專利名稱：在襯底上制備空氣橋的方法
技術領域：
本發(fā)明屬于半導體技術領域，特別是指一種在襯底上制備空氣橋的方法。
采用本發(fā)明所述方法，只需用常規(guī)集成電路通用的設備和工藝即可實現(xiàn)空氣橋的制備。它的均勻性好，工序簡單；不僅可用金形成空氣橋，也可用許多其他金屬形成空氣橋，尤其是它可使用廉價的鋁作為空氣橋，可節(jié)約成本。
本發(fā)明一種在襯底上制備空氣橋的方法，其特征在于，包括如下步驟(1)在襯底上涂兩層光刻膠；(2)在上層光刻膠上曝光、顯影，獲得橋模圖形；(3)對下層刻蝕和氯苯浸泡，將上層的橋模圖形轉移到下層；(4)泛曝光、顯影去除剩余的上層膠；
(5)在已形成橋模的襯底上，涂薄聚甲基丙烯酸甲酯-順丁烯二酐光刻膠光刻膠和厚正膠；經(jīng)曝光、反轉顯影使普通正性光刻膠形成布線圖形，等離子刻蝕去除布線圖形窗口內的聚甲基丙烯酸甲酯-順丁烯二酐光刻膠；(6)蒸發(fā)金屬、剝離后形成空氣橋布線金屬。
其中所述的襯底是砷化鎵或硅。
其中光刻膠是分兩次涂布，第一層為聚甲基丙烯酸甲酯膠，第二層為普通的正性光刻膠。
其中蒸發(fā)金屬是金/鈦、鋁或其他金屬。


圖1和圖2是經(jīng)上述方法制備出的空氣橋照片圖，厚度達2微米、跨度達到20微米等好結果，應用它已在4英寸GaAs片上制成每秒千兆比特速率的激光器驅動電路，驗證了它是行之有效的方法。
發(fā)明的最好方式在上述第5步驟中，其PMMA厚度需根據(jù)所需金屬厚度確定，一般比金屬厚0.2-2倍，例如欲獲得1.5-2微米的金屬布線，常用2-3微米PMMA，烘烤溫度為180℃；所述厚光刻膠為S9918正膠，厚度為2-3微米；顯影后用O2等離子體刻蝕去除一部分PMMA膠，然后用氯苯浸泡直至窗口的PMMA全部去除為止。
所述PMMA-MAA膠厚度為0.1-0.2微米，烘烤溫度為180℃。其它工序為常規(guī)工藝。
權利要求
1.一種在襯底上制備空氣橋的方法，其特征在于，包括如下步驟(1)在襯底上涂兩層光刻膠；(2)在上層光刻膠上曝光、顯影，獲得橋模圖形；(3)對下層刻蝕和氯苯浸泡，將上層的橋模圖形轉移到下層；(4)泛曝光、顯影去除剩余的上層膠；(5)在已形成橋模的襯底上，涂薄聚甲基丙烯酸甲酯-順丁烯二酐光刻膠光刻膠和厚正膠；經(jīng)曝光、反轉顯影使普通正性光刻膠形成布線圖形，等離子刻蝕去除布線圖形窗口內的聚甲基丙烯酸甲酯-順丁烯二酐光刻膠；(6)蒸發(fā)金屬、剝離后形成空氣橋布線金屬。
2.根據(jù)權利要求1所述的在襯底上制備空氣橋的方法，其特征在于，其中所述的襯底是砷化鎵或硅。
3.根據(jù)權利要求1所述的在襯底上制備空氣橋的方法，其特征在于，其中光刻膠是分兩次涂布，第一層為聚甲基丙烯酸甲酯膠，第二層為普通的正性光刻膠。
4.根據(jù)權利要求1所述的在襯底上制備空氣橋的方法，其特征在于，其中蒸發(fā)金屬是金/鈦、鋁或其他金屬。
全文摘要
一種在襯底上制備空氣橋的方法，包括如下步驟(1)在襯底上涂兩層光刻膠；(2)在上層光刻膠上曝光、顯影，獲得橋模圖形；(3)對下層刻蝕和氯苯浸泡，將上層的橋模圖形轉移到下層；(4)泛曝光、顯影去除剩余的上層膠；(5)在已形成橋模的襯底上，涂薄聚甲基丙烯酸甲酯－順丁烯二酐光刻膠光刻膠和厚正膠；經(jīng)曝光、反轉顯影使普通正性光刻膠形成布線圖形，等離子刻蝕去除布線圖形窗口內的聚甲基丙烯酸甲酯－順丁烯二酐光刻膠；(6)蒸發(fā)金屬、剝離后形成空氣橋布線金屬。
文檔編號H01L21/027GK1466189SQ02141340
公開日2004年1月7日 申請日期2002年7月5日 優(yōu)先權日2002年7月5日
發(fā)明者劉訓春, 李無暇, 王潤海, 羅明雄 申請人:中國科學院微電子中心