案27，如圖3B所示，其中該柵極金屬罩29”將在整個P-TFT區(qū)域的該多晶硅島狀物5的部份完全罩住，圖3B’為圖3B的平面圖。之后，直接以該柵極金屬29’和該柵極金屬罩29”作為罩幕，對該多晶硅島狀物進(jìn)行N-離子植入步驟，形成N-TFT的N-區(qū)域21，如圖3C所示。
然后，進(jìn)行N-TFT的N+離子植入步驟，如圖3D所示，形成一第三光阻圖案30(使用第三道光罩)于該柵極金屬29’和該柵極金屬罩29”上，其中該第三光阻圖案30將在P-TFT的柵極金屬29’區(qū)域的該多晶硅島狀物5部份以及在N-TFT的柵極金屬29’和LDD結(jié)構(gòu)區(qū)域的該多晶硅島狀物5部份罩住(此時，就將該LDD結(jié)構(gòu)的長度精確地定義出)，并接著對該多晶硅島狀物5進(jìn)行N+離子植入，而同時形成N-TFT的S/D區(qū)域28和LDD結(jié)構(gòu)21’，如圖3E所示。
然后，將未被該第三光阻圖案30遮蓋住的該柵極金屬罩29”部分蝕刻掉，而形成P-TFT的柵極金屬29’，如圖3F所示，接著，直接以該第三光阻圖案30和該柵極金屬29’作為罩幕，對該多晶硅島狀物5進(jìn)行P+離子植入，以形成P-TFT的S/D區(qū)域34，之后，剝除該第三光阻圖案30，如圖3G所示，圖3G’為圖3G的平面圖。值得注意的是，在進(jìn)行P+離子植入時，對于N-TFT的S/D區(qū)域28(即N+區(qū)域)而言，是反摻雜(conter-dopping)，因此，所使用的N+劑量和P+劑量必須先經(jīng)過適當(dāng)調(diào)配，以便使N-TFT的N+區(qū)域在經(jīng)P+離子植入步驟后，仍保持N+摻雜類型和低阻值特性。
本發(fā)明的LTPS CMOS制程進(jìn)行至此(使用了三道光罩)，N-TFT和P-TFT的主要結(jié)構(gòu)亦已大致完成，接下來，就以相同于前述圖1H至圖1K的步驟，使用四道光罩來形成N-TFT和P-TFT的S/D金屬電極51和ITO連接電極54。
再者，利用本發(fā)明的LTPS CMOS制程，還可制作出不對稱型的N-TFT的S/D區(qū)域，此是本發(fā)明的第二實施例。
在第二實施例中，制作LTPS CMOS的方法，大部份是如同前述本發(fā)明的第一實施例的步驟流程，但在進(jìn)行N-TFT的N+離子植入步驟時(即第三道光罩)，使形成在N-TFT的柵極金屬29’上的一第三光阻圖案40的位置不對稱于該柵極金屬29’，如圖4 A所示，如此所定義形成的漏極區(qū)的LDD結(jié)構(gòu)31較的于源極區(qū)的LDD結(jié)構(gòu)31’的長度要來得長；換言之，N-TFT的S/D區(qū)域38就呈現(xiàn)出不對稱，如圖4B所示，圖4B’為圖4B的平面圖。
此外，請參見圖5A至圖5G，為本發(fā)明的低溫多晶硅(LTPS)薄膜晶體管的CMOS制作方法的第三實施例異于習(xí)知技術(shù)的步驟流程示意圖。
同樣地，以相同于前述圖1A至圖1C的步驟，來形成欲作為N-TFT和P-TFT的該多晶硅島狀物(poly island)5，并接著沉積該柵極絕緣層6。
然后，如圖5A所示，沉積一柵極金屬層39于該柵極絕緣層6上，再進(jìn)行微影蝕刻制程，通過一第二光阻圖案37(使用第二道光罩)，將在該柵極金屬層39圖案化，以形成P-TFT的柵極金屬39’和N-TFT的第一柵極金屬罩39”，并剝除該第二光阻圖案37，如圖5B所示，其中該柵極金屬罩39”將在整個N-TFT區(qū)域的該多晶硅島狀物5的部份完全罩住。之后，直接以該柵極金屬39’和該第一柵極金屬罩39”作為罩幕，對該多晶硅島狀物進(jìn)行P+離子植入步驟，形成P-TFT的S/D區(qū)域44，如圖5C所示。
然后，如圖5D所示，形成一第三光阻圖案45(使用第三道光罩)于該柵極金屬39’和該第一柵極金屬罩39”上，其中該第三光阻圖案45將在整個P-TFT區(qū)域的該多晶硅島狀物5部份以及在N-TFT的柵極金屬39’和LDD結(jié)構(gòu)區(qū)域的該多晶硅島狀物5部份罩??；然后，將未被該第三光阻圖案45遮蓋住的該第一柵極金屬罩39”部份蝕刻掉，而形成N-TFT的第二柵極金屬罩39，其中該第二柵極金屬罩39將N-TFT的LDD結(jié)構(gòu)區(qū)域罩住，并接著對該多晶硅島狀物5進(jìn)行N+離子植入，而形成N-TFT的S/D區(qū)域48，如圖5E所示。
接下來，以該第三光阻圖案45作為罩幕，使用干蝕刻或濕蝕刻技術(shù)，對該第二柵極金屬罩39的側(cè)壁(side wall)進(jìn)行蝕刻程序，使該第二柵極金屬罩的該側(cè)壁產(chǎn)生回縮，而形成N-TFT的柵極金屬39’，同時亦定義出在該多晶硅島狀物5的N-TFT的LDD結(jié)構(gòu)區(qū)域，如圖5F所示。之后，剝除該第三光阻圖案45，以N-TFT和P-TFT的柵極金屬39’為罩幕，對該多晶硅島狀物5進(jìn)行N-離子植入，以形成N-TFT的LDD結(jié)構(gòu)41，如圖5G所示。
本發(fā)明的第三實施例的LTPS CMOS制程進(jìn)行至此(亦僅使用了三道光罩)，N-TFT和P-TFT的主要結(jié)構(gòu)已大致完成。同樣地，以相同于前述圖1H至圖1K的步驟，使用四道光罩來形成N-TFT和P-TFT的S/D金屬電極51和ITO連接電極54。
與習(xí)知技術(shù)一和二相互比較可知，利用本發(fā)明的制作方法，可減少習(xí)知技術(shù)一的LTPS CMOS制程所需使用的光罩?jǐn)?shù)目，并制作出習(xí)知技術(shù)二所缺乏的具有LDD結(jié)構(gòu)的N-TFT。因此本發(fā)明的LTPS CMOS制作方法可減少光罩的使用數(shù)目而使成本降低并提高產(chǎn)能，而且所制作的N-TFT具有LDD結(jié)構(gòu)，可同時提高驅(qū)動電路的可靠度以及降低像素的漏電流，而使良率提升。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此項技藝者，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許更動與潤飾，因此本發(fā)明之保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管的CMOS制作方法，其特征是包括在一絕緣基板上形成欲作為一N-TFT和一P-TFT的多晶硅島狀物；于該絕緣基板上依序沉積一柵極絕緣層和一柵極金屬層；圖案化該柵極金屬層，以形成該N-TFT的柵極金屬和該P-TFT的柵極金屬罩，其中，該柵極金屬罩將位于整個該P-TFT區(qū)域的該多晶硅島狀物的部份完全罩?。灰栽揘-TFT的柵極金屬和該P-TFT的柵極金屬罩作為罩幕，對該多晶硅島狀物進(jìn)行N-離子植入步驟，形成該N-TFT的N-區(qū)域；形成一光阻圖案于該N-TFT的柵極金屬和該P-TFT的柵極金屬罩上，其中該光阻圖案的一部份定義出該P-TFT的柵極金屬，而該光阻圖案的另一部份罩覆住該N-TFT的柵極金屬以及鄰接的部份柵極絕緣層表面，以定義出該N-TFT的LDD結(jié)構(gòu)；對該多晶硅島狀物進(jìn)行N+離子植入，形成該N-TFT的S/D區(qū)域，蝕刻未被該光阻圖案遮蓋住的該柵極金屬罩部份，形成該P-TFT的柵極金屬；以該光阻圖案和該P-TFT的柵極金屬作為罩幕，對該多晶硅島狀物進(jìn)行P+離子植入，形成該P-TFT的S/D區(qū)域；剝除該光阻圖案；以及形成該N-TFT和該P-TFT的S/D金屬電極。
2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征是所使用的N+劑量和P+劑量先經(jīng)過適當(dāng)調(diào)配，以便使該N-TFT的N+區(qū)域在經(jīng)該P+離子植入步驟后，仍保持N+摻雜類型和低阻值特性。
3.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征是在形成該光阻圖案于該N-TFT的柵極金屬和該柵極金屬罩上的步驟時，使形成在該N-TFT的柵極金屬上的該光阻圖案的位置與該N-TFT的柵極金屬相對稱，以便形成對稱型的N-TFT的S/D區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征是在形成該光阻圖案于該N-TFT的柵極金屬和該柵極金屬罩上的步驟時，使形成在該N-TFT的柵極金屬上的該光阻圖案的位置不對稱于該N-TFT的柵極金屬，以便形成不對稱型的N-TFT的S/D區(qū)域。
5.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征是在形成該N-TFT和該P-TFT的S/D金屬電極之后，另包括形成ITO連接電極步驟。
6.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征是一緩沖層形成在該多晶硅島狀物與該絕緣基板之間。
7.一種低溫多晶硅薄膜晶體管的CMOS制作方法，其特征是包括在一絕緣基板上形成欲作為一N-TFT和一P-TFT的多晶硅島狀物；于該絕緣基板上依序沉積一柵極絕緣層和一柵極金屬層；圖案化該柵極金屬層，以形成該P-TFT的柵極金屬和該N-TFT的第一柵極金屬罩，其中該第一柵極金屬罩將位于整個該N-TFT區(qū)域的該多晶硅島狀物的部份完全罩??；以該P-TFT的柵極金屬和該第一柵極金屬罩作為罩幕，對該多晶硅島狀物進(jìn)行P+離子植入步驟，形成該P-TFT的S/D區(qū)域；形成一光阻圖案于該P-TFT的柵極金屬和該N-TFT的柵極金屬罩上，其中該光阻圖案將整個該P-TFT區(qū)域以及該N-TFT的柵極金屬和LDD結(jié)構(gòu)區(qū)域罩??；蝕刻未被該光阻圖案遮蓋住的該第一柵極金屬罩部份，形成該N-TFT的第二柵極金屬罩；對該多晶硅島狀物進(jìn)行N+離子植入，形成該N-TFT的S/D區(qū)域；以該光阻圖案作為罩幕，對該第二柵極金屬罩的側(cè)壁進(jìn)行蝕刻程序，使該第二柵極金屬罩的該側(cè)壁產(chǎn)生回縮，而形成該N-TFT的柵極金屬，同時定義出該N-TFT的LDD結(jié)構(gòu)區(qū)域；剝除該光阻圖案；以該N-TFT的柵極金屬作為罩幕，對該多晶硅島狀物進(jìn)行N-離子植入，形成該N-TFT的LDD結(jié)構(gòu)；以及形成該N-TFT和該P-TFT的S/D金屬電極。
8.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征是使用干蝕刻技術(shù)，對該第二柵極金屬罩的側(cè)壁進(jìn)行蝕刻程序。
9.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征是使用濕蝕刻技術(shù)，對該第二柵極金屬罩的側(cè)壁進(jìn)行蝕刻程序。
10.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征是在形成該N-TFT和該P-TFT的S/D金屬電極之后，另包括形成ITO連接電極步驟。
全文摘要
一種低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，在一絕緣基板上形成欲作為N－TFT和P－TFT的多晶硅島狀物；依序沉積一柵極絕緣層和一柵極金屬層；圖案化柵極金屬層以形成N－TFT的柵極金屬和P－TFT的柵極金屬罩；對多晶硅島狀物進(jìn)行N－離子植入步驟，形成N－TFT的N－區(qū)域；利用一光阻圖案定義出P－TFT的柵極金屬、以及N－TFT的LDD結(jié)構(gòu)；對多晶硅島狀物進(jìn)行N+離子植入，形成N－TFT的S/D區(qū)域，蝕刻未被光阻圖案遮蓋住的柵極金屬罩部分，形成P－TFT的柵極金屬；以光阻圖案和P－TFT的柵極金屬作為罩幕，對多晶硅島狀物進(jìn)行P+離子植入，形成P－TFT的S/D區(qū)域；剝除光阻圖案；形成N－TFT和P－TFT的S/D金屬電極；本發(fā)明可減少光罩的使用數(shù)目且所制作的N－TFT具有LDD結(jié)構(gòu)，可同時提高驅(qū)動電路的可靠度以及降低像素的漏電流，降低成本提升良率。
文檔編號H01L21/84GK1525554SQ0310536
公開日2004年9月1日 申請日期2003年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月26日
發(fā)明者林昆志, 陳坤宏 申請人:友達(dá)光電股份有限公司