專利名稱：硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于消去被硬盤(pán)裝置記錄的數(shù)據(jù)的硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置。
背景技術(shù)：
在廢棄硬盤(pán)裝置或者進(jìn)行再利用時(shí)，從保護(hù)秘密的觀點(diǎn)出發(fā)，一般是消去記錄在作為硬盤(pán)裝置內(nèi)的記錄媒體的硬盤(pán)中的數(shù)據(jù)。
這種硬盤(pán)裝置記錄數(shù)據(jù)的消去作業(yè)，目前是通過(guò)對(duì)硬盤(pán)上的數(shù)據(jù)，重復(fù)寫(xiě)入特定的數(shù)據(jù)、例如“00”來(lái)進(jìn)行的。但是，通過(guò)數(shù)據(jù)的改寫(xiě)進(jìn)行的消去處理，存在所需作業(yè)負(fù)擔(dān)大和時(shí)間多的問(wèn)題。舉例來(lái)講，要消去20G字節(jié)記憶容量的硬盤(pán)數(shù)據(jù)，需花費(fèi)12小時(shí)以上。
另一方面，與硬盤(pán)相同，作為用于消去記錄媒體的軟盤(pán)或磁帶等上數(shù)據(jù)的消去裝置，已知將沿圓環(huán)狀芯的外周面、纏繞導(dǎo)電性線材的螺旋管形的線圈配置于消去裝置本體的盒內(nèi)，同時(shí)，將交流電源連接到該線圈上。在該消去裝置中，將軟盤(pán)或磁帶等配置于裝置本體的外面部，從交流電源給上述線圈通交流電流，交替產(chǎn)生磁場(chǎng)，通過(guò)該磁場(chǎng)消去記錄于軟盤(pán)或磁帶上的數(shù)據(jù)。
但是，即使要采用該消去裝置進(jìn)行硬盤(pán)裝置的數(shù)據(jù)消去作業(yè)，由于硬盤(pán)裝置中，內(nèi)部的硬盤(pán)用鐵或鋁等金屬制盒收納，將硬盤(pán)裝置設(shè)置于消去裝置的外面部，僅通過(guò)產(chǎn)生消去裝置的磁場(chǎng)，磁力不會(huì)達(dá)到硬盤(pán)裝置內(nèi)部的硬盤(pán)，不能消去記錄于硬盤(pán)上的數(shù)據(jù)。另外，在產(chǎn)生較大磁場(chǎng)時(shí)，會(huì)存在線圈重量增大，進(jìn)而消去裝置整體重量增加的問(wèn)題。
本發(fā)明的目的在于，提供能夠簡(jiǎn)單且可靠地消去記錄于硬盤(pán)上數(shù)據(jù)的硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一方面在于一種硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置，其特征在于具有插入配置硬盤(pán)裝置的凹部；產(chǎn)生磁場(chǎng)用的線圈，在上述凹部插入配置硬盤(pán)裝置的狀態(tài)下，纏繞上述凹部并設(shè)置成環(huán)狀，以形成纏繞上述硬盤(pán)裝置外側(cè)的狀態(tài)；和用于使上述線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)的直流電源電路。
在該數(shù)據(jù)消去裝置中，由于纏繞插入配置硬盤(pán)裝置的凹部，將產(chǎn)生磁場(chǎng)用的線圈設(shè)置為環(huán)狀，所以能夠?qū)⒃诰€圈內(nèi)部產(chǎn)生的較大磁場(chǎng)用于數(shù)據(jù)的消去，硬盤(pán)裝置露出內(nèi)部硬盤(pán)的情況不用說(shuō)，就是在用金屬制盒原樣包裹住的狀態(tài)下，也能夠消去硬盤(pán)中的數(shù)據(jù)。
而且，因?yàn)槟軌蛴行У乩镁€圈內(nèi)部產(chǎn)生的磁場(chǎng)，所以與現(xiàn)有的、將硬盤(pán)裝置配置在線圈的外方相比，線圈變得簡(jiǎn)潔，能夠達(dá)到線圈的輕量化乃至數(shù)據(jù)消去裝置整體的輕量化。
本發(fā)明的第二方面在于一種硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置，其特征在于具有插入配置硬盤(pán)裝置的凹部；產(chǎn)生磁場(chǎng)用的線圈，在上述凹部插入配置硬盤(pán)裝置的狀態(tài)下，纏繞上述凹部并設(shè)置成環(huán)狀，以形成纏繞上述硬盤(pán)裝置外側(cè)的狀態(tài)；用于使上述線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)的直流電源電路；和在插入配置于上述凹部的硬盤(pán)裝置受到磁力的位置設(shè)置的永久磁鐵。上述數(shù)據(jù)消去時(shí)的凹部的磁通密度為6000高斯～15000高斯，上述直流電源電路具有充放電用的電容器和使充電至電容器的電荷放電給上述線圈的開(kāi)關(guān)元件，上述電容器的放電引起的線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)的時(shí)間為10ms以內(nèi)。
在該硬盤(pán)裝置中，除了第一方面的發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)以外，由于在插入配置于上述數(shù)據(jù)消去裝置上述凹部的硬盤(pán)裝置受到磁力的位置，設(shè)置永久磁鐵，所以能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)輕量化。另外，由于凹部產(chǎn)生的磁場(chǎng)，磁通密度設(shè)定為6000高斯～15000高斯，所以能夠可靠地進(jìn)行數(shù)據(jù)消去。另外，上述直流電源回路，由于具有充放電用的電容器和使充電到電容器的電荷放電至上述線圈的開(kāi)關(guān)元件，所以能夠通過(guò)用開(kāi)關(guān)元件使電容器的電荷放電至線圈，使線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)。另外，由于通過(guò)將電容器放電引起的線圈磁場(chǎng)產(chǎn)生時(shí)間設(shè)定在10ms以內(nèi)，所以能夠以短時(shí)間高效率地消去數(shù)據(jù)。
本發(fā)明的其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，通過(guò)下面的說(shuō)明會(huì)更為明了。


圖1為本發(fā)明一實(shí)施方式的數(shù)據(jù)消去裝置的外觀立體圖。
圖2為表示分離內(nèi)置于數(shù)據(jù)消去裝置的線圈放置用盒部的構(gòu)成部件的立體圖。
圖3為圖1中III-III線截面圖。
圖4為內(nèi)置于圖1的數(shù)據(jù)消去裝置的直流電源電路的電路圖。
具體實(shí)施例方式
圖1～圖4表示本發(fā)明一實(shí)施方式的硬盤(pán)裝置的數(shù)據(jù)消去裝置。
這些圖中，1為數(shù)據(jù)消去裝置，具有在一端側(cè)面開(kāi)口、水平方向延伸的截面為長(zhǎng)圓形狀的硬盤(pán)裝置插入用凹部2。
在上述數(shù)據(jù)消去裝置1的內(nèi)部，內(nèi)置圖2所示的箱形的線圈放置用盒部3。該線圈放置用盒部3由樹(shù)脂制的第一盒半體31和同樣的樹(shù)脂制的第二盒半體32構(gòu)成。上述第一盒半體31具有包含長(zhǎng)圓形狀開(kāi)口部311的長(zhǎng)方形狀的凸緣部312；從該凸緣部312上的上述開(kāi)口部311的邊緣，向凸緣部312的后方延伸出去的筒狀的線圈保持部313。然后，由上述開(kāi)口部311及上述線圈保持部312的構(gòu)成的內(nèi)部空間形成了上述硬盤(pán)裝置插入用的凹部2。
在上述線圈保持部313上，以沿其外周形狀的形態(tài)，跨線圈保持部313的長(zhǎng)度方向，多圈纏繞導(dǎo)電線材。由此形成線圈4。
另一方面，線圈放置用盒部3的第二盒半體32，一端由開(kāi)口的方筒體構(gòu)成，一端開(kāi)口部321與上述第一盒半體31的凸緣部312的形狀幾乎一致。另外，在該第二盒半體321的上部?jī)?nèi)面，固定了多個(gè)永久磁鐵5，其上部鑲嵌在第二盒半體32的上壁部?jī)?nèi)。
設(shè)置于上述第一盒半體31的線圈保持部313上的線圈4，通過(guò)通電，在線圈4的內(nèi)部空間(線圈保持部313的內(nèi)部空間)產(chǎn)生磁場(chǎng)，而且，如后所述，通過(guò)該磁場(chǎng)消去硬盤(pán)的記錄數(shù)據(jù)。
另外，安裝在上述第二盒半體32上的上述永久磁鐵5，通過(guò)將該永久磁鐵5產(chǎn)生的磁場(chǎng)附加給由上述線圈4產(chǎn)生的磁場(chǎng)，更大的數(shù)據(jù)消去用磁場(chǎng)附加給硬盤(pán)裝置。換言之，永久磁鐵5是對(duì)通過(guò)線圈4的磁場(chǎng)而消去數(shù)據(jù)進(jìn)行輔助。
然后，將上述第一盒半體31的線圈保持部313從第二盒半體32的一端開(kāi)口部321裝入第二盒半體32，并且將第一盒半體31的凸緣部312鑲嵌在開(kāi)口部321，以這樣的狀態(tài)，將第一盒半體31與第二盒半體32組裝在一起，構(gòu)成線圈放置用盒部3。
如圖3所示，除了上述第一盒半體31的凸緣部開(kāi)口部311，上述線圈放置用盒部3的外周面，以由鋁等非磁性材料構(gòu)成的磁力遮蔽板6包裹，盡可能地抑制住線圈4及永久磁鐵5產(chǎn)生的磁場(chǎng)向裝置外部泄露。而且，上述磁力遮蔽板6的外周面被樹(shù)脂制的外包裝材料7包裹。
上述線圈4是由內(nèi)置于數(shù)據(jù)消去裝置的如圖4所示的直流電源電路8供應(yīng)電力的。圖1所示9為用于將上述直流電源電路8連接到商用交流電源的插頭，10為從數(shù)據(jù)消去裝置1引出的導(dǎo)線。
圖4所示上述直流電源電路8具有如下部分將通過(guò)上述插頭9輸入的商用交流電，變換為規(guī)定電壓的直流電的直流變換部81；由來(lái)自直流變換部81提供的電力充電，同時(shí)，與上述線圈4并聯(lián)的電容器82；插入在從直流變換部81到電容器82的輸入線路之間的電抗線圈83；插入在電容器82和線圈4之間的開(kāi)關(guān)元件84。通過(guò)關(guān)閉上述開(kāi)關(guān)元件84，充入到電容器82的電荷向線圈4放電，通過(guò)該放電，線圈4成為產(chǎn)生磁場(chǎng)的裝置。
下面，說(shuō)明圖1～圖4所示硬盤(pán)裝置的數(shù)據(jù)消去裝置1的使用方法。
在原樣打開(kāi)直流電源電路8的開(kāi)關(guān)元件84、將數(shù)據(jù)消去裝置1的插頭9連接到商用電源之后，如圖1及圖2所示，在不使內(nèi)部的硬盤(pán)露出而用金屬制盒原樣包裹的狀態(tài)下，以厚度方向作為高度方向，將應(yīng)消去數(shù)據(jù)的硬盤(pán)裝置20插入數(shù)據(jù)消去裝置1的凹部2。直流電源電路8的電容器82接收從直流變換部81提供的電力而被充電。
在該狀態(tài)下，如果關(guān)閉開(kāi)關(guān)元件84，那么電容器82的充電電荷就會(huì)向線圈4放電，通過(guò)該放電，在配置有線圈4的內(nèi)部空間、即硬盤(pán)裝置20的凹部2產(chǎn)生磁場(chǎng)。另一方面，設(shè)置在線圈4上方的永久磁鐵5產(chǎn)生的磁場(chǎng)也作用到凹部2，所以，對(duì)于硬盤(pán)裝置20，線圈4產(chǎn)生的磁場(chǎng)和永久磁鐵5產(chǎn)生的磁場(chǎng)兩者共同發(fā)生作用。
通過(guò)這些磁場(chǎng)產(chǎn)生的磁力，貫通硬盤(pán)裝置20的鋁制或者鐵制的金屬制盒作用于內(nèi)部硬盤(pán)，記錄于該硬盤(pán)的、包括簇(cylinder)信息等的數(shù)據(jù)就會(huì)被消去。經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后，關(guān)閉開(kāi)關(guān)元件84，使線圈4停止產(chǎn)生磁場(chǎng)，準(zhǔn)備下一次的數(shù)據(jù)消去作業(yè)。
但是，在硬盤(pán)裝置20中，要消去包括簇信息的寫(xiě)入數(shù)據(jù)，需要作用的磁力要大于寫(xiě)入時(shí)的磁力。從該觀點(diǎn)出發(fā)，作用于凹部2的線圈4及永久磁鐵5產(chǎn)生的磁場(chǎng)越大越好。
可是，硬盤(pán)裝置20中，除了寫(xiě)入數(shù)據(jù)的圓盤(pán)狀的上述硬盤(pán)外，還內(nèi)裝了用于控制硬盤(pán)裝置的控制部，如果將數(shù)據(jù)消去用的磁場(chǎng)過(guò)分增大，那么不僅是數(shù)據(jù)的消去，還會(huì)破壞控制部，再利用硬盤(pán)裝置20就很困難。
因此，作用于硬盤(pán)裝置20的磁場(chǎng)的大小，最好是磁通密度設(shè)定在6000高斯～15000高斯的范圍內(nèi)。如果磁通密度未滿6000高斯，數(shù)據(jù)消去就會(huì)不充分。另一方面，如果超過(guò)15000高斯，則不僅是數(shù)據(jù)，控制部也會(huì)被破壞。特別優(yōu)選8000～13000高斯。
另外，線圈4產(chǎn)生的磁場(chǎng)的強(qiáng)度，可以通過(guò)線圈的圈數(shù)或者流入線圈的電流值的變更進(jìn)行調(diào)整。
上述硬盤(pán)裝置20因?yàn)楸徊迦肱渲迷诋a(chǎn)生較大磁場(chǎng)的線圈4的內(nèi)部，所以能夠以較小的線圈重量獲得較大的數(shù)據(jù)消去效果。這意味著可以減輕數(shù)據(jù)消去裝置1的整體重量。不過(guò)，與不設(shè)置永久磁鐵5相比，僅僅以線圈4來(lái)實(shí)現(xiàn)上述6000高斯～15000高斯的磁通密度，不如本實(shí)施方式，通過(guò)并用線圈4和永久磁鐵5，能夠達(dá)到更為輕量的重量。具體地說(shuō)，如果僅采用永久磁鐵5實(shí)現(xiàn)上述6000高斯～15000高斯的磁通密度，那么整體重量會(huì)超過(guò)40kg，與此相對(duì)，如果僅采用線圈4的情況下，則為4kg左右，可實(shí)現(xiàn)輕量化，成為可以攜帶的數(shù)據(jù)消去裝置1。
另外，通過(guò)并用線圈4和永久磁鐵5，重量能夠減到上述一半的2kg左右。在該情況下，當(dāng)然也能夠成為可以攜帶的數(shù)據(jù)消去裝置1。
另外，利用上述線圈4產(chǎn)生磁場(chǎng)的時(shí)間，換言之，關(guān)閉開(kāi)關(guān)元件84的時(shí)間，雖然沒(méi)有特別地限定，但最好設(shè)定在10ms以內(nèi)。即便超過(guò)10ms，數(shù)據(jù)消去效果也是相同的，反倒會(huì)導(dǎo)致能源效率的降低和時(shí)間的浪費(fèi)。
根據(jù)上述方法被消去數(shù)據(jù)的硬盤(pán)裝置20，從數(shù)據(jù)消去裝置1的凹部2取出，根據(jù)需要被廢棄或者被再利用。
在該實(shí)施方式中，由于纏繞插入配置硬盤(pán)裝置的凹部，將產(chǎn)生磁場(chǎng)用的線圈設(shè)置成環(huán)狀，所以能夠?qū)⒃诰€圈內(nèi)部產(chǎn)生的較大磁場(chǎng)用于數(shù)據(jù)的消去，硬盤(pán)裝置露出內(nèi)部硬盤(pán)的情況不用說(shuō)，就是在用金屬制盒原樣包裹住的狀態(tài)下，也能夠消去硬盤(pán)中的數(shù)據(jù)。
而且，因?yàn)槟軌蛴行У乩镁€圈內(nèi)部產(chǎn)生的磁場(chǎng)，所以與現(xiàn)有的、將硬盤(pán)裝置配置在線圈的外方相比，線圈變得簡(jiǎn)潔，能夠達(dá)到線圈的輕量化乃至數(shù)據(jù)消去裝置整體的輕量化。
另外，在插入配置于上述凹部的硬盤(pán)裝置受到磁力的位置，設(shè)置永久磁鐵，就能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)輕量化。
另外，凹部產(chǎn)生的磁場(chǎng)，磁通密度設(shè)定為6000高斯～15000高斯的情況下，能夠可靠地進(jìn)行數(shù)據(jù)消去。
另外，上述直流電源回路，如果具有充放電用的電容器和使充電到電容器的電荷放電至上述線圈的開(kāi)關(guān)元件，通過(guò)用開(kāi)關(guān)元件使電容器的電荷放電至線圈，就能夠使線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)。
另外，在該情況下，通過(guò)將電容器放電引起的線圈磁場(chǎng)產(chǎn)生時(shí)間設(shè)定在10ms以內(nèi)，能夠以短時(shí)間高效率地消去數(shù)據(jù)。
以上說(shuō)明了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，但本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，在本發(fā)明的概念范圍內(nèi)可以進(jìn)行種種變形。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性本發(fā)明可以作為消去記錄于硬盤(pán)裝置中數(shù)據(jù)的裝置得到利用。
權(quán)利要求
1.一種硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置，其特征在于，具有插入配置硬盤(pán)裝置的凹部；產(chǎn)生磁場(chǎng)用的線圈，在所述凹部插入配置硬盤(pán)裝置的狀態(tài)下，纏繞所述凹部并設(shè)置成環(huán)狀，以形成纏繞所述硬盤(pán)裝置外側(cè)的狀態(tài)；和用于使所述線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)的直流電源電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置，其特征在于，在插入配置于所述凹部的硬盤(pán)裝置受到磁力的位置上，設(shè)置永久磁鐵。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置，其特征在于，硬盤(pán)裝置，以用金屬制盒原樣包裹住的狀態(tài)，插入配置在凹部。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置，其特征在于，硬盤(pán)裝置，以用金屬制盒原樣包裹住的狀態(tài)，插入配置在凹部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置，其特征在于，數(shù)據(jù)消去時(shí)的凹部的磁通密度為6000高斯～15000高斯。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置，其特征在于，數(shù)據(jù)消去時(shí)的凹部的磁通密度為6000高斯～15000高斯。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置，其特征在于，數(shù)據(jù)消去時(shí)的凹部的磁通密度為8000高斯～13000高斯。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置，其特征在于，數(shù)據(jù)消去時(shí)的凹部的磁通密度為8000高斯～13000高斯。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置，其特征在于，所述直流電源電路具有充放電用的電容器和使充電至電容器的電荷放電給所述線圈的開(kāi)關(guān)元件。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置，其特征在于，所述直流電源電路具有充放電用的電容器和使充電至電容器的電荷放電給所述線圈的開(kāi)關(guān)元件。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置，其特征在于，所述直流電源電路具有充放電用的電容器和使充電至電容器的電荷放電給所述線圈的開(kāi)關(guān)元件。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置，其特征在于，所述直流電源電路具有充放電用的電容器和使充電至電容器的電荷放電給所述線圈的開(kāi)關(guān)元件。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置，其特征在于，所述電容器的放電引起的線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)的時(shí)間為10ms以內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置，其特征在于，所述電容器的放電引起的線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)的時(shí)間為10ms以內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置，其特征在于，所述電容器的放電引起的線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)的時(shí)間為10ms以內(nèi)。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置，其特征在于，所述電容器的放電引起的線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)的時(shí)間為10ms以內(nèi)。
17.一種硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置，其特征在于，具有插入配置硬盤(pán)裝置的凹部；產(chǎn)生磁場(chǎng)用的線圈，在所述凹部插入配置硬盤(pán)裝置的狀態(tài)下，纏繞所述凹部并設(shè)置成環(huán)狀，以形成纏繞所述硬盤(pán)裝置外側(cè)的狀態(tài)；用于使所述線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)的直流電源電路；和在插入配置于所述凹部的硬盤(pán)裝置受到磁力的位置，設(shè)置的永久磁鐵，所述數(shù)據(jù)消去時(shí)的凹部的磁通密度為6000高斯～15000高斯，所述直流電源電路具有充放電用的電容器和使充電至電容器的電荷放電給所述線圈的開(kāi)關(guān)元件，所述電容器的放電引起的線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)的時(shí)間為10ms以內(nèi)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的硬盤(pán)裝置的記錄數(shù)據(jù)消去裝置，其特征在于，在插入配置于所述凹部的硬盤(pán)裝置受到磁力的位置，設(shè)置永久磁鐵。
全文摘要
記錄數(shù)據(jù)消去裝置1具有插入配置硬盤(pán)裝置20的凹部2；產(chǎn)生磁場(chǎng)用的線圈4，在該凹部2插入配置硬盤(pán)裝置20的狀態(tài)下，纏繞上述凹部2并設(shè)置成環(huán)狀，以形成纏繞硬盤(pán)裝置20外側(cè)的狀態(tài)；和用于使上述線圈4產(chǎn)生磁場(chǎng)的直流電源電路8。
文檔編號(hào)H01F13/00GK1623187SQ0282854
公開(kāi)日2005年6月1日 申請(qǐng)日期2002年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月14日
發(fā)明者伊藤智章 申請(qǐng)人:東洋測(cè)器電腦株式會(huì)社