專利名稱：具有帶倒圓拐角孔之導電材料的微電子基板及去除導電材料的相關(guān)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及從微電子基板去除導電材料和/或半導體材料的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
一般地說，微電子基板和基板組件包括諸如晶體管和晶體管柵極之類的利用導電線路進行連接的部件。形成晶體管柵極(如圖1A-1C中所示)的一種常規(guī)方法是淺溝道隔離法(STI)。首先參照附圖1A，一種典型的STI方法包括攙雜半導體基板10，形成至少部分導電的材料11。在導電材料11上淀積氧化物層14，在氧化物層14上淀積氮化物層15。然后，在氮化物層15上定位具有掩模開口17的掩模16，并蝕刻半導體基板10，形成孔60，如圖1B所示。如圖1C所示，用柵極氧化物層61涂敷孔60，并在柵極氧化物層61的附近淀積柵極材料62。因此，柵極氧化物61與附近的柵極能夠電隔離。然后，可以去除氧化物層14和氮化物層15。
具有上述參照圖1A-1C之STI結(jié)構(gòu)的一個缺點是導電材料11在孔60的邊緣有尖銳拐角63(如圖1B和1C所示)。尖銳拐角63能夠發(fā)射電磁輻射(一般為天線形式)，可能干擾附近半導體部件的工作。解決這個問題的一個常規(guī)的方法是通過將半導體基板10暴露于高溫環(huán)境(如約為1050℃)，以氧化尖銳拐角63處的材料。然后除去被氧化的材料(如用蝕刻劑)，使拐角變圓。采用這種處理方法的一個缺點是，利用高溫方法能夠?qū)崿F(xiàn)的彎曲程度受到限制。另一個缺點是，高溫可能會損壞半導體基板的一些部分或它的成分。還有一個缺點是，高溫方法可能是昂貴的，可能增加由半導體基板形成之產(chǎn)品的成本。
一種從半導體基板上除去大量導電材料的常規(guī)技術(shù)包括經(jīng)過中間電解質(zhì)對導電層加給交變電流，以除去導電層的一些部分。按照有如圖2A所示的一種布置，一種常規(guī)設(shè)備60包括第一電極20a和第二電極20b，它們與電流源21耦合。第一電極20a直接固定到半導體基板10的金屬層21a上，并向下移動第二電極20b，直至第二電極與電解質(zhì)接觸，使第二電極至少部分地浸入液體電解質(zhì)31中。擋板22保護第一電極20a，不與電解質(zhì)31直接接觸。電流源21經(jīng)過電極20a和20b以及電解質(zhì)31對半導體基板10加給交變電流，從導電層11a上除去導電材料。交變電流信號可能有各種各樣的波形，例如由Frankenthal等人在題為“在硅集成電路上對鈦-鉑-金金屬化中鉑的電腐蝕“(Bell實驗室)出版物中公開的波形，本文將它的全文引為參考。
如圖2A所示這種布置的一個缺點是，在裝有第一電極20a的區(qū)域內(nèi)，不可能從導電層11a除去材料，因為在這個區(qū)域中，擋板22阻擋電解質(zhì)31與半導體基板10接觸。此外，如果在這個區(qū)域內(nèi)第一電極20a與電解質(zhì)接觸，這種電解方法就可能使第一電極20a退化。另一個缺點是，這種電解過程不可能均勻地從基板10上除去材料。例如，在導電層11a中可能會產(chǎn)生一些因殘留導電材料形成的“島“，它們并不與第一電極20a直接電連接。殘留的導電材料可能會干擾導電線路的形成和/或工作，而且，如果不重新定位第一電極20a，使其耦合到這些“島“上，那么，利用這種電解方法進行所述去除就是困難的，或者是不可能的。
一種解決前述問題的方法是，在基板周邊固定多個第一電極20a，提高去除導電材料的均勻性。然而，不管附加的第一電極20a有多少，依然會存在所述導電材料的“島”。另一種方法是由不活潑材料，如碳制成電極20a和20b，并去掉擋板22，以增加導電層11a與電解質(zhì)31的接觸面積。然而，在除去基板10上導電材料方面，這種由不活潑材料構(gòu)成的電極可能不如容易反應(yīng)的電極那么有效，并且，不活潑材料構(gòu)成的電極可能還會在基板10上遺留殘留的導電材料。
圖2B表示再一種解決前述問題的方法，其中的兩個基板10部分地浸入盛有電解質(zhì)31的容器30中。將第一電極20a固定到一個基板10上，而將第二電極20b固定到另一基板10上。這種方法的優(yōu)點是電極20a和20b都不接觸電解質(zhì)。然而，在完成電解過程之后，依然會存在導電材料“島”，并且，從電極20a和20b固定到基板10的那些點上去除導電材料可能是很困難的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種包括導電材料的微電子基板和一種形成這種微電子基板的方法，所述導電材料具有帶倒圓拐角的凹陷。按照本發(fā)明的一個方面，一種方法包括在微電子基板的導電材料附近設(shè)置電解液。導電材料在第一平面有第一表面，并在第一平面具有凹陷，通過在第二平面的第二表面使凹陷變圓。所述導電材料在第一表面和第二表面之間還有一個拐角。所述方法還包括如下步驟通過將第一和第二電極定位在與電解液連通液體中，至少部分地從拐角除去導電材料，并使至少一個電極與一電壓源耦合。從拐角上去除導電材料可以是自限定(self-limited)的，其中去除導電材料的速率隨著拐角的倒圓而減小。
按照本發(fā)明的另一方面，一種形成微電子基板的方法可以包括在微電子基板的導電材料附近設(shè)置通常不導電的材料。該方法還包括如下步驟形成凹陷，所述凹陷通過所述通常為不導電的材料延伸并進入導電材料內(nèi)，這個凹陷至少在導電材料和通常為不導電的材料之間的界面附近限定一拐角。該方法還包括如下步驟通過使拐角受到一個電壓的作用，以便至少部分地倒圓所述拐角，至少部分地從拐角上去除導電材料。
本發(fā)明還涉及一種通過一種方法形成的微電子基板，所述方法可包括在微電子基板的導電材料附近設(shè)置通常為不導的電材料，形成凹陷，所述凹陷通過所述通常為不導電的材料延伸并進入導電材料內(nèi)。這個凹陷至少在導電材料和通常為不導電的材料之間的界面附近限定一拐角。該方法還包括如下步驟至少部分地從拐角上去除導電材料，以便至少部分地倒圓所述拐角。
按本發(fā)明的另一方面，通過一種方法形成微電子基板，所述方法包括在微電子基板的導電材料附近設(shè)置電解液，導電材料在第一平面有第一表面，并在第一平面具有凹陷。通過在第二平面的第二表面使凹陷變圓，導電材料在第一表面和第二表面之間還有拐角。該方法還包括如下步驟通過將第一和第二電極定位在與電解液連通的液體，至少部分地從拐角除去導電材料，并且至少使一個電極與一電壓源耦合。


圖1A-1C示意地表示現(xiàn)有技術(shù)在半導體基板中形成半導體部件的淺溝道隔離法；圖2A-2B是現(xiàn)有技術(shù)從半導體基板去除導電材料設(shè)備的部分示意的側(cè)視圖；圖3是本發(fā)明一種實施例從微電子基板去除導電材料設(shè)備的部分示意的側(cè)視圖，所述設(shè)備具有支撐部件和一對電極；圖4是本發(fā)明另一實施例的從要去除導電材料之微電子基板去除導電材料并檢測微電子基板特性的設(shè)備的部分示意的側(cè)視圖；圖5是本發(fā)明再一實施例的包含兩種電解質(zhì)的設(shè)備的部分示意側(cè)視圖；圖6是本發(fā)明又一實施例的在多個電極附近的基板的部分示意平面圖；圖7是本發(fā)明又一實施例中電極和基板的側(cè)視剖面圖；圖8A是本發(fā)明又一實施例中用于容納電極對的支撐的一部分的部分示意立體圖；圖8B-8C是本發(fā)明又一實施例的電極立體圖；圖9A和9B示意地表示本發(fā)明又一實施例的電解加工微電子基板所用的電路和波形；
圖10A-10F示意地表示本發(fā)明一種實施例的在微電子基板之導電材料中倒圓所述孔的拐角的方法；圖11是本發(fā)明另一實施例的在微電子基板之導電材料中倒圓所述孔的拐角的方法。
具體實施例方式
本發(fā)明的公開內(nèi)容描述了用于從制造微電子基板中所用的微電子基板和/或基板組件去除導電材料的方法和設(shè)備。在下面的描述中以及在附圖3-11中，提出本發(fā)明的一些特定實施例的具體細節(jié)，以便透徹地理解這些實施例。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)予理解，本發(fā)明還有附加的實施例，或者沒有下述的幾個細節(jié)也可以實施本發(fā)明。
圖3-9B及相關(guān)的討論，一般指的是本發(fā)明一些實施例從微電子基板去除導電材料的設(shè)備。圖10A-11及相關(guān)的討論，一般指的是使用比如參照附圖3-9B所述類型的設(shè)備對導電材料倒所述拐角的技術(shù)。本文所用術(shù)語導電材料包括(但不限于)比如銅、鉑和鋁等金屬，以及半導體材料，如攙雜的硅和/或多晶硅。術(shù)語微電子基板通常是指用來支撐微電子部件，如半導體器件的基板和基板組件。
圖3是本發(fā)明一種實施例的用于從微電子基板或基板組件110去除導電材料的設(shè)備160的部分示意側(cè)視圖。按照本實施例的一個方面，所述設(shè)備160包括容納電解質(zhì)131的容器130，所述電解質(zhì)可以是液體的或凝膠狀態(tài)的。本文所用的術(shù)語電解質(zhì)和電解液通常是指電解用的液體和凝膠。與電解液實現(xiàn)流體連通的結(jié)構(gòu)是與電解液或凝膠流體連通的。
微電子基板110具有一個邊緣表面112和兩個平面表面113。支撐部件140相對于容器130支撐所述微電子基板110，使得在基板110的兩個平面表面130中的至少一個上的導電層111與電解質(zhì)131接觸。所述導電層111可以包括金屬，如鉑、鎢、鉭、金、銅，或其它導電材料。本實施例的另一方面，所述支撐部件140耦合到基板驅(qū)動單元141，而所述基板驅(qū)動單元141相對于容器130移動所述支撐部件140和基板110。例如，基板驅(qū)動單元141可以平移支撐部件140(如箭頭A所示)和/或轉(zhuǎn)動支撐部件140(如箭頭B所示)。
設(shè)備160還可包括第一電極120a和第二電極120b(一起稱為電極120)，它們由支撐部件124相對于微電子基板110支撐。本實施例的一個方面，所述支撐臂124耦合到電極驅(qū)動單元123，用以相對所述微電子基板110移動電極120。例如，所述電極驅(qū)動單元123可以相對所述微電子基板110的導電層111來回移動各電極(如箭頭“C“所示)和/或在在通常平行于所述導電層111的平面內(nèi)的橫向方向移動各電極(如箭頭“D“所示)。此外，電極驅(qū)動單元123還可以按其它方式移動各電極，或者當基板驅(qū)動單元141在基板110和電極120之間能提供足夠的相對移動時，省去所述電極驅(qū)動單元123。
在上述參照圖3描述的各實施例中，均可用導線將電極120耦合到電流源121，用以向電解質(zhì)131和導電層111提供電流。工作時，電流源121對電極120提供交變電流(單相或多相)。電流穿過電解質(zhì)131并與導電層111起電化學反應(yīng)，從導電層111去除導電材料(如原子或原子團)?？墒闺姌O120和/或基板110彼此相對移動，從所述導電層111的所選部分或者從整個導電層111去除導電材料。
按圖3所示設(shè)備160的實施例的一個方面，將電極120和導電層111之間的距離D1設(shè)定為小于第一電極120a與第二電極120b之間的距離D2。此外，電解質(zhì)131的電阻通常比導電層111的電阻大。因此，交變電流遵循從第一電極120a、穿過電解質(zhì)131、到導電層111、反向穿過電解質(zhì)131、再到第二電極120B的最小電阻路徑，而不會從第一電極120a直接穿過電解質(zhì)131到達第二電極120b。此外，還可以在第一電極120a與第二電極120b之間定位一種低介電材料(未示出)，以斷開在各電極120之間的不首先穿過導電層111的直接電連通。
圖3所示設(shè)備160實施例的一個特征在于電極120不接觸基板110的導電層111。這種布置的優(yōu)點是，它能消除有如上述參照圖1和2所述的因電極120與導電層111之間的直接電連接所產(chǎn)生的殘留的導電材料。譬如，由于電極120不與導電層111接觸，于是，所述設(shè)備160能夠消除電極與導電層之間的接觸區(qū)附近的殘留導電材料。
上述參照圖3所述設(shè)備160實施例的另一個特征是，可使所述基板110和/或電極120彼此相對移動，以便在導電層111附近的任何一點定位電極120。這種布置的優(yōu)點是，可在導電層的每一部分附近的依次定位電極120，從而可以從整個導電層111去除導電材料。此外，在只希望去除導電層111的所選部分的導電材料情況下，可將電極120移動到這些所選的部分，使導電材料111的其余部分保持不動。
圖4是本發(fā)明另一實施例設(shè)備260的部分示意側(cè)視圖。所述設(shè)備260包括支撐部件240，支撐部件240的位置適于支撐基板110。本實施例的一個方面，支撐部件240支撐所述基板110，其導電層111面朝上?；弪?qū)動單元241可移動所述支撐部件240和基板110，比如參照圖3所述的那樣。將第一和第二電極220a、220b定位在所述導電層111的上方，并與電流源221耦合。支撐部件224相對于基板110支撐各電極220，并耦合到電極驅(qū)動單元223，以便在支撐導電層111的表面上方按照大體上類似于參照圖3所描的方式移動電極220。
按圖4所示實施例的一個方面，所述設(shè)備260還包括具有供料導管237的電解質(zhì)容器230，所述供料導管237在電極220附近定位一個孔238。于是，可將電解質(zhì)231局部地設(shè)置在電極230和導電層111之間的界面區(qū)域239，而不覆蓋整個導電層111。電解質(zhì)231和被從導電層111去除的導電材料在基板110上流過，并被收集在電解質(zhì)容器232內(nèi)。電解質(zhì)231與導電材料的混合物流到回收設(shè)備233中，所述回收設(shè)備233可從電解質(zhì)231上除去大部分導電材料。被定位于回收設(shè)備233下游方向的過濾器234對于電解質(zhì)231進行附加的過濾，泵235使回收的電解質(zhì)231經(jīng)返回管路236返回到電解質(zhì)容器230。
按圖4所示實施例的另一方面，所述設(shè)備260可包括傳感器組件250的傳感器控制單元252，其中所述傳感器組件250具有傳感器251，傳感器251被定位于導電層111附近，傳感器控制單元252耦合到傳感器251，用以處理傳感器251所產(chǎn)生的信號。傳感器控制單元252也能相對基板110移動所述傳感器2551。本實施例的再一方面，借助反饋路徑253可使所述傳感器組件250耦合到電極驅(qū)動單元223和/或基板驅(qū)動單元241。于是，所述傳感器251可以確定導電層111的哪個區(qū)需要額外的材料去除，并且可以彼此相對地移動電極220和/或基板110，以便將電極220定位在這些區(qū)域。另外，(比例在非常需要重復去除過程時)，可以按照預先確定的移動方式，彼此相對地移動電極220和/或基板110。
所述傳感器251和傳感器控制單元252可以具有任何適宜的結(jié)構(gòu)。比如按照一種實施例，所述傳感器251可以是光傳感器，在去除導電材料時，它通過檢測從基板110上反射的光強度、波長或相移變化，檢測所述導電層111的去除。此外，所述傳感器251可以發(fā)射并檢測其它波長輻射，如X射線輻射的反射。按照另一實施例，所述傳感器251可以測量兩個選定點之間導電層111的電阻或電容變化。按這種實施例的再一方面，可由一個或兩個電極220完成所述傳感器251的功能(以及上述導電材料的去除功能)，這樣就不再需要單獨的傳感器251。按照另一種實施例，所述傳感器251可以檢測當去除導電層111時從電流源221所取得的電壓和/或電流的變化。
在上述參照圖4所述的任一實施例中，都可以遠離電解質(zhì)231定位所述傳感器251，這是因為電解質(zhì)231集中在電極220和導電層111之間的界面區(qū)域239內(nèi)。從而，可使傳感器251確定電解過程進程的精確度得到提高，因為電解質(zhì)231不太可能干擾傳感器251的工作。例如，當傳感器251是一種光傳感器時，電解質(zhì)231不太可能使來自基板110表面的輻射畸變，因為傳感器251的位置遠離界面區(qū)239。
上述參照圖4所述設(shè)備260實施例的另一特征是，或者利用回收的電解質(zhì)，或者利用新的電解質(zhì)，使提供給所述界面區(qū)域239的電解質(zhì)231是連續(xù)充滿的。這一特征的優(yōu)點在于，可以將電極220和導電層111之間的電化學反應(yīng)維持在很高的并且一致的水平。
圖5是設(shè)備360的部分側(cè)視示意圖。設(shè)備360經(jīng)過第一電解質(zhì)331a和第二電解質(zhì)331b將交變電流引向基板110。本實施例的一方面，將第一電解質(zhì)331a設(shè)在兩個第一電解質(zhì)容器330a內(nèi)，而將第二電解質(zhì)331b設(shè)在第二電解質(zhì)容器330b中。所述第一電解質(zhì)容器330a部分地浸入第二電解質(zhì)331b中。設(shè)備360還可包括電極320，圖中示出第一電極320a和第二電極320b，每個電極都耦合到電流源321，每個電極都容納在兩個第一電解質(zhì)容器330a當中的一個內(nèi)。此外，可使所述電極320之一接地。電極320的材料可以為比如銀、鉑、銅和/或其它材料，第一電解質(zhì)331a可以包括氯化鈉、氯化鉀、硫化銅和/或與形成電極320的材料相容的其它材料。
按本實施例的一個方面，第一電解質(zhì)容器330a包括一個節(jié)流閥322，比如TeflonTM，諸如燒結(jié)玻璃、石英或藍寶石等燒結(jié)材料，或者其它適宜的多孔材料制成的可滲透隔離膜，所述適宜材料允許離子在第一電解質(zhì)容器330a和第二電解質(zhì)容器330b之間來回穿過，但不允許第二電解質(zhì)330b向內(nèi)朝電極320通過(如基本上類似于鹽橋的方式)。此外，可以在足以引導第一電解質(zhì)331a向外通過節(jié)流閥322的壓力和速率條件下，從第一電解質(zhì)源339向電極容器330a提供第一電解質(zhì)331a，而不允許第一電解質(zhì)330a或第二電解質(zhì)330b通過節(jié)流閥322返回。無論在哪種實施例中，借助第一電解質(zhì)331a穿過節(jié)流閥322的流動，使第二電解質(zhì)331b保持與電極320的電耦合。
按本實施例的一個方面，所述設(shè)備360還可以包括支撐部件340，支撐部件340支撐基板110，使導電層111面向電極320。例如，可將所述支撐部件340定位在第二電解質(zhì)容器330b中。本實施例的另一方面，利用一個或多個驅(qū)動單元(未示出)可使支撐部件340和/或電極320彼此相對移動。
上述參照圖5所述設(shè)備360實施例的一個特征是，可以選擇第一電解質(zhì)331a，使其與電極320是相容的。與常規(guī)電解質(zhì)相比，這個特征的優(yōu)點在于，第一電解質(zhì)331a不太可能使電極320質(zhì)量下降。相反，第二電解質(zhì)331b的選擇可能與它對電極320的影響效果無關(guān)，這是因為第二電解質(zhì)331b借助節(jié)流閥322與電極320化學隔離的緣故。因此，第二電解質(zhì)331b可以包括鹽酸或另外的試劑，它們可與基板110的導電層進行腐蝕性反應(yīng)。
圖6是定位在多個電極下方之微電子基板110的俯視平面圖，所述各電極具有本發(fā)明幾種實施例的形狀和結(jié)構(gòu)。為了說明起見，圖中示出幾種不同類型的電極，它們都定位在同一微電子基板110的附近。然而，實際上，相對于單個微電子基板110只能定位同一類型的電極。
在一種實施例中，可將電極720a和720b分組形成一個電極對770a，其中的每個電極720a和720b都耦合到一個電流源121的相對終端(圖3)。電極770a和770b的形狀可為細長的或條形，并可將它們布置成使它們可沿基板110的直徑方向彼此平行地延伸?？梢赃x擇電極對370a的相鄰電極之間的間距，以便能把電流引導進入基板110中，如上參照圖3所描述的那樣。
按照一種可供選擇的實施例，可以將電極720c和720d分組形成一個電極對770b，其中的每個電極720c和720d都呈楔形或“劈”形，向內(nèi)朝向微電子基板110中心逐漸斜削。在又一種實施例中，可將窄條形電極720e和720f分組形成一個電極對770c，其中每個電極720e和720f都從微電子基板110的中心113朝向微電子基板110的周邊112向外徑向地延伸。
在又一種實施例中，單獨一個電極720g可以在微電子基板110的約1/2面積上延伸，并可具有半圓平臺形狀。電極720g可以與另一個電極(未示出)組成一組，另一電極的形狀相應(yīng)于電極720g的鏡像圖像，可以按照以上參照圖3-5描述的任何方式，使兩個電極耦合到微電子基板。
圖7是部分基板110的局部側(cè)視剖面示意圖，其中基板110定位在上述參照圖6所述電極720c的下方。按本實施例的一個方面，所述電極720c具有上表面771和與該上表面771相對的下表面772；所述下表面772面對基板110的導電層111。按本實施例的一個方面，所述下表面772從基板110的中心113開始朝向基板110的周邊112向下斜削，使電極720c成楔形斷面。另一種選擇，電極720c可以為板形結(jié)構(gòu)，下表面772如圖7所示那樣定位，上表面771平行于下表面772。每種實施例的一個特征是，電極720c和基板110之間的電耦合在基板110的周邊112比在基板110的中心113可能更強些。當基板110的周邊112相對于電極720c以比基板110的中心113更快的速率移動的時候，例如，當基板110圍繞它的中心113轉(zhuǎn)動的時候，這一特征更為有利。因此，電極720c的形狀要考慮到電極和基板110之間的相對移動。
按其它一些實施例，電極720c可以具有其它形狀。例如，下表面772可以有彎曲的輪廓，而不是平直的輪廓。此外，上述參照圖6所述的任何電極(或者具有除如圖6所示形狀以外其它形狀的其它電極)可以有傾斜的或彎曲的下表面。在又一種實施例中，所述電極的形狀可計及電極和基板110之間的相對移動。
圖8A是支撐本發(fā)明另一實施例多個電極所用的電極支撐473的局部示意圖。在本實施例的一個方面，電極支撐473可包括多個電極孔474，每個電極孔或容納第一電極420a，或容納第二電極420b。所述第一電極420a通過孔474與第一引線428a耦合，第二電極420b與第二引線428b耦合。所述兩種引線428a和428b都耦合到電流源421。因此，由第一電極420a和第二電極420b構(gòu)成的每一對470限定上述參照圖3-5所述的基板110和電解質(zhì)(一種或多種)實現(xiàn)的一部分電路。
按本實施例的一個方面，可使所述第一引線428a與第二引線428b的位置錯開一些，以減小兩個引線之間短路和/或電容耦合的可能性。按本實施例的另一方面，所述電極支撐473的結(jié)構(gòu)可類似于上述參照圖1-7所述任何一個電極支撐的結(jié)構(gòu)。上述參照圖6所述的各個電極(如320a、320c、320e或320g)中的任何一個，都可以由電極支撐473來替換，所述電極支撐473具有相同的總體形狀，包括多個孔474，并且每個孔474都容納第一電極420a和420b當中的一個。
按本實施例的又一個方面，可將圖8A所示的電極對470布置成，使其與電極420a、420b和微電子基板110之間的接近程度對應(yīng)(圖7)，和/或可將圖8A所示的電極對470布置成，使其與電極420a、420b和微電子基板110之間相對移動的速率對應(yīng)。例如，可在很大程度上將電極對470集中在基板110的周邊112，或者在很大程度上集中在電極對470與基板110之間的相對速度較高的其它區(qū)域(見圖7)。于是，提高電極對470的集中程度，可以提高電解電流，以補償較高的相對速度。此外，在一些各電極靠近導電層111(見圖7)的區(qū)域(如基板110的周邊112)內(nèi)，每個電極對470的第一電極420a和第二電極420b彼此可能會較為接近，這是因為接近導電層111將會減小第一電極420a和第二電極420b之間直接電耦合的可能性。在本實施例的又一個方面，可以根據(jù)一些因素改變提供給不同電極對470的幅度、頻率和/或波形，所述因素比如有電極對470與微電子基板110之間的距離、電極對470與微電子基板110之間的相對速度。
圖8B和8C表示本發(fā)明又一實施例中同心布置的電極820(圖中表示為第一電極820a和第二電極820b)。在如圖8B所示的一種實施例中，可將第一電極820a同心地定位在第二電極820b的周圍，在第一電極820a和第二電極820b之間設(shè)置電介質(zhì)材料829。第一電極820a可在第二電極820b的周圍限定一個完整的360°的弧，或者按另一種方式，第一電極820a可限定一個小于360°的弧。
按另一種實施例，如圖8C所示，可將第一電極820a同心地設(shè)置在兩個第二電極820b之間，在相鄰的兩個電極820之間設(shè)置電介質(zhì)材料829。按本實施例的一個方面，可以向每個第二電極820b提供電流，而沒有相移。按另一種方式，提供給一個第二電極820b的電流可以相對于提供給另一個第二電極820b的電流移相。在本實施例的另一方面，提供給每個第二電極820b的電流，除了相位以外的特性，比如幅度是可以不同的。
上述參照圖8B和8C所述的電極820的一個特征是，第一電極820a可以屏蔽第二電極(一個或多個)820b不受其它電流源的干擾。例如，可使第一電極820a接地，以屏蔽第二電極820b。這種布置的優(yōu)點在于，可以更為準確地控制經(jīng)電極820加給基板110的電流(圖7)。
圖9A是上述參照圖3-8C所述一些部件的示意電路圖。如圖9A所示意表示的，分別用導線528a和528b將電流源521耦合到第一電極520a和第二電極520b。電極520a和520b借助電解質(zhì)531耦合到微電子基板110，其中的安排用兩組并聯(lián)的電容器和電阻器代表。第三電容器和電阻器示意表示微電子基板110相對于地或其它的電位是“浮動“的。
在圖9A所示實施例的一個方面，電流源521可耦合到幅度調(diào)制器522，幅度調(diào)制器522調(diào)制由電流源521產(chǎn)生的信號，如圖9B所示。因此，電流源521可以產(chǎn)生高頻波904，幅度調(diào)制器522可以監(jiān)視在高頻波904上的低頻波902。例如，高頻波904可以包括一系列正的或負的電壓尖峰信號，這些電壓尖峰信號被包含在由低頻波902確定的方波包絡(luò)線中。高頻波904每個尖峰信號的上升時間斜率都相當陡峭，以便通過電介質(zhì)向電解質(zhì)傳送電荷，這種高頻波904每個尖峰信號的下降時間斜率都比較平緩。下降時間斜率可以確定一條有如高頻波904所表示的直線；或者一條有如高頻波904a所表示的曲線。在其它一些實施例中，高頻波904和低頻波902可以為其它的形狀，比如這取決于電極420附近的電介質(zhì)材料和電解質(zhì)的特性、基板110的特性，和/或從基板10去除導電材料的目標速率。
這種實施例的優(yōu)點在于，高頻信號可以從電極520a和520b向微電子基板110發(fā)送所需要的電能，同時低頻監(jiān)視信號可以更加有效地促進電解質(zhì)531和微電子基板110的導電層111之間的電化學反應(yīng)。因此，上述參照圖3-8C所述的任何一種實施例，除包括電流源以外還可包括一個幅度調(diào)制器。
圖10A-10F以示意的方式表示本發(fā)明另一種實施例在微電子基板中形成各種部件的方法，其中使用上述參照圖3-8C所述的任何設(shè)備。按本實施例的一個方面，所述方法包括形成淺溝道隔離(STI)部件，而在另外的實施例中，所述方法包括形成其它類型的部件。在這些實施例的任何一個中，所述方法包括倒圓導電材料的拐角，有如下面更為詳細地描述的那樣。
圖10A表示具有表面1013之微電子基板1010的一部分，它具有導電的、部分導電的和/或半導體的材料1011(以下統(tǒng)稱導電材料1011)。例如按照一種實施例，所述導電材料1011可包括攙雜硼或磷的硅。在另外一些實施例中，導電材料1011可包括其它的導電的或半導體的材料。在任何這些實施例中，所述方法還包括比如在所述導電材料1011內(nèi)形成的多個孔，用以支撐介電材料或其它微電子部件。在本實施例的一個方面，所述方法可包括在導電材料1011上設(shè)置氧化物層1014，然后在氧化物層1014上設(shè)置氮化物層1015?？拷飳?015定位具有開口1017的掩模1016，這些開口1017與所希望的微電子部件位置對應(yīng)，并將微電子基板1010暴露于蝕刻劑。
如圖10B所示，蝕刻劑可以除去位于開口1017下面的材料，以形成延伸通過氮化物層1015、氧化物層1014和導電材料1011的上表面1065的孔1060或其它凹陷。因此，孔1060可以包括大致垂直于上表面1065的側(cè)壁1064，以及位于在側(cè)壁1064和上表面1065之間結(jié)合部處的拐角1063。
現(xiàn)在參照圖10C，在倒圓拐角1063之前，可以蝕刻氮化物層1015和氧化物層1014，使它們脫離拐角1063。例如，按本實施例的一個方面，一種液體蝕刻劑含有約500份的水，約1份的氫氯酸和約1份的鹽酸，這種蝕刻劑可按大致相同的速率深腐蝕氮化物層1015和氧化物層1014，露出拐角1063附近的導電材料1011的上表面1065。按本實施例的另一方面，可以在約60℃溫度下完成蝕刻過程。按一種可供選擇的實施例，如下面參照圖11詳細描述的那樣，可以省去從拐角1063上深腐蝕氮化物層1015和氧化物層1014這一步驟。
如圖10D所示，可以倒圓被露出的拐角1063，形成倒圓的拐角1063a(如圖10D虛線所示)。例如，按本實施例的一個方面，可將電解液1031安置在拐角1063的附近，并且使其與第一電極1020a和第二電極1020b(統(tǒng)稱為電極1020)流體連通。按本實施例的另一方面，可使電極1020與微電子基板1010間隔開，間距從約1mm到約2mm。在另外一些實施例中，這個間距可為其它的數(shù)值。至少一個電極1020可以耦合到一個電壓源，如交變電流源，耦合的方式大體上類似于上述參照圖3-9B所述的方式。因此，電流從電極1020之一開始流過電解液1031，到達拐角1063，從而可以氧化拐角1063處的導電材料。電流可以通過導電材料1011并反向穿過電解液1031，到達另一個電極1020，完成一個電路。通過與電解液的化學相互作用可以除去拐角1063處的氧化材料，形成倒圓的拐角1063a。
按本實施例的一個方面，可按速率約為1-500mA/cm2(在特定的實施例中約為50mA/cm2)，頻率約60赫茲，電壓約為15伏(Vrms一均方根值)的條件將電流引入電解液1031中。另外，所述還電流可能有其它的特性。在任何這些實施例中，電解液1031的組分可與深腐蝕氧化物層1014和氮化物層1015所用的蝕刻劑的組分相同。按本實施例的另一方面，可以選擇電解液1031的組分，以減少或消除在孔1060的側(cè)壁1064處的蝕刻。例如，當導電材料1011包括硅的時候，電解液1031中的鹽酸可以減小液體的pH值，從而至少減少在側(cè)壁1064處的蝕刻。因而，電解液1031可以(a)有足夠的導電性，從而可以將電流導通到拐角106，以便氧化拐角1063處的導電材料；(b)有足夠的反應(yīng)性，從而可以從拐角1063處除去氧化的材料；(c)反應(yīng)性不過大，否則會從孔1060的側(cè)壁1064把未氧化的材料也除掉。此外，可向電解液1031加入乙烷乙二醇，以減小硅側(cè)壁1064的蝕刻速率。在另外的實施例中，可以在電解液1031中加入其它化學物質(zhì)，以控制在側(cè)壁1064處去除材料的速率，同時使得能夠從拐角1063去除材料，如以上所述。
圖10E表示在已將拐角1063(圖10D)倒圓，從而形成倒圓拐角1063a之后，有如圖10D所示的部分微電子基板1010。按本實施例的一個方面，拐角1063a的橫截面形狀可確定一個大體圓形的弧。在另外的實施例中，倒圓的拐角1063a可以有其它的形狀。在任何這些實施例中，與如圖10D所示的尖銳拐角1063相比，倒圓的拐角1063a是圓形的，不太尖銳。
圖10F表示設(shè)在孔1060中的柵極氧化物層1066，用以涂敷側(cè)壁1064。然后，可以通過在孔1060的內(nèi)部，在所述柵極氧化物1066上設(shè)置普通柵極材料1067，以形成柵極。
上述參照圖10A-10F所述方法實施例的一個特征是，可以使側(cè)壁1064與導電材料1011之上表面1065之間的接合部處所形成的最初為尖銳的拐角1063被倒圓，而無需升高微電子基板1110的溫度明顯超過室溫。相應(yīng)地，在微電子基板1010工作期間，已倒圓的拐角1063a不太可能發(fā)射可能干擾微電子基板1010其它部件的電磁信號。此外，因為在高溫環(huán)境停留的時間較少，所以，這種微電子基板的制造不很昂貴，而且更加可靠。
上述參照圖10A-10F所述方法實施例的另一個特征是，這種方法是自限定的。例如，隨著拐角1063處的導電材料1011氧化并腐蝕掉，拐角1063變?yōu)榈箞A的，而且同與電極1020流體連通的其它導電表面相比，吸引電流不太可能更快。因此，這種方法不像其它去除材料的方法那樣需要緊密地進行監(jiān)視。
圖11是本發(fā)明另一個實施例用于倒圓微電子基板1110之導電拐角方法的局部示意圖。按本實施例的一個方面，微電子基板1110可包括導電材料1111、氧化物層1114和氮化物層1115，它們的安排方式大體上與上述參照圖10D所述方式相同。穿過氮化物層1115和氧化物層1114，進入導電材料1111而蝕刻孔1160，蝕刻方式也大體上與上述參照圖10B所述的方式相似?？?160可有側(cè)壁1164，側(cè)壁1164形成尖銳的拐角1163，孔1160在這里與導電材料1111的上表面1165相交。
按本實施例的另一方面，可使第一電極1120a和第二電極1120b位于與設(shè)在微電子基板1110上的電解質(zhì)1131連通的流體中，從而可以倒圓初始時尖銳的拐角，而無需先行蝕刻拐角1163的深腐蝕氧化物層1114和氮化物層1115。因此，最初可將氧化物層1114和氮化物層1115懸在倒圓的拐角之上，至少直到從微電子基板1110上去除氧化物層1114和氮化物層1115之前是這種情況。這種方法的優(yōu)點在于，可以省去上述參照圖10C所述的這樣的步驟。
從以上所述可以看出，雖然這里為了進行說明描述了本發(fā)明的特定實施例，但在不脫離本發(fā)明構(gòu)思和范圍的條件下可以作出各種改型。例如，可以使用上述方法形成除STI部件以外的其它部件。相應(yīng)地，只有所附各權(quán)利要求得以限定本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種加工微電子基板的方法，其中，依次包括如下步驟在微電子基板的導電材料附近設(shè)置電解液，導電材料具有在第一平面中的第一表面，并且第一表面中具有凹陷，通過在第二平面中的第二表面倒圓所述凹陷，所述導電材料在第一和第二表面之間還有拐角；通過定位第一和第二電極，使它們與電解液流體連通，并將至少一個電極耦合到電壓源，從拐角處去除至少一部分導電材料。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述微電子基板具有平面的表面，所述凹陷通常垂直于所述平面表面延伸，并且去除至少一部分導電材料包括定位兩個電極，使其面對所述平面表面，同時使至少一個電極耦合到電壓源，并在所述平面表面與電極之間設(shè)置電解液。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，還包括如下步驟從與所述微電子基板分開的一個電極發(fā)射電信號；在所述導電材料的拐角處接收所述電信號；使所述電信號通過所述導電材料，從而氧化所述拐角處的至少一部分導電材料；和使所述導電材料的被氧化部分暴露于化學蝕刻劑。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述導電材料的第一表面定位在通常不導的電材料附近，所述通常不導電材料定位在第一表面與至少一個電極之間，而且從拐角處去除至少一部分導電材料包括去除與所述通常不導電材料接合的導電材料。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，還包括如下步驟在所述導電材料上設(shè)置所述通常不導電材料層；在從拐角處去除至少部分導電材料之前，去除至少部分不導電材料層，以露出所述導電材料的拐角。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，還包括如下步驟在導電材料上設(shè)置氧化物層；在氧化物層上設(shè)置氮化物層；在從拐角去除導電材料之前，去除至少部分氮化物層和至少部分氧化物層，以露出所述導電材料拐角。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，去除所述導電材料包括使電流通過部分導電材料并使這部分暴露于蝕刻劑，從而氧化至少部分導電材料。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，還包括步驟選擇電解質(zhì)，使其包括水和氫氯酸與鹽酸中至少一種。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，去除至少部分導電材料包括使電流按約為1-500mA/cm2的速率進入導電材料。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，去除至少部分導電材料包括選擇電壓源，向所述導電材料提供約15伏均方根電壓。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，去除至少部分導電材料包括選擇通過所述導電材料的電流，使其在約60赫茲處變化。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，去除至少部分導電材料包括選擇通過所述導電材料的電流為交變電流。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，還包括步驟選擇電解液，使其包括水、鹽酸和氫氯酸，比例為500∶1∶1。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，還包括步驟選擇電解液，使其包括攙雜硅。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，還包括步驟選擇所述第一和第二電極中至少之一，使其包括鉑、鉭和石墨中的至少之一。
16.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，還進一步包括如下步驟確定所述第一和第二電極中至少一個電極的位置，使其距所述微電子基板離約為1-2mm。
17.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，還包括步驟從拐角處去除導電材料之后，在所述凹陷的壁上設(shè)置絕緣層。
18.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，還包括步驟在所述凹陷中設(shè)置電介質(zhì)材料。
19.權(quán)利要求如1的方法，其中，去除至少部分導電材料包括通過倒圓所述拐角，減小從拐角去除導電材料的速率。
20.一種加工微電子基板的方法，其中，依次包括如下步驟在微電子基板的導電材料附近設(shè)置通常不導電的材料；形成通過所述通常不導電材料延伸并進入導電材料中的凹陷，所述凹陷至少在導電材料與通常不導電材料之間的界面附近確定一個拐角；從所述拐角去除至少部分導電材料，通過使所述凹陷暴露于一個電壓下，從而至少部分地倒圓所述拐角。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，去除至少部分導電材料包括定位第一電極和第二電極，使其接近和遠離微電子基板，將至少一個電極耦合到電壓源，使電流從至少一個電極流到拐角，以氧化所述拐角處的導電材料，并使所述拐角處氧化的材料暴露于蝕刻劑。
22.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，還包括如下步驟從與所述微電子基板離開的一個電極發(fā)射電信號；在所述導電材料的拐角處接收所述電信號；使電流通過所述導電材料，從而氧化所述拐角處的至少部分導電材料；使所述導電材料的被氧化部分暴露于化學蝕刻劑。
23.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，從拐角處去除至少部分導電材料包括去除與通常不導電材料耦接的導電材料。
24.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，還包括步驟在從所述拐角處去除至少部分導電材料之前，去除至少部分不導電材料，以露出所述導電材料的拐角。
25.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，還包括如下步驟在導電材料上設(shè)置氧化物層；在氧化物層上設(shè)置氮化物層；在從所述拐角處去除至少部分導電材料之前，去除至少部分氮化物層和至少部分氧化物層，以露出所述導電材料的拐角。
26.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，去除導電材料包括使電流流過至少部分導電材料，并使這部分暴露于蝕刻劑，從而氧化至少一部分導電材料。
27.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，去除至少部分導電材料包括使電流按約100毫安的速率流入導電材料。
28.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，去除至少部分導電材料包括在約15伏均方根值電壓下使電流通過導電材料。
29.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，去除至少部分導電材料包括在頻率約60赫茲下使電流通過導電材料。
30.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，去除至少部分導電材料包括選擇通過所述導電材料的電流為交變電流。
31.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，還包括步驟選擇導電材料，使其包括攙雜的硅。
32.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，去除至少部分導電材料包括定位所述第一和第二電極，使其與所述拐角流體連通，把至少一個電極耦合到電壓源，并選擇第一和第二電極中的至少一個電極，使其包括鉑、鉭和石墨中的至少一種。
33.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，還包括步驟在從拐角除去所述導電材料之后，在孔的壁上設(shè)置絕緣層。
34.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，還包括步驟在所述凹陷中形成晶體管柵極。
35.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述微電子基板有一個平面的表面，所述凹陷大體上垂直于所述平面表面延伸，并且去除至少部分導電材料包括定位兩個電極，使其面向所述平面表面，把至少一個電極耦合到電壓源，在所述平面表面與電極之間設(shè)置電解液。
36.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，還包括步驟通過倒圓所述拐角，減小去除導電材料的速率。
37.一種加工微電子基板的方法，其中，依次包括如下步驟在微電子基板的攙雜硅材料上形成氧化物層；在氧化物層上設(shè)置氮化物層；蝕刻凹陷，穿過所述氮化物層和氧化物層并進入導電材料中；去除在凹陷附近的一部分氮化物層和氧化物層，以露出所述導電材料的拐角；在所述導電材料的拐角的附近布置電解液；通過定位第一和第二電極，使其靠近和遠離所述微電子基板，并與電解液流體連通，并且通過將至少一個電極耦合到電壓源，氧化所述拐角處的至少部分導電材料；通過將被氧化的材料暴露于蝕刻劑，去除至少部分氧化的材料；通過倒圓所述拐角以減小電流從至少一個電極向拐角的流動，減小從所述拐角去除導電材料的速率。
38.如權(quán)利要求37所述的方法，其中，去除所述凹陷附近的部分氮化物層和氧化物層包括以第一速率去除氮化物層的材料，并以第二速率去除氧化物層的材料，所述第一速率近似等于第二速率。
39.如權(quán)利要求37所述的方法，其中，還包括步驟去除至少部分氧化的材料后，用蝕刻劑去除氮化物層和氧化物層。
40.如權(quán)利要求37所述的方法，其中，去除所述凹陷附近的部分氮化物層和氧化物層包括在所述氮化物層和氧化物層的附近設(shè)置蝕刻劑，蝕刻劑的化學組分與電解液的化學組分近似相同。
41.一種加工微電子基板的方法，其中，依次包括如下步驟在微電子基板的導電材料內(nèi)形成凹陷，所述凹陷在孔和導電材料平面的交叉點處確定一個拐角；在所述凹陷內(nèi)形成導電的微電子部件；通過倒圓由所述凹陷確定的拐角，控制從所述微電子部件的電磁發(fā)射，所述倒圓拐角包括將電壓源電耦合到所述拐角，以氧化所述導電材料，通過將被氧化的材料暴露于蝕刻劑，從拐角去除被氧化的材料。
42.如權(quán)利要求41所述的方法，其中，所述導電材料中的凹陷包括在半導體材料中形成凹陷。
43.如權(quán)利要求41所述的方法，其中，倒圓拐角包括定位所述第一電極和第二電極，使其靠近或遠離微電子基板，將第一和第二電極中至少之一耦合到電壓源，使來自所述第一和第二電極中至少之一的電流通過電解液流到所述拐角，以氧化所述拐角處的導電材料，并使所述拐角處被氧化的導電材料暴露于蝕刻劑。
44.如權(quán)利要求41所述的方法，其中，還包括如下步驟從遠離所述微電子基板的電極射電信號；在所述導電材料的拐角處接收所述電信號；使所述電信號通過導電材料，從而氧化在拐角處的至少部分導電材料；使導電材料的被氧化部分暴露于化學蝕刻劑。
45.如權(quán)利要求41所述的方法，其中，在通常不導電材料附近定位導電材料，所述通常不導電材料定位在導電材料平面與至少一個電極之間，從所述拐角去除至少部分導電材料包括除去與所述通常不導電材料接合的導電材料。
46.如權(quán)利要求41所述的方法，其中，還包括如下步驟在導電材料上設(shè)置不導電材料層；和在從所述拐角處去除至少部分導電材料之前，除去至少部分不導電材料層，以露出導電材料的拐角。
47.如權(quán)利要求41所述的方法，其中，還包括如下步驟在導電材料上設(shè)置氧化物層；在氧化物層上設(shè)置氮化物層；在從所述拐角去除至少部分導電材料之前，去除至少一部分氮化物層和至少一部分氧化物層，以露出導電材料的拐角。
48.如權(quán)利要求41所述的方法，其中，還包括步驟選擇導電材料包括攙雜的硅。
49.如權(quán)利要求41所述的方法，其中，還包括步驟在倒圓拐角后，在所述凹陷的側(cè)壁上設(shè)置絕緣層。
50.如權(quán)利要求41所述的方法，其中，還包括步驟在所述凹陷內(nèi)形成晶體管柵極。
51.如權(quán)利要求41所述的方法，其中，所述微電子基板有一平面的表面，所述凹陷大體上垂直于所述平面表面延伸，并且，倒圓拐角包括定位兩個電極，使其面向所述平面表面，將至少一個電極耦合到電壓源，并在所述平面表面與電極之間設(shè)置電解液。
52.一種通過一定過程形成的微電子基板，其中，所述過程包括在微電子基板的導電材料附近設(shè)置通常不導電的材料；通過所述通常不導電材料延伸并進入導電材料而形成的凹陷，所述凹陷至少在導電材料與所述通常不導電材料之間的界面附近處確定拐角；從所述拐角處去除至少部分導電材料，通過將拐角暴露于一定電壓下，從而至少部分地倒圓所述拐角。
53.如權(quán)利要求52所述的微電子基板，其中，去除至少部分導電材料包括定位第一和第二電極，使其靠近和遠離微電子基板，將至少一個電極耦合到電壓源，使電流從至少一個電極流向拐角，以氧化拐角處的導電材料，并將所述拐角處的被氧化導電材料暴露于蝕刻劑。
54.如權(quán)利要求52所述的微電子基板，其中，所述過程包括從遠離所述微電子基板的電極發(fā)射電信號；在導電材料的拐角處接收所述電信號；使所述電信號通過導電材料，從而氧化拐角處的至少部分導電材料；將導電材料的被氧化部分暴露于化學蝕刻劑。
55.如權(quán)利要求52所述的微電子基板，其中，從拐角處去除導電材料包括去除與所述通常不導電材料耦接的導電材料。
56.如權(quán)利要求52所述的微電子基板，其中，所述過程包括從所述拐角處去除導電材料之前，去除至少部分不導電材料，以露出導電材料的拐角。
57.如權(quán)利要求52所述的微電子基板，其中，所述過程包括，在導電材料上設(shè)置氧化物層；在氧化物層上設(shè)置氮化物層；在從所述拐角去除至少部分導電材料之前，去除至少一部分氮化物層和至少一部分氧化物層，以露出導電材料的拐角。
58.如權(quán)利要求52的微電子基板，其中，去除導電材料包括使電流通過至少部分導電材料，使這部分導電材料氧化，并將這部分暴露于蝕刻劑。
59.如權(quán)利要求52所述的微電子基板，其中，所述過程還包括選擇導電材料包括攙雜的硅。
60.如權(quán)利要求52所述的微電子基板，其中，去除至少部分導電材料包括選擇通過導電材料的電流為交變電流。
61.如權(quán)利要求52所述的微電子基板，其中，所述過程還包括在從拐角處去除導電材料之后，在所述凹陷的壁上設(shè)置絕緣層。
62.如權(quán)利要求52所述的微電子基板，其中，所述過程還包括在所述凹陷中形成晶體管柵極。
63.如權(quán)利要求52所述的微電子基板，其中，去除至少部分導電材料包括定位兩個電極，使其面向所述微電子基板的平面表面，將至少一個電極耦合到電壓源，并在所述平面表面與電極之間設(shè)置電解液。
64.一種通過一定過程形成的微電子基板，所說過程包括在微電子基板的導電材料附近設(shè)置電解液，所述導電材料具有在第一平面中的第一表面，并在所述第一表面內(nèi)具有凹陷，通過在第二平面中的第二表面倒圓所述凹陷，所述導電材料在所述第一和第二表面之間還有拐角；通過定位第一和第二電極，使它們與電解液流體連通，并將至少一個電極耦合到電壓源，從拐角處去除至少一部分導電材料。
65.如權(quán)利要求64所述的微電子基板，其中，所述凹陷大體上垂直于所述微電子基板的平面表面延伸，并且去除至少一部分導電材料包括定位兩個電極，使其面對所述微電子基板的平面表面，將至少一個電極耦合到電壓源，并在所述平面表面和電極之間設(shè)置電解液。
66.如權(quán)利要求64所述的微電子基板，其中，所述過程還包括從至少一個電極發(fā)射電信號，所述電極與微電子基板分隔開；在所述導電材料的拐角處接收所述電信號；使所述電信號通過導電材料，從而氧化至少一部分導電材料；并使導電材料的被氧化部分暴露到化學蝕刻劑。
67.如權(quán)利要求64所述的微電子基板，其中，將所述導電材料的第一表面定位在通常不導電的材料附近，所述通常不導電材料定位在第一表面與至少一個電極之間，并從所述拐角處去除至少一部分導電材料包括去除與所述通常不導電材料耦接的導電材料。
68.如權(quán)利要求64所述的微電子基板，其中，還包括在導電材料上設(shè)置氧化物層；在氧化物層上設(shè)置氮化物層；去除至少部分氮化物層和至少部分氧化物層，以露出導電材料的拐角。
69.如權(quán)利要求64所述的微電子基板，其中，去除導電材料包括使電流通過至少一部分導電材料，并將這部分暴露于蝕刻劑，從而氧化這部分導電材料。
70.如權(quán)利要求64所述的微電子基板，其中，去除至少部分導電材料包括選擇通過導電材料的電流為交變電流。
71.如權(quán)利要求64所述的微電子基板，其中，還包括在孔中形成晶體管柵極。
全文摘要
一種微電子基板和從微電子基板除去導電材料的方法。按一種實施例，微電子基板包括具有凹陷的導電的或半導體材料，凹陷最初在導電材料的表面處具有尖銳的拐角。比如通過向與電解液流體連通的電極加給電壓，可使所述拐角被倒圓，所述電解液位于拐角附近。從電極流過拐角的電流可以氧化拐角處的導電材料，利用化學蝕刻劑可以除去被氧化的材料。
文檔編號H01L21/3205GK1516894SQ02812238
公開日2004年7月28日 申請日期2002年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月21日
發(fā)明者沃恩集·李, 沃恩集 李, G 米克爾, 斯科特·G·米克爾, E 穆爾, 斯科特·E·穆爾 申請人:微米技術(shù)有限公司